도 1은 실시예에 따른 표시장치를 도시한 구성도이다. 도 2는 스위칭 신호들의 파형을 도시한 파형도이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 표시장치는 게이트 배선들(GL1, GL2...), 데이터 배선들(DL1, DL2...), 스위칭신호 배선들(SL1, SL2...), 바이어스 배선들(BL1, BL2...), 스위칭 소자들, 화소 전극들(PX1, PX2...), 센싱 소자들(SU1, SU2...) 및 제어부(100)를 포함한다.

상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)은 제 1 방향으로 연장되어 배치된다. 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)은 상기 제어부(100)와 전기적으로 연결된다. 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)은 상기 제어부(100)로부터 게이트 신호들(GS1, GS2...)을 인가받아 상기 스위칭 소자들에 인가한다.

상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)은 제 2 방향으로 연장되어 배치된다. 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)은 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)과 교차하며 배치된다. 이에 따라서, 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...) 및 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)에 의해서 다수 개의 화소 영역들(P1, P2...)이 형성된다.

상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)은 상기 제어부(100)와 전기적으로 연결되며, 상기 제어부(100)로부터 스캔 신호들을 인가받는다.

상기 스위칭신호 배선들(SL1, SL2...)은 상기 제 2 방향으로 연장되어 배치된다. 상기 스위칭신호 배선들(SL1, SL2...)은 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)과 나란히 배치된다.

상기 스위칭신호 배선들(SL1, SL2...)은 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)과 나란히 배치되며, 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)과 같은 개수로 배치될 수 있다.

이와는 다르게, 상기 스위칭신호 배선들(SL1, SL2...)은 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...) 두 개당 하나씩 배치될 수 있으며, 세 개당 하나씩 배치될 수 있다.

상기 스위칭신호 배선들(SL1, SL2...)은 하나의 연결배선(CL)에 의해서, 상기 제어부(100)와 전기적으로 연결된다. 즉, 상기 스위칭신호 배선들(SL1, SL2...)은 서로 전기적으로 연결되고, 상기 제어부(100)는 상기 스위칭신호 배선들(SL1, SL2...)에 동일한 스위칭 신호(SWS)를 인가한다.

또한, 상기 스위칭신호 배선들(SL1, SL2...)은 상기 제어부(100)로부터 상기 스위칭 신호(SWS)를 인가받아, 상기 스위칭 소자들에 인가한다.

상기 바이어스 배선들(BL1, BL2...)은 상기 제 1 방향으로 배치된다. 상기 바이어스 배선들(BL1, BL2...)은 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)과 나란히 배치된다.

상기 바이어스 배선들(BL1, BL2...)은 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)과 동일한 개수로 배치될 수 있다.

이와는 다르게, 상기 바이어스 배선들(BL1, BL2...)은 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...) 두 개당 또는 세 개당 하나씩 배치될 수 있다.

상기 바이어스 배선들(BL1, BL2...)은 상기 제어부(100)와 전기적으로 연결된다. 상기 바이어스 배선들(BL1, BL2...)은 상기 제어부(100)로부터 바이어스 전압을 인가받아, 상기 센싱 소자들(SU1, SU2...)에 인가한다.

상기 스위칭 소자들은 각각 화소 영역들(P1, P2...)에 배치된다. 상기 스위칭 소자들은 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)을 각각 상기 화소 전극들(PX1, PX2...) 또는 상기 센싱 소자들(SU1, SU2...)에 선택적으로 연결한다.

예를 들어, 상기 스위칭 소자들은 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)을 각각 상기 화소 전극들(PX1, PX2...)에 연결시키고, 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)와 상기 센싱 소자들(SU1, SU2...)은 단락시킬 수 있다.

반대로, 상기 스위칭 소자들은 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)을 상기 화소 전극들(PX1, PX2...)와 단락시키고, 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)을 각각 상기 센싱 소자들(SU1, SU2...)에 연결시킬 수 있다.

