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Patent Searching and Data


Title:
ELECTRICAL POWER TRANSMISSION DEVICE
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2019/192792
Kind Code:
A1
Abstract:
The invention relates to an electrical power transmission device having a first control panel (6, 7, 8, 9, 10, 11) and a second control panel (6, 7, 8, 9, 10, 11). The control panels (6, 7, 8, 9, 10, 11) are interconnected by way of a first busbar strand (1), wherein a first housing (4) and a second housing (5) are arranged in the first busbar strand (1). The first housing (4) and the second housing (5) each have interfaces for connection to further assemblies, in particular housings (4, 5). In this case, the distance between the interfaces (17) of the first housing (4) is different from the distance between the interfaces (17) of the second housing (5).

Inventors:
GUENTHER RENE (DE)
KLEINSCHMIDT ANDREAS (DE)
LÜTHY NORBERT (DE)
Application Number:
PCT/EP2019/055429
Publication Date:
October 10, 2019
Filing Date:
March 05, 2019
Export Citation:
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Assignee:
SIEMENS AG (DE)
International Classes:
H02B1/22; H02B5/06; H02B7/01; H02B13/00; H02B13/045
Foreign References:
JP2001016720A2001-01-19
CH558093A1975-01-15
JP2012110126A2012-06-07
JP2010252533A2010-11-04
DE29816915U11998-12-03
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Claims:
Patentansprüche

1. Elektroenergieübertragungseinrichtung mit zumindest einem ersten Schaltfeld (6, 7, 8, 9, 10, 11) und einem zweiten Schaltfeld (6, 7, 8, 9, 10, 11), welche über einen ersten Sammelschienenstrang (1, 2) miteinander verbunden sind, wobei im Verlauf des ersten Sammelschienenstranges (1, 2) ein ers tes Gehäuse (4) und ein funktionsgleiches zweites Gehäuse (5) angeordnet sind,

d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass

das erste Gehäuse (4) und das zweite Gehäuse (5) jeweils Schnittstellen zur Verbindung mit weiteren Baugruppen, insbe sondere Gehäusen (4, 5) aufweisen, wobei die Schnittstellen (17) des ersten und zweiten Gehäuses (4, 5) in Richtung des Verlaufes des ersten Sammelschienenstranges (1, 2) voneinan der abweichende, insbesondere starre Distanzierungen aufwei sen .

2. Elektroenergieübertragungseinrichtung nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass

im Verlauf des ersten Sammelschienenstranges (1, 2) erste und zweite Gehäuse (4, 5) aufeinander wechselnd abfolgen.

3. Elektroenergieübertragungseinrichtung nach Anspruch 1 oder

2,

d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass

die ersten und zweiten Gehäuse (4, 5) unmittelbar aufeinander wechselnd abfolgen.

4. Elektroenergieübertragungseinrichtung nach einem der An sprüche 1 bis 3,

d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass

die Gehäuse (4, 5) jeweils zumindest ein elektrisches Schalt gerät, insbesondere funktionsgleiche Schaltgeräte einhausen.

5. Elektroenergieübertragungseinrichtung nach einem der An sprüche 1 bis 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass

zumindest an einem der Gehäuse (4, 5) mantelseitig eine An triebseinrichtung (18) angeordnet ist.

6. Elektroenergieübertragungseinrichtung nach einem der An sprüche 1 bis 5,

d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass

das erste und/oder das zweite Gehäuse (4, 5) bezüglich ihrer Befestigung am jeweiligen Schaltfeld (6, 7, 8, 9, 10, 11) asymmetrisch verteilt ausgebildet sind.

7. Elektroenergieübertragungseinrichtung nach einem der An sprüche 1 bis 6,

d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass

ein erstes Schaltfeld (6, 7, 8, 9, 10, 11) und ein zweites Schaltfeld (6, 7, 8, 9, 10, 11) eine Gruppe (14, 15, 16) bil den, zwischen welchen eine Beabstandung über den Sammelschie nenstrang (1, 2) erzielt wird, wobei Gruppen (14, 15, 16) von Schaltfeldern (6, 7, 8, 9, 10, 11) derart verbunden sind, dass die Beabstandung von benachbarten Schaltfeldern (6, 7,

8. 9, 10, 11) unterschiedlicher Gruppen (14, 15, 16) geringer ist als die Beabstandung zwischen benachbarten Schaltfeldern (6, 7, 8, 9, 10, 11) einer Gruppe (14, 15, 16) .

8. Elektroenergieübertragungseinrichtung nach einem der An sprüche 1 bis 7,

d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass

zum ersten Sammelschienenstrang (1, 2) ein zweiter Sammel schienenstrang (1, 2) im Wesentlichen parallel angeordnet ist, wobei am ersten Schaltfeld (6, 7, 8, 9, 10, 11) im ers ten Sammelschienenstrang (1, 2) ein erstes Gehäuse (4) und im zweiten Sammelschienenstrang (1, 2) ein zweites Gehäuse (5) angeordnet ist und am zweiten Schaltfeld (6, 7, 8, 9, 10, 11) im ersten Sammelschienenstrang (1, 2) eine zweites Gehäuse (5) und im zweiten Sammelschienenstrang (1, 2) ein erstes Ge häuse (4) angeordnet ist.

9. Elektroenergieübertragungseinrichtung nach Anspruch 8, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass

mantelseitig an den Gehäusen (4, 5) von erstem und zweitem Sammelschienenstrang (1, 2) angeordnete Antriebseinrichtungen (18) einander zugewandt sind.

10. Elektroenergieübertragungseinrichtung nach Anspruch 9, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass

mantelseitig an den Gehäusen (4, 5) eines Schaltfeldes (6, 7, 8, 9, 10, 11) angeordnete Antriebseinrichtungen (18) in Rich tung des Verlaufes des Sammelschienenstranges im Wesentlichen versatzfrei zueinander angeordnet sind.

