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Patent Searching and Data


Title:
ELECTRODE ASSEMBLY AND ETCHING DEVICE
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2019/161654
Kind Code:
A1
Abstract:
An electrode assembly and an etching device, the etching device comprising a cavity (100), a first electrode plate (1) and a second electrode plate (2). The first electrode plate (1) is provided within the cavity (100), and comprises a first central region (11) and a first edge region (12) surrounding the first central region (11), the first central region (11) being provided with first air inlet holes (111) passing through the first central region, the first edge region (12) being provided with second air inlet holes (121) passing through the first edge region, and the cross sectional area of the first air inlet holes (111) being smaller than the cross sectional area of the second air inlet holes (121); the second electrode plate (2) is provided within the cavity (100), and comprises a placement region and a second edge region surrounding the placement region, a substrate (3) to be processed being provided on the placement region; and air outlets (103) are further provided on the cavity (100), the air outlets (103) being provided within the cavity (100), and the position of the air outlets (103) being lower than the position of the second electrode plate (2).

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Inventors:
HE, Huailiang (5th and 7th Floor of Factory Building 1, Jiuzhou Yangguang,Factory Buildings 1, 2, 3 of HKC Industrial Park, Privately Operated Industrial Park, Shuitian Village, Shiyan Sub-district, Baoan District, Shenzhen Guangdong 0, 518000, CN)
Application Number:
CN2018/104459
Publication Date:
August 29, 2019
Filing Date:
September 07, 2018
Export Citation:
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Assignee:
HKC CORPORATION LIMITED (5th and 7th Floor of Factory Building 1, Jiuzhou Yangguang,Factory Buildings 1, 2, 3 of HKC Industrial Park, Privately Operated Industrial Park, Shuitian Village, Shiyan Sub-district, Baoan District, Shenzhen Guangdong 0, 518000, CN)
International Classes:
H01L21/67
Attorney, Agent or Firm:
SHENZHEN ZHONGYI PATENT AND TRADEMARK OFFICE (4th Fl. Old Shenzhen Special Zone Newspaper Building, No. 1014 Shennan Middle Road, Futian District, Shenzhen Guangdong 8, 518028, CN)
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Claims:
权利要求书

[权利要求 1] 一种电极组件, 其特征在于,包括:

第一电极板, 包括第一中心区域和环绕所述第一中心区域的第一边缘 区域;

第一进气孔, 与进气装置连接, 贯通开设在所述第一中心区域; 第二进气孔, 与所述进气装置连接, 贯通开设在所述第一边缘区域, 且环绕设置在多个所述第一进气孔的外围, 所述第一进气孔的横截面 积小于所述第二进气孔的横截面积。

[权利要求 2] 如权利要求 1所述的电极组件, 其特征在于, 多个所述第一进气孔以 均匀或局部均匀的方式贯通开设在所述第一中心区域。

[权利要求 3] 如权利要求 1所述的电极组件, 其特征在于, 多个所述第一进气孔以 不均匀的方式贯通开设在所述第一中心区域。

[权利要求 4] 如权利要求 1所述的电极组件, 其特征在于, 多个所述第二进气孔以 均匀或局部均匀的方式贯通开设在所述第一边缘区域。

[权利要求 5] 如权利要求 1所述的电极组件, 其特征在于, 多个所述第二进气孔以 不均匀的方式贯通开设在所述第一边缘区域。

[权利要求 6] 如权利要求 1所述的电极组件, 其特征在于, 多个所述第一进气孔的 形状与大小相同、 局部相同或不同。

[权利要求 7] 如权利要求 1所述的电极组件, 其特征在于, 多个所述第二进气孔的 形状与大小相同、 局部相同或不同。

[权利要求 8] 一种蚀刻设备, 其特征在于, 包括:

腔体;

第一电极板, 设置在所述腔体内的上方, 包括第一中心区域和环绕所 述第一中心区域的第一边缘区域;

