Geräts

Die Erfindung betrifft ein elektrisches Gerät mit einer Leistungselektronik, die in einem Metall-Gehäuse aufgenommen ist, wobei Bauelemente der

Leistungselektronik auf einer ersten Hauptfläche eines Schaltungsträgers angeordnet sind, der aus einer Metallplatte mit auflaminierten Leiterstrukturen besteht, und wobei zumindest eine Trennwand des Gehäuses in direktem Kontakt mit einem fluiden Kühlmedium ist, sowie ein Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Steuergeräts.

Um die durch die in einer Leistungselektronik entstehende Verlustleistung erzeugte Wärme möglichst effektiv abzuführen, gibt es verschiedene

Möglichkeiten. Bei geringen Verlustleistungen reicht es aus, wenn eine die Leistungsbauteile aufnehmende Leiterplatte an ein luft- oder wassergekühltes Gehäuse gedrückt wird. Diese Variante ist aber auf kleine Verlustleistungen begrenzt, da die üblicherweise eingesetzten Leiterplattenmaterialien zum Einen selbst eine geringe Wärmeleitfähigkeit haben - für FR4 z.B. beträgt diese ca. 0,2 W/(m ^* K) - zum Anderen der Wärmeübergang von der

Leiterplatte auf das gekühlte Gehäuse durch leichteste Unebenheiten verschlechtert wird. Die Fläche, die keinen direkten Kontakt zur Gegenfläche hat, und somit ihre Wärme über eine Luftstrecke ableiten muss, wobei Luft eine Wärmeleitfähigkeit von nur ca.0,02 W/(m ^* K) aufweist, wird über die Zeit einen Temperaturanstieg erfahren, der sowohl die Leiterplatte selbst als auch die darauf liegenden Bauteile beschädigen kann. Eine Verbesserung bringen hier sogenannte Gapfilier oder Gappads. Das sind pastöse bzw. schaumartige Kunststoffe oder Klebestreifen, die nach der Montage einen besseren

Wärmeübergang ermöglichen. Derartige Stoffe haben eine Wärmeleitfähigkeit von ca. 2 W/(m ^* K), sind also um den Faktor 100 besser als Luft. In den letzten Jahren hat sich insbesondere in der Beleuchtungsindustrie ein neuartiges Verfahren etabliert, bei dem ein ein- oder mehrlagiger Aufbau von Leiterbahnen und darauf angeordneten Bauelementen direkt auf eine

Aluminium- oder Kupferplatte laminiert wird, um einen möglichst direkten Wärmeübergang in die Grundplatte zu erzielen. Aluminium hat eine sehr gute Wärmeleitfähigkeit, die mit ca. 220 W/(m ^* K) angegeben wird, bei Kupfer liegt dieser Wert sogar bei ca. 400 W/(m ^* K). Dabei wird die Wärme von einem lokalen Hotspot durch die Platte großflächig verteilt. Diese sogenannten IMS- Leiterplatten (Insulated Metal Substrate) zeichnen sich durch ihre besonders gute Wärmeabfuhr aus und halten in immer weiteren Anwendungen der Leistungselektronik Einzug.

Diese Schaltungsträger können auch in die mittlerweile üblichen

wassergekühlten Aluminiumdruckgussgehäuse eingesetzt werden, wobei jedoch auch hier nach wie vor die Problematik besteht, einen guten

Wärmeübergang von der Aluminiumplatte auf das Gussgehäuse zu erzeugen. Dies geschieht üblicherweise mit Wärmeleitpaste oder -Kleber als

Interfacematerial wodurch ein zusätzlicher Wärmeübergang und zusätzliche Kosten entstehen.

Das elektrische Gerät gemäß der vorliegenden Erfindung hat gegenüber dem Stand der Technik den Vorteil, ein fluiddichtes Gehäuse aufzuweisen, bei dem ein Schaltungsträger eine Trennwand zum Kühlkanal eingesetzt wird und dieser dadurch in direktem Kontakt mit einem fluiden Kühlmedium ist.

Dies gelingt bei dem erfindungsgemäßen elektrischen Gerät dadurch, dass die Trennwand zum Kühlkanal zumindest teilweise durch den Schaltungsträger gebildet wird, so dass dessen zweite, der Bauteilseite gegenüberliegende Hauptfläche in direktem Kontakt mit dem fluiden Kühlmedium ist, und dass der Schaltungsträger mit dem übrigen Gehäuse durch eine Schweißverbindung fluiddicht verbunden ist.

Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines solchen elektrischen Geräts ist insbesondere dadurch gekennzeichnet, dass der Schaltungsträger mit dem übrigen Gehäuse mittels eines Rührreibschwei ßverfahrens fluiddicht verbunden wird.

Damit ist der Schaltungsträger direkt an den Kühlkreislauf angebunden. Der Schaltungsträger schließt den Kühlkanal ab, die Wärme kann also direkt durch die Grundplatte des Schaltungsträgers an das Kühlmedium abgegeben werden.