예를 들어, 하나의 픽셀(P1)에서 스위칭 소자(SW11, SW21)의 동작을 살펴본다. 상기 스위칭 소자(SW11, SW21)는 게이트 배선(GL1) 및 스위칭신호 배선(SL1)으로부터 신호를 입력받아 구동된다. 상기 스위칭 소자(SW11, SW21)은 픽셀 전극(PX1) 및 데이터 배선(DL1)을 연결할 때, 상기 데이터 배선(DL1) 및 센싱 소자(SU1)을 단락시킨다. 또한, 상기 스위칭 소자(SW11, SW21)은 상기 픽셀 전극(PX1) 및 상기 데이터 배선(DL1)을 단락시킬 때, 상기 데이터 배선(DL1) 및 상기 센싱 소자(SU1)을 연결시킨다.

상기 스위칭 소자들은 제 1 스위칭 소자들(SW11, SW12...) 및 제 2 스위칭 소자들(SW11, SW12...)를 포함한다.

상기 제 1 스위칭 소자들(SW11, SW12...) 및 상기 제 2 스위칭 소자들(SW11, SW12...)은 상기 제어부(100)로부터 상기 게이트 배선들(GL1, GL2) 및 상기 스위칭신호 배선들(SL1, SL2...)통하여 인가되는 신호에 의해서 구동된다.

또한, 상기 제 1 스위칭 소자들(SW11, SW12...) 및 상기 제 2 스위칭 소자들(SW11, SW12...)은 서로 반대로 구동된다. 즉, 상기 제 1 스위칭 소자들(SW11, SW12...) 및 상기 제 2 스위칭 소자들(SW11, SW12...)은 서로 배타적으로 구동된다. 예를 들어, 상기 제 1 스위칭 소자들(SW11, SW12...)이 턴-온될 때, 상기 제 2 스위칭 소자들(SW11, SW12...)은 턴-오프되고, 상기 제 1 스위칭 소자들(SW11, SW12...)이 턴-오프될 때, 상기 제 2 스위칭 소자들(SW11, SW12...)은 턴-온된다.

상기 제 1 스위칭 소자들(SW11, SW12...)은 상기 화소 영역들(P1, P2...)에 각각 배치된다. 상기 제 1 스위칭 소자들(SW11, SW12...)은 각각의 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...) 및 각각의 상기 화소 전극들(PX1, PX2...) 사이를 선택적으로 전기적으로 연결한다.

여기서, 화소 영역(P1)에 배치되는 제 1 스위칭 소자(SW11)에 대해서 구체적으로 설명한다. 상기 제 1 스위칭 소자(SW11)는 상기 데이터 배선(DL1) 및 상기 화소 전극(PX1) 사이를 선택적으로 전기적으로 연결한다.

또한, 상기 제 1 스위칭 소자(SW11)는 상기 데이터 배선(DL1) 및 상기 화소 전극(PX1)에 전기적으로 접속된다.

상기 제 1 스위칭 소자(SW11)는 제 1 게이트 신호(GS1) 및 상기 스위칭 신호(SWS)에 의해서 구동된다. 즉, 상기 제 1 스위칭 소자(SW11)는 제 1 게이트 신호(GS1) 및 상기 스위칭 신호(SWS)에 의해서, 턴-온(turn-on) 또는 턴-오프(turn-off)된다. 즉, 상기 데이터 배선(DL1) 및 상기 화소 전극(PX1)은 상기 제 1 게이트 신호(GS1) 및 상기 스위칭 신호(SWS)에 의해서, 전기적으로 연결되거나 단절된다.

상기 제 1 스위칭 소자(SW11)는 제 1 N형 모스 전계효과 트랜지스터(n type metal oxide semiconductor field effect transistor;nMOSFET)(NS11) 및 제 2 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS21)를 포함한다.

상기 제 1 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS11)는 상기 게이트 신호들(GS1, GS2...)에 의해서, 턴-온 또는 턴-오프된다.

상기 제 2 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS21)는 상기 스위칭 신호(SWS)에 의해서 턴-온 또는 턴-오프된다.

또한, 상기 제 1 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS11) 및 상기 제 2 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS21)는 직렬로 연결된다.

따라서, 상기 제 1 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS11) 및 상기 제 2 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS21)가 모두 턴-온 될 때, 상기 데이터 배선(DL1) 및 상기 화소 전극(PX1)은 전기적으로 연결된다.

