本発明の弾性波素子は、弾性波を励振す� ��電極を含む共振器と、前記共振器に電気的� ��接続するように配された給電配線部と、前� ��共振器及び前記給電配線部が表面に形成さ� ��た第1の媒質と、前記第1の媒質上において� �記共振器を覆うように形成された第2の媒質� ��、前記第1の媒質上において少なくとも前記 第2の媒質及び前記給電配線部を覆うように� �成された第3の媒質とを備え、前記給電配線� ��は、前記第1の媒質の表面に接している側面 と前記第1の媒質の表面とでなす第1の角度が� ��鈍角に形成されているものである。このよ� ��な構成とすることにより、第3の媒質を形成 する際に空隙が発生するのを抑制し、給電配 線部において水分による腐食が発生するのを 防止することができる。

 本発明の弾性波素子の製造方法は、第1の 媒質上にレジストを塗布する第1の工程と、� �記第1の媒質上に給電配線部を形成可能なよ� ��に、前記レジストをパターニングする第2の 工程と、前記第1の媒質上に前記給電配線部� �構成する材料を成膜する第3の工程と、前記� ��ジストを除去する第4の工程と、前記給電配 線部を覆うように第3の媒質を成膜する第5の� ��程とを備え、前記第2の工程において、前記 第1の媒質の表面と、パターニング後の前記� �ジストにおいて前記第1の媒質に接する側面� ��でなす角度が、鋭角になるように前記レジ� ��トのパターニングを行うものである。この� ��うな製造方法とすることにより、給電配線� ��の側面に順テーパ形状を形成することがで� ��る。

 また、本発明の弾性波素子およびその製� ��方法は、上記構成及び方法を基本として、� ��下のような様々な態様をとることができる� ��

 すなわち、本発明の弾性波素子は、前記� ��振器において、前記第1の媒質の表面に接し ている側面と前記第1の媒質の表面とでなす� �2の角度が、前記第1の角度よりも小さい構成 とすることができる。

 また、本発明の弾性波素子において、前� ��給電配線部は、前記第1の媒質の表面に形成 された第3層と、前記第3層の上部に形成され� ��第2層と、前記第2層の上部に形成された第1� ��とから構成され、前記第1層及び前記第3層� �、前記第2層よりも耐腐食性が高い材料で形� ��されている構成とすることができる。この� ��うな構成とすることにより、仮に給電配線� ��に水分が侵入したとしても、給電配線部が� ��食することを防止することができる。

 また、本発明の弾性波素子において、前� ��第2層は、銅を主成分とする材料で形成され ている構成とすることができる。このような 構成とすることで、電気抵抗が低い給電配線 部を実現することができる。

 また、本発明の弾性波素子において、前� ��第1層または前記第3層は、前記給電配線部� �側面において前記第2層を被覆するように形� ��されている構成とすることができる。この� ��うな構成とすることで、第2層が比較的耐腐 食性が低い材料で形成されていたとしても、 第2層が腐食することを防止することができ� �。

 また、本発明の弾性波素子において、前� ��第1層または前記第3層は、チタン,クロム,ニ ッケル,モリブデン,タンタル,タングステン,� �金,および金のうちいずれか一つあるいは二� ��以上の金属で形成されている構成とするこ� ��ができる。このような構成とすることによ� ��、仮に給電配線部に水分が侵入したとして� ��、給電配線部が腐食することを防止するこ� ��ができる。特に、第1層または第3層をチタ� �で形成することで、高い耐腐食性を実現す� �ことができるとともに、隣接する層との密� �性を向上させることができる。また、第1層� ��たは第3層をニッケルで形成することで、コ ストを低減することができる。

 また、本発明の弾性波素子において、前� ��第3の媒質は、前記給電配線部の一部または 全てを被覆している構成とすることができる 。このような構成とすることで、給電配線部 で発生した熱を効率よく放熱することができ る。

 また、本発明の弾性波素子において、前� ��第3の媒質は、アルミナで形成されている構 成とすることができる。このような構成とす ることで、給電配線部で発生した熱を効率よ く放熱することができる。特にアルミナは熱 伝導性に優れているため、高い放熱効果を得 ることができる。

 また、本発明の弾性波素子において、前� ��給電配線部に含まれる電極に電気的に接続� ��れ、前記第3の媒質で被覆されないように形 成された端子電極を、さらに備え、前記端子 電極は、チタンおよび金で形成されている構 成とすることができる。このような構成とす ることで、金バンプを実現することができる とともに、チタンは密着性が良いため端子電 極と給電配線部に含まれる電極とを確実に接 続することができる。