Durch die Verbindung des Schaltungsträgers mit dem übrigen Gehäuse mittels eines Rührreibschwei ßverfahrens wird ein fluiddichter Abschluss des

Gehäuses erreicht, der auch den im Kühlkanal in Extremfällen auftretenden Drücken bis etwa 10 bar standhalten kann.

Im Folgenden wird das erfindungsgemäße Verfahren anhand eines

Ausführungsbeispiels gemäß der Zeichnung näher erläutert. Die Figuren zeigen dabei:

Fig. 1 : Eine Ansicht eines Gehäuses eines erfindungsgemäßen elektrischen Geräts

Fig. 2: Das Gehäuse aus Fig. 1 in einer anderen Ansicht und ohne das

Wasserführungselement

Fig. 3: Das Gehäuse aus Fig. 1 im Längsschnitt Bei dem in der Zeichnung gezeigten Gehäuse 1 eines erfindungsgemäßen elektrischen Steuergeräts handelt es sich um einen Aluminium- Druckgusskörper. Das Gehäuse 1 ist in der Fig. 1 von seiner„Außenseite" her zu sehen, wobei„Innenseite" bzw.„Innenwand" 1 ' und„Außenseite" bzw. „Trennwand" 1 ' in Bezug auf das Gehäuse 1 in dem Sinne gemeint sind, dass sich die elektronischen Bauelemente 2 des Steuergeräts im„Inneren" des Gehäuses 1 befinden, während die Trennwand 1 'des Gehäuses 1 in unmittelbarem Kontakt mit dem fluiden Kühlmedium ist. Als Kühlmedium kommt hierbei in der Regel Wasser zum Einsatz, das in einem Kühlkanal fließend an dem Gehäuse 1 entlang geführt wird. Der Kühlkanal wird durch ein Wasserführungselement 5 gebildet, das zwischen der Trennwand 1 ' des Gehäuses 1 und einem in der Zeichnung nicht dargestellten Deckel angeordnet ist. Der Deckel wird auf dem oberen Rand des Gehäuses 1 angebracht um den Kühlkanal zu verschließen. Das Kühlwasser wird durch einen Einlassstutzen 6 zugeführt und verlässt den Kühlkanal durch einen Auslassstutzen 7, nachdem es durch den mäanderförmigen Kühlkanal an der Trennwand 1 ' des Gehäuses 1 vorbeigeflossen ist. Das

Wasserführungselement 5 kann z.B. als Kunststoffteil ausgeführt sein, das zwischen der Trennwand 1 ' des Gehäuses 1 und dem Deckel eingeklemmt wird.

Wie genauer in der Ansicht ohne das Wasserführungselement 5 in Fig. 2 sowie in dem Längsschnitt durch das Gehäuse 1 in Fig. 3 zu sehen ist, wird die Trennwand 1 ' des Gehäuses 1 zum Teil durch den Schaltungsträger 3 gebildet. Dabei bildet die erste Hauptfläche 3' des Schaltungsträgers 3, die sogenannte Bauteilseite, einen Teil der Innenwand 1 ' des Gehäuses 1 . Diese Bauteilseite ist mit elektrischen Leiterstrukturen versehen, auf denen die elektronischen Bauelemente 2 der Leistungselektronik angeordnet sind. Bei diesen elektronischen Bauelementen 2 handelt es sich insbesondere um Leistungshalbleiter, die im Betrieb des elektrischen Steuergeräts eine starke Wärmeentwicklung aufweisen. Die zweite, der Bauteilseite gegenüberliegende Hauptfläche 3" des Schaltungsträgers 3, bildet einen Teil der Trennwand Wand 1 ' des Gehäuses 1 . Da diese Trennwand Wand 1 ' in direktem Kontakt mit dem zur Kühlung dienenden Wasser ist, muss der Schaltungsträger 3 mit dem übrigen Gehäuse 1 fluiddicht verbunden sein. Diese fluiddichte

Verbindung ist durch die dargestellte Schweißverbindung 4 realisiert, die gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung des elektrischen Steuergeräts mittels eines Rührreibschwei ßverfahrens realisiert wird. Wie in Fig. 3 zu sehen, wird der Schaltungsträger 3 vor dem Verschweißen von der Wasserseite in eine Öffnung eingelegt und liegt dort auf einem umlaufenden Absatz auf. Dies hat den Vorteil, dass der Wasserdruck im Kühlkanal nicht die Schweißverbindung belastet. Der Schaltungsträger 3 wird stattdessen sogar, sobald sie von der Wasserseite her mit Druck beaufschlagt wird, gegen den umlaufenden Absatz, also gegen das Gehäuse gedrückt.

Bei der Durchführung des Rührreibschwei ßverfahrens kann der

Schaltungsträger 3 bereits mit den elektronischen Bauelementen 2 bestückt sein. Es ist aber auch möglich, zuerst den unbestückten Schaltungsträger 3 mit dem übrigen Gehäuse 1 zu verschweißen, und die elektronischen

Bauelemente 2 erst danach zu bestücken.

