以下、本発明の実施形態を図面に基づいて� ��明する。
 なお、以下では、本発明の実施形態による� ��示パネルとして、プラズマディスプレイパ� ��ルを一例に説明する。しかし、本発明は、� ��れに限定されるものではなく、表示パネル� ��形成された通気孔を介して、封止されたパ� ��ル内部の排気を行ったり、あるいはさらに� ��ネル内部に放電ガスの充填を行ったりする� ��示パネルに適用可能である。

(第1の実施形態)
 本発明の第1の実施形態について説明する。
 図1は、本発明の第1の実施形態におけるプ� �ズマディスプレイパネルの構成例を示す分� �斜視図である。

 前面側の基板(ガラス基板)11上に、繰り返 し放電(維持放電)を行う維持電極12及び走査� �極13が、平行かつ交互に配置され形成されて いる。その上には、低融点ガラス等からなる 誘電体層14が被着されている。さらにその上� ��は、MgO(酸化マグネシウム)等の保護層15が被 着されている。すなわち、前面側の基板11に� ��置された維持電極12及び走査電極13は、誘電 体層14に覆われており、さらにその表面が保� ��層15に覆われている。

 また、前面側の基板11と対向して配置さ� �た背面側の基板(ガラス基板)16上に、アドレ� ��電極17が、維持電極12及び走査電極13と直交� ��る方向に(交差するように)形成される。ア� �レス電極17の上には誘電体層18が被着される� ��さらにその上には、蛍光体20a、20b、20cが被� ��されている。アドレス電極17の両側に列方� �のセルを区分するための隔壁(リブ)19が配置� ��れ、隔壁19の内面(側壁)には、紫外線により 励起されて赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の可視光 を発光する蛍光体20a、20b、20cが各色毎に配列 、塗布されている。

 すなわち、背面側の基板16に配置された� �ドレス電極17は、誘電体層18に覆われており� ��アドレス電極17の両側に放電セルを区画す� �隔壁19が配置されている。アドレス電極17上� ��誘電体層18及び隔壁19の側壁に、放電セルに 対応して蛍光体層20a、20b、20cが塗布されてい る。維持電極12及び走査電極13の間の放電に� �って蛍光体20a、20b、20cを励起して各色が発� �する。

 前面側の基板11と背面側の基板16を、保護 層15と隔壁19が接するように重ね合わせて封� �し、その内部(前面側の基板11と背面側の基� �16との間の放電空間(対向間隙))を真空排気し た後、Ne-Xe等の放電ガスを所定の圧力で封入� ��、プラズマディスプレイパネルが構成され� ��。

 なお、図1に示すプラズマディスプレイパ ネルの構成は一例であり、図1に示したもの� �、例えばX電極12やY電極13の構造や隔壁19の構 造等が異なるプラズマディスプレイパネルも 本実施形態に含まれる。

 図2は、第1の実施形態におけるプラズマ� �ィスプレイパネルの外観図である。

 保護層15と隔壁19が接するように重ね合わ された前面側の基板11と背面側の基板16は、� �縁部に配された封着剤としての低融点フリ� �トガラス21により封着される。表示パネル内 部の真空排気や放電ガスの封入は、背面側の 基板16に接着された(取り付けられた)チップ� �と呼ばれるガラス管1を介して行われる。

 チップ管1は、一端に鍔状の接合部である フランジ形状部7を有したガラス管で形成さ� �ている。チップ管1は、背面側の基板16に設� �られた通気孔の上(通気孔位置に合致する位� ��)に配設され、通気孔を囲むようにしてチッ プ管1のフランジ形状部7の一部が基板16に密� �している。さらに、フランジ形状部7の一部� ��基板16が密着する密着領域の周囲(外側)に設 けられた溝4に封着剤としての低融点フリッ� �ガラスが配設されている。

