以下、最良の形態に基づき、図面を参照� ��て本発明を説明する。

 図1は、本発明の色素増感太陽電池の第1� �例を示す断面図である。図2は、本発明の色� ��増感太陽電池の第2の例を示す断面図である 。図3は、本発明の色素増感太陽電池の第3の� ��を示す断面図である。図4は、本発明の色素 増感太陽電池の第4の例を示す断面図である� �図5は、本発明の色素増感太陽電池の第5の例 を示す断面図である。図6は、複数のセル間� �おける集電配線の配置を説明する平面図で� �る。

 図1に示す色素増感太陽電池10は、第1の電 極基板11と、第1の電極基板11上に形成された� ��明導電膜12と、透明導電膜12上に形成された 配線部19と、透明導電膜12上において配線部19 に隣接して設けられた多孔質酸化物半導体層 15と、第1の電極基板11の多孔質酸化物半導体� ��15と対向するように配された第2の電極基板1 6と、両電極基板11,16間に配された電解質層17� ��を少なくとも備えている。配線部19は、透� �導電膜12上に形成された集電配線13と、集電� ��線13を覆うように形成された配線保護層14と で構成されている。そして、透明電極基板で ある第1の電極基板11は、配線部19と対応する� ��置に、入射光の方向を変える膜体18を備え� �。

 図2に示す色素増感太陽電池20は、第1の電 極基板21と、第1の電極基板21上に形成された� ��明導電膜22と、透明導電膜22上に形成された 配線部29と、透明導電膜22上において配線部29 に隣接して設けられた多孔質酸化物半導体層 25と、第1の電極基板21の多孔質酸化物半導体� ��25と対向するように配された第2の電極基板2 6と、両電極基板21,26間に配された電解質層27� ��を少なくとも備えている。配線部29は、透� �導電膜22上に形成された集電配線23と、集電� ��線23を覆うように形成された配線保護層24と で構成されている。そして、配線保護層24は� ��配線部29と対応する位置に配され、入射光� �方向を変える機能を有する。即ち、色素増� �太陽電池20においては、配線保護層24が、配� ��部29と対応する位置に配された、入射光の� �向を変える膜体を兼ねている。言い換える� �、膜体24は配線部29に設けられている。

 図3に示す色素増感太陽電池30は、第1の電 極基板36と、第1の電極基板36上に形成された� ��線部39と、第1の電極基板36上において配線� �39に隣接して設けられた多孔質酸化物半導体 層35と、第1の電極基板36の多孔質酸化物半導� ��層35と対向するように配された第2の電極基� ��31と、第2の電極基板31上に形成された透明� �電膜32と、両電極基板31,36間に配された電解� ��層37とを少なくとも備えている。配線部39は 、第1の電極基板36上に形成された集電配線33� ��、集電配線33を覆うように形成された配線� �護層34とで構成されている。そして、透明電 極基板である第2の電極基板31は、配線部33と� ��応する位置に、入射光の方向を変える膜体3 8を備える。

 本発明において、入射光の方向を変える� ��体18,24,38,44は、配線部19,29,39,49と対応する位 置に設けられている。すなわち、膜体18,24,38, 44が存在しなければ集電配線13,23,33,43または� �線保護層14,24,34,44に入射して吸収される入射 光が、膜体18,24,38,44に入射することになる。� ��体18,24,38,44に入射した光は、膜体18,24,38,44に よって入射光の方向を変えられ、少なくとも 一部は、発電部分である多孔質酸化物半導体 層15,25,35,45に入射する。これにより、入射光� ��エネルギーロスを抑制して、発電効率の改� ��を図ることができる。

 図1に示す第1形態例の色素増感太陽電池10 では、多孔質酸化物半導体層15が設けられた� ��1の電極基板11が透明電極基板であり、入射� ��Lが第1の電極基板11を通して入射される。色 素増感太陽電池10において、第1の電極基板11� ��表面11a上の集電配線13と対向する位置に、� �ち第1の電極基板11に対し集電配線13と反対側 の表面11aに、入射光Lの方向を変える膜体18が 設けられている。この膜体18としては、拡散� ��、回折格子膜、または蛍光塗料膜を用いる� ��とができる。この場合、膜体18によって入� �光Lの方向を変えた光Sを、多孔質酸化物半導 体層15に入射させることができる。