 また、本発明の弾性波素子において、前� ��給電配線部は、前記共振器を構成する電極� ��同じ電極を内含する構成とすることができ� ��。このような構成とすることで、共振器と� ��電配線部を構成している電極とを同時に形� ��することができ、製造工数を削減すること� ��できる。

 また、本発明の弾性波素子の製造方法に� ��いて、前記第5の工程において、前記第3の� �質は、スパッタ法、真空蒸着法、または化� �蒸着法で形成される方法とすることができ� �。

 また、本発明の弾性波素子の製造方法に� ��いて、前記給電配線部は、リフトオフ法に� ��りパターニングされる方法とすることがで� ��る。このような方法とすることにより、給� ��配線部における順テーパ部分を容易に形成� ��ることができる。

 (実施の形態)
  〔1.弾性波素子の構成〕
 図1Aは、実施の形態1における弾性波素子の� ��成を示す。図1Bは、図1AにおけるZ-Z部分の断 面である。

 弾性波素子1は、共振器2、給電配線部3、� ��電基板4、第2の媒質5、第3の媒質6、端子電� �7を含む。なお、図1Aにおいて、図示を明瞭� �するために、第3の媒質6の図示は省略した。 また、図1Aにおいて、図示を明瞭にするため� ��、給電配線部3及び端子電極7に領域ハッチ� �グを付与した。

 共振器2は、圧電基板4上に形成されてい� �。また、共振器2は、通電することにより所� ��周波数で振動する櫛歯電極2aと、櫛歯電極2a の両側に隣接配置され櫛歯電極2aで発生した� ��動を反射する反射器2bとで構成されている� �また、櫛歯電極2a及び反射器2bの厚さは、例� ��ば100~300nmとした。

 給電配線部3は、各共振器2を電気的に接� �するように圧電基板4上に形成されている。� ��電配線部3は、図1Bに示すように電極35を覆� �ように第1層31,第2層32,第3層33が形成されてい る。また、給電配線部3は、少なくとも第1層3 1の上面の幅方向の寸法は、電極35の幅方向の 寸法よりも大きく形成されている。第2層32は 、電気抵抗が低い銅(Cu)で構成することが好� �しい。第1層31及び第3層33は、第2層32を挟持� �るように形成され、腐食に対して耐性を持� �金属材料で構成されている。第1層31及び第3� ��33の材料としては、チタン(Ti),クロム(Cr),ニ� ��ケル(Ni),モリブデン(Mo),タンタル(Ta),タング� ��テン(W),白金(Pt),金(Au)のいずれか一つ、ある いは二つ以上から選択することができる。本 実施の形態では、第1層31及び第3層33の材料と して、腐食に対する耐性が高くかつ第2層32や 圧電基板4との密着性が高いTiを使用した。ま た、第1層31及び第3層33にNiを使用することで� ��低コストに実現することができる。また、� ��1Bに示すように、給電配線部3の側面34は、� �電基板4の表面4aに対する第1の角度θが鈍角� �なっている順テーパー状としている。なお� �側面34は、第1層31のエッジ部31aから第3層33の エッジ部33a(圧電基板4と接する箇所)までの面 を指している。また、本実施の形態では一例 として、第1層31の膜厚を150nm、第2層32の膜厚� ��500nm、第3層33の膜厚を20nm、第3の媒質6の膜� �を2μmとした。したがって、給電配線部3の厚 さは、櫛歯電極2a及び反射器2bの厚さよりも� �い。また、本実施の形態では、糊代の寸法M� ��2~3μmとした。

 圧電基板4(第1の媒質)は、共振器2,給電配線� ��3などが形成される基板である。また、圧電 基板4は、例えばニオブ酸リチウム(LiNbO ₃ )で形成されている。

 第2の媒質5は、共振器2を被覆するように形� ��されている。また、第2の媒質5は、例えば� �化シリコン(SiO ₂ )で構成されている。また、第2の媒質5は、共 振器2のみを被覆し、給電配線部3は放熱を考� ��して被覆していない。また、SiO ₂ の成膜は、化学蒸着法(CVD法。CVD:Chemical Vapor� �Deposition)を用いることができるが、スパッタ 法や真空蒸着法など他の成膜方法を用いても 同様に成膜することができる。