第二电极板, 设置在所述腔体内的下方, 并与所述第一电极板相对设 立, 包括放置区和围绕所述放置区的第二边缘区域, 待加工基板设置 在所述放置区;

第一进气孔, 与进气装置连接, 贯通开设在所述第一中心区域, 多个 所述第一进气孔正对所述待加工基板;

第二进气孔, 与所述进气装置连接, 贯通开设在所述第一边缘区域, 且环绕设置在多个所述第一进气孔的外围, 所述第一进气孔的横截面 积小于所述第二进气孔的横截面积;

出气口, 与抽气装置连接, 设置在所述腔体内的下方且所述出气口的 位置低于所述第二电极板的位置。

[权利要求 9] 如权利要求 8所述的蚀刻设备, 其特征在于, 多个所述第一进气孔以 均匀或局部均匀的方式贯通开设在所述第一中心区域。

[权利要求 10] 如权利要求 8所述的蚀刻设备, 其特征在于, 多个所述第一进气孔以 不均匀的方式贯通开设在所述第一中心区域。

[权利要求 11] 如权利要求 8所述的蚀刻设备, 其特征在于, 多个所述第二进气孔以 均匀或局部均匀的方式贯通开设在所述第一边缘区域。

[权利要求 12] 如权利要求 8所述的蚀刻设备, 其特征在于, 多个所述第二进气孔以 不均匀的方式贯通开设在所述第一边缘区域。

[权利要求 13] 如权利要求 8所述的蚀刻设备, 其特征在于, 多个所述第一进气孔的 形状与大小相同、 局部相同或不同。

[权利要求 14] 如权利要求 8所述的蚀刻设备, 其特征在于, 多个所述第二进气孔的 形状与大小相同、 局部相同或不同。

[权利要求 15] 如权利要求 8所述的蚀刻设备, 其特征在于, 所述蚀刻设备还包括: 电浆, 设于所述第一电极板和所述待加工基板之间, 且与所述待加工 基板的位置相对应。

[权利要求 16] 如权利要求 8所述的蚀刻设备, 其特征在于, 所述蚀刻设备还包括: 阻挡环, 设置在所述第二边缘区域, 并环绕设置在所述放置区的外围 隔板, 环绕设置在所述第二电极板的外侧, 并与所述阻挡环的外围邻 接, 所述隔板上贯通设有隔板开口。

[权利要求 17] 如权利要求 16所述的蚀刻设备, 其特征在于, 所述出气口开设于所述 腔体的底部, 且所述出气口与所述隔板开口的位置相对应。 [权利要求 18] 如权利要求 16所述的蚀刻设备, 其特征在于, 所述出气口开设于所述 腔体的侧边, 且所述出气口靠近所述隔板开口。

[权利要求 19] 如权利要求 8所述的蚀刻设备, 其特征在于, 所述待加工基板包括玻 璃基板和覆盖在所述玻璃基板表面的薄膜, 所述薄膜设有与待蚀刻的 图案对应的镂空区域。

[权利要求 20] 一种蚀刻设备, 其特征在于, 包括:

腔体;

第一电极板, 设置在所述腔体内的上方, 包括第一中心区域和环绕所 述第一中心区域的第一边缘区域;

第二电极板, 设置在所述腔体内的下方, 并与所述第一电极板相对设 立, 包括放置区和围绕所述放置区的第二边缘区域, 待加工基板设置 在所述放置区;

第一进气孔, 与进气装置连接, 贯通开设在所述第一中心区域, 多个 所述第一进气孔正对所述待加工基板;

第二进气孔, 与所述进气装置连接, 贯通开设在所述第一边缘区域, 且环绕设置在多个所述第一进气孔的外围, 所述第一进气孔的横截面 积小于所述第二进气孔的横截面积;

电浆, 设于所述第一电极板和所述待加工基板之间, 且与所述待加工 基板的位置相对应;

