PARK SOON YONG (KR)
PARK YOUNG SEOK (KR)
SEO JOO YEON (KR)
| KR101344006B1 | 2013-12-23 | |||
| KR101315899B1 | 2013-10-08 | |||
| KR20120067574A | 2012-06-26 | |||
| JP2007131005A | 2007-05-31 | |||
| US20050096429A1 | 2005-05-05 | |||
| US4816516A | 1989-03-28 | |||
| US7026032B2 | 2006-04-11 |
유미특허법인 (KR)
| 【청구범위】 【청구항 1】 폴리이미드 수지 30 내지 95중량 %; 및 0. 1 내지 10.0 卿의 평균 외부 입경을 갖는 증공형 불소계 수지 입자 5 내지 70중량 %；를 포함한 다공성 폴리이미드 수지층을 포함하는， 연성 금속 적층체 . 【청구항 2】 제 1항에 있어서， 상기 증공형 불소계 수지 입자는 불소계 수지를 포함한 외벽; 및 상기 외벽으로 둘러싸이고 단면 최대 직경이 0.05 내지 9.5 인 중공 코어부；를 포함하는， 연성 금속 적층체. 【청구항 3】 . 제 2항에 있어서， . 상기 다공성 폴리이미드 수지층 중 상기 중공형 블소계 수지의 중공 코어부의 부피 비율이 0. 1 내지 5부피%인， 연성 금속 적층체. 【청구항 4】 거 U항에 있어서， 상기 증공형 불소계 수지 입자는 개방형 중공 입자이거나 폐쇄형 중공입자인， 연성 금속 적층체. 【청구항 5] 게 1항에 있어서， 상기 다공성 폴리이미드 수지층은 1.2 g/cm2 내지 1.9 g/cuf의 밀도를 갖는, 연성 금속 적충체. 【청구항 6】 제 1항에 있어서 상기 폴리이미드 수지는 하기 화학식 1의 반복 단위를 포함하 금속 적층체 : [화학식 1] Ν Ύι Ν一 X η Ο Ο 상기 화학식 1에서, η은 1 내지 300의 정수이고, 상기 Υ은 하기 화학식 28 내지 30으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 4가 작용기이고， 상기 X는 하기 화학식 35의 2가 작용이이고， [화학식 28] [화학식 29] 30] 상기 화학식 28 내지 30에서， ' * '은 결합점 (bonding point )을 의미하며 35] 상기 화학식 35에서， ¾ 및 ¾ 는 서로 같거나 다를 수 있으며， 각각 - CH3, -CH2GH3) -CH2CH2CH2CH3, -CF3, -CF2CF3, ᅳ CF2CF2CF3, 또는 -CF2CF2CF2CF3 이다. 【청구항 7] 게 1항에 있어서， 상기 폴리이미드 ,000 내지 500, 000의 중량평균분자량을 갖는， 연성 금속 적층체. 【청구항 8】 제 1항에 있어서, 상기 다공성 폴리이미드 수지층은 O.l/ΐι 내지 200 의 두께를 갖는, 연성 금속 적층체. 【청구항 9】 게 1항에 있어서, 상기 불소계 수지 입자는 폴리테트라 플루오로쎄틸렌 (PTFE), 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체 (PFA)， 테트라플루오르에틸렌-핵사플루오르프로필렌 공증합체 (FEP)， 에틸렌- 테트라플루오로에틸렌 코폴리머 수지 (ETFE), 테트라플루오로에틸렌- 클로로트리플루오로에틸렌 공중합체 (TFE/CTFE) 및 에틸렌- 클로로트리플루오로에틸렌 수지 (ECTFE)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함하는, 연성 금속 적층체 . 【청구항 10】 제 1항에 있어서， 상기 다공성 폴리이미드 수지층이 5 GHz에서 2.7이하의 유전율을 갖는， 연성 금속 적층체 . 【청구항 11】 제 1항에 있어서， 상기 다공성 폴리이미드 수지층을 1이상 포함하는， 연성 금속 적충체. [청구항 12】 제 1항에 있어서， O . l^m 내지 200 의 두께를 갖는 열가소성 폴리이미드 수지층을 1이상 더 포함하는 연성 금속 적층체 . 【청구항 13】 제 1항에 있어서， 구리， 철, 니켈， 티타늄， 알루미늄， 은, 금 및 이들의 2종 이상의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함하는 금속 박막을 포함하는， 연성 금속 적층체. 【청구항 14] 제 13항에 있어서， 상기 금속 박막은 0.1 내지 50 의 두께를 갖는， 연성 금속 적층체 . 【청구항 15】 제 13항에 있어서， 상기 다공성 폴리이미드 수지층의 적어도 1면 상에 상기 금속 박막이 적층되는， 연성 금속 적층체. 【청구항 16】 폴리아믹산 수지 30 내지 95중량 %; 및 불소계 수지 입자 5 내지 70중량 %를 포함한 수지 조성물을 280 내지 320°C 온도 범위 전후에서 승온 속도를 달리하여 340 °C 내지 370°C까지 승온하는 단계와 상기 승온된 수지 조성물을 넁각하는 단계를 포함하는 다공성 폴리이미드 수지층을 형성하는 단계; 및 상기 다공성 폴리이미드 수지층의 적어도 1면 상에 상기 금속 박막을 적층하는 단계를 포함하는， 연성 금속 적층체의 제조 방법 . 【청구항 17] 제 16항에 있어서， 상기 폴리아믹산 수지 30 내지 95중량 및 불소계 수지 입자 5 내지 70중량 %를 포함한 수지 조성물을 280 내지 320 °C 온도 범위 전후에서 승은 속도를 달리하여 340°C 내지 37CTC까지 승온하는 단계는, 상기 수지 조성물을 280 내지 320°C 이하에서의 은도 범위에서 3 °C/분 내지 10 °C/분의 속도로 제 1승온하는 단계; 및 상기 제 1승온된 수지 조성물을 280 내지 320°C 초과의 은도 범위에서는 0.2°C/분 내지 2 °C/분의 속도로 340°C 내지 370°C까지 제 2 승온하는 단계 ;를 포함하는， 연성 금속 적층체의 제조 방법. 【청구항 18】 제 16항에 있어서， 상기 다공성 폴리이미드 수지층을 형성하는 단계는 상기 승온된 수지 조성물은 20(TC 내지 280°C의 온도까지 넁각하는 단계를 더 포함하는， 연성 금속 적층체의 제조 방법. 【청구항 19】 제 18항에 있어서， 상기 다공성 폴리이미드 수지층을 형성하는 단계는 상기 승온된 수지 조성물을 3 °C/분 내지 10 °C/분의 속도로 200°C 내지 28CTC의 은도까지 넁각하는 단계 ;를 포함하는 , 연성 금속 적층체의 제조 방법 【청구항 20】 제 16항에 있어서, 상기 다공성 폴리이미드 수지층을 형성하는 단계는， 상기 수지 조성물을 300°C 이하에서의 온도 범위에서 3 °C /분 내지 10 °C /분의 속도로 제 1숭은하는 단계; 상기 제 1승은된 수지 조성물을 300°C 초과의 온도 범위에서는 0.2 °C /분 내지 2 °C /분의 속도로 340°C 내지 370°C까지 제 2 승온하는 단계; 및 ᅳ 상기 제 2승온된 수지 조성물을 4 1 /분 내지 8 °C /분의 속도로 230 °C 내지 27CTC의 은도까지 냉각하는 단켸;를 포함하는， 연성 금속 적층체의 제조 방법 . 【청구항 21】 제 16항에 있어서， 상기 다공성 폴리이미드 수지층을 형성하는 단계는 상기 승온 이전에 상기 수지 조성물을 기재 상에 내지 200μιη를 도포하는 단계를 더 포함하는， 연성 금속 적층체의 제조 방법. 【청구항 22] 제 16항에 있어서， 상기 다공성 폴리이미드 수지층의 적어도 1면 상에 상기 금속 박막을 적층하는 단계는， 250 °C 내지 450°C의 온도에서 500 Kgf 내지 3000 Kgf의 압력을 가하여 상기 다공성 폴리이미드 수지층의 적어도 1면 상에 구리， 철, 니켈， 티타늄， 알루미늄， 은， 금 및 이들의 2종 이상의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함하는 금속 박막을 적층하는 단계를 포함하는， 연성 금속 적층체의 제조 방법 . |
【발명의 명칭】
연성 금속 적층체 및 이의 제조 방법
【관련 출원 (들)과의 상호 인용】
본 출원은 2014년 9월 30일자 한국 특허 출원 제 10-2014-0131866호 및 2015년 8월 28일자 한국 특허 출원 제 10-2015-0121657호에 기초한 우선권의 이익을 주장하며， 해당 한국 특허 출원의 문헌에 개시된 모든 내용은 본 명세서의 일부로서 포함된다.