 図2に示す第2形態例の色素増感太陽電池20 では、多孔質酸化物半導体層25が設けられた� ��1の電極基板21が透明電極基板であり、入射� ��Lが第1の電極基板21を通して入射される。色 素増感太陽電池20において、集電配線23の表� �に設けられた配線保護層24が、入射光Lの方� �を変える膜体24を兼ねるものである。この膜 体24としては、配線表面の反射率を高める反� ��膜を用いることができる。この場合、反射� ��を含む配線保護層24によって反射した光Sは� ��第1の電極基板21の表面21aで再び反射し、そ� ��反射光Rを多孔質酸化物半導体層25に入射さ� ��ることができる。また膜体24に入射した光� �、電解質層27を経て多孔質酸化物半導体層25� ��も入射しうる。なお、従来、導電ペースト� ��よる集電配線23は表面反射率が低いもので� �ったため、集電配線23から第1の電極基板21へ の入射光の反射は起こりにくいものであった 。従って、集電配線23は表面反射率が低い場� ��、色素増感太陽電池20において、図5に示す� ��うに、第1の電極基板21と透明導電膜22との� �の部分に反射率を向上する膜体28を設けるこ とが好ましい。ここで、この膜体28としては� ��拡散膜、回折格子膜、または蛍光塗料膜を� ��いることができる。この場合、膜体28によ� �て集電配線23に向かって入射した光Lが反射� �れ、その反射した光Sが第1の電極基板21の表� ��21aで再反射され、再反射された光Rが多孔質 酸化物半導体層25に入射されうる。このため� ��集電配線23に向けて入射した光の利用効率� �より高めることができる。

 図3に示す第3形態例の色素増感太陽電池30 では、第1の電極基板36の多孔質酸化物半導体 層35と対向するように配された第2の電極基板 31が透明電極基板であり、入射光Lが第2の電� �基板31を通して入射される。色素増感太陽電 池30において、第2の電極基板31の表面31a上の� ��電配線33と重なる位置に、入射光Lの方向を� ��える膜体38が設けられている。即ち膜体38は 、第2の電極基板31に対し集電配線33と反対側� ��表面31a上であって、第1の電極基板36、第2の 電極基板31及び配線部39とを結ぶ線上に設け� �れている。この膜体38としては、拡散膜、回 折格子膜、または蛍光塗料膜を用いることが できる。この場合、膜体38によって入射光Lの 方向を変えた光Sを、多孔質酸化物半導体層35 に入射させることができる。

 なお、第4形態例として、第1の電極基板46 の多孔質酸化物半導体層45と対向するように� ��された第2の電極基板41が透明電極基板であ� ��、入射光Lが第2の電極基板41を通して入射さ れる色素増感太陽電池40のように(図4参照)、� ��電配線43の表面に設けられた配線保護層44が 、入射光Lの方向を変える膜体を兼ねるもの� �することもできる。この膜体としては、配� �表面の反射率を高める反射膜を用いること� �できる。この場合、反射膜を含む配線保護� �44によって反射した光Sは、第2の電極基板41� �表面で再び反射し、その再反射光Rを多孔質� ��化物半導体層45に入射させることができる� �

 また、第1および第2の電極基板が両方と� �透明電極基板からなる場合は、上述の第1~第 4形態例をいずれも適用することが可能であ� �。

 また、図1から図4に示す例は、色素増感� �陽電池のセル1の部分に設けられた集電配線2 を含む配線部(図6参照)の位置に対応して入射 光の方向を変える膜体を配した場合を示して いるが、本発明はこれに限定されるものでは ない。入射光の方向を変える膜体は、色素が 担持された多孔質酸化物半導体層と隣接する 部分に設けられた集電配線の位置に対応して 配されるのであればよく、複数のセル1,1の間 の部分に配された集電配線3の位置に対応し� �配されても良く、また、セル1の周囲外側の� ��分に配された集電配線4の位置に対応して、 配されても良い。膜体の位置は、発電部分と なる色素が担持された多孔質酸化物半導体層 からおよそ2mm程度またはそれ以内の距離で隣 接した位置であれば、膜体で方向を変えた入 射光を発電部分に入射されるのに好適である 。

