以下、図面を参照しつつ、本発明の具体� ��な実施形態を説明することにより、本発明� ��明らかにする。

 図2は、本発明の第1の実施形態に係る弾性� �装置の模式的平面図である。本実施形態の� �性波装置は、弾性表面波装置である。弾性� �面波装置1は、圧電基板2を有する。本実施形 態では、カット角126°のLiNbO ₃ 基板が用いられている。もっとも、圧電基板 2は、他のカット角のLiNbO ₃ 基板、あるいはLiTaO ₃ や水晶などの他の圧電単結晶により形成され ていてもよく、あるいは圧電セラミックスに より形成されていてもよい。

 圧電基板2上に、図示の電極構造を形成す ることにより、弾性表面波装置1が構成され� �いる。弾性表面波装置1は、ラダー型回路構� ��を有する弾性表面波フィルタであり、図3に 示すデュプレクサ3の送信フィルタ4を構成す� ��ために用いられる。デュプレクサ3は、EGSM� �式の携帯電話用のデュプレクサであり、送� �側通過帯域は、880~915MHzである。

 図3に示すように、デュプレクサ3は、ア� �テナに接続されるアンテナ端子5と、送信端� ��6と、受信端子7とを有する。アンテナ端子5� ��送信端子6との間に送信フィルタ4が接続さ� �ている。

 他方、アンテナ端子5と受信端子7との間� �受信フィルタ8が接続されている。受信フィ� ��タ8は、図3ではブロックで示されているが� �ラダー型回路構成の弾性表面波フィルタな� �の適宜の回路構成の帯域フィルタにより形� �され得る。

 他方、送信フィルタ4は、アンテナ端子5� �送信端子6とを結んでいる直列腕に挿入され� ��複数の直列腕共振子S1~S7と、並列腕共振子P1 ~P3とを有する。並列腕共振子P1は、直列腕共� ��子S2,S3間の接続点とグラウンド電位との間� �接続されている。並列腕共振子P2は、直列腕 共振子S5,S6間の接続点とグラウンド電位との� ��に接続されている。並列腕共振子P1,P2のグ� �ウンド電位側端部は共通接続されており、� �つインダクタンスL1を介してグラウンド電位 に接続されている。

 並列腕共振子P3は、直列腕共振子S7とグラ ウンド電位との間に接続されている。また、 並列腕共振子P3に直列にインダクタンスL2が� �続されている。

 他方、アンテナ端子5と、グラウンド電位 との間に、インピーダンス調整用のインダク タンスL3が接続されている。

 図2に戻り、弾性表面波装置1は、上述し� �送信フィルタ4の内、直列腕共振子S1~S7及び� �列腕共振子P1~P3を形成している弾性表面波フ ィルタチップである。より具体的には、圧電 基板2上に、送信信号が入力される送信端子6� ��しての電極パッド10と、出力端子としての� �極パッド9とが形成されている。また、圧電� ��板2上には、グラウンド電位に接続されてい る複数の電極パッド11~13が形成されている。� ��極パッド11と電極パッド12とは、接続導電部 14により電気的に接続されている。

 他方、圧電基板2上には、グラウンド電位 や送信入出力端に接続されていない浮き電極 パッド15a~15cも形成されている。

 上記直列腕共振子S1~S7及び並列腕共振子P1 ~P3は、いずれも、複数本の電極指を有するIDT と、IDTの表面波伝搬方向両側に配置された一 対の反射器とを有する1ポート型弾性表面波� �振子である。直列腕共振子S1を例にとると、 互いに間挿し合う複数本の電極指を有するIDT 電極21と、IDT電極21の表面波伝搬方向両側に� �置された反射器22,23とが備えられている。な お、図2において、直列腕共振子S1~S7及び並列 腕共振子P1~P3の寸法が異なるのは、それぞれ� ��所望とするフィルタ特性を得るために、静� ��容量などが異ならされているためである。

 圧電基板2上においては、上記電極構造を 形成するために、第1の積層導電膜と、第2の� ��層導電膜とが形成されている。より具体的� ��は、電極パッド9~13、接続導電部14及び電極� ��ッド15a~15cが第2の積層導電膜により形成さ� �ている。また、これらの各電極パッド9~13は� ��ずれかに連ねられている電極部分である第2 の配線パターン17もまた、第2の積層導電膜に より形成されている。