【기술분야】
본 발명은 연성 금속 적층체 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서， 보다 상세하게는 낮은 유전율 및 낮은 수분 흡수율을 가지면서도 높은 탄성도를 갖는 연성 금속 적층체 및 상기 연성 금속 적층체를 제공할 수 있는 제조 방법에 관한 것이다.
【발명의 배경이 되는 기술】
최근 전자 기기의 소형화와 고속화 및 다양한 기능들이 결합하는 추세에 맞춰서 전자 기기 내부에서의 신호 전달 속도 또는 전자 기기 외부와의 신호 전달 속도가 빨라지고 있는 실정이다. 이에 따라서， 기존의 절연체보다 유전율과 유전 손실 계수가 더욱 낮은 절연체를 이용한 인쇄 회로 기판이 필요해지고 있다.
이러한 경향을 반영하듯 최근 연성 인쇄 회로기판에서도 종래의 폴리이미드보다 더욱 유전율이 낮으면서 흡습에 의한 영향을 덜 받는 절연체인 액정 폴리머 (LCP , Liquid Crystal l ine Polymer )를 적용하려는 움직임이 생겨나고 있다. 그러나， LCP를 적용하더라도 실질적으로 LCP의 유전율 (Dk=2.9)이 폴리이미드 (Dk=3.2)와 크게 다르지 않기 때문에 적용에 따른 개선 정도가 미미하고， 또한 LCP의 내열성이 남땜 공정에서 문제가 될 정도로 낮으며， LCP가 열가소성을 갖기 때문에 레이저를 이용한 Via hole 가공에 있어서 기존의 폴리이미드를 이용했던 PCB 제조 공정과의 호환성이 떨어지는 문제점이 있다.
따라서， 이에 대한 해결책으로 기존 연성 회로 기판의 절연체로 사용되고 있는 폴리이미드의 유전율을 낮추는 노력이 실시되어 왔다. 예를 들어， 미국등록특허 게 4816516호에 의하면, 폴리이미드와 불소계 고분자를 흔합하여 몰드 성형품을 만드는 내용을 나타내었다. 그러나， 상기 특허는 저유전율이 필요한 전자기기용 제품에 관한 것이 아니라 몰드 성형품에 관한 것으로， 실제 열팽창율이 크고 유리전이은도가 낮은 폴리이미드를 사용하였다. 또한， 인쇄회로기판에 사용하기 위해서는 얇은 박막 형태로 폴리이미드 수지를 가공하여야 하는데， 상기 미국특허에는 얇은 박막 형태로 제조된 동박 적층판에 관한 내용이 나타나 있지 않다.
또한， 미국등록특허 제 7026032호에 의하면, 불소계 고분자의 미세 분말을 폴리이미드에 분산시켜 제조되는 제품의 유전율을 낮추는 방법이 개시되어 있다. 상기 미국 특허에는 불소계 고분자 미세 분말이 절연체의 내부 코어에 비하여 외부 표면에 보다 많이 분포하는 내용이 나타나 있다. 그러나， 상기 미국 특허에 기재된 바와 같이， 절연체의 최외각층에 불소계 고분자의 함량이 많기 때문에 외부 표면의 불소계 고분자에 의하여 수분 투과 및 흡수가 낮아져서 전체적인 수분 흡수율을 낮출 수 있으나, 기존의 폴리이미드로 이루어진 연성 동박 적층판이 갖지 않던 문제점이 발생할 수 있다ᅳ 예를 들어， 상기 미국 특허에 기재된 폴리이미드 수지는 커버레이와의 접착력이나 프리프레그와의 접착력이 약해지고 ACF와의 접착력도 낮아질 수 있으며, 상기 미국 특허에 기재된 폴리이미드 수지와 열팽창계수 (CTE)는 연성 동박 적층판에 적용되기에는 너무 클 뿐만 아니라， 상기 폴리이미드 수지의 표면에는 불소 수지가 외부에 과량으로 존재하게 때문에， PCB 제조 공정 중의 수납 공정에 적용되는 38CTC 내외의 온도에서 불소 수지가 녹을 수 있고 동박 회로가 절연체로부터 박리될 위험이 있다. 이에 따라 저유전율 인쇄 회로 기판을 만들기 위해서는 낮은 유전율을 나타내면서도 낮은 열팽창계수의 특성을 갖고 있고 탄성 계수가 높을 뿐만 아니라 수분 흡수율이 낮은 재료의 개발이 필요한 실정이다.
【선행기술문헌】
【특허문헌】
(특허문헌 1) 미국등록특허 제 4816516호
(특허문헌 2) 미국등록특허 제 7026032호
【발명의 내용】 【해결하고자 하는 과제】
본 발명은 낮은 유전율 및 낮은 수분 흡수율을 가지면서도 높은 탄성도를 갖는 연성 금속 적층체를 제공하기 위한 것이다.
또한， 본 발명은 낮은 유전율 및 낮은 수분 흡수율을 가지면서도 높은 탄성도를 갖는 연성 금속 적층체의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다. [과제의 해결 수단]
본 명세서에는， 폴리이미드 수지 30 내지 95중량 %; 및 0. 1 내지 10.0 의 평균 외부 입경을 갖는 중공형 블소계 수지 입자 5 내지 70중량 %；를 포함한 다공성 폴리이미드 수지층을 포함하는 연성 금속 적층체가 제공된다. 또한， 본 명세서에는， 폴리아믹산 수지 30 내지 95중량 및 불소계 수지 입자 5 내지 70중량 %를 포함한 수지 조성물을 조성물을 280 내지 320 ° C 온도 범위 전후에서 승온 속도를 달리하여 340 ° C 내지 370 ° C까지 승온하는 단계와 상기 승은된 수지 조성물을 넁각하는 단계를 포함하는 다공성 폴리이미드 수지층을 형성하는 단계; 및 상기 다공성 폴리이미드 수지층의 적어도 1면 상에 상기 금속 박막을 적층하는 단계를 포함하는， 연성 금속 적층체의 제조 방법이 제공된다.