 拡散膜としては、特に限定されるもので� ��ないが、例えば、透明樹脂中に、該透明樹� ��と屈折率の異なる透明ビーズや、該透明樹� ��より高屈折率の散乱粒子等を添加し、入射� ��を散乱させるようにしたものなどが挙げら� ��る。拡散膜は等方性のものでも、異方性の� ��のでも良く、配線と垂直に(すなわち図1お� �び図3の左右方向に)散乱させるものが望まし い。拡散膜は、例えばあらかじめ成形したフ ィルムを基板表面に貼付することによって形 成される。あるいは拡散膜は、インクやペー スト状のものを基板表面に塗布し、乾燥もし くは硬化によって形成することもできる。拡 散膜は、光の透過率が高く、かつ散乱角度の 大きいものが望ましい。

 回折格子膜としては、特に限定されるも� ��ではないが、入射光のうち光電変換量子効� ��が高い波長500~600nm(例えば波長550nm)の光の向 きを変えて多孔質酸化物半導体層に入射する ように、格子本数と回折方向を設定されたも のが望ましい。回折格子膜は、あらかじめ回 折格子が設けられた膜体を基板表面に貼付す ることによって形成される。あるいは回折格 子膜は、基板表面にフィルム貼付や塗膜形成 などによって膜体を設けた後で、該膜体に回 折格子を設けることによって形成することも できる。

 蛍光塗料膜としては、特に限定されるも� ��ではないが、光電変換量子効率が高い波長5 00~600nm(例えば波長550nm)の光の効率よく発する 物質を蛍光体として用いる蛍光塗料膜が好ま しい。蛍光塗料膜の構成例としては、第1に� �蛍光体を溶解した溶液または分散した分散� �を透明基板に塗布し、乾燥してなる膜体が� �げられる。第2に、蛍光体をアクリル樹脂、� ��レタン樹脂、セルロース系樹脂などの透明� ��脂に添加してフィルム状に成形した蛍光体� ��入プラスチックフィルムを透明基板の表面� ��貼り合わせたものが挙げられる。第3に、ポ リエチレンテレフタレートフィルム、セルロ ース系樹脂フィルムなどの透明プラスチック フィルムに蛍光体を溶解した蛍光塗料などの 溶液を塗布、乾燥した蛍光体塗布プラスチッ クフィルムを透明基板の表面に貼り合わせた ものが挙げられる。

 蛍光塗料膜に使用される蛍光体としては� ��少なくとも波長500nm以下の光を波長500~600nm� �光に変換する機能を有するものが用いられ� �具体的にはフルオレセイン(490nm→520nm)、エ� �シン、ローダミンBなどの有機蛍光体、ハロ� ��ン酸カルシウム、カドミウムテルライドな� ��の無機蛍光体などが挙げられる。また、耐� ��性の高い無機蛍光体は、透明基板をなすガ� ��スに溶融して含有させてもよく、透明基板� ��プラスチックフィルムからなる場合、透明� ��板中に練り込んでおくこともできる。この� ��うな蛍光塗料膜中の蛍光体の濃度は、0.1~1wt %程度で十分であり、蛍光体自体に起因する� �吸収が過大にならないように、その添加量� �調整することが望ましい。また、蛍光塗料� �の厚さは、特に限定されないが、厚さが薄� �ものが好ましい。

 反射膜としては、特に限定されるもので� ��ないが、配線保護膜を形成するインクにあ� ��かじめ酸化チタンなどの高屈折率粒子を混� ��込んで白色化させた塗膜などが挙げられる� ��高屈折率粒子は、平均粒子径が200~600nmのも� ��が好ましく、また、塗膜としては、粒径1μm 以上の凝集2次粒子ができないように、イン� �をよく分散したものが望ましい。