 第3の媒質6は、第2の媒質5で被膜された共振 器2、および給電配線部3を覆うように形成さ� ��る。また、第3の媒質6は、本実施の形態で� �アルミナ(Al ₂ O ₃ )で形成したが、例えば窒化シリコン(SiN)やシ リコンカーバイト(SiC)で形成することもでき� ��。

 端子電極7は、電極35に電気的に接続する� ��うに形成され、第3の媒質35で被膜されず露� ��するように形成されている。また、端子電� ��7は、電気信号を入出力可能な入出力電極7a� ��、接地電極7bと、ダミー電極7cとから構成さ れている。また、端子電極7は、Auバンプを形 成するため、Auで形成されている。

  〔2.弾性波素子の製造方法〕
 図2A,図3A,図4,図5,図6は、本実施の形態の弾� �波素子を製造する際の遷移を示す。図2B及び 図3Bは、それぞれ図2A及び図3AにおけるZ-Z部分 の断面である。なお、図3A、図4、図5、図6に� ��いて、図示を明瞭にするために、給電配線� ��3、第2の媒質5、第3の媒質6、端子電極7に領� ��ハッチングを付与した。

 まず、図2A及び図2Bに示すように、圧電基 板4上に、共振器2を構成する電極と、給電配� ��部3の基礎となる電極35を形成する。共振器2 と電極35とは、互いに電気的に接続するよう� ��形成される。また、共振器2と電極35とは、� ��じ膜厚に形成するため、同時に形成するこ� ��ができる。

 次に、図3A及び図3Bに示すように、電極35� ��覆うように、Tiを成膜し第3層33を形成する� �次に、第3層33の上部に、Cuを成膜し第2層32を 形成する。次に、第2層32の上部に、Tiを成膜� ��第1層31を形成する。これにより、給電配線� ��3が完成する。この時、給電配線部3の側面34 が順テーパ形状となるように形成する。なお 、給電配線部3の具体的な成膜方法について� �後述する。

 次に、図4に示すように、共振器2を覆うよ� �に第2の媒質5を成膜する。本実施の形態では 、第2の媒質5は、SiO ₂ を用いた。また、第2の媒質5の成膜は、CVD法� ��用いた。第2の媒質5の成膜後、圧電基板4上� ��残留している余分なSiO ₂ は、ドライエッチング法を用いて除去した。

 次に、図5に示すように、圧電基板4上に� �3の媒質6を成膜する。この時、第3の媒質6は� ��給電配線部3の入出力電極7a、接地電極7b、� �よびダミー電極7cを形成する領域以外の部分 を覆うように成膜する。また、本実施の形態 では、第3の媒質6のパターニングは、リフト� ��フ法を用いた。

 次に、図6に示すように、第3の媒質6上の� ��出させた給電配線部3の所定の位置に入出力 電極7aと接地電極7bを形成する。また、第3の� ��質6上の露出させた圧電基板4上の所定の位� �にダミー電極7cを形成する。入出力電極7a、� ��地電極7b、およびダミー電極7cは、Auバンプ� ��形成するためAuで形成した。また、入出力� �極7a、接地電極7b、およびダミー電極7cは、� �一材料で同じ膜厚に形成するため、同時に� �成することができる。

  〔2-1.給電配線部3の形成方法〕
 図1Bに示すように、側面34が順テーパ形状の 給電配線部3は、既存のリフトオフ工程で形� �することができる。図7A~図7Dは、リフトオフ 工程を用いた給電配線部3を形成する際の遷� �を示す。

 まず、図7Aに示すように、圧電基板4上に� ��ジスト9を塗布する。なお、本実施の形態で は、信越化学社製リフトオフ用レジスト「SIP R-9684H-5.0」を使用した。

 次に、図7Bに示すように、圧電基板4上に� ��布されているレジスト9に対して、露光現像 処理を行い、給電配線部3に対応する部分を� �去するとともに、断面形状が逆テーパ形状� �傾斜部9aを形成する。

 次に、図7Cに示すように、金属材料で構� �された給電配線部3を形成する。具体的には� ��圧電基板4上の所定の位置に対して、矢印A� �示す方向にTiを成膜し、第3層33を形成する。 次に、第3層33の表面に対して、矢印Aに示す� �向にCuを成膜し、第2層32を形成する。次に、 第2層32の表面に対して、矢印Aに示す方向にTi を成膜し、第1層31を形成する。この時、レジ スト9に逆テーパ形状の傾斜部9aが形成されて いることで、給電配線部3の端部34の形状は順 テーパ形状となる。