이하 발명의 구체적인 구현예에 따른 연성 금속 적층체에 관하여 보다 상세하게 설명하기로 한다 . 발명의 일 구현예에 따르면， 폴리이미드 수지 30 내지 95중량 %; 및
0. 1 내지 10.0 의 평균 외부 입경을 갖는 중공형 불소계 수지 입자 5 내지 70중량 %；를 포함한 다공성 폴리이미드 수지층을 포함하는 연성 금속 적층체가 제공될 수 있다.
이전에는 연성 금속 적층체에 적용되는 폴리이미드 등의 고분자 수지의 유전율을 낮추기 위해서 불소계 고분자 수지를 첨가하는 방법이 알려져 있으나, 대표적인 불소계 수지인 폴리테트라 플루오로에틸렌 (PTFE) , 테트라플루오르에틸렌-핵사플루오르프로필 공중합체 (FEP) 및 퍼플루오로알콕시 (PFA)의 열팽창계수가 각각 135ppm , 150ppm 및 230ppm에 달하여 통상적인 폴리이미드가 갖는 열팽창계수인 10 내지 30ppm에 비하여 상당히 크며， 폴리이미드의 유전율을 충분히 낮추기 위해서 상기와 같은 불소 수지를 10 내지 60wt% 정도 넣어 주어야 하기 때문에 전체적인 열팽창계수가 커질 수 밖에 없는 한계가 있었다.
이에 반하여， 상기 일 구현예의 연성 금속 적층체는 0. 1 내지 10.0 ， 또는 1.0 내지 5.0 의 평균 외부 입경을 갖는 중공형 불소계 수지 입자가 다수 분포하는 다공성 폴리이미드 수지층을 포함함으로서， 종래의 불소계 수지를 첨가하는 경우 비하여 유전율을 크게 낮추면서도 높 ' 은 탄성도를 확보할 수 있으며， 열팽창계수를 연성 금속 적층체로서 사용되기에 최적화된 범위로 용이하게 조절할 수 있다. 상기 중공형 불소계 수지 입자의 평균 입경은 중공형 불소계 수지 입자 각각이 갖는 최장 직경을 측정하고 이들의 평균값을 구하여 얻어질 수 있다. 예를 들어， 상기 다공성 폴리이미드 수지층의 단면에서 관찰되는 중공형 불소계 수지 입자 각각의 최장 직경을 측정하고 측정된 결과 수치의 평균을 구하여 상기 평균 외부 입경으로 정의할 수 있다.
상기 다공성 폴리이미드층은 상기 중공형 불소계 수지 입자의 내부의 중공 코어부가 빈 공간을 형성함에 따라서 다공성을 가질 수 있다. 이러한 중공형 불소계 수지 입자에 의하여 상기 다공성 폴리이미드 수지층이 다공성을 확보할 수 있으며， 이에 따라 다공성 폴리이미드 수지층에서 불소계 수지의 함량을 크게 높이지 않고서도 낮은 유전율올 확보할 수 있으며， 또한 불소계 수지에 의한 열팽창 계수의 급격한 상승을 방지할 수 있다.
구체적으로， 상기 중공형 불소계 수지 입자는 불소계 수지를 포함한 외벽 ; 및 상기 외벽으로 둘러싸이고.단면 최대 직경이 0.05 내지 9.5 ^m, 또는 0. 1 내지 4.5 인 중공 코어부를 포함할 수 있다. 즉， 상기 중공형 불소 수지 입자의 중공 코어부의 내부 빈 공간으로 인하여 상기 다공성 폴리이미드층은 다공성이 돨 수 있으며， 이에 따라 상대적으로 낮은 밀도와 함께 낮은 유전율 및 유전 상수를 가질 수 있다.
상기 다공성 폴리이미드 수지층은 1.2 g/ciii 2 내지 1.9 g/cin 2 , 또는 1.3 g/cirf 내지 1.5 g/cin 2 의 밀도를 가질 수 있다.
또한， 상기 다공성 폴리이미드 수지층 중 상기 중공형 불소계 수지의 중공 코어부와 부피 비율이 0. 1 내지 5부피 %， 또는 0. 11 내지 1 . 부피 %， 0. 13 내지 0.85 부피 ¾> 일 수 있다.
상기 중공형 불소계 수지 입자는 입자의 외벽 중 일부가 개방되거나 외벽의 일부에 큰 기공이 형성된 개방형 중공 입자이거나 입자의 외벽이 불소계 수지 입자로 채워진 폐쇄형 중공입자일 수 있다.
또한， 상기 중공형 불소계 수지 입자의 외벽은 소정의 크기의 기공이 형성된 다공성 벽 (porous wal l )일 수 있으며， 또한 기공이 존재하지 않고 상기 중공 코어부를 완전히 둘러싸는 벽일 수 있다.
상기 다공성 폴리이미드 수지층의 제조과정에서는， 폴리이미드 수지 또는 이의 전구체 (예를 들어， 폴리아믹산 등)과 불소계 수지를 흔합하고 고온에서 열처리되는 과정을 거칠 수 있는데， 상기 풀리이미드 수지 또는 이의 전구체와 불소계 수지가 소정의 결합력을 통하여 결합된 상태에서 열팽창함에 따라서， 상기 불소계 수지 내부에 중공의 코어부가 형성되고 상기 형성되는 폴리이미드 수지와의 계면을 따라서 불소계 수지를 포함한 외벽이 형성될 수 있다. 이에 따라， 최종 제조되는 폴리이미드 수지층은 상기 중공형 불소계 수지 입자의 중공 코어부로 인하여 다공성의 성질 또는 형태를 가질 수 있다.
구체적으로， 상기 다공성 폴리이미드 수지층의 제조 과정에서 폴리이미드 수지 또는 이의 전구체 (예를 들어， 폴리아믹산 등)과 불소계 수지 입자를 포함한 수지 조성물을 280 내지 320 ° C 온도 범위 전후에서 승온 속도를 달리하여 340 ° C 내지 37CTC까지 승온한 이후에 넁각함으로서， 폴리이미드 수지; 및 상기 폴리이미드 수지 상에 분산되고 0. 1 내지 10.0 의 평균 외부 입경을 갖는 중공형 블소계 수지 입자;를 포함한 다공성 폴리이미드 수지층이 제공될 수 있다.
보다 구체적으로서， 상기 폴리아믹산 수지와 불소계 수지 입자를 포함한 수지 조성물을 소정의 기재 상에 도포하고， 도포된 조성물을 280 내지 320 ° C 이하에서의 온도 범위에서 3 ° C /분 내지 10 ° C /분의 속도로 승온하고 280 내지 320 ° C 초과의 온도 범위에서는 0.2 ° C /분 내지 2 ° C /분의 속도로 340 ° C 내지 370 ° C까지 승온한 이후에， 3 ° C /분 내지 10 ° C /분의 속도로 20() ° C 내지 280 ° C의 온도까지 냉각하여 상술한 다공성 폴리이미드 수지층을 제조할 수 있다.