 このようにして、チップ管1におけるフラ ンジ形状部7の一部を基板16に密着させ、その 周囲を溝4に配設された低融点フリットガラ� �により融着することで、外部との通気を遮� �し、チップ管1を介したパネル内部の排気及� ��放電ガス封入が可能になる。パネル内部に� ��電ガスを封入した後、チップ管1の通気路を 塞ぐようにチップ管1を溶断することで、放� �空間の密閉を行う。

 次に、第1の実施形態におけるプラズマデ ィスプレイパネルの封止・排気工程について 説明する。図3は、第1の実施形態におけるプ� ��ズマディスプレイパネルの封止・排気工程� ��示すフローチャートである。

 まず、ステップS11にて、前面側の基板11� �背面側の基板16との間に低融点フリットガラ ス21を配置し、基板11と基板16が重ね合わされ 、基板用クリップ(第1のクリップ)で仮止めさ れる。次に、ステップS12にて、背面側基板16� ��チップ管1の間に低融点フリットガラスを適 宜配置して、基板16に設けられた通気孔の位� ��に合わせてチップ管1が配設され、チップ管 用クリップ(第2のクリップ)で仮止めされる。

 続いて、ステップS13にて、排気ヘッドが� ��ップ管1の先端側に取り付けられ、仮止めさ れた前面側の基板11と背面側の基板16(仮止め� ��れたチップ管1を含む。)が封止・排気炉に� �入される。

 次に、ステップS14にて、封止・排気炉内� ��の加熱により封着剤としての低融点フリッ� ��ガラスを溶融させ、前面側の基板11と背面� �の基板16を封着させるとともに、背面側の基 板16とチップ管1を封着させる。なお、低融点 フリットガラスの溶融時にチップ管1を介し� �パネル内の排気が行われパネル内を負圧状� �にして基板同士が互いに吸引し合うような� �引力を発生させ、溶融状態の低融点フリッ� �ガラスが押し潰される。そして、封着され� �前面側の基板11と背面側の基板16との間に形� ��される放電空間の排気が行われた後、放電� ��スが放電空間内に充填される。

 次に、ステップS15にて、封着された前面� ��の基板11と背面側の基板16(チップ管1を含む� ��)が封止・排気炉から搬出され、バーナー等 を用いてチップ管1をチップオフし、放電空� �を密閉する。そして、ステップS16にて、基� �用クリップ(第1のクリップ)及びチップ管用� �リップ(第2のクリップ)が、取り外され、封� �・排気工程が終了する。

 次に、第1の実施形態における背面側の基 板16とチップ管1との封着方法について説明す る。

 図4~図6は、第1の実施形態における背面側 の基板16とチップ管1との封着前の状態を示す 図である。図4は、封着前の状態を示す断面� �である。図5は、図4に示したI-I面における構 成を説明するためのA矢視図であり、図6は、� ��4に示したII-II面における構成(チップ管用ク リップについては図示せず)を説明するため� �B矢視図である。

 図4~図6において、1は中空構造を有するガ ラス管で形成されるチップ管、16は背面側の� ��板、8は基板16に設けられた通気孔である。3 はバインダー等を混入しリング状(中空円柱� �)に成形された封着剤としての低融点フリッ� ��ガラス、4は通気孔8の周りにリング状(ドー� ��ツ形状)に形成された溝である。7は、チッ� �管1の一端を鍔状に形成してなるフランジ形� ��部であり、端面に広い平坦な領域を有して� ��る。9は、チップ管1を背面側の基板16に仮固 定(仮止め)するためのチップ管用クリップで� ��る。

 図4~図6に示すように、通気孔8の周りに形 成される溝4は、その内径d13を通気孔8の径d11� ��びチップ管1の内径d12よりも大きくし、通気 孔8に接することがないように形成される。� �お、溝4は、例えば超音波加工などを利用し� ��形成することができる。

 溝4の底部には、リング状に成形された低 融点フリットガラス3が配設され、さらに低� �点フリットガラス3の上部にチップ管1が配設 されている。チップ管1は、チップ管用クリ� �プ9等により、背面側の基板16に対して垂直� �向(基板16とチップ管1の接着面に対する垂線� ��法)に押圧され仮固定される。