Description:
Beschreibung

Elektroenergieübertragungseinrichtung

Die Erfindung betrifft eine Elektroenergieübertragungsein richtung mit zumindest einem ersten Schaltfeld und einem zweiten Schaltfeld, welche über einen ersten Sammelschienen strang miteinander verbunden sind, wobei im Verlauf des ers ten Sammelschienenstranges ein erstes Gehäuse und ein funkti onsgleiches zweites Gehäuse angeordnet sind.

Eine Elektroenergieübertragungseinrichtung mit einem ersten Schaltfeld sowie einem zweiten Schaltfeld ist beispielsweise aus dem Gebrauchsmuster DE 298 16 915 Ul bekannt. Dort sind die beiden Schaltfelder über einen Sammelschienenstrang ver bunden. Der Sammelschienenstrang weist dabei ein erstes sowie ein zweites Gehäuse auf. Um zwischen den funktionsgleichen Gehäusen des Sammelschienenstranges befindliche Distanzen zu überbrücken, sind Ausgleichelemente vorgesehen. Die Nutzung von Ausgleichelementen erlaubt es, Wärmedehnungen im Verlauf des Sammelschienenstranges zu kompensieren sowie die Varianz im Aufbau der bekannten Elektroenergieübertragungseinrichtun gen zu vergrößern. Dadurch ergibt sich jedoch eine vergrößer te Anzahl von Flanschen und notwendigen Dichtelementen.

Dichtelemente und Flansche stellen aufgrund der jeweiligen individuellen Montagenotwendigkeit Störstellen in einer Elektroenergieübertragungseinrichtung dar, welche einer er höhten Aufmerksamkeit bedürfen. Insbesondere stellt eine ver größerte Anzahl von Dichtelementen einen Nachteil hinsicht lich der Langzeitstabilität dar.

Somit ergibt sich als Aufgabe der Erfindung, eine kostengüns tige Elektroenergieübertragungseinrichtung anzugeben, welche eine verbesserte Langzeitstabilität aufweist.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe bei einer Elektroenergie übertragungseinrichtung der eingangs genannten Art dadurch gelöst, dass das erste Gehäuse und das zweite Gehäuse jeweils Schnittstellen zur Verbindung mit weiteren Baugruppen, insbe sondere Gehäusen aufweisen, wobei die Schnittstellen des ers ten und zweiten Gehäuses in Richtung des Verlaufes des ersten Sammelschienenstranges voneinander abweichende, insbesondere starre Distanzierungen aufweisen.

Eine Elektroenergieübertragungseinrichtung dient der Übertra gung von elektrischer Energie. Dazu ist ein Phasenleiter vor zusehen, welcher einer Führung eines elektrischen Stromes dient. Der elektrische Strom wird durch eine elektrische Po tentialdifferenz getrieben. Der Phasenleiter ist entsprechend elektrisch zu isolieren, um Erd- und Kurzschlüsse zu vermei den. Zur elektrischen Isolation eignet sich beispielsweise ein Fluid, wie eine Flüssigkeit oder ein Gas. Bevorzugt kann vorgesehen sein, dass der Phasenleiter von einem Gehäuse um griffen ist, so dass ein unmittelbarer Zugriff auf den Pha senleiter erschwert ist. Weiter gestattet die Nutzung des Ge häuses auch im Inneren des Gehäuses liegende Abschnitte des Phasenleiters von einem elektrisch isolierenden Fluid umspü len zu lassen und dieses elektrisch isolierende Fluid im In nern des Gehäuses einzuhausen. Dazu kann das Gehäuse als Kap selungsgehäuses ausgebildet sein, wodurch ein unerwünschtes Entweichen des im Innern des Gehäuses angeordneten elektrisch isolierenden Fluids verhindert ist. Der Phasenleiter kann im Innern des Gehäuses von dem elektrisch isolierenden Fluid um spült sein, so dass eine elektrische Isolation desselben er folgt. Der Phasenleiter kann dabei eine Wandung des Gehäuses fluiddicht und elektrisch isoliert passieren. Dazu kann das Gehäuse zumindest abschnittsweise elektrisch isolierend aus gebildet sein. Ein erstes Gehäuse und ein zweites Gehäuse können unmittelbar miteinander verbunden sein, d. h. die Schnittstellen sind miteinander gekoppelt. Ein erstes Gehäuse und ein zweites Gehäuse können mittelbar miteinander verbun den sein, d. h. die Schnittstellen sind mit einer zwischenge schalteten Baugruppe und mittelbar über die zwischengeschal tete Baugruppe miteinander verbunden. Je nach Anforderung kann vorgesehen sein, dass eine einpolige Isolation oder eine mehrpolige Isolation an der Elektroener gieübertragungseinrichtung verwendet wird. Bei einer einpoli gen Isolation werden nur Phasenleiter ein und desselben Poles von ein und demselben elektrisch isolierenden Fluid umspült, dazu ist im Regelfall jeweils ein separates Gehäuse vorgese hen, um das elektrisch isolierende Fluid einzuhausen. Bei ei ner mehrpoligen Isolation sind mehrere Phasenleiter verschie dener Pole von ein und demselben elektrisch isolierenden Fluid umspült und dazu im Regelfall in ein und demselben Ge häuse angeordnet. Das elektrisch isolierende Fluid isoliert die einzelnen Phasenleiter der verschiedenen Pole gegeneinan der sowie gegenüber dem Kapselungsgehäuse.

Als elektrisch isolierende Fluide eignen sich beispielsweise fluorhaltige Stoffe wie Schwefelhexafluorid, Fluorketone, Fluornitrile, Stickstoff, Sauerstoff, Kohlendioxid, Gemische unter Beteiligung dieser Stoffe usw. Bedarfsweise kann das elektrisch isolierende Fluid auch unter einen Überdruck ge setzt werden, wodurch bevorzugt die Isolationsfestigkeit des elektrisch isolierenden Fluids verstärkt wird.