Da es sich bei den verwendeten elektronischen Bauelementen 2 um sogenannte SMD Bauelemente handelt, wird die Variante mit dem bereits bestückten Schaltungsträger bevorzugt, da dies eine Verarbeitung in konventionellen Bestückungsautomaten und Lötvorrichtungen ermöglicht. Hierbei besteht jedoch die Problematik, dass bei der Durchführung des Rührreibschwei ßverfahrens ein nicht unerheblicher Wärmeeintrag in das Material des Schaltungsträgers erfolgt. Die durchaus erwünschte und für die Kühlung des fertigen Steuergeräts auch notwendige, hohe Wärmeleitfähigkeit des Schaltungsträgers 3 erweist sich bei diesem Herstellungsverfahren als momentaner Nachteil, da dabei die elektronischen Bauelemente 2 oder zumindest die Lötstellen derselben Schaden nehmen können.

Beim Schweißen von Aluminium besteht im Allgemeinen das Problem, dass durch die gute Wärmeleitfähigkeit die eingebrachte Wärme schnell abgeführt wird, demnach also nicht lokal eine Stelle aufschmilzt sondern das gesamte Bauteil sehr stark erwärmt wird, bis die Schweißtemperatur überhaupt erreicht wird. Außerdem ist eine Oxidhaut zu durchdringen, die einen höheren

Schmelzpunkt als das reine Aluminium hat. Es ist also ein Schweißverfahren notwendig, welches wenig Wärme einbringt und gleichzeitig eine fluiddichte Verbindung erzeugt. Ein solches Verfahren ist das sogenannte

Rührreibschweißen, bei dem ein schnell rotierender Rührpin in das Material eintaucht und dabei eine Reibungswärme erzeugt. Die durch diese

Reibungswärme erzeugte Temperatur liegt unter dem eigentlichen

Schmelzpunkt des Aluminiums, so dass das Aluminium in der Umgebung des Rührpins nicht tatsächlich schmelzflüssig wird, sondern lediglich eine teigige Konsistenz aufweist. Durch Bewegen des Rührpins entlang der

Verbindungslinie der zu verschweißenden Gegenstände entsteht bei diesem Verfahren ein sehr feinkörniges Gefüge und eine gasdichte Schweißnaht.

Mit diesem Schweißverfahren wird also relativ wenig Wärme eingebracht und eine gasdichte Verbindung erstellt. Aber auch diese vergleichsweise geringe Temperatur, die lokal bis ca. 550 °C betragen kann, ist unter Umständen für die aufgelöteten Bauteile zu hoch, so dass beim Bau der Schweißvorrichtung eine Möglichkeit zur Wärmeabfuhr vorgesehen werden muss. Das wiederspricht zwar dem eigentlichen Bestreben in das Material möglichst schnell Wärme einzubringen um das Material in einen teigigen Zustand zu versetzen, aber durch Anpassung der Schweißparameter ist auch dieses Problem in den Griff zu bekommen. In Bereichen, in denen auch in der Nähe des Randes des Schaltungsträgers Bauteile platziert werden müssen, kann durch eine Abstützung mit einer guten Wärmeabfuhr, beispielsweise durch ein gekühltes Abstützelement, oder auch durch Kontaktblöcke aus Kupfer oder Aluminium die Wärme noch schneller wieder aus dem Material abgeleitet werden, um die Bauteile und deren Lötstellen zu schützen.

Generell ist bei der Verteilung der Bauteile auf dem Schaltungsträger zu beachten, dass Bauteile, die temperaturempfindlich sind, möglichst weit entfernt von der Schweißnaht angeordnet werden. Die Länge des Rührpins wird so gewählt, dass der Schaltungsträger 3, der vorzugsweise eine Dicke von 2,0 - 3,0 mm hat, zwar sicher verschweißt, jedoch nicht durchdrungen wird.

Das Dielektrikum und die eine oder mehrere Kupferlagen auf der Bauteilseite des Schaltungsträgers 3 können im Bereich der Schweißnaht weggefräst werden. So ist sichergestellt, dass keine Fremdmaterialien in die Schweißnaht eingearbeitet werden. Da für die Leiterplattenbearbeitung in der Regel aber relativ kleine Fräser zum Einsatz kommen, würde ein solches Vorgehen hier sehr lange Fräszeiten mit sich bringen, insbesondere, wenn das Dielektrikum komplett freigestellt werden müsste. Es hat sich indes gezeigt, dass die dünne Leiterplattenschicht auch auf dem Schaltungsträger 3 belassen werden kann. Es ist lediglich eine elektrische Trennung zwischen dem Schaltungsteil und den Randbereichen vorzusehen, um die Potentiale von Leiterplatte und Gehäuse zu trennen. Dies ist Kostenneutral im Herstellungsprozess des Schaltungsträgers möglich z.B. beim Ätzen der Leiterstrukturen Die dünne Schicht beeinflusst den Schwei ßprozess nicht in relevantem Maße.