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| \¥0 2020/174305 卩（：1' 2020/051228 請求の範囲 ［請求項 1］ 第 1の発光デバイス及び第 2の発光デバイスを有し、 前記第 1の発光デバイスは、 第 1の電極及び共通電極を有し、 前記第 2の発光デバイスは、 第 2の電極及び前記共通電極を有し、 前記第 1の発光デバイスは、 前記第 1の電極及び前記共通電極のうち陽極として機能する電極側 から順に、 正孔注入層、 第 1の発光層、 及び電子輸送層を有し、 前記第 2の発光デバイスは、 前記第 2の電極と前記共通電極との間に、 第 2の発光層を有し、 前記正孔注入層は、 前記第 1の電極及び前記共通電極のうち陽極として機能する電極に接し、 前記正孔注入層は、 第 1の化合物及び第 2の化合物を有し、 前記第 1の発光層は、 第 1の色の光を発する第 3の化合物を有し、 前記第 2の発光層は、 第 2の色の光を発する第 4の化合物を有し、 前記電子輸送層は、 第 5の化合物を有し、 前記第 1の化合物は、 前記第 2の化合物に対する電子受容性を有し、 前記第 位は、 一 5 . 7 6 以上一 5 . 4 6 以下であり、 前記第 5の化合物は、 H O M O準位が一 6 . 0 6 V以上であり、 かつ電界強度 ［ /。111］ の平 方根が 6 0 0における電子移動度が 1 X 1 0 - 7〇 111 2/ 8以上 5 X 1 0 - 5〇 111 2/ 8以下であ る、 表示装置。 ［請求項 2］ 請求項 1において、 前記第 2の発光デバイスは、 前記第 2の電極と前記共通電極との間に、 前記第 1の発光デバイス と共通の層を有する、 表示装置。 ［請求項 3］ 請求項 1において、 前記第 2の発光デバイスは、 前記正孔注入層及び前記電子輸送層を有する、 表示装置。 ［請求項 4］ 第 1の発光デバイス及び第 2の発光デバイスを有し、 前記第 1の発光デバイスは、 第 1の電極及び共通電極を有し、 前記第 2の発光デバイスは、 第 2の電極及び前記共通電極を有し、 前記第 1の発光デバイスは、 前記第 1の電極及び前記共通電極のうち陽極として機能する電極側 から順に、 正孔注入層、 第 1の正孔輸送層、 第 1の発光層、 及び電子輸送層を有し、 前記第 2の発光デバイスは、 前記第 2の電極と前記共通電極との間に、 第 2の発光層を有し、 前記正孔注入層は、 前記第 1の電極及び前記共通電極のうち陽極として機能する電極に接し、 前記正孔注入層は、 第 1の化合物及び第 2の化合物を有し、 前記第 1の発光層は、 第 1の色の光を発する第 3の化合物を有し、 前記第 2の発光層は、 第 2の色の光を発する第 4の化合物を有し、 前記電子輸送層は、 第 5の化合物を有し、 前記第 1の正孔輸送層は、 第 6の化合物を有し、 前記第 1の化合物は、 前記第 2の化合物に対する電子受容性を有し、 前記第 2の化合物の 位は、 一 5 . 7 6 以上一 5 . 4 6 以下であり、 \¥02020/174305 卩（：1' 2020/051228 前記第 5の化合物は、 HOMO準位が一 6. 06 V以上であり、 かつ電界強度 ［ /。111］ の平 方根が 600における電子移動度が 1 X 10 7〇 1112/ 8以上 5 X 10 - 5〇 1112/ 8以下であ り、 前記第 位は、 前記第 2の化合物の：《 01^0準位以下の値であり、 前記第 位と前記第 2の化合物の：《01^0準位との差は、 〇. 26 以内 である、 表示装置。 ［請求項 5］ 請求項 4において、 前記第 2の化合物及び前記第 6の化合物は、 それぞれ、 カルバゾール骨格、 ジベンゾフラン骨格、 ジベンゾチオフエン骨格、 及びアントラセン骨格のうち少なく とも一つを有する、 表示装置。 ［請求項 6］ 請求項 4において、 前記第 1の発光デバイスは、 さらに、 第 2の正孔輸送層を有し、 前記第 2の正孔輸送層は、 第 7の化合物を有し、 前記第 7の化合物の HOMO_位は、 前記第 6の化合物の HOMO_位よりも低い、 表示装置。 ［請求項 7］ 請求項 6において、 前記第 2の化合物、 前記第 6の化合物、 及び前記第 7の化合物は、 それぞれ、 カルバゾール骨格、 ジベンゾフラン骨格、 ジベンゾチオフエン骨格、 及びアントラセン骨格のうち少なく とも一つを有 する、 表示装置。 ［請求項 8］ 第 1の発光デバイス及び第 2の発光デバイスを有し、 前記第 1の発光デバイスは、 第 1の電極及び共通電極を有し、 前記第 2の発光デバイスは、 第 2の電極及び前記共通電極を有し、 前記第 1の発光デバイスは、 前記第 1の電極及び前記共通電極のうち陽極として機能する電極側 から順に、 正孔注入層、 第 1の発光層、 及び電子輸送層を有し、 前記第 2の発光デバイスは、 前記第 2の電極と前記共通電極との間に、 第 2の発光層を有し、 前記正孔注入層は、 前記第 1の電極及び前記共通電極のうち陽極として機能する電極に接し、 前記正孔注入層は、 第 1の化合物及び第 2の化合物を有し、 前記第 1の発光層は、 第 1の色の光を発する第 3の化合物を有し、 前記第 2の発光層は、 第 2の色の光を発する第 4の化合物を有し、 前記電子輸送層は、 第 5の化合物及び第 8の化合物を有し、 前記第 1の化合物は、 前記第 2の化合物に対する電子受容性を有し、 前記第 位は、 一 5. 76 以上一 5. 46 以下であり、 前記第 5の化合物は、 HOMO準位が一 6. 06 V以上であり、 かつ電界強度 ［ /。111］ の平 方根が 600における電子移動度が 1 X 10 7〇 1112/ 8以上 5 X 10 - 5〇 1112/ 8以下であ り、 前記第 8の化合物は、 アルカリ金属またはアルカリ土類金属を有する有機錯体である、 表示装置。 ［請求項 9］ 請求項 8において、 \¥0 2020/174305 卩（：1' 2020/051228 前記電子輸送層における、 前記第 5の化合物と前記第 8の化合物の存在比は、 前記第 1の発光層 側と前記共通電極側とで異なる、 表示装置。 [請求項 1 0 ] 請求項 8において、 前記電子輸送層は、 前記第 1の発光層側の第 1の領域と、 前記共通電極側の第 2の領域と、 を有 し、 前記第 2の領域は、 前記第 1の領域よりも、 前記第 8の化合物の存在量が少ない、 表示装置。 [請求項 1 1 ] 請求項 8乃至 1 0のいずれか一において、 前記第 1の発光デバイスは、 さらに、 第 1の正孔輸送層を有し、 前記第 の化合物を有し、 前記第 位は、 前記第 2の化合物の：《 01^0準位以下の値であり、 前記第 位と前記第 2の化合物の：《01^0準位との差は、 〇. 2 6 以内 である、 表示装置。 [請求項 1 2 ] 請求項 1 1において、 前記第 2の化合物及び前記第 6の化合物は、 それぞれ、 カルバゾール骨格、 ジベンゾフラン骨格、 ジベンゾチオフエン骨格、 及びアントラセン骨格のうち少なくとも一つを有する、 表示装置。 [請求項 1 3 ] 請求項 1 1において、 前記第 1の発光デバイスは、 さらに、 第 2の正孔輸送層を有し、 前記第 2の正孔輸送層は、 第 7の化合物を有し、 前記第 7の化合物の H OMO_位は、 前記第 6の化合物の H OMO _位よりも低い、 表示装置。 [請求項 1 4 ] 請求項 1 3において、 前記第 2の化合物、 前記第 6の化合物、 及び前記第 7の化合物は、 それぞれ、 カルバゾール骨格、 ジベンゾフラン骨格、 ジベンゾチオフエン骨格、 及びアントラセン骨格のうち少なくとも一つを有 する、 表示装置。 [請求項 1 5 ] 請求項 1乃至 1 4のいずれか一において、 前記第 3の化合物及び前記第 4の化合物は、 それぞれ、 蛍光発光物質である、 表示装置。 [請求項 1 6 ] 請求項 1乃至 1 5のいずれか一において、 前記第 1の色は、 青色である、 表示装置。 [請求項 1 7 ] 請求項 1乃至 1 6のいずれか一において、 前記第 1の発光デバイスに一定の電流を流した際に得られる発光の輝度変化で表される劣化曲線 が極大値を有する、 表示装置。 [請求項 1 8 ] 第 1の発光デバイス、 第 2の発光デバイス、 及び第 3の発光デバイスを有し、 \¥0 2020/174305 卩（：1' 2020/051228 前記第 1の発光デバイスは、 第 1の電極及び共通電極を有し、 前記第 2の発光デバイスは、 第 2の電極及び前記共通電極を有し、 前記第 3の発光デバイスは、 第 3の電極及び前記共通電極を有し、 前記第 1の発光デバイスは、 前記第 1の電極及び前記共通電極のうち陽極として機能する電極側 から順に、 正孔注入層、 第 1の発光層、 及び電子輸送層を有し、 前記第 2の発光デバイスは、 前記第 2の電極と前記共通電極との間に、 第 2の発光層を有し、 前記第 3の発光デバイスは、 前記第 3の電極と前記共通電極との間に、 第 3の発光層を有し、 前記正孔注入層は、 前記第 1の電極及び前記共通電極のうち陽極として機能する電極に接し、 前記正孔注入層は、 第 1の化合物及び第 2の化合物を有し、 前記電子輸送層は、 第 3の化合物を有し、 前記第 1の化合物は、 前記第 2の化合物に対する電子受容性を有し、 前記第 位は、 一 5 . 7 6 以上一 5 . 4 6 以下であり、 前記第 3の化合物は、 H OMO準位が一 6 . 0 6 V以上であり、 かつ電界強度 ［ /。111］ の平 方根が 6 0 0における電子移動度が 1 X 1 0 - 7〇 111 2 / 8以上 5 X 1 0 - 5〇 111 2 / 8以下であ り、 前記第 1の発光デバイスの発光スぺク トルの最大ピーク波長は、 前記第 2の発光デバイスの発光 スぺク トルの最大ピーク波長よりも短く、 前記第 2の発光デバイスの発光スぺク トルの最大ピーク波長は、 前記第 3の発光デバイスの発光 スぺク トルの最大ピーク波長よりも短く、 上面視において、 前記第 2の発光デバイスの発光領域の面積は、 前記第 3の発光デバイスの発光 領域の面積よりも大きく、 上面視において、 前記第 1の発光デバイスの発光領域の面積は、 前記第 3の発光デバイスの発光 領域の面積以上、 かつ、 前記第 2の発光デバイスの発光領域の面積以下である、 表示装置。 ［請求項 1 9］ 第 1の発光デバイス、 第 2の発光デバイス、 及び第 3の発光デバイスを有し、 前記第 1の発光デバイスは、 第 1の電極及び共通電極を有し、 前記第 2の発光デバイスは、 第 2の電極及び前記共通電極を有し、 前記第 3の発光デバイスは、 第 3の電極及び前記共通電極を有し、 前記第 1の発光デバイスは、 前記第 1の電極及び前記共通電極のうち陽極として機能する電極側 から順に、 第 1の発光層及び電子輸送層を有し、 前記第 2の発光デバイスは、 前記第 2の電極と前記共通電極との間に、 第 2の発光層を有し、 前記第 3の発光デバイスは、 前記第 3の電極と前記共通電極との間に、 第 3の発光層を有し、 前記電子輸送層は、 電子輸送性材料と、 アルカリ金属またはアルカリ土類金属の有機金属錯体と、 を有し、 前記電子輸送層は、 第 1の領域と、 前記第 1の領域よりも前記共通電極側に位置する第 2の領域 と、 を有し、 前記第 1の領域と前記第 2の領域とは、 前記電子輸送性材料の濃度が互いに異なり、 前記第 1の発光デバイスの発光スぺク トルの最大ピーク波長は、 前記第 2の発光デバイスの発光 スぺク トルの最大ピーク波長よりも短く、 前記第 2の発光デバイスの発光スぺク トルの最大ピーク波長は、 前記第 3の発光デバイスの発光 \¥0 2020/174305 卩（：1' 2020/051228 スぺクトルの最大ピーク波長よりも短く、 上面視において、 前記第 2の発光デバイスの発光領域の面積は、 前記第 3の発光デバイスの発光 領域の面積よりも大きく、 上面視において、 前記第 1の発光デバイスの発光領域の面積は、 前記第 3の発光デバイスの発光 領域の面積以上、 かつ、 前記第 2の発光デバイスの発光領域の面積以下である、 表示装置。 [請求項 2 0 ] 請求項 1 9において、 前記第 2の領域は、 前記第 1の領域に比べて、 前記電子輸送性材料の濃度が低い、 表示装置。 [請求項 2 1 ] 請求項 1 8乃至 2 0のいずれか一において、 前記第 1の発光デバイスは、 蛍光を発し、 前記第 2の発光デバイス及び前記第 3の発光デバイスは、 それぞれ、 燐光を発する、 表示装置。 [請求項 2 2 ] 請求項 1 8乃至 2 1のいずれか一において、 前記第 2の発光デバイスは、 前記第 2の電極と前記共通電極との間に、 前記第 1の発光デバイス と共通の層を有する、 表示装置。 [請求項 2 3 ] 請求項 1乃至 2 2のいずれか一に記載の表示装置と、 コネクタまたは集積回路と、 を有する、 表 不モンユ ' ~ノレ。 [請求項 2 4 ] 請求項 2 3に記載の表示モジュールと、 アンテナ、 バッテリ、 筐体、 カメラ、 スピーカ、 マイク、 及び操作ボタンのうち、 少なくとも一 つと、 を有する、 電子機器。 [請求項 2 5 ] 請求項 2 3に記載の表示モジュールと、 通信制御部と、 を有し、 前記通信制御部を用いて、 コンピュータネットワークに接続することができる、 テレビジョン装 置。 |
発明の名称
表示装置、 表示モジュール、 電子機器、 及びテレビジョン装置
技術分野
[0001]
本発明の一態様は、 表示装置、 表示モジュール、 電子機器、 及びテレビジョン装置に関する。
[0002]
なお、 本発明の一態様は、 上記の技術分野に限定されない。 本発明の一態様の技術分野としては、 半導体装置、 表示装置、 発光装置、 蓄電装置、 記憶装置、 電子機器、 照明装置、 入力装置 （例えば、 タッチセンサなど） 、 入出力装置 （例えば、 タッチパネルなど） 、 それらの駆動方法、 又はそれら の製造方法を一例として挙げることができる 。
背景技術
[0003]
近年、 表示装置は様々な用途への応用が期待されて いる。 例えば、 大型の表示装置の用途としては、 家庭用のテレビジョン装置 （テレビまたはテレビジョン受信機ともいう ） 、 デジタルサイネージ （D i g i t a l S i g n a g e :電子看板） 、 P I D （ P u b 1 i c I n f o rma t i o n D i s p l a y） 等が挙げられる。 また、 携帯情報端末として、 タッチパネルを備えるスマー トフオンやタブレット端末の開発が進められ ている。
[0004]
表示装置としては、 例えば、 発光デバイス （発光素子ともいう） を有する発光装置が開発されてい る。 エレク トロルミネッセンス （E l e c t r o l um i n e s c e n c e、 以下 ELと記す） 現 象を利用した発光デバイス （ELデバイス、 EL素子ともいう） は、 薄型軽量化が容易である、 入 力信号に対し高速に応答可能である、 直流低電圧電源を用いて駆動可能である等の 特徴を有し、 表 示装置への応用が検討されている。 例えば、 特許文献 1に、 有機 ELデバイス （有機 EL素子とも いう） が適用された、 可撓! ' 生を有する発光装置が開示されている。
[先行技術文献]
[特許文献]
[0005]
[特許文献 1 ] 特開 20 1 4- 1 97522号公報
発明の概要
発明が解決しようとする課題
[0006]
本発明の一態様は、 長寿命の表示装置を提供することを課題の一 とする。 本発明の一態様は、 信頼 性の高い表示装置を提供することを課題の一 とする。 本発明の一態様は、 大型の表示装置を提供す ることを課題の一とする。 本発明の一態様は、 解像度の高い表示装置を提供することを課題 の一と する。 本発明の一態様は、 生産性の高い表示装置を提供することを課題 の一とする。 本発明の一態 様は、 表示品位の高い表示装置を提供することを課 題の一とする。
[0007]
なお、 これらの課題の記載は、 他の課題の存在を妨げるものではない。 本発明の一態様は、 必ずし \¥02020/174305 卩（：1' 2020/051228 も、 これらの課題の全てを解決する必要はないも のとする。 明細書、 図面、 請求項の記載から、 こ れら以外の課題を抽出することが可能である 。
課題を解決するための手段
[0008]
本発明の一態様は、 第 1の発光デバイス及び第 2の発光デバイスを有する表示装置である。 第 1の 発光デバイスは、 第 1の電極及び共通電極を有する。 第 2の発光デバイスは、 第 2の電極及び共通 電極を有する。 第 1の発光デバイスは、 第 1の電極及び共通電極のうち陽極として機能 る電極側 から順に、 正孔注入層、 第 1の発光層、 及び電子輸送層を有する。 第 2の発光デバイスは、 第 2の 電極と共通電極との間に、 第 2の発光層を有する。 正孔注入層は、 第 1の電極及び共通電極のうち 陽極として機能する電極に接する。 正孔注入層は、 第 1の化合物及び第 2の化合物を有する。 第 1 の発光層は、 第 1の色の光を発する第 3の化合物を有する。 第 2の発光層は、 第 2の色の光を発す る第 4の化合物を有する。 電子輸送層は、 第 5の化合物を有する。 第 1の化合物は、 第 2の化合物 に対する電子受容性を有する。 第 2の化合物の HOMO_位は、 一5. 7 6 V以上一 5. 4 6 以 下である。 第 5の化合物は、 HOMO_位が一 6. 0 6 V以上であり、 かつ電界強度 [ /。1 11 ] の平方根が 600における電子移動度が 1 X 10 - 7 〇 1 11 2 / 8 以上 5 X 10 - 5 〇 1 11 2 / 8 以下 である。
[0009]
第 2の発光デバイスは、 第 2の電極と共通電極との間に、 第 1の発光デバイスと共通の層を有する ことが好ましい。
[0010]
第 2の発光デバイスは、 正孔注入層及び電子輸送層を有することが好 ましい。
[001 1]
本発明の一態様は、 第 1の発光デバイス及び第 2の発光デバイスを有する表示装置である。 第 1の 発光デバイスは、 第 1の電極及び共通電極を有する。 第 2の発光デバイスは、 第 2の電極及び共通 電極を有する。 第 1の発光デバイスは、 第 1の電極及び共通電極のうち陽極として機能 る電極側 から順に、 正孔注入層、 第 1の正孔輸送層、 第 1の発光層、 及び電子輸送層を有する。 第 2の発光 デバイスは、 第 2の電極と共通電極との間に、 第 2の発光層を有する。 正孔注入層は、 第 1の電極 及び共通電極のうち陽極として機能する電極 に接する。 正孔注入層は、 第 1の化合物及び第 2の化 合物を有する。 第 1の発光層は、 第 1の色の光を発する第 3の化合物を有する。 第 2の発光層は、 第 2の色の光を発する第 4の化合物を有する。 電子輸送層は、 第 5の化合物を有する。 第 1の正孔 輸送層は、 第 6の化合物を有する。 第 1の化合物は、 第 2の化合物に対する電子受容性を有する。 第 2の化合物の：《01^0準位は、 一 5. 76 V以上一 5. 4 6 V以下である。 第 5の化合物は、 ：《 0 0_位が一 6. 0 6 V以上であり、 かつ電界強度 [ /〇1 11 ] の平方根が 600における電子 移動度が 1 X 10 7 。 1 11 2 / 8 以上 5 X 10— 5 。 1 11 2 / 8 以下である。 第 6の化合物の：《〇]^ 〇準位は、 第 2の化合物の：《01^0準位以下の値である。 第 6の化合物の：《01^0準位と第 2の化 合物の：《01^0準位との差は、 〇. 以内である。
[001 2]
第 2の化合物及び第 6の化合物は、 それぞれ、 カルバゾール骨格、 ジベンゾフラン骨格、 ジベンゾ チオフエン骨格、 及びアントラセン骨格のうち少なく とも一つを有することが好ましい。
[00 1 3] \¥02020/174305 ?€1/162020/051228 第 1の発光デバイスは、 さらに、 第 2の正孔輸送層を有することが好ましい。 第 2の正孔輸送層は、 第 7の化合物を有することが好ましい。 第 7の化合物の HOMO_位は、 第 6の化合物の HOMO _位よりも低いことが好ましい。 第 2の化合物、 第 6の化合物、 及び第 7の化合物は、 それぞれ、 カルバゾール骨格、 ジベンゾフラン骨格、 ジベンゾチオフエン骨格、 及びアントラセン骨格のうち 少なくとも一つを有することが好ましい。
[00 1 4]
本発明の一態様は、 第 1の発光デバイス及び第 2の発光デバイスを有する表示装置である。 第 1の 発光デバイスは、 第 1の電極及び共通電極を有する。 第 2の発光デバイスは、 第 2の電極及び共通 電極を有する。 第 1の発光デバイスは、 第 1の電極及び共通電極のうち陽極として機能 る電極側 から順に、 正孔注入層、 第 1の発光層、 及び電子輸送層を有する。 第 2の発光デバイスは、 第 2の 電極と共通電極との間に、 第 2の発光層を有する。 正孔注入層は、 第 1の電極及び共通電極のうち 陽極として機能する電極に接する。 正孔注入層は、 第 1の化合物及び第 2の化合物を有する。 第 1 の発光層は、 第 1の色の光を発する第 3の化合物を有する。 第 2の発光層は、 第 2の色の光を発す る第 4の化合物を有する。 電子輸送層は、 第 5の化合物及び第 8の化合物を有する。 第 1の化合物 は、 第 2の化合物に対する電子受容性を有する。 第 2の化合物の HOMO準位は、 一 5. 76 以 上一 5. 4 6 V以下である。 第 5の化合物は、 HOMO_位が一 6. 06 V以上であり、 かつ電界 強度 [ /〇111] の平方根が
以下である。 第 8の化合物は、 アルカリ金属またはアルカリ土類金属を有す る有機錯 体である。
[00 1 5]
電子輸送層における、 第 5の化合物と第 8の化合物の存在比は、 第 1の発光層側と共通電極側とで 異なることが好ましい。
[00 1 6]
電子輸送層は、 第 1の発光層側の第 1の領域と、 共通電極側の第 2の領域と、 を有することが好ま しい。 第 2の領域は、 第 1の領域よりも、 第 8の化合物の存在量が少ないことが好ましい
[00 1 7]
第 1の発光デバイスは、 さらに、 第 1の正孔輸送層を有することが好ましい。 第 1の正孔輸送層は、 第 6の化合物を有することが好ましい。 第 6の化合物の HOMO_位は、 第 2の化合物の HOMO ，位以下の値であることが好ましい。 位と第 2の化合物の 位 との差は、 〇. 26 V以内であることが好ましい。 第 2の化合物及び第 6の化合物は、 それぞれ、 カルバゾール骨格、 ジベンゾフラン骨格、 ジベンゾチオフエン骨格、 及びアントラセン骨格のうち 少なくとも一つを有することが好ましい。
[00 1 8]
第 1の発光デバイスは、 さらに、 第 2の正孔輸送層を有することが好ましい。 第 2の正孔輸送層は、 第 7の化合物を有することが好ましい。 第 7の化合物の HOMO_位は、 第 6の化合物の HOMO _位よりも低いことが好ましい。 第 2の化合物、 第 6の化合物、 及び第 7の化合物は、 それぞれ、 カルバゾール骨格、 ジベンゾフラン骨格、 ジベンゾチオフエン骨格、 及びアントラセン骨格のうち 少なくとも一つを有することが好ましい。
[00 1 9]
第 3の化合物及び第 4の化合物は、 それぞれ、 蛍光発光物質であることが好ましい。 \¥02020/174305 ?€1/162020/051228
[0020]
第 1の色は、 青色であることが好ましい。
[0021]
第 1の発光デバイスに一定の電流を流した際に られる発光の輝度変化で表される劣化曲線 極大 値を有することが好ましい。
[0022]
本発明の一態様は、 第 1の発光デバイス、 第 2の発光デバイス、 及び第 3の発光デバイスを有する 表示装置である。 第 1の発光デバイスは、 第 1の電極及び共通電極を有する。 第 2の発光デバイス は、 第 2の電極及び共通電極を有する。 第 3の発光デバイスは、 第 3の電極及び共通電極を有する。 第 1の発光デバイスは、 第 1の電極及び共通電極のうち陽極として機能 る電極側から順に、 正孔 注入層、 第 1の発光層、 及び電子輸送層を有する。 第 2の発光デバイスは、 第 2の電極と共通電極 との間に、 第 2の発光層を有する。 第 3の発光デバイスは、 第 3の電極と共通電極との間に、 第 3 の発光層を有する。 正孔注入層は、 第 1の電極及び共通電極のうち陽極として機能 る電極に接す る。 正孔注入層は、 第 1の化合物及び第 2の化合物を有する。 電子輸送層は、 第 3の化合物を有す 、
は、 第 2の発光デバイスの発光スペク トルの最大ピーク波長よりも短い。 第 2の発光デバイスの発 光スぺク トルの最大ピーク波長は、 第 3の発光デバイスの発光スぺク トルの最大ピーク波長よりも 短い。 上面視において、 第 2の発光デバイスの発光領域の面積は、 第 3の発光デバイスの発光領域 の面積よりも大きい。 上面視において、 第 1の発光デバイスの発光領域の面積は、 第 3の発光デバ イスの発光領域の面積以上、 かつ、 第 2の発光デバイスの発光領域の面積以下であ 。
[ 0 0 2 3 ]
本発明の一態様は、 第 1の発光デバイス、 第 2の発光デバイス、 及び第 3の発光デバイスを有する 表示装置である。 第 1の発光デバイスは、 第 1の電極及び共通電極を有する。 第 2の発光デバイス は、 第 2の電極及び共通電極を有する。 第 3の発光デバイスは、 第 3の電極及び共通電極を有する。 第 1の発光デバイスは、 第 1の電極及び共通電極のうち陽極として機能 る電極側から順に、 第 1 の発光層及び電子輸送層を有する。 第 2の発光デバイスは、 第 2の電極と共通電極との間に、 第 2 の発光層を有する。 第 3の発光デバイスは、 第 3の電極と共通電極との間に、 第 3の発光層を有す る。 電子輸送層は、 電子輸送性材料と、 アルカリ金属またはアルカリ土類金属の有機 金属錯体と、 を有する。 電子輸送層は、 第 1の領域と、 第 1の領域よりも共通電極側に位置する第 2の領域と、 を有する。 第 1の領域と第 2の領域とは、 電子輸送性材料の濃度が互いに異なる。 第 1の発光デバ イスの発光スぺク トルの最大ピーク波長は、 第 2の発光デバイスの発光スぺク トルの最大ピーク波 長よりも短い。 第 2の発光デバイスの発光スペク トルの最大ピーク波長は、 第 3の発光デバイスの 発光スペク トルの最大ピーク波長よりも短い。 上面視において、 第 2の発光デバイスの発光領域の 面積は、 第 3の発光デバイスの発光領域の面積よりも大 い。 上面視において、 第 1の発光デバイ スの発光領域の面積は、 第 3の発光デバイスの発光領域の面積以上、 かつ、 第 2の発光デバイスの 発光領域の面積以下である。 第 2の領域は、 第 1の領域に比べて、 電子輸送性材料の濃度が低いこ とが好ましい。 [0024]
第 1の発光デバイスは、 蛍光を発することが好ましく、 第 2の発光デバイス及び第 3の発光デバイ スは、 それぞれ、 燐光を発することが好ましい。
[0025]
本発明の一態様は、 上記いずれかの構成の表示装置を有し、 フレキシブルプリント回路基板 (F 1 e x i b l e p r i n t e d c i r c u i t、 以下、 F P Cと記す) もしくは TCP (T a p e C a r r i e r P a c k a g e) 等のコネクタが取り付けられた表示モジュー ル、 または C OG (Ch i p On G l a s s) 方式もしくは CO F (Ch i p On F i l m) 方式等に より集積回路 ( I C) が実装された表示モジュール等の表示モジュ ールである。
[0026]
本発明の一態様は、 上記の表示モジュールと、 アンテナ、 バッテリ、 筐体、 カメラ、 スピーカ、 マ イク、 及び操作ボタンのうち少なくとも一つと、 を有する電子機器である。
[0027]
本発明の一態様は、 上記の表示モジュールと、 通信制御部と、 を有し、 通信制御部を用いて、 コン ピュータネットワークに接続することができ る、 テレビジョン装置である。
発明の効果
[0028]
本発明の一態様により、 長 _命の表示装置を提供できる。 本発明の一態様により、 信頼性の高い表 示装置を提供できる。 本発明の一態様により、 大型の表示装置を提供できる。 本発明の一態様によ り、 解像度の高い表示装置を提供できる。 本発明の一態様により、 生産性の高い表示装置を提供で きる。 本発明の一態様により、 表示品位の高い表示装置を提供できる。
[0029]
なお、 これらの効果の記載は、 他の効果の存在を妨げるものではない。 本発明の一態様は、 必ずし も、 これらの効果の全てを有する必要はない。 明細書、 図面、 請求項の記載から、 これら以外の効 果を抽出することが可能である。
図面の簡単な説明
[0030]
図 1 A及び図 1 Bは、 表示装置の一例を示す断面図である。
図 2 A及び図 2 Bは、 表示装置の一例を示す断面図である。
図 3は、 表示装置の一例を示す断面図である。
図 4 A〜図 4 Cは、 発光デバイスの一例を示す断面図である。
図 5 A及び図 5 Bは、 発光デバイスの発光領域を説明する図である 。 図 5Cは、 発光デバイスの時 間経過に伴う規格化輝度を説明する図である 。
図 6 A及び図 6 Bは、 発光デバイスの発光領域を説明する図である 。
図 7 A〜図 7 Dは、 電子輸送層における有機金属錯体の濃度を説 明する図である。
図 8は、 表示装置の一例を示す斜視図である。
図 9 A及び図 9 Bは、 表示装置の一例を示す断面図である。
図 1 0Aは、 表示装置の一例を示す断面図である。 図 10Bは、 トランジスタの一例を示す断面図 である。
図 1 1 Aは、 画素の一例を示すブロック図である。 図 1 1 Bは、 画素回路の一例を示す回路図であ \¥0 2020/174305 卩（：1' 2020/051228 る。
図 1 2八〜図1 2 0は、 £乙層の作製方法を説明する断面図である。
図 1 3は、 液滴吐出装置を説明する概念図である。
図 1 4八〜図 1 4 0は、 電子機器の一例を示す図である。
図 1 5八〜図 1 5 Fは、 電子機器の一例を示す図である。
図 1 6は、 テレビジョン装置の一例を示す図である。
図 1 7八は、 電子オンリーデバイスの構造を示す図である 。 図 1 7 3は、 実施例の発光デバイスの 構造を示す図である。
図 1 8は、 電子オンリーデバイスの電流密度一電圧特 1生を示す図である。
図 1 9は、 直流電源 7 . 0 Vにおける å八〇!'! : 乙 1 q ( 1 : 1 ) の算出されたキャパシタンス〇 の周波数特性を示す図である。
図 2 0は、 直流電圧 7 . 0 Vにおける å A D N : 乙 1 q ( 1 : 1 ) の一△ 3の周波数特性を示す図 である。
図 2 1は、 各有機化合物における電子移動度の電界強度 依存特性を示す図である。
図 2 2八〜図 2 2〇は、 画素のレイアウトの一例を示す上面図である 。
図 2 3は、 輝度一電流密度特性を示す図である。
図 2 4は、 輝度一電圧特性を示す図である。
図 2 5は、 電流効率一輝度特性を示す図である。
図 2 6は、 電流密度一電圧特†生を示す図である。
図 2 7は、 発光スぺクトルを示す図である。
図 2 8は、 輝度一電流密度特性を示す図である。
図 2 9は、 輝度一電圧特性を示す図である。
図 3 0は、 電流効率一輝度特性を示す図である。
図 3 1は、 電流密度一電圧特†生を示す図である。
図 3 2は、 発光スぺクトルを示す図である。
図 3 3は、 輝度一電流密度特性を示す図である。
図 3 4は、 輝度一電圧特性を示す図である。
図 3 5は、 電流効率一輝度特性を示す図である。
図 3 6は、 電流密度一電圧特†生を示す図である。
図 3 7は、 発光スぺクトルを示す図である。
図 3 8は、 信頼性試験の結果を示す図である。
図 3 9は、 信頼性試験の結果を示す図である。
図 4 0は、 信頼性試験の結果を示す図である。
図 4 1は、 輝度一電流密度特性を示す図である。
図 4 2は、 輝度一電圧特性を示す図である。
図 4 3は、 電流効率一輝度特性を示す図である。
図 4 4は、 電流密度一電圧特†生を示す図である。
図 4 5は、 発光スぺクトルを示す図である。
図 4 6は、 輝度一電流密度特性を示す図である。
図 4 7は、 輝度一電圧特性を示す図である。 \¥0 2020/174305 卩（：1' 2020/051228 図 4 8は、 電流効率一輝度特性を示す図である。
図 4 9は、 電流密度一電圧特†生を示す図である。
図 5 0は、 発光スぺクトルを示す図である。
図 5 1は、 輝度一電流密度特性を示す図である。
図 5 2は、 輝度一電圧特性を示す図である。
図 5 3は、 電流効率一輝度特性を示す図である。
図 5 4は、 電流密度一電圧特†生を示す図である。
図 5 5は、 発光スぺクトルを示す図である。
図 5 6は、 信頼性試験の結果を示す図である。
図 5 7は、 信頼性試験の結果を示す図である。
図 5 8は、 信頼性試験の結果を示す図である。
図 5 9は、 信頼性試験の結果を示す図である。
発明を実施するための形態
[ 0 0 3 1 ]
実施の形態について、 図面を用いて詳細に説明する。 但し、 本発明は以下の説明に限定されず、 本 発明の趣旨及びその範囲から逸脱することな くその形態及び詳細を様々に変更し得ること は当業者 であれば容易に理解される。 従って、 本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に 限定して解釈さ れるものではない。
[ 0 0 3 2 ]
なお、 以下に説明する発明の構成において、 同一部分又は同様な機能を有する部分には同 一の符号 を異なる図面間で共通して用い、 その繰り返しの説明は省略する。 また、 同様の機能を指す場合に は、 ハッチパターンを同じくし、 特に符号を付さない場合がある。
[ 0 0 3 3 ]
また、 図面において示す各構成の、 位置、 大きさ、 範囲などは、 理解の簡単のため、 実際の位置、 大きさ、 範囲などを表していない場合がある。 このため、 開示する発明は、 必ずしも、 図面に開示 された位置、 大きさ、 範囲などに限定されない。
[ 0 0 3 4 ]
なお、 「膜」 という言葉と、 「層」 という言葉とは、 場合によっては、 又は、 状況に応じて、 互い に入れ替えることが可能である。 例えば、 「導電層」 という用語を、 「導電膜」 という用語に変更 することが可能である。 または、 例えば、 「絶縁膜」 という用語を、 「絶縁層」 という用語に変更 することが可能である。
[ 0 0 3 5 ]
なお、 本明細書等において、 特に説明のない限り、 要素 （発光デバイス、 発光層など） を複数有す る構成を説明する場合であっても、 各々の要素に共通する事項を説明する場合に は、 アルファべッ 卜を省略して説明する。 例えば、 発光層 1 9 3尺及び発光層 1 9 3〇等に共通する事項を説明する 場合に、 発光層 1 9 3と記す場合がある。
[ 0 0 3 6 ]