또한, 상기 폴리아믹산 수지와 불소계 수지 입자를 포함한 수지 조성물을 소정의 기재 상에 도포하고， 도포된 조성물을 300 ° C이하에서의 온도 범위에서 3 ° C/분 내지 10 ° C/분의 속도로 승온하고 300 ° C초과의 온도 범위에서는 0.2 ° C/분 내지 2 ° C/분의 속도로 340 ° C 내지 370 ° C까지 승온한 이후에， 4 ° C/분 내지 8 ° C/분뫼 속도로 230 ° C 내지 270 ° C의 온도까지 냉각하여 상술한 다공성 폴리이미드 수지층을 제조할 수 있다.
상술한 바와 같이， 상기 다공성 폴리이미드 수지층에 포함되는 폴리이미드 수지가 불소계 수지와 일정 수준 이상의 결합력을 가짐에 따라서， 상기 형성되는 폴리이미드 수지와의 계면을 따라서 불소계 수지를 포함한 외벽이 형성되며 상기 불소계 수지 내부에 중공；의 코어부가 형성될 수 있다. ·
한편， 상기 다공성 폴리이미드 수지층에 포함되는 폴리이미드 수지의 구체적인 특징이 한정되는 것은 아니며， 연성 금속 적층체에 사용될 수 있는 것으로 알려진 폴리이미드 수지를 큰 제한 없이 사용될 수 있다. 예를 들어， 상기 폴리이미드 수지는 1,000 내지 500,000， 또는 10,000 내지 300,000의 중량평균분자량을 가질 수 있다. 상기 폴리이미드 수지의 중량평균분자량이 너무 작으면， 연성 금속 적층체 등으로 적용시 요구되는 기계적 물성 등을 충분히 확보할 수 없다. 또한， 상기 폴리이미드 수지의 중량평균분자량이 너무 크면， 상기 일 구현예의 폴리이미드 수지 필름의 탄성도나 기계적 물성이 저하될 수 있다.
본 명세서에서， 중량 평균 분자량은 GPC법에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량을 의미한다.
이러한 폴리이미드 수지의 구체적인 예로는 하기 화학식 1의 반복 단위를 포함한 폴리이미드 수지를 들 수 있다.
[화학식 1] o o n
O O
상기 화학식 1에서， ^은 4가의 방향족 유기 작용기이고， X는 2가의 방향족 유기 작용기이고, 상기 n은 1 내지 300의 정수이다.
상기 ^은 하기 화학식 21 내지 27로 이루어진 군에서 선택된 4가의 작용기를 포함할 수 있다.
[화학식 21]
[화학식 22]
상기 화학식 22에서， ^ 은 단일결합， -0-， -CO-, -S-, -S0 2 — , C(C¾) 2 -, -C(CF 3 ) 2 -, -CONH-, -C00-, _(CH 2 ) n 厂， -0(CH 2 ) n2 0-, 또는 0C0(CH 2 ) n3 0C0—이고， 상기 nl, n2 및 n3는 각각 1 내지 10의 정수이다.
[화학식 23]
상기 화학식 23에서， Υ 2 및 Υ 3 는 서로 같거나 다를 수 있으며， 각각 단일결합， -C -CO, -S-, -SO2-, -C(C¾) 2 —， -C(CF 3 ) 2 -, -C0NH-, -COCK - (C¾) nl -， -0(CH 2 ) n2 0-, 또는 -0C0(CH 2 ) n3 0C0-이고， 상기 nl, n2 및 n3는 각각 1 내지 10의 정수이다.
[화학식 24]
상기 화학식 24에서， Y 4 , Υ 5 및 Υ 6 는 서로 같거나 다를 수 있으며， 각각 단일결합, -0-, -CO-, -S-, -S0 2 -ᅳ -C(CH 3 ) 2 -, -C(CF 3 ) 2 -, -C0NH-, - COO—, - ¾) -， -0(CH 2 ) n2 0-,. 또는 -0C0(CH 2 ) n3 0C0-이고， 상기 nl, n2 및 n3는 각각 1 내지 10의 정수이다.
[화학식 25]
[화학식 26]
k
[화학식 27]
상기 화학식 21 내지 27에서， 은 결합점 (bonding point )을 의미한다.
그리고, 상기 다공성 폴리이미드 수지층이 보다 낮은 유전율 및 낮은 수분 흡수율을 가지면서도 높은 탄성도와 함께 최적화된 열팽창계수를 확보하기 위해서， 상기 화학식 1의 Yi이 하기 화학식 28 내지 30으로 이루어진 군에서 선택된 4가 작용기인 것이 바람직하다.
또한, 하기 화학식 28 내지 30으로 이루어진 군에서 선택된 4가 작용기를 포함한 화학식 1의 반복 단위를 포함한 폴리이미드 수지 또는 이의 전구체는 블소계 수지와 일정 수준 이상의 결합력을 가져서 상술한 중공형 불소계 수지 입자가 보다 용이하게 형성될 수 있게 한다.
상기 ^은 상기 화학식 1의 반복 단위 각각에서 같거나 다를 수 있다.
[화학식 28]
[화학식 29]
[화학식 30]
상기 화학식 28 내지 30에서， '*'은 결합점 (bonding point)을 의미한다.
한편, 상기 화학식 1에서， 상기 X는 하기 화학식 31 내지 34로 이루어진 군에서 선택된 2가 작용기일 수 있다.
31]
상기 화학식 31에서， ¾은 수소, -CH 3 , -C¾CH 3 , -C¾CH 2 CH 2 C¾, -CF 3 , - CF 2 CF 3 , -CF 2 CF 2 CF 3 , 또는 _CF 2 CF 2 CF 2 CF 3 일 수 있다.
[화학식 32]
상기 화학식 32에서， L 은 단일결합， -0-， -CO—, -S-, -S0 2 -, - C(CH 3 ) 2 -, -C(CF 3 ) 2 -, -C0NH-, -C00-, -(C¾) n 厂， -0(CH 2 ) n2 0-, -0CH 2 -C(CH 3 ) 2 - CH 2 0- 또는 -0C0(C¾) n3 0C0-이고, 상기 nl, n2 및 n3는 각각 1 내지 10의 정수이고, ¾및 ¾ 는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 수소， -CH 3 , - CH 2 CH 3 , ᅳ CH 2 C¾CH 2 CH 3 , -CF 3 , -CF 2 CF 3 , ᅳ CF 2 CF 2 CF 3 , 또는 -CF 2 CF 2 CF 2 CF 3 일 수 있다.
[화학식 33]
상기 화학식 33에서, L 2 및 L 3 는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 단일결합, -0-， -CO-, -S-, -S0 2 -, -C(CH 3 ) 2 -, -C(CF 3 ) 2 -, -C0NH-, -CO으， 一
(CH 2 ) n r, -0(CH 2 ) n2 0— , -0CH 2 -C(CH 3 )2-CH 2 0- 또는 -0C0(CH 2 ) n3 0C0-이고， 상기 nl, n2 및 n3는 각각 1 내지 10의 정수이고， 및 ¾ 는 서로 같거나 다를 수 있으며， 각각 수소， C¾, — C¾C¾, -CH2CH2CH2CH3, -CF 3 , -CF2CF3, -
CF2CF2CF3, 또는 -CF 2 CF 2 CF 2 CF 3 일 수 있다.