 本実施形態では、第2の積層導電膜は、圧 電基板上に形成されたAlCu合金膜、Ti膜及びAl� ��をこの順序で積層した構造を有する。すな� ��ち、第2の積層導電膜は、上から順に、Al/Ti/ AlCu合金の積層構造を有する。AlCu合金は、Cu� �10重量%含み、残部がAlからなるAlを主体とす� ��合金である。各層の厚みは、Al/Ti/AlCu合金=11 40/200/500である。なお、各層の厚みの単位はnm である。

 言い換えれば、第2の積層導電膜は、Alま� ��はAlを主成分とする合金からなるAl系導電膜 からなる一対の主電極間にTi膜を積層した構� ��を有する。なお、Ti膜は、Al膜と、AlCu合金� �との間の拡散を防止するために設けられて� �るバリア層である。Al膜及びAlCu合金膜が、� �電極層である。主電極層とは、IDT、電極パ� �ドまたは配線パターンなどにおいて、支配� �な電極層をいうものとし、上記バリア層や� �後述する保護層としてのTi膜や密着層として のNiCr合金膜よりも厚みの相対的に厚い電極� �をいうものとする。

 図1は、図2のA-A線に沿う階段断面図であ� �。ここでは、電極パッド9を構成している第2 の積層導電膜31上にバンプ32が形成されてい� �状態が示されている。上記バンプ32が形成さ れる位置を、図2においては、円で示す。図1� ��戻り、上記第2の積層導電膜31は、上から順� ��上述したAl膜31a、Ti膜31b及びAlCu合金膜31cを� �層した構造を有する。

 従って、比較的柔らかいAlCu合金膜31cが圧 電基板2に接触しているため、バンプ32を用い てフリップチップボンディングした場合に、 圧電基板2に大きな衝撃は加わり難い。よっ� �、圧電基板2のクラックを確実に防止するこ� ��ができる。

 他方、上記圧電基板2上に形成されている 電極構造の内、第2の積層導電膜31により形成 されている部分以外は、第1の積層導電膜33に より形成されている。すなわち、各共振子S1~ S7,P1~P3のIDT、反射器及びこれらに連なるバス� ��ーを含む第1の配線パターン16は第1の積層導 電膜からなる。

 図1に示すように、直列腕共振子S1の反射� ��23が形成されている部分近傍では、反射器23 を覆うように絶縁膜24が形成されている。な� ��、絶縁膜24は、直列腕共振子S1のIDT電極21及� ��反射器22をも覆うように、また他の直列腕� �振子S2~S7及び並列腕共振子P1~P3のIDT及び反射� ��をも覆うように形成されている。

 絶縁膜24は、図1では、単一の絶縁層として� ��成されているが、本実施形態では、厚み1000 nmのSiO ₂ 膜及び厚み50nmのSiN膜を順次成膜し、積層し� �。SiO ₂ 膜の厚みとSiN膜の厚みの合計は約1050nmである 。

 圧電基板2は、前述したようにLiNbO ₃ からなる。従って、SiO ₂ 膜の形成により、周波数温度係数TCFの絶対値 を小さくすることができ、温度特性の安定化 を図ることが可能とされている。

 第1の積層導電膜33は、NiCr合金膜、Pt膜、T i膜、AlCu合金膜及びTi膜をこの順序で積層し� �構造を有する。上から順に示すと、Ti膜33a/Al Cu合金膜33b/Ti膜33c/Pt膜33d/NiCr合金膜33eであり� �その厚みは、Ti/AlCu合金/Ti/Pt/NiCr合金=10/140/10/ 80/10(単位はnm)である。上記AlCu合金膜33bは、Cu を1重量%含み、残部がAlからなるAlCu合金膜で� ��る。また、NiCr合金膜33eは、Niを80重量%含み� ��残部がCrからなるNiCr合金膜である。

 図1に示すように、第1の積層導電膜33にお いては、最下層の導電膜がNiCr合金膜33eであ� �、Alに比べて硬い。しかしながら、第1の積� �導電膜33は、バンプ32が接合される部分では� ��いため、それほど軟らかくする必要はない� ��

 逆に、上記NiCr合金膜33eは、圧電基板2に� �する密着性に優れている。従って、IDT電極21 を含む電極部分の圧電基板2に対する密着性� �高めることができる。