Mittels einer Elektroenergieübertragungseinrichtung kann ein elektrischer Strom übertragen werden. Um entsprechende

Verschaltungen bzw. Transmissionswege ansteuern zu können, kann die Elektroenergieübertragungseinrichtung mehrere

Schaltfelder (zumindest ein erstes und ein zweites Schalt feld) aufweisen. Über ein Schaltfeld ist z. B. eine Zulei tung/Ableitung schaltbar. So können an einem Schaltfeld bei spielsweise Generatorleitungen, Transformatorleitungen, Frei leitungen, Kabel usw. angeordnet sein. Die Schaltfelder wei sen beispielsweise entsprechende Schalteinrichtungen wie Er dungsschalter, Trennschalter, Leistungsschalter, Lastschalter usw. auf, um die entsprechenden Leitungen sicher zu- bzw. ab zuschalten . Die Schaltfelder sind bevorzugt über einen Sammelschienen strang quer verbunden, so dass eine Zuleitung/Ableitung eines ersten Schaltfeldes und eine Zuleitung/Ableitung eines zwei ten Schaltfeldes über den Sammelschienenstrang gekoppelt wer den können, so dass ein Energiefluss von dem einen Schaltfeld zu dem anderen Schaltfeld erfolgen kann. Bevorzugt kann eine Vielzahl von Schaltfeldern in einer Elektroenergieübertra gungseinrichtung angeordnet sein, wobei diese über einen Sam melschienenstrang quer verbunden sind. Bedarfsweise kann so ein Zu- und Abschalten bzw. ein Verknüpfen verschiedener Schaltfelder bzw. deren Zuleitungen vorgenommen werden.

Ein Sammelschienenstrang weist dazu beispielsweise einen elektrisch isolierten Phasenleiter und ein Gehäuse auf, von welchem stichartig die Schaltfelder abzweigen. Um ein Ankop peln bzw. Abkoppeln eines Schaltfeldes von dem Sammelschie nenstrang vornehmen zu können, sind in funktionsgleichen ers ten und zweiten Gehäusen bevorzugt gleichartige Schaltein richtungen, insbesondere Trennschalter angeordnet. Über die Trennschalter ist ein Zu- bzw. Abschalten des jeweiligen Schaltfeldes von dem fluidisolierten Sammelschienenstrang er möglicht. Bei dem Trennschalter kann es sich auch um einen so genannten Dreistellungsschalter handeln, mittels welchem ne ben einem Trennen/Zuschalten eines Stiches eines Phasenlei ters z. B. auch ein Erden eines Stiches eines Phasenleiters zu einem Schaltfeld vorgenommen werden kann. Bevorzugt kann zum Ausbilden einer kompakten Elektroenergieübertragungsein richtung ein Sammelschienenstrang im Wesentlichen in Quer richtung verlaufen, wobei in Richtung einer Tiefenachse be vorzugt lotrecht zur Querrichtung sich die verschiedenen Schaltfelder kammartig im Verlauf der Querrichtung aneinander reihen .

Um einen modularen Aufbau einer Elektroenergieübertragungs einrichtung und dort insbesondere des ersten Sammelschienen stranges zu ermöglichen, können erste und zweite Gehäuse im Sammelschienenstrang verbaut werden, welche in ihrem Inneren zum einen einen zur Stromführung vorgesehenen Phasenleiter aufnehmen und bevorzugt auch in ihrem Innern ein elektrisches isolierendes Fluid unter Überdruck aufnehmen. Entsprechend können die ersten und zweiten Gehäuse des Sammelschienen stranges als Kapselungsgehäuse, insbesondere als Druckbehäl ter ausgebildet sein.

Um eine variable Erstreckung des ersten Sammelschienenstran ges in Querrichtung zu ermöglichen, können erste und zweite Gehäuse mittelbar und unmittelbar miteinander über ihre

Schnittstellen verbunden werden. Die Gehäuse nehmen in ihrem Innern besagte Phasenleiter auf. Dabei kann bevorzugt eine mehrpolige Isolation Verwendung finden. Es kann jedoch auch vorgesehen sein, dass eine erfindungsgemäße Struktur mit ei ner einpoligen Ausführung insbesondere des Sammelschienen stranges verwirklicht wird. Die Gehäuse weisen jeweils

Schnittstellen auf, um mit weiteren Baugruppen, insbesondere Gehäusen, z. B. weiteren ersten oder weiteren zweiten Gehäu sen verbunden zu werden. Die weiteren Baugruppen weisen kom plementäre Schnittstellen auf, so dass eine Schnittstelle ei nes Gehäuses durch eine weitere Baugruppe abgeschlossen wer den kann. Mit einer weiteren Baugruppe kann ein fluiddichter Abschluss eines Gehäuses vorgenommen werden. Eine weitere Baugruppe kann beispielsweise eine Verschlussbaugruppe wie ein Blindflansch oder ein Schottisolator sein. Eine weitere Baugruppe kann auch durch ein erstes oder ein zweites Gehäuse gebildet sein. Die Schnittstellen sind beispielsweise Flan sche, welche beispielsweise einen fluiddichten Verbund der Gehäuse (gegebenenfalls unter Zwischenanordnung von Schott isolatoren) ermöglichen. Als besonders geeignet haben sich Schraubflansche erwiesen, die ein reversibles Verbinden der einzelnen Gehäuse ermöglichen. Die Schnittstellen der Gehäuse sind bevorzugt an entgegengesetzten Seiten der Gehäuse und entgegengesetzt zueinander ausgerichtet angeordnet, so dass im Wesentlichen lotrecht zur Querachse jeweils Schnittstellen mit entgegengesetztem Richtungssinn sowohl am ersten Gehäuse als auch am zweiten Gehäuse gebildet sind. Die Distanz der Schnittstellen des ersten Gehäuses zueinander ist im Ver gleich zur Distanz der Schnittstellen des zweiten Gehäuses zueinander als geringer bzw. als größer einzuschätzen. In je dem Falle ist die Distanz der Schnittstellen des ersten sowie des zweiten Gehäuses voneinander abweichend. Die Distanz er streckt sich dabei im Wesentlichen in Querrichtung (Querach se) , in welcher auch ein Phasenleiter, welcher im Innern der Gehäuse geführt ist, verläuft. Bevorzugt ist die Distanz zwi schen den Schnittstellen an den jeweiligen Gehäusen als win kelstarr einzuschätzen, d. h. die Distanz bleibt unabhängig vom Zustand der Elektroenergieübertragungseinrichtung im We sentlichen gleich. Dadurch ist es möglich, starre Gehäuse auszubilden, die jeweils definierte Schnittstellen mit defi nierter Beabstandung (Distanz) zueinander aufweisen. Zwischen den Schnittstellen erstreckt sich bevorzugt eine dichtungs freie Wandung des jeweiligen Gehäuses. Bevorzugt kann sich zwischen den Schnittstellen eine einstückige Wandung z. B. in Gussform erstrecken. Als Gehäuse eignen sich beispielsweise Kapselungsgehäuse, welche in ihrem Innern einen Fluidaufnah meraum beherbergen, wobei eine Schnittstelle beispielsweise durch ein weiteres Gehäuse einen dichtenden Abschluss erfährt oder beispielsweise durch eine Schottung (weitere Baugruppe) abgeschlossen ist. Als Schottung können beispielsweise Blind deckel Verwendung finden, welche einen Abschluss der Schnitt stelle ermöglichen. Als Schottung können beispielsweise auch elektrisch isolierende Isolatoren, insbesondere Scheibeniso latoren Verwendung finden, welche beispielsweise fluiddicht von einem Phasenleiter durchsetzt sind. Eine Schottung (Iso lator/Schottisolator) kann beispielsweise auch in einen