 上述のいずれの場合においても、入射光� ��方向を変える膜体18,24,38,44の幅は、配線部19 ,29,39,49の幅よりも大きく、かつ、隣接する多 孔質酸化物半導体層15,25,35,45に重ならない範� ��に配されていることが好ましい。これによ� ��、膜体がなくても発電部分である多孔質酸� ��物半導体層15,25,35に到達する入射光が発電� �分に到達することを妨げることなく、膜体� �なければ非発電部分に到達する入射光を効� �良く発電部分に到達させることができる。� �た、基板表面に膜体を設けることは、セル� �間やコネクタ部分などの非発電部分にも適� �できる。

 また、図1および図3に示すように、膜体18 ,38を、窓極となる透明電極基板11,31の表面11a, 31aに設ける場合は、膜体18,38と集電配線13,33� �位置関係を光の入射方向に対応させて設定� �ることが望ましい。通常は、透明電極基板11 ,31に対して入射光Lが垂直に入射する場合を� �定して、膜体18,38と集電配線13,33とが基板面� ��対して略垂直の位置(図1および図3の上下方� ��)に配置すれば良い。言い換えると、膜体18, 38は、透明電極基板11,31及び配線部19,39を結ぶ 線上であって透明電極基板11,31の厚さ方向に� ��った線上に配置されればよい。膜体18,38を� �のような位置に配置するのは以下の理由に� �るものである。即ち、透明電極基板11,31の表 面11a,31aは通常、太陽光が最も高くなる位置� �向けられる。ここで、太陽光の日射量は、� �陽光の高度が最大となるときに最大となる� �従って、膜体18,38が設けられていない場合、 配線部19,39に入射される光の強度は、太陽光� ��高度が最大となるときに最大となり、発電� ��スも最大となる。よって、上記位置に膜体1 8,38が配置されると、1日を通した発電ロスが� ��も低く抑えられることになる。このことは� ��天気が快晴である場合に特に顕著となる。

 なお、膜体18,38が上記のように配置され� �いても、入射光Lが特定の方向から斜めに入� ��する場合に対応することも可能である。

 透明電極基板11,21,31,41の基材材料として� �、ガラス、樹脂、セラミクスなど、実質的� �透明な基板であれば制限なく使用できる。� �孔質酸化物半導体層の焼成を行う際に基板� �変形や変質等が起こらないよう、耐熱性に� �れる点で高歪点ガラスが特に好ましいが、� �ーダライムガラス、白板ガラス、硼珪酸ガ� �ス等も好適に使用することができる。

 透明導電膜12,22,32,42の材料としては特に限� �されるものではないが、例えば、スズ添加� �化インジウム(ITO)、酸化スズ(SnO ₂ )、フッ素添加酸化スズ(FTO)等の導電性金属酸 化物が挙げられる。透明導電膜を形成する方 法としては、その材料に応じた公知の適切な 方法を用いればよいが、例えば、スパッタ法 、蒸着法、SPD法、CVD法などが挙げられる。そ して、透明導電膜は、光透過性と導電性を考 慮して、通常0.001μm~10μm程度の膜厚に形成さ� ��る。

 集電配線13,23,33は、金、銀、銅、白金、� �ルミニウム、ニッケル、チタンなどの金属� �、例えば格子状、縞状、櫛型などのパター� �により、配線として形成したものである。� �極基板の光透過性を著しく損ねないために� �、各配線の幅を1000μm以下と細くすることが� ��ましい。各配線の厚さ(高さ)は、特に制限� �れないが、0.1~20μmとすることが好ましい。