（実施の形態 1）
本実施の形態では、 本発明の一態様の表示装置について図 1〜図 1 0を用いて説明する。
[ 0 0 3 7 ] 本実施の形態の表示装置は、 表示部に発光デバイスを有し、 当該表示部で画像を表示することがで さる。
[0038]
発光デバイスとしては、 OLED （Or g a n i c L i g h t Em i t t i n g D i o d e） や QLED （Qu a n t um— d o t L i g h t Em i t t i n g D i o d eノ などの EL デバイスを用いることが好ましい。 E Lデバイスが有する発光物質としては、 蛍光を発する物質 （蛍光発光物質） 、 燐光を発する物質 （燐光発光物質） 、 無機化合物 （量子ドット材料など） 、 熱 活性化遅延凿光を示す物質 （熱活性化遅延凿光 （Th e rma l l y a c t i v a t e d d e l a y e d f l u o r e s c e n c e : TADF） 材料） などが挙げられる。
[0039]
本実施の形態の表示装置のカラー化方式に は、 色塗り分け方式が適用されている。 小型の表示装置 に色塗り分け方式を用いる場合、 メタルマスクの合わせ精度を高めることがで き、 塗り分けの歩留 まりを高められるため、 好ましい。 また、 大型の表示装置は精細度を比較的低くするこ とができる ため、 塗り分け方式の発光デバイスを採用する点で 有利である。
[0040]
各色の副画素が有する発光デバイスは、 互いに異なる発光層を有する。 各発光デバイスが有する発 光層は、 互いに分離していることが好ましい。 なお、 表示装置の精細度が高い場合、 各発光デバイ スが有する発光層は、 互いに重なる部分を有することがある。
[004 1]
本実施の形態の表示装置は、 発光デバイスが形成されている基板とは反対 方向に光を射出する トッ プエミッシヨン型、 発光デバイスが形成されている基板側に光を 射出するボトムエミッシヨン型、 両面に光を射出するデュアルエミッシヨン型 のいずれであってもよい。
[0042]
発光デバイスには、 微小光共振器 （マイクロキヤビティ） 構造を採用することが好ましい。 具体的 には、 一対の電極間の光学距離を調整するために、 EL層において、 発光層の他にもう 1層 （例え ば、 正孔輸送層） を各色の発光デバイスで塗り分けて、 その他の層は、 各色の発光デバイスで共通 の層とすることが好ましい。 これにより、 工程を簡略化し、 かつ、 効率よく光を取り出すことがで き、 広色域の表示が可能な表示装置を実現できる 。
[0043]
本実施の形態の表示装置は、 発光層に正孔が注入されやすく、 かつ、 電子が注入されにくい構成の 発光デバイスを有する。 正孔注入層及び正孔輸送層から正孔が容易に 注入され、 かつ、 電子輸送層 から発光層への電子の注入量が抑制されるこ とで、 発光層が電子過多の状態になることを抑制で き る。 そして、 時間の経過に従って発光層に電子が注入され ていくことで輝度が上昇し、 当該輝度上 昇により初期劣化を相殺することができる。 初期劣化が抑制され、 駆動寿命が非常に長い発光デバ イスを用いることで、 表示装置の寿命を長く し、 信頼性を高めることができる。 当該発光デバイス の構成は、 図 4〜図 7を用いて後述する。
[0044]
まず、 図 1〜図 3に、 表示装置の構成例を示す。 図 1〜図 3に示す表示装置は、 少なく とも一つの 発光デバイスに、 図 4〜図 7に例示する発光デバイスの構成が適用され いる。
[0045] \¥02020/174305 ?€1/162020/051228
[表示装置 10八]
図 1八に表示装置 10八の断面図を示す。
[0046]
表示装置 1 0八は、 赤色の光 21尺を呈する発光デバイス 1 90尺、 緑色の光 21〇を呈する発光 デバイス 1 900、 及び青色の光 218を呈する発光デバイス 1908を有する。
[0047]
発光デバイス 1 90尺は、 画素電極 1 91、 光学調整層 1 99尺、 バッファ層 1 92尺、 発光層 1 93尺、 バッファ層 1 94尺、 及び共通電極 1 1 5を有する。 発光層 1 93尺は、 赤色の光を発す る有機化合物を有する。
[0048]
発光デバイス 1 90〇は、 画素電極 1 91、 光学調整層 1 990、 バッファ層 1 92〇、 発光層 1 930, バッファ層 1 94〇、 及び共通電極 1 1 5を有する。 発光層 1 93〇は、 緑色の光を発す る有機化合物を有する。
[0049]
発光デバイス 1 908は、 画素電極 1 91、 光学調整層 1 998、 バッファ層 1 928、 発光層 1 938、 バッファ層 1 948、 及び共通電極 1 1 5を有する。 発光層 1 938は、 青色の光を発す る有機化合物を有する。
[0050]
発光デバイス 1 90尺、 発光デバイス 1 900、 及び発光デバイス 1 908のうち、 少なくとも一 つには、 図 4〜図 7に例示する発光デバイスの構成が適用され いる。
[0051]
本実施の形態では、 画素電極 1 91が陽極として機能し、 共通電極 1 1 5が陰極として機能する場 合を例に挙げて説明する。
[0052]
画素電極 1 91、 光学調整層 1 99尺、 光学調整層 1 990、 光学調整層 1 998、 バッファ層 1 92尺、 バッファ層 1 920、 バッファ層 1 928、 発光層 1 93尺、 発光層 1 930、 発光層 1 938、 バッファ層 1 94尺、 バッファ層 1 940、 バッファ層 1 948、 及び共通電極 1 1 5は、 それぞれ、 単層構造であってもよく、 積層構造であってもよい。
[0053]
画素電極 1 91は、 絶縁層 214上に位置する。 画素電極 1 91の端部は、 隔壁 2 1 6によって覆 われている。 各画素電極 1 91は隔壁 21 6によって互いに電気的に絶縁されている （電気的に分 離されている、 ともいう） 。
[0054]
隔壁 21 6としては、 有機絶縁膜が好適である。 有機絶縁膜に用いることができる材料として は、 アクリル樹脂、 ポリイミ ド樹脂、 エポキシ樹脂、 ポリアミ ド樹脂、 ポリイミ ドアミ ド樹脂、 シロキ サン樹脂、 ベンゾシクロブテン系樹脂、 フエノール樹脂、 及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。
[0055]
バッファ層 1 92は、 画素電極 1 9 1上に位置する。 発光層 1 93は、 バッファ層 1 92を介して、 画素電極 1 91と重なる。 バッファ層 1 94は、 発光層 1 93上に位置する。 発光層 1 93は、 バ ッファ層 1 94を介して、 共通電極 1 1 5と重なる。 バッファ層 1 92は、 正孔注入層及び正孔輸 \¥0 2020/174305 卩（：1' 2020/051228 送層の一方または双方を有することができる 。 バッファ層 1 9 4は、 電子注入層及び電子輸送層の 一方または双方を有することができる。
[ 0 0 5 6 ]
共通電極 1 1 5は、 各色の発光デバイス 1 9 0に共通で用いられる層である。
[ 0 0 5 7 ]
表示装置 1 〇八は、 一対の基板 （基板 1 5 1及び基板 1 5 2） 間に、 発光デバイス 1 9 0及びトラ ンジスタ 4 2等を有する。
[ 0 0 5 8 ]
発光デバイス 1 9 0において、 それぞれ画素電極 1 9 1及び共通電極 1 1 5の間に位置するバッフ ァ層 1 9 2、 発光層 1 9 3、 及びバッファ層 1 9 4は、 £乙層ということもできる。 画素電極 1 9 1は可視光を反射する機能を有することが好 しい。 共通電極 1 1 5は可視光を透過する機能を有 する。
[ 0 0 5 9 ]
本実施の形態の表示装置が有する発光デバ イスには、 マイクロキヤビティ構造が適用されているこ とが好ましい。 したがって、 発光デバイスが有する一対の電極の一方は、 可視光に対する透過性及 び反射性を有する電極 （半透過 ·半反射電極） を有することが好ましく、 他方は、 可視光に対する 反射性を有する電極 （反射電極） を有することが好ましい。 発光デバイスがマイクロキヤビティ構 造を有することで、 発光層から得られる発光を両電極間で共振さ せ、 発光デバイスから射出される 光を強めることができる。
[0060]
なお、 半透過 ·半反射電極は、 反射電極と可視光に対する透過性を有する電 極 （透明電極ともいう） との積層構造とすることができる。 本明細書等では、 それぞれ、 半透過 ·半反射電極の一部として 機能する、 反射電極を画素電極または共通電極と記し、 透明電極を光学調整層と記すことがあるが、 透明電極 （光学調整層） も、 画素電極または共通電極としての機能を有す るといえることがある。
[0061 ]
透明電極の光の透過率は、 4 0 %以上とする。 例えば、 発光デバイスには、 可視光 （波長 4 0 0 11 1x1以上 7 5 0 11 1x1未満の光） 及び近赤外光 （波長 7 5 0 11 1x1以上 1 3 0 0 11 1x1以下の光） のそれぞ れの透過率が 4 0 %以上である電極を用いることが好ましい。 また、 半透過 ·半反射電極の可視光 及び近赤外光それぞれの反射率は、 1 0 %以上 9 5 %以下、 好ましくは 3 0 %以上 8 0 %以下とす る。 反射電極の可視光及び近赤外光の反射率は、 4 0 %以上 1 0 0 %以下、 好ましくは 7 0 %以上 1 0 0 %以下とする。 また、 これらの電極の抵抗率は、 1 X 1 0— 2 0 以下が好ましい。
[0062]
本実施の形態では、 画素電極 1 9 1上に光学調整層 1 9 9を設ける例を示すが、 光学調整層 1 9 9 を設けなくてもよい。 例えば、 バッファ層 1 9 2またはバッファ層 1 9 4が、 光学調整層としての 機能を有していてもよい。 バッファ層 1 9 2またはバッファ層 1 9 4の膜厚を異ならせることで、 各発光デバイスにおいて、 特定の色の光を強めて取り出すことができる 。 なお、 半透過 ·半反射電 極が、 反射電極と透明電極との積層構造の場合、 一対の電極間の光学距離とは、 一対の反射電極間 の光学距離を示す。
[ 0 0 6 3 ]
発光デバイス 1 9 0は、 可視光を発する機能を有する。 具体的には、 発光デバイス 1 9 0は、 画素 \¥02020/174305 卩（：1' 2020/051228 電極 1 91と共通電極 1 1 5との間に電圧を印加することで、 基板 1 52側に光を射出する電界発 光デバイスである。
[0064]
画素電極 1 91は、 絶縁層 214に設けられた開口を介して、 トランジスタ 42が有するソースま たはドレインと電気的に接続される。 トランジスタ 42は、 発光デバイス 1 90の駆動を制御する 機能を有する。
[0065]
発光デバイス 1 90は、 それぞれ、 保護層 1 95に覆われていることが好ましい。 図 1八では、 保 護層 1 95が、 共通電極 1 1 5上に接して設けられている。 保護層 1 95を設けることで、 発光デ バイス 1 90に水などの不純物が入り込むことを抑制し 発光デバイス 1 90の信頼性を高めるこ とができる。 また、 接着層 142によって、 保護層 1 95と基板 1 52とが貼り合わされている。
[0066]
遮光層 としては、 発光デバイスからの発光を遮る材料を用いる ことができる。 遮光層 可視光を吸収することが好ましい。 遮光層 として、 例えば、 金属材料、 又は、 顔料 （カーボン ブラックなど） もしくは染料を含む樹脂材料等を用いてブラ ックマトリクスを形成することができ る。 遮光層1¾]^は、 赤色のカラーフイルタ、 緑色のカラーフイルタ、 及び青色のカラーフイルタの 積層構造であってもよい。
[0067]
[表示装置 103]
図 18に表示装置 1 08の断面図を示す。 なお、 以降の表示装置の説明において、 先に説明した表 示装置と同様の構成については、 説明を省略することがある。
[0068]
表示装置 1 08は、 赤色の発光デバイス 1 90尺及び緑色の発光デバイス 1 90〇が、 共通層 18 2及び共通層 184を有する点で、 表示装置 10八と異なる。
[0069]
赤色の発光デバイス 1 90尺、 緑色の発光デバイス 1 90〇、 及び青色の発光デバイス 1 908の うち少なくとも 2色の発光デバイスは、 共通で用いられる層 （共通層） を 1層以上有することが好 ましい。 これにより、 少ない作製工程で表示装置を作製できる。
[0070]
図 18では、 発光デバイス 1 90尺及び発光デバイス 1 90〇が共通層 182及び共通層 184を 有する例を示すが、 本発明の一態様の表示装置は、 発光デバイス 1 90尺及び発光デバイス 1 90 〇が共通層 182のみ、 または、 共通層 184のみを有する構成であってもよい。
[0071]
共通層 182は、 画素電極 1 91と発光層 1 93尺との間、 及び画素電極 1 91と発光層 1 930 との間に位置する。
[0072]
共通層 184は、 発光層 1 93尺と共通電極 1 1 5との間、 及び発光層 1 93〇と共通電極 1 1 5 との間に位置する。
[0073]
共通層 182及び共通層 1 84は、 それぞれ、 単層構造であってもよく、 積層構造であってもよい。 \¥02020/174305 卩（：1' 2020/051228
[0074]
共通層 182としては、 例えば、 正孔注入層及び正孔輸送層の一方または双方 を形成することがで さる。
[0075]
共通層 184としては、 例えば、 電子注入層及び電子輸送層の一方または双方 を形成することがで さる。
[0076]
なお、 発光デバイス 1 90尺及び発光デバイス 1 9〇〇は、 画素電極 1 91と共通層 182との間、 共通層 182と発光層との間、 発光層と共通層 184との間、 及び、 共通層 184と共通電極 1 1 5との間のうち少なくとも一か所にバッファ を有していてもよい。 バッファ層としては、 例えば、 正孔注入層、 正孔輸送層、 電子輸送層、 及び電子注入層のうち少なくとも一つを形成 することがで さる。
[0077]
例えば、 発光デバイス 1 903に、 図 4〜図 7に例示する発光デバイスの構成が適用され いるこ とが好ましい。 または、 発光デバイス 1 90尺及び発光デバイス 1 90〇の双方に、 図 4〜図 7に 例示する発光デバイスの構成が適用されてい てもよい。
[0078]
また、 発光デバイス 1 90尺または発光デバイス 1 90〇の一方と、 発光デバイス 1 908と、 の 2つに、 図 4〜図 7に例示する発光デバイスの構成を適用する 合、 発光デバイス 1 90尺または 発光デバイス 1 90〇の一方と、 発光デバイス 1 908と、 が共通層 182及び共通層 184を有 していることが好ましい。 このとき、 共通層 182及び共通層 184の構成は、 図 4〜図 7に例示 する発光デバイスの構成が適用されているこ とが好ましい。
[0079]
[表示装置 100]
図 2八に表示装置 10(3の断面図を示す。
[0080]
表示装置 1 0 ( 3は、 赤色の発光デバイス 1 9〇尺、 緑色の発光デバイス 1 900、 及び青色の発光 デバイス 1 903が共通層 1 12及び共通層 1 14を有する点で、 表示装置 10八と異なる。
[0081]
赤色の発光デバイス 1 90尺、 緑色の発光デバイス 1 900、 及び青色の発光デバイス 1 908は、 共通で用いられる層 (共通層) を 1層以上有することが好ましい。 これにより、 少ない作製工程で 表示装置を作製できる。
[008 2]
図 2八では、 各色の発光デバイスが共通層 1 1 2及び共通層 1 14を有する例を示すが、 本発明の 一態様の表示装置は、 各色の発光デバイスが共通層 1 1 2のみ、 または、 共通層 1 14のみを有す る構成であってもよい。
[0083]
共通層 1 1 2は、 画素電極 1 91と各色の発光層との間に位置する。
[0084]
共通層 1 14は、 各色の発光層と共通電極 1 15との間に位置する。 \¥02020/174305 卩（：1' 2020/051228
[0085]
共通層 1 1 2及び共通層 1 14は、 それぞれ、 単層構造であってもよく、 積層構造であってもよい。
[0086]
共通層 1 1 2としては、 例えば、 正孔注入層及び正孔輸送層の一方または双方 を形成することがで さる。
[0087]
共通層 1 14としては、 例えば、 電子注入層及び電子輸送層の一方または双方 を形成することがで さる。
[0088]
なお、 各発光デバイスは、 画素電極 1 91と共通層 1 1 2との間、 共通層 1 1 2と発光層との間、 発光層と共通層 1 14との間、 及び、 共通層 1 14と共通電極 1 1 5との間のうち少なくとも一か 所にバッファ層を有していてもよい。 バッファ層としては、 例えば、 正孔注入層、 正孔輸送層、 電 子輸送層、 及び電子注入層のうち少なくとも一つを形成 することができる。
[0089]
各発光デバイスには、 図 4〜図 7に例示する発光デバイスの構成が適用され いることが好ましい。 このとき、 共通層 1 1 2及び共通層 1 14の構成は、 図 4〜図 7に例示する発光デバイスの構成が 適用されていることが好ましい。 特に、 発光層 1 93尺、 発光層 1 930, 及び発光層 1 933が 有する発光物質が、 それぞれ、 蛍光発光物質であることが好ましい。 これにより、 発光デバイスの _命をより長くすることができる。
[0090]
または、 発光層 1 93尺及び発光層 1 93〇が有する発光物質が、 それぞれ燐光発光物質であり、 かつ、 発光層 1933が有する発光物質が、 蛍光発光物質であることが好ましい。
[0091]
[表示装置 1〇〇]
図 23に表示装置 10〇の断面図を示す。
[0092]
表示装置 1 0〇は、 基板 1 51及び基板 1 52を有さず、 基板 1 53、 基板 1 54、 接着層 1 55、 及び絶縁層 212を有する点で、 表示装置 100と異なる。
[0093]
基板 1 53と絶縁層 21 2とは接着層 1 55によって貼り合わされている。 基板 1 54と保護層 1 95とは接着層 142によって貼り合わされている。
[0094]
表示装置 1 〇〇は、 作製基板上に形成された絶縁層 21 2、 トランジスタ 42、 及び各色の発光デ バイス等を、 基板 1 53上に転置することで作製される構成である 基板 1 53及び基板 1 54は、 それぞれ、 可撓十生を有することが好ましい。 これにより、 表示装置 1 〇〇の可撓十生を高めることが できる。 例えば、 基板 1 53及び基板 154には、 それぞれ、 樹脂を用いることが好ましい。
[0095]
基板 1 53及び基板 1 54としては、 それぞれ、 ポリエチレンテレフタレート （ £丁） 、 ポリエ チレンナフタレート （PEN） 等のポリエステル樹脂、 ポリアクリロニトリル樹脂、 アクリル樹脂、 ポリイミ ド樹脂、 ポリメチルメタクリレート樹脂、 ポリカーボネート （ 〇 樹脂、 ポリエーテル \¥02020/174305 卩（：1' 2020/051228 スルホン （ £ 3） 樹脂、 ポリアミ ド樹脂 （ナイロン、 アラミ ド等） 、 ポリシロキサン樹脂、 シク 口オレフイン樹脂、 ポリスチレン樹脂、 ポリアミ ドイミ ド樹脂、 ポリウレタン樹脂、 ポリ塩化ビニ ル樹脂、 ポリ塩化ビニリデン樹脂、 ポリプロピレン樹脂、 ポリテトラフルオロエチレン （PTFE） 樹脂、 樹脂、 セルロースナノファイバー等を用いることが できる。 基板 1 5 3及び基板 1 5 4の一方または双方に、 可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いて もよい。
[0096]
本実施の形態の表示装置が有する基板には 、 光学等方性が高いフィルムを用いてもよい。 光学等方 性が高いフイルムとしては、 トリアセチルセルロース （丁八（3、 セルロース トリアセテートともい う） フイルム、 シクロオレフインポリマー （＜30 ） フイルム、 シクロオレフインコポリマー （0 〇〇 フイルム、 及びアクリルフイルム等が挙げられる。
[0097]
[表示装置 1 0 £]
図 3に表示装置 1 0 の断面図を示す。
[0098]
表示装置 1 0 £は、 ボトムェミッション型である点で、 表示装置 1 00と異なる。
[0099]
画素電極 1 9 1は、 可視光を透過する機能を有する。 共通電極 1 1 5は可視光を反射する機能を有 することが好ましい。
[0100]
トランジスタ 42は、 発光デバイスの発光領域と重ならない位置に 設けられていることが好ましい。
[0101]
表示装置 1 0 £では、 保護層 1 95上に接着層 1 4 2を介して基板 1 52が設けられている例を示 すが、 接着層 142及び基板 1 52は設けなくてもよい。
[0102]
[発光デバイス]
図 4八〜図 40に、 本実施の形態の表示装置に用いることができ る発光デバイスの一例を示す。
[0 1 03]
図 4八に示す発光デバイスは、 陽極 1 0 1、 £乙層 1 03、 及び陰極 1 02を有する。
3は、 陽極 1 0 1側から、 正孔注入層 1 2 1、 正孔輸送層 1 22、 発光層 1 23、 電子輸送層 1 2 4、 及び電子注入層 1 25を有する。 なお、 図 4八〜図 40には示さないが、 発光デバイスは光学 調整層を有してレ、てもよい。
[0 1 04]
陽極 1 0 1、 陰極 1 02、 正孔注入層 1 2 1、 正孔輸送層 1 22、 発光層 1 23、 電子輸送層 1 2 4、 及び電子注入層 1 25は、 それぞれ、 単層構造であっても、 積層構造であってもよい。
[0 1 05]
図 43及び図 40に示す発光デバイスが有する正孔輸送層 1 22は、 正孔注入層 1 2 1側の正孔輸 送層 1 223と、 発光層 1 23側の正孔輸送層 1 2213と、 の、 2層構造である。
[0106]
図 4（3に示す発光デバイスが有する電子輸送層 1 24は、 発光層 1 2 3側の電子輸送層 1 24 3と、 電子注入層 1 25側の電子輸送層 1 2413と、 の、 2層構造である。 \¥02020/174305 ? 1/162020/051228
[0 1 07]
以下では、 発光デバイスに用いることができる材料につ いて、 説明する。
[0108]
く電極 ñ
発光デバイスの一対の電極を形成する材料 としては、 金属、 合金、 電気伝導性化合物、 及びこれら の混合物などを適宜用いることができる。 具体的には、 1 11— ！!酸化物 （ 1丁0ともいう） 、 I 酸化物、 I 11— 一 å 11酸化物が挙げら れる。 その他、 アルミニウム （八 1） 、 チタン （丁 〇 、 クロム （〇 !·） 、 マンガン （ !!） 、 6） 、 コバルト （0〇） 、 ニッケル （N 0 、 銅 （〇11） 、 ガリウム 、 亜鉛 11） 、 インジウム （ 1 11） 、 スズ （ ！！） 、 モリブデン （IV!〇） 、 タンタル （丁 3） 、 タングステン （ ） 、 パラジウム （ 〇1） 、 金 （八11） 、 白金 （ 〇 、 銀 （八 § ） 、 イットリウム （V） 、 ネ オジム （N¢1） などの金属、 及びこれらを適宜組み合わせて含む合金を用 いることもできる。 その 他、 上記例示のない元素周期表の第 1族または第 2族に属する元素 （例えば、 リチウム （乙 、 セシウム （〇 8） 、 カルシウム 、 ス トロンチウム （ ！·） ） 、 ユウロピウム （£11） 、 イ ッテルビウム （¥13） などの希土類金属及びこれらを適宜組み合わ せて含む合金、 グラフエン等を 用いることができる。
[0 1 09]
なお、 マイクロキヤビティ構造を有する発光デバイ スを作製する場合は、 反射電極と半透過 ·半反 射電極とを用いる。 したがって、 所望の導電性材料を単数または複数用い、 単層または積層して形 成することができる。 電極の作製には、 スパッタリング法や真空蒸着法を用いること ができる。
[01 10]
＜正孔注入層＞
正孔注入層 1 2 1は、 電子受容性材料と、 正孔輸送性材料と、 を有する。
[01 1 1]
電子受容性材料は、 当該正孔輸送性材料に対して電子受容性を示 す。
[01 1 2]
正孔輸送性材料の最高被占有軌道準位 （HOMO準位） は比較的低い （深い） ことが好ましい。 具 体的には、 正孔輸送性材料の HOMO_位は、 一 5. 76 V以上一 5. 46 V以下であることが好 ましい。 正孔輸送性材料の HOMO_位が比較的低いことで、 正孔輸送層 1 22への正孔の注入が 容易となり、 好ましい。
[0 1 1 3]
電子受容性材料としては、 電子吸引基 （特にフルオロ基のようなハロゲン基やシア ノ基） を有する 有機化合物を用いることができる。
[0 1 1 4]
電子受容性材料としては、 例えば、 7， 7， 8， 8—テトラシアノー 2， 3， 5， 6—テトラフル オロキノジメタン （略称： F 4 -TCNQ） , クロラニル、 2， 3， 6， 7， 1 0， 1 1一へキサ シアノー 1， 4， 5， 8， 9， 1 2—へキサアザトリフエニレン （略称： ：《八丁一〇！'!） 、 1， 3, 4， 5， 7， 8—ヘキサフルオロテトラシアノーナフトキ ジメタン （略称： F 6—TCNNQ） 、 2— （7—ジシアノメチレンー 1， 3， 4， 5， 6， 8， 9， 1 0—オクタフルオロー 7 H—ピレ ンー 2—イリデン） マロノニトリル等を挙げることができる。 特に、 HAT— CNのように複素原 \¥02020/174305 卩（：1' 2020/051228 子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結 合している化合物が、 熱的に安定であり好ましい。 ま た、 電子吸引基 （特にフルオロ基のようなハロゲン基やシア ノ基） を有する ［3］ ラジアレン誘導 体は、 電子受容性が非常に高いため好ましい。 電子吸引基を有する ［3］ ラジアレン誘導体として は、 例えば、 《， 《’ ， 《 一 1， 2， 3—シクロプロパントリイリデントリス ［4—シアノー 2， 3， 5， 6—テトラフルオロベンゼンアセトニトリル 、 〇；， 《’ ， 《’ ’ 一 1， 2， 3—シ クロプロパントリイリデントリス ［2， 6—ジクロロー 3， 5—ジフルオロー 4— （トリフルオロ メチル） ベンゼンアセトニトリル］ 、 〇；， 《’ ， 《， ， 一 1， 2， 3—シクロプロパントリイリデ ントリス ［2， 3， 4， 5， 6—ペンタフルオロベンゼンアセトニトリル などが挙げられる。
［01 1 5］
正孔輸送性材料は、 電子よりも正孔の輸送性が高い。 正孔輸送性材料は、 カルバゾール骨格、 ジベ ンゾフラン骨格、 ジベンゾチオフェン骨格、 及びアントラセン骨格のうち少なくとも一つ を有する ことが好ましい。 正孔輸送性材料は、 ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン 環を含む置換基 を有する芳香族アミン、 ナフタレン環を有する芳香族モノアミン、 または 9—フルオレニル基がア リーレン基を介してアミンの窒素に結合する 芳香族モノアミンであってもよい。
［01 1 6］
正孔輸送性材料が、 X， X ビス （4 ビフヱニル） アミノ基を有すると、 長寿命な発光デバイス を作製することができるため好ましい。
［01 1 7］
正孔輸送性材料としては、 例えば、 N— （4—ビフェニル） 一6， X—ジフェニルべンゾ ［13］ ナ フト ［1， 2 - ¢ 1］ フランー 8—アミン （略称： ：811 £八：8?） 、 1^， 1^—ビス （4—ビフェニル） — 6—フェニルべンゾ ［13］ ナフト ［1， 2 - ¢ 1］ フランー 8—アミン （略称： ：88八：811 ） 、 4， 4’ ービス （6—フエニルべンゾ ［13］ ナフト ［1， 2 - ¢ 1］ フランー 8—イル） 一 4’ ’ 一 フエニルトリフエニルアミン （略称 、 1^， 1^—ビス （4—ビフエニル） ベン ゾ ［13］ ナフト ［1， 2 - ¢ 1］ フランー 6—アミン （略称： ：88八：811 （ 6） ） 、 1^， （4—ビフェニル） ベンゾ ［13］ ナフト ［1， 2 - ¢ 1］ フランー 8—アミン （略称： ：88八：811 £ （8） ） 、 1^， 1^—ビス （4—ビフエニル） ベンゾ ［13］ ナフト ［2， 3 - ¢ 1］ フランー 4—アミ ン （略称： ：88八：8 VI 1 （ I I） （4） ） 、 1^， 1^—ビス ［4— （ジベンゾフランー 4—イル） フ ェニル］ — 4—アミノー ーターフェニル （略称 、 1^— ［4— （ジベンゾチ オフエンー 4—イル） フエニル］ — X—フエニルー 4—ビフエニルアミン （略称： 丁 1113八 113 ） 、 4— （2—ナフチル） 一 4’ ， 4’ ’ ージフェニルトリフェニルアミン （略称： ：88八 X 3） 、 4— ［4— （2—ナフチル） フエニル］ — 4’ ， 4’ ’ ージフエニルトリフエニルアミン （略称： BBA J 3NB i） 、 4— （2 ; 1’ ービナフチルー 6—イル） 一 4’ ， 4’ ’ ージフェニ ルトリフェニルアミン （略称： BBAaN J 3NB） 、 4， 4’ ージフェニルー 4’ ’ 一 （ 7 ; 1’ —ビナフチルー 2—イル） トリフェニルアミン （略称： 、 4， 4’ ージ フェニルー 4’ ’ 一 （7—フェニル） ナフチルー 2—イルトリフェニルアミン （略称： ：88八 /3 N8— 03） 、 4— （6 ; 2’ ービナフチルー 2—イル） 一 4’ ， 4’ ’ ージフェニルトリフェニ ルアミン （略称： ：88八 （0X2） 8） 、 4— （2 ; 2’ ービナフチルー 7—イル） 一 4’ ， 4’ ’ —ジフェニルトリフェニルアミン （略称： ：88八 （0X2） 8— 03） 、 4— （1 ; 2’ ービナフ チルー 4—イル） 一 4’ ， 4’ ’ ージフェニルトリフェニルアミン （略称： BBA J 3NaNB） 、
4— （1 ; 2’ ービナフチルー 5—イル） 一 4’ ， 4’ ’ ージフェニルトリフェニルアミン （略 \¥02020/174305 卩（：1' 2020/051228 称： BBA J 3NaNB— 02） 、 4— （4—ビフエニリル） 一 4’ 一 （ 2—ナフチル） 一 4’ ’ 一 フエニルトリフエニルアミン （略称： 丁 8 土八 NB） 、 4— （3—ビフエニリル） 一 4’ 一 ［4— （2—ナフチル） フエニル］ — 4’ ’ ーフエニルトリフエニルアミン （略称：：〇1丁 8 土八 /3 N6 1） , 4— （4—ビフエニリル） 一4’ 一 ［4— （2—ナフチル） フエニル］ — 4’ ’ ーフ エニルトリフエニルアミン （略称： TPB i A J 3NB i） 、 4— （1—ナフチル） 一 4’ ーフエニ ルトリフエニルアミン （略称： aNB A 16?） , 4, 4 , —ビス （ 1—ナフチル） トリフエニル アミン （略称： 《 N8818 ） 、 4， 4’ ージフエニルー 4’ ’ 一 ［4’ 一 （カルバゾールー 9 —イル） ビフエニルー 4—イル］ トリフエニルアミン （略称 、 4’ 一 ［4—
］\1— ［4— （1—ナフチル） フエニル］ —9， 9’ ースピロビ ［9H—フルオレン］ —2—アミン （略称： 匚 8 N8 £ F） 、 1^， 1^—ビス （ ［ 1， 1’ ービフエニル］ — 4—イル） 一9， 9’ 一 スピロビ ［ 9 H—フルオレン］ — 2—アミン （略称： BBASF） 、 1^， 1^—ビス （ ［1， 1’ 一 ビフエニル］ —4—イル） 一9， 9’ ースピロビ ［9H—フルオレン］ —4—アミン （略称： ：88 AS F （4） ） 、 1^— （1， 1， ービフエニルー 2—イル） 一1^— （9， 9—ジメチルー 9H—フ ルオレンー 2—イル） 一 9， 9’ ースピロビ ［ 9 H—フルオレン］ — 4—アミン （略称： 〇 F 8 土 SF） 、 1^— （4—ビフエニル） 一1^— （9， 9—ジメチルー 9 H—フルオレンー 2—イル） ジベ ンゾフランー 4—アミン （略称： F r B i F） 、 1^— ［4— （1—ナフチル） フエニル］ —1^— ［3— （ 6—フエニルジベンゾフランー 4—イル） フエニル］ — 1—ナフチルアミン （略称： 1X1? DB f BNBN） 、 4—フエニルー 4’ 一 （ 9—フエニルフルオレンー 9—イル） トリフエニルア ミン （略称： BPAFLP） 、 4—フエニルー 3’ 一 （ 9—フエニルフルオレンー 9—イル） トリ フエニルアミン （略称： 111］3?八 1 ^ ?） 、 4—フエニルー 4 — ［4— （9—フエニルフルオレ ンー 9—イル） フエニル］ トリフエニルアミン （略称： ：8 AF乙 8 土） 、 4—フエニルー 4’ 一 （ 9—フエニルー 9 H—カルバゾールー 3—イル） トリフエニルアミン （略称： 08八 18 ） 、 4， 4’ ージフエニルー 4’ ’ 一 （ 9—フエニルー 9 —カルバゾールー 3—イル） トリフエニル アミン （略称 、 4— （1—ナフチル） 一 4’ 一 （ 9—フエニルー 9 H—カル バゾールー 3—イル） トリフエニルアミン （略称： PCBANB） 、 4， 4’ ージ （1—ナフチル） — 4’ ’ 一 （ 9—フエニルー 9 H—カルバゾールー 3—イル） トリフエニルアミン （略称：
N66） （ 9—フエニルー 9 —カルバゾールー 3—イル） フエニル］ スピロー 9， 9’ ービフルオレンー 2—アミン （略称： PCBASF） 、 1^— （1， 1’ ービフエ ニノレー 4—イノレ） ［4— （ 9—フエニノレー 9 —カノレバソーノレー 3—イ ル） フエニル］ — 9 H—フルオレンー 2—アミン （略称： 等が挙げられる。
［01 18］
＜正孔輸送層＞
正孔輸送層 1 22は、 正孔注入層 1 21によって注入された正孔を発光層 1 23に輸送する層であ る。
［01 1 9］
正孔輸送層 1 22は、 正孔輸送性材料を有する。 正孔輸送層 1 22には、 正孔注入層 1 21に用い \¥02020/174305 卩（：1' 2020/051228 ることができる正孔輸送性材料を用いること ができる。 正孔輸送層 1 22が積層構造である場合、 発光層 1 23側の正孔輸送層 1 2213は、 電子ブロック層としての機能を有することが 好ましい。
[0120]
正孔輸送層 1 22に用いる正孔輸送性材料の HOMO準位は、 正孔注入層 1 2 1に用いる正孔輸送 性材料の HOMO準位以下の値であることが好ましい。 正孔輸送層 1 22に用いる正孔輸送性材料 のHOMO_位と、 正孔注入層 1 2 1に用いる正孔輸送性材料の HOMO準位と、 の差は、 0. 2 6 V以内であることが好ましい。 正孔注入層 1 2 1に用いる正孔輸送性材料と、 正孔輸送層 1 22 に用いる正孔輸送性材料と、 が同じであると、 正孔の注入がスムーズとなるため、 より好ましい。