Flanschverbund (Schnittstellenverbund) eingefügt sein.

Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung kann vorsehen, dass im Verlauf des ersten Sammelschienenstranges erste und zweite Gehäuse aufeinander wechselnd abfolgen.

Im Verlauf des Sammelschienenstranges, also in Richtung der Querachse, können mehrere erste und mehrere zweite Gehäuse angeordnet sein. Dabei sollte die Anordnung derart vorgesehen sein, dass auf ein erstes Gehäuse im Verlauf des Sammelschie nenstranges ein zweites und im weiteren Verlauf ein erstes und darauf folgend ein zweites Gehäuse usw. erfolgt. Dadurch wird einerseits eine sich wiederholende Abfolge der Positio nen der Schnittstellen im Verlauf des Sammelschienenstranges erzielt, jedoch kann in Abhängigkeit der jeweiligen Distanz der Schnittstellen des ersten bzw. zweiten Gehäuses eine va riierende Beabstandung der Stichleitungen zueinander erfol gen. Zwischen einem ersten und einem zweiten Gehäuse kann auch eine weitere Baugruppe angeordnet sein. Weitere Baugrup pen können beispielsweise Schottungen ( Schottisolatoren) , Kompensatoren usw. sein, welche beispielsweise eine Längenän derung ermöglichen. Beispielsweise können so genannte Falten bälge eingesetzt werden, durch welche im Verlauf des Sammel schienenstranges auftretende Wärmedehnungen usw. ausgeglichen werden können.

Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung kann vorsehen, dass die ersten und zweiten Gehäuse unmittelbar aufeinander wech selnd abfolgen.

Ein erstes und ein zweites Gehäuse können in unmittelbarer Folge aufeinander wechselnd (alternierend) im Verlauf des ersten Sammelschienenstranges angeordnet sein. Dabei wird insbesondere bei einer starren Distanzierung der Schnittstel len am ersten sowie am zweiten Gehäuse auch ein starres Dis tanzieren der seriell wiederkehrenden Positionen von mitei nander verbundenen Schnittstellen erzwungen. Ein unmittelba res Aufeinanderfolgen von erstem und zweitem Gehäuse schließt beispielsweise die Verwendung eines Stützisolators, eines Schottisolators usw. ein, welcher in einen Schnittstellenver bund zweier aneinander grenzender erster und zweiter Gehäuse eingeführt ist. Beispielsweise kann so in eine Flanschverbin dung zwischen zwei Gehäusen ein Stützisolator beispielsweise in Scheibenform eingesetzt werden, wobei über den Stützisola- tor eine Positionierung eines Phasenleiters im Inneren des Gehäuses relativ zum Gehäuse ermöglicht ist.

Weiterhin kann vorteilhaft vorgesehen sein, dass die Gehäuse jeweils zumindest ein elektrisches Schaltgerät, insbesondere funktionsgleiche Schaltgeräte einhausen.

Neben den Phasenleitern, welche einer Führung eines elektri schen Stromes dienen und welche im Regelfall als passives Element der Elektroenergieübertragungseinrichtung gesehen werden, können jedoch auch aktive Elemente in der Elektro energieübertragungseinrichtung Verwendung finden. Aktive Ele mente sind beispielsweise elektrische Schaltgeräte, die be vorzugt eingehaust im ersten bzw. im zweiten Gehäuse vorlie gen. Dadurch besteht die Möglichkeit, das im Inneren der Ge häuse befindliche elektrisch isolierende Fluid auch als

Schaltfluid einzusetzen, um beispielsweise eine Schaltstrecke dielektrisch zu stabilisieren. Bei einem elektrischen Schalt gerät kann es sich insbesondere um einen Trennschalter han deln, der dazu dient, einen Stich eines Phasenleiters des Sammelschienenstranges zu einem Schaltfeld zu schalten. Bei spielsweise kann ein Trennschalter auch mit einem Erdungs schalter kombiniert werden, so dass gegebenenfalls ein Erden eines Stiches eines Phasenleiters des Sammelschienenstranges vorgenommen werden kann.

Bei der Anordnung eines elektrischen Schaltgerätes im Innern eines Gehäuses, um beispielsweise einen Stich zu schalten, kann die Nutzung von relativ zueinander bewegbaren Schaltkon taktstücken an dem elektrischen Schaltgerät vorgesehen sein. Die relativ zueinander bewegbaren Schaltkontaktstücke können dabei im Innern des Gehäuses umspült von dem elektrisch iso lierenden Fluid positioniert werden. Um eine Bewegung auf die relativ zueinander bewegbaren Schaltkontaktstücke übertragen zu können, kann eine kinematische Kette eingesetzt werden, welche bevorzugt fluiddicht das Gehäuse durchsetzt, wobei au- ßerhalb des Gehäuses von einer Antriebseinrichtung eine An triebsbewegung erzeugbar ist.