 集電配線を形成する方法としては、例えば� ��導電粒子となる金属粉とガラス微粒子など� ��結合剤を配合してペースト状にし、これを� ��クリーン印刷法、ディスペンス、メタルマ� ��ク法、インクジェット法などの印刷法を用� ��て所定のパターンを形成するように塗膜し� ��焼成によって導電粒子を融着させる方法が� ��げられる。焼成温度は、例えば、基板がガ� ��ス基板である場合には600℃以下、より好ま� ��くは550℃以下とすることが好ましい。この� ��の集電配線を形成する方法としては、スパ� ��タ法、蒸着法、メッキ法などの形成方法を� ��いることもできる。導電性の観点から、集� ��配線の体積抵抗率は、10 ^-5 ω・cm以下であることが好ましい。

 配線保護層14,34は、低融点ガラスから構� �されるガラス層を1層または2層以上有するも のでもよく、耐熱性樹脂から構成される絶縁 樹脂層を1層または2層以上有するものでもよ� ��。また、これらのガラス層および絶縁樹脂� ��の2層を少なくとも備えるものでもよい。

 配線保護層として使用可能なガラス層は� ��低融点ガラスから構成される。硼酸鉛系な� ��の含鉛のものが一般的であるが、環境負荷� ��考慮した場合、鉛を含まないものがより好� ��しい。例えば、硼珪酸ビスマス塩系/硼酸ビ スマス亜鉛塩系、アルミノリン酸塩系/リン� �亜鉛系、硼珪酸塩系などの低融点ガラス材� �を用いることができる。前記ガラス層は、� �れらの低融点ガラス材料を単独または複数� �含む低融点ガラスを主成分とし、熱膨張率� �粘度の調整などにより必要に応じて可塑剤� �その他の添加剤を加えてペースト化したも� �を、スクリーン印刷やディスペンス等の手� �により、塗布し焼成して形成することがで� �る。ガラス層は、同一のペーストまたは異� �るペーストを用いて多層としても構わない� �

 配線保護層として使用可能な絶縁樹脂層� ��、耐熱性樹脂から構成される。耐熱性樹脂� ��、少なくとも多孔質酸化物半導体層の焼成� ��耐え得る耐熱性を有するものが選ばれる。� ��のような耐熱性樹脂としては、ポリイミド� ��導体、シリコーン化合物、フッ素エラスト� ��ー、フッ素樹脂などから選択される1種を単 独で、または複数種を配合・積層等により併 用して、用いることができる。フッ素樹脂と しては、ポリテトラフルオロエチレン、テト ラフルオロエチレン-パーフルオロアルキル� �ニルエーテル共重合体、テトラフルオロエ� �レン-ヘキサフルオロプロピレン共重合体等� ��テフロン(登録商標)系化合物から選択され� �1種または複数種を用いることができる。ま� ��、絶縁樹脂層に柔軟性に富む樹脂材料を適� ��することで、配線保護層の衝撃破壊、割れ� ��どの懸念が減少する。前記絶縁樹脂層を形� ��する方法としては、絶縁性樹脂を含有する� ��ニスやペーストを塗膜する方法が挙げられ� ��。絶縁樹脂層の緻密性を向上させる点では� ��複数回塗膜を繰り返して配線保護層を複層� ��することが望ましい。

 配線保護層が、ガラス成分から構成され� ��ガラス層を有することにより、電解液の漏� ��(減量)や劣化を抑制することができる。ま� �、ガラス層の上に耐熱性樹脂から構成され� �絶縁樹脂層をオーバーコートとして設ける� �とにより、ガラス層中のガラス成分が電解� �に接することがなく、ガラス中の成分と電� �液中の成分とが反応することを防止するこ� �ができる。

 また、ガラス層がガス透過を遮断するの� ��、この効果だけを得る目的であれば、絶縁� ��脂層として、高温で焼成可能な耐熱樹脂や� ��熱接着剤を用いる必要はない。この場合、� ��熱性の低い接着剤の塗布や、ホットメルト� ��着剤のラミネートによりオーバーコートと� ��る絶縁樹脂層を形成しても良い。特に、ホ� ��トメルト接着剤のラミネートにより絶縁樹� ��層を形成する場合は、作用極の被毒が小さ� ��ため、耐熱樹脂や耐熱接着剤に近い、良好� ��特性が得られる。