 他方、第1の積層導電膜33は、主電極層と� ��て、140nmの厚みのAlCu合金膜33bと、80nmのPt膜3 3dとを有する。Ptは、Alよりも密度が高いので 第1の積層導電膜33からなるIDTの密度が高めら れる。IDTの密度が高いので反射係数を高める ことができる。また、Cuと異なり、Ptは酸化� �難い。

 さらに、AlCu合金膜33bと、Pt膜33dとの間に� ��薄いTi膜33cがバリア層として積層されてい� �ため、Alと、Ptとの拡散が生じ難い。

 また、主電極層として低抵抗金属のAlCu合 金膜33bを積層したのでIDTの抵抗を低減するこ とができる。

 さらに、第1の積層導電膜33では、AlCu合金 膜33bの上面に、すなわち最上層の導電層とし てTi膜33aが形成されている。AlCu合金膜33bがTi� ��33aで被覆されているため、本実施形態では� ��図1に示されているコンタクト部Bにおける� �触抵抗を低めることができる。これをより� �細に説明する。

 コンタクト部Bとは、第1の配線パターン16 と、第2の配線パターン17とが電気的に接続さ れるように、第2の配線パターン17が第1の配� �パターン16上に重なり合っている部分である 。図1では、電極パッド9と直列腕共振子S1と� �接続されている部分において、上記コンタ� �ト部Bが形成されているが、圧電基板2上にお いては、電極パッド10~13に連なる第2の配線パ ターン17と第1の配線パターン16とが接続され� ��部分においても同様にコンタクト部が形成� ��れている。

 前述したように、この種のコンタクト部B では、従来、Al膜とAl膜とが直接接触された� �合には、接触抵抗が高くなり、挿入損失が� �化するという問題があった。これに対して� �本実施形態では、図1に示すように、第1の積 層導電膜33の最上層の導電膜は、厚み10nmのTi� ��33aである。他方、第2の積層導電膜31の最下� ��の導電膜は、AlCu合金膜31cである。従って、 コンタクト部Bでは、AlCu合金/Tiの積層構造が� ��成される。このような積層構造では、界面� ��おける接触抵抗は、Al-Al界面に比べて低く� �れ得る。従って、上記弾性表面波装置1にお� ��る挿入損失を小さくすることが可能となる� ��

 図2では、第2の配線パターン17が第1の配� �パターン16の端部のみと重なっている。第2� �配線パターン17が、第1の配線パターン16の大 部分を覆うように延ばされていてもよい。

 なお、図4は、本実施形態の弾性表面波装 置1が搭載されるデュプレクサの略図的平面� �である。デュプレクサ3は、パッケージを構� ��するパッケージ基板41を有する。パッケー� �基板41上に、送信フィルタ4(図3参照)を構成� �る弾性表面波フィルタチップ42及び受信フィ ルタを構成する弾性表面波フィルタチップ43� ��フリップチップボンディングにより実装さ� ��ている。図4では、フリップチップボンディ ングに際し、バンプにより接合される部分を 一点鎖線で描かれた円で示すこととする。

 上記実施形態の弾性表面波装置1は、この 送信側の弾性表面波フィルタチップ42に相当� ��るものであり、パッケージ基板41上にフリ� �プチップボンディングにより実装される。

 図5は、比較のために用意した弾性表面波 装置のコンタクト部の構造を説明するための 模式的階段断面図である。図5に示されてい� �部分は、上記実施形態について示した図1に� ��した部分に相当するので、上記実施形態と� ��じ部分については同じ参照番号を付するこ� ��とする。

 図5に示す比較例の弾性表面波装置1101で� �、圧電基板2上に、第1の積層導電膜1102と、� �2の積層導電膜1104とが形成されている。第1� �積層導電膜1102は、IDT電極(図示せず)及び反� �器23並びに第1の配線パターン1103を形成して� ��る。他方、第2の積層導電膜1104は、バンプ32 が接合される電極パッド9と、電極パッド9に� ��ねられた第2の配線パターン1105とを形成し� �いる。そして、コンタクト部Bにおいて、第1 の配線パターン1103上に、第2の配線パターン1 105が重なって、両者が電気的に接続されてい る。

 比較例の弾性表面波装置1101では、第1の� �層導電膜1102は、上から順にAlCu合金膜1102a/Ti� ��1102b/Pt膜1102c/NiCr合金膜1102d=140/10/85/10(単位と はnm)の各厚みとなるようにこれらを積層した 構造を有する。AlCu合金膜1102aは、第1の実施� �態の場合と同様に、1重量%のCuを含み、残部� ��AlからなるAlCu合金膜である。また、NiCr合金 膜1102dは、上記実施形態で用いたNiCr合金膜と 同様にした。