Dabei kann vorteilhaft vorgesehen sein, dass zumindest an ei nem der Gehäuse mantelseitig eine Antriebseinrichtung ange ordnet ist.

Bei der Antriebseinrichtung kann es sich beispielsweise um einen Federspeicherantrieb, einen elektrodynamischen Antrieb, einen pneumatischen Antrieb, einen hydraulischen Antrieb usw. handeln. Durch die mantelseitige Anordnung der Antriebsein richtung ist weiterhin die Möglichkeit gegeben, stirnseitig an dem ersten bzw. zweiten Gehäuse jeweils eine Schnittstell te vorzusehen und dort weitere Gehäuse anzuflanschen. Damit ist ein nahezu endloses Aneinanderreihen von ersten und zwei ten Gehäusen im Verlauf des Sammelschienenstranges ermög licht, wobei jeweils mantelseitig eine Einkoppelung einer Be wegung über die Antriebseinrichtung vorgenommen werden kann. Die Antriebseinrichtung kann beispielsweise am Gehäuse orts fest positioniert werden, so dass die kinematische Kette ei ner Vormontage unterliegen kann. Damit wird der Aufbau einer Elektroenergieübertragungseinrichtung durch ein Vormontieren der Antriebseinrichtung am Gehäuse erleichtert.

Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung kann vorsehen, dass das erste und/oder das zweite Gehäuse bezüglich ihrer Befes tigung am jeweiligen Schaltfeld asymmetrisch verteilt ausge bildet sind.

Neben einer symmetrischen Ausgestaltung eines Gehäuses kann auch eine asymmetrische Ausgestaltung des Gehäuses vorgesehen sein. Bevorzugt kann lediglich das erste oder das zweite Ge häuse asymmetrisch ausgeformt sein, wohingegen das zweite bzw. das erste Gehäuse symmetrisch ausgebildet ist. Die Sym metrieachse des Gehäuses ist dabei auf die Lage eines Stiches zu einem Schaltfeld, welcher von dem Sammelschienenstrang ab zweigt, bezogen. Beispielsweise kann es sich bei dem ersten sowie dem zweiten Gehäuse jeweils um ein so genanntes T- förmiges Gehäuse handeln, welches an den Enden des Querbal kens des „T" jeweils die Schnittstellen des ersten bzw. zwei ten Gehäuses aufweist. An der Basis des T-förmigen Gehäuses kann ein Anschluss desselben an das jeweilige Schaltfeld zur Ausbildung eines Stiches angeordnet sein. Durch eine asymmet rische Verteilung des Querbalkens ausgehend von der Basis des T-förmigen Gehäuses kann eine abweichende Distanzierung der Schnittstellen des ersten bzw. zweiten Gehäuses im Verlauf des Sammelschienenstranges erzielt werden. Beispielsweise kann die Distanz zwischen den Schnittstellen eines asymmetri schen T-förmigen Querbalkens größer sein als die Distanz ei nes symmetrischen Gehäuses, welches ebenfalls T-förmig aufge baut ist, wobei in diesem Falle der T-Balken symmetrisch zur Basis des T-förmigen Gehäuses verteilt ist. Unabhängig von einer symmetrischen bzw. asymmetrischen Ausgestaltung des ersten bzw. zweiten Gehäuses sollte die T-förmige Basis eine gleichbleibende Tiefe aufweisen, so dass ein problemloses Verbinden der symmetrischen und asymmetrischen Gehäuse mit ihren Schnittstellen in Richtung der Querachse des Sammel schienenstranges ermöglicht ist.

Vorteilhafterweise kann weiter vorgesehen sein, dass ein ers tes Schaltfeld und ein zweites Schaltfeld eine Gruppe bilden, zwischen welchen eine Beabstandung über den Sammelschienen strang erzielt wird, wobei Gruppen von Schaltfeldern derart verbunden sind, dass die Beabstandung von benachbarten

Schaltfeldern unterschiedlicher Gruppen geringer ist als die Beabstandung zwischen benachbarten Schaltfeldern einer Grup pe .

Durch die Verwendung eines ersten Schaltfeldes und eines zweiten Schaltfeldes sowie eine Gruppierung derselben ist ein Modul gebildet, welches die Verwendung einer gradzahligen An zahl von Schaltfeldern an einer Elektroenergieübertragungs einrichtung fördert. Zwischen den Schaltfeldern eines Modules ist so eine vergrößerte Beabstandung gegenüber den benachbar- ten Schaltfeldern voneinander verschiedener Gruppen gegeben. Somit ist es möglich, innerhalb einer Gruppe zwischen den Schaltfeldern einen Raum zu schaffen, um beispielsweise Be dienelemente, Messeinrichtungen usw. zu positionieren und ei nen Zugang zwischen den kammartig aufeinander folgenden

Schaltfeldern der Elektroenergieübertragungseinrichtung zu ermöglichen. Beispielsweise kann eine Beabstandung der

Schaltfelder einer Gruppe durch die Verwendung eines asymmet rischen Gehäuses erzielt werden, indem ein überlanger Arm ei nes der Gehäuse zu einem benachbarten Gehäuse des Sammel schienenstranges eine Distanzierung der Stiche eines Phasen leiters eines Sammelschienenstranges und damit der Schaltfel der erzwingt.

Weiter kann vorteilhaft vorgesehen sein, dass zum ersten Sam melschienenstrang ein zweiter Sammelschienenstrang im Wesent lichen parallel angeordnet ist, wobei am ersten Schaltfeld im ersten Sammelschienenstrang ein erstes Gehäuse und im zweiten Sammelschienenstrang ein zweites Gehäuse angeordnet ist und am zweiten Schaltfeld im ersten Sammelschienenstrang eine zweites Gehäuse und im zweiten Sammelschienenstrang ein ers tes Gehäuse angeordnet ist.