[0121]
正孔輸送層 1 22が積層構造を有する場合、 発光層 1 23側に形成される正孔輸送層 1 2213に用 いる正孔輸送性材料の HOMO準位は、 正孔注入層 1 2 1側に形成される正孔輸送層 1 223に用 いる正孔輸送性材料の HOMO_位よりも低いことが好ましい。 さらに、 2つの正孔輸送性材料の HOMO準位の差は 0. 2 6 V以内であることが好ましい。 正孔注入層 1 2 1及び積層構造を有す る正孔輸送層 1 22に用いる正孔輸送性材料の HOMO_位が上記の関係を有することにより、 各 層への正孔注入がスムーズに行われ、 駆動電圧の上昇や発光層 1 23における正孔の過少状態を防 ぐことができる。
[0122]
正孔注入層 1 2 1及び積層構造を有する正孔輸送層 1 22に用いる正孔輸送性材料は、 それぞれ、 正孔輸送性骨格を有することが好ましい。 当該正孔輸送性骨格としては、 正孔輸送性材料の HOM 〇準位が高く （浅く） なりすぎない、 カルバゾール骨格、 ジベンゾフラン骨格、 ジベンゾチオフエ ン骨格、 及びアントラセン骨格が好ましい。
[0 1 23]
正孔注入層 1 2 1及び積層構造を有する正孔輸送層 1 22に用いる正孔輸送性材料の正孔輸送性骨 格が、 隣り合う層同士で共通している （特に、 ジベンゾフラン骨格である） と、 正孔の注入がスム ーズになるため好ましい。
[0 1 24]
正孔注入層 1 2 1及び積層構造を有する正孔輸送層 1 22に用いる正孔輸送性材料が、 隣り合う層 で同一であると、 陰極 1 0 2方向に隣り合う層への正孔の注入がよりス ーズとなるため好ましい。
[0 1 25]
＜発光層＞
発光層は、 発光物質を含む層である。 発光層は、 1種または複数種の発光物質を有することが き る。 発光物質としては、 青色、 紫色、 青紫色、 緑色、 黄緑色、 黄色、 橙色、 赤色などの発光色を呈 する物質を適宜用いる。 また、 発光物質として、 近赤外光を発する物質を用いることもできる 。
[0126]
発光層は、 発光物質 （ゲス ト材料） に加えて、 1種または複数種の有機化合物 （ホスト材料、 アシ スト材料等） を有していてもよい。 1種または複数種の有機化合物としては、 本実施の形態で説明 する正孔輸送性材料及び電子輸送性材料の一 方または双方を用いることができる。 また、 1種また は複数種の有機化合物として、 バイポーラ性材料を用いてもよい。
[0 1 27]
発光層に用いることができる発光物質とし て、 特に限定は無く、 一重項励起エネルギーを可視光領 \¥02020/174305 ? 1/162020/051228 域もしくは近赤外光領域の発光に変える発光 物質、 または三重項励起エネルギーを可視光領域も し くは近赤外光領域の発光に変える発光物質を 用いることができる。
［0128］
一重項励起エネルギーを発光に変える発光 物質としては、 蛍光発光物質が挙げられ、 例えば、 ピレ ン誘導体、 アントラセン誘導体、 トリフ ニレン誘導体、 フルオレン誘導体、 カルバゾール誘導体、 ジベンゾチオフエン誘導体、 ジベンゾフラン誘導体、 ジベンゾキノキサリン誘導体、 キノキサリン 誘導体、 ピリジン誘導体、 ピリミジン誘導体、 フ ナントレン誘導体、 ナフタレン誘導体などが挙 げられる。 特にピレン誘導体は発光量子収率が高いので 好ましい。 ピレン誘導体の具体例としては、 1^， ービス （3—メチルフエニル） 一 1^， 1^’ ービス ［3— （ 9—フエニルー 9 H—フルオレ ンー9—イル） フエニル］ ピレンー 1， 6—ジアミン （略称： 1， 6 mMe mFLPAP r n） , ージフエニルー 1^， 1^’ ービス ［4— （9—フエニルー 9H—フルオレンー 9—イル） フ エニル］ ピレンー 1， 6—ジアミン （略称： 1， 6 FLPAP r n） , N, N ^ —ビス （ジベンゾ フランー 2—イル） 一1^， 1^’ ージフエニルピレンー 1， 6—ジアミン （略称： 1， 6 F r AP r 11） 、 1^， ’ ービス （ジベンゾチオフエンー 2—イル） 一 1^， 1^’ ージフエニルピレンー 1， 6 —ジアミン （略称： 1， 6丁11八？ 1· !!） 、 1^， 一 （ピレンー 1， 6—ジイル） ビス ！； （1^— フエニルべンゾ ［13］ ナフト ［1， 2 - ¢ 1］ フラン） 一 6—アミン］ （略称： 1， 66 n £ AP r 11） 、 1^， 一 （ピレンー 1， 6—ジイル） ビス ！； （1^—フエニルべンゾ ［13］ ナフト ［1， 2 - ¢ 1］ フラン） 一8—アミン］ （略称： 1， 6811 £八？ 1· !!— 02） 、 1^， 一 （ピレンー 1， 6—ジイル） ビス ！； （6， ナフト ［1， 2 - ¢ 1］ フラン） 一8—アミ ン］ （略称： 1， 6811 £八？ 1· !!— 03） などが挙げられる。
［0129］
その他にも、 5， 10—フエニルー 9—アントリル） フエニル］ —2， 2’ ービ ピリジン （略称： 、 5， 6—ビス ［4， 一 （10—フエニルー 9—アントリル） ビフエニルー 4— ービピリジン （略称： 八 28 ） 、 1^， ービス ［4— （ 9 H—カ イル） フエニル］ —1^， 1^’ ージフエニルスチルベンー 4， 4’ —ジアミン （略称： 丫0八23） 、 4— （ 9 H—カルバゾールー 9—イル） 一4’ 一 （10—フエ ニルー 9—アントリル） トリフエニルアミン （略称：丫〇八 八） 、 4— （9H—カルバゾールー 9—イル） 一4’ 一 （9， 10—ジフエニルー 2—アントリル） トリフエニルアミン （略称： 2丫 〇八 八） 、 1^， 9—ジフエニルー 1^— ［4— （ 10—フエニルー 9—アントリル） フエニル］
— 9 H—カルバゾールー 3—アミン （略称： PCAPA） , 4- （1 〇—フエニルー 9—アントリ ル） 一4’ 一 （ 9—フエニルー 9 H—カルバゾールー 3—イル） トリフエニルアミン （略称： 匚 八 八） 、 4 - ［4 - （ 10—フエニルー 9—アントリル） フエニル］ —4’ 一 （9—フエニル
— 9 H—カルバゾールー 3—イル） トリフエニルアミン （略称： 08八 8八） 、 ペリレン、 2, 5， 8， 1 1—テトラ （ 6 !· ーブチル） ペリレン （略称： 丁8 ） 、 1^， ’ 一 （2- 16
トリフエニルー 1， 4—フエニレンジアミン］ （略称： 〇 八：8 八） 、 1^， 9—ジフエニルー X — ［4— フエニル］ — 9 H—カルバゾールー 3—アミ ン （略称 —ジフエニルー 2—アントリル） フエニル］
— 1^， ， 1^’ ートリフエニルー 1， 4—フエニレンジアミン （略称： 20?八？ 八） 等を用 いることができる。 ［0130］
三重項励起エネルギーを発光に変える発光 物質としては、 例えば、 燐光発光物質や熱活性化遅延蛍 光を示す熱活性化遅延凿光 （Th e rma l l y a c t i v a t e d d e l a y e d f l u o r e s c e n c e : TADF） 材料が挙げられる。
［0 1 3 1］
燐光発光物質としては、 例えば、 4 H—トリアゾール骨格、 1 H—トリアゾール骨格、 イミダゾー ル骨格、 ピリミジン骨格、 ピラジン骨格、 またはピリジン骨格を有する有機金属錯体 （特にイリジ ウム錯体） 、 電子吸引基を有するフエニルピリジン誘導体 を配位子とする有機金属錯体 （特にイリ ジゥム錯体） 、 白金錯体、 希土類金属錯体等が挙げられる D
［0 1 32］
青色または緑色を呈し、 発光スぺク トルのピーク波長が 450 nm以上 570 nm以下である燐光 発光物質としては、 以下のような物質が挙げられる。
［0 1 33］
例えば、 トリス ｛ 2 - ［5— （2—メチルフエニル） 一4— （2， 6—ジメチルフエニル） 一 4H — 1， 2， 4— トリアゾールー 3—イルー K N 2］ フエニルー K C｝ イリジウム （ I I I） （略 称： ［ I r （m p p t z— dmp） 3 ］ ） 、 トリス （5—メチルー 3， 4—ジフエニルー 4 H— 1， 2， 4—トリアゾラ ト） イリジウム （ I I I） （略称： ［ I r （Mp t z） 3 ］ ） 、 トリス ［4— （3—ビフエニル） 一 5—イソプロピルー 3—フエニルー 4 H— 1， 2， 4—トリアゾ
ジウム （ I I I） （略称： ［ I r （ i P r p t z— 3 b） 3 ］ ） 、 トリス ［3— （5—
— 5—イソプロピルー 4—フエニルー 4H— 1， 2， 4— トリアゾラ ト］ イリジウム
（略称： I r （ i P r 5 b t z） 3 ］ ） 、 のような 4 H—トリアゾール骨格を有する有
トリス ［3—メチルー 1— （2—メチルフエニル） 一 5—フエニルー 1 H— 1， 2， 4 ラ ト］ イリジウム （I I I） （略称： ［ I r （M p t z 1— m p） 3 ］ ） 、 トリス （1—メチルー 5—フエニルー 3—プロピルー 1H— 1， 2， 4—トリアゾラ ト） イリジウム （略称： ［ I r （P — Me） 3 ］ ） のような 1 H—トリアゾール骨格を有す 錯体、 f a c—トリ 2， 6—ジイソプロピルフエニル） 一 2—フエニルー 1 ゾール］ イリジウム （略称： ［I r （ i P r pm i） 3 ］ ） 、 トリス ［3— （2， 6—ジメチル フエニル） 一 7—メチルイミダゾ ［ 1， 2 - f ］ フエナントリジナト］ イリジウム （I I I） （略 称： ［I r （dmp i mp t— Me） 3］ ） のようなイミダゾール骨格を有する有機金属 錯体、 ビ ス ［2— （4， ， 6’ ージフルオロフエニル） ピリジナトー N， C 2’ ］ イリジウム （I I I） テト ラキス （1—ピラゾリル） ボラート （略称： F i r 6） 、 ビス ［2— （4， ， 6’ ージフルオロフ エニル） ピリジナトー N， C 2’ ］ イリジウム （ I I I） ピコリナート （略称： F I r p i c） 、 ビ ス ｛ 2— ［3’ ， 5’ ービス （トリフルオロメチル） フエニル］ ピリジナトー N， C 2’ ｝ イリジウ ム （ I I I） ピコリナート （略称： ［ I r （C F 3 p p y） 2 （ p i c） ］ ） 、 ビス ［2— （4’ ，
6’ ージフルオロフエニル） ピリジナトー N， C 2’ ］ イリジウム （I I I） アセチルアセトナート （略称： F i r （a c a c） ） のように電子吸引基を有するフエニルピリジ ン誘導体を酉己位子とす る有機金属錯体等が挙げられる。
［0 1 34］
緑色または黄色を呈し、 発光スぺク トルのピーク波長が 49 5 nm以上 590 nm以下である燐光 発光物質としては、 以下のような物質が挙げられる。 \¥02020/174305 ? 1/162020/051228
［0 1 35］
例えば、 トリス （4—メチルー 6—フエニルピリミジナト） イリジウム （ I I I） （略称： ［ 1 （1x1 1x1） 3 ］ ） 、 トリス （4— ーブチルー 6—フエニルピリミジナト） イリジウム （I I I） （略称： ［ 1 （ 8 11 111） 3 ］ ） 、 （アセチルアセトナト） ビス （ 6—メチルー 4—フエニ ルピリミジナト） イリジウム （ I I I） （略称： ［ I !· （1X1 1X1） 2 （ & 〇 & 〇） ］ ） （アセ チルアセトナト） ビス （ 6— ！· ーブチルー 4—フエニルピリミジナト） イリジウム （I I I） （略称： ［ 1 ^ （アセチルアセトナト）
ノルボルニル） 一 4—フエニルピリミジナト］ イリジウム （ I I I） （略称： ［
2 （ 3 〇 3 〇） ］ ） （アセチルアセトナト） ビス ！； 5—メチルー 6— （ 2—メ
4—フヱニルピリミジナト］ イリジウム （ I I I） （略称 ： ［ 1 （111 111
<：） ］ ） 、 （アセチルアセトナト） ビス ｛4， 6—ジメチルー 2— ［6— （2，
ニル） — 4— ピリミジニルー ^ X 3］ フエニルー イリジウム （ I I I） （略称： ［ I !· （ ¢ 1
111 111—（11X1 ） 2 〇 ^ 〇） ］ ） （アセチルアセトナト） ビス （ 4 6—ジフエニルピリ ミジナト） イリジウム （ I I I） （略称： ［ 1 （（1 111） 2 （ & 〇 & 〇） ］ ） のようなピリミ ジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、 （ァセチルァセトナト） ビス （3， 5—ジメチルー 2 —フヱニルピラジナト） イリジウム （ I I I） （略称： ［ I （111 1·— 1^6） 2 ｛ 3. 0 ^
。） ］ ） 、 （アセチルアセトナト） ビス （5—イソプロピルー 3—メチルー 2—フエニルピラジナ 卜） イリジウム （ I I I） （略称： ［ 1 （111 1·—：［ ? !·） 2 のようなピラ ジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、 トリス （2—フヱニルピリジナトー X， 〇 2' ） イリジ ウム （ I I I） （略称： ［ I r （ ） 3 ］ ） 、 ビス （2—フヱニルピリジナトー 〇 2’ ） イ リジウム （ I I I） アセチルアセトナート （略称： ［ I （ ） 2 （3 〇 3 <:） ］ ） 、 ビス
（ベンゾ |>］ キノリナト） イリジウム （I I I） アセチルアセトナート （略称： ［ I （b 2 q） 2 （ 3 〇 3 〇） ］ ） , トリス （ベンゾ ［11］ キノリナト） イリジウム （ I I I） （略称： ［ I r
のようなピリジン骨格を有する有機金属イ リジウム錯体、 ビス （2， 4—ジフエニルー 1， 3—才 キサゾラトー 〇 2 '） イリジウム （I I I） アセチルアセトナート （略称： ［ I （ ¢ 1 〇） 2 （ & 〇 & 〇） ］ ） , ビス ｛ 2 - ［4， 一 （パーフルオロフエニル） フエニル］ ピリジナトー 1^， 0 2’ ｝ イリジウム （ I I I） アセチルアセトナート （略称： ［ 1 （ 一 PF— ！！） 2 （, a 〇 a 。） ］ ） 、 ビス （2—フエニルべンゾチアゾラトー 1^， 〇 2 '） イリジウム （I I I） アセチルアセ トナート （略称： ［1 （13 1:） 2 （3 03 （：） ］ ） などの有機金属錯体の他、 トリス （ァセチル アセトナト） （モノフエナントロリン） テルビウム （ I I I） （略称： ［1^ （ & 〇 & 〇） 3 （?
11（311） ］ ） のような希土類金属錯体が挙げられる。
［0 1 36］
黄色または赤色を呈し、 発光スぺク トルのピーク波長が 570111x1以上 750111x1以下である燐光 発光物質としては、 以下のような物質が挙げられる。 \¥02020/174305 ? 1/162020/051228
［0137］
例えば、 （ジイソブチリルメタナト） ビス ［4， 6—ビス （3—メチルフエニル） ピリミジナト］ イリジウム （I I I） （略称： ［1 1x1） 2 （（1 土 I） 1x1） ］ ） 、 ビス ［ 4， 6—ビス （3—メチルフエニル） ピリミジナト］ （ジビバロイルメタナト） イリジウム （I I I） （略称： ［ 1 （5111（1 1x1） 2 （＜1 1x1） ］ ） 、 ビス ［ 4， 6—ジ （ナフタレンー 1—イル） ピリミジ ナト］ （ジピバロイルメタナト） イリジウム （ I I I） （略称： ［ 1 （＜1 111 111） 2 （＜^ 1x0 ］ ） 、 トリス （4— 1;—ブチルー 6—フエニルピリミジナト） イリジウム （ I I I） （略称： ［ 1 （ 1311 111） 3 ］ ） のようなピリミジン骨格を有する有機金属錯 体、 （アセチルアセト ナト） ビス （2， 3， 5—トリフエニルピラジナト） イリジウム （I I I） （略称： ［ I （ 1〇 2 （3 。 3 。） ］ ） 、 ビス （2， 3， 5—トリフエニルピラジナト） （ジピバロイルメタナ 卜） イリジウム （ I I I） （略称： —ジメチ ルー 2— ［3— （3， 5—ジメチル フエニル 0} （2， 6—ジメチルー 3， 5—ヘプタンジオナトー》 2 0， 〇’ ） イリジウム （ I I I）
（略称： ［ 1 （＜1111（1 1·— ） 2 （＜1 1 1）1X1） ］ ） 、 ビス { 4， 6—ジメチルー 2— ［ 5— （4—シアノー 2， 6—ジメチルフエニル） 一3— （3， 5—ジメチルフエニル） 一2—ピラジニ ルー（ 1^］ フエニルー》 2， 6， 6—テトラメチルー 3， 5—ヘプタンジオナトー》 2 0， 0’ ） イリジウム （略称： ［ 1 （＜1111（1 1·— 2 （＜1 111） ］ ） 、
（アセチルアセトナト） ビス ［2—メチルー 3—フエニルキノキサリナトー 1^， （3 2’ ］ イリジウム （ I I I） （略称： ［ 1 （mp q） 2 （a c a c） ］ ） 、 （アセチルアセトナト） ビス （ 2， 3
リナトー 0 2, ） イリジウム （I I I） アセチルアセトナート （略称： ［ 1 （p i q） 2 （a 〇 3 〇） ］ ） , ビス ［4， 6—ジメチルー 2— （2—キノリニルー 1^） フエニルー《（3］ （2，
4—ペンタンジオナトー《 2 0， 〇’ ） イリジウム （ I I I） のようなピリジン骨格を有する有機 金属錯体、 2， 3， 7， 8， 1 2， 1 3， 1 7， 1 8—オクタエチルー 21 H， 23 H—ポルフィ リン白金 （ I I） （略称： ［ 0£ ］ ） のような白金錯体、 トリス （1， 3—ジフヱニルー 1，
3—プロパンジオナト） （モノフエナントロリン） ユーロピウム （I I I） （略称： ［£11 （06 N4） 3 （ 11611） ］ ） 、 トリス ［1— （2—テノイル） 一3， 3， 3—トリフルオロアセトナト］
（モノフエナントロリン） ユーロピウム （I I I） （略称： ［£11 （丁丁八） 3 ］ ） のような希土類金属錯体が挙げられる。
［0138］
発光層に用いる有機化合物 （ホスト材料、 アシスト材料等） としては、 発光物質のエネルギーギヤ ップより大きなエネルギーギヤップを有する 物質を、 一種もしくは複数種選択して用いることがで さる。 \¥02020/174305 ? 1/162020/051228
[0 1 39]
蛍光発光物質と組み合わせて用いる有機化 合物としては、 一重項励起状態のエネルギー _位が大き く、 三重項励起状態のエネルギー準位が小さい有 機化合物を用いるのが好ましい。
[0 140]
一部上記の具体例と重複するが、 発光物質 （蛍光発光物質、 燐光発光物質） との好ましい組み合わ せという観点から、 以下に有機化合物の具体例を示す。
[0 14 1]
蛍光発光物質と組み合わせて用いることが できる有機化合物としては、 ァントラセン誘導体、 テト ラセン誘導体、 フ ナントレン誘導体、 ピレン誘導体、 クリセン誘導体、 ジベンゾ [ ， ] クリ セン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げ られる。
[0 142]
蛍光発光物質と組み合わせて用いる有機化 合物 （ホスト材料） の具体例としては、 9ーフ ニルー 3 - [4— （ 1 0—フエニルー 9—アントリル） フエニル] — 9H—カルバゾール （略称： 匚
） トリフエニルアミン （略称： 、 丫〇八 八、 〇八 八、 1^， 9—ジフエニルー 1^—
{ 4 - [4— （ 1 0—フエニルー 9—アントリル） フエニル] フエニル} — 9H—カルバゾールー 3—アミン （略称： 1 〇—ジフエニルー 2—アントリル） 9— ジフエニルー 9 H— （略称： 2 ?〇八 八） 、 6， 1 2—ジメ トキシー
クタフエニルジベンゾ [ § ] クリセンー 2 7 1 0， 1 5—テトラアミン （略称： 〇 8〇 フエニル] — 9H—カルバゾール （略 トリル） フエニル] — 7 H—ジベンゾ [〇 , カルバゾール （略称： 、 6— [3— （9， 1 0—ジフエニルー 2— アントリル） フエニル] —ベンゾ [13] ナフト [1， 2 - ¢ 1] フラン （略称： 21X1811 八） 、 9—フエニルー 1 0— { 4 - （ 9—フエニルー 9 H—フルオレンー 9—イル） ービフエニルー 4， —イル} アントラセン （略称： F乙 八） 、 9， 1 0—ビス （3， 5—ジフエニルフエニル） ア ントラセン （略称： 〇 八） 、 9， 1 0—ジ （2—ナフチル） アントラセン （略称： DNA） 、
2— 6 !· ーブチルー 9， 1 0—ジ （2—ナフチル） アントラセン （略称： - 6 uDNA） ,
9， 9’ ービアントリル （略称： ：8八1'1丁） 、 9， 9’ 一 （スチルベンー 3， 3’ ージイル） ジフ エナントレン （略称： DPNS） 、 9， 9’ 一 （スチルベンー 4， 4’ ージイル） ジフエナントレ ン （略称： DPNS 2） 、 1， 3， 5—トリ （1—ピレニル） ベンゼン （略称： 丁 83） 、 5,
1 2—ジフエニルテトラセン、 5 1 2—ビス （ビフエニルー 2—イル） テトラセンなどが挙げら れる。
[0 143]
燐光発光物質と組み合わせて用いる有機化 合物としては、 発光物質の三重項励起エネルギー （基底 状態と三重項励起状態とのエネルギー差） よりも三重項励起エネルギーの大きい有機化 合物を選択 すればよい。
[0144]
励起錯体を形成させるベく複数の有機化合 物 （例えば、 第 1のホスト材料、 及び第 2のホスト材料 （またはアシスト材料） 等） を発光物質と組み合わせて用いる場合は、 これらの複数の有機化合物 を燐光発光物質 （特に有機金属錯体） と混合して用いることが好ましい。
[0145]
このような構成とすることにより、 励起錯体から発光物質へのエネルギー移動で ある E xTET （Ex c i p l e x— T r i p l e t En e r g y T r a n s f e r） を用いた発光を効率よ く得ることができる。 なお、 複数の有機化合物の組み合わせとしては、 励起錯体が形成しやすいも のがよく、 正孔を受け取りやすい化合物 （正孔輸送性材料） と、 電子を受け取りやすい化合物 （電 子輸送性材料） とを組み合わせることが特に好ましい。 発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の 波長と重なるような発光を呈する励起錯体を 形成するような組み合わせを選択することで 、 エネル ギー移動がスムーズとなり、 効率よく発光を得ることができる。 なお、 正孔輸送性材料及び電子輸 送性材料の具体例については、 本実施の形態で示す材料を用いることができ る。 この構成により、 発光デバイスの高効率、 低電圧、 長寿命を同時に実現できる。
[0146]
励起錯体を形成する材料の組み合わせとし ては、 正孔輸送性材料の H OMO_位が電子輸送性材料 の HOMO_位以上の値であると好ましい。 正孔輸送性材料の LUMO_位 （最低空軌道_位） が 電子輸送性材料の LUMO_位以上の値であると好ましい。 材料の LUMO_位及び HOMO_位 は、 サイクリックボルタンメ トリ （CV） 測定によって測定される材料の電気化学特性 （還元電位 及び酸化電位） から導出することができる。
[0147]
励起錯体の形成は、 例えば正孔輸送性材料の発光スぺク トル、 電子輸送性材料の発光スぺク トル、 及びこれら材料を混合した混合膜の発光スぺ ク トルを比較し、 混合膜の発光スぺク トルが、 各材料 の発光スぺク トルよりも長波長側にシフトする （または長波長側に新たなピークを持つ） 現象を観 測することにより確認することができる。 または、 正孔輸送性材料の過渡フォ トルミネッセンス （PL） 、 電子輸送性材料の過渡 P L、 及びこれら材料を混合した混合膜の過渡 P Lを比較し、 混 合膜の過渡 PL寿命が、 各材料の過渡 P L寿命よりも長寿命成分を有する、 または遅延成分の割合 が大きくなるなどの過渡応答の違いを観測す ることにより、 確認することができる。 また、 上述の 過渡 P Lは過渡エレク トロルミネッセンス （EL） と読み替えても構わない。 すなわち、 正孔輸送 性材料の過渡 E L、 電子輸送性を有する材料の過渡 E L、 及びこれらの混合膜の過渡 E Lを比較し、 過渡応答の違いを観測することによっても、 励起錯体の形成を確認することができる。
[0148]
燐光発光物質と組み合わせて用いることが できる有機化合物としては、 芳香族アミン （芳香族アミ ン骨格を有する化合物） 、 カルバゾール誘導体 （カルバゾール骨格を有する化合物） 、 ジベンゾチ オフ ン誘導体 （チオフ ン誘導体） 、 ジベンゾフラン誘導体 （フラン誘導体） 、 亜鉛やアルミニ ウム系の金属錯体、 オキサジアゾール誘導体、 トリアゾール誘導体、 ベンゾイミダゾール誘導体、 キノキサリン誘導体、 ジベンゾキノキサリン誘導体、 ピリミジン誘導体、 トリアジン誘導体、 ピリ ジン誘導体、 ビピリジン誘導体、 フエナントロリン誘導体等が挙げられる。
[0149] \¥02020/174305 ? 1/162020/051228 正孔輸送性の高い有機化合物である芳香族ァ ミン、 カルバゾール誘導体、 ジベンゾチオフエン誘導 体、 ジベンゾフラン誘導体の具体例としては、 以下の物質が挙げられる。
［0150］
カルバゾール誘導体としては、 ビカルバゾール誘導体 （例えば、 3， 3’ ービカルバゾール誘導 体） 、 カルバゾリル基を有する芳香族ァミン等が挙 げられる。
［0151］
ビカルバゾール誘導体 （例えば、 3， 3’ ービカルバゾール誘導体） としては、 具体的には、 3，
3’ ービス （ 9—フエニルー 9 H—カルバゾール） （略称： ， 9’ ービス （1， 1’ —ビフエニルー 4—イル） 一3， 3， ービー 9H—カルバゾ ービス （1， 1， ービ フエニルー 3—イル） 一3， 3， ービー 9 H—カルバゾール 7 —ビフエニルー 3— イル） 一 9， 一 （1， 1， ービフエニルー 4—イル） 一 9H 3 7 —ビカルバゾール
（略称： 1x18 （3匚 8 ） 、 9— （2—ナフチル） 一9’ ーフエニルー 9H， 9’ ：《— 3， 3’ 一 ビカルバゾール （略称： などが挙げられる。
［0152］
カルバゾリル基を有する芳香族ァミンとし ては、 具体的には、 N— （4—ビフエ ニル） 一 ^^― （9， 9—ジメチルー 9 —フルオレンー 2—イル） 一 9—フエニルー 9 —カルバ ゾールー 3—アミン （略称： PCB i F） 、 PCBB i F、 ? 066 1 16?, PCBANB、 CBNB ルー （9—フエニルー 9 —カルバゾールー 3—イル） アミン （略称： ービス （ 9—フエニルカルバゾールー 3—イル） 一 :^ 一 ジフエニルベンゼンー 1， 3—ジアミン （略称： 〇八28） 、 1^， ， ’ ートリフエニル — 1^， 1^， ， 1^， ， ートリス （ 9—フエニルカルバゾールー 3—イル） ベンゼンー 1， 3， 5—卜 リアミン （略称： ？匚八38） 、 9， 9—ジメチルー 1^—フエニルー 1^— ［4— （9—フエニルー 9 H—カルバゾールー 3—イル） フエニル］ フルオレンー 2—アミン （略称： PCBAF） 、 ? 0 BASF、 3— ［!'>!— （ 9—フエニルカルバゾールー 3—イル） 一1^—フエニルアミノ］ —9—フ エニルカルバゾール （略称： 〇 0八 1） 、 3， 6—ビス ［!' > !— （9—フエニルカルバゾール — 3—イル） 一1^—フエニルアミノ］ — 9—フエニルカルバゾール （略称： 0 0八 2） 、 3 — ［1^— （1—ナフチル） 一1^— （ 9—フエニルカルバゾールー 3—イル） アミノ］ —9—フエニ ルカルバゾール （略称： 0 0 1） 、 3— ［!'>!— （4—ジフエニルアミノフエニル） 一 1^— フエニルアミノ］ — 9—フエニルカルバゾール （略称： 0 〇 八 1） 、 3， 6—ビス ［!'>!— （略称： ナフチル） アミノ］ — 9—フエニルカルバゾール （略称： 0 丁 X 2） 、 2— ［!'>!— （9—フエニルカル バゾールー 3—イル） 一1^—フエニルアミノ］ スピロー 9， 9’ ービフルオレン （略称： 〇八 ） 、 ［4— （ 9 —カルバゾールー 9—イル） フエニル］ —1^— （4—フエニル） フエニル アニリン （略称：丫〇八 18 ） 、 1^， ’ ービス ［4— （カルバゾールー 9—イル） フエニル］
— 1^， 1^’ ージフエニルー 9， 9—ジメチルフルオレンー 2， 7—ジアミン （略称： YGA2 F） 、 4， 4’ ， 4’ ’ ートリス （カルバゾールー 9—イル） トリフエニルアミン （略称： 丁（3丁八） な どが挙げられる。
［0153］
カルバゾール誘導体としては、 上記に加えて、 3— ［4— （9—フエナントリル） ーフエニル］ — \¥02020/174305 卩（：1' 2020/051228
9—フエニルー 9 H—カルバゾール （略称： ?0? ? !!） , 〇?!''!、 1， 3—ビス （1^—カルバ ゾリル） ベンゼン （略称： ） 、 4， 4’ ージ （1^—カルバゾリル） ビフヱニル （略称： 06 ） 、 3， 6—ビス （3， 5—ジフエニルフエニル） 一 9—フエニルカルバゾール （略称： 0 丁 ） 、 1， 3， 5—トリス ［4— （1^—カルバゾリル） フエニル］ ベンゼン （略称： 丁0?8） 、
0 2 八等が挙げられる。
［0 1 54］
チオフ ン誘導体 （チオフ ン骨格を有する化合物） 及びフラン誘導体 （フラン骨格を有する化合 物） としては、 具体的には、 4， 4’ ， 4’ ’ 一 （ベンゼンー 1， 3， 5—トリイル） トリ （ジベ ンゾチオフエン） （略称： 〇 8丁 3 一 I I） 、 2， 8—ジフエニルー 4— ［4— （ 9—フエニル — 9 H—フルオレンー 9—イル） フエニル］ ジベンゾチオフエン （略称： 〇 8丁 F乙 一 I I I） 、 4 - ［4— （ 9—フエニルー 9 H—フルオレンー 9—イル） フエニル］ — 6—フエニルジベンゾチ オフヱン （略称： DBTF乙 一 I V） などのチオフヱン骨格を有する化合物、 4 - { 3 - ［3—
（ 9—フエニルー 9 H—フルオレンー 9—イル） フエニル］ フエニル} ジベンゾフラン （略称： ：〇1 mDBFFLB 1 - 1 1） 等が挙げられる。
［0 1 55］
芳香族アミンとしては、 具体的には、 4， 4’ ービス ［1^— （1—ナフチル） 一1^—フエニルアミ ノ］ ビフエニル （略称： NPBまたは a-NPD） , N, N ^ —ビス （3—メチルフエニル） 一 ^^ 1^’ ージフエニルー ［1， 1’ ービフエニル］ —4， 4’ ージアミン （略称： 丁 〇） 、 4， 4’
—ビス ［1^— （スピロー 9， 9’ ービフルオレンー 2—イル） 一1^—フエニルアミノ］ ビフエニル （略称： LP、 mBPAFLP、 1^— （9， 9—ジメチルー 9 H—フルオレ ンー 2— —ジメチルー 2— ［1'1’ ーフエニルー 1^’ 一 （9， 9—ジメチルー 9 H—フ アミノ］ — 9 H—フルオレンー 7—イル} フエニルアミン （略称： DFLA 9—ジメチルー 2—ジフエニルアミノー 9 H—フルオレンー 7—イ ル） ジフエニルアミン （略称： DPNF） 、 2— ［!'>!— （4—ジフエニルアミノフエニル） 一 1^— フエニルアミノ］ スピロー 9， 9’ ービフルオレン （略称 ： 〇 八 £ F） 、 2， 7—ビス ［!'>!— （4—ジフエニルアミノフエニル） 一1^—フエニルアミノ］ スピロー 9， 9’ ービフルオレン （略 称： DPA2 SF） 、 4， 4’ ， 4’ ’ ートリス ［!'>!— （1—ナフチル） 一1^—フエニルアミノ］ トリフエニルアミン （略称： 1’ 一 TNATA） 、 丁〇八丁八、 1x1—］^丁0八丁八、 1^， （ ートリル） 一 1^， 1^’ ージフエニルー ーフエニレンジアミン （略称： 丁 八） 、 4，
4’ ービス ［1^— （4—ジフエニルアミノフエニル） 一1^—フエニルアミノ］ ビフエニル （略称： 0 八：8） 、 4， 4’ ービス （1^— { 4 - ［1^’ 一 （3—メチルフエニル） 一 ^^ —フエニルアミ ノ］ フエニル} —1^—フエニルアミノ） ビフエニル （略称 、 1， 3， 5—トリス ［］\1— （4—ジフエニルアミノフエニル） 一1^—フエニルアミノ］ ベンゼン （略称： 0 八38） 等が挙げられる。
［0 1 56］
正孔輸送性の高い有機化合物としては、 ポリ （X—ビニルカルバゾール） （略称： 1〇 、 ポリ （4—ビニルトリフエニルアミン） （略称： 丁 八） 、 ポリ ［1^— （4— {1^’ 一 ［4— （4 —ジフエニルアミノ） フエニル］ フエニルー 1^’ ーフエニルアミノ} フエニル） メタクリルアミ ド］ （略称： 、 ポリ ［!'>!， 1^’ ービス （4—ブチルフエニル） 一 1^， 1^’ ービス （フエ ニル） ベンジジン］ （略称： 〇 1 丁 〇） などの高分子化合物を用いることもできる。 \¥02020/174305 ? 1/162020/051228
［0 1 57］
電子輸送性の高い有機化合物である、 亜鉛やアルミニウム系の金属錯体の具体例と しては、 トリス （8—キノ リノラ ト） アルミニウム （I I I） （略称： 八 1 q） 、 トリス （4—メチルー 8—キノ リノラ ト） アルミニウム （I I I） （略称： 八 1 IX! q 3 ） 、 ビス （ 1 0—ヒ ドロキシベンゾ |＞］ キノ リナト） ベリ リウム （ I I） （略称： 8 8 q 2 ） 、 ビス （2—メチルー 8—キノ リノラ ト）
（ 4—フエニルフエノラ ト） アルミニウム （ I I I） （略称： ：8八 1 q） 、 ビス （ 8—キノリノラ 卜） 亜鉛 （ I I） （略称： Zn q） など、 キノリン骨格またはべンゾキノリン骨格を有 する金属錯 体等が挙げられる。
［0 1 58］
この他、 ビス ［2— （2—ベンゾオキサゾリル） フエノラ ト］ 亜鉛 （ I I） （略称： å 11 8〇） 、 ビス ［2— （2—ベンゾチアゾリル） フエノラ ト］ 亜鉛 （I I） （略称： Z nBTZ） などのオキ サゾール系、 チアゾール系配位子を有する金属錯体なども 用いることができる。