阻挡环, 设置在所述第二边缘区域, 并环绕设置在所述放置区的外围 隔板, 环绕设置在所述第二电极板的外侧, 并与所述阻挡环的外围邻 接, 所述隔板上贯通设有隔板开口;

出气口, 与抽气装置连接, 设置在所述腔体内的下方且所述出气口的 位置低于所述第二电极板的位置。

Description:
一种电极组件和蚀刻设备

技术领域

[0001] 本申请涉及蚀刻技术领域, 更具体地说, 是涉及一种电极组件和蚀刻设备。

背景技术

[0002] 随着科学技术的发展, 电子设备 (例如智能手机、 笔记本电脑、 数码相机等) 越来越普及, 使得作为电子设备的重要部件的液晶显示器的 需求量也大大提升 , 从而推动了液晶显示面板行业的快速发展。

[0003] 液晶显示面板制造过程中的一个重要步骤就是 蚀刻工艺, 其中干蚀刻工艺是目 前最常用的蚀刻方式, 其利用蚀刻气体进行蚀刻。 在利用干蚀刻工艺进行阵列 基板制造的过程中, 蚀刻气体 (Process Gas)在进气系统的吹力、 抽气系统的吸力 、 电极板之间的电压等因素的作用下吹向待加工 基板面。 在蚀刻工艺中, 通常 使用制程均一性来描述在某一制程下工件整体 的蚀刻程度; 同一工件加工面上 不同位置的蚀刻程度越接近, 则其制程均一性越高。 为了保证待加工基板面各 部分能够同时完成蚀刻加工, 保证加工良品率以及工件品质, 需要对待加工基 板面各部分的蚀刻程度进行控制, 尽量保证待加工基板面各部分以相同的速率 被蚀刻。

[0004] 然而, 5见有技术中由于腔体内部设计结构以及排气 统设计等因素, 导致在实 际操作中蚀刻气体会向腔体内部的角落流动, 四角落与其他位置蚀刻程度有落 差, 使得待加工基板各部分的蚀刻程度不同, 造成待加工基板各部分的加工均 一性不佳, 导致产品报废。

[0005] 以上不足, 有待改进。

发明概述

技术问题

[0006] 本申请实施例的目的在于提供一种电极组件, 以解决现有技术中存在的待加工 基板各部分的加工均一性不佳的技术问题。

问题的解决方案 技术解决方案

[0007] 为解决上述技术问题, 本申请实施例采用的技术方案是: 提供一种电极组件, 包括:

[0008] 第一电极板, 包括第一中心区域和环绕所述第一中心区域的 第一边缘区域;

[0009] 第一进气孔, 与进气装置连接, 贯通开设在所述第一中心区域;

[0010] 第二进气孔, 与所述进气装置连接, 贯通开设在所述第一边缘区域, 且环绕设 置在多个所述第一进气孔的外围, 所述第一进气孔的横截面积小于所述第二进 气孔的横截面积。

[0011] 在一个实施例中, 多个所述第一进气孔以均匀或局部均匀的方式 贯通开设在所 述第一中心区域。

[0012] 在一个实施例中, 多个所述第一进气孔以不均匀的方式贯通开设 在所述第一中 心区域。

[0013] 在一个实施例中, 多个所述第二进气孔以均匀或局部均匀的方式 贯通开设在所 述第一边缘区域。

[0014] 在一个实施例中, 多个所述第二进气孔以不均匀的方式贯通开设 在所述第一边 缘区域。

[0015] 在一个实施例中, 多个所述第一进气孔的形状与大小相同、 局部相同或不同。

[0016] 在一个实施例中, 多个所述第二进气孔的形状与大小相同、 局部相同或不同。

[0017] 本申请实施例提供的一种电极组件中, 由于开设于第一中心区域的第一进气孔 的横截面积小于开设于第一边缘区域的第二进 气孔的横截面积, 因此当蚀刻气 体通过第一进气孔和第二进气孔进入蚀刻设备 中时, 通过第二进气孔的蚀刻气 体的流速小于通过第一进气孔的蚀刻气体的流 速, 进而可以降低待加工基板上 与第一边缘区域对应的部分的蚀刻速率, 使得待加工基板上与第一中心区域对 应部分的蚀刻速率与待加工基板上与第一边缘 区域对应的部分的蚀刻速率更接 近, 从而有效提高待加工基板的各个部分的加工均 一性。