Neben der Nutzung eines ersten Sammelschienenstranges kann auch ein zweiter Sammelschienenstrang in einer Elektroener gieübertragungseinrichtung Verwendung finden. Damit ist es beispielsweise möglich, auch im Verlauf des Sammelschienen stranges beabstandet liegende Schaltfelder über einen der Sammelschienenstränge zu verbinden, wobei über den anderen der Sammelschienenstränge weitere Schaltfelder verbunden sind. Wird nunmehr sowohl im ersten Sammelschienenstrang als auch im zweiten Sammelschienenstrang die Anordnung von ver schieden distanten Schnittstellen an ersten und zweiten Ge häusen vorgesehen, so können die Wechsel aufeinander im Ver lauf der beiden Sammelschienenstränge versetzt zueinander er folgen. Mit ein und demselben Schaltfeld kann jeweils ein erstes sowie ein zweites Gehäuse verbunden sein. Somit kann selbst bei einem gleichartigen Aufbau der in Richtung der Querachse verlaufenden Sammelschienenstränge ein Versatz zwi schen den ersten und zweiten Gehäusen in den Sammelschienen strängen erzielt werden. In einer Gruppe von Schaltfeldern können so jeweils auf einer Diagonale bzw. quer die gleichen Gehäuse angeordnet sein. Insbesondere kann dabei vorgesehen sein, dass bei Verwendung von asymmetrischen Gehäusen die Asymmetrieausrichtung mit entgegengesetztem Richtungssinn in den beiden Sammelschienensträngen erfolgt.

Vorteilhafterweise kann vorgesehen sein, dass mantelseitig an den Gehäusen von erstem und zweitem Sammelschienenstrang an geordnete Antriebseinrichtungen einander zugewandt sind.

Die Antriebseinrichtungen der beiden Sammelschienenstränge können einander zugewandt sein. So ist es beispielsweise mög lich, bei einer im Wesentlichen parallelen Verlegung der Sam melschienenstränge die Antriebseinrichtung eingegrenzt von den Sammelschienensträngen zu positionieren. So wird zum ei nen eine zentrale Bedien- bzw. Antriebsmöglichkeit an den Sammelschienensträngen geschaffen, zum anderen sind die ei nander zugewandten Antriebseinrichtungen mit einem mechani schen Schutz durch die Sammelschienenstränge versehen. Insbe sondere bei einer antiparallelen Ausrichtung von wechselweise angeordneten ersten und zweiten Gehäusen kann durch antipa rallele Ausrichtung von asymmetrischen Gehäusen ein und das selbe Grundgehäuse verwendet werden, um jeweils die Antriebs einrichtung zweier Sammelschienenstränge zueinander ragen zu lassen .

Vorteilhafterweise kann weiter vorgesehen sein, dass mantel seitig an den Gehäusen eines Schaltfeldes angeordnete An triebseinrichtungen in Richtung des Verlaufes der Sammel schienen im Wesentlichen versatzfrei zueinander angeordnet sind . Ein versatzfreies Ausrichten der Antriebseinrichtungen ge stattet eine räumliche Zuordnung der Antriebe zu dem jeweili gen Schaltfeld, wobei die Antriebseinrichtungen, welche die Stiche zweier Sammelschienenstränge ein und desselben Schalt feldes bedienen, im Wesentlichen fluchtend übereinander ange ordnet sind. Durch den Verzicht auf einen Versatz in Quer richtung können die einzelnen Gehäuse im Verlauf der Sammel schienenstränge einander jeweils abwechseln, wobei jeweils ein gleichartiges Ausrichten der Antriebseinrichtungen vor dem jeweiligen Schaltfeld erzielt wird. Die Antriebseinrich tungen können jeweils symmetrisch zu einer Basis (Verbindung zum Schaltfeld) eines Gehäuses ausgerichtet sein.

Im Folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung sche matisch in einer Zeichnung gezeigt und nachfolgend näher be schrieben. Dabei zeigt die

Figur 1: eine perspektivische Ansicht einer Elektroenergie übertragungseinrichtung und die

Figur 2: eine frontale Ansicht der aus der Figur 1 bekann ten Elektroenergieübertragungseinrichtung .

Die Elektroenergieübertragungseinrichtung weist einen ersten Sammelschienenstrang 1 sowie einen zweiten Sammelschienen strang 2 auf. Der erste Sammelschienenstrang 1 sowie der zweite Sammelschienenstrang 2 erstrecken sich im Wesentlichen parallel zueinander und parallel zu einer Querachse 3 (Quer richtung) . Sowohl der erste Sammelschienenstrang 1 als auch der zweite Sammelschienenstrang 2 weisen eine Aneinanderrei hung von ersten Gehäusen 4 sowie zweiten Gehäusen 5 auf. Die ersten Gehäuse 4 sowie die zweiten Gehäuse 5 sind jeweils wechselnd im Verlauf des ersten Sammelschienenstranges 1 so wie wechselnd im Verlauf des zweiten Sammelschienenstranges 2 angeordnet. Dabei unterscheidet sich die Abfolge der Gehäuse 4, 5 derart, dass im ersten Sammelschienenstrang 1 mit einem ersten Gehäuse 4 beginnend eine wechselnde Abfolge von zwei- ten und ersten Gehäusen 5, 4 erfolgt, wohingegen im zweiten Sammelschienenstrang 2 beginnend mit einem zweiten Gehäuse 5 eine wechselnde Abfolge von ersten und zweiten Gehäusen 4, 5 in Richtung der Querachse 3 erfolgt. In der Figur 1 sind end seitig an den dortigen ersten bzw. zweiten Gehäusen 4, 5 be findliche Schnittstellen jeweils unbelegt dargestellt. Ent sprechend können sich stirnseitig im Verlauf der Querachse 3 noch weitere erste bzw. zweite Gehäuse 4, 5 in den Sammel schienensträngen 1, 2 anschließen und die Elektroenergieüber tragungseinrichtung erweitern.