［0 1 59］
電子輸送性の高い有機化合物である、 ォキサジアゾール誘導体、 トリアゾール誘導体、 ベンゾイミ ダゾール誘導体、 キノキサリン誘導体、 ジベンゾキノキサリン誘導体、 フヱナントロリン誘導体の 具体例としては、 2— （4—ビフエニリル） 一 5— （4— 6 !· 1;—ブチルフエニル） 一 1， 3，
4—オキサジアゾール （略称： 80） 、 1， 3—ビス ［5— （ 一 6 !· 1;—ブチルフエニル）
— 1， 3， 4一オキサジアゾールー 2—イル］ ベンゼン （略称： 0X0—7） 、 9— ［4— （5— フエニルー 1， 3， 4一オキサジアゾールー 2—イル） フエニル］ — 9H—カルバゾール （略称： （301 1） 、 3— （4—ビフエニリル） 一 4—フエニルー 5— （4— 6 1· !—ブチルフエニル） — 1， 2， 4—トリアゾール （略称： 丁八å） 、 3— （4— —ブチルフエニル） 一 4— （4—エチルフエニル） 一5— （4—ビフエニリル） 一 1， 2， 4—トリアゾール （略称： p - E 1;丁八2） 、 2， 2’ ， 2’ ’ 一 （1， 3， 5—ベンゼントリイル） トリス （1—フエニルー 1H —ベンゾイミダゾール） （略称： 丁 81） 、 2— ［3— （ジベンゾチオフエンー 4—イル） フエ ニル］ — 1—フエニルー 1 H—ベンゾイミダゾール （略称： 1X108丁 8 I 1x1 - I I） 、 4， 4’ 一 ビス （ 5—メチルベンゾオキサゾールー 2—イル） スチルベン （略称： ：82〇 8、 バソフエナント ロリン （略称： ：8 11611） 、 バソキュプロイン （略称： ：80 ） 、 2， 9—ビス （ナフタレンー 2—イル） 一4， 7—ジフエニルー 1， 1 0—フエナントロリン （略称： NB p h e n） 、 2— ［3— （ジベンゾチオフエンー 4—イル） フエニル］ ジベンゾ ［ 11］ キノキサリン （略称： 2 1X108丁 84— I I） 、 2— ［3， 一 （ジベンゾチオフエンー 4—イル） ビフエニルー 3—イ ル］ ジベンゾ ［ 11］ キノキサリン （略称： 2mDBTB PDB q— I I） 、 2— ［3， 一 （9 H—カルバゾールー 9—イル） ビフエニルー 3—イル］ ジベンゾ ［ 11］ キノキサリン （略称： 、 2— ［ 4— （3， 6—ジフエニルー 9 —カルバゾ '—ルー 9—イル） フエ ニル］ ジベンゾ ［ 11］ キノキサリン （略称： 20 2 ?〇6 ¾ - 1 1 1） , 7 - ［3— （ジベン ゾチオフエンー 4—イル） フエニル］ ジベンゾ ［ 11］ キノキサリン （略称：
4— 1 1） 、 及び 6— ［3— （ジベンゾチオフエンー 4—イル） フエニル］ ジベンゾ ［ 11］ キ ノキサリン （［1各称： 6mDBTPDB q- I I） などが挙げられる。
［0 1 60］
電子輸送性の高い有機化合物である、 ジアジン骨格を有する複素環化合物、 トリアジン骨格を有す る複素環化合物、 ピリジン骨格を有する複素環化合物の具体例 としては、 4， 6—ビス ［3— （フ \¥02020/174305 卩（：1' 2020/051228 ェナントレンー 9—イル） フェニル] ピリミジン （略称： 4， 4， 6—ビス [3— （4—ジベンゾチェニル） フェニル] ピリミジン （略称： 4， 61X108丁 2 111— I I） 、 4， 6—ビス [3— （ 9 H—カルバゾールー 9—イル） フェニル] ピリミジン （略称： 4， 61X10 2 ? 2 ? 1X1） ^ 2— { 4— [3— !''!—フェニルー 9 —カルバゾールー 3—イル） 一 9]^—カル バゾールー 9—イル] フェニル} —4， 6—ジフェニルー 1， 3， 5—トリアジン （略称： （3〇 丁 ！！） 、 9— [3— （4， 6—ジフェニルー 1， 3， 5—トリアジンー 2—イル） フェニル] — 9’ ーフェニルー 2， 3’ ービー 9 H—カルバゾール （略称： 1X1?（3〇 丁 11— 02） 、 3， 5—ビス [3— （ 9 H—カルバゾールー 9—イル） フェニル] ピリジン （略称 ： 3 5〇 02 ? ? ） 、 1， 3， 5—トリ [3— （3—ピリジル） フェニル] ベンゼン （略称 など が挙げられる。
[0 1 6 1]
電子輸送性の高い有機化合物としては、 ポリ （ 2， 5—ピリジンジイル） （略称： ） 、 ポリ [ （9， 9—ジヘキシルフルオレンー 2， 7—ジイル） 一。 〇— （ピリジンー 3， 5—ジイル） ] （略称： PF— ） 、 ポリ ！； （9， 9—ジオクチルフルオレンー 2， 7—ジイル） 一。 〇— （2, 2’ ービピリジンー 6， 6’ ージイル） ] （略称： PF—：8 7） のような高分子化合物を用いる こともできる。
[0 1 6 2]
丁八〇 F材料とは、 £ 1 準位と丁 1 準位との差が小さく、 逆項間交差によって三重項励起ェネルギー から一重項励起ェネルギーへェネルギーを変 換することができる機能を有する材料である 。 そのた め、 三重項励起ェネルギーをわずかな熱ェネルギ ーによって一重項励起ェネルギーにァップコ ンバ ート （逆項間交差） が可能で、 一重項励起状態を効率よく生成することがで きる。 また、 三重項励 起ェネルギーを発光に変換することができる 。 熱活性化遅延蛍光が効率良く得られる条件と しては、 £ 位と丁ェ 位のェネルギー差が 06 V以上〇. 26 V以下、 好ましくは 06 V以上〇. 1 6 以下であることが挙げられる。 また、 丁八〇 F材料における遅延蛍光とは、 通常の蛍光と同様のス ぺク トルを持ちながら、 寿命が著しく長い発光をいう。 その寿命は、 1 0— 6 秒以上、 好ましくは 1 0一 3 秒以上である。
[0 1 6 3]
2種類の物質で励起状態を形成する励起錯体 、 £ 1 _位と丁 1 _位との差が極めて小さく、 三重項 励起ェネルギーを一重項励起ェネルギーに変 換することが可能な丁八〇 F材料としての機能を有す る。
[0 1 64]
丁 1 _位の指標としては、 低温 （例えば 77 Xから 1 01〇 で観測される燐光スぺク トルを用いれ ばよい。 TADF材料としては、 その蛍光スペク トルの短波長側の裾において接線を引き、 その外 揷線の波長のェネルギーを £ 1 準位とし、 燐光スぺク トルの短波長側の裾において接線を引き、 そ の外揷線の波長のェネルギーを丁 準位とした際に、 その の差が〇. 3 6 V以下であるこ とが好ましく、 〇. 26 V以下であることがさらに好ましい。
[0 1 6 5]
TADF材料としては、 例えば、 フラーレンやその誘導体、 プロフラビン等のアクリジン誘導体、 ェオシン等が挙げられる。 また、 マグネシウム 、 亜鉛 （å 11） 、 カ ドミウム （0〇1） 、 ス ズ （£ 11） 、 白金 （ 1） 、 インジウム （ I 11） 、 もしくはパラジウム （ ¢ 1） 等を含む金属含有 \¥02020/174305 ? 1/162020/051228 ポルフイリンが挙げられる。 金属含有ポルフイリンとしては、 例えば、 プロ トポルフイリンーフッ 化スズ錯体 （略称： S n F 2 （P r o t o I X） ） 、 メソポルフイリンーフッ化スズ錯体 （略 称： £ 11 F 2 （IV! 6 8 〇 I X） ） 、 へマトボルフイリンーフッ化スズ錯体 （略称： £ 11 F 2 （H 6 1113 1;〇 I X） ） 、 コプロポルフイリンテトラメチルエステルー フッ化スズ錯体 （略称： S nF
2 （<3〇 ！· 〇 I I I— 41^6） ） 、 オクタエチルポルフイリンーフッ化スズ錯体 （略称： £ 11 F 2 （0£ ） ） 、 エチオポルフイリンーフッ化スズ錯体 （略称： SnF 2 （E t i o 1） ） 、 才 クタエチルボルフイリンー塩化白金錯体 （略称： ? I 0 I 2 〇^ ?） 等が挙げられる。
[0166]
その他にも、 2— （ビフエニルー 4—イル） 一4， 6—ビス （1 2—フエニルインドロ [2， 3— 3] カルバゾールー 1 1—イル） 一 1， 3， 5—トリアジン （略称： I（3—丁尺 å） 、 （3〇 PT z 11 ^ 2— [4— （ 1 0 H—フエノキサジンー 10—イル） フエニル] —4， 6—ジフエニル — 1， 3， 5—トリアジン （略称： 一丁尺å） 、 3— [4— （5—フエニルー 5， 10—ジ ヒ ドロフエナジンー 1 0—イル） フエニル] —4， 5—ジフエニルー 1， 2， 4—トリアゾール （略称： 一 3丁 丁） 、 3— （9， 9—ジメチルー 9 H—アタリジンー 10—イル） 一 9 H —キサンテンー 9—オン （略称：八匚尺 丁！'!） 、 ビス [4— （9， 9—ジメチルー 9， 10—ジ ヒ ドロアクリジン） フエニル] スルホン （略称： —〇 £） 、 10—フエニルー 10 H，
10’ ：《—スピロ [アクリジンー 9， 9’ ーアントラセン] — 10’ ーオン （略称：八匚尺 八） 、 4— （9， ーフエニルー 3， 3’ ービー 9 H—カルバゾールー 9—イル） ベンゾフロ [3， 2— ¢ 1] ピリミジン （略称： 4 ?<3匚 2：8 £ 111） 、 4— [4— （9， —フエニルー 3， 3’ ービー 9 H— カルバゾールー 9—イル） フエニル] ベンゾフロ [3， 2 - ¢ 1] ピリミジン （略称：
、 9— [3— （4， 6—ジフエニルー 1， 3， 5—トリアジンー 2—イル） フエニル]
— 9’ ーフエニルー 2， 3’ ービー 9 H—カルバゾール （略称
71 電子過剰型複素芳香環及び 71 電子不足型複素芳香環を有する複素環化合物 を用いることができ る。
[0167]
該複素環化合物は、 71電子過剰型複素芳香環及び 71電子不足型複素芳香環を有するため、 電子輸送 性及び正孔輸送性が共に高く、 好ましい。 中でも、 71 電子不足型複素芳香環を有する骨格のうち、 ピリジン骨格、 ジアジン骨格 （ピリミジン骨格、 ピラジン骨格、 ピリダジン骨格） 、 及びトリアジ ン骨格は、 安定で信頼性が良好なため好ましい。 特に、 ベンゾフロピリミジン骨格、 ベンゾチエノ ピリミジン骨格、 ベンゾフロピラジン骨格、 ベンゾチエノピラジン骨格は電子受容性が高 く、 信頼 性が良好なため好ましい。
[0168]
また、 71 電子過剰型複素芳香環を有する骨格の中でも 、 アクリジン骨格、 フ ノキサジン骨格、 フ ヱノチアジン骨格、 フラン骨格、 チオフヱン骨格、 及びピロール骨格は、 安定で信頼性が良好なた め、 当該骨格の少なくとも一つを有することが好 ましい。 なお、 フラン骨格としてはジベンゾフラ ン骨格が、 チオフエン骨格としてはジベンゾチオフエン 骨格が、 それぞれ好ましい。 また、 ピロー ル骨格としては、 インドール骨格、 カルバゾール骨格、 インドロカルバゾール骨格、 ビカルバゾー ル骨格、 3 - （ 9—フエニルー 9 H—カルバゾールー 3—イル） 一 9 H—カルバゾール骨格が特に 好ましい。
[0169] \¥02020/174305 ?€1/162020/051228 なお、 71 電子過剰型複素芳香環と 71 電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質 は、 71 電子過剰 型複素芳香環の電子供与性と 兀 電子不足型複素芳香環の電子受容性が共に強 くなり、 3 1 _位 （一 重項励起状態のエネルギー準位） と丁 1 _位 （三重項励起状態のエネルギー _位） のエネルギー差 が小さくなるため、 熱活性化遅延蛍光を効率よく得られることか ら特に好ましい。 なお、 71 電子不 足型複素芳香環の代わりに、 シアノ基のような電子吸引基が結合した芳香 環を用いてもよい。 また、 兀 電子過剰型骨格として、 芳香族アミン骨格、 フヱナジン骨格等を用いることができる。 また、 兀 電子不足型骨格として、 キサンテン骨格、 チオキサンテンジオキサイ ド骨格、 オキサジアゾール骨 格、 トリアゾール骨格、 イミダゾール骨格、 アントラキノン骨格、 フヱニルボランやボラントレン 等の含ホウ素骨格、 ベンゾニトリルまたはシアノベンゼン等のニ トリル基またはシアノ基を有する 芳香環や複素芳香環、 ベンゾフヱノン等のカルボニル骨格、 ホスフィンオキシド骨格、 スルホン骨 格等を用いることができる。
[0170]
このように、 71 電子不足型複素芳香環及び 71 電子過剰型複素芳香環の少なくとも一方の代 わりに 71電子不足型骨格及び 71電子過剰型骨格を用いることができる。
[0171]
なお、 丁 ADF材料を用いる場合、 他の有機化合物と組み合わせて用いることも できる。 特に、 上 述したホスト材料、 正孔輸送性材料、 電子輸送性材料と組み合わせることができる 。 TADF材料 を用いる場合、 ホスト材料の 準位は丁 ADF材料の 準位より高い方が好ましい。 また、 ホス 卜材料の丁 1 準位は TADF材料の丁 1 準位より高いことが好ましい。
[0172]
また、 TADF材料をホスト材料に用い、 蛍光発光物質をゲスト材料に用いてもよい。 TADF材 料をホスト材料として用いると、 丁 ADF材料で生成した三重項励起エネルギーが、 逆項間交差に よって一重項励起エネルギーに変換され、 さらに発光物質へエネルギー移動することで 、 発光デバ イスの発光効率を高めることができる。 このとき、 丁 ADF材料がエネルギードナーとして機能し、 発光物質がエネルギーアクセプターとして機 能する。 従って、 ホスト材料として TADF材料を用 いることは、 ゲスト材料として蛍光発光物質を用いる場合 に非常に有効である。 また、 このとき、 高い発光効率を得るためには、 TADF材料の £ 位は、 蛍光発光物質の 位より高いことが 好ましい。 また、 丁八〇 F材料の丁 1 _位は、 蛍光発光物質の 位より高いことが好ましい。 し たがって、 TADF材料のT l _位は、 蛍光発光物質の丁 1 _位より高いことが好ましい。
[0173]
また、 蛍光発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯 の波長と重なるような発光を呈する丁八〇 F材 料を用いることが好ましい。 そうすることで、 丁 ADF材料から蛍光発光物質への励起エネルギー の移動がスムーズとなり、 効率よく発光が得られるため、 好ましい。
[0174]
また、 効率よく三重項励起エネルギーから逆項間交 差によって一重項励起エネルギーが生成され る ためには、 丁 ADF材料でキャリア再結合が生じることが好ま しい。 また、 TADF材料で生成し た三重項励起エネルギーが蛍光発光物質の三 重項励起エネルギーに移動しないことが好ま しい。 そ のためには、 蛍光発光物質は、 蛍光発光物質が有する発光団 （発光の原因となる骨格） の周囲に保 護基を有すると好ましい。 該保護基としては、 71 結合を有さない置換基が好ましく、 飽和炭化水素 が好ましく、 具体的には炭素数 3以上 10以下のアルキル基、 置換もしくは無置換の炭素数 3以上 \¥02020/174305 ?€1/162020/051228
1 0以下のシクロアルキル基、 炭素数 3以上 1 0以下のトリアルキルシリル基が挙げられ、 保護基 が複数あるとさらに好ましい。 兀 結合を有さない置換基は、 キャリアを輸送する機能に乏しいため、 キャリア輸送やキャリア再結合に影響をほと んど与えずに、 丁 ADF材料と蛍光発光物質の発光団 との距離を遠ざけることができる。 ここで、 発光団とは、 蛍光発光物質において発光の原因となる 原子団 （骨格） を指す。 発光団は、 71 結合を有する骨格が好ましく、 芳香環を含むことが好ましく、 縮合芳香環または縮合複素芳香環を有すると 好ましい。 縮合芳香環または縮合複素芳香環としては、 フエナントレン骨格、 スチルベン骨格、 アタリ ドン骨格、 フヱノキサジン骨格、 フヱノチアジン骨 格等が挙げられる。 特にナフタレン骨格、 アントラセン骨格、 フルオレン骨格、 クリセン骨格、 卜 リフエニレン骨格、 テトラセン骨格、 ピレン骨格、 ペリレン骨格、 クマリン骨格、 キナクリ ドン骨 格、 ナフトビスベンゾフラン骨格を有する蛍光発 光物質は蛍光量子収率が高いため好ましい。
[0 1 75]
＜電子輸送層＞
電子輸送層 1 24は、 陰極 1 02から注入された電子を発光層 1 23に輸送する層である。
[0 1 76]
電子輸送層 1 24は、 電子輸送性材料を含む。
[0 1 77]
電子輸送性材料は、 正孔よりも電子の輸送性が高い。 電子輸送性材料のHOMO準位が一 6. 〇 6 V以上であることが好ましい。 電子輸送性材料は、 電界強度 [ /。1 11 ] の平方根が 600におけ る電子移動度が、 1 10— 7 。 1 11 2 / 8 以上 5 10— 5 。 1 11 2 / 8 以下であることが好ましく、
電子輸送層 1 24に用いる、 HOMO_位が一 6. 06 V以上の電子輸送性材料の電子移動度 （電 界強度 [ /〇111] の平方根が 600における電子移動度） は、 発光層 1 2 3に用いるホスト材料 の電子移動度よりも小さいことが好ましい。 電子輸送層 1 24における電子の輸送性を落とすこと により発光層 1 23への電子の注入量を制御することができ、 発光層 1 23が電子過多の状態にな ることを防ぐことができる。
[0 1 79]
電子輸送性材料は、 アントラセン骨格を有することが好ましく、 アントラセン骨格と複素環骨格と を有することがさらに好ましい。 当該複素環骨格としては、 含窒素 5員環骨格が好ましい。 当該含 窒素 5員環骨格としては、 ピラゾール環、 イミダゾール環、 オキサゾール環、 チアゾール環のよう に 2つの複素原子を環に含む含窒素 5員環骨格を有することが特に好ましい。 その他、 上記ホスト 材料に用いることが可能な電子輸送性材料の 一部、 及び、 上記蛍光発光物質に組み合わせてホスト 材料として用いることが可能な材料として挙 げた物質を電子輸送層 1 24に用いることができる。
[0 1 80]
電子輸送層 1 24は、 さらに、 アルカリ金属またはアルカリ土類金属の有機 金属錯体を含むことが 好ましい。
[0 1 8 1]
アルカリ金属またはアルカリ土類金属の有 機金属錯体としては、 リチウムの有機錯体が好ましく、 特に、 8—キノリノラトーリチウム （略称： 乙 1 q） が好ましい。
[0 1 8 2] \¥0 2020/174305 ?€1/162020/051228 発光層 1 2 3が電子過多の状態になると、 図 5八に示すように発光領域 1 2 3— 1が一部に限定さ れることによりその部分の負担が大きくなり 、 劣化が促進されてしまう。 また、 再結合できずに発 光層 1 2 3を電子が通過してしまうことでも、 寿命や発光効率が低下する。 本発明の一態様では、 電子輸送層 1 2 4における電子の輸送性を落とすことにより 図 5 3に示すように発光領域 1 2 3 一 1を広げ、 発光層 1 2 3を構成する材料への負担を分散させること 、 _命が長く発光効率の高 い発光デバイスを提供することができる。 なお、 図 5八、 図 5 3、 図 6八、 図 6 3では、 電子を 6 一、 正孔 （ホール） を 11 +として示す。
[ 0 1 8 3 ]
ここで、 図 5 0を用いて、 本実施の形態の発光デバイス及び比較用の発 光デバイスにおける時間経 過に伴う規格化輝度を説明する。 図 5 0において、 太い実線は本実施の形態の発光デバイスの規 格 化輝度の劣化曲線であり、 太い破線は比較用の発光デバイスの規格化輝 度の劣化曲線である。
[ 0 1 8 4 ]
図 5 ¢：に示すように、 本実施の形態の発光デバイスと、 比較用の発光デバイスとは、 規格化輝度の 劣化曲線の傾きが互いに異なる。 具体的には、 本実施の形態の発光デバイスの劣化曲線の傾 き 0 2 は、 比較用の発光デバイスの劣化曲線の傾き 0 1よりも小さい。
[ 0 1 8 5 ]
図 5 0に示すように、 本実施の形態の発光デバイスは、 電流密度一定の条件における駆動試験によ って得られる輝度の劣化曲線において、 極大値を有する形状を示す場合がある。 すなわち、 本発明 の一態様の発光デバイスの劣化曲線は、 時間の経過に従って輝度が上昇する部分を有 する形状とな る場合がある。 このような劣化挙動を示す発光デバイスは、 いわゆる初期劣化と呼ばれる駆動初期 の急激な劣化を当該輝度上昇により相殺する ことが可能となり、 初期劣化が小さく、 目.つ非常に長 V、駆動寿命を有する発光デバイスとするこ が可能となる。
[ 0 1 8 6 ]
なお、 このような、 極大値を有する劣化曲線の微分を取ると、 その値が 0である部分が存在する。 劣化曲線の微分に 0となる部分が存在する本発明の一態様の発 デバイスは、 初期劣化が小さく、 寿命が非常に長い。
[ 0 1 8 7 ]
このような劣化曲線の挙動は、 図 6八に示すように、 電子輸送層 1 2 4における電子移動度が小さ いことによって、 発光に寄与しない再結合が非発光再結合領域 1 2 4— 1で生じることが原因で現 れる現象と考えられる。 上述の構成を有する本発明の一態様の発光デ バイスでは、 駆動初期では正 孔の注入障壁が小さいこと、 及び電子輸送層 1 2 4の電子輸送性が比較的低いことにより、 発光領 域 1 2 3— 1 （すなわち再結合領域） が電子輸送層 1 2 4側に寄った状態で形成される。 また、 電 子輸送層 1 2 4に含まれる電子輸送性材料の H OM O準位が一 6 . 0 6 V以上と比較的高いことか ら、 正孔の一部が電子輸送層 1 2 4まで達しており、 電子輸送層 1 2 4でも再結合が起こり、 非発 光再結合領域 1 2 4— 1が形成される。 なお、 再結合領域が電子輸送層 1 2 4内部にまで達するこ とから、 電子輸送層 1 2 4が有する電子輸送性材料と有機金属錯体の H OM O準位の差が 0 . 2 6 V以内であることが好ましい。
[ 0 1 8 8 ]
駆動時間が経過し、 キャリアバランスが変化するにしたがって、 図 6 3に示すように発光領域 1 2 3 - 1 （再結合領域） が正孔輸送層 1 2 2側に移動する。 非発光再結合領域 1 2 4— 1が減少する ことで、 再結合したキャリアのエネルギーを有効に発 光に寄与させることが可能となり、 駆動初期 と比較して輝度の上昇が起こる。 この輝度上昇が発光デバイスの駆動初期に現 れる急激な輝度低下、 いわゆる初期劣化を相殺することで初期劣化 が小さく、 また駆動寿命の長い発光デバイスを提供で きる。 なお、 本明細書等において、 上記の発光デバイスを R e c omb i n a t i o n— S i t e Ta i l o r i n g I n j e c t i o n構造 （Re S T I構造） と呼称する場合がある。
[0 1 8 9]
なお、 初期劣化を抑えることが可能であることで、 有機 E Lデバイスの大きな弱点の一つとして未 だ論われる焼き付きの問題、 その低減のためになされる出荷前のエイジン グの手間を大きく低減す ることが可能となる。
[0 1 90]
以上のような構成を有する本発明の一態様 の発光デバイスは、 長寿命であり、 信頼性が高い。
[0 1 9 1]
電子輸送層 1 24は、 その厚さ方向において、 電子輸送性材料と、 アルカリ金属またはアルカリ土 類金属の有機金属錯体と、 の混合比が異なる部分が存在することが好ま しい。 電子輸送層 1 24は、 濃度勾配を持っていてもよく、 電子輸送性材料と、 アルカリ金属またはアルカリ土類金属の有機 金 属錯体と、 の混合比が互レヽに異なる複数の層の積層構 造であってもよい。
[0 1 92]
当該混合比の大小に関しては、 飛行時間型二次イオン質量分析 （To F— S IMS : T i me—〇 f — f l i g h t s e c o n d a r y i o n ma s s s p e c t r ome t r y; で i守ら れる原子や分子の検出量により推察できる。 同じ二種類の材料で構成され、 混合比が互いに異なる 部分において、 T〇 F— S I MS分析によってそれぞれ検出された値の大小 、 注目する原子や分 子の存在量の大小に相当する。 そのため、 電子輸送性材料及び有機金属錯体の検出量を 比較するこ とによって、 混合比の大小の見当をつけることができる。
[0 1 93]
電子輸送層 1 24における有機金属錯体の含有量は、 陽極 1 0 1側に比べて、 陰極 1 02側の方が 少ないことが好ましい。 つまり、 有機金属錯体の濃度が、 陰極 1 02側から陽極 1 0 1側に向かっ て上昇するように、 電子輸送層 1 24が形成されることが好ましい。 すなわち、 電子輸送層 1 24 には、 電子輸送性材料の存在量が多い部分よりも発 光層 1 2 3側に電子輸送性材料の存在量が少な い部分が存在することになり、 また、 換言すると、 電子輸送層 1 24には、 有機金属錯体の存在量 が少ない部分よりも発光層 1 23側に有機金属錯体の存在量が多い部分が存 するということがで さる。
[0 1 94]
電子輸送性材料の存在量が多い部分 （有機金属錯体の存在量が少ない部分） における電子移動度は、 電界強度 [V/c m] の平方根が 6 00において 1 X 1 0— 7 c m 2 /V s以上 5 X 1 0— 5 c m 2 / V s以下であることが好ましい。
[0 1 95]
図 4 Cに示すように電子輸送層 1 24が積層構造を有する場合、 発光層 1 2 3側に形成される電子 輸送層 1 24 aと、 電子注入層 1 2 5側に形成される電子輸送層 1 24 bと、 は、 互いに、 電子輸 送性材料と有機金属錯体との混合比が異なる ことが好ましい。 電子輸送層 1 24 aにおける有機金 属錯体の存在量は、 電子輸送層 1 24 bにおける有機金属錯体の存在量よりも多く 電子輸送層 1 \¥0 2020/174305 卩（：1' 2020/051228
2 4 3における電子輸送性材料の存在量は、 電子輸送層 1 2 4 における電子輸送性材料の存在量 よりも少ないことが好ましい。 なお、 これら混合比は、 上述のように丁〇 F— £ I 分析で得ら れる原子や分子の検出量により推察すること が可能である。
[ 0 1 9 6 ]
電子輸送層 1 2 4 3は電子輸送層 1 2 4 13よりも発光層 1 2 3側に設けられていればよく、 電子輸 送層 1 2 4 3と電子輸送層 1 2 4 bとの間に他の層が存在していてもよい。
[ 0 1 9 7 ]
電子輸送層 1 2 4に明確な層としての境界が無い場合、 電子輸送性材料と有機金属錯体との存在比 は、 図 7八及び図 7 3のように連続的に変化していてもよい。 電子輸送層 1 2 4が積層構造を有す る場合、 当該存在比は、 図 7 0及び図 7 0のように階段状に変化していてもよい。 いずれにせよ、 電子輸送層 1 2 4において、 電子移動度の律速となる有機金属錯体の濃度 の低い領域よりも発光層 1 2 3側に有機金属錯体の濃度の高い領域が設け れていることが肝要である。 なお、 本明細書中 では、 便宜的に T o F— S による存在量や濃度、 混合比の推定方法を示したが、 その他の検 出方法により、 これらが証明できるようであればどのような 方法を用いても構わない。
[ 0 1 9 8 ]
本発明の一態様の発光デバイスにおけるキ ャリアバランスの変化は、 電子輸送層 1 2 4の電子移動 度の変化によってもたらされると考えられる 。 本発明の一態様の発光デバイスは、 電子輸送層 1 2 4内部に、 アルカリ金属またはアルカリ土類金属の有機 金属錯体の濃度差が存在する。 電子輸送層 1 2 4は、 当該有機金属錯体の濃度が低い領域と発光層 1 2 3との間に、 当該有機金属錯体の濃度 が高い領域を有する。 すなわち、 有機金属錯体の濃度が低い領域が高い領域よ りも陰極 1 0 2側に 位置する構成を有する。 当該有機金属錯体の濃度が高いほど電子輸送 層 1 2 4の電子移動度は高く なるため、 当該電子輸送層 1 2 4の電子移動度は、 その濃度が低い領域に律速されていることに な る。
[ 0 1 9 9 ]
ここで、 本発明者らは当該発光デバイスに電圧をかけ て駆動すると、 アルカリ金属またはアルカリ 土類金属の有機金属錯体が、 電圧によって陽極 1 0 1側から陰極 1 0 2側 （濃度の濃い領域から薄 い領域） へと拡散してゆくことを見出した。 当該有機金属錯体の濃度が高い領域が低い領 域よりも 陽極 1 0 1側に存在することによって、 駆動に伴って電子輸送層 1 2 4の電子移動度を向上してい るのである。 これにより、 発光デバイス内部でキャリアバランスの変化 が起こり、 再結合領域が移 動し、 上述のような劣化曲線の形状をした寿命の長 い発光デバイスを得ることができる。
[ 0 2 0 0 ]
以上のような構成を有する本発明の一態様 の発光デバイスは、 寿命が非常に長い。 特に、 乙丁 9 5 （輝度が初期輝度の 9 5 %まで低下する時間） 程度までの劣化が極めて小さい領域における 寿命を 大幅に伸ばすことが可能である。
[ 0 2 0 1 ]
＜電子注入層＞
電子注入層 1 2 5は、 陰極 1 0 2からの電子の注入効率を高める層である。 陰極 1 0 2の材料の仕 事関数の値と、 電子注入層 1 2 5に用いる材料の L UMO準位の値と、 の差は、 小さい （0 . 5 6
V以内） ことが好ましい。
[ 0 2 0 2 ] \¥0 2020/174305 卩（：1' 2020/051228 電子注入層 1 2 5には、 リチウム、 セシウム、 フッ化リチウム （乙 1 F） 、 フッ化セシウム （匚 8 ） 、 フッ化カルシウム （C a F 2 ） 、 8—キノリノラ トーリチウム （略称： 乙 1 q） 、 2— （2 —ピリジル） フエノラ トリチウム （略称： 乙 1 ？） 、 2— （2—ピリジル） 一 3—ピリジノラ ト リチウム （略称 、 4—フエニルー 2— （ 2—ピリジル） フエノラ トリチウム （略 称： 、 リチウム酸化物 （乙 1 0 ） 、 炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、 アルカ リ土類金属、 またはそれらの化合物を用いることができる 。 また、 フッ化エルビウム （E r F 3 ） のような希土類金属化合物を用いることがで きる。 また、 電子注入層にエレク トライ ドを用いても よい。 エレク トライ ドとしては、 例えば、 カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電 子を高濃度 添加した物質等が挙げられる。 なお、 上述した電子輸送層を構成する物質を用いる こともできる。
[ 0 2 0 3 ]
また、 電子注入層に、 電子輸送性材料と ドナー性材料 （電子供与性材料） とを含む複合材料を用い てもよい。 このような複合材料は、 電子供与体によって有機化合物に電子が発生 するため、 電子注 入性及び電子輸送性に優れている。 この場合、 有機化合物としては、 発生した電子の輸送に優れた 材料であることが好ましく、 具体的には、 例えば上述した電子輸送性材料 （金属錯体や複素芳香族 化合物等） を用いることができる。 電子供与体としては、 有機化合物に対し電子供与性を示す物質 であればよい。 具体的には、 アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金 属が好ましく、 リチウム、 セシウム、 マグネシウム、 カルシウム、 エルビウム、 イッテルビウム等が挙げられる。 また、 アル カリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が 好ましく、 リチウム酸化物、 カルシウム酸化物、 バリ ウム酸化物等が挙げられる。 また、 酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用い ることもできる。 また、 テトラチアフルバレン （略称： T T F） 等の有機化合物を用いることもできる。
[ 0 2 0 4 ]
なお、 本発明の 態様の発光デバイスの作製には、 蒸着法などの真空プロセスや、 スピンコート法 やインクジェット法などの溶液プロセスを用 いることができる。 蒸着法を用いる場合には、 スパッ 夕法、 イオンプレーティング法、 イオンビーム蒸着法、 分子線蒸着法、 真空蒸着法などの物理蒸着 法 （ 〇法） や、 化学蒸着法 （〇 〇法） 等を用いることができる。 特に 層に含まれる機能 層 （正孔注入層、 正孔輸送層、 発光層、 電子輸送層、 電子注入層） については、 蒸着法 （真空蒸着 法等） 、 塗布法 （ディップコート法、 ダイコート法、 バーコート法、 スピンコート法、 スプレーコ ート法等） 、 印刷法 （インクジェッ ト法、 スクリーン （孔版印刷） 法、 オフセット （平版印刷） 法、 フレキソ （凸版印刷） 法、 グラビア法、 マイクロコンタク ト法等） などの方法により形成すること ができる。
[ 0 2 0 5 ]
発光デバイスを構成する機能層の材料は、 それぞれ、 上述の材料に限定されない。 例えば、 機能層 の材料として、 高分子化合物 （オリゴマー、 デンドリマー、 ポリマー等） 、 中分子化合物 （低分子 と高分子の中間領域の化合物：分子量 4 0 0乃至 4 0 0 0） 、 無機化合物 （量子ドット材料等） 等 を用いてもよい。 なお、 量子ドット材料としては、 コロイ ド状量子ドット材料、 合金型量子ドット 材料、 コア · シヱル型量子ドット材料、 コア型量子ドット材料などを用いることがで きる。
[ 0 2 0 6 ]
以下では、 図 8〜図 1 0及び図 2 2を用いて、 本発明の 態様の表示装置の、 より詳細な構成につ いて説明する。
[ 0 2 0 7 ] \¥0 2020/174305 卩（：1' 2020/051228
[表示装置の画素のレイアウト]
図 2 2八〜図 2 2 0に、 表示装置の画素のレイアウトの一例を示す。 なお、 画素のレイアウト、 サ イズ、 形状などはこれらに限定されない。
[ 0 2 0 8 ]
図 2 2八〜図 2 2 0では、 尺 （赤） 、 〇 （緑） 、 8 （青） の 3色の副画素で 1つの色を表現する表 示装置を例に挙げて説明する。 本発明の一態様の表示装置において、 色要素の種類及び数に限定は なく、 以外の色 （例えば、 ホワイ ト、 イェロー、 シアン、 またはマゼンタ等） を用いてもよ い。 また、 図 2 2八〜図 2 2 0では、 各副画素の発光領域を点線で示す。
[ 0 2 0 9 ]
図 2 2八に示す画素 5 1、 図 2 2 8に示す画素 5 2、 及び図 2 2（3に示す画素 5 3は、 いずれも、 緑色の副画素の発光領域の面積が、 赤色の副画素の発光領域の面積よりも大きい 。
[ 0 2 1 0 ]
画素 5 1は、 青色の副画素の発光領域の面積が、 緑色の副画素の発光領域の面積よりも小さく 、 か つ、 赤色の副画素の発光領域の面積よりも大きい 例である。