[화학식 34 ]
상기 화학식 34에서, L 4 , L 5 및 L 6 는 서로 같거나 다를 수 있으며 , 각각 단일결합， -0—， -CO-, -S-, -S0 2 -, -C(CH 3 ) 2 -, -C(CF 3 ) 2 -, -C0NH-, - C00-, -(CH 2 ) n i-, -0(CH 2 )n 2 0-, -0CH 2 -C(CH 3 ) 2 -CH 2 0- 또는 -0C0(CH 2 ) n3 0C0-이고， 상기 nl, n2 및 n3는 각각 1 내지 10의 정수이고, , ， 및 R4는 서로 같거나 다를 수 있으며 , 각각 수소， C¾, -CH 2 CH 3) -CH 2 CH 2 CH 2 CH 3 , -CF 3 , - CF 2 CF 3 , -CF 2 CF 2 CF 3 , 또는 -CF 2 CF 2 CF 2 CF 3 일 수 있다.
특히， 상기 화학식 1의 X이 하기 화학식 35의 2가 작용기인 경우， 상기 다공성 폴리이미드 수지층이 보다 낮은 유전율 및 낮은 수분 흡수율을 가질 수 있으며， 또한 높은 탄성도와 함께 최적화된 열팽창계수를 확보할 수 있다. 또한， 하기 화학식 35의 2가 작용기를 화학식 1의 반복 단위를 포함한 폴리이미드 수지 또는 이의 전구체는 불소계 수지와 일정 수준 이상의 결합력을 가져서 상술한 중공형 블소계 수지 입자가 보다 용이하게 형성될 수 있게 한다.
상기 화학식 35에서， ¾ 및 ¾ 는 서로 같거나 다를 수 있으며 , 각각 一 C¾ , -CH 2 CH 3 > -CH 2 CH 2 CH 2 CH 3 , -CF 3 ) , -CF 2 CF 3 , -CF 2 CF 2 CF 3 , 또는 -CF 2 CF 2 CF 2 CF 3 일 수 있다.
한편， 상기 다공성 폴리이미드 수지층은 상기 화학식 1의 반복 단위를 포함하는 폴리이미드 수지 30 내지 95 증량 % 또는 60 내지 90 중량 및 잔량의 중공형 블소계 수지 입자를 포함할 수 있다. 상기 중공형 불소계 수지 입자의 함량이 너무 작으면 최종 제조되는 다공성 폴리이미드 수지층이 층분히 낮은 유전율 또는 수분 흡수율을 확보하지 못할 수 있다. 또한, 상기 증공형 불소계 수지 입자의 함량의 너무 크면, 상기 연성 금속 적층체의 기계적 물성이 저하되어 쉽게 찢어지거나 부서지는 등의 문제점을 가질 수 있고， 상기 연성 금속 적층체에 포함되는 다공성 폴리이미드 수지층의 열팽창계수가 크게 증가할 수 있다.
한편， 상기 다공성 폴리이미드 수지층은 0. 1 내지 100 ， 또는 1 내지 50 의 두께를 가질 수 있다.
상기 중공형 불소계 수지 입자는 폴리테트라 플루오로에틸렌 (PTFE) , 테트라플루오로에틸렌ᅳ퍼플루오로알킬비닐 에테르 공중합체 (PFA) , 테트라플루오르에틸렌ᅳ핵사플루오르프로필 렌 공중합체 (FEP) , 에틸렌- 테트라플루오로에틸렌 코폴리머 수지 (ETFE) , 테트라플루오로에틸렌- 클로로트리플루오로에틸렌 공중합체 (TFE/CTFE) 및 에틸렌- 클로로트리플루오로에틸렌 수지 (ECTFE)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 불소계 고분자를 포함할 수 있다.
상기 다공성 폴리이미드 수지층은 5 GHz에서의 건조 상태에서 2.7이하의 유전율 (Dk 또는 2.2 내지 2.7의 유전율 (Dk) , 또는 2.3 내지
2.6 의 유전율 (Dk)을 나타낼 수 있다. 통상의 폴리이미드 수지는 5
GHz에서의 건조 상태에서 3.0 이상의 유전율을 갖는 것이 일반적이였는데 반하여， 상기 다공성 폴리이미드 수지층은 상대적으로 낮은 유전율을 가질 수 있다.
상기 다공성 폴리이미드 수지층은 100 ° C 내지 200 ° C에서 lppm 내지 28ppm의 열팽창계수를 가질 수 있다. 통상적으로 연성 금속 적층체에 사용되는 금속박인 동박의 열팽창 계수가 약 18 ppm 내외이기 때문에， 상기 일 구현예의 폴리이미드 수지 필름의 열팽창계수를 상술한 범위로 하여야， 금속박과의 열팽창계수의 차이로부터 나타나는 ¾ 현상을 최소화 할 수 있으며， 인쇄 회로 기판을 이루는 기타 자재와의 신축 차이가 발생하는 현상을 최소화 할 수 있다.
상기 일 구현예의 연성 금속 적층체는 상기 다공성 폴리이미드 수지층과 금속 박막을 포함할 수 있으며， 상기 금속 박막은 구리， 철， 니켈， 티타늄, 알루미늄， 은， 금 및 이들의 2종 이상의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함할 수 있다.
그리고， 상기 금속 박막은 상기 다공성 폴리이미드 수지층의 적어도 일면 상에 적층될 수 있다.
구체적으로， 상기 연성 금속 적층체는 상기 금속 박막을 1개 포함할 수도 있으며， 상기 연성 금속 적층체는 서로 대향하는 상기 금속 박막 2개를 포함할 수 있고， 이 경우 상기 다공성 폴리이미드 수지층은 상기 서로 대향하는 금속 박막 2개의 사이에 위치할 수 있다.
상기 금속 박막 표면의 십점 평균조도 (Rz)가 0.5/im 내지 2.5 im일 수 있다. 상기 금속 박막 표면의 십점 평균조도가 너무 작으면 상기 고분자 수지층과의 접착력이 낮아질 수 있으며， 상기 금속 박막 표면의 십점 평균조도가 너무 크면 표면 거칠기가 증가하여 고주파 영역에서 전송손실이 커질 수 있다.
상기 금속 박막은 0. 1 내지 50 의 두께를 가질 수 있다.
상술한 연성 금속 적층체는 상기 다공성 폴리이미드 수지층의 적어도
1면에 형성된 폴리이미드 수지층을 더 포함할 수 있다.
구체적으로， 상기 연성 금속 적층체는 상기 다공성 폴리이미드 수지층의 양 면에 결합된 제 2 및 게 3의 폴리이미드 수지 필름 또는 폴리이미드 수지층을 더 포함할 수 있다. 상기 제 2 및 게 3의 폴리이미드 수지 필름은 각각 상술한 폴리이미드 수지와 동일하거나 상이한 조성을 가질 수 있다.
또한， 상기 제 2 및 제 3의 폴리이미드 수지 필름은 상기 폴리이미드 수지 필름과 동일하거나 상이한 두께를 가질 수 있으며， 0. 1 내지 100 ， 또는 I/mi 내지 50 의 범위 내의 두께를 가질 수 있다. 한편， 발명의 다른 구현예에 따르면， 폴리아믹산 수지 30 내지 95중량 % ; 및 불소계 수지 입자 5 내지 70중량 %를 포함한 수지 조성물을 조성물을 280 내지 32CTC 온도 범위 전후에서 승온 속도를 달리하여 340 ° C 내지 370 ° C까지 승온하는 단계와 상기 승온된 수지 조성물을 넁각하는 단계를 포함하는 다공성 폴리이미드 수지층을 형성하는 단계; 및 상기 다공성 폴리이미드 수지층의 적어도 1면 상에 상기 금속 박막을 적층하는 단계를 포함하는， 연성 금속 적층체의 제조 방법이 제공될 수 있다.