상기 제 2 스위칭 소자들(SW21, SW22...)은 상기 화소 영역들(P1, P2...)에 배치된다. 상기 제 2 스위칭 소자들(SW21, SW22...)은 상기 화소 영역들(P1, P2...)에 각각 하나 씩 배치될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 제 2 스위칭 소자들(SW21, SW22...)은 상기 화소 영역들(P1, P2...) 두 개당 또는 세 개당 하나 씩 배치될 수 있다.

상기 제 2 스위칭 소자들(SW21, SW22...)은 각각의 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...) 및 각각의 상기 센싱 소자들(SU1, SU2...) 사이를 선택적으로 전기적으로 연결한다.

여기서, 상기 화소 영역(P1)에 배치되는 제 2 스위칭 소자(SW21)에 대해서 구체적으로 설명한다.

상기 제 2 스위칭 소자(SW21)는 상기 데이터 배선(DL1) 및 상기 센싱 소자(SU1)에 전기적으로 접속된다. 그리고, 상기 데이터 배선(DL1) 및 상기 센싱 소자(SU1)를 선택적으로 전기적으로 연결한다.

상기 제 2 스위칭 소자(SW21)는 제 1 게이트 신호(GS1) 및 상기 스위칭 신호(SWS)에 의해서 구동된다. 즉, 상기 제 2 스위칭 소자(SW21)는 제 1 게이트 신호(GS1) 및 상기 스위칭 신호(SWS)에 의해서, 턴-온(turn-on) 또는 턴-오프(turn-off)된다. 즉, 상기 데이터 배선(DL1) 및 상기 센싱 소자(SU1)는 상기 제 1 게이트 신호(GS1) 및 상기 스위칭 신호(SWS)에 의해서, 전기적으로 연결되거나 단절된다.

상기 제 2 스위칭 소자(SW21)는 제 3 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS31) 및 P형 모스 전계효과 트랜지스터(PS1)를 포함한다.

상기 제 3 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS31)는 상기 제 1 게이트 신호(GS1)에 의해서 턴-온 또는 턴-오프된다.

상기 P형 모스 전계효과 트랜지스터(PS1)는 상기 스위칭 신호(SWS)에 의해서 턴-오프 또는 턴-온된다. 상기 P형 모스 전계효과 트랜지스터(PS1)는 상기 제 1 내지 제 3 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS31)와 반대의 특성을 가진다.

예를 들어, 상기 제 1 내지 제 3 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS31) 및 상기 P형 모스 전계효과 트랜지스터(PS1)에 정 극성의 전압(+)이 인가되면, 상기 제 1 내지 제 3 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS31)는 턴-온된다. 이때, 상기 P형 모스 전계효과 트랜지스터(PS1)는 턴-오프된다.

또한, 상기 제 1 내지 제 3 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS31) 및 상기 P형 모스 전계효과 트랜지스터(PS1)에 부 극성의 전압(-)이 인가되면, 상기 제 1 내지 제 3 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS31)는 턴-오프된다. 이때, 상기 P형 모스 전계효과 트랜지스터(PS1)는 턴-온된다.

여기서, 상기 정 극성의 전압(+) 및 상기 부 극성의 전압(-)은 상대적인 전위를 가지며, 상기 정 극성의 전압(+)이 상기 부 극성의 전압(-)보다 높은 전위를 가진다.

또한, 상기 제 3 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS31) 및 상기 P형 모스 전계효과 트랜지스터(PS1)는 직렬로 연결된다.

따라서, 상기 제 3 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS31) 및 상기 P형 모스 전계효과 트랜지스터(PS1)가 모두 턴-온 될 때, 상기 센싱 소자(SU1) 및 상기 데이터 배선(DL1)은 전기적으로 연결된다.

상기 제 2 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS21) 및 상기 P형 모스 전계효과 트랜지스터(PS1)는 상기 스위칭 신호(SWS)에 의해서 작동된다. 따라서, 상기 제 2 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS21) 및 상기 P형 모스 전계효과 트랜지스터(PS1)는 반대로 작동된다.

예를 들어, 동일한 신호에 의해서, 상기 제 2 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS21)가 턴-온되면, 상기 P형 모스 전계효과 트랜지스터(PS1)는 턴-오프된다.

또한, 상기 제 1 N형 전계효과 트랜지스터 및 상기 제 3 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS31)는 상기 제 1 게이트 신호(GS1)에 의해서 작동된다. 따라서, 상기 제 1 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS11) 및 상기 제 3 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS31)는 같은 방식으로 작동된다.