[ 0 2 1 1 ]
画素 5 2は、 青色の副画素の発光領域の面積が、 緑色の副画素の発光領域の面積と同じであり 、 か つ、 赤色の副画素の発光領域の面積よりも大きい 例である。
[ 0 2 1 2 ]
画素 5 3は、 青色の副画素の発光領域の面積が、 緑色の副画素の発光領域の面積よりも小さく 、 か つ、 赤色の副画素の発光領域の面積と同じである 例である。
[ 0 2 1 3 ]
例えば、 緑色の副画素と赤色の副画素には、 燐光を発する発光デバイスを用い、 青色の副画素には、 蛍光を発する発光デバイスを用いることが好 ましい。
[ 0 2 1 4 ]
ここで、 燐光を発する発光デバイスでは、 短波長の光を発する発光デバイスほど、 発光物質及びホ スト材料の三重項励起ェネルギーが高く、 吸収端が短波長になる。 そのため、 例えば、 緑色の光を 呈する発光デバイスと赤色の光を呈する発光 デバイスが燐光を発する場合、 緑色の光を呈する発光 デバイスの方が、 赤色の光を呈する発光デバイスよりも信頼性 が低くなる傾向がある。 したがって、 上面視において、 緑色の光を呈する発光デバイスの発光領域の 面積は、 赤色の光を呈する発光デバ イスの発光領域の面積よりも大きいことが好 ましい。 なお、 同じ色の副画素が、 1つの画素に複数 設けられていてもよい。 この場合、 赤色の副画素の発光領域の面積の和に比べて 、 緑色の副画素の 発光領域の面積の和が大きいことが好ましい 。 つまり、 1つの画素において、 緑色の光を呈する発 光デバイスの発光領域の面積の和が、 赤色の光を呈する発光デバイスの発光領域の 面積の和よりも 大きいことが好ましい。 なお、 発光領域の面積は、 開口率と読み替えてもよい。
[ 0 2 1 5 ]
青色の光を呈する発光デバイスは、 蛍光を発し、 かつ、 上述の尺 6 丁 I構造が適用されているこ とが好ましい。 これにより、 青色の光を呈する発光デバイスの初期劣化を 抑制し、 駆動寿命を非常 に長くすることができる。 このとき、 上面視において、 青色の光を呈する発光デバイスの発光領域 の面積は、 赤色の光を呈する発光デバイスの発光領域の 面積以上、 かつ、 緑色の光を呈する発光デ バイスの発光領域の面積以下であることが好 ましい。 また、 青色の副画素の発光領域の面積の和は、 \¥0 2020/174305 ?€1/162020/051228 赤色の副画素の発光領域の面積の和以上、 かつ、 緑色の副画素の発光領域の面積の和以下が好 まし い。 例えば、 1つの画素において、 青色の光を呈する発光デバイスの発光領域の 面積の和が、 赤色 の光を呈する発光デバイスの発光領域の面積 の和以上であり、 緑色の光を呈する発光デバイスの発 光領域の面積の和以下であることが好ましい 。
[ 0 2 1 6 ]
本実施の形態の表示装置が有する発光デバ イスは、 受光デバイスとしての機能を有していてもよ い。 または、 本実施の形態の表示装置は、 さらに、 受光デバイスを有する副画素を有していても よい。
[ 0 2 1 7 ]
図 2 2 0に示す画素 5 4は、 受光デバイスを有する副画素 〇を有する。
[ 0 2 1 8 ]
発光デバイスとして有機 £乙デバイスを用い、 受光デバイスとして有機フォ トダイオードを用いる ことが好ましい。 有機 £乙デバイス及び有機フォトダイオードは、 同一基板上に形成することがで きる。 したがって、 有機 £乙デバイスを用いた表示装置に有機フォト イオードを内蔵することが できる。
[ 0 2 1 9 ]
有機フォトダイオードは、 有機 £乙デバイスと共通の構成にできる層 （例えば、 正孔輸送層、 電子 輸送層など） が多いため、 共通の構成にできる層は一括で成膜すること で、 成膜工程の増加を抑制 することができる。 また、 成膜回数が同じであっても、 一部のデバイスにのみ成膜される層を減ら すことで、 成膜パターンのズレの影響を低減すること、 成膜マスク （メタルマスクなど） に付着し たゴミ （パーティクルと呼ばれる小さな異物を含む ） の影響を低減すること、 などが可能となる。 これにより、 表示装置の作製の歩留まりを高めることがで きる。 なお、 受光デバイスと発光デバイ スが共通で有する層は、 発光デバイスにおける機能と受光デバイスに おける機能とが異なる場合が ある。
[ 0 2 2 0 ]
受光デバイスをイメージセンサに用いる場 合、 本実施の形態の表示装置は、 受光デバイスを用いて、 画像を撮像することができる。
[ 0 2 2 1 ]
例えば、 表示部全体に受光デバイスを設けることで、 表示部全体を用いた撮像を行い、 表示装置を スキャナ （カラースキャナ） として用いることができる。
[ 0 2 2 2 ]
例えば、 イメージセンサを用いて、 指紋、 掌紋、 または虹彩などのデータを取得することがで きる。 つまり、 本実施の形態の表示装置に、 生体認証用センサを内蔵させることができる 。 表示装置が生 体認証用センサを内蔵することで、 表示装置とは別に生体認証用センサを設ける 場合に比べて、 電 子機器の部品点数を少なくでき、 電子機器の小型化及び軽量化が可能である。 例えば、 表示部全体 に受光デバイスを設けることで、 認証に用いる領域を広くでき、 複数の指のデータを一度に取得す るなど、 セキュリティレベルの強化、 利便性の向上等を図ることができる。
[ 0 2 2 3 ]
また、 イメージセンサを用いて、 ユーザーの表情、 目の動き、 または瞳孔径の変化などのデータを 取得することができる。 当該データを解析することで、 ユーザーの心身の情報を取得することがで きる。 当該情報をもとに表示及び音声の一方又は双 方の出力内容を変化させることで、 例えば、 V R (V i r t u a l Re a l i t y) 向け機器、 A R (Au gme n t e d R e a 1 i t y ) 向け機器、 または MR (M i x e d Re a l i t y) 向け機器において、 ユーザーが機器を安全 に使用できるよう図ることができる。
[0224]
また、 受光デバイスをタッチセンサに用いる場合、 本実施の形態の表示装置は、 受光デバイスを用 いて、 対象物の近接または接触を検出することがで きる。
[0225]
[表示装置 1 00 A]
図 8に、 表示装置 1 00 Aの斜視図を示し、 図 9 Aに、 表示装置 1 00 Aの断面図を示す。
[0226]
表示装置 1 00 Aは、 基板 1 52と基板 1 5 1 とが貼り合わされた構成を有する。 図 8では、 基板 1 52を破線で明示している。
[0227]
表示装置 1 00 Aは、 表示部 1 6 2、 回路 1 64、 配線 1 6 5等を有する。 図 8では表示装置 1 0 0Aに 1 C (集積回路) 1 73及び F P C 1 72が実装されている例を示している。 そのため、 図 8に示す構成は、 表示装置 1 00 A、 1 C、 及び F P Cを有する表示モジュールということもでき る。
[0228]
回路 1 64としては、 例えば走査線駆動回路を用いることができる 。
[0229]
配線 1 6 5は、 表示部 1 6 2及び回路 1 64に信号及び電力を供給する機能を有する。 当該信号及 び電力は、 F PC 1 72を介して外部から、 または I C 1 73から配線 1 6 5に入力される。
[0230]
図 8では、 COG (Ch i p On G l a s s) 方式または CO F (Ch i p o n F i l m) 方式等により、 例えば走査線 駆動回路または信号線駆動回路などを有する I Cを適用できる。 なお、 表示装置 1 00 A及び表示 モジュールは、 I Cを設けない構成としてもよい。 また、 I Cを、 COF方式等により、 FPCに 実装してもよい。
[023 1 ]
図 9 Aに、 表示装置 1 00 Aの、 F P C 1 7 2を含む領域の一部、 回路 1 64の一部、 表示部 1 6 2の一部、 及び、 端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したと きの断面の一例を示す。
[0232]
図 9 Aに示す表示装置 1 00 Aは、 基板 1 5 1 と基板 1 52の間に、 トランジスタ 20 1、 トラン ジスタ 20 5、 発光デバイス 1 90 R、 発光デバイス 1 90 G、 及び発光デバイス 1 90 B等を有 する。
[0233]
保護層 1 9 5と基板 1 52は接着層 1 42を介して接着されている。 発光デバイス 1 90の封止に は、 固体封止構造または中空封止構造などが適用 できる。 図 9 Aでは、 基板 1 52、 接着層 1 42、 及び基板 1 5 1に囲まれた空間 1 4 3が、 不活性ガス (窒素やアルゴンなど) で充填されており、 中空封止構造が適用されている。 接着層 1 4 2は、 発光デバイス 1 90と重ねて設けられていても \¥02020/174305 ?€1/162020/051228 よい。 また、 基板 1 52、 接着層 1 42、 及び基板 1 5 1に囲まれた空間 1 43を、 接着層 1 42 とは異なる樹脂で充填してもよい。
[0234]
発光デバイス 1 90尺は、 絶縁層 2 1 4側から画素電極 1 9 1、 光学調整層 1 99尺、 共通層 1 1 2、 発光層 1 93尺、 共通層 1 1 4、 及び共通電極 1 1 5の順に積層された積層構造を有する。 同 様に、 発光デバイス 1 90〇は、 絶縁層 2 1 4側から画素電極 1 9 1、 光学調整層 1 990、 共通 層 1 1 2、 発光層 1 930, 共通層 1 1 4、 及び共通電極 1 1 5の順に積層された積層構造を有す る。 そして、 発光デバイス 1 908は、 絶縁層 2 1 4側から画素電極 1 9 1、 光学調整層 1 9 98、 共通層 1 1 2、 発光層 1 9 38、 共通層 1 1 4、 及び共通電極 1 1 5の順に積層された積層構造を 有する。
[0235]
画素電極 1 9 1は、 絶縁層 2 1 4に設けられた開口を介して、 トランジスタ 205が有する導電層 222 bと接続されている。
[0236]
画素電極 1 9 1の端部は、 隔壁 2 1 6によって覆われている。 画素電極 1 9 1は可視光を反射する 材料を含み、 共通電極 1 1 5は可視光を透過する材料を含む。
[0237]
発光デバイス 1 90が発する光は、 基板 1 5 2側に射出される。 基板 1 52には、 可視光に対する 透過性が高い材料を用いることが好ましい。
[0238]
トランジスタ 20 1及びトランジスタ 205は、 いずれも基板 1 5 1上に形成されている。 これら のトランジスタは、 同一の材料及び同一の工程により作製するこ とができる。
[0239]
基板 1 5 1上には、 絶縁層 2 1 1、 絶縁層 2 1 3、 絶縁層 2 1 5、 及び絶縁層 2 1 4がこの順で設 けられている。 絶縁層 2 1 1は、 その一部が各トランジスタのゲート絶縁層と して機能する。 絶縁 層 2 1 3は、 その一部が各トランジスタのゲート絶縁層と して機能する。 絶縁層 2 1 5は、 トラン ジスタを覆って設けられる。 絶縁層 2 1 4は、 トランジスタを覆って設けられ、 平坦化層としての 機能を有する。 なお、 ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶 縁層の数は限定されず、 それぞ れ単層であっても 2層以上であってもよい。
[0240]
トランジスタを覆う絶縁層の少なく とも一層に、 水や水素などの不純物が拡散しにくい材料を 用い ることが好ましい。 これにより、 絶縁層をバリア層として機能させることがで きる。 このような構 成とすることで、 トランジスタに外部から不純物が拡散するこ とを効果的に抑制でき、 表示装置の 信頼性を高めることができる。
[024 1]
絶縁層 2 1 1、 絶縁層 2 1 3、 及び絶縁層 2 1 5としては、 それぞれ、 無機絶縁膜を用いることが 好ましい。 無機絶縁膜としては、 例えば、 窒化シリコン膜、 酸化窒化シリコン膜、 酸化シリコン膜、 窒化酸化シリコン膜、 酸化アルミニウム膜、 窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用い ることが できる。 また、 酸化ハフニウム膜、 酸化イッ トリウム膜、 酸化ジルコニウム膜、 酸化ガリウム膜、 酸化タンタル膜、 酸化マグネシウム膜、 酸化ランタン膜、 酸化セリウム膜、 及び酸化ネオジム膜等 \¥0 2020/174305 卩（：1' 2020/051228 を用いてもよい。 また、 上述の絶縁膜を 2以上積層して用いてもよい。
[ 0 2 4 2 ]
ここで、 有機絶縁膜は、 無機絶縁膜に比べてバリア性が低いことが多 い。 そのため、 有機絶縁膜は、 表示装置 1 0 0八の端部近傍に開口を有することが好まし 。 これにより、 表示装置 1 0 0八の端 部から有機絶縁膜を介して不純物が入り込む ことを抑制することができる。 または、 有機絶縁膜の 端部が表示装置 1 0 0八の端部よりも内側にくるように有機絶縁 を形成し、 表示装置 1 0 0八の 端部に有機絶縁膜が露出しないようにしても よい。
[ 0 2 4 3 ]
平坦化層として機能する絶縁層 2 1 4には、 有機絶縁膜が好適である。 有機絶縁膜に用いることが できる材料としては、 アクリル樹脂、 ポリイミ ド樹脂、 エポキシ樹脂、 ポリアミ ド樹脂、 ポリイミ ドアミ ド樹脂、 シロキサン樹脂、 ベンゾシクロブテン系樹脂、 フエノール樹脂、 及びこれら樹脂の 前駆体等が挙げられる。
[ 0 2 4 4 ]
図 9八に示す領域 2 2 8では、 絶縁層 2 1 4に開口が形成されている。 これにより、 絶縁層 2 1 4 に有機絶縁膜を用いる場合であっても、 絶縁層 2 1 4を介して外部から表示部 1 6 2に不純物が入 り込むことを抑制できる。 したがって、 表示装置 1 0 0八の信頼性を高めることができる。
[ 0 2 4 5 ]
トランジスタ 2 0 1及びトランジスタ 2 0 5は、 ゲートとして機能する導電層 2 2 1、 ゲート絶縁 層として機能する絶縁層 2 1 1、 ソース及びドレインとして機能する導電層 2 2 2 &及び導電層 2 2 2 13、 半導体層 2 3 1、 ゲート絶縁層として機能する絶縁層 2 1 3、 並びに、 ゲートとして機能 する導電層 2 2 3を有する。 ここでは、 同一の導電膜を加工して得られる複数の層に 、 同じハッチ ングパターンを付している。 絶縁層 2 1 1は、 導電層 2 2 1と半導体層 2 3 1との間に位置する。 絶縁層 2 1 3は、 導電層 2 2 3と半導体層 2 3 1との間に位置する。
[ 0 2 4 6 ]
本実施の形態の発光装置が有するトランジ スタの構造は特に限定されない。 例えば、 プレーナ型の トランジスタ、 スタガ型のトランジスタ、 逆スタガ型のトランジスタ等を用いることが できる。 ま た、 トップゲート型またはボトムゲート型のいず れのトランジスタ構造としてもよい。 または、 チ ャネルが形成される半導体層の上下にゲート が設けられていてもよい。
[ 0 2 4 7 ]
トランジスタ 2 0 1及びトランジスタ 2 0 5には、 チャネルが形成される半導体層を 2つのゲート で挟持する構成が適用されている。 2つのゲートを接続し、 これらに同一の信号を供給することに より トランジスタを駆動してもよい。 または、 2つのゲートのうち、 一方に閾値電圧を制御するた めの電位を与え、 他方に駆動のための電位を与えることで、 トランジスタの閾値電圧を制御しても よい。
[ 0 2 4 8 ]
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性 についても特に限定されず、 非晶質半導体、 結晶性を有 する半導体 （微結晶半導体、 多結晶半導体、 単結晶半導体、 または一部に結晶領域を有する半導体） のいずれを用いてもよい。 結晶性を有する半導体を用いると、 トランジスタ特性の劣化を抑制でき るため好ましい。
[ 0 2 4 9 ] \¥02020/174305 卩（：1' 2020/051228 トランジスタの半導体層は、 金属酸化物 （酸化物半導体ともいう） を有することが好ましい。 また は、 トランジスタの半導体層は、 シリコンを有していてもよい。 シリコンとしては、 アモルファス シリコン、 結晶性のシリコン （低温ポリシリコン、 単結晶シリコンなど） などが挙げられる。
[0250]
半導体層は、 例えば、 インジウムと、 IV! は、 ガリウム、 アルミニウム、 シリコン、 ホウ素、 イ ットリウム、 スズ、 銅、 バナジウム、 ベリ リウム、 チタン、 鉄、 ニッケル、 ゲルマニウム、 ジルコ ニウム、 モリブデン、 ランタン、 セリウム、 ネオジム、 ハフニウム、 タンタル、 タングステン、 及 びマグネシウムから選ばれた一種または複数 種） と、 亜鉛と、 を有することが好ましい。 特に、 N4 は、 アルミニウム、 ガリウム、 イッ トリウム、 及びスズから選ばれた一種または複数種であ ること が好ましい。
[025 1 ]
特に、 半導体層として、 インジウム （ 1 11） 、 ガリウム 、 及び亜鉛 （å 11） を含む酸化物 （ 10å0とも記す） を用いることが好ましい。
[0252]
半導体層が I 11— N4— å 11酸化物の場合、 当該 I 11—N4— å 11酸化物における I 11の原子数比は N4 の原子数比以上であることが好ましい。 このような I 11— IV!— å 11酸化物の金属元素の原子数比と して、 またはその近傍の組成、 2また はその近傍の組成、 またはその近傍の組成、 I 11 : IV! : å n = 3 :
1 : 2またはその近傍の組成、 1 11 : 1^ : 211 = 4 : 2 : 3またはその近傍の組成、 I 11 : IV! : å 11 = 4 : 2 : 4. 1またはその近傍の組成、 1 : 3またはその近傍の組成、 またはその近傍 の組成、 またはその近傍の組成、 または その近傍の組成、 I n : M : Zn= 5 : 2 : 5またはその近傍の組成、 等が挙げられる。 なお、 近 傍の組成とは、 所望の原子数比の ± 30%の範囲を含む。
[0253]
例えば、 原子数比が I 11 : 03 : 211 = 4 : 2 : 3またはその近傍の組成と記載する場合、 I 11の 原子数比を 4としたとき、 〇 3の原子数比が 1以上 3以下であり、 å 11の原子数比が 2以上 4以下 である場合を含む。 また、 原子数比が I 11 : 〇 3 : 211 = 5 : 1 : 6またはその近傍の組成と記載 する場合、 I 11の原子数比を 5としたときに、 〇 &の原子数比が〇. 1より大きく 2以下であり、 å 11の原子数比が 5以上 7以下である場合を含む。 また、 原子数比が I 11 : 03 : 211= 1 : 1 :
1またはその近傍の組成と記載する場合、 I 11の原子数比を 1 としたときに、 の原子数比が〇. 1より大きく 2以下であり、 å 11の原子数比が〇. 1より大きく 2以下である場合を含む。
[0254]
回路 1 64が有する トランジスタと、 表示部 1 6 2が有する トランジスタは、 同じ構造であっても よく、 異なる構造であってもよい。 回路 1 64が有する複数のトランジスタの構造は、 全て同じで あってもよく、 2種類以上あってもよい。 同様に、 表示部 1 6 2が有する複数のトランジスタの構 造は、 全て同じであってもよく、 2種類以上あってもよい。
[0255]
基板 1 5 1の、 基板 1 52が重ならない領域には、 接続部 204が設けられている。 接続部 204 では、 配線 1 6 5が導電層 1 6 6及び接続層 242を介して FPC 1 72と電気的に接続されてい \¥02020/174305 ?€1/162020/051228 る。 導電層 1 6 6は、 画素電極 1 9 1 と同一の導電膜を加工して得られた導電膜と 、 光学調整層と 同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、 の積層構造である例を示す。 接続部 204の上面では、 導電層 1 6 6が露出している。 これにより、 接続部 204と FPC 1 72とを接続層 242を介し て電気的に接続することができる。
[0256]
基板 1 52の基板 1 5 1側の面には、 遮光層 を設けることが好ましい。 また、 基板 1 52の外 側には各種光学部材を配置することができる 。 光学部材としては、 偏光板、 位相差板、 光拡散層 （拡散フィルムなど） 、 反射防止層、 及び集光フィルム等が挙げられる。 また、 基板 1 52の外側 には、 ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、 汚れを付着しにく くする撥水性の膜、 使用に伴う傷の発 生を抑制するハードコート膜、 衝撃吸収層等を配置してもよい。
[0257]
発光デバイス 1 90を覆う保護層 1 95を設けることで、 発光デバイス 1 90に水などの不純物が 入り込むことを抑制し、 発光デバイス 1 90の信頼性を高めることができる。
[0258]
表示装置 1 00八の端部近傍の領域 228において、 絶縁層 2 1 4の開口を介して、 絶縁層 2 1 5 と保護層 1 95とが互いに接することが好ましい。 特に、 絶縁層 2 1 5が有する無機絶縁膜と保護 層 1 95が有する無機絶縁膜とが互いに接すること 好ましい。 これにより、 有機絶縁膜を介して 外部から表示部 1 6 2に不純物が入り込むことを抑制することが きる。 したがって、 表示装置 1 00八の信頼性を高めることができる。
[0259]
図 98に、 保護層 1 95が 3層構造である例を示す。 図 98において、 保護層 1 9 5は、 共通電極 1 1 5上の無機絶縁層 1 9 53と、 無機絶縁層 1 9 53上の有機絶縁層 1 9 513と、 有機絶縁層 1 9513上の無機絶縁層 1 95 〇と、 を有する。
[0260]
無機絶縁層 1 953の端部と無機絶縁層 1 9 5 〇の端部は、 有機絶縁層 1 9 5 bの端部よりも外側 に延在し、 互いに接している。 そして、 無機絶縁層 1 953は、 絶縁層 2 1 4 （有機絶縁層） の開 口を介して、 絶縁層 2 1 5 （無機絶縁層） と接する。 これにより、 絶縁層 2 1 5と保護層 1 9 5と で、 発光デバイス 1 90を囲うことができるため、 発光デバイス 1 90の信頼性を高めることがで さる。
[026 1 ]
このように、 保護層 1 95は、 有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造であっ てもよい。 このとき、 有機絶縁膜の端部よりも無機絶縁膜の端部を 外側に延在させることが好ましい。
[0262]
基板 1 5 1及び基板 1 52には、 それぞれ、 ガラス、 石英、 セラミック、 サファイア、 樹脂などを 用いることができる。 基板 1 5 1及び基板 1 52に可撓性を有する材料を用いると、 表示装置の可 撓十生を高めることができる。
[026 3]
接着層としては、 紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、 反応硬化型接着剤、 熱硬化型接着剤、 嫌気型 接着剤などの各種硬化型接着剤を用いること ができる。 これら接着剤としてはエポキシ樹脂、 アク リル樹脂、 シリコーン樹脂、 フエノール樹脂、 ポリイミ ド樹脂、 イミ ド樹脂、 〇 （ポリビニル \¥02020/174305 ?€1/162020/051228 クロライ ド） 樹脂、 （ポリビニルプチラル） 樹脂、 （エチレンビニルアセテート） 樹 脂等が挙げられる。 特に、 エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好まし い。 また、 二液混合型の樹 脂を用いてもよい。 また、 接着シート等を用いてもよい。
[ 0 2 6 4 ]
接続層 2 4 2としては、 異方性導電フィルム （八匚 F : An i s o t r o p i c
異方性導電ペースト
どを用いることができる。
[ 0 2 6 5 ]
発光デバイス 1 9 0は、 トップエミッション型、 ボトムエミッション型、 デュアルエミッション型 などがある。 光を取り出す側の電極には、 可視光を透過する導電膜を用いる。 また、 光を取り出さ ない側の電極には、 可視光を反射する導電膜を用いることが好ま しい。
[0266]
発光デバイス 1 9 0は少なくとも発光層 1 9 3を有する。 発光デバイス 1 9 0は、 発光層 1 9 3以 外の層として、 正孔注入性の高い物質、 正孔輸送性の高い物質、 正孔ブロック材料、 電子輸送性の 高い物質、 電子注入性の高い物質、 またはバイポーラ性の物質 （電子輸送性及び正孔輸送性が高い 物質） 等を含む層をさらに有していてもよい。 例えば、 共通層 1 1 2は、 正孔注入層及び正孔輸送 層の一方又は双方を有することが好ましい。 例えば、 共通層 1 1 4は、 電子輸送層及び電子注入層 の一方または双方を有することが好ましい。
[ 0 2 6 7 ]
発光デバイス 1 9 0の好ましい構成は、 上述の通りである （図 4〜図 7） 。
[0268]
共通層 1 1 2、 発光層 1 9 3、 及び共通層 1 1 4には低分子系化合物及び高分子系化合物の ずれ を用いることもでき、 無機化合物を含んでいてもよい。 共通層 1 1 2、 発光層 1 9 3、 及び共通層 1 1 4を構成する層は、 それぞれ、 蒸着法 （真空蒸着法を含む） 、 転写法、 印刷法、 インクジ ッ 卜法、 塗布法等の方法で形成することができる。
[ 0 2 6 9 ]
発光層 1 9 3は、 発光物質を含む層である。 発光層 1 9 3は、 1種または複数種の発光物質を有す ることができる。 発光物質としては、 青色、 紫色、 青紫色、 緑色、 黄緑色、 黄色、 橙色、 赤色など の発光色を呈する物質を適宜用いる。
[ 0 2 7 0 ]
トランジスタのゲート、 ソース及びドレインのほか、 表示装置を構成する各種配線及び電極などの 導電層に用いることのできる材料としては、 アルミニウム、 チタン、 クロム、 ニッケル、 銅、 イッ トリウム、 ジルコニウム、 モリブデン、 銀、 タンタル、 及びタングステンなどの金属、 並びに、 当 該金属を主成分とする合金などが挙げられる 。 これらの材料を含む膜を単層で、 または積層構造と して用いることができる。
[ 0 2 7 1 ]
また、 透光性を有する導電材料としては、 酸化インジウム、 インジウム錫酸化物、 インジウム亜鉛 酸化物、 酸化亜鉛、 ガリウムを含む酸化亜鉛などの導電性酸化物 またはグラフエンを用いることが できる。 または、 金、 銀、 白金、 マグネシウム、 ニッケル、 タングステン、 クロム、 モリブデン、 鉄、 コバルト、 銅、 パラジウム、 及びチタンなどの金属材料や、 該金属材料を含む合金材料を用い \¥02020/174305 卩（：1' 2020/051228 ることができる。 または、 該金属材料の窒化物 （例えば、 窒化チタン） などを用いてもよい。 なお、 金属材料、 合金材料 （またはそれらの窒化物） を用いる場合には、 透光性を有する程度に薄くする ことが好ましい。 また、 上記材料の積層膜を導電層として用いること ができる。 例えば、 銀とマグ ネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積 層膜などを用いると、 導電性を高めることができるた め好ましい。 これらは、 表示装置を構成する各種配線及び電極などの 導電層や、 発光デバイスが有 する導電層 （画素電極や共通電極として機能する導電層 ） にも用いることができる。
[0272]
各絶縁層に用いることのできる絶縁材料と しては、 例えば、 アクリル樹脂、 エポキシ樹脂などの樹 脂、 酸化シリコン、 酸化窒化シリコン、 窒化酸化シリコン、 窒化シリコン、 酸化アルミニウムなど の無機絶縁材料が挙げられる。
[0273]
[表示装置 1003]
図 1 0八に、 表示装置 1 008の断面図を示す。 表示装置 1 008の斜視図は表示装置 1 00八 （図 8） と同様である。 図 10八には、 表示装置 1 008の、 F 01 72を含む領域の一部、 回 路 1 64の一部、 及び、 表示部 1 62の一部をそれぞれ切断したときの断面の一 を示す。 図 10 八では、 表示部 1 62のうち、 特に、 緑色の光を発する発光デバイス 1 90〇と青色の光を発する 発光デバイス 1903を含む領域を切断したときの断面の一例 示す。
[0274]
図 1 0八に示す表示装置 1 008は、 基板 1 53と基板 1 54の間に、 トランジスタ 202、 トラ ンジスタ 210、 発光デバイス 1 900、 及び発光デバイス 1 908等を有する。
[0275]
基板 1 54と保護層 1 95とは接着層 142を介して接着されている。 接着層 142は、 発光デバ イス 1 9〇〇及び発光デバイス 1 908それぞれと重ねて設けられており、 表示装置 1008には、 固体封止構造が適用されている。
[0276]
基板 153と絶縁層 21 2とは接着層 155によって貼り合わされている。
[0277]
表示装置 1 003の作製方法としては、 まず、 絶縁層 21 2、 各トランジスタ、 各発光デバイス等 が設けられた作製基板と、 遮光層 が設けられた基板 1 54と、 を接着層 142によって貼り合 わせる。 そして、 作製基板を剥離し露出した面に基板 1 53を貼ることで、 作製基板上に形成した 各構成要素を、 基板 1 53に転置する。 基板 1 53及び基板 1 54は、 それぞれ、 可撓性を有する ことが好ましい。 これにより、 表示装置 1003の可撓十生を高めることができる。
[0278]
絶縁層 21 2には、 それぞれ、 絶縁層 21 1、 絶縁層 21 3、 及び絶縁層 2 1 5に用いることがで きる無機絶縁膜を用いることができる。
[0279]
発光デバイス 1 90〇は、 絶縁層 2 14側から画素電極 1 9 1、 共通層 1 1 2、 発光層 1 930、 共通層 1 14、 及び共通電極 1 1 5の順に積層された積層構造を有する。 同様に、 発光デバイス 1 908は、 絶縁層 2 14側から画素電極 1 9 1、 共通層 1 1 2、 発光層 1 938、 共通層 1 14、 及び共通電極 1 1 5の順に積層された積層構造を有する。 \¥02020/174305 ?€1/162020/051228
[0280]
画素電極 1 9 1は、 絶縁層 2 1 4に設けられた開口を介して、 トランジスタ 2 1 0が有する導電層 2 2 2 13と接続されている。 導電層 2 2 2 13は、 絶縁層 2 1 5及び絶縁層 2 2 5に設けられた開口 を介して、 低抵抗領域 2 3 1 11と接続される。 トランジスタ 2 1 0は、 発光デバイス 1 9 0の駆動 を制御する機能を有する。
[0281 ]
画素電極 1 9 1の端部は、 隔壁 2 1 6によって覆われている。 画素電極 1 9 1は可視光を反射する 材料を含み、 共通電極 1 1 5は可視光を透過する材料を含む。
[ 0 2 8 2]
発光デバイス 1 9〇〇及び発光デバイス 1 9 0 3が発する光は、 基板 1 5 4側に射出される。 基板 1 5 4には、 可視光に対する透過性が高い材料を用いるこ とが好ましい。
[ 0 2 8 3 ]
各発光デバイスが有する画素電極 1 9 1は同一の材料及び同一の工程で作製するこ ができる。 共 通層 1 1 2、 共通層 1 1 4、 及び共通電極 1 1 5は、 発光デバイス 1 9 0〇と発光デバイス 1 9 0 3とに共通して用いられる。 各色の発光デバイスは、 発光層 1 9 3の構成が異なる以外は全て共通 の構成とすることができる。
[ 0 2 8 4 ]
基板 1 5 3の、 基板 1 5 4が重ならない領域には、 接続部 2 0 4が設けられている。 接続部 2 0 4 では、 配線 1 6 5が導電層 1 6 6及び接続層 2 4 2を介して FPC1 7 2と電気的に接続されてい る。 導電層 1 6 6は、 画素電極 1 9 1 と同一の導電膜を加工して得ることができる 。 これにより、 接続部 2 0 4と FPC1 7 2とを接続層 2 4 2を介して電気的に接続することができる。
[ 0 2 8 5 ]
トランジスタ 2 0 2及びトランジスタ 2 1 0は、 ゲートとして機能する導電層 2 2 1、 ゲート絶縁 層として機能する絶縁層 2 1 1、 チャネル形成領域 2 3 1 1及び一対の低抵抗領域 2 3 1 11を有す る半導体層、 一対の低抵抗領域 2 3 1 11の一方と接続する導電層 2 2 2 3 , 一対の低抵抗領域 2 3 1 11の他方と接続する導電層 2 2 2 13、 ゲート絶縁層として機能する絶縁層 2 2 5、 ゲートとして 機能する導電層 2 2 3、 並びに、 導電層 2 2 3を覆う絶縁層 2 1 5を有する。 絶縁層 2 1 1は、 導 電層 2 2 1 とチャネル形成領域 2 3 1 1 との間に位置する。 絶縁層 2 2 5は、 導電層 2 2 3とチャ ネル形成領域 2 3 1 1 との間に位置する。
[0286]
導電層 2 2 2 3及び導電層 2 2 2 13は、 それぞれ、 絶縁層 2 1 5に設けられた開口を介して低抵抗 領域 2 3 1 11と接続される。 導電層 2 2 2 &及び導電層 2 2 2 13のうち、 一方はソースとして機能 し、 他方はドレインとして機能する。
[ 0 2 8 7 ]
図 1 〇八では、 絶縁層 2 2 5が半導体層の上面及び側面を覆う例を示す 導電層 2 2 2 3及び導電 層 2 2 2 13は、 それぞれ、 絶縁層 2 2 5及び絶縁層 2 1 5に設けられた開口を介して低抵抗領域 2 3 1 11と接続される。
[0288]
一方、 図 1 0 3では、 絶縁層 2 2 5は、 半導体層 2 3 1のチャネル形成領域 2 3 1 1 と重なり、 低 抵抗領域 2 3 1 11とは重ならない。 例えば、 導電層 2 2 3をマスクに絶縁層 2 2 5をカロエすること で、 図 10 Bに示す構造を作製できる。 図 1 OBでは、 絶縁層 225及び導電層 223を覆って絶 縁層 21 5が設けられ、 絶縁層 21 5の開口を介して、 導電層 222 a及び導電層 222 bがそれ ぞれ低抵抗領域 23 1 nと接続されている。 さらに、 トランジスタを覆う絶縁層 2 18を設けても よい。
[0289]
[金属酸化物]
以下では、 半導体層に適用可能な金属酸化物について説 明する。
[0290]
なお、 本明細書等において、 窒素を有する金属酉爱化物も金属酉爱化物 (me t a l o x i d e) と 総称する場合がある。 また、 窒素を有する金属酉爱化物を、 金属酸窒化物 (me t a l o x y n i t r i d e ) と呼称してもよい。 例えば、 亜鉛酸窒化物 (Z nON) などの窒素を有する金属酸化 物を、 半導体層に用いてもよい。