 他方、第2の積層導電膜1104は、上から順� �Al膜1104a/Ti膜1104b/AlCu合金膜1104cを、Al/Ti/AlCu合 金=1140/200/500(単位はnm)の厚みとなるように積� ��した構造を有する。AlCu合金膜1104cは、Cuを10 重量%含み、残部がAlからなるAlCu合金膜であ� �。すなわち、上記実施形態の第2の積層導電� ��と同様に形成されている。従って、比較例� ��弾性表面波装置1101においても、フリップチ ップボンディングに際し、バンプ32を用いて� ��合したとしても、圧電基板2においてクラッ クが生じ難い。

 他方、上記コンタクト部Bにおいては、第 1の積層導電膜1102の最上層の導電膜がAlCu合金 膜1102aであり、Alを主体とする導電膜である� �これに、第2の積層導電膜1104の最下層の導電 膜であるAlCu合金膜1104cが重なっている。従っ て、両者の界面は、AlCu合金膜1104c/AlCu合金膜1 102aである。

 図6(a)及び(b)は、上記実施形態の弾性表面 波装置1及び比較例の弾性表面波装置1101の各� ��列腕共振子S1のインピーダンス周波数特性� �び位相周波数特性を示す。図7は、上記実施� ��態の弾性表面波装置1及び比較例の弾性表面 波装置1101の各直列腕共振子S1のインピーダン ススミスチャートを示す図であり、図8は、� �直列腕共振子の反射係数S11のリターンロス� �示す図である。図6(a),(b)~図8において、実線� ��実施形態の結果を、破線は比較例の結果を� ��す。

 図6(a)及び(b)~図8から明らかなように、特� ��、インピーダンススミスチャート及びリタ� ��ンロスを示す図7及び図8から明瞭に現れて� �るように、実施形態によれば、比較例に比� �て共振点と反共振点との間の周波数域、す� �わち通過帯域となる周波数域において挿入� �失を小さくし得ることがわかる。

 また、図8より、フィルタ通過帯域高域側 肩部、すなわち910~930MHzにおけるリターンロ� �が比較例に比べて、小さくされていること� �わかる。

 これは、第2の配線パターンと第1の配線� �ターンとが接続されている上記コンタクト� �Bにおける接触抵抗が低められていることに� ��る。

 従って、本実施形態の弾性表面波装置1に よれば、上記比較例の弾性表面波装置1101に� �べて、挿入損失の低減を図ることが可能と� �る。

 なお、図9は、前述した第1の実施形態に� �ける弾性表面波装置1及び比較例の弾性表面� ��装置1101の減衰量周波数特性を示す図であり 、実線が実施形態の結果を、破線が比較例の 結果を示す。図9から明らかなように、第1の� ��施形態によれば、比較例に比べて最小挿入� ��失を0.18dB改善し得ることがわかる。

 また、上記実施形態の弾性表面波装置1で は、製造工程において加熱によるアニール処 理を施すことにより、挿入損失をより一層改 善することができる。これを、図10及び図11� �参照して説明する。

 図10は、上記実施形態の弾性表面波装置� �製造に際し、280℃の温度に60分維持するアニ ール処理を施した場合の直列腕共振子のイン ピーダンススミスチャート及び該アニール処 理を施さなかった場合のインピーダンススミ スチャートを示す図である。図11は、上記ア� ��ール処理を施した場合の直列腕共振子の反� ��特性のリターンロス及びアニール処理を施� ��なかった場合の直列腕共振子の反射特性の� ��ターンロスを示す図である。実線がアニー� ��処理後の特性を、破線がアニール処理を行� ��ない場合の特性を示す。

 図10及び図11から明らかなように、アニー ル処理を施すことにより、共振子特性が改善 され、挿入損失をより一層小さくし得ること がわかる。

 このアニール処理とは、ウェーハ状態で� ��性表面波装置1の電極構造を形成し、絶縁膜 24を形成した後に、個々の弾性表面波フィル� ��チップにダイシングする前に加熱する処理� ��ある。この加熱は、アニール炉にウェーハ� ��通過させる方法、あるいは適宜のヒーター� ��用いて加熱する方法などに行い得る。アニ� ��ル処理の温度及び時間は、使用するウェー� ��及び電極によっても異なるが、第1の積層導 電膜の最上層のAl系導電膜の酸化層を還元さ� ��得る限り、適宜の条件とすることができる� ��例えば、230~280℃程度の温度で、60~360分程度 維持すればよい。