상기 다공성 폴리이미드 수지층의 제조 과정에서 폴리이미드 수지 또는 이의 전구체 (예를 들어， 폴리아믹산 등)과 불소계 수지 입자를 포함한 수지 조성물을 280 내지 320 ° C 온도 범위 전후에서 승온 속도를 달리하여 340 ° C 내지 370 ° C까지 승온한 이후에 넁각하여， 폴리이미드 수지; 및 상기 폴리이미드 수지 상에 분산되고 0. 1 내지 10.0 의 평균 외부 입경을 갖는 중공형 불소계 수지 입자;를 포함한 다공성 폴리이미드 수지층이 제공될 수 있다.
상기 다공성 폴리이미드 수지층을 형성하는 단계는 상기 승온된 수지 조성물은 20CTC 내지 280 ° C의 온도까지 넁각하는 단계를 더 포함할 수 있다. 또한， 상기 다공성 폴리이미드 수지층을 형성하는 단계는 상기 승온된 수지 조성물을 3 ° C /분 내지 10 ° C /분의 속도로 2()(rc 내지 280 ° C의 온도까지 넁각하는 단계;를 포함할 수 있다.
보다 구체적으로서， 상기 폴리아믹산 수지와 불소계 수지 입자를 포함한 수지 조성물을 소정의 기재 상에 도포하고， 도포된 수지 조성물을
280 내지 320 ° C 이하에서의 온도 범위에서 3 ° C /분 내지 10 ° C /분의 속도로 승온하고 280 내지 320 ° C 초과의 온도 범위에서는 0.2T 분 내지 2 ° C /분의 속도로 340 ° C 내지 37CTC까지 승은한 이후에， 3 ° C /분 내지 10 ° C /분의 속도로 2CXrC 내지 280 ° C의 온도까지 넁각하여 상술한 다공성 폴리이미드 수지층을 제조할 수 있다.
즉, 상기 다공성 폴리이미드 수지층을 형성하는 단계는， 상기 수지 조성물을 280 내지 320 ° C 이하에서의 온도 범위에서 3 ° C/분 내지 10 ° C/분의 속도로 제 1승온하는 단계; 상기 게 1승온된 수지 조성물을 280 내지 320 ° C 초과의 온도 범위에서는 0.2 ° C/분 내지 2 ° C/분의 속도로 340 ° C 내지 37CTC까지 제 2 승온하는 단계; 및 상기 제 2승온된 수지 조성물을 3 ° C/분 내지 10 ° C/분의 속도로 200 ° C 내지 280 ° C의 온도까지 넁각하는 단계 ;를 포함할 수 있다.
또한， 상기 플리아믹산 수지와 불소계 수지 입자를 포함한 수지 조성물을 소정의 기재 상에 도포하고， 도포된 조성물을 300 ° C이하에서의 온도 범위에서 3 ° C/분 내지 10 ° C/분의 속도로 승온하고 30CTC초과의 온도 범위에서는 0.2 ° C/분 내지 2 ° C/분의 속도로 340 ° C 내지 370 ° C까지 승은한 이후에, 4 ° C/분 내지 8 ° C/분의 속도로 230 ° C 내지 270 ° C의 온도까지 넁각하여 상술한 다공성 폴리이미드 수지층을 제조할 수 있다.
즉, 상기 다공성 폴리이미드 수지층을 형성하는 단계는， 상기 수지 조성물을 300 ° C 이하에서의 온도 범위에서 3 ° C/분 내지 10 ° C/분의 속도로 거 U승온하는 단계; 상기 제 1승온된 수지 조성물을 30C C .초과의 온도 범위에서는 0.2 ° C/분 내지 2 ° C/분의 속도로 340 ° C 내지 370 ° C까지 제 2 승온하는 단계; 및 상기 게 2승온된 수지 조성물을 4 ° C/분 내지 8 ° C/분의 속도로 230 ° C 내지 270 ° C의 온도까지 넁각하는 단계;를 포함할 수 있다. 상기 폴리아믹산 수지 30 내지 95중량 및 불소계 수지 입자 5 내지 70중량 %를 포함한 수지 조성물을 승온 하는 과정에서， 280 내지 32CTC 온도 이하， 또는 300 ° C이하에서의 승온 속도가 너무 높으면， 상기 다공성 폴리이미드 수지층 내에 기포가 발생하거나， 상기 연성 금속 적층체에 포함되는 개별 층간의 박리가 발생할 수 있으며， 상기 다공성 폴리이미드 수지층의 열팽창계수가 크게 증가할 수 있다.
상기 폴리아믹산 수지 30 내지 95중량 및 불소계 수지 입자 5 내지
70중량 %를 포함한 수지 조성물을 승온하는 과정에서， 280 내지 320 ° C 온도 초과， 또는 30( C 초과 온도 범위에서의 승온 속도가 너무 낮으면， 상기 형성되는 중공형 불소계 수지 입자 내부에 기공 형성이 용이하지 않아서 상기 다공성 폴리이미드 수지층이 층분한 다공도를 확보하기 어려을 수 있으며， 상기 형성되는 폴리이미드 수지층의 밀도나 유전율이 충분히 낮아지기 어려울 수 있다.
또한， 상기 폴리아믹산 수지 30 내지 95중량 및 불소계 수지 입자
5 내지 70중량 %를 포함한 수지 조성물을 승온 하는 과정에서， 280 내지 320 ° C 온도 초과, 또는 30CTC 초과 온도 범위에서의 승은 속도가 너무 높으면， 상기 다공성 폴리이미드 수지층 내에 기포가 발생하거나， 상기 다공성 폴리이미드 수지층이 연성 금속 적층체의 다른 박막 또는 층， 예를 들어 금속 박막 등과 견고하게 결합 또는 접착되기 어려울 수 있다.
한편， 상기 340 ° C 내지 370 ° C까지 승온된 승온된 수지 조성물을 20( C 내지 280 ° C의 은도까지 냉각하는 단계에서, 상기 넁각 속도가 너무 낮으면 상기 형성되는 중공형 불소계 수지 입자 내부에 기공 형성이 용이하지 않으며， 상기 다공성 폴리이미드 수지층 내부에서 폴리이미드 수지와 상기 중공형 블소계 입자의 외부면 사이에 기공이 생겨날 수 있다.
또한， 상기 340 ° C 내지 370 ° C까지 승은된 승은된 수지 조성물을 200 ° C 내지 28CTC의 은도까지 넁각하는 단계에서 상기 넁각 속도가 너무 높으면， 넁각 효율이 층분하게 확보되기 어려우며 상기 형성되는 중공형 불소계 수지 입자 내부에 기공 형성이 용이하지 않다.
상술한 바와 같이， 상기 다공성 폴리이미드 수지층에 포함되는 폴리이미드 수지가 불소계 수지와 일정 수준 이상의 결합력을 가짐에 따라서， 상기 형성되는 폴리이미드 수지와의 계면을 따라서 불소계 수지를 포함한 외벽이 형성될 수 있으며， 상기 불소계 수지 내부에 중공의 코어부가 형성될 수 있다.