 ここで、低融点フリットガラス3の厚みは 、溝4の深さよりもやや大きくする。したが� �て、封着前の状態においては、チップ管1の� ��面は、低融点フリットガラス3の厚みと溝4� �深さの差分だけ、背面側の基板16から浮き上 がった状態となる。また、低融点フリットガ ラス3の体積は、溝4の容積よりも小さくして� ��り、低融点フリットガラスが溶融しても溝4 から流出することはない。

 また、リング状の低融点フリットガラス3 の内径d14は、溝4の内径d13よりも小さい。す� �わち、低融点フリットガラス3と溝4の内側側 面との間には所定の幅の隙間(空間)が設けら� ��、低融点フリットガラス3が封着工程にて溝 4より内側(通気孔側)に侵入することを防止す ることができる。なお、低融点フリットガラ ス3と溝4の内側側面との間に設ける空間の幅� ��、封着の際に低融点フリットガラス3が溝4� �り内側で基板16とチップ管1の底面(フランジ� ��状部7)の間に入り込まないようにできれば� �く、任意である。

 図7は、第1の実施形態における背面側の� �板16とチップ管1との封着後の状態を示す断� �図である。

 図3に示した封止・排気工程で説明したよ うにステップS14における封止・排気炉内での 加熱により、チップ管1と背面側の基板16との 間に配置された低融点フリットガラス3が溶� �し、チップ管用クリップ9の押圧等により押� ��潰される。これにより、図7に示すように、 チップ管1のフランジ形状部7が低融点フリッ� ��ガラス3に食い込み、フランジ形状部7の外� �が覆われる。

 図7に示されるように、第1の実施形態に� �れば、チップ管1が、背面側の基板16との間� �配置された低融点フリットガラス3を押し付� ��る。これにより、封着剤である低融点フリ� ��トガラス3が背面側の基板16に押し広げられ� ��広い接着面積が得られ、チップ管1及び背面 側の基板16と低融点フリットガラス3との接着 強度が向上し、高い封着強度を得ることがで きる。

 また、封着する際に、チップ管1の端面(� �ランジ形状部7)の一部が背面側の基板16と接� ��して密着し、通気孔8を囲むように通気孔8� �溝4との間に連続した密接領域が形成される� ��すなわち、通気孔8を囲むようにチップ管1� �端面と背面側の基板16とが密着した密着領域 が設けられ、その密着領域を囲むようにして チップ管1と背面側の基板16とが封着される。 これにより、軟化した低融点フリットガラス 3が排気作業等によってチップ管1の内側に流� ��込むことを防ぐことができる。

 また、チップ管用クリップ9等によりチッ プ管1が背面側の基板16に対して垂直方向に直 接押圧可能となり、工程中における低融点フ リットガラス3の軟化によるチップ管1の傾き� ��抑制し、直立性を維持することができる。

 以上、第1の実施形態によれば、チップ管 1や表示パネルの内部に低融点フリットガラ� �3が流れ込むことを防止し、かつ封止・排気� ��程におけるチップ管1の傾きを抑制すること ができ、不良の発生を防止し、チップ管1と� �板が良好に接着されたプラズマディスプレ� �パネルを提供することができる。また、チ� �プ管1及び背面側の基板16と低融点フリット� �ラス3との接着強度が向上し、高い封着強度� ��得ることができ、外的ストレスに対しても� ��能が向上する。したがって、経済的及び信� ��性の向上を図ったプラズマディスプレイパ� ��ルを提供することができる。

(第2の実施形態)
 次に、本発明の第2の実施形態について説明 する。
 第2の実施形態は、上述した第1の実施形態� �は背面側の基板16とチップ管1との封着に係� �構成が異なるだけで、その他の構成(例えば� ��プラズマディスプレイパネルの内部構成等) は、第1の実施形態と同様であるのでその説� �は省略する。