 第1の積層導電膜の最上層の導電膜がAlま� ��はAlを主体とする合金からなるため、表面� �酸化層を有している場合であっても、上記� �ニール処理により、該酸化層が還元され、� �触抵抗を低めることができる。

 図12は、本発明の第2の実施形態に係る弾� ��波装置の要部を示す模式的正面断面図であ� ��。弾性表面波装置101は、第1の積層導電膜の 構造及び上記コンタクト部の構造が異なるこ とを除いては、第1の実施形態の弾性表面波� �置1と同様である。従って、図12を参照して� �なる部分を主として説明し、他の部分につ� �ては、第1の実施形態の説明を援用すること� ��より省略することとする。

 弾性表面波装置101では、圧電基板2上にお いて、第1の積層導電膜102と、第2の積層導電� ��104とが形成されている。第1の積層導電膜102 は、IDTや反射器23と、これらに連なる第1の配 線パターン103を形成するために用いられてい る。他方、第2の積層導電膜104は、電極パッ� �9及び電極パッド9に連なる第2の配線パター� �105を形成するために用いられている。電極� �ッド9上においては、バンプ32を用いてボン� �ィングが行われる。

 他方、本実施形態では、第1の配線パター ン103と、第2の配線パターン105とが積層され� �電気的に接続されるコンタクト部Bにおいて� ��層間導電膜106が積層されている。

 第1の積層導電膜102は、上から順にAlCu合� �膜102a/Ti膜102b/Pt膜102c/NiCr合金膜102dをこの順� �で積層した構造を有する。各導電膜の厚み� �、AlCu合金/Ti/Pt/NiCr合金=140/10/85/10(単位はnm)で ある。従って、主たる電極層は、厚みが140nm� ��あるAlCu合金膜102a及び厚みが85nmであるPt膜10 2cである。

 よって、Cu、Au及びAgを除き、Alよりも密� �の高いPt膜102cを主電極層として備えるため� �耐電力性に優れており、かつ耐酸化性にお� �ても優れている。

 他方、AlCu合金膜102aは、Cuを1重量%含み、� ��部がAlからなるAl系合金からなる。従って、 耐酸化性に優れている。

 他方、第2の積層導電膜104は、上から順に 、Al膜104a/Ti膜104b/AlCu合金膜104cをこの順序で� �層した構造を有する。厚みは、Al/Ti/AlCu合金= 1140/200/500(単位はnm)である。従って、厚みが11 40nm及び500nmであるAl膜104a及びAlCu合金膜104cが� ��たる電極層である。Ti膜104bはバリア層であ� ��。

 なお、AlCu合金膜104cは、Cuを10重量%含み、 残部がAlからなるAl系合金膜からなる。

 層間導電膜106は、Tiからなり、その厚み� �本実施形態では100nmである。なお、層間導電 膜106の厚みは、100nmに限らず、5nm以上であれ� ��層間導電膜として十分に機能する。もっと� ��、層間導電膜106の厚みが厚すぎると電気抵� ��が大きくなることがあるため、200nm以下で� �ることが望ましい。

 本実施形態においても、電極パッド9にお いては、最下層の導電膜が上記AlCu合金膜104c� ��あるため、すなわち、Al系合金膜からなる� �め比較的軟らかく、従って、バンプ32を用い たフリップチップボンディングに際し、圧電 基板2にクラックが生じ難い。

 加えて、コンタクト部Bにおいては、第2� �配線パターン105が第1の配線パターン103上に� ��なって電気的接続が図られている。ここで� ��第2の積層導電膜104の最下層に位置している AlCu合金膜104cと、第1の積層導電膜102の最上層 の導電膜であるAlCu合金膜102aとの間に層間導� ��膜106が配置されている。従って、Al系膜同� �が接触する界面は存在しない。よって、本� �施形態においても、コンタクト部における� �触抵抗の低減を図ることができ、それによ� �て挿入損失を改善することができる。これ� �、図13及び図14を参照して説明する。