예를 들어, 상기 제 1 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS11) 및 상기 제 3 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS31)는 동시에 턴-온 또는 턴-오프된다.

이와는 다르게, 상기 제 1 스위칭 소자(SW11)가 서로 다른 도전형의 모스 전계 효과 트랜지스터들을 포함하고, 상기 제 2 스위칭 소자(SW21)는 서로 같은 도전형의 모스 전계 효과 트랜지스터들을 포함할 수 있다.

상기 화소 전극들(PX1, PX2...)은 상기 화소 영역들(P1, P2...)에 각각 하나 씩 배치된다.

상기 화소 전극들(PX1, PX2...)은 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)을 통하여 스캔신호들을 인가받는다. 그리고, 상기 스캔신호들에 의해서, 상기 화소 전극들(PX1, PX2...)은 공통 전극과 전계를 형성하고, 상기 전계에 의해서 영상을 표시할 수 있다.

상기 센싱 소자들(SU1, SU2...)은 상기 화소 영역들(P1, P2...)에 배치된다. 상기 센싱 소자들(SU1, SU2...)은 상기 제 2 스위칭 소자들(SW21, SW22...)이 배치된 화소 영역들(P1, P2...)에 각각 하나 씩 배치된다.

상기 센싱 소자들(SU1, SU2...)은 외부에서 입력되는 터치 또는 광 등의 신호를 센싱한다. 상기 센싱 소자들(SU1, SU2...)은 예를 들어, 포토 다이오드 또는 포토 박막 트랜지스터일 수 있다.

상기 센싱 소자들(SU1, SU2...)은 상기 바이어스 배선들(BL1, BL2...)과 전기적으로 연결되며, 상기 제 2 스위칭 소자들(SW21, SW22...)에 각각 접속된다.

상기 센싱 소자들(SU1, SU2...)은 외부에서 입력되는 신호에 의해서, 센싱 신호를 발생시킨다. 즉, 상기 센싱 소자들(SU1, SU2...)에 터치 또는 광 등의 신호가 인가되면, 상기 바이어스 배선들(BL1, BL2...)을 통해서 인가되는 전류를 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)을 통해서 시스템(110)에 인가한다.

상기 제어부(100)는 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...), 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...), 상기 바이어스 배선들(BL1, BL2...) 및 상기 스위칭신호 배선들(SL1, SL2...)에 전기적으로 연결된다. 상기 제어부(100)는 상기 게이트 신호들(GS1, GS2...), 상기 스캔 신호들, 상기 바이어스 전압 및 상기 스위칭 신호(SWS)를 발생시킨다.

상기 제어부(100)는 시스템(110), 타이밍 콘트롤러(120), 게이트 드라이버(130), 데이터 드라이버(140), 바이어스전압 발생부(150) 및 스위칭신호 발생부(160)를 포함한다.

상기 시스템(110)은 상기 타이밍 콘트롤러(120)에 RGB 데이터 및 제 1 제어신호을 공급한다. 상기 제 1 제어신호는 입력클럭, 수평동기신호, 수직동기신호 및 데이터 인에이블(Data Enable;DE) 일 수 있다.

상기 타이밍 콘트롤러(120)는 상기 RGB 데이터 및 상기 제어신호들에 의해서, 상기 게이트 드라이버(130), 상기 데이터 드라이버(140), 상기 바이어스전압 발생부(150) 및 상기 스위칭신호 발생부(160)에 각각 제 2 내지 제 5 제어신호를 인가한다.

상기 게이트 드라이버(130)는 상기 제 2 제어신호에 의해서, 상기 게이트 신호들(GS1, GS2...)을 생성하여, 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)에 인가한다.

상기 제 2 제어신호는 게이트 쉬프트 클럭(Gate Shift Clock;GSC), 게이트 출력 인에이블(Gate Output Enable;GOE), 게이트 시작 펄스(Gate Start Pulse;GSP) 일 수 있다.

상기 데이터 드라이버(140)는 상기 제 3 제어신호에 의해서, 상기 스캔신호들을 생성하여, 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)에 인가한다.