[0018] 本申请实施例的目的还在于提供一种蚀刻设备 , 包括:

[0019] 腔体;

[0020] 第一电极板, 设置在所述腔体内的上方, 包括第一中心区域和环绕所述第一中 心区域的第一边缘区域;

[0021] 第二电极板, 设置在所述腔体内的下方, 并与所述第一电极板相对设立, 包括 放置区和围绕所述放置区的第二边缘区域, 待加工基板设置在所述放置区;

[0022] 第一进气孔, 与进气装置连接, 贯通开设在所述第一中心区域, 多个所述第一 进气孔正对所述待加工基板;

[0023] 第二进气孔, 与所述进气装置连接, 贯通开设在所述第一边缘区域, 且环绕设 置在多个所述第一进气孔的外围, 所述第一进气孔的横截面积小于所述第二进 气孔的横截面积;

[0024] 出气口, 与抽气装置连接, 设置在所述腔体内的下方且所述出气口的位置 低于 所述第二电极板的位置。

[0025] 在一个实施例中, 多个所述第一进气孔以均匀或局部均匀的方式 贯通开设在所 述第一中心区域。

[0026] 在一个实施例中, 多个所述第一进气孔以不均匀的方式贯通开设 在所述第一中 心区域。

[0027] 在一个实施例中, 多个所述第二进气孔以均匀或局部均匀的方式 贯通开设在所 述第一边缘区域。

[0028] 在一个实施例中, 多个所述第二进气孔以不均匀的方式贯通开设 在所述第一边 缘区域。

[0029] 在一个实施例中, 多个所述第一进气孔的形状与大小相同、 局部相同或不同。

[0030] 在一个实施例中, 多个所述第二进气孔的形状与大小相同、 局部相同或不同。

[0031] 在一个实施例中, 所述蚀刻设备还包括:

[0032] 电浆, 设于所述第一电极板和所述待加工基板之间, 且与所述待加工基板的位 置相对应。

[0033] 在一个实施例中, 所述蚀刻设备还包括:

[0034] 阻挡环, 设置在所述第二边缘区域, 并环绕设置在所述放置区的外围;

[0035] 隔板, 环绕设置在所述第二电极板的外侧, 并与所述阻挡环的外围邻接, 所述 隔板上贯通设有隔板开口。

[0036] 在一个实施例中, 所述出气口开设于所述腔体的底部, 且所述出气口与所述隔 板开口的位置相对应。

[0037] 在一个实施例中, 所述出气口开设于所述腔体的侧边, 且所述出气口靠近所述 隔板开口。

[0038] 在一个实施例中, 所述待加工基板包括玻璃基板和覆盖在所述玻 璃基板表面的 薄膜, 所述薄膜设有与待蚀刻的图案对应的镂空区域 。

[0039] 本申请实施例提供的一种蚀刻设备中, 由于开设于第一中心区域的第一进气孔 的横截面积小于开设于第一边缘区域的第二进 气孔的横截面积, 因此当蚀刻气 体通过第一进气孔和第二进气孔进入腔体中时 , 通过第二进气孔的蚀刻气体的 流速小于通过第一进气孔的蚀刻气体的流速, 进而可以降低基板边缘区域蚀刻 速率, 使得基板边缘区域与基板中心区域的蚀刻速率 更接近, 从而有效提高待 加工基板的各个部分的加工均一性。

[0040] 本申请实施例的目的还在于提供一种蚀刻设备 , 包括:

[0041] 腔体;