 図13は、上記第2の実施形態の弾性表面波� ��置101及び前述した比較例の弾性表面波装置1 101の各直列腕共振子S1のインピーダンススミ� ��チャートを示す図であり、図14は各直列腕� �振子の反射特性S11のリターンロスを示す図� �ある。なお、図13及び図14において実線は第2 の実施形態の結果を、破線は比較例の結果を 示す。図13及び図14から明らかなように、第2� ��実施形態においても、比較例に比べて、挿� ��損失が小さくされ得ることがわかる。

 また、図15は、第2の実施形態及び比較例� ��弾性表面波装置の減衰量周波数特性を示す� ��であり、実線が第2の実施形態の結果を、破 線が比較例の結果を示す。図15から明らかな� ��うに、最小挿入損失が、比較例に比べて第2 の実施形態によれば、0.16dB改善していること がわかる。

 また、上記層間導電膜106を有する第2の実 施形態においては、加熱によるアニール処理 を施すことにより、挿入損失をより一層改善 することができる。これを、図16及び図17を� �照して説明する。

 図16は、第2の実施形態の弾性表面波装置1 01の製造に際し、280℃の温度に1時間維持する アニール処理を施した場合の直列腕共振子の インピーダンススミスチャートと、アニール 処理を施さなかった場合の同じく直列腕共振 子のインピーダンススミスチャートを示す図 である。また、図17は、アニール処理を施し� ��場合及び施さなかった場合の各反射特性の� ��ターンロスを示す図である。実線がアニー� ��処理後の特性を、破線がアニール処理を行� ��ない場合の特性を示す。

 図16及び図17から明らかなように、上記ア ニール処理を施すことにより、挿入損失をよ り一層小さくし得ることがわかる。

 第3の実施形態として、第2の実施形態の弾� �表面波装置101と同様の弾性表面波表面波装� �を作製した。もっとも、第3の実施形態の弾� ��表面波装置の作製に際しては、カット角126� �のLiNbO ₃ 基板上に、SiO ₂ 膜を220nmの厚みに成膜し、IDTや反射器が形成� ��れる部分をエッチングした後、金属膜を付� ��し、第1の積層導電膜を形成した。第1の積� �導電膜は、上から順にAlCu合金膜、Ti膜、Pt膜 /NiCr合金膜を、140/10/85/10(単位はnm)の厚みとし た。AlCu合金膜は、Cuを1重量%含み、残部がAl� �らなる組成のものを用い、NiCr合金膜につい� ��は、第1の実施形態と同様とした。IDTにおけ る電極指ピッチは2μm、デューティは0.5とし� �。また、第2の積層導電膜は第1の実施形態と 同様とした。SiO ₂ 膜を1000nmの厚みにさらに成膜し、しかる後周 波数調整用のSiN膜を50nmの厚みに成膜し、絶� �膜24を形成した。

 なお、LiNbO ₃ 基板のカット角は124°~128°でもよく、Pt膜厚� �70~90nm、AlCu合金膜厚は80~140nmでもよい。X軸を 回転軸にして上記カット角回転させたY軸を� �線とする面にX軸方向に弾性表面波が伝搬す� ��ようにIDTが形成されている。

 第3の実施形態によれば、CuがIDTに用いら� ��ていないので酸化による特性の劣化も生じ� ��い。よって、耐候信頼性も高められる。

 次に、第3の実施形態の弾性表面波装置と 、比較のために、第1の積層導電膜に代えて� �従来例に従って、上からTi/Pt/NiCr合金が10/100/ 10nmの厚みに成膜してなるPt膜を用いたことを 除いては、第3の実施形態と同様にして形成� �れた第2の比較例の弾性表面波装置等を用意� ��た。図18は、第3の実施形態の弾性表面波装� ��と、上記第2の比較例の弾性表面波装置の減 衰量周波数特性を示す図である。図18から明� ��かなように、第2の比較例に比べて、第3の� �施形態によれば、最小挿入損失が約0.26dB改� �されていることがわかる。

 これはIDTにAlCu合金膜を加えたことにより オーミック損を低減した効果である。

 なお、Alよりも密度の高い高密度金属をIDT� �用いる構成は十分な反射係数を得ることが� �きる公知技術である。密度が2699(kg/m ³ )のAlよりも密度の高い金属として、Pt以外に� ��Au,Cu,Ta,W,Ag,Ni,Mo,NiCr,Cr,Tiが挙げられる。但し� ��Cu及びAgは酸化され易い。また、Auでは耐電� ��性が低くなる。従って、好ましくは、Cu、Ag 及びAuを除いた高密度金属が用いられる。