Die ersten bzw. zweiten Gehäuse 4, 5 sind jeweils als T- förmige Gehäuse ausgebildet, wobei die Basis (Verbindung zum jeweiligen Schaltfeld 6, 7, 8, 9, 10, 11) jeweils als Rohr stutzen ausgebildet ist (in den Figuren 1 und 2 nicht er kenntlich) , um die ersten und zweiten Gehäuse 4, 5 und damit den ersten bzw. den zweiten Sammelschienenstrang 1, 2 jeweils an einem Schaltfeld 6, 7, 8, 9, 10, 11 zu befestigen und von dem Schaltfeld 6, 7, 8, 9, 10, 11 jeweils einen Stich zu den Phasenleitern der beiden Sammelschienenstränge 1, 2 auszubil den .

Jeweils zwei Gehäusen 4, 5 des ersten bzw. zweiten Sammel schienenstranges 1, 2 ist jeweils ein Schaltfeld 6, 7, 8, 9, 10, 11 zugeordnet, an welchen die Basis des ersten bzw. zwei ten Gehäuses 4, 5 jeweils befestigt ist. So sind vorliegend ein erstes Schaltfeld 6, ein zweites Schaltfeld 7, ein drit tes Schaltfeld 8, ein viertes Schaltfeld 9, ein fünftes

Schaltfeld 10 sowie ein sechstes Schaltfeld 11 im Verlauf der Querachse 3 im Wesentlichen parallel zu einer Tiefenachse 12 angeordnet, so dass die einzelnen Schaltfelder 6, 7, 8, 9,

10, 11 kammartig zu den beiden Sammelschienensträngen 1, 2 ausgerichtet sind. Die Schaltfelder 6, 7, 8, 9, 10, 11 sind jeweils im Wesentlichen gleichartig aufgebaut. Sie weisen je weils ein Kapselungsgehäuse auf, welches ein- oder mehrteilig aufgebaut ist. Im Kapselungsgehäuse ist im Wesentlichen ein Leistungsschalter angeordnet. Weiter sind jeweils eine Ein- Speisung mit einem Einspeisetrennschalter sowie diverse Er dungsschalter vorgesehen, um ein Erden von einzelnen Phasen leitern innerhalb des jeweiligen Schaltfeldes 6, 7, 8, 9, 10, 11 vornehmen zu können. Frontseitig, parallel zu dem ersten und zweiten Sammelschienenstrang 1, 2 sind jeweils Vor-Ort- Steuerschränke 13 an den Schaltfeldern 6, 7, 8, 9, 10, 11 be festigt .

Jeweils zwei Schaltfelder 6, 7, 8, 9, 10, 11 bilden eine Gruppe, wobei das erste und das zweite Schaltfeld 6, 7 eine erste Gruppe 14, das dritte und vierte Schaltfeld 8, 9 eine zweite Gruppe 15 und das fünfte und sechste Schaltfeld 10, 11 eine dritte Gruppe 16 bilden. Die Gruppen 14, 15, 16 von Schaltfeldern 6, 7, 8, 9, 10, 11 sind jeweils parallel zuei nander ausgerichtet. Dabei ist die Beabstandung der Schalt felder 6, 7, 8, 9, 10, 11 innerhalb einer Gruppe 14, 15, 16 größer als die Beabstandung benachbarter Schaltfelder 7, 8,

9, 10 verschiedener Gruppen 14, 15, 16. Entsprechend ergeben sich zwischen jedem zweiten Schaltfeld 6, 7, 8, 9, 10, 11 vergrößerte Abstände zwischen den Schaltfeldern 6, 7, 8, 9,

10, 11.

Um eine Definition der Abstände zwischen den Schaltfeldern 6, 7, 8, 9, 10, 11 herbeizuführen, ist vorgesehen, dass die ers ten Gehäuse sowie die zweiten Gehäuse 5 jeweils stirnseitig Schnittstellen in Form von Flanschen 17 aufweisen. Die

Schnittstellen bzw. die Flansche 17 sind an entgegengesetzt gerichteten Seiten der ersten bzw. zweiten Gehäuse 4, 5 ange ordnet. An den jeweiligen Gehäusen 4, 5 sind die dortigen Flansche entgegengesetzt zueinander ausgerichtet. Dabei sind die Flanschebenen 17 im Wesentlichen lotrecht zur Querachse 3 und parallel zueinander ausgerichtet. Im Innern der ersten bzw. zweiten Gehäuse 4, 5 sind jeweils Phasenleiter mehrpolig isoliert angeordnet. Weiterhin sind im Innern der ersten und zweiten Gehäuse 4, 5 jeweils Trennschalter als elektrische Schaltgeräte angeordnet, mittels welcher Stiche der Phasen leiter zu den verschiedenen Schaltfeldern 6, 7, 8, 9, 10, 11, ausgehend von den beiden Sammelschienensträngen 1, 2 unter brechbar sind. Somit sind die ersten und zweiten Gehäuse 4, 5 funktionsgleiche Gehäuse 4, 5. Zum Betätigen von relativ zu einander bewegbaren Schaltkontaktstücken der Trennschalter im Innern der ersten und zweiten Gehäuse 4, 5 sind jeweils An triebseinrichtungen 18 mantelseitig an den ersten bzw. zwei ten Gehäusen 4, 5 positioniert. Dabei sind die Antriebsein richtungen 18 der jeweils einem gemeinsamen Schaltfeld 6, 7,

8, 9, 10, 11 zugeordneten ersten und zweiten Gehäuse 4, 5 ei nander zugewandt, so dass die Antriebseinrichtungen 18 in ei nen zwischen den ersten Sammelschienenstrang 1 bzw. zweiten Sammelschienenstrang 2 befindlichen Raum hineinragen. Die An triebseinrichtungen 18 eines Schaltfeldes 6, 7 8, 9, 10, 11 sind dabei an dem jeweiligen Schaltfeld 6, 7, 8, 9, 10, 11 im Wesentlichen fluchtend, d. h. frei von einem Versatz längs der Querachse 3 ausgerichtet. Somit ist ein mechanisch ge schützter Raum zwischen den Sammelschienensträngen 1, 2 ge bildet, innerhalb welchem die Antriebseinrichtungen 18 unter gebracht werden können. Somit ist zum einen ein mechanischer Schutz, zum anderen aber auch eine platzsparende Anordnung der Antriebseinrichtungen 18 gegeben. Über die frontalen Flä chen der Antriebseinrichtungen 18 kann ein Bedienen bzw. ein Anzeigen des Schaltzustandes der Trennschalter vor Ort erfol gen .