[0291 ]
なお、 本明細書等において、 CAAC (c— a x i s a l i g n e d c r y s t a l ) 、 及び C A C (C l o u d— A l i g n e d C omp o s i t e) と記載する場合がある。 CAACは 結晶構造の一例を表し、 C ACは機能または材料の構成の一例を表す。
[0292]
例えば、 半導体層には CAC (C l o u d— A l i g n e d C omp o s i t e) — OS (Ox i d e S em i c o n d u c t o r) を用いることができる。
[0293]
CAC— OSまたは CAC— me t a 1 o x i d eとは、 材料の一部では導電性の機能と、 材料 の一部では絶縁性の機能とを有し、 材料の全体では半導体としての機能を有する 。 なお、 CAC— 〇 Sまたは C AC— m e t a 1 o x i d eを、 トランジスタの半導体層に用いる場合、 導電性の 機能は、 キャリアとなる電子 (またはホール) を流す機能であり、 絶縁性の機能は、 キャリアとな る電子を流さない機能である。 導電性の機能と、 絶縁性の機能とを、 それぞれ相補的に作用させる ことで、 スイッチングさせる機能 (On/O f f させる機能) を CAC— OSまたは CAC— me t a 1 o x i d eに付与することができる。 CAC— OSまたは CAC— me t a l o x i d eにおいて、 それぞれの機能を分離させることで、 双方の機能を最大限に高めることができる。
[0294]
また、 CAC— OSまたは CAC— me t a 1 〇 x i d eは、 導電性領域、 及び絶縁性領域を有 する。 導電性領域は、 上述の導電性の機能を有し、 絶縁性領域は、 上述の絶縁性の機能を有する。 また、 材料中において、 導電性領域と、 絶縁性領域とは、 ナノ粒子レベルで分離している場合があ る。 また、 導電性領域と、 絶縁性領域とは、 それぞれ材料中に偏在する場合がある。 また、 導電性 領域は、 周辺がぼけてクラウド状に連結して観察され る場合がある。
[0295]
また、 C AC—〇 Sまたは C AC— m e t a 1 o x i d eにおいて、 導電性領域と、 絶縁性領域 とは、 それぞれ 0. 5 n m以上 10 n m以下、 好ましくは 0. 5 n m以上 3 n m以下のサイズで材 料中に分散している場合がある。
[0296]
また、 CAC— OSまたは CAC— me t a 1 o x i d eは、 異なるバンドギャップを有する成 分により構成される。 例えば、 CAC— OSまたは CAC— me t a l o x i d eは、 絶縁性領 域に起因するワイ ドギャップを有する成分と、 導電性領域に起因するナローギャップを有す る成分 と、 により構成される。 当該構成の場合、 キャリアを流す際に、 ナローギャップを有する成分にお いて、 主にキャリアが流れる。 また、 ナローギャップを有する成分が、 ワイ ドギャップを有する成 分に相補的に作用し、 ナローギャップを有する成分に連動してワイ ドギャップを有する成分にもキ ャリアが流れる。 このため、 上記 CAC— OSまたは CAC— me t a 1 〇 x i d eをトランジ スタのチャネル形成領域に用いる場合、 トランジスタのオン状態において高い電流駆 動力、 つまり 大きなオン電流、 及び高い電界効果移動度を得ることができる 。
[0297]
すなわち、 CAC— OSまたは CAC— me t a 1 o x i d eは、 マトリックス複合材 （ma t r i x c omp o s i t e） 、 または金属マトリックス複合材 （m e t a l ma t r i x c omp o s i t e） と呼称することもできる。
[0298]
酸化物半導体 （金属酸化物） は、 単結晶酸化物半導体と、 それ以外の非単結晶酸化物半導体と、 に 分けられる。 非単結晶酸化物半導体としては、 例えば、 C AAC-O S （c - a X i s a 1 i g n e d c r y s t a l l i n e o x i d e s em i c o n d u c t o rノ 、 多吉晶酸イ匕物半 導体、 n c—〇 S （n a n o c r y s t a l l i n e o x i d e s em i c o n d u c t o r） 、 擬似非晶質酸化物半導体 （a— l i k e OS : amo r p h o u s— l i k e o x i d e s em i c o n du c t o r） 、 及び非晶質酉爱化物半導体などがある。
[0299]
CAAC— OSは、 c軸配向性を有し、 かつ a—b面方向において複数のナノ結晶が連結し 歪み を有した結晶構造となっている。 なお、 歪みとは、 複数のナノ結晶が連結する領域において、 格子 配列の揃った領域と、 別の格子配列の揃った領域と、 の間で格子配列の向きが変化している箇所を 指す。
[0300]
ナノ結晶は、 六角形を基本とするが、 正六角形状とは限らず、 非正六角形状である場合がある。 ま た、 歪みにおいて、 五角形及び七角形などの格子配列を有する場 合がある。 なお、 CAAC-OS において、 歪み近傍においても、 明確な結晶粒界 （グレインパウンダリーともいう。 ） を確認する ことは難しい。 すなわち、 格子配列の歪みによって、 結晶粒界の形成が抑制されていることがわか る。 これは、 CAAC— OSが、 a—b面方向において酸素原子の配列が稠密で いことや、 金属 元素が置換することで原子間の結合距離が変 化することなどによって、 歪みを許容することができ るためである。
[0301]
また、 CAAC— OSは、 インジウム、 及び酸素を有する層 （以下、 I n層） と、 元素 M、 亜鉛、 及び酸素を有する層 （以下、 （M， Zn） 層） とが積層した、 層状の結晶構造 （層状構造ともいう） を有する傾向がある。 なお、 インジウムと元素 Mは、 互いに置換可能であり、 （M， Zn） 層の元 素 Mがインジウムと置換した場合、 （I n, M， Z n） 層と表すこともできる。 また、 I n層のイ ンジウムが元素 Mと置換した場合、 （I n, M） 層と表すこともできる。
[0302]
CAAC— OSは結晶性の高い金属酸化物である。 一方、 CAAC— OSは、 明確な結晶粒界を確 \¥02020/174305 ?€1/162020/051228 認することが難しいため、 結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こ りにくいといえる。 また、 金属酸化物の結晶性は不純物の混入や欠陥の 生成などによって低下する場合があるため、 〇八八匚 —〇 £は不純物や欠陥 （酸素欠損 〇 .. 0 ：7 611 ともいう。 ） など） の少 ない金属酸化物ともいえる。 したがって、 〇八八〇—〇 を有する金属酸化物は、 物理的性質が安 定する。 そのため、 〇八八〇—〇£を有する金属酸化物は熱に強 、 信頼性が高い。
[0303]
11（；—〇 は、 微小な領域 （例えば、 1111x1以上 1 0111x1以下の領域、 特に 1111x1以上 3111x1以下 の領域） において原子配列に周期性を有する。 また、 11（：—〇 は、 異なるナノ結晶間で結晶方位 に規則性が見られない。 そのため、 膜全体で配向性が見られない。 したがって、 110—〇 は、 分 析方法によっては、 3— 1 丨 1£ 6 〇 £や非晶質酸化物半導体と区別が付かない場 がある。
[0304]
なお、 インジウムと、 ガリウムと、 亜鉛と、 を有する金属酸化物の一種である、 インジウムーガリ ウムー亜鉛酸化物 （以下、 10å0） は、 上述のナノ結晶とすることで安定な構造をと る場合があ る。 特に、 大気中では結晶成長がし難い傾向があるため 、 大きな結晶 （ここでは、 数 の結晶、 または数 <3111の結晶） よりも小さな結晶 （例えば、 上述のナノ結晶） とする方が、 構 造的に安定となる場合がある。
[0305]
1 1 1^ 6 〇 は、 110—〇 と非晶質酸化物半導体との間の構造を有する 金属酸化物である。
〇 は、 鬆または低密度領域を有する。 すなわち、 1 1 6 〇 は、 11。一 〇 及び〇八八〇—〇 と比べて、 結晶性が低い。
[0306]
酸化物半導体 （金属酸化物） は、 多様な構造をとり、 それぞれが異なる特性を有する。 本発明の一 態様の酸化物半導体は、 非晶質酸化物半導体、 多結晶酸化物半導体、 3— 1 丨 1£ 6 03, 110 ~
〇 、 0八八（3—〇 のうち、 二種以上を有していてもよい。
[0307]
半導体層として機能する金属酸化物膜は、 不活性ガス及び酸素ガスのいずれか一方また は双方を用 いて成膜することができる。 なお、 金属酸化物膜の成膜時における酸素の流量比 （酸素分圧） に、 特に限定はない。 ただし、 電界効果移動度が高いトランジスタを得る場 合においては、 金属酸化物 膜の成膜時における酸素の流量比 （酸素分圧） は、 0%以上 30%以下が好ましく、 5%以上 3 0%以下がより好ましく、 7%以上 1 5%以下がさらに好ましい。
[0308]
金属酸化物は、 エネルギーギャップが 26 V以上であることが好ましく、 2. 56 以上であるこ とがより好ましく、 36 V以上であることがさらに好ましい。 このように、 エネルギーギャップの 広い金属酸化物を用いることで、 トランジスタのオフ電流を低減することがで きる。
[0309]
金属酸化物膜の成膜時の基板温度は、 350 °〇以下が好ましく、 室温以上 200 °〇以下がより好ま しく、 室温以上 1 30°〇以下がさらに好ましい。 金属酸化物膜の成膜時の基板温度が室温であ ると、 生産 1 ' 生を高めることができ、 好ましい。
[0310]
金属酸化物膜は、 スパッタリング法により形成することができ る。 そのほか、 例えば 乙〇法、 ECVD法、 熱 CVD法、 ALD法、 真空蒸着法などを用いてもよい。
[03 1 1]
以上のように、 初期劣化が抑制され、 駆動寿命が非常に長い発光デバイスを用いる ため、 発光装置 の信頼性を高めることができる。
[03 1 2]
本実施の形態は、 他の実施の形態と適宜組み合わせることがで きる。 また、 本明細書において、 1 つの実施の形態の中に、 複数の構成例が示される場合は、 構成例を適宜組み合わせることが可能で ある。
[03 1 3]
（実施の形態 2）
本実施の形態では、 本発明の一態様の表示装置について図 1 1を用いて説明する。
[03 1 4]
図 1 1 Aに画素のブロック図を示す。 図 1 1 Aに示す画素は、 スイッチングトランジスタ （Sw i t c h i n g T r） 、 駆動トランジスタ （D r i v i n g T r） 、 発光デバイス （〇 L E D） に加えて、 メモリ （Memo r y） を有する。
[03 1 5]
メモリには、 データ D a t a_Wが供給される。 表示データ D a t aに加えて、 データ Da t a_ Wが画素に供給されることで、 発光デバイスに流れる電流が大きくなり、 表示装置は高い輝度を表 現することができる。
[03 1 6]
本発明の一態様の表示装置が有する発光デ バイスを、 表示データ Da t a及びデータ Da t a _W に基づいて駆動させることで、 高い輝度で発光デバイスを発光させることが できる。
[03 1 7]
図 1 1 Bに、 画素回路の具体的な回路図を示す。
[03 1 8]
図 1 1 Bに示す画素は、 トランジスタ M1、 トランジスタ M2、 トランジスタ M3、 トランジスタ M4、 容量 C s、 容量 Cw、 及び発光デバイス E Lを有する。
[03 1 9]
トランジスタ Mlのソースまたはドレインの一方は、 容量 Cwの一方の電極と電気的に接続される。 容量 Cwの他方の電極は、 トランジスタ M4のソースまたはドレインの一方と電気的に 続される。 トランジスタ M4のソースまたはドレインの一方は、 トランジスタ M2のゲートと電気的に接続さ れる。 トランジスタ M2のゲートは、 容量 C sの一方の電極と電気的に接続される。 容量 C sの他 方の電極は、 トランジスタ M2のソースまたはドレインの一方と電気的に 続される。 トランジス 夕 M 2のソースまたはドレインの一方は、 トランジスタ M3のソースまたはドレインの一方と電気 的に接続される。 トランジスタ M3のソースまたはドレインの一方は、 発光デバイス ELの一方の 電極と電気的に接続される。 図 1 1 Bに示す各トランジスタは、 ゲートと電気的に接続されたバッ クゲートを有するが、 バックゲートの接続はこれに限定されない。 また、 トランジスタにバックゲ ートを設けなくてもよい。
[0320]
ここで、 容量 Cwの他方の電極、 トランジスタ M4のソースまたはドレインの一方、 トランジスタ \¥02020/174305 ?€1/162020/051228
1^2のゲート、 及び容量 08の一方の電極が接続されるノードをノード NMとする。 また、 容量匚 8の他方の電極、 トランジスタ 1^2のソースまたはドレインの一方、 トランジスタ 1^3のソースま たはドレインの一方、 及び発光デバイス £乙の一方の電極が接続されるノードをノー NAとする。
[0321 ]
トランジスタ N41のゲートは、 配線〇 1と電気的に接続される。 トランジスタ N43のゲートは、 配 線〇 1と電気的に接続される。 トランジスタ N44のゲートは、 配線〇 2に電気的に接続される。 卜 ランジスタ]^1のソースまたはドレインの他方 は、 配線〇八丁八と電気的に接続される。 トランジ スタ 1^3のソースまたはドレインの他方は、 配線 V 0と電気的に接続される。 トランジスタ 1^4の ソースまたはドレインの他方は、 配線〇八丁八_ と電気的に接続される。
[0322]
トランジスタ N42のソースまたはドレインの他方は、 配線 ANODE （高電位側） と電気的に接続 される。 発光デバイス £ の他方の電極は、 配線 CATHODE （低電位側） と電気的に接続され る。
[0323]
配線〇 1及び配線〇 2は、 トランジスタの動作を制御するための信号線 としての機能を有すること ができる。 配線〇八丁八は、 画素に画像信号を供給する信号線としての機 能を有することができる。 配線〇八丁八_ は、 記憶回路 にデータを書き込むための信号線としての機 能を有すること ができる。 配線〇八丁八_ は、 画素に補正信号を供給する信号線としての機 能を有することがで きる。 配線 〇は、 トランジスタ N44の電気特性を取得するためのモニタ線とし ての機能を有する。 また、 配線 〇からトランジスタ IV! 3を介して容量 08の他方の電極に特定の電位を供給すること により、 画像信号の書き込みを安定化させることもで きる。
[0324]
トランジスタ 1^2、 トランジスタ 1^4、 及び容量〇 は、 記憶回路 を構成する。 ノード NM は記憶ノードであり、 トランジスタ N44を導通させることで、 配線〇八丁八_ に供給された信号 をノードNMに書き込むことができる。 トランジスタ 1^4に極めてオフ電流が低いトランジスタを 用いることで、 ノード NN4の電位を長時間保持することができる。
[0325]
トランジスタ N44には、 例えば、 金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトラ ンジスタ （以下、 〇 £ トランジスタ） を用いることができる。 これにより、 トランジスタ N44のオフ電流を極めて低く することができ、 ノード NN4の電位を長時間保持することができる。 このとき、 画素を構成するそ の他のトランジスタにも、 〇 トランジスタを用いることが好ましい。 金属酸化物の具体例は、 実 施の形態 1を参照できる。
[0326]
〇 トランジスタはェネルギーギャップが大きい ため、 極めて低いオフ電流特性を示す。 また、 〇 £ トランジスタは、 インパクトイオン化、 アバランシェ降伏、 及び短チャネル効果などが生じない など £ 1をチャネル形成領域に有するトランジスタ （以下、 トランジスタ） とは異なる特徴を 有し、 信頼性の高い回路を形成することができる。
[0327]
また、 トランジスタ N44に、 トランジスタを適用してもよい。 このとき、 画素を構成するその 他のトランジスタにも、 £ 土 トランジスタを用いることが好ましい。 \¥02020/174305 卩（：1' 2020/051228
[0328]
£ 1 トランジスタとしては、 アモルファスシリコンを有する トランジスタ、 結晶性のシリコン （代 表的には、 低温ポリシリコン） を有する トランジスタ、 単結晶シリコンを有する トランジスタなど が挙げられる。
[0329]
また、 1つの画素は、 〇 トランジスタと £ 1 トランジスタとの両方を有していてもよい。
[0330]
画素において、 ノード NN4に書き込まれた信号は、 配線〇八丁八から供給される画像信号と容量 結 合され、 ノード NAに出力することができる。 なお、 トランジスタ N41は、 画素を選択する機能を 有することができる。
[0331 ]
すなわち、 ノード NN4に所望の補正信号を格納しておけば、 供給した画像信号に当該補正信号を付 加することができる。 なお、 補正信号は伝送経路上の要素によって減衰す ることがあるため、 当該 減衰を考慮して生成することが好ましい。
[0332]
画像信号と補正信号を用いて発光デバイス を発光させることで、 発光デバイスに流れる電流を大き くすることができ、 高い輝度を表現できる。 ソース ドライバの出力電圧以上の電圧を駆動トラン ジ スタのゲート電圧として印加できるため、 ソースドライバの消費電力を削減することが できる。
[0333]
本実施の形態は、 他の実施の形態と適宜組み合わせることがで きる。
[0334]
（実施の形態 3）
本実施の形態では、 液滴吐出法を用いて £乙層を形成する方法について、 図 1 2を用いて説明する。 図 12八〜図 120は、 層 786の作製方法を説明する断面図である。
[0335]
まず、 平坦化絶縁膜 770上に導電膜 772が形成され、 導電膜 772の一部を覆うように絶縁膜 730が形成される （図 12八） 。
[0336]
次に、 絶縁膜 730の開口である導電膜 772の露出部に、 液滴吐出装置 783より液滴 784を 吐出し、 組成物を含む層 785を形成する。 液滴 784は、 溶媒を含む組成物であり、 導電膜 77 2上に付着する （図 1 23） 。
[0337]
なお、 液滴 784を吐出する工程を減圧下で行ってもよい。
[0338]
次に、 組成物を含む層 785より溶媒を除去し、 固化することによって £乙層 786を形成する （図 1 2〇 。
[0339]
なお、 溶媒は、 乾燥工程または加熱工程を行うことで除去す ることができる。
[0340]
次に、 £乙層 786上に導電膜 788を形成し、 発光デバイス 782を形成する （図 120） 。 \¥02020/174305 ?€1/162020/051228
[034 1]
このように液滴吐出法を用いて £乙層 78 6を形成すると、 選択的に組成物を吐出することができ るため、 材料のロスを削減することができる。 また、 形状を加工するためのリソグラフイエ程など が必要ないために工程を簡略化することがで き、 低コスト化が達成できる。
[0342]
なお、 上記説明した液滴吐出法とは、 組成物の吐出口を有するノズル、 あるいは 1つまたは複数の ノズルを有するへッド等の液滴を吐出する手 段を用いるものの総称とする。
[0343]
次に、 液滴吐出法に用いる液滴吐出装置について、 図 1 3を用いて説明する。 図 1 3は、 液滴吐出 装置 1400を説明する概念図である。
[0344]
液滴吐出装置 1 400は、 液滴吐出手段 1 403を有する。 また、 液滴吐出手段 1 403は、 へッ ド 1 405と、 ヘッド 1 4 1 2とを有する。
[0345]
へッ ド 1 405及びへッド 1 4 1 2は制御手段 1 407に接続され、 それがコンピュータ 1 4 1 0 で制御されることにより予めプロダラミング されたパターンを描画することができる。
[0346]
また、 描画するタイミングとしては、 例えば、 基板 1 402上に形成されたマーカー 1 4 1 1を基 準に行えばよい。 あるいは、 基板 1 402の外縁を基準にして基準点を確定させても よい。 ここで は、 マーカー 1 4 1 1を撮像手段 1 404で検出し、 画像処理手段 1 409にてデジタル信号に変 換したものをコンピュータ 1 4 1 0で認識して制御信号を発生させて制御手段 1407に送る。
[0347]
撮像手段 1 404としては、 電荷結合デバイス （〇〇〇） や相補型金属一酸化物一半導体 （0 〇 £） を利用したイメージセンサなどを用いること ができる。 なお、 基板 1 402上に形成されるべ きパターンの情報は記憶媒体 1 408に格納されたものであり、 この情報を基にして制御手段 1 4 07に制御信号を送り、 液滴吐出手段 1 40 3の個々のへッ ド 1 40 5、 ヘッド 1 4 1 2を個別に 制御することができる。 吐出する材料は、 材料供給源 1 4 1 3、 材料供給源 1 4 1 4より配管を通 してへッド 1 405、 ヘッド 14 1 2にそれぞれ供給される。
[0348]
へッ ド 1 405の内部は、 点線 1 406が示すように液状の材料を充填する空間と 、 吐出口である ノズルを有する構造となっている。 図示しないが、 ヘッド 1 4 1 2もヘッド 1 40 5と同様な内部 構造を有する。 へッ ド 1 405とヘッド 1 4 1 2のノズルを異なるサイズで設けると、 異なる材料 を異なる幅で同時に描画することができる。 一つのへッドで、 複数種の発光材料などをそれぞれ吐 出し、 描画することができる。 また、 広領域に描画する場合は、 スループッ トを向上させるため複 数のノズルより同材料を同時に吐出し、 描画することができる。 大型基板を用いる場合、 ヘッ ド 1 40 5、 ヘッド 1 4 1 2は基板上を、 図 1 3中に示す X、 丫、 åの矢印の方向に自在に走査し、 描 画する領域を自由に設定することができ、 同じパターンを一枚の基板に複数描画するこ とができる, [0349]
また、 組成物を吐出する工程は、 減圧下で行ってもよい。 吐出時に基板を加熱しておいてもよい。 組成物を吐出後、 乾燥と焼成の一方または両方の工程を行う。 乾燥と焼成の工程は、 両工程とも加 \¥0 2020/174305 卩（：1' 2020/051228 熱処理の工程であるが、 その目的、 温度と時間が異なるものである。 乾燥の工程、 焼成の工程は、 常圧下または減圧下で、 レーザ光の照射や瞬間熱アニール、 加熱炉などにより行う。 なお、 この加 熱処理を行うタイミング、 加熱処理の回数は特に限定されない。 乾燥と焼成の工程を良好に行うた めには、 そのときの温度は、 基板の材質及び組成物の性質に依存する。
[ 0 3 5 0 ]
以上のように、 液滴吐出装置を用いて £乙層 7 8 6を作製することができる。
[ 0 3 5 1 ]
本実施の形態は、 他の実施の形態と適宜組み合わせることがで きる。
[ 0 3 5 2 ]
（実施の形態 4）
本実施の形態では、 本発明の一態様の電子機器について、 図 1 4及び図 1 5を用いて説明する。
[ 0 3 5 3 ]
本実施の形態の電子機器は、 表示部に本発明の一態様の表示装置を有する ため、 _命が長く、 信頼 性が高い。 また、 表示部に本発明の一態様の表示装置を用いる ことで、 電子機器を、 長寿命かつ大 画面とすることができる。
[ 0 3 5 4 ]
本実施の形態の電子機器の表示部には、 例えばフルハイビジョン、 4 X 2 X , 8 X 4 X、 1 6 X 8 X、 またはそれ以上の解像度を有する映像を表示 させることができる。 また、 表示部の画面サイズ としては、 対角 2 0インチ以上、 対角 3 0インチ以上、 対角 5 0インチ以上、 対角 6 0インチ以上、 または対角 7 0インチ以上とすることができる。
[ 0 3 5 5 ]
電子機器としては、 例えば、 テレビジョン装置、 デスク トップ型もしくはノート型のパーソナルコ ンピュータ、 コンピュータ用などのモニタ、 デジタルサイネージ
6 : 電子看板） 、 パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的 大きな画面を備える電子機器の他、 デジタルカメラ、 デジタルビデオカメラ、 デジタルフォトフレーム、 携帯電話機、 携帯型ゲーム機、 携帯情報端末、 音響再生装置、 などが挙げられる。
[ 0 3 5 6 ]
本実施の形態の電子機器は、 家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、 または、 自動車の内装もしく は外装の曲面に沿って組み込むことができる 。
[ 0 3 5 7 ]
本実施の形態の電子機器は、 アンテナを有していてもよい。 アンテナで信号を受信することで、 表 示部で映像や情報等の表示を行うことができ る。 また、 電子機器がアンテナ及び二次電池を有する 場合、 アンテナを、 非接触電力伝送に用いてもよい。
[ 0 3 5 8 ]
本実施の形態の電子機器は、 センサ （力、 変位、 位置、 速度、 加速度、 角速度、 回転数、 距離、 光、 液、 磁気、 温度、 化学物質、 音声、 時間、 硬度、 電場、 電流、 電圧、 電力、 放射線、 流量、 湿度、 傾度、 振動、 においまたは赤外線を測定する機能を含むも の） を有していてもよい。
[ 0 3 5 9 ]
本実施の形態の電子機器は、 様々な機能を有することができる。 例えば、 様々な情報 （静止画、 動 画、 テキス ト画像など） を表示部に表示する機能、 タッチパネル機能、 カレンダー、 日付または時 \¥02020/174305 卩（：1' 2020/051228 刻などを表示する機能、 様々なソフトウ ア （プログラム） を実行する機能、 無線通信機能、 記録 媒体に記録されているプログラムまたはデー タを読み出す機能等を有することができる。
[0360]
図 14八にテレビジョン装置の一例を示す。 テレビジョン装置 7100は、 筐体 7 101に表示部 7000が組み込まれている。 ここでは、 スタンド 7103により筐体 71 01を支持した構成を 示している。
[036 1 ]
表示部 7000に、 本発明の一態様の表示装置を適用することが できる。
[0362]
図 14八に示すテレビジョン装置 7 100の操作は、 筐体 7 101が備える操作スイッチや、 別体 のリモコン操作機 7 1 1 1により行うことができる。 または、 表示部 7000にタッチセンサを備 えていてもよく、 指等で表示部 7000に触れることでテレビジョン装置 7 100を操作してもよ い。 リモコン操作機 71 1 1は、 当該リモコン操作機 71 1 1から出力する情報を表示する表示部 を有していてもよい。 リモコン操作機 71 1 1が備える操作キーまたはタッチパネルによ 、 チヤ ンネル及び音量の操作を行うことができ、 表示部 7000に表示される映像を操作することができ る。
[0363]
なお、 テレビジョン装置 7 100は、 受信機及びモデムなどを備えた構成とする。 受信機により一 般のテレビ放送の受信を行うことができる。 また、 モデムを介して有線または無線による通信ネ ッ トワークに接続することにより、 一方向 （送信者から受信者） または双方向 （送信者と受信者間、 あるいは受信者間同士など） の情報通信を行うことも可能である。
[0364]
図 148に、 ノート型パーソナルコンピュータの一例を示 す。 ノート型パーソナルコンピュータ 7
200は、 筐体 72 1 1、 キーボード 721 2、 ポインティングデバイス 721 3、 外部接続ポー 卜 7214等を有する。 筐体 721 1に、 表示部 7000が組み込まれている。
[0365]
表示部 7000に、 本発明の一態様の表示装置を適用することが できる。
[0366]
図 1413、 図 140に、 デジタルサイネージの一例を示す。
[0367]
図 14（3に示すデジタルサイネージ 7300は、 筐体 730 1、 表示部 7000、 及びスピーカ 7
303等を有する。 さらに、 ランプ、 操作キー （電源スイッチ、 または操作スイッチを含 む） 、 接続端子、 各種センサ、 マイクロフォン等を有することができる。
[0368]
図 14〇は円柱状の柱 7401に取り付けられたデジタルサイネージ 7400である。 デジタルサ イネージ 7400は、 柱 7401の曲面に沿って設けられた表示部 7000を有する。
[0369]
図 14（3、 図 140において、 表示部 7000に、 本発明の一態様の表示装置を適用することが で さる。
[0370] \¥0 2020/174305 ?€1/162020/051228 表示部 7 0 0 0が広いほど、 一度に提供できる情報量を増やすことができ る。 また、 表示部 7 0 0 0が広いほど、 人の目につきやすく、 例えば、 広告の宣伝効果を高めることができる。
[ 0 3 7 1 ]
表示部 7 0 0 0にタッチパネルを適用することで、 表示部 7 0 0 0に画像または動画を表示するだ けでなく、 ユーザーが直感的に操作することができ、 好ましい。 また、 路線情報もしくは交通情報 などの情報を提供するための用途に用いる場 合には、 直感的な操作によりユーザビリテイを高める ことができる。
[ 0 3 7 2 ]
また、 図 1 4（3、 図 1 4 0に示すように、 デジタルサイネージ 7 3 0 0またはデジタルサイネージ 7 4 0 0は、 ユーザーが所持するスマートフォン等の情報 端末機 7 3 1 1または情報端末機 7 4 1 1と無線通信により連携可能であることが好 しい。 例えば、 表示部 7 0 0 0に表示される広告の 情報を、 情報端末機 7 3 1 1または情報端末機 7 4 1 1の画面に表示させることができる。 また、 情報端末機 7 3 1 1または情報端末機 7 4 1 1を操作することで、 表示部 7 0 0 0の表示を切り替 えることができる。
[ 0 3 7 3 ]
また、 デジタルサイネージ 7 3 0 0またはデジタルサイネージ 7 4 0 0に、 情報端末機 7 3 1 1ま たは情報端末機 7 4 1 1の画面を操作手段 （コントローラ） としたゲームを実行させることもでき る。 これにより、 不特定多数のユーザーが同時にゲームに参加 し、 楽しむことができる。
[ 0 3 7 4 ]
図 1 5八乃至図 1 5 Fに示す電子機器は、 筐体 9 0 0 0、 表示部 9 0 0 1、 スピーカ 9 0 0 3、 操 作キー 9 0 0 5 （電源スイッチ、 または操作スイッチを含む） 、 接続端子 9 0 0 6、 センサ 9 0 0 7 （力、 変位、 位置、 速度、 加速度、 角速度、 回転数、 距離、 光、 液、 磁気、 温度、 化学物質、 音 声、 時間、 硬度、 電場、 電流、 電圧、 電力、 放射線、 流量、 湿度、 傾度、 振動、 においまたは赤外 線を測定する機能を含むもの） 、 マイクロフォン 9 0 0 8、 等を有する。
[ 0 3 7 5 ]
図 1 5八乃至図 1 5 Fに示す電子機器は、 様々な機能を有する。 例えば、 様々な情報 （静止画、 動 画、 テキスト画像など） を表示部に表示する機能、 タッチパネル機能、 カレンダー、 日付または時 刻などを表示する機能、 様々なソフトウェア （プログラム） によって処理を制御する機能、 無線通 信機能、 記録媒体に記録されているプログラムまたは データを読み出して処理する機能、 等を有す ることができる。 なお、 電子機器の機能はこれらに限られず、 様々な機能を有することができる。 電子機器は、 複数の表示部を有していてもよい。 また、 電子機器にカメラ等を設け、 静止画や動画 を撮影し、 記録媒体 （外部またはカメラに内蔵） に保存する機能、 撮影した画像を表示部に表示す る機能、 等を有していてもよい。
[ 0 3 7 6 ]
図 1 5八乃至図 1 5 Fに示す電子機器の詳細について、 以下説明を行う。
[ 0 3 7 7 ]
図 1 5八は、 携帯情報端末 9 1 0 1を示す斜視図である。 携帯情報端末 9 1 0 1は、 例えばスマー トフォンとして用いることができる。 なお、 携帯情報端末 9 1 0 1は、 スピーカ 9 0 0 3、 接続端 子 9 0 0 6、 センサ 9 0 0 7等を設けてもよい。 また、 携帯情報端末 9 1 0 1は、 文字や画像情報 をその複数の面に表示することができる。 図 1 5八では 3つのアイコン 9 0 5 0を表示した例を示 \¥0 2020/174305 ?€1/162020/051228 している。 また、 破線の矩形で示す情報 9 0 5 1を表示部 9 0 0 1の他の面に表示することもでき る。 情報 9 0 5 1の一例としては、 電子メール、 £ N 3 , 電話などの着信の通知、 電子メールや £ N 3などの題名、 送信者名、 日時、 時刻、 バッテリの残量、 アンテナ受信の強度などがある。 また は、 情報 9 0 5 1が表示されている位置にはアイコン 9 0 5 0などを表示してもよい。
[ 0 3 7 8 ]
図 1 5 3は、 携帯情報端末 9 1 0 2を示す斜視図である。 携帯情報端末 9 1 0 2は、 表示部 9 0 0 1の 3面以上に情報を表示する機能を有する。 ここでは、 情報 9 0 5 2、 情報 9 0 5 3、 情報 9 0 5 4がそれぞれ異なる面に表示されている例を す。 例えばユーザーは、 洋服の胸ポケットに携帯 情報端末 9 1 0 2を収納した状態で、 携帯情報端末 9 1 0 2の上方から観察できる位置に表示され た情報 9 0 5 3を確認することもできる。 ユーザーは、 携帯情報端末 9 1 0 2をポケットから取り 出すことなく表示を確認し、 例えば電話を受けるか否かを判断できる。
[ 0 3 7 9 ]
図 1 5 0は、 腕時計型の携帯情報端末 9 2 0 0を示す斜視図である。 携帯情報端末 9 2 0 0は、 例 えばスマートウォッチとして用いることがで きる。 また、 表示部 9 0 0 1はその表示面が湾曲して 設けられ、 湾曲した表示面に沿って表示を行うことがで きる。 また、 携帯情報端末 9 2 0 0は、 例 えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信 することによって、 ハンズフリーで通話することもで きる。 また、 携帯情報端末 9 2 0 0は、 接続端子 9 0 0 6により、 他の情報端末と相互にデータ伝 送を行うことや、 充電を行うこともできる。 なお、 充電動作は無線給電により行ってもよい。