 だが、酸化されやすいCuやAg、耐電力性の弱 いAuを除くと、他のこれらの金属は、全て比� ��抗の大きな金属である。そのため、密度の� ��い金属のみを主電極とすると、オーミック� ��増加によりロスが劣化する。それに対して� ��発明では、Alなどの比抵抗の小さな金属をPt などの密度の高い金属と組み合わせることに より、十分な反射係数を維持したまま、オー ミック損を減らすことが可能である。密度の 高い金属としては、密度が21400(kg/m ³ )のPt、密度が16678(kg/m ³ )のTa、密度が19265(kg/m ³ )のW、密度が10219(kg/m ³ )のMoなど、密度が10000(kg/m ³ )以上の金属が望ましい。特に、融点が2000℃� ��下のPtは蒸着による成膜が容易なので、さ� �に望ましい。

 各導電膜の成膜方法は、特に限定される� ��けではないが、適宜のエッチング法やリフ� ��オフ等を用いて形成することができる。図1 9(a)~(g)は、第1の実施形態の弾性表面波装置に おける第1,第2の積層導電膜の形成方法の実施 形態を示す各模式的正面断面図である。

 まず、図19(a)に示すように、圧電基板2上� ��第1のレジストパターン51をレジスト塗布す� ��ことにより形成する。

 次に、図19(b)に示すようにフォトリソグ� �フィ法により、第1のレジストパターン51に� �口部51aを形成する。開口部51aは、第1の積層� ��電膜が形成される部分に相当する。

 次に、図19(c)示すように、第1の積層導電� ��52を形成する。図19(c)では、第1の積層導電� �52は単一の導電膜のように図示されているが 、前述した第1の実施形態のように、複数層� �導電層を順次形成する。この各導電層の形� �は、蒸着、メッキ、もしくはスパッタリン� �などの適宜の薄膜形成方法により行い得る� �

 しかる後、図19(d)に示すように、溶剤を� �いて上記第1のレジストパターン51を除去す� �。すなわち、リフトオフにより第1のレジス� ��パターン51上の不要金属膜も同時に除去す� �。このようにして、図19(d)に示すように、第 1の積層導電膜52を圧電基板2上に形成するこ� �ができる。この第1の積層導電膜52は、前述� �たIDT電極及び反射器並びに第1の配線パター� ��を形成している。しかる後、図19(e)に示す� �うに、第2のレジストパターン53を、開口部53 aが第2の積層導電膜が形成される部分に開口� ��を有するように形成する。次に、図19(f)に� �す第2の積層導電膜54をコンタクト部Bを有す� ��ように形成し、リフトオフにより第2のレジ ストパターン53と不要金属膜を除去する。し� ��る後、図19(g)に示すように、バンプ32を接合 する。

 また、図20は、第2の実施形態における第1 ,第2の積層導電膜及び層間導電膜を形成する� ��程を説明するための各模式的正面断面図で� ��る。

 第2の実施形態においても、第1の実施形� �の製造方法と同様にして、圧電基板2上にお� ��て、図示しない第1のレジストパターンを形 成した後、第1の積層導電膜を形成する各導� �層を順次形成し、リフトオフ法により第1の� ��ジストパターンと不要金属膜を除去するこ� ��により、図20(a)に示す第1の積層導電膜61を� �成する。しかる後、図20(b)に示すように、層 間導電膜が形成される部分を開口部とする第 2のレジストパターン62を形成し、層間導電膜 63を形成するためのTi膜を全面に成膜し、し� �る後にリフトオフにより第2のレジストパタ� ��ン62と、第2のレジストパターン62上の不要Ti 膜を除去することにより形成される。

 しかる後、図20(d)に示すように、層間導� �膜63の少なくとも一部を覆い、コンタクト部 Bが形成されるように、第2の積層導電膜64を� �成する。第2の積層導電膜64は、第1の実施形� ��の第2の積層導電膜と同様に形成することが できる。ここでは、第2のレジストパターン62 を用いてTiからなる層間導電膜63が形成され� �いたので、第3のレジストパターンとして、� ��口部が第2の積層導電膜64が形成される部分� ��相当するレジストパターンを形成した後、� ��様の方法を実施すればよい。しかる後、図2 0(e)に示すようにバンプ32を第2の積層導電膜64 上に形成する。