 次に、図7Dに示すように、レジスト9を除� ��して不要な金属膜を除去することで、給電� ��線部3が完成する。

 なお、上記成膜方法では、給電配線部3の 成膜は、矢印Aに示すように圧電基板4に対し� ��垂直方向から実施したが、図7Eに示すよう� �第1層31の成膜方向のみ斜め方向(矢印Bに示す 方向)から実施してもよい。図7Eに示すように 、第2層32及び第3層33の成膜後、第1層31を矢印 Bに示す方向にTiを成膜する方法としたことに より、図7Fに示すように第1層31を構成するTi� �を圧電基板4の表面4aに至るまで成膜するこ� �ができるため、第1層31で給電配線部3の表面� ��体を覆うことができる。したがって、比較� ��腐食に弱いCuで形成された第2層32を第1層31� �Ti膜で隠蔽することができるため、腐食に強 い給電配線部3を形成することができる。

 図8は、給電配線部3上に第3の媒質6を成膜 した時の給電配線部3近傍の要部断面図であ� �。図8に示すように、給電配線部3の側面34を� ��テーパ形状とすることにより、空隙8の発生 を抑制することができる。空隙8の発生を抑� �することにより、空隙8が第3の媒質6の表面6a まで到達することを防ぐことができるため、 外部から給電配線部3へ水分が侵入すること� �防ぐことができ、給電配線部3の腐食を防ぐ� ��とができる。

 また仮に、空隙8を介して給電配線部3ま� �水分が浸入したとしても、給電配線部3の第1 層31及び第3層33が腐食に強い金属で形成され� ��いるため、第2層32の腐食を防ぐことができ� ��。

 なお、本実施の形態は、給電配線部3にお ける腐食を防止する構成としたが、端子電極 7(図4参照)においても、同様の作用効果を得� �ことができる。図9は、端子電極7(図6におけ� ��V-V部分)の断面を示す。図9に示すように、� �子電極7は、例えばAuで構成された第1層17aと� ��例えばTiで構成された第2層17bとが積層され� ��構成されている。第2層17bは、給電配線部3� �覆うように形成されている。第1層17aは、第2 層17bを覆うように形成されている。また、端 子電極7における給電配線部3も、給電配線部3 の他の部分と同様に側面34を順テーパ形状と� ��ている。

 このように、端子電極7における給電配線 部3の側面34を順テーパ形状とすることで、第 1層17a及び第2層17bを形成する際に空隙が発生� ��ることを抑制することができ、給電配線部3 への水分の侵入を防ぎ、給電配線部3の腐食� �防ぐことができる。また、第2層17bをTiで構� �したことにより、第1層17aと給電配線部3の第 1層31との密着性を向上させることができる。

  〔3.デュープレクサの構成〕
 携帯電話端末、PHS(Personal Handy-phone System)端 末、無線LANシステムなどの移動体通信(高周� �無線通信)には、デュープレクサが搭載され� ��いる。デュープレクサは、通信電波などの� ��信機能及び受信機能を持ち、送信信号と受� ��信号の周波数が異なる無線装置において用� ��られる。

 図10は、本実施の形態の弾性波素子を備� �たデュープレクサの構成を示す。デュープ� �クサ52は、位相整合回路53、受信フィルタ54� �および送信フィルタ55を備えている。位相整 合回路53は、送信フィルタ55から出力される� �信信号が受信フィルタ54側に流れ込むのを防 ぐために、受信フィルタ54のインピーダンス� ��位相を調整するための素子である。また、� ��相整合回路53には、アンテナ51が接続されて いる。受信フィルタ54は、アンテナ51を介し� �入力される受信信号のうち、所定の周波数� �域のみを通過させる帯域通過フィルタで構� �されている。また、受信フィルタ54には、出 力端子56が接続されている。送信フィルタ55� �、入力端子57を介して入力される送信信号の うち、所定の周波数帯域のみを通過させる帯 域通過フィルタで構成されている。また、送 信フィルタ55には、入力端子57が接続されて� �る。ここで、受信フィルタ54及び送信フィル タ55には、本実施の形態における弾性波素子1 が含まれている。

 以上のように、本実施の形態の弾性波素� ��1を受信フィルタ54及び送信フィルタ55に備� �ることで、弾性波素子1内の給電配線部3にお ける腐食の発生を防止することができる。ま た、給電配線部3の断面積を大きくすること� �、電気抵抗を低くすることができる。よっ� �、信頼性が高いデュープレクサを実現する� �とができる。