 低融点ガラス層および耐熱樹脂層は、各� ��単一または複数種の材料を用いて複数回重� ��て塗布しても構わない。印刷時に発生する� ��ンホール等の欠陥を補い、保護層の緻密性� ��向上させる点では、複層化することがより� ��ましい。

 ガラス層のオーバーコートとしての絶縁� ��脂層の厚さは、1μm以上あることが望ましい 。オーバーコートが薄すぎる場合には樹脂の 柔軟性が活かされず、対向する対極表面を傷 つける可能性があり、また、異物等の混入や 素子作製時のハンドリングによって、樹脂層 自身が傷つく可能性もある。

 配線保護層は、過剰に厚くする必要もな� ��、総厚で100μmを超えるべきではない。

 配線保護層24,44は既に述べたように反射� �を含む。反射膜は、上述した配線保護層14,34 を構成するガラス層又は絶縁樹脂層中に酸化 チタンなどの高屈折粒子をさらに含むもので ある。

 多孔質酸化物半導体層15,25,35,45は、酸化� �半導体のナノ粒子(平均粒径1~1000nmの微粒子)� ��焼成により多孔質膜とし、色素が増感され� ��なるものである。

 酸化物半導体としては、酸化チタン(TiO ₂ )、酸化スズ(SnO ₂ )、酸化タングステン(WO ₃ )、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ニオブ(Nb ₂ O ₅ )などの1種または2種以上が挙げられる。多孔 質酸化物半導体層の厚さは、例えば0.5~50μm程 度とすることができる。

 多孔質酸化物半導体層を形成する方法と� ��ては、例えば、市販の酸化物半導体微粒子� ��所望の分散媒に分散させた分散液、あるい� ��、ゾル-ゲル法により調整できるコロイド溶 液を、必要に応じて所望の添加剤を添加した 後、スクリーンプリント法、インクジェット プリント法、ロールコート法、ドクターブレ ード法、スピンコート法、スプレー塗布法な ど公知の塗布法により塗布するほか、コロイ ド溶液中に浸漬して電気泳動により酸化物半 導体微粒子を基板上に付着させる泳動電着法 などを適用することができる。

 多孔質酸化物半導体層に担持される増感� ��素は、特に制限されるものではなく、例え� ��、ビピリジン構造、ターピリジン構造など� ��含む配位子を有するルテニウム錯体や鉄錯� ��、ポルフィリン系やフタロシアニン系の金� ��錯体をはじめ、エオシン、ローダミン、ク� ��リン、メロシアニンなどの誘導体である有� ��色素などから、用途や酸化物半導体多孔膜� ��材料に応じて適宜選択して用いることがで� ��る。

 電極基板16,26,36,46としては、特に限定さ� �るものではないが、具体的には金属板、金� �箔、ガラス板などの基材16a,26a,36a,46aの表面� �、白金、カーボン、導電性高分子等の触媒� �16b,26b,36b,46bを形成したものが挙げられる。� �の電極基板の表面における導電性を向上す� �ため、基材16a,26a,36a,46aと触媒層16b,26b,36b,46b� �の間に別途導電層を設けても構わない。

 電解質層17,27,37を構成する電解質として� �、酸化還元対を含む有機溶媒や室温溶融塩(� ��オン液体)などを用いることができる。また 、電解液に適当なゲル化剤(例えば高分子ゲ� �化剤、低分子ゲル化剤、各種ナノ粒子、カ� �ボンナノチューブなど)を導入することによ� ��疑似固体化したもの、いわゆるゲル電解質� ��電解液の代わりに用いても構わない。

 有機溶媒としては、特に限定されるもの� ��はないが、アセトニトリル、メトキシアセ� ��ニトリル、プロピオニトリル、メトキシプ� ��ピオニトリル、プロピレンカーボネート、� ��エチルカーボネート、γ-ブチロラクトンな� ��の1種または複数種が例示される。また、室 温溶融塩としては、イミダゾリウム系カチオ ン、ピロリジニウム系カチオン、ピリジニウ ム系カチオン等のカチオンと、ヨウ化物イオ ン、ビストリフルオロメチルスルホニルイミ ドアニオン、ジシアノアミドアニオン、チオ シアン酸アニオン等のアニオンとからなる室 温溶融塩の1種または複数種が例示される。