상기 제 3 제어신호는 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock;SSC), 소스 출력 인에이블(Source Output Enable;SOE), 소스 시작 펄스(Source Start Pulse;SSP), 액정 극성 반전(Pority reverse;POL), 데이터 극성선택(Data reverse;REV), 홀수/짝수 화소데이터(Odd/even Data) 일 수 있다.

상기 바이어스전압 발생부(150)는 상기 제 4 제어신호에 의해서, 상기 바이어스전압을 생성한다. 상기 바이어스 전압은 상기 바이어스 배선들(BL1, BL2...)을 통해서, 상기 센싱 소자들(SU1, SU2...)에 인가된다. 상기 바이어스전압은 일정한 준위를 가지는 전압 일 수 있다.

이와는 다르게, 상기 바이어스전압은 소정의 주기를 가지고 준위가 변하는 전압신호일 수 있다.

상기 스위칭신호 발생부(160)는 상기 제 5 제어신호에 의해서, 상기 스위칭 신호(SWS)를 발생시킨다. 상기 스위칭 신호(SWS)는 상기 연결배선(CL) 및 상기 스위칭신호 배선들(SL1, SL2...)에 인가된다. 또한, 상기 스위칭 신호(SWS)는 상기 제 1 스위칭 소자들(SW11, SW12...) 및 상기 제 2 스위칭 소자들(SW21, SW22...)을 동작시킨다.

이하, 실시예에 따른 표시장치에 신호가 입력되는 과정을 설명한다.

도 2를 참조하면, 상기 스위칭 신호(SWS)는 상기 게이트 신호들(GS1, GS2...)의 펄스들에 대응하는 펄스들을 가진다.

또한, 제 1 기간(PD1)에 상기 스위칭 신호(SWS)는 정 극성의 전압(+)을 가지고, 상기 제 1 게이트 신호(GS1)는 정 극성의 전압(+)을 가진다.

제 2 기간(PD2)에 상기 스위칭 신호(SWS)는 부 극성의 전압(-)을 가지고, 상기 제 1 게이트 신호(GS1)는 정 극성의 전압(+)을 가진다.

제 3 기간(PD3)에 상기 스위칭 신호(SWS)는 정 극성의 전압(+)을 가지고, 상기 제 2 게이트 신호는 정 극성의 전압(+)을 가진다.

제 4 기판에 상기 스위칭 신호(SWS)는 부 극성의 전압(-)을 가지고, 상기 제 2 게이트 신호는 정 극성의 전압(+)을 가진다.

상기 제 1 기간(PD1)에는 상기 스위칭 신호(SWS)에 의해서, 제 1 로우(ROW1)의 제 2 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS21)들은 턴-온 상태가 된다. 그리고, 상기 제 1 로우(ROW1)의 P형 모스 전계효과 트랜지스터(PS1)들은 턴-오프 상태가 된다.

또한, 상기 제 1 기간(PD1)에는 상기 제 1 게이트 신호(GS1)에 의해서, 상기 제 1 로우(ROW1)의 제 1 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS11)들 및 제 3 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS31)들은 턴-온 상태가 된다.

따라서, 상기 제 1 기간(PD1)에는 상기 제 1 로우(ROW1)의 제 1 스위칭 소자(SW11)들은 턴-온 상태가 되고, 상기 제 1 로우(ROW1)의 제 2 스위칭 소자(SW21)들은 턴-오프 상태가 된다.

따라서, 상기 제 1 기간(PD1)에는 상기 제 1 로우(ROW1)의 화소 전극(PX1)들 및 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)은 전기적으로 연결되고, 상기 제 1 로우(ROW1)의 센싱 소자(SU1)들 및 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)은 전기적으로 절연된다.

이때, 상기 제 1 기간(PD1)에는 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)을 통해서, 상기 제 1 로우(ROW1)의 화소 전극(PX1)들에 상기 스캔 신호들이 인가된다. 상기 스캔 신호들에 의해서, 상기 제 1 로우(ROW1)의 화소 영역(P1)들에 영상이 표시된다.

상기 제 2 기간(PD2)에는 상기 스위칭 신호(SWS)에 의해서, 상기 제 1 로우(ROW1)의 제 2 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS21)들은 턴-오프 상태가 된다. 그리고, 상기 제 1 로우(ROW1)의 P형 모스 전계효과 트랜지스터(PS1)들은 턴-온 상태가 된다.