  〔4.通信モジュールの構成〕
 図11は、本実施の形態の弾性波素子を備え� �通信モジュールの一例を示す。図11に示すよ うに、デュープレクサ52は、受信フィルタ54� �送信フィルタ55とを備えている。また、受信 フィルタ54には、例えばバランス出力に対応� ��た受信端子62a及び62bが接続されている。ま� ��、送信フィルタ55には、パワーアンプ63が接 続されている。ここで、受信フィルタ54及び� ��信フィルタ55には、本実施の形態における� �性波素子1が含まれている。

 受信動作を行う際、受信フィルタ54は、� �ンテナ端子61を介して入力される受信信号の うち、所定の周波数帯域の信号のみを通過さ せ、受信端子62a及び62bから外部へ出力する。 また、送信動作を行う際、送信フィルタ55は� ��送信端子64から入力されてパワーアンプ63で 増幅された送信信号のうち、所定の周波数帯 域の信号のみを通過させ、アンテナ端子61か� ��外部へ出力する。

 以上のように、本実施の形態の弾性波素� ��1を、通信モジュールの受信フィルタ54及び� ��信フィルタ55に備えることで、弾性波素子1� ��の給電配線部3における腐食の発生を防止す ることができる。また、給電配線部3の断面� �を大きくすることで、電気抵抗を低くする� �とができる。よって、信頼性が高い通信モ� �ュールを実現することができる。

 なお、図11に示す通信モジュールの構成� �一例であり、他の形態の通信モジュールに� �発明の弾性波素子あるいはデュープレクサ� �搭載しても、同様の効果が得られる。

  〔5.通信装置の構成〕
 図12は、本実施の形態の弾性波素子を備え� �通信装置の一例として、携帯電話端末のRFブ ロックを示す。また、図12に示す構成は、GSM( Global System for Mobile Communications)通信方式及� ��W-CDMA(Wideband Code Divition Multiple Access)通信� �式に対応した携帯電話端末の構成を示す。� �た、本実施の形態におけるGSM通信方式は、85 0MHz帯、950MHz帯、1.8GHz帯、1.9GHz帯に対応して� �る。また、携帯電話端末は、図12に示す構成 以外にマイクロホン、スピーカー、液晶ディ スプレイなどを備えているが、本実施の形態 における説明では不要であるため図示を省略 した。ここで、受信フィルタ54,76,77,78,79,送信 フィルタ55には、本実施の形態における弾性� ��素子1が含まれている。

 まず、アンテナ71を介して入力される受� �信号は、その通信方式がW-CDMAかGSMかによっ� �アンテナスイッチ回路72で、動作の対象とす るLSIを選択する。入力される受信信号がW-CDMA 通信方式に対応している場合は、受信信号を デュープレクサ52に出力するように切り換え� ��。デュープレクサ52に入力される受信信号� �、受信フィルタ54で所定の周波数帯域に制限 されて、バランス型の受信信号がLNA73に出力� ��れる。LNA73は、入力される受信信号を増幅� �、LSI75に出力する。LSI75では、入力される受� ��信号に基づいて音声信号への復調処理を行� ��たり、携帯電話端末内の各部を動作制御す� ��。

 一方、信号を送信する場合は、LSI75は送� �信号を生成する。生成された送信信号は、� �ワーアンプ74で増幅されて送信フィルタ55に� ��力される。送信フィルタ55は、入力される� �信信号のうち所定の周波数帯域の信号のみ� �通過させる。送信フィルタ55から出力される 送信信号は、アンテナスイッチ回路72を介し� ��アンテナ71から外部に出力される。

 また、入力される受信信号がGSM通信方式� ��対応した信号である場合は、アンテナスイ� ��チ回路72は、周波数帯域に応じて受信フィ� �タ76~79のうちいずれか一つを選択し、受信信 号を出力する。受信フィルタ76~79のうちいず� ��か一つで帯域制限された受信信号は、LSI82� �入力される。LSI82は、入力される受信信号に 基づいて音声信号への復調処理を行ったり、 携帯電話端末内の各部を動作制御する。一方 、信号を送信する場合は、LSI82は送信信号を� ��成する。生成された送信信号は、パワーア� ��プ80または81で増幅されて、アンテナスイッ チ回路72を介してアンテナ71から外部に出力� �れる。