 図21は、本発明の第4の実施形態に係る弾� ��表面波装置の要部を説明するための部分切� ��正面断面図であり、第2の実施形態において 示した図12に相当する図である。第4の実施形 態の弾性表面波装置301は、第1の積層導電膜10 2が、最上部にTi膜102eを有することを除いて� �、第2の実施形態と同様とされている。従っ� ��、同一部分については、同一の参照番号を� ��することにより省略する。本実施形態では� ��第1の積層導電膜102は、上から順に、Ti膜102e /AlCu合金膜102a/Ti膜102b/Pt膜102c/NiCr合金膜102dを� ��の順序で積層した構造を有する。最上部のT i膜102eの厚みは、他の導電膜が第2の実施形態 の場合と同様である場合、10nmとした。

 また、第2の積層導電膜104については、第 2の実施形態と同様に、上から順に、Al膜104a/T i膜104b/AlCu合金膜104cをこの順序で積層した構� ��を有し、厚みは第2の実施形態の場合と同様 である。従って、本実施形態は、第2の実施� �態と同様に、圧電基板2のクラックを確実に� ��止できる効果を有する。さらに、第1の積層 導電膜102において、最上部にTi膜102eを有する ため、主たる電極層であるAlCu合金膜102aの表� ��がTi膜102eにより保護される。例えば、層間� ��電膜106や第2の積層導電膜104の形成に際し現 像液などが用いられるが、現像液などにより 、AlCu合金膜102aがダメージを受け難い。よっ� ��、電気的特性の劣化を防止することができ� ��。

 また、コンタクト部Bにおいては、第2の� �層導電膜104のAl系導電膜からなる最下層導電 膜であるAlCu合金膜104cと、第1の積層導電膜102 の最上層導電膜であるTi膜との間に、Ti膜か� �なる層間導電膜106が配置されている。層間� �電膜106の厚みは、第2の実施形態の場合と同� ��、100nmである。第2の実施形態の場合と同様� ��接触抵抗を低めることができる。よって、� ��性表面波装置301の挿入損失をより改善する� ��とが可能となる。なお、Ti膜106の厚みは、10 0nmに限らないのは第2の実施形態と同様であ� �。

 なお、上記第1~第4の実施形態では、図3に 示した携帯電話機用デュプレクサの送信フィ ルタに本発明の弾性表面波装置を適用した例 を示したが、本発明に係る弾性波装置は、携 帯電話機の送信フィルタだけでなく、様々な 帯域フィルタや弾性波共振子等に広く用いる ことができる。

 また、本発明は、弾性表面波装置以外の� ��性波装置、例えば弾性境界波装置にも用い� ��ことができる。図22(a)及び(b)は、本発明が� �用される弾性境界波装置の一例を模式的に� �す正面断面図及びその要部を示す模式的正� �断面図である。弾性境界波装置201では、圧� �基板202と、誘電体232との間に電極231が形成� �れている。この電極231は、IDTと、IDTに接続� �れた第1の配線と、電極パッド203,206に接続さ れた第2の配線パターンとを本発明に従って� �する。これらの電極構造は、第1の積層導電� ��と第2の積層導電膜とからなる。第1の積層� �電膜により、IDTとIDTに接続された第1の配線� ��が形成されている。第2の積層導電膜により 、電極パッド203,206と、電極パッド203,206に連� ��られた第2の配線パターンとが形成されてい る。IDT、第1の配線パターン及び第2の配線パ� ��ーンについては、上述した実施形態と同様� ��されている。

 電極パッド203,206をそれぞれ露出させるよ うに、誘電体232に複数の貫通孔が形成されて いる。図22(b)に示すように、貫通孔内で、ア� ��ダー・バンプ・メタル層234,235が設けられて いる。アンダー・バンプ・メタル層235上に金 属バンプ207が設けられている。ここでは、第 1の配線パターンの一部の上に第2の配線パタ� ��ンが重ねられて、少なくとも1つのコンタク ト部216が設けられている。このような弾性境 界波装置においても、本発明に従って、コン タクト部216における第1の積層導電膜と第2の� ��層導電膜との接触抵抗の増加を防止するこ� ��ができる。従って、挿入損失を小さくする� ��とができる。