[0042] 第一电极板, 设置在所述腔体内的上方, 包括第一中心区域和环绕所述第一中 心区域的第一边缘区域;

[0043] 第二电极板, 设置在所述腔体内的下方, 并与所述第一电极板相对设立, 包括 放置区和围绕所述放置区的第二边缘区域, 待加工基板设置在所述放置区;

[0044] 第一进气孔, 与进气装置连接, 贯通开设在所述第一中心区域, 多个所述第一 进气孔正对所述待加工基板;

[0045] 第二进气孔, 与所述进气装置连接, 贯通开设在所述第一边缘区域, 且环绕设 置在多个所述第一进气孔的外围, 所述第一进气孔的横截面积小于所述第二进 气孔的横截面积;

[0046] 电浆, 设于所述第一电极板和所述待加工基板之间, 且与所述待加工基板的位 置相对应;

[0047] 阻挡环, 设置在所述第二边缘区域, 并环绕设置在所述放置区的外围;

[0048] 隔板, 环绕设置在所述第二电极板的外侧, 并与所述阻挡环的外围邻接, 所述 隔板上贯通设有隔板开口;

[0049] 出气口, 与抽气装置连接, 设置在所述腔体内的下方且所述出气口的位置 低于 所述第二电极板的位置。

[0050] 本申请实施例提供的一种蚀刻设备中, 由于开设于第一中心区域的第一进气孔 的横截面积小于开设于第一边缘区域的第二进 气孔的横截面积, 因此当蚀刻气 体通过第一进气孔和第二进气孔进入腔体中时 , 通过第二进气孔的蚀刻气体的 流速小于通过第一进气孔的蚀刻气体的流速, 进而可以降低基板边缘区域蚀刻 速率, 使得基板边缘区域与基板中心区域的蚀刻速率 更接近, 从而有效提高待 加工基板的各个部分的加工均一性。

[0051] 设置电浆, 使得蚀刻气体能够更好地对待加工基板进行蚀 刻, 可有效提高蚀刻 效果。 阻挡环可以对待加工基板起到稳定和固定的作 用; 设置隔板, 一方面可 以防止待加工基板破裂后的碎渣直接掉进出气 口中进入到抽气装置, 引起抽气 装置的损坏, 另一方面也可以对蚀刻气体起到一定的阻隔作 用, 从而对蚀刻气 体的流动速率及流动方向起到控制作用, 使得蚀刻气体能够通过隔板上开设的 隔板开口进入出气口。

发明的有益效果

对附图的简要说明

附图说明

[0052] 为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案 , 下面将对实施例或现有技术描 述中所需要使用的附图作简单地介绍, 显而易见地, 下面描述中的附图仅仅是 本申请的一些实施例, 对于本领域普通技术人员来讲, 在不付出创造性劳动性 的前提下, 还可以根据这些附图获得其他的附图。

[0053] 图 1为本申请实施例提供的蚀刻设备的第一电极 结构示意图一;

[0054] 图 2为本申请实施例提供的蚀刻设备的第一电极 结构示意图二;

[0055] 图 3为一个范例的电极板结构示意图;

[0056] 图 4为本申请实施例提供的蚀刻设备的横截面结 示意图一;

[0057] 图 5为本申请实施例提供的蚀刻设备的横截面结 示意图二;

[0058] 图 6为本申请实施例提供的蚀刻设备的横截面结 示意图三;

[0059] 图 7为本申请实施例提供的蚀刻设备的结构示意 俯视图。

发明实施例 本发明的实施方式

[0060] 为了使本申请所要解决的技术问题、 技术方案及有益效果更加清楚明白, 以下 结合附图及实施例, 对本申请进行进一步详细说明。 应当理解, 此处所描述的 具体实施例仅仅用以解释本申请, 并不用于限定本申请。