 電解質に含有される酸化還元対としては� ��特に限定されることないが、ヨウ素/ヨウ化 物イオン、臭素/臭化物イオンなどのペアを1� ��または複数種添加して得ることができる。� ��ウ化物イオンまたは臭化物イオンの供給源� ��しては、これらのアニオンを含有するリチ� ��ム塩、四級化イミダゾリウム塩、テトラブ� ��ルアンモニウム塩などを単独または複合し� ��用いることができる。電解液には、必要に� ��じて4-tert-ブチルピリジン、N-メチルベンズ� ��ミダゾール、グアニジニウム塩などの添加� ��を添加することができる。

 本形態例の色素増感太陽電池は、例えば� ��の手順によって製造することができる。

 図1および図2に示すように、透明電極基� �11,21上に集電配線13,23および多孔質酸化物半� ��体層15、25が設けられる場合は、電極基板11, 21上に透明導電膜12,22を形成した後、透明導� �膜12,22の上に集電配線13,23および多孔質酸化� ��半導体層15、25を形成する。また、集電配線 13,23の形成後に配線保護層14,24を形成する。� �お、集電配線の上に透明導電膜を形成して� �配線保護層の一部とするのでもよい。また� �多孔質酸化物半導体層に色素を担持するに� �、多孔質酸化物半導体層を設けた基板を色� �溶液に浸漬させる等の方法を用いることが� �きる。そして、集電配線13,23や色素が担持さ れた多孔質酸化物半導体層15,25に備える第1の 電極基板11,21を作用極とし、対極となる第2の 電極基板16,26との間に電解質層17,27を配する� �とで、色素増感太陽電池10,20を得ることがで きる。

 図3に示すように、対極となる第2の電極� �板31が透明電極基板からなる場合は、第1の� �極基板36の上に集電配線33および多孔質酸化� ��半導体層35を形成するとともに、配線保護� �34の形成と多孔質酸化物半導体層35への色素� ��持を行うことで、作用極が得られる。そし� ��、透明導電膜32を備える第2の電極基板31を� �極とし、作用極と対極との間に電解質層37を 配することで、色素増感太陽電池30を得るこ� ��ができる。

 電解質層を両電極基板間に配する方法と� ��ては、特に限定されるものではないが、電� ��液を用いる場合は、作用極と対極とを向か� ��合わせ、両極の周囲を樹脂や接着剤等によ� ��封止した後で、適宜設けた注入孔から電解� ��を注入する方法が用いられる。また、ゲル� ��解質を用いる場合は、作用極の上にゲル電� ��質を塗布し、その上に対極を貼り合わせる� ��法が用いられる。

 第1および第3形態例に挙げるように、入� �光の方向を変える膜体18,38を透明電極基板11, 31の表面11a,31aに設ける場合は、膜体は、作用 極と対極を向かい合わせる前の基板表面に設 けてもよく、作用極と対極を向かい合わせた 後で設けても良い。

 第2および第4形態例に挙げるように、入� �光の方向を変える膜体が配線保護層を兼ね� �場合は、配線保護層として入射光の方向を� �える膜体を形成すれば良い。

 いずれの場合においても、入射光の方向� ��変える膜体が、配線部と対応する位置に設� ��られることによって、入射光のエネルギー� ��スを抑制し、発電効率の改善を図ることが� ��きる。

 さらに上記第1~第4形態例では、入射光方� ��変更部が膜体であるが、入射光方向変更部� ��膜体に限定されるものではない。例えば第1 の電極基板、配線部または第2の電極基板に� �成される回折格子パターンなどであっても� �い。

 また上記第1~第4形態例では、配線部が集� ��配線と配線保護層とで構成されているが、� ��線部は集電配線のみで構成されていてもよ� ��。