[ 0 3 8 0 ]
図 1 5 0乃至図 1 5 Fは、 折り畳み可能な携帯情報端末 9 2 0 1を示す斜視図である。 また、 図 1 5〇は携帯情報端末 9 2 0 1を展開した状態、 図 1 5 Fは折り畳んだ状態、 図 1 5 £は図 1 5〇と 図 1 5 Fの一方から他方に変化する途中の状態の斜 図である。 携帯情報端末 9 2 0 1は、 折り畳 んだ状態では可搬性に優れ、 展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域 により表示の一覧性に優 れる。 携帯情報端末 9 2 0 1が有する表示部 9 0 0 1は、 ヒンジ 9 0 5 5によって連結された 3つ の筐体 9 0 0 0に支持されている。 例えば、 表示部 9 0 0 1は、 曲率半径〇. 111 111以下で曲げることができる。
[ 0 3 8 1 ]
本実施の形態は、 他の実施の形態と適宜組み合わせることがで きる。
[ 0 3 8 2 ]
（実施の形態 5）
本実施の形態では、 本発明の一態様のテレビジョン装置について 、 図 1 6を用いて説明する。
[ 0 3 8 3 ]
図 1 6に、 テレビジョン装置 6 0 0のブロック図を示す。
[ 0 3 8 4 ]
なお、 本明細書に添付した図面では、 構成要素を機能ごとに分類し、 互いに独立したブロックとし てブロック図を示しているが、 実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分け ることが難しく、 一つ の構成要素が複数の機能に係わることもあり 得る。
[ 0 3 8 5 ]
テレビジョン装置 6 0 0は、 制御部 6 0 1、 記憶部 6 0 2、 通信制御部 6 0 3、 画像処理回路 6 0 4、 デコーダ回路 6 0 5、 映像信号受信部 6 0 6、 タイミングコントローラ 6 0 7、 ソースドライ バ 608、 ゲート ドライバ 609、 表示パネル 6 20等を有する。
[038 6]
実施の形態 1で例示した表示装置は、 図 1 6における表示パネル 6 20に適用することができる。 これにより、 大型かつ長寿命であって、 高い表示品位を有するテレビジョン装置 6 00を実現でき る。
[038 7]
制御部 60 1は、 例えば中央演算装置 (CPU : C e n t r a l P r o c e s s i n g Un i t) として機能することができる。 例えば制御部 6 0 1は、 システムバス 6 30を介して記憶部 6 02、 通信制御部 6 03、 画像処理回路 604、 デコーダ回路 605、 及び映像信号受信部 6 06 等のコンポーネントを制御する機能を有する 。
[0388]
制御部 60 1 と各コンポーネントとは、 システムバス 6 30を介して信号の伝達が行われる。 また 制御部 60 1は、 システムバス 6 30を介して接続された各コンポーネントから 力される信号を 処理する機能、 各コンポーネントへ出力する信号を生成する 機能等を有し、 これによりシステムパ ス 6 30に接続された各コンポーネントを統括的に 御することができる。
[038 9]
記憶部 60 2は、 制御部 6 0 1及び画像処理回路 6 04がアクセス可能なレジスタ、 キャッシュメ モリ、 メインメモリ、 二次メモリなどとして機能する。
[0390]
二次メモリ として用いることのできる記憶装置としては 、 例えば書き換え可能な不揮発性メモリが 適用された記憶装置を用いることができる。 例えば、 フラッシュメモリ、 MRAM (Ma g n e t o r e s i s t i v e R a n d om Ac c e s s Memo r yノ 、 PR AM h a s e c h a n g e R AM) 、 R e RAM (Re s i s t i v e R AM) 、 F e RAM (F e r r o e l e c t r i c RAM) などを用いることができる。
[039 1 ]
また、 レジスタ、 キャッシュメモリ、 メインメモリなどの一時メモリ として用いることのできる記 憶装置としては、 DRAM (Dyn am i c RAM) や、 SRAM (S t a t i c Ra n d o m Ac c e s s Memo r y) 等の揮発性メモリを用いてもよい。
[0392]
例えば、 メインメモリに設けられる RAMとしては、 例えば DRAMが用いられ、 制御部 60 1の 作業空間として仮想的にメモリ空間が割り当 てられ利用される。 記憶部 60 2に格納されたオペレ ーティングシステム、 アプリケーションプログラム、 プログラムモジュール、 プログラムデータ等 は、 実行のために RAMにロードされる。 RAMにロードされたこれらのデータやプログラ ム、 プ ログラムモジュールは、 制御部 60 1に直接アクセスされ、 操作される。
[0393]
一方、 ROMには書き換えを必要としない B I〇 S (B a s i c I n p u t /〇 u t p u t S y s t e m) やファームウェア等を格納することができる 。 ROMとしては、 マスク ROMや、 〇 r PROM (On e l i me P r o g r amma b l e R e a d On l y Memo r y) 、 EPROM (E r a s a b l e P r o g r amma b l e Re a d On l y Mem o r y) 等を用いることができる。 EPROMとしては、 紫外線照射により記憶データの消去を可 能とする UV— EPROM (U l t r a— V i o l e t E r a s a b l e P r o g r amma b l e R e a d On l y Memo r y) 、 EEPROM (E l e c t r i c a l l y E r a s a b l e P r o g r amma b l e Re a d On l y Memo r y) 、 フフッシユメ モリなどが挙げられる。
[0394]
また、 記憶部 602の他に、 取り外し可能な記憶装置を接続可能な構成と してもよい。 例えばスト レージデバイスとして機能するハードディス ク ドライブ (Ha r d D i s k D r i v e : HD D) やソリ ッドステート ドライブ (S o l i d S t a t e D r i v e : S SD) などの記録メ ディアドライブ、 フラッシュメモリ、 ブルーレイディスク、 DVDなどの記録媒体と接続する端子 を有することが好ましい。 これにより、 映像を記録することができる。
[0395]
通信制御部 603は、 コンピュータネットワークを介して行われる 通信を制御する機能を有する。 つまり、 テレビジョン装置 600には、 I oT (I n t e r n e t o f Th i n g s) の技術 が適用されている。
[0396]
通信制御部 603は、 例えば、 制御部 60 1からの命令に応じてコンピュータネッ トワークに接続 するための制御信号を制御し、 当該信号をコンピュータネッ トワークに発信する。 これによって、 Wo r l d Wi d e We b (WWW) の基盤であるインターネッ ト、 イントラネット、 エクス トラネット、 PAN (P e r s o n a l Ar e a Ne two r k) 、 LAN (L o c a l A r e a Ne two r k) 、 CAN (C amp u s Ar e a Ne two r k) 、 MAN (Me t r o p o l i t a n Ar e a Ne two r k) 、 WAN (W i d e Ar e a Ne two r k) 、 GAN (G l o b a l Ar e a Ne two r k) 等のコンピュータネットワークに接 続し、 通信を行うことができる。
[0397]
また、 通信制御部 6 03は、 Wi -F i (登録商標) 、 B l u e t o o t h (登録商標) 、 Z i g B e e (登録商標) 等の通信規格を用いてコンピュータネッ トワークまたは他の電子機器と通信す る機能を有していてもよい。
[0398]
通信制御部 603は、 無線により通信する機能を有していてもよい 。 例えばアンテナと高周波回路 (RF回路) を設け、 RF信号の送受信を行えばよい。 高周波回路は、 各国法制により定められた 周波数帯域の電磁信号と電気信号とを相互に 変換し、 当該電磁信号を用いて無線で他の通信機器と の間で通信を行うための回路である。 実用的な周波数帯域として数 1 0 kH z〜¾l 0 GHzが一 般に用いられている。 アンテナと接続される高周波回路には、 複数の周波数帯域に対応した高周波 回路部を有し、 高周波回路部は、 増幅器 (アンプ) 、 ミキサ、 フィルタ、 DSP、 RFトランシー パ等を有する構成とすることができる。
[0399]
映像信号受信部 60 6は、 例えばアンテナ、 復調回路、 及び A— D変換回路 (アナログーデジタル 変換回路) 等を有する。 復調回路は、 アンテナから入力した信号を復調する機能を 有する。 また A 一 D変換回路は、 復調されたアナログ信号をデジタル信号に変 換する機能を有する。 映像信号受信 部 606で処理された信号は、 デコーダ回路 605に送られる。 [0400]
デコーダ回路 605は、 映像信号受信部 606から入力されるデジタル信号に含まれる映 像データ を、 送信される放送規格の仕様に従ってデコード し、 画像処理回路に送信する信号を生成する機能 を有する。 例えば 8 K放送における放送規格としては、 H. 265 | MPEG— H H i g h E f f i c i e n c y V i d e o Co d i n g （略称： H E V C） などがある。
[0401]
映像信号受信部 606が有するアンテナにより受信できる放送電 波としては、 地上波、 または衛星 から送信される電波などが挙げられる。 またアンテナにより受信できる放送電波とし て、 アナログ 放送、 デジタル放送などがあり、 また映像及び音声、 または音声のみの放送などがある。 例えば U HF帯 （約 30 OMH z〜 3 GH z） または VHF帯 （ 30 MH z〜 300 MH z） のうちの特定 の周波数帯域で送信される放送電波を受信す ることができる。 また例えば、 複数の周波数帯域で受 信した複数のデータを用いることで、 転送レートを高くすることができ、 より多くの情報を得るこ とができる。 これによりフルハイビジョンを超える解像度 を有する映像を、 表示パネル 620に表 示させることができる。 例えば、 4K2K、 8K4K、 1 6K8K、 またはそれ以上の解像度を有 する映像を表示させることができる。
[0402]
また、 映像信号受信部 606及びデコーダ回路 605は、 コンピュータネットワークを介したデー 夕伝送技術により送信された放送のデータを 用いて、 画像処理回路 604に送信する信号を生成す る構成としてもよい。 このとき、 受信する信号がデジタル信号の場合には、 映像信号受信部 606 は復調回路及び A— D変換回路等を有していなくてもよい。
[0403]
画像処理回路 604は、 デコーダ回路 605から入力される映像信号に基づいて、 タイミングコン トローラ 607に出力する映像信号を生成する機能を有す る。
[0404]
タイミングコントローラ 607は、 画像処理回路 604が処理を施した映像信号等に含まれる同期 信号を基に、 ゲートドライバ 609及びソースドライバ 608に出力する信号 （クロック信号、 ス タートパルス信号などの信号） を生成する機能を有する。 また、 タイミングコントローラ 607は、 上記信号に加え、 ソースドライバ 608に出力するビデオ信号を生成する機能を有 する。
[0405]
表示パネル 620は、 複数の画素 621を有する。 各画素 621は、 ゲートドライバ 609及びソ ースドライバ 608から供給される信号により駆動される。 ここでは、 画素数が 7680 X 432 0である、 8 K4 K規格に応じた解像度を有する表示パネルの を示している。 なお、 表示パネル 620の解像度はこれに限られず、 フルハイビジョン （画素数 1 920 X 1 080） または 4 K 2 K （画素数 3840 X 21 60） 等の規格に応じた解像度であってもよい。
[0406]
図 1 6に示す制御部 601や画像処理回路 604としては、 例えばプロセッサを有する構成とする ことができる。 例えば、 制御部 60 1は、 C PUとして機能するプロセッサを用いることが きる。 また、 画像処理回路 604として、 例えば D S P （D i g i t a l S i g n a l P r o c e s s o r） 、 GPU （Gr a p h i c s P r o c e s s i n g Un i t） 等の他のプロセッサを 用いることができる。 また制御部 601や画像処理回路 604に、 上記プロセッサを FPGA （F i e l d P r o g r amma b l e Ga t e Ar r a y) や FPAA (F i e l d P r o g r a mm a b l e An a l o g Ar r a y) と V、つたP LD (P r o g r amma b l e L o g i c De v i c e) によつて実現した構成としてもよい。
[0407]
プロセッサは、 種々のプログラムからの命令を解釈し実行す ることで、 各種のデータ処理やプログ ラム制御を行う。 プロセッサにより実行しうるプログラムは、 プロセッサが有するメモリ領域に格 納されていてもよいし、 別途設けられる記憶装置に格納されていても よい。
[0408]
また、 制御部 60 1、 記憶部 602、 通信制御部 6 03、 画像処理回路 604、 デコーダ回路 60 5、 及び映像信号受信部 6 06、 及びタイミングコントローラ 607のそれぞれが有する機能のう ち、 2つ以上の機能を 1つの I Cチップに集約させ、 システム L S Iを構成してもよい。 例えば、 プロセッサ、 デコーダ回路、 チューナ回路、 A— D変換回路、 DRAM、 及び SR AM等を有する システム L S Iとしてもよい。
[0409]
なお、 制御部 60 1や、 他のコンポーネントが有する I C等に、 チャネル形成領域に酸化物半導体 を用い、 極めて低いオフ電流が実現されたトランジス タを利用することもできる。 当該トランジス 夕は、 オフ電流が極めて低いため、 当該トランジスタをメモリとして機能する容 量に流入した電荷 (データ) を保持するためのスイッチとして用いること で、 データの保持期間を長期にわたり確保 することができる。 この特性を制御部 60 1等のレジスタやキャッシュメモリに用いる とで、 必 要なときだけ制御部 60 1を動作させ、 他の場合には直前の処理の情報を当該メモリ に待避させる ことにより、 ノーマリーオフコンピューテイングが可能と なる。 これにより、 テレビジョン装置 6 00の低消費電力化を図ることができる。
[04 1 0]
なお、 図 1 6のテレビジョン装置 6 00の構成は一例であり、 全ての構成要素を含む必要はない。 テレビジョン装置 6 00は、 図 1 6に示す構成要素のうち必要な構成要素を有 ていればよい。 ま た、 テレビジョン装置 600は、 図 1 6に示す構成要素以外の構成要素を有してい もよい。
[04 1 1]
例えば、 テレビジョン装置 600は、 図 1 6に示す構成のほか、 外部インターフェース、 音声出力 部、 タッチパネルユニット、 センサユニット、 カメラユニットなどを有していてもよい。 例えば外 部インターフェースとしては、 例えば U SB (Un i v e r s a l S e r i a l Bu s) 端子、 LAN (L o c a l Ar e a Ne two r k) 接続用端子、 電源受給用端子、 音声出力用端子、 音声入力用端子、 映像出力用端子、 映像入力用端子などの外部接続端子、 赤外線、 可視光、 紫外線 などを用いた光通信用の送受信機、 筐体に設けられた物理ボタンなどがある。 また、 例えば音声入 出力部としては、 サウンドコントローラ、 マイクロフォン、 スピーカなどがある。
[04 1 2]
以下では、 画像処理回路 604についてより詳細な説明を行う。
[04 1 3]
画像処理回路 604は、 デコーダ回路 605から入力される映像信号に基づいて、 画像処理を実行 する機能を有することが好ましい。
[04 1 4] \¥02020/174305 卩（：1' 2020/051228 画像処理としては、 例えばノイズ除去処理、 階調変換処理、 色調補正処理、 輝度補正処理などが挙 げられる。 色調補正処理や輝度補正処理としては、 例えばガンマ補正などがある。
[04 1 5]
また、 画像処理回路 604は、 解像度のアップコンバートに伴う画素間補間 処理や、 フレーム周波 数のアップコンバートに伴うフレーム間補間 処理などの処理を実行する機能を有している ことが好 ましい。
[04 1 6]
例えば、 ノイズ除去処理としては、 文字などの輪郭の周辺に生じるモスキートノ イズ、 高速の動画 で生じるブロックノイズ、 ちらつきを生じるランダムノイズ、 解像度のアップコンバートにより生 じる ドットノイズなどのさまざまなノイズを除去 する。
[04 1 7]
階調変換処理は、 画像の階調を表示パネル 6 20の出力特性に対応した階調へ変換する処理 ある。 例えば階調数を大きくする場合、 小さい階調数で入力された画像に対して、 各画素に対応する階調 値を補間して割り当てることで、 ヒストグラムを平滑化する処理を行うことが できる。 また、 ダイ ナミックレンジを広げる、 ハイダイナミックレンジ （HDR） 処理も、 階調変換処理に含まれる。
[04 1 8]
また、 画素間補間処理は、 解像度をアップコンバートした際に、 本来存在しないデータを補間する。 例えば、 目的の画素の周囲の画素を参照し、 それらの中間色を表示するようにデータを補 間する。
[04 1 9]
また、 色調補正処理は、 画像の色調を補正する処理である。 また輝度補正処理は、 画像の明るさ （輝度コントラスト） を補正する処理である。 例えば、 テレビジョン装置 6 00が設けられる空間 の照明の種類や輝度、 または色純度などを検知し、 それに応じて表示パネル 6 20に表示する画像 の輝度や色調が最適となるように補正する。 または、 表示する画像と、 あらかじめ保存してある画 像リスト内の様々な場面の画像と、 を照合し、 最も近い場面の画像に適した輝度や色調に表 示する 画像を補正する機能を有していてもよい。
[0420]
フレーム間補間は、 表示する映像のフレーム周波数を増大させる 場合に、 本来存在しないフレーム （補間フレーム） の画像を生成する。 例えば、 ある 2枚の画像の差分から 2枚の画像の間に挿入す る補間フレームの画像を生成する。 または 2枚の画像の間に複数枚の補間フレームの画 を生成す ることもできる。 例えばデコーダ回路 605から入力される映像信号のフレーム周波数 が 60H Z であったとき、 複数枚の補間フレームを生成することで、 タイミングコントローラ 607に出力す る映像信号のフレーム周波数を、 2倍の 1 20H 2、 または 4倍の 240H 2、 または 8倍の 48 0 H 2などに増大させることができる。
[042 1]
本実施の形態は、 他の実施の形態と適宜組み合わせることがで きる。
[0422]
<参考例 1 >
本参考例では、 本発明の一態様の表示装置における、 有機化合物の 準位、 及び電子移動度の算出方法について説明する 。
[0423] HOMO準位及び LUMO_位はサイクリックボルタンメ トリ （CV） 測定を元に算出することが できる。
[0424]
本参考例では、 測定装置として、 電気化学アナライザー （ビー .エー .エス （株） 製、 型番： AL Sモデル 6 00 Aまたは 6 00 C） を用いた。 CV測定における溶液は、 溶媒として脱水ジメチル ホルムアミ ド （DM F） （ （株） アルドリッチ製、 99. 8%、 カタログ番号； 2 2705— 6） を用い、 支持電解質である過塩素酸テ トラー n—ブチルアンモニウム （n— B U 4 NC 1 0 4 ） （ （株） 東京化成製、 カタログ番号； T08 36） を 1 00 mmo l /Lの濃度となるように溶解 させ、 さらに測定対象を 2mmo 1 /Lの濃度となるように溶解させて調製した。 作用電極として は白金電極 （ビー ·エー ·エス （株） 製、 PTE白金電極） を、 補助電極としては白金電極 （ビ 一 .エー .エス （株） 製、 VC— 3用 P tカウンター電極 （5 cm） ） を、 参照電極としては A g /Ag+電極 （ビー ·エー ·エス （株） 製、 RE 7非水溶媒系参照電極） をそれぞれ用いた。 測定 は、 室温 （20〜 2 5°C） で行った。 CV測定時のスキャン速度は、 0. l V/s e cに統一し、 参照電極に対する酸化電位 E a [V] 及び還元電位 E c [V] を測定した。 E aは酸化一還元波の 中間電位とし、 E cは還元一酸化波の中間電位とした。 ここで、 本参考例で用いる参照電極の真空 _位に対するポテンシャルエネルギーは、 一4. 94 e Vであることが分かっているため、 HOM 〇準位 [eV] =—4. 94— E a、 LUMO,位 [ e V] =—4. 94— E cという式から、 H OMO_位及び L UMO_位をそれぞれ求めることができる。
[0425]
電子移動度はインピーダンス分光法 （I mp e d a n c e S p e c t r o s c o p y : I S法） により測定することが可能である。
[0426]
E L材料のキャリア移動度の測定は、 過渡光電流法 （T i me— o f — f 1 i g h t : TOF法） や空間電荷制限電流 （S p a c e— c h a r g e— 1 i m i t e d c u r r e n t : SCLC） の I—V特性から求める方法 （SCLC法） などが古くから知られている。 TOF法は実際の有機 E Lデバイスと比較してかなり厚い膜厚の試料 必要となる。 S C L C法ではキャリア移動度の電 界強度依存性が得られないなどの欠点がある 。 I S法では、 測定に必要とする有機膜の膜厚が数百 n m程度と薄いため、 比較的少量の E L材料でも成膜することが可能であり、 実際の有機 E Lデバ イスに近い膜厚で移動度を測定できることが 特徴であり、 キャリア移動度の電界強度依存性も得る ことができる。
[0427]
I S法では、 E Lデバイスに微小正弦波電圧信号 （V = V。 [e x p （ j co t） ] ） を与え、 その 応答電流信号 （ I = I〇 e x p [j （ co t + f）） ] ） の電流振幅と入力信号との位相差より、 E L デバイスのインピーダンス （Z=V/I） を求める。 高周波電圧から低周波電圧まで変化させて E Lデバイスに印加させれば、 インピーダンスに寄与する様々な緩和時間を 有する成分を分離、 測定 することができる。
[0428]
ここで、 インピーダンスの逆数であるアドミタンス Y （= 1/Z） は、 下記式 （1） のようにコン ダクタンス Gとサセプタンス Bで表すことができる。
[0429] [¾1]
[0430]
さらに、 単一電荷注入 （s i n g l e i n j e c t i o n） モデルにより、 それぞれ下記式 （ 2） 及び （3） を算出することができる。 ここで、 g （式 （4） ） は微分コンダクタンスである。 なお、 式中 Cは静電容量 （キャパシタンス） 、 0 は coTであり走行角、 £〇は角周波数を表す。 Tは走行時 間である。 解析には電流の式、 ポアソンの式、 電流連続の式を用い、 拡散電流及びトラップ準位の 存在を無視している。
[0431]
[¾2]
[0432]
静電容量の周波数特性から移動度を算出す る方法が一△ 3法である。 また、 コンダクタンスの周波 数特性から移動度を算出する方法が 法である。
[0433]
実際には、 まず、 電子移動度を求めたい材料の電子オンリーデ バイスを作製する。 電子オンリーデ バイスとは、 キャリアとして電子のみが流れるように設計 されたデバイスである。 本明細書では、 静電容量の周波数特性から移動度を算出する 方法 （一△ 13法） を説明する。
[0434]
測定用に作製した電子オンリーデバイスの 構造を図 1 7八に示し、 具体的な構成を表 1に示す。 本 参考例で作製した電子オンリーデバイスは、 第 1の電極 90 1 （陽極） と第 2の電極 902 （陰極） との間に、 第 1の層 910、 第 2の層 91 1、 及び第 3の層 91 2を有する。 電子移動度を求めた い材料は第 2の層 9 1 1の材料として用いればよい。 本参考例では、 2— { 4 - [9， 1 0—ジ
（ナフタレンー 2—イル） 一2—アントリル] フエニル} — 1—フエニルー 1 H—ベンゾイミダゾ ール （略称： å八〇!'!） と 8—キノリノラトーリチウム （略称： 乙 1 q） の 1 : 1 （重量比） の共 蒸着膜について、 その電子移動度を測定した。 また、 本参考例では、 7— [4 - （10—フヱニル \¥02020/174305 卩(：1' 2020/051228
— 9—アントリル） フエニル] — 7H—ジベンゾ [。， ] カルバゾール （略称：
八） 、 及び、 2— [3， 一 （ジベンゾチオフエンー 4—イル） ビフエニルー 3—イル] ジベンゾ [ 11] キノキサリン （略称： 2mDBTBPDB q— I I） についても電子移動度を測定した。
[0435]
[表 1]
[0436]
å ADNと 1 4の共蒸着膜を第 2の層 9 1 1 として作製した電子オンリーデバイスの電流 密度一 電圧特 1 '生を図 1 8に示す。
[0437]
インピーダンス測定は、 5. 0 〜9. 〇 の範囲で直流電圧を印加しながら、 交流電圧が 7〇111 V、 周波数が 1 H 2〜3MH 2の条件で測定を行った。 ここで得られたインピーダンスの逆数であ るアドミタンス （前述の （ 1） 式） からキャパシタンスを算出する。 印加電圧 7. 〇 における算 出されたキャパシタンス（3の周波数特性を 1 9に示す。
[0438]
キャパシタンス 0の周波数特性は、 微小電圧信号により注入されたキャリアによ る空間電荷が微小 交流電圧に完全には追従できず、 電流に位相差が生じることにより得られる。 ここで、 膜中のキャ リアの走行時間は、 注入されたキャリアが対向電極に到達する時 間丁で定義され、 以下の式 （5） で表される。
[0439]
[¾3] ⑸
[0440]
負サセプタンス変化 （ー 3） は、 静電容量変化一 に角周波数 £0 を乗じた値 （一£0△〇 に対 応する。 その最も低周波側のピーク周波数 ’ （=£0„ 1 /2兀） と走行時間丁との間には、 式 （3） より、 以下の式 （6） の関係があることが導出される。
[044 1]
»女 4]
4.5
7 =
6
2 臓
[0442]
上記測定から算出した （すなわち直流電圧が 7. 〇 の時の） 一△ 3の周波数特性を図 20に示す。 図 20より求まる最も低周波側のピーク周波数 ’ は、 図中の矢印で示した。 [0443]
以上の測定及び解析から得られる ’ から、 走行時間丁が求まるため （式 （6） ） 、 上記式
（5） より、 今回で言えば電圧 7. 〇 における電子移動度を求めることができる。 同様の測定を、 直流電圧 5. 0 〜9. 〇 の範囲で行うことで、 各電圧 （電界強度） での電子移動度が算出でき るため、 移動度の電界強度依存性も測定できる。
[0444]
以上のような算出法により最終的に得られ た、 各有機化合物の電子移動度の電界強度依存性 を図 2 1に示し、 図から読み取った、 電界強度 [V/〇 1x1] の平方根が 600 [V/〇 1x1] 1/2 の時の電 子移動度の値を表 2に示す。 図 21において、 正方形は〇 三角は 2 8
TBPDB q— I Iの結果、 菱形は å八〇 Xと乙 1 qの共蒸着膜の結果を示す。
[0445]
[表 2]
[0446]
以上のように電子移動度を算出することが 可能である。 なお、 詳しい測定方法に関しては、 T a k a y u k 1 Ok a c h i 他 J a p a n e s e J o u r n a l o f Ap p l i e d Ph y s i c s” V o 1. 47， No. 1 2， 2008， p p . 8965— 897
2を参照することができる。
[実施例 1 ]
[0447]
本実施例では、 本発明の一態様の表示装置に用いることがで きる発光デバイスを作製し、 評価した 結果について説明する。
[0448]
本実施例では、 発光デバイスとして、 赤色の光を呈するデバイス R 1、 緑色の光を呈するデバイス G 1、 及び、 青色の光を呈するデバイス B 1を作製し、 評価した結果について説明する。 本実施例 で用いるデバイスの構造を図 1 7 Bに示し、 具体的な構成について表 3に示す。 また、 本実施例で 用レヽる材料の化学式を以下に示す。
[0449]
[表 3]
* 8mQBt8PNfpr:PCBFF;ALD- G018Q i 0,7:0.3:0.0560 ran)
** 8SP ~ 4ffiDBtPB¾)w.jS NCCPiEMppyJiCmbfpypy-d j }] (06:0.4:Q.¾ 50 nm) *** f N~ b NPArrth:3,f OPCAZNbf(|V)~02 <1:0.01525nm>
[0450]
[ft 1]
9mOBt8PNfpr
[045 1]
[ft 2] \¥02020/174305 卩（：17132020 /051228
[0452]
《発光デバイスの作製》
本実施例で作製したデバイス尺 1、 デバイス〇 1、 及びデバイス 31は、 図 1 73に示すように、 基板 （図示しない） 上に第 1の電極 1 30が形成され、 第 1の電極 1 30上に正孔注入層 1 3 1、 正孔輸送層 1 323、 正孔輸送層 1 3213、 発光層 1 33、 電子輸送層 1 34、 及び、 電子注入層 1 35が順次積層され、 電子注入層 1 35上に第 2の電極 140が形成された構造を有する。 各デ バイスは、 さらに、 第 2の電極 140上に、 バッファ層 1 36を有する。 バッファ層 1 36は、 第 2の電極 140 （半透過 .半反射電極） における表面プラズモンによる光エネルギー の損失を低減 する機能を有する。 バッファ層 1 36としては、 発光デバイスに用いることができる各種有機 膜を 採用することができる。
[0453]
まず、 基板上に第 1の電極 1 30を形成した。 電極面積は、 41x11x1 2 （21x11x1X 21x11x1） とした。 基板には、 ガラス基板を用いた。 第 1の電極 1 30は、 銀 （八 § ） とパラジウム （ 〇1） と銅 （匚 \¥02020/174305 ?€1/162020/051228
11） の合金 （八 一 （311 （八 （3） ） をスパッタリング法により成膜し、 酸化挂素を含むイ ンジウム錫酸化物 （ 1丁£0） をスパッタリング法により成膜することで、 形成した。 デバイス尺 1では、 八 （3を膜厚 1 0011111となるように成膜し、 I丁 £〇を膜厚 1 1 011111となるように成 膜した。 デバイス〇 1及びデバイス 31では、 八 〇を膜厚 1 0011111となるように成膜し、 I丁 〇を膜厚 8 511111となるように成膜した。 なお、 本実施例において、 第 1の電極 1 30は、 陽極 として機能する。
[0454]
ここで、 前処理として、 基板の表面を水で洗浄し、 200°〇で 1時間焼成した後、 オゾン処理 を 370秒行った。 その後、 1 0 - 4 3程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に 板を導入し、 真空蒸着装置内の加熱室において、 1 70°〇で 30分間の真空焼成を行った後、 基板を 30分程度 放冷した。
[0455]
次に、 第 1の電極 1 30上に正孔注入層 1 3 1を形成した。 正孔注入層 1 3 1は、 真空蒸着装置内 を 1 0— 4 3に減圧した後、 1^， 1^—ビス （ [13] ナフト [1， 2 - ¢ 1] フランー 8—アミン （略称： （分析工房株 式会社、 材料シリアル番号： 1 320 1 80 3 1 4） とを、 重量比が 1 : 0. 05 （=：88八：811
0 1 <3は、 に対して電子受容性を有する。
[0456]
次に、 正孔注入層 1 3 1上に正孔輸送層 1 3 23を形成した。 正孔輸送層 1 323は、
£を蒸着して形成した。 正孔輸送層 1 323は、 デバイス尺 1では膜厚 3011111となるように形成 し、 デバイス〇 1では膜厚 1 011111となるように形成し、 デバイス：8 1では膜厚 2 511111となるよ うに形成した。
[0457]
次に、 正孔輸送層 1 323上に正孔輸送層 1 32 bを形成した。
[0458]
デバイス尺 1の正孔輸送層 1 3 213は、 1^— （ 1， 1’ ービフエニルー 4—イル） 一1^— [4—
（ 9—フエニルー 9 H—カルバゾールー 3—イル） フエニル] — 9， 9—ジメチルー 9 H—フルオ レンー 2—アミン （略称： を用い、 膜厚が 5011111になるように蒸着して形成した。
[0459]
デバイス〇 1の正孔輸送層 1 3213は、 4， 4’ ージフエニルー 4’ ’ 一 （9—フエニルー 9 H— カルバゾールー 3—イル） トリフエニルアミン （略称： 088 土 18 ） を用い、 膜厚が 6 011 111になるように蒸着して形成した。
[0460]
デバイス：8 1の正孔輸送層 1 3213は、 3， 3’ 一 （ナフタレンー 1， 4—ジイル） ビス （9—フ エニルー 9 H—カルバゾール） （略称： PC z N2） を用い、 膜厚が 1 0111x1になるように蒸着し て形成した。
[046 1]
次に、 正孔輸送層 1 32 b上に発光層 1 33を形成した。
[046 2] \¥02020/174305 ? 1/162020/051228 デバイス尺 1の発光層 1 33は、 9— ［ （3， ージベンゾチオフエンー 4—イル） ビフエニルー 3 —イル］ ナフト ［1， ， 2’ : 4, 5］ フロ ［2， 3— 13］ ピラジン （略称： 91X108 8 X £ ！·） 、 （ 9—フエニルー 9 —カルバゾールー 3—イル） フエニル］ —ビス （9， 9
—ジメチルー 9H—フルオレンー 2—イル） アミン （略称： PCBFF） 、 及び、 八乙〇— 1^00 1 8（3 （分析工房株式会社、 材料シリアル番号： 20 1 6 1 025） を用い、 重量比が〇.