[0061] 需要说明的是, 当元件被称为“设置于”另一个元件, 它可以直接在另一个元件 上或者间接在该另一个元件上。 当一个元件被称为是“连接于”另一个元件, 它可 以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另 一个元件上。 此外, 术语“第一”、 “第二”仅用于描述目的, 而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含 指明所指 示的技术特征的数量。 由此, 限定有“第一”、 “第二”的特征可以明示或者隐含地 包括一个或者更多个该特征。 在本实用新型的描述中, “多个”的含义是两个或两 个以上, 除非另有明确具体的限定。

[0062] 请参阅图 1, 一种电极组件, 应用于蚀刻设备, 包括第一电极板 1, 第一电极板 1包括第一中心区域 11和环绕第一中心区域 11的第一边缘区域 12 ; 第一中心区域 11贯通开设有与进气装置连接的第一进气孔 111, 第一边缘区域 12贯通开设有与 进气装置连接的第二进气孔 121, 第二进气孔 121环绕设置在第一进气孔 111的外 围; 第一进气孔 111的横截面积小于第二进气孔 121的横截面积。

[0063] 本申请实施例提供的一种电极组件中, 由于开设于第一中心区域 11的第一进气 孔 111的横截面积小于开设于第一边缘区域 12的第二进气孔 121的横截面积, 因 此当蚀刻气体通过第一进气孔 111和第二进气孔 121进入蚀刻设备中时, 通过第 二进气孔 121的蚀刻气体的流速小于通过第一进气孔 111的蚀刻气体的流速, 进 而可以降低待加工基板上与第一边缘区域 12对应的部分的蚀刻速率, 使得待加 工基板上与第一中心区域 11对应部分的蚀刻速率与待加工基板上与第一 缘区 域 12对应的部分的蚀刻速率更接近, 从而有效提高待加工基板的各个部分的加 工均一性。

[0064] 在一个实施例中, 位于第一电极板 1的中心区域的进气孔 110的横截面积最小, 位于第一电极板 1的边缘区域的进气孔 110的横截面积最大, 位于第一电极板 1上 的所有进气孔 110的横截面积可以成等差数列排列, 从而使得第一电极板 1上的 所有进气孔 110的横截面积从第一电极板 1的中心区域向第一电极板 1的边缘区域 增大。

[0065] 应当理解的是, 位于第一电极板 1上的进气孔 110的横截面积可以以其他方式排 歹 IJ, 保证进气孔 110的横截面积从第一电极板 1的中心区域向第一电极板 1的边缘 区域增大即可。 进气孔 110的横截面积从第一电极板 1的中心与向第一电极板 1的 边缘区域增大的变化方式可以是线性变化、 阶梯性变化或其他任意变化方式, 此处不做限制, 保证进气孔 110的横截面积从第一电极板 1的中心区域向第一电 极板 1的边缘区域增大即可。

[0066] 请参阅图 2, 在一个实施例中, 多个第一进气孔 111均匀分布在第一中心区域 11 , 从而使得第一中心区域 11的蚀刻气体的流速相同, 进而使得待加工基板上与 第一中心区域 11相对应的部分的蚀刻速率相同, 从而有效提高待加工基板上与 第一中心区域 11相对应的部分的加工均一性; 多个第二进气孔 121均匀分布在第 一边缘区域 12, 从而使得第一边缘区域 12的蚀刻气体的流速相同, 进而使得待 加工基板上与第一边缘区域 12相对应的部分的蚀刻速率相同, 从而有效提高待 加工基板上与第一边缘区域 12相对应的部分的加工均一性。

[0067] 在一个实施例中, 多个第一进气孔 111以不均匀或局部均匀的方式分布在第一 中心区域 11, 多个第二进气孔 121以不均匀或局部均匀的方式分布在第一边缘 区 域 12, 只要使得待加工基板上与第一中心区域 11相对应的部分的蚀刻速率与待 加工基板上与第一边缘区域 12相对应的部分的蚀刻速率相同即可。

[0068] 在一个实施例中