상기 다공성 폴리이미드층은 상기 중공형 불소계 수지 입자의 내부의 중공 코어부가 빈 공간을 형성함에 따라서 다공성을 가질 수 있다. 구체적으로， 상기 중공형 불소계 수지 입자는 블소계 수지를 포함한 외벽; 및 상기 외벽으로 둘러싸이고 단면 최대 직경이 0.05 내지 9.5 urn, 또는
0. 1 내지 4.5卿인 증공 코어부를 포함할 수 있다.
상기 다공성 폴리이미드 수지층은 1 .2 g/cin 2 내지 1 .9 g/cirf , 또는 1.3 g/αη 2 내지 1.5 g/cuf 의 밀도를 가질 수 있다.
또한， 상기 다공성 폴리이미드 수지층 중 상기 중공형 불소계 수지의 중공 코어부의 부피 비율이 0. 1 내지 5부피 %， 또는 0. 11 내지 1 부피 %，
0. 13 내지 0.85 부피 % 일 수 있다.
상기 일 구현예의 연성 금속 적층체는 0. 1 내지 10.0 urn, 또는 1.0 내지 5.0 卿의 평균 외부 입경을 갖는 중공형 불소계 수지 입자가 다수 분포하는 다공성 폴리이미드 수지층을 포함함으로서， 유전율을 크게 낮추면서도 높은 탄성도를 확보할 수 있으며， 열팽창계수를 연성 금속 적층체로서 사용되기에 최적화된 범위로 용이하게 조절할 수 있다.
상기 폴리아믹산 수지 및 불소계 수지 입자에 관한 보다 구체적인 내용은 상기 일 구현예의 연성 금속 적층체에 관하여 상술한 내용을 포함한다ᅳ 또한， 상기 폴리아믹산 수지로부터 제조되는 폴리이미드 수지에 관한 내용도 상기 일 구현예의 연성 금속 적층체에 관하여 상술한 내용을 포함한다.
상기 폴리아믹산 수지 30 내지 95중량 ¾>; 및 불소계 수지 입자 5 내지
70중량 ¾를 포함한 수지 조성물은 분산제를 더 포함할 수 있으며， 상기 분산제의 구체적인 예로는 상기 분산제는 폴리에스테르계 고분자， 폴리에테르변성 폴리디메틸실록산 및 폴리에스테르 /폴리아민 중합체로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 들 수 있다.
이전에는 폴리아믹산 또는 폴리이미드에 불소계 수지를 분산시키기 위하여 불소계 분산제나 불소계 계면활성제를 사용하는 방법이 알려져 있으나, 이러한 종래의 방법에 따르면 제조되는 고분자 수지층의 유전율은 다소 낮출 수 있으나， 상기 불소계 분산제나 불소계 계면활성제의 사용에 따라서 제조되는 고분자 수지층의 열팽창계수가 크게 증가할 수 있다. 이에 반하여， 상기 다공성 폴리이미드 수지층을 제조하는데 사용되는 수지 조성물이 분산제를 포함함에 따라서， 상기 다공성 폴리이미드 수지층은 낮은 유전율을 가지면서도 과도하게 높은 열팽창계수를 갖지 않을 수 있으며， 금속 적층체 또는 인쇄 회로 기판의 제조 과정에서도 상기 폴리이미드 수지에 포함되는 불소계 수지가 녹아버리는 등의 현상을 방지할 수 있다. 상기 수지 조성물은 상기 불소계 수지 입자 전체 100중량부 대비 상기 분산제 0. 1중량부 내지 25중량부， 또는 0.5 중량부 내지 10중량부를 포함할 수 있다
한편， 상기 다공성 폴리이미드 수지층을 형성하는 단계는 상기 열경화 이전에 상기 수지 조성물을 기재 상에 0. 1/ΛΠ 내지 200 m를 도포하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한， 상기 다공성 폴리이미드 수지층의 적어도 1면 상에 상기 금속 박막을 적층하는 단계는, 250 ° C 내지 450 ° C의 은도에서 500 Kgf 내지 3000 Kgf의 압력을 가하여 상기 다공성 폴리이미드 수지층의 적어도 1면 상에 구리， 철， 니켈， 티타늄， 알루미늄， 은， 금 및 이들의 2종 이상의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함하는 금속 박막을 적층하는 단계를 포함할 수 있다.
【발명의 효과】
본 발명에 따르면, 낮은 유전율 및 낮은 수분 흡수율을 가지면서도 높은 탄성도와 함께 최적화된 열팽창계수를 확보할 수 있는 연성 금속 적층체와 상기 연성 금속 적층체를 제공할 수 있는 제조 방법이 제공될 수 있다.
이에 따라， 본 발명은 최근 노트북， 컴퓨터， 휴대폰 등의 기기가 데이터 전송 속도가 증가하면서 초래되는 데이터의 손실율 증가나 인쇄 회로 기판의 후막화， 인쇄 회로 기판에서의 회로의 협폭화에 대한 해결책으로서， 저유전율을 가지면서도 기존의 폴리이미드 절연체가 가지고 있는 고내열성 내화학성， 치수 안정성 등의 특성을 가지고 있는 저유전율 폴리이미드 수지 필름을 제공한다. '
또한 , 상기 저유전율 폴리이미드를 사용하여 저유전율 동박 적충판을 제공한다. 이에 따라， 임피던스를 매칭하면서도 인쇄 회로 기판을 더욱 얇게 만들 수 있게 됨에 따라서 휴대용 전자 기기를 더욱 얇게 만들 수 있고， 인쇄 회로 기판의 선폭을 넓게 할 수 있으므로 PCB제조 회사의 불량율을 획기적으로 줄일 수 있어서 제조 비용 절감에 크게 기여할 수 있다.
【도면의 간단한 설명】 도 1은 실시예 1 에서 폴리이미드 수지의 단면 SEM사진을 나타낸 것이다.
【발명을 실시하기 위한 구체적인 내용】
발명을 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단， 하기외 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[제조예: 폴리아믹산용액의 제조]
제조예 1: 불소계 수지를포함한폴리아믹산용액의 제조 (P1)
1L의 폴리에틸렌 용기 (PE bottle)에 질소를 충진하고， 디메틸아세트아미드 (Dimethylacetamide, DMAc) 765g, 폴리테트라 플루오로에틸렌 마이크로 분말 (PTFE micro powder , 입자 크기: 약 1.0 내지 5.0 um) 219g 및 지름 2隱의 비드 (bead) 765g을 넣고， 고속 볼 밀링 (ball milling) 기기에서 교반하였다.
500mL의 둥근 바닥 플라스크에 상기 PTFE 마이크로 분말이 분산된 용액 16g, 디메틸아세트아미드 107g, 피로멜리틱 디언하이드리드 (Pyromellitic Dianhydr ide)13g, 2,2'- 비스 (트리플루오로메틸 )-4，4'-디아미노비페닐 20g을 넣고， 50°C에서 10시간 동안 질소를 홀려주면서 교반기를 사용하여 교반하면서 반웅시켜， 점도 25,000cps정도희 폴리아믹산 용액 (P1)을 얻었다. 제조예 2: 불소계 수지를포함한폴리아믹산용액의 제조 (P2)
1L의 폴리에틸렌 용기 (PE bottle)에 질소를 층진하고， 디메틸아세트아미드 (Dimethylacetamide, DMAc) 765g, 폴리테트라 플루오로에틸렌 마이크로 분말 (PTFE micro powder , 입자 크기: 약 1.0 내지 5.0 ΰΐ) 219g 및 지름 2醒의 비드 (bead) 765g을 넣고， 고속 볼 밀링 (ball milling) 기기에서 교반하였다.