Die Figur 2 zeigt eine schematisierte frontale Ansicht der Elektroenergieübertragungseinrichtung, wie aus der Figur 1 bekannt. Abweichend zur Darstellung der Figur 1 ist hier ein stirnseitiger Abschluss des ersten bzw. zweiten Sammelschie nenstranges 12 mit Blinddeckeln 19 gezeigt. Lotrecht zur Zei chenebene 2 erstrecken sich vorliegend die Stiche der Phasen leiter der Sammelschienenstränge 1, 2 zu den jeweils im Um riss symbolisierten und durch die Sammelschienenstränge 1, 2 teilweise verdeckten Schaltfeldern 6, 7, 8, 9, 10, 11. Lot recht zur Zeichenebene erstreckt ist auch die Basis der T- förmigen ersten bzw. zweiten Gehäuse 4, 5. Die ersten Gehäuse 4 sind bezüglich der Basis mit ihren jeweiligen Querbalken des „T", an welchem sich auch die Schnittstellen bzw. Flan sche 17 zum Verbinden mit weiteren Gehäusen 4, 5 befinden, symmetrisch ausgebildet. Die Erstreckung der ersten Gehäuse 4 in Richtung der Querachse 3 entspricht im Wesentlichen der Breite der Schaltfelder 6, 7, 8, 9, 10, 11 in Richtung der Querachse 3. Die zweiten Gehäuse 5 sind im Gegensatz zu dem ersten Gehäuse 4 hinsichtlich der Aufteilung des Querbalkens des „T" asymmetrisch ausgebildet. Weiter ist auch die Distanz zwischen den Schnittstellen/den Flanschen 17 am ersten Gehäu se 4 kleiner als die Distanz der Schnittstellen/der Flansche 17 am zweiten Gehäuse 5. Zusätzlich ist das zweite Gehäuse 5 hinsichtlich der Position der Basis (Stichleitung) asymmet risch gestaltet. D. h. bezogen auf die Befestigung am jewei ligen Schaltfeld 6, 7, 8, 9, 10, 11 sind die Schnittstellen (Flansche 17) des zweiten Gehäuses 5 ungleich weit entfernt. Dadurch sind die zweiten Gehäuse 5 als asymmetrische T- Gehäuse gebildet. Im Verlauf des ersten bzw. zweiten Sammel schienenstranges 1, 2 ist jeweils abwechselnd die Anordnung eines ersten Gehäuses 4 sowie eines zweiten Gehäuses 5 vorge sehen. Aufgrund der Asymmetrie des zweiten Gehäuses 5 erfolgt zwischen jedem zweiten Schaltfeld 6, 7, 8, 9, 10, 11 eine größere Beabstandung der Schaltfelder voneinander als in den dazwischen liegenden Schaltfeldern 6, 7, 8, 9, 10, 11. Ent sprechend sind Gruppen 14, 15, 16 von Schaltfeldern 6, 7, 8, 9, 10, 11 gebildet, wobei in der jeweiligen Gruppe 14, 15, 16 ein größerer Abstand zwischen den jeweiligen Schaltfeldern 6, 7, 8, 9, 10, 11 vorliegt als zwischen den jeweils benachbar ten Schaltfeldern 6, 7, 8, 9, 10, 11 der jeweils verschiede nen Gruppen 14, 15, 16.

Die Figur 2 zeigt, dass die Abfolge im Wechsel von ersten Ge häusen 4 und zweiten Gehäusen 5 im ersten Sammelschienen strang 1 sowie im zweiten Sammelschienenstrang 2 derart aus geführt ist, dass im ersten Sammelschienenstrang 1 mit einem ersten Gehäuse 4 beginnend eine wechselweise Abfolge von zweiten und ersten Gehäusen 5, 4 gegeben ist, wohingegen im zweiten Sammelschienenstrang 2 beginnend mit einem zweiten Gehäuse 5 eine wechselnde Folge von ersten und zweiten Gehäu sen 4, 5 vorgesehen ist. Innerhalb einer Gruppe 14, 15, 16 ergibt sich somit der Zustand, dass im ersten sowie im zwei ten Sammelschienenstrang 1, 2 jeweils mit unterschiedlichem Richtungssinn ein asymmetrischer Arm des zweiten Gehäuses 5 die vergrößerte Beabstandung von Schaltfeldern 6, 7, 8, 9,

10, 11 in der jeweiligen Gruppe 14, 15, 16 überbrückt. Durch diese gegensinnige Ausrichtung der asymmetrischen zweiten Ge häuse 5 kann ein und derselbe Gehäusekörper verwendet werden, um die mantelseitig angeordneten Antriebseinrichtungen 18 des jeweiligen ersten und zweiten Gehäuses 4, 5 an dem jeweiligen Schaltfeld 6, 7, 8, 9, 10, 11 einander zuzuwenden und die An triebseinrichtungen 18 am jeweiligen Schaltfeld 6, 7, 8, 9, 10, 11 in Richtung der Querachse 3 versatzfrei zueinander auszurichten .

Bedarfsweise kann in die Flanschverbindungen zwischen die je weiligen Flansche 17 beispielsweise eine Schottung eingefügt werden. In den Figuren 1 und 2 sind jeweils scheibenförmige Isolatoren zwischen den Flanschen 17 angeordnet, welche die Fluidaufnahmeräume der ersten und zweiten Gehäuse voneinander separieren .