또한, 상기 제 2 기간(PD2)에는 상기 제 1 게이트 신호(GS1)에 의해서, 상기 제 1 로우(ROW1)의 제 1 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS11)들 및 제 3 N형 모스 전계효과 트랜지스터(NS31)들은 턴-온 상태가 된다.

따라서, 상기 제 2 기간(PD2)에는 상기 제 1 로우(ROW1)의 제 1 스위칭 소자(SW11)들은 턴-오프 상태가 되고, 상기 제 1 로우(ROW1)의 제 2 스위칭 소자(SW21)들은 턴-온 상태가 된다.

따라서, 상기 제 2 기간(PD2)에는 상기 제 1 로우(ROW1)의 화소 전극(PX1)들 및 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)은 전기적으로 절연되고, 상기 제 1 로우(ROW1)의 센싱 소자(SU1)들 및 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)은 전기적으로 연결된다.

따라서, 상기 제 2 기간(PD2)에는, 상기 제 1 로우(ROW1)의 센싱 소자(SU1)들에서 발생하는 센싱 신호들이 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)을 통해서 상기 시스템(110)에 입력될 수 있다.

상기 제 3 기간(PD3)에는 상기 제 2 로우(ROW2)의 화소 전극(PX2)들 및 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)은 전기적으로 연결되고, 상기 제 2 로우(ROW2)의 센싱 소자(SU2) 및 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)은 전기적으로 절연된다.

따라서, 상기 제 3 기간(PD3)에는 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)을 통해서, 상기 제 2 로우(ROW2)의 화소 전극(PX2)들에 상기 스캔 신호들이 인가된다. 상기 스캔 신호들에 의해서, 상기 제 2 로우(ROW2)의 화소 영역(P2)들에 영상이 표시된다.

상기 제 4 기간(PD4)에는 상기 제 2 로우(ROW2)의 화소 전극(PX2)들 및 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)은 전기적으로 절연되고, 상기 제 2 로우(ROW2)의 센싱 소자(SU2)들 및 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)은 전기적으로 연결된다.

따라서, 상기 제 4 기간(PD4)에는 상기 제 2 로우(ROW2)의 센싱 소자(SU2)들에서 발생하는 센싱 신호들이 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)을 통해서, 상기 시스템(110)에 입력될 수 있다.

이와 같은 방식으로, 홀수 번째 기간들(PD1, PD3...)에서, 순차적으로 로우들(ROW1, ROW2...)의 화소 영역들(P1, P2...)에 영상이 표시된다. 또한, 짝수 번째 기간들(PD2, PD4...)에서, 순차적으로 로우들(ROW1, ROW2...)의 센싱 신호들이 상기 시스템(110)에 입력될 수 있다.

상기 시스템(110)은 센싱 신호들의 입력된 시간 및 어느 데이터 배선들(DL1, DL2...)을 통해서 입력되었는지를 분석하여, 표시장치에 입력된 터치 등의 위치를 계산할 수 있다.

즉, 상기 짝수 번째 기간들(PD2, PD4...)은 상기 로우들(ROW1, ROW2...)에 대응한다. 즉, 상기 제 2 기간(PD2)에 센싱 신호가 입력되면, 상기 제 1 로우(ROW1)에 터치 등의 신호가 입력된 것이다.

또한, 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)은 컬럼들(COL1, COL2...)에 대응한다. 즉, 첫번째 데이터 배선(DL1)에 입력되면, 상기 제 1 컬럼(COL1)에 터치 등의 신호가 입력된 것이다.

따라서, 센싱 신호가 입력되는 기간 및 데이터 배선이 분석되면, 터치 등의 외부의 신호가 입력되는 로우 및 컬럼을 알 수 있다.

실시예에 따른 표시장치는 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)을 공유하여, 영상을 표시하고, 센싱 신호를 입력받는다.

따라서, 실시예에 따른 표시장치는 센싱 신호를 입력 받기 위한 리드 아웃 배선들을 따로 형성할 필요가 없고, 보다 간단하게 구성될 수 있다.

또한, 실시예에 따른 표시장치는 상기 제어부(100) 및 상기 스위칭신호 배선들(SL1, SL2...)을 연결하는 하나의 연결배선(CL)을 포함하므로, 보다 간단하게 구성될 수 있다.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.