［046 3］
デバイス〇 1の発光層 1 3 3は、 8— （1， 1’ ービフエニルー 4—イル） 一4— ［3— （ジベン ゾチオフエンー 4—イル） フエニル］ — ［ 1］ ベンゾフロ ［ 3， 2 - ¢ 1］ ピリミジン （略称： 88 一 41X108 8 1x1） 、 9— （2—ナフチル） 一 9’ ーフエニルー 9H， 9’ ：《— 3， 3’ —ビカルバゾール （略称： /3 N00 ?） , 及び、 ［2— ¢ 13—メチルー （2—ピリジニルー（ 1^） ベンゾフロ ［2， 3— 13］ ピリジンー <3］ ビス ［2— （2—ピリジニルー（ 1^） フエニルー》 <3］ イリジウム （ I I I） （略称： ［ 1 （ ；7） 2 （11^ £ ：7 ：7—（1 3 ） ］ ） を用い、 重量比が
］ アントラセン （略称： aN- J 3NPAn 1 h） , 及び、 3， 10—ビス ［1^— （9—フエニルー 9 H—カルバゾールー 2—イル） 一1^—フエニルアミノ］ ナフト ［2， 3— 13 ; 6， 7— 13， ］ ビス ベンゾフラン （略称： 3， 10 PCA2Nb f （I V） — 02） を用い、 重量比が 1 : 0. 0 1 5 （= aN- /3 NP An 1 h : 3, 1 0 PCA2Nb f （I V） — 02） 、 膜厚が 25111X1となるよ うに共蒸着して形成した。 3， 10 PCA2Nb f （I V） — 02は青色の発光物質である。
［046 5］
次に、 発光層 1 33上に電子輸送層 1 34を形成した。 デバイス尺 1及びデバイス〇 1における電 子輸送層 1 34は、 2— {4— ［9， 1 0—ジ （ナフタレンー 2—イル） 一 2—アントリル］ フエ ニル} — 1—フエニルー 1 H—ベンゾイミダゾール （略称： å八〇!'!） と 8—キノ リノラ トーリチ ウム （略称： 乙 1 q） とを、 重量比が 1 : 1 （=ZADN : 乙 1 q） 、 膜厚が 2511111となるよう に共蒸着して形成した。 デバイス 3 1における電子輸送層 1 34は、 ZADNと L i qとを、 重量 比が 1 : 0. 8 （=å ADN : 乙 1 q） 、 膜厚が 2511111となるように共蒸着して形成した。
［046 6］
次に、 電子輸送層 1 34上に電子注入層 1 3 5を形成した。 電子注入層 1 3 5は、 乙 1 qを用い、 膜厚が 111111になるように蒸着して形成した。
［046 7］
次に、 電子注入層 1 35上に第 2の電極 1 40を形成した。 第 2の電極 1 40は、 銀 （八 § ） とマ グネシウム （1^ ） とを、 体積比が 1 : 0. 1 （=八 ：］^ ） 、 膜厚が 1 5111X1となるように共 蒸着して形成した。 なお、 本実施例において、 第 2の電極 1 40は、 陰極として機能する。
［0468］
そして、 第 2の電極 1 4 0上にバッファ層 1 3 6を形成した。 バッファ層 1 3 6は、 4， 4’ ， \¥02020/174305 ?€1/162020/051228
4’ ’ 一 （ベンゼンー 1， 3， 5—トリイル） トリ （ジベンゾチオフエン） （略称： 丁 3 一 I I） を用い、 膜厚が 80111x1になるように蒸着して形成した。
[046 9]
以上の工程により、 基板上に一対の電極間に £乙層を挟んでなる発光デバイスを形成した なお、 上述した作製方法における蒸着工程では、 全て抵抗加熱法による蒸着法を用いた。
[0470]
また、 上記に示すように作製した発光デバイスは、 別の基板 （図示せず） により封止される。 なお、 別の基板 （図示せず） を用いた封止の際は、 窒素雰囲気のグローブボックス内において、 紫外光に より固化する接着剤を塗布した別の基板 （図示せず） を基板上に固定し、 当該基板上に形成された 発光デバイスの周囲に接着剤が付着するよう 基板同士を接着させた。 封止時には 3 6 511111の紫外 照射し接着剤を固化し、 8 0°〇にて 1時間熱処理することにより接着剤を安定化 させた。
[047 1]
《発光デバイスの動作特1 ' 生》
デバイス尺 1、 デバイス 01、 及びデバイス 81の動作特性について測定した。 なお、 測定は室温 （25°〇に保たれた雰囲気） で行った。
[0472]
図 2 3〜図 27に、 デバイス尺 1の特性を示す。 図 23は、 デバイス尺 1の輝度一電流密度特性を 示す図である。 図 24は、 デバイス尺 1の輝度一電圧特性を示す図である。 図 25は、 デバイス尺 1の電流効率一輝度特性を示す図である。 図 26は、 デバイス尺 1の電流密度一電圧特性を示す図 である。 図 27は、 デバイス尺 1に 5111八/〇111 2 の電流密度で電流を流した際の発光スペ ク トル を示す図である。
[0473]
図 28〜図 32に、 デバイス〇 1の特性を示す。 図 28は、 デバイス〇 1の輝度一電流密度特性を 示す図である。 図 2 9は、 デバイス〇 1の輝度一電圧特性を示す図である。 図 30は、 デバイス〇 1の電流効率一輝度特性を示す図である。 図 3 1は、 デバイス〇 1の電流密度一電圧特性を示す図 である。 図 32は、 デバイス〇 1に 5111八/〇111 2 の電流密度で電流を流した際の発光スペ ク トル を示す図である。
[0474]
図 3 3〜図 37に、 デバイス 31の特性を示す。 図 33は、 デバイス 31の輝度一電流密度特性を 示す図である。 図 34は、 デバイス 31の輝度一電圧特性を示す図である。 図 35は、 デバイス 3 1の電流効率一輝度特性を示す図である。 図 36は、 デバイス 31の電流密度一電圧特性を示す図 である。 図 37は、 デバイス 8 1に 2 5111八/ 2 の電流密度で電流を流した際の発光スペ ク ト ルを示す図である。
[0475]
表 4に 1 000〇 付近における各発光デバイスの主な初期特丨 生値を示す。
[0476]
[表 4] \¥02020/174305 卩（：1' 2020/051228
[0477]
表 4に示すように、 デバイス尺 1、 〇 1 , は、 それぞれ、 色純度が高い発光を示し、 高効率で あることがわかった。
[0478]
図 27に示すように、 デバイス尺 1は、 60911111付近に最大ピークを有する発光スペク ルを示 した。 また、 図 32に示すように、 デバイス は、 52311111付近に最大ピークを有する発光ス ぺク トルを示した。 また、 図 37に示すように、 デバイス：81は、 45711111付近に最大ピークを 有する発光スぺクトルを示した。
[0479]
《発光デバイスの信頼性特性》
次に、 各発光デバイスに対する信頼性試験を行った 。 信頼性試験の結果を図 38〜図 40に示す。 図 38〜図 40において、 縦軸は初期輝度を 100%とした時の規格化輝度 （％） を示し、 横軸は 駆動時間 （11） を示す。 なお、 信頼性試験は、 デバイス尺 1においては電流密度を 75111八/ 01x1 2 に設定し、 デバイス 01、 31においては電流密度を 5〇111八/ 2 に設定し、 各発光デバイス を駆動させた。
[0480]
図 38より、 デバイス尺 1の 1 100時間後の規格化輝度は 83 %であることがわかった。 図 39 より、 デバイス〇 1の 500時間後の規格化輝度は 57%であることがわかった。 図 40より、 デ バイス 81の 460時間後の規格化輝度は 95 %であることがわかった。
[048 1]
以上のように、 本実施例では、 尺 6 丁 I構造を適用することで、 赤色、 緑色、 及び青色のいずれ の光を呈する発光デバイスにおいても、 駆動寿命の長い発光デバイスを作製すること ができた。 ま た、 本実施例では、 丁 I構造を適用することで、 蛍光発光及び燐光発光のどちらにおいても、 駆動弄命の長レヽ発光デバイスを作製するこ とができた。
[0482]
本実施例で作製した 3つの発光デバイスは、 互いに異なる材料を含む発光層を有する。 一方で、 3 つの発光デバイスには、 同じ材料を用いた層、 さらには、 同じ材料を用い、 かつ、 同じ膜厚の層が ある。 したがって、 本発明の一態様の表示装置の作製においては 、 3色の発光デバイスに共通層を 設け、 少ない作製工程で、 駆動寿命の長い発光デバイスを作製できるこ とが示唆された。
[実施例 2 ]
[0483] \¥02020/174305 ?€1/162020/051228 本実施例では、 本発明の 態様の表示装置に用いることができる発光デ バイスを作製し、 評価した 結果について説明する。
[ 0 4 8 4 ]
本実施例では、 発光デバイスとして、 赤色の光を呈するデバイス尺 2、 緑色の光を呈するデバイス 0 2 , 及び、 青色の光を呈するデバイス 3 2を作製し、 評価した結果について説明する。 本実施例 で用いるデバイスの構造を図 1 7 8に示し、 具体的な構成について表 5に示す。
[ 0 4 8 5 ]
なお、 本実施例で用いる材料の化学式、 及び、 発光デバイスの作製方法については実施例 1を参照 できる。
[ 0 4 8 6 ]
表 5に示すように、 本実施例の発光デバイスは、 電子輸送層 1 3 4が、 Z A D Nと qとの混合 比が互いに異なる 2層の積層構造である点で、 実施例 1の発光デバイスと主に異なる。 具体的には、 本実施例の発光デバイスにおける電子輸送層 1 3 4は、 陽極 （第 1の電極 1 3 0） 側に比べて、 陰 極 （第 2の電極 1 4 0） 側のほうが、 乙 1 4の含有量が少ない。
[ 0 4 8 8 ]
《発光デバイスの動作特1 ' 生》
デバイス尺 2、 デバイス 0 2、 及びデバイス 8 2の動作特性について測定した。 なお、 測定は室温 （2 5 °〇に保たれた雰囲気） で行った。
[ 0 4 8 9 ]
図 4 1〜図 4 5に、 デバイス尺 2の特性を示す。 図 4 1は、 デバイス尺 2の輝度一電流密度特性を 示す図である。 図 4 2は、 デバイス尺 2の輝度一電圧特性を示す図である。 図 4 3は、 デバイス尺 2の電流効率一輝度特性を示す図である。 図 4 4は、 デバイス尺 2の電流密度一電圧特性を示す図 である。 図 4 5は、 デバイス尺 2に 5 111八/〇111 2 の電流密度で電流を流した際の発光スペ ク トル を示す図である。
[ 0 4 9 0 ]
図 4 6〜図 5 0に、 デバイス〇 2の特性を示す。 図 4 6は、 デバイス〇 2の輝度一電流密度特性を 示す図である。 図 4 7は、 デバイス〇 2の輝度一電圧特性を示す図である。 図 4 8は、 デバイス〇 2の電流効率一輝度特性を示す図である。 図 4 9は、 デバイス〇 2の電流密度一電圧特性を示す図 \¥02020/174305 卩（：1' 2020/051228 である。 図 50は、 デバイス〇 2に 5111八/〇111 2 の電流密度で電流を流した際の発光スペ ク トル を示す図である。
[0491]
図 5 1〜図 55に、 デバイス 32の特性を示す。 図 51は、 デバイス 32の輝度一電流密度特性を 示す図である。 図 52は、 デバイス 32の輝度一電圧特性を示す図である。 図 53は、 デバイス 3 2の電流効率一輝度特性を示す図である。 図 54は、 デバイス 32の電流密度一電圧特性を示す図 である。 図 55は、 デバイス 82に 14. 7111八/〇 111 2 の電流密度で電流を流した際の発光スぺ クトルを示す図である。
[0492]
表 6に 1000〇 付近における各発光デバイスの主な初期特丨 生値を示す。
[0493]
[表 6]
[0494]
表 6に示すように、 デバイス尺 2、 02, 32は、 それぞれ、 色純度が高い発光を示し、 高効率で あることがわかった。
[0495]
図 45に示すように、 デバイス尺 2は、 6 1 0111x1付近に最大ピークを有する発光スペクト ルを示 した。 また、 図 50に示すように、 デバイス 02は、 52111111付近に最大ピークを有する発光ス ぺク トルを示した。 また、 図 55に示すように、 デバイス：82は、 45911111付近に最大ピークを 有する発光スぺクトルを示した。
[0496]
《発光デバイスの信頼性特性》
次に、 各発光デバイスに対する信頼性試験を行った 。 信頼性試験の結果を図 56〜図 58に示す。 図 56〜図 58において、 縦軸は初期輝度を 100%とした時の規格化輝度 （％） を示し、 横軸は 駆動時間 （11） を示す。 なお、 信頼性試験は、 デバイス尺 2においては電流密度を 75111八/
2 に設定し、 デバイス 02、 32においては電流密度を 5〇111八/ 2 に設定し、 各発光デバイス を駆動させた。
[0497]
図 56より、 デバイス尺2の 1080時間後の規格化輝度は 84 %であることがわかった。 図 57 より、 デバイス 02の 23時間後の規格化輝度は 96%であることがわかった。 図 58より、 デバ \¥02020/174305 卩(：17162020 /051228 イス 82の 530時間後の規格化輝度は 95 %であることがわかった。
[0498]
デバイス尺2、 02, 82は、 それぞれ、 初期劣化の小さい挙動を示していることがわ かった。
[0499]
以上のように、 本実施例では、 尺 6 丁 I構造を適用することで、 赤色、 緑色、 及び青色のいずれ の光を呈する発光デバイスにおいても、 駆動寿命の長い発光デバイスを作製すること ができた。 ま た、 本実施例では、 丁 I構造を適用することで、 蛍光発光及び燐光発光のどちらにおいても、 駆動弄命の長レヽ発光デバイスを作製するこ とができた。
[0500]
本実施例で作製した 3つの発光デバイスは、 互いに異なる材料を含む発光層を有する。 一方で、 3 つの発光デバイスには、 同じ材料を用いた層、 さらには、 同じ材料を用い、 かつ、 同じ膜厚の層が ある。 したがって、 本発明の一態様の表示装置の作製においては 、 3色の発光デバイスに共通層を 設け、 少ない作製工程で、 駆動寿命の長い発光デバイスを作製できるこ とが示唆された。
[実施例 3 ]
[0501]
本実施例では、 本発明の一態様の表示装置に用いることがで きる発光デバイスを作製し、 評価した 結果について説明する。
[0502]
本実施例では、 発光デバイスとして、 赤色の光を呈するデバイス尺 3、 緑色の光を呈するデバイス 03, 及び、 青色の光を呈するデバイス 33を作製し、 評価した結果について説明する。 本実施例 で用いるデバイスの構造を図 178に示し、 具体的な構成について表 7に示す。
[0503]
なお、 本実施例の発光デバイスの作製方法について は実施例 1を参照できる。 また、 本実施例で用 いる材料の化学式を以下に示す。 なお、 既に示した材料の化学式は省略する。
[0504]
[表 7]
[0505]
[化 3] \¥02020/174305 卩（：1' 2020/051228
[3 附ぺ¾（ ％ : ,）』
[0506]
表 7に示すように、 本実施例の発光デバイスは、 電子輸送層 1 34が、 ZADNと qとの混合 比が互いに異なる 2層の積層構造である点で、 実施例 1の発光デバイスと主に異なる。 具体的には、 本実施例の発光デバイスにおける電子輸送層 1 34は、 陽極 （第 1の電極 1 30） 側に比べて、 陰 極 （第 2の電極 140） 側のほうが、 乙 1 4の含有量が少ない。
[0507]
また、 デバイス〇 3の発光層 1 33は、 及び、 [2
を用い、 重量比が〇. 6 : 0. 4 : 0. 1 （=813?— 4111〇]31 ?]3 £ 111 : （ ：7） 2 （mb f p y p y） ] ） 、 膜厚が 50111X1となるように共蒸着し て形成した。
[0508]
本実施例における赤色の光を呈するデバイ ス尺 3、 緑色の光を呈するデバイス〇 3、 及び、 青色の 光を呈するデバイス 33の発光色は、 それぞれ有機 £乙デバイスを用いた市販の表示装置 （スマー トフォン） の副画素と同様の色度になるよう作製した。
[0509]
《発光デバイスの信頼性特性》
各発光デバイスに対する信頼性試験を行っ た。 信頼性試験の結果を図 59に示す。 図 59において、 縦軸は初期輝度を 100%とした時の規格化輝度 （％） を示し、 横軸は駆動時間 （11） を示す。
[0510]
なお、 本実施例では、 赤色の光を呈するデバイス尺 3、 緑色の光を呈するデバイス〇 3、 及び、 青 色の光を呈するデバイス 33を、 上記市販の表示装置 （スマートフォン） の副画素における発光デ バイス （有機 デバイス） と同様の輝度と色度で発光させて信頼性試験 を行った。 当該市販の表 示装置において、 各色を単色で、 明るさを階調 255/255 （明るさ 100%） の設定で発光さ せたときの輝度は、 （〇） 32.
であった。 また、 当該市販の表示装置の副画素の開口率は、 赤が 4. 5%、 緑が 4. . 8%であった。 この開口率の値と、 上記表示装置における の各輝度から、 副 ） 内の各輝度が求まる。 最後に、 円偏光板を含めた透過率を 40%と仮定する （副画 内の各輝度を〇. 4で割る） ことで、 デバイス尺 3、 03, 及び 33を駆動する際の 輝度を決定することができる。 なお、 当該市販の表示装置では、 各副画素にカラーフィルタ及び円 偏光板が設けられており、 これらを介して、 各有機 £ デバイスの色度及び輝度を測定した。 本実 施例の発光デバイスにおいても、 各発光デバイス上に各色を透過するカラーフ ィルタを載せ、 当該 カラーフィルタを介して、 各発光デバイスの色度と輝度を測定した。 \¥02020/174305 卩（：1' 2020/051228
[051 1]
表 8に各発光デバイスの信頼性試験における駆 条件を示す。 すなわち、 デバイス尺 3、 03、 及 び 83は、 それぞれ、 初期輝度が
111 2 となる条件で定電流駆動した。
[051 2]
[表 8]
[051 3]
図 59に示すように、 デバイス尺3の乙丁95 （輝度が初期輝度の 95%まで低下する時間） は 3 000時間以上であり、 デバイス03の乙丁 95は、 480時間であり、 デバイス：83の乙丁 95 は、 1640時間であった。
[0514]
一般に、 赤色、 緑色、 青色の発光デバイスのうち、 青色の発光デバイスが最も駆動寿命が短くな る 傾向があるところ、 本実施例の発光デバイスでは、 赤色の発光デバイスに次いで、 青色の発光デバ イスの駆動寿命が長かった。 本実施例では、 青色の光を呈する発光デバイスに、 蛍光を発する発光 層、 及び、 尺 6 丁 I構造を適用している。 これにより、 青色の光を呈する発光デバイスの初期劣 化を抑制し、 駆動寿命を非常に長くすることができたと考 えられる。
[051 5]
なお、 発光寿命を で同等としたい場合、 各色の副画素の開口率を変えることで必要輝 度を変 えることができるため、 発光寿命の調整が可能である。 その際にも初期劣化が抑えられる効果は期 待できるため、 各色において、 長寿命な発光デバイスを作製することが可能 といえる。 尺63丁 1 構造が採用された青色蛍光デバイスの寿命は 非常に長いため、 当該青色蛍光デバイスを用いた〇乙 £〇ディスプレイの場合、 従来の〇乙 £〇ディスプレイよりも青色の副画素の開口 を小さくする ことができる。 また、 丁 I構造と £ 丁£丁を用いた赤色燐光デバイスも、 非常に寿命が長 いため、 のうち、 赤色の副画素の開口率を最も小さくすること ができる。 そして、 の うち、 緑色の副画素の開口率を最も大きくすること で、 白色表示のバランスを保ったまま、 全体的 な寿命を延ばすことができる。 青色と赤色の副画素の開口率を小さくできる 点は、 ペンタイル方式 の表示装置の高精細化にも有利である。
[051 6]
以上のように、 本実施例では、 尺 6 丁 I構造を適用することで、 赤色、 緑色、 及び青色のいずれ の光を呈する発光デバイスにおいても、 駆動寿命の長い発光デバイスを作製すること ができた。 ま \¥02020/174305 ?€1/162020/051228 た、 本実施例では、 丁 I構造を適用することで、 蛍光発光及び燐光発光のどちらにおいても、 駆動弄命の長レヽ発光デバイスを作製するこ とができた。
[051 7]
本実施例で作製した 3つの発光デバイスは、 互いに異なる材料を含む発光層を有する。 一方で、 3 つの発光デバイスには、 同じ材料を用いた層、 さらには、 同じ材料を用い、 かつ、 同じ膜厚の層が ある。 したがって、 本発明の一態様の表示装置の作製においては 、 3色の発光デバイスに共通層を 設け、 少ない作製工程で、 駆動寿命の長い発光デバイスを作製できるこ とが示唆された。
[0518]
<参考例 2 >
本参考例では、 実施例 1〜実施例 3で用いた 8— （1， 1’ ービフヱニルー 4—イル） 一 4一 [ 3 — （ジベンゾチオフエンー 4—イル） フエニル] — [1] ベンゾフロ [3， 2 - ¢ 1 ] ピリミジン （略称： 88 一 41110 1x0 の合成方法について説明する。
[051 9]
[^4]
[0520]
8—クロロー 4— [3— （ジベンゾチオフエンー 4—イル） フエニル] — [1] ベンゾフロ [3，
2 - ¢ 1] ピリミジン 1. 37 § 、 4—ビフエニルボロン酸〇. 657 § 、 リン酸三カリウム 1. 9 1 、 ジエチレングリコールジメチルエーテル 301X11 ^ 、 1;—ブタノール〇.
662 § を三ロフラスコに入れ、 フラスコ内を減圧下攪拌することで脱気し、 窒素置換した。
[0521 ]
この混合物を 60°（：に加熱し、 酢酸パラジウム （I I） 23. 、 ジ （1—アダマンチル） 一
11—ブチルホスフィン 66. を加え、 1 20。（：で 27時間攪拌した。 この反応液に水を加え て吸引ろ過し、 得られたろ物を水、 エタノール、 及びトルエンで洗浄した。 このろ物を熱したトル エンで溶解し、 セライ ト、 アルミナ、 セライ トの順に充填したろ過補助剤に通した。 得られた溶液 を濃縮、 乾固し、 トルエンにて再結晶することにより、 目的物である白色固体を収量 1. 28 収率 74 %で得た。
[0522]
この白色固体 1. 26 § を、 トレインサブリメーション法により昇華精製 した。 昇華精製では、 圧 力 2. 56 3、 アルゴンガスを流量 31 0 °〇で固体を加熱した。 昇華精製後、 目的物の淡黄色固体を 1. 01 回収率 80%で得た。 この合成スキームを式 （3 一 1） に示す。
[0523]
№5] \¥02020/174305 卩（：1' 2020/051228
[0524]
なお、 上記反応で得られた淡黄色固体の核磁気共鳴 分光法 ( 1 H-NMR) による分析結果を下記 に示す。 この結果から、
[0525]
1 H-NMR. 5 (〇〇〇 1 3 ) : 7. 39 (1;， 1 、 7. 47— 7. 53 (1x1， 4 、 7.
63— 7. 67 (1x1， 2 、 7. 68 ( ¢ 1, 2 、 7. 75 ( ¢ 1, 2 、 7. 79— 7. 8 3 (1x1, 4 、 7. 87 ( ¢ 1, 1 、 7. 98 ( ¢ 1, 1 、 8. 02 ( ¢ 1, 1 、 8. 2
3— 8. 26 〇， 2 、 8. 57 ( 8 , 1 、 8. 73 ( ¢ 1， 1 、 9. 05 ( 8 , 1 、 9. 34 ( 8 , 1 。
[符号の説明]
[0526]
〇 1 :配線、 〇 2 :配線、 1^1 : トランジスタ、 1^2 : トランジスタ、 1^3 : トランジスタ、 IV!
4 : トランジスタ、 V 0 :配線、 1 0八：表示装置、 108 :表示装置、 1 0 (3 :表示装置、 10 〇 :表示装置、 10 £ :表示装置、 218 :光、 2 1〇 :光、 21尺 ：光、 42 : トランジスタ、 51 :画素、 52 :画素、 53 :画素、 54 :画素、 100八：表示装置、 1008 :表示装置、 10 1 :陽極、 102 :陰極、 103 : £乙層、 1 1 2 :共通層、 1 14 :共通層、 1 1 5 :共通 電極、 1 2 1 :正孔注入層、 1 22 :正孔輸送層、 1 223 :正孔輸送層、 1 2213 :正孔輸送層、 1 23 :発光層、 1 23— 1 :発光領域、 1 24 :電子輸送層、 1 24— 1 :非発光再結合領域、 1 243 ：電子輸送層、 1 2413 :電子輸送層、 1 25 :電子注入層、 1 30 :第 1の電極、 1 3
1 :正孔注入層、 1 32 & :正孔輸送層、 1 3213 :正孔輸送層、 1 33 :発光層、 1 34 :電子 輸送層、 1 35 :電子注入層、 1 36 :バッファ層、 140 :第 2の電極、 142 :接着層、 14 3 :空間、 1 5 1 :基板、 1 52 :基板、 1 53 :基板、 1 54 :基板、 1 55 :接着層、 1 6 2 :表示部、 1 64 :回路、 1 65 :配線、 1 66 :導電層、 1 72 : FPC、 1 73 : 1 (3、 1
82 :共通層、 184 :共通層、 1 90 :発光デバイス、 1 9 発光デバイス、 1 90〇 :発 光デバイス、 1 90尺 ：発光デバイス、 1 9 1 :画素電極、 1 92 :バッファ層、 1 928 :バッ ファ層、 1 920 :バッファ層、 1 92尺 ：バッファ層、 1 93 :発光層、 1 938 :発光層、 1
930 :発光層、 1 93尺 ：発光層、 1 94 :バッファ層、 1 948 :バッファ層、 1 940 :バ ッファ層、 1 94尺 ：バッファ層、 1 95 :保護層、 1 953 :無機絶縁層、 1 9513 :有機絶縁 層、 1 95 (： :無機絶縁層、 1 99 :光学調整層、 1 998 :光学調整層、 1 990 :光学調整層、 \¥02020/174305 卩（：1' 2020/051228
1 99尺 ：光学調整層、 20 1 : トランジスタ、 202 : トランジスタ、 204 :接続部、 20 5 : トランジスタ、 210 : トランジスタ、 21 1 :絶縁層、 21 2 :絶縁層、 2 1 3 :絶縁層、
214 :絶縁層、 2 1 5 :絶縁層、 21 6 :隔壁、 218 :絶縁層、 221 :導電層、 2223 ： 導電層、 22213 :導電層、 223 :導電層、 225 :絶縁層、 228 :領域、 231 :半導体層、 23 1 1 ：チャネル形成領域、 23 111 :低抵抗領域、 242 :接続層、 600 :テレビジョン装 置、 601 :制御部、 602 :記憶部、 603 :通信制御部、 604 :画像処理回路、 605 :デ コーダ回路、 606 :映像信号受信部、 607 : タイミングコントローラ、 608 : ソースドライ バ、 609 :ゲートドライバ、 620 :表示パネル、 621 :画素、 630 : システムバス、 73 0 :絶縁膜、 770 :平坦化絶縁膜、 772 :導電膜、 782 :発光デバイス、 783 :液滴吐出 装置、 784 :液滴、 785 :組成物を含む層、 786 : £乙層、 788 :導電膜、 901 :第 1 の電極、 902 :第 2の電極、 91 0 :第 1の層、 91 1 :第 2の層、 91 2 :第 3の層、 140 0 :液滴吐出装置、 1402 :基板、 1403 :液滴吐出手段、 1404 :撮像手段、 1405 : ヘッド、 1406 :点線、 1407 :制御手段、 1408 :記憶媒体、 1409 :画像処理手段、 14 10 : コンピュータ、 141 1 :マーカー、 141 2 :ヘッド、 141 3 :材料供給源、 14 1 4 :材料供給源、 7000 :表示部、 7 1 00 :テレビジョン装置、 7 1 0 1 :筐体、 7 1 0 3 :スタンド、 71 1 1 : リモコン操作機、 7200 : ノート型パーソナルコンピュータ、 721 1 :筐体、 721 2 : キーボード、 721 3 :ポインティングデバイス、 7214 :外部接続ポー 卜、 7300 :デジタルサイネージ、 730 1 :筐体、 7303 :スピーカ、 73 1 1 :情報端末 機、 7400 :デジタルサイネージ、 740 1 :柱、 741 1 :情報端末機、 9000 :筐体、 9 00 1 :表示部、 9003 :スピーカ、 9005 :操作キー、 9006 :接続端子、 9007 :セ ンサ、 9008 :マイクロフオン、 9050 :アイコン、 9051 :情報、 9052 :情報、 90 53 :情報、 9054 :情報、 9055 : ヒンジ、 9101 :携帯情報端末、 91 02 :携帯情報 端末、 9200 :携帯情報端末、 9201 :携帯情報端末