 以上のように、本実施の形態の弾性波素� ��1を通信装置に備えることで、弾性波素子1� �の給電配線部3における腐食の発生を防止す� ��ことができる。また、給電配線部3の断面積 を大きくすることで、電気抵抗を低くするこ とができる。よって、信頼性が高い通信装置 を実現することができる。

  〔6.実施の形態の効果、他〕
 本実施の形態のように、給電配線部3の側面 34を順テーパ形状とすることにより、給電配� ��部3における腐食の発生を防止することがで きる。すなわち、給電配線部3の側面34を順テ ーパ形状とすることにより、空隙8の発生を� �制することができるため、外部から給電配� �部3へ水分が侵入することを防ぐことができ� ��給電配線部3の腐食を防ぐことができる。

 また、本実施の形態のように、給電配線� ��3における第1層31と第3層33とを腐食に対する 耐性が高い材料で形成することにより、仮に 、空隙8を介して給電配線部3まで水分が浸入� ��たとしても、第2層32の腐食を防ぐことがで� ��る。

 また、給電配線部3は、共振器2と同時に� �成される電極35に加えて、第1層31と第2層32と 第3層33とからなる積層構造とすることにより 、通電部分の断面積を大きくすることができ 、給電配線部3における電気抵抗を低くする� �とができる。したがって、信頼性が高い弾� �波素子を実現することができる。

 また、本実施の形態において、給電配線� ��3の側面34と圧電基板4の表面4aとでなす第1の 角度θ(図1B参照)は、共振器2における電極35の 側面と圧電基板4の表面4aとでなす第2の角度(� ��実施の形態ではほぼ90度)よりも大きく形成� ��れている。このように、膜厚が厚い給電配� ��部3において側面34の傾斜角を小さくするこ� ��で、成膜時に空隙8が発生するのを抑えるこ とができる。また、共振器2における電極35は 、膜厚を薄くして形成するため、電極35を形� ��するための材料が少なくてすみ、コストダ� ��ンすることができるとともに、弾性波素子1 を小型化することができる。

 また、本実施の形態において、給電配線� ��3の第2層32をCuで形成したことにより、電気� ��抗を低くすることができる。

 また、本実施の形態において、給電配線部3 をSiO ₂ で形成された第2の媒質5で覆わず、例えばア� ��ミナで形成された第3の媒質6で覆う構成と� �たことにより、給電配線部3において発生し� ��熱を放熱することができる。特に、第3の媒 質6を熱伝導性に優れたアルミナで構成する� �とにより、優れた放熱効果を得ることがで� �る。また、図6に示すように第3の媒質6は、� �面積が広いため効率よく放熱することがで� �、温度特性に優れた弾性波素子を実現する� �とができる。

 また、本実施の形態では、共振器2を構成 する電極と、給電配線部3に含まれる電極35と を同時に形成することができるため、製造工 数を削減することができる。

 また、本実施の形態では、給電配線部3は リフトオフ法によりパターニングする方法を 用いて形成したことにより、給電配線部3の� �面における順テーパ形状を容易に形成する� �とができる。

 なお、本実施の形態において、給電配線� ��3は、図7Fに示すように側面34を第1層31で覆� �ように形成してもよい。このように形成す� �ことで、比較的腐食に対する耐性が低い第2� ��32を隠蔽することができるため、仮に空隙8� ��介して給電配線部3に水分が侵入したとして も、腐食の発生を確実に抑えることができる 。

 また、本実施の形態において、第1層31及� ��第3層33を耐腐食性が高いTiで形成すること� �より、給電配線部3の腐食を防ぐことができ� ��。また、Tiは他の金属材料に対する密着性� �高いため、第1層31及び第3層33をTiで形成する ことにより、給電配線部3を構成する各層の� �互の密着性を高くすることができるととも� �、給電配線部3と圧電基板4との密着性を高く することができる。また、第1層31及び第3層33 をNiで形成することにより、コストを抑える� ��とができる。

 また、本実施の形態では、第3の媒質6をCV D法を用いて成膜する構成としたが、スパッ� �法、真空蒸着法を用いても同様に実現する� �とができる。

 また、本実施の形態では、第3の媒質6を� �ルミナで形成したが、窒化シリコンやシリ� �ンカーバイトで形成しても、同様に実現す� �ことができる。

 なお、本発明の弾性波素子、デュープレ� ��サ、またはそれを備えた通信モジュールを� ��用可能な通信装置は、携帯電話端末、PHS端� ��などがある。