500mL의 등근 바닥 플라스크에 상기 PTFE 마이크로 분말이 분산된 용액 73 g, 디메틸아세트아미드 115g, 피로멜리틱 디언하이드리드 11.609g, 2，2'-비스 (트리플루오로메틸 )-4，4'-디아미노비페닐 17.391g을 넣고， 50 ° C에서 10시간 동안 질소를 홀려주면서 교반기를 사용하여 교반하면서 반응시켜， 점도 100,000cps정도의 폴리아믹산 용액 (P2)을 얻었다. 제조예 3: 불소계 수지를 불포함한폴리아믹산용액의 제조 (P3)
500mL의 등근 바닥 플라스크에 디메틸아세트아미드 107g, 피로멜리틱 디언하이드리드 (Pyromellitic Di nhydr ide)13g, 2,2'- 비스 (트리플루오로메틸 )-4，4'-디아미노비페닐 20g을 넣고， 50 ° C에서 10시간 동안 질소를 흘려주면서 교반기를 사용하여 교반하면서 반웅시켜， 점도 25,000cps정도의 폴리아믹산 용액 (P3)을 얻었다.
[실시예 1 내지 2 및 비교예 1 내지 2: 연성 금속 적층체용 폴리이미드 수지 필름 및 연성 금속 적층체의 제조]
실시예 1내지 2
(1) 폴리이미드 수지 필름의 제조
상기 제조예 1 내지 2에서 각각 제조한 폴리아믹산 용액을 최종 두께가 25um가 되도록 동박 (두께: 12 )의 Matte면에 코팅한 후 80 ° C에서 10분간 건조하였다.
상기 건조 제품을 질소 오본에서 상온에서부터 승온을 시작하여
3(xrc이하에서의 온도 범위에서 5 ° c/분의 속도로 승온하고 3ocrc초과 내지 350 ° C 온도 범위에서는 1 ° C/분의 속도로 재차 승온한 이후에， 350 ° C에서 250 ° C까지 5 ° C/분의 속도로 넁각을 하여 경화를 완료하였다. 상기 경화가 완료된 후， 상기 동박을 에칭하여 25um의 두께의 폴리이미드 수지 필름을 제조하였다.
(2) 연성 금속 적층체의 쎄조
38CTC의 온도에서 상기 실시예 1 및 실시예 2에서 각각 얻어진 폴리이미드 수지 필름과 12 두께의 동박에 1700 Kgf의 압력을 가해 라미네이션함으로서 금속 적층체를 제조하였다. 비교예 1
(1) 폴리이미드 수지 필름의 제조 상기 제조예 1에세제조된 폴리아믹산 용액 대신에 상기 제조예 3에서 얻어진 폴리아믹산 용액을 사용한 점을 제외하고， 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 25um의 두께의 폴리이미드 수지 필름을 제조하였다.
(2) 연성 금속 적층체의 제조
380 ° C의 온도에서 상기 얻어진 폴리이미드 수지 필름과 12/ m 두께의 동박에 1700 Kgf의 압력을 가해 라미네이션함으로서 금속 적층체를 제조하였다. 비교예 2
(1) 폴리이미드 수지 필름의 제조
상기 제조예 2의 폴리아믹산 용액을 최종 두께가 25um가 되도록 동박 (두께: 12/ΛΙΙ)의 Mat te면에 코팅한 후 80 ° C에서 10분간 건조하였다. 상기 건조 제품을 질소 오븐에서 상온에서부터 승온을 시작하여 350°C에서 30분간 경화를 진행하였다.
상기 경화가 완료된 후， 상기 동박을 에칭하여 25um의 두께의 폴리이미드 수지 필름올 제조하였다.
(2) 연성 금속 적층체의 제조
38C C의 온도에서 상기 얻어진 폴리이미드 수지 필름과 1 /πι 두께의 동박에 1700 Kgf의 압력을 가해 라미네이션함으로서 금속 적층체를 제조하였다.
[실험예]
1. 실험예 1: 연성 금속 적층체의 단면 관찰
상기 실시예에서 얻어진 동박 적층판의 단면을 SEM사진을 통하여 확인하였다. 하기 도 1에 나타난 바와 같이, 상기 실시예 1에서 얻어진 폴리이미드 수지층에는 0.05/im 내지 20 의 직경을 갖는 미세 기공이 분포한다는 점이 확인되었다.
2. 실험예 2: 연성 금속 적층체의 물성 측정
상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 동박 적층판에 대하여 유전 상수， CTE 및 흡수율을 다음과 같은 측정하여 그 결과를 하기 표 1에 기재하였다.
(1) 유전 상수측정 방법
실시예 및 비교예에서 얻어진 폴리이미드 수지 필름을 150 ° C에서 30분간 건조하고， 각각의 폴리이미드 수지 필름의 유전율을 SPDR(spl i t post dielectr i c resonance) 방법으로， 25 ° C 및 50%RH 의 조건에서, Agi letn E5071B ENA장치를 이용하여， Resonator를 이용하여 측정하였다.
(2) 선열팽창계수 (CTE) 측정 방법
실시예 및 비교예에서 얻어진 폴리이미드 수지 필름의 선열팽창계수를 IPC TM-650 2.4.24.3의 기준을 바탕으로 KXrC 내지 200 ° C 측정 조건에서 Met t ier사의 TMA/SDTA 840 기기를 이용하여 측정하였다.
(3) 흡수을측정 방법
실시예 및 비교예에서 얻어진 폴리이미드 수지 필름의 흡수율을 IPC
TM-650 2.6.2C의 기준을 바탕으로 23 ° C의 증류수에 24시간 동안 침적시켜서 상기 침적 전후의 측정 대상물의 질량을 측정하여 흡수율을 산정하였다.
【표 1】 실험예 2의 측정 결과
상기 표 1에서 확인되는 바와 같이， ' 실시예 1 및 2에서 얻어진 다공성 폴리이미드 수지층에는 약 1 내지 4 um , 또는 내지 3 의 평균 외부 입경을 갖는 중공형 불소계 수지 입자가 분포하고 있으며， 상기 중공형 불소계 입자의 내부에는 직경이 약 0.5 내지 2 의 증공 코어부가 위치한다는 점이 확인되었다. 또한， 상기 폴리이미드 수지층의 밀도 또한
1.30 내지 1.40 g/cin 2 인 것으로 확인되었다. 그리고， 실시예 1 및 2에서 제조되는 다공성 폴리이미드 수지층은 2.6이하의 낮은 유전 상수 및 1.5%이하의 낮은 흡수율을 가지면서도 12 내지 22 ppm의 선팽창계수를 갖는다는 점이 확인되었다.
이에 반하여, 비교예 1 및 2의 폴리이미드 수지층에는 중공형 불소계 수지 입자가 분포하지 않았으며， 비교예 1의 경우 상대적으로 높은 유전 상수 (2.9)， 낮은 선팽창계수 및 높은 습수율을 나타내었고， 비교예 2의 경우 상대적으론 높은 밀도를 가지며 동일한 PTFE 함량을 갖는 실시예 2 대비 상대적으로 높은 유전 상수를 갖는다는 점이 확인되었다.
Next Patent: METHOD FOR PROVIDING REMARK INFORMATION RELATED TO IMAGE, AND TERMINAL THEREFOR