 第2の実施形態における背面側の基板16と� ��ップ管1との封着方法について説明する。

 図8、図9は、第2の実施形態における背面� ��の基板16とチップ管1との封着前の状態を示� ��図である。図8は、封着前の状態を示す断面 図である。図9は、図8に示したI-I面における� ��成を説明するためのA矢視図である。

 図8、図9において、1は中空構造を有する� ��ップ管、16は背面側の基板、8は基板16に設� �られた通気孔である。3はバインダー等を混� ��しリング状(中空円柱状)に成形された封着� �としての低融点フリットガラス、5は通気孔8 の周りにリング状(中空円柱状)に形成された� ��材である。7は、チップ管1の一端を鍔状に� �成してなるフランジ形状部であり、端面に� �い平坦な領域を有している。9は、チップ管1 を背面側の基板16に仮固定(仮止め)するため� �チップ管用クリップである。

 図8、図9に示すように、第2の実施形態で� ��、第1の実施形態における溝4に代えて、中� �円柱状の部材5を通気孔8の周りに配設してい る。中空円柱状の部材5は、低融点フリット� �ラス3より高融点の部材で構成され、例えば� ��融点ガラスを用いて形成される。なお、中� ��円柱状の部材5は、背面側の基板16上に配設� ��るようにしても良いし、チップ管1の端面に 配設するようにしても良い。

 ここで、中空円柱状の部材5の外径d24は、 リング状に成形された低融点フリットガラス 3の内径d25よりも小さく、チップ管1の内径d22� ��りも大きい。すなわち、低融点フリットガ� ��ス3と中空円柱状の部材5の外側側面との間� �は所定の幅の隙間(空間)が設けられ、低融点 フリットガラス3が封着工程にて中空円柱状� �部材5より内側(通気孔側)に侵入することを� �止することができる。

 また、中空円柱状の部材5の内径d23は、中 空円柱状の部材5とチップ管1のフランジ形状� ��7とを密着させる密着領域の面積が十分得ら れれば良く任意であるが、通気孔の径d21より も大きく、チップ管1の内径d22より小さいこ� �が望ましい。

 また、中空円柱状の部材5の厚みは、低融 点フリットガラス3の厚みよりも小さく、封� �前の状態において、チップ管1の端面は、中� ��円柱状の部材5の上面に対して浮き上がった 状態となる。ただし、中空円柱状の部材5を� �ップ管1の端面に配設されている場合には、� ��着前の状態において、中空円柱状の部材5の 端面が背面側の基板16の上面に対して浮き上� ��った状態となる。

 図10は、第2の実施形態における背面側の基� ��16とチップ管1との封着後の状態を示す断面� ��である。
 封止・排気工程における封止・排気炉内で� ��加熱により、チップ管1と背面側の基板16と� ��間に配置された低融点フリットガラス3が溶 融し、チップ管用クリップ9の押圧等により� �し潰される。これにより、チップ管1のフラ� ��ジ形状部7が低融点フリットガラス3に食い� �み、フランジ形状部7の外周が覆われる。

 以上の説明から明らかなように、第2の実 施形態では、第1の実施形態と同様の効果が� �られる。すなわち、チップ管1が、背面側の� ��板16との間に配置された低融点フリットガ� �ス3を押し付けることで、チップ管1及び背面 側の基板16と低融点フリットガラス3との接着 強度が向上し、高い封着強度を得ることがで きる。また、封着する際に、チップ管1の端� �の一部が中空円柱状部材5と接触して密着し� ��通気孔8を囲むように連続した密接領域が形 成され、軟化した低融点フリットガラス3が� �気作業等によってチップ管1の内側に流れ込� ��ことを防ぐことができる。また、チップ管� ��クリップ9等によりチップ管1が背面側の基� �16に対して垂直方向に直接押圧可能となり、 工程中のチップ管1の直立性を維持すること� �できる。したがって、プラズマディスプレ� �パネルにおける不良の発生を防止し、チッ� �管と基板が良好に接着されたプラズマディ� �プレイパネルを提供することができる。

(第3の実施形態)
 次に、本発明の第3の実施形態について説明 する。
 第3の実施形態は、上述した第1及び第2の実� ��形態とは背面側の基板16とチップ管1との封� ��に係る構成が異なるだけで、その他の構成( 例えば、プラズマディスプレイパネルの内部 構成等)は、第1の実施形態と同様であるので� ��の説明は省略する。

 第3の実施形態における背面側の基板16と� ��ップ管1との封着方法について説明する。

 図11は、第3の実施形態における背面側の基� ��16とチップ管1との封着前の状態を示す断面� ��である。
 図11において、1は中空構造を有するチップ� ��、16は背面側の基板、8は基板16に設けられ� �通気孔である。3はバインダー等を混入しリ� ��グ状(中空円柱状)に成形された封着剤とし� �の低融点フリットガラスである。6は、チッ� ��管1の端面(基板側端面)に設けられた突起部� ��あり、7は、チップ管1の一端を鍔状に形成� �てなるフランジ形状部である。9は、チップ� ��1を背面側の基板16に仮固定(仮止め)するた� �のチップ管用クリップである。

 図11に示すように、第3の実施形態では、� ��2の実施形態における中空円柱状の部材5を� �気孔8の周りに配設する代わりに、チップ管1 に突起部6を設けた点が異なる。なお、図11に 示すようなチップ管1の形状は、グラインダ� �による研削加工や、ガラスを軟化させて整� �することにより形成することができる。

 ここで、突起部6の端面は、基板16に対し� ��良好に密着するように平坦に加工されてい� ��。突起部6の厚みは、低融点フリットガラス 3の厚みよりも小さく、封着前の状態におい� �、突起部6の端面が背面側の基板16の上面に� �して浮き上がった状態となる。

 また、突起部6の外径d31は、リング状に成 形された低融点フリットガラス3の内径d32よ� �も小さい。すなわち、低融点フリットガラ� �3と突起部6の外側側面との間には所定の幅の 隙間(空間)が設けられ、低融点フリットガラ� ��3が封着工程にて突起部6より内側(通気孔側) に侵入することを防止することができる。

 図12は、第3の実施形態における背面側の基� ��16とチップ管1との封着後の状態を示す断面� ��である。
 封止・排気工程における封止・排気炉内で� ��加熱により、チップ管1と背面側の基板16と� ��間に配置された低融点フリットガラス3が溶 融し、チップ管用クリップ9の押圧等により� �し潰される。これにより、チップ管1のフラ� ��ジ形状部7が低融点フリットガラス3に食い� �み、フランジ形状部7の外周が覆われる。

 以上、第3の実施形態によれば、チップ管 1が、背面側の基板16との間に配置された低融 点フリットガラス3を押し付けることで、チ� �プ管1及び背面側の基板16と低融点フリット� �ラス3との接着強度が向上し、高い封着強度� ��得ることができる。また、封着する際に、� ��ップ管1の突起部6が基板16と密着して、通気 孔8を囲むように連続した密接領域が形成さ� �るので、軟化した低融点フリットガラス3が� ��ップ管1の内側に流れ込むことを防ぐことが できる。また、チップ管用クリップ9等によ� �チップ管1が背面側の基板16に対して垂直方� �に直接押圧可能となり、工程中のチップ管1� ��直立性を維持することができる。したがっ� ��、プラズマディスプレイパネルにおける不� ��の発生を防止し、チップ管と基板が良好に� ��着されたプラズマディスプレイパネルを提� ��することができる。

 なお、前記実施形態は、何れも本発明を� ��施するにあたっての具体化のほんの一例を� ��したものに過ぎず、これらによって本発明� ��技術的範囲が限定的に解釈されてはならな� ��ものである。すなわち、本発明はその技術� ��想、またはその主要な特徴から逸脱するこ� ��なく、様々な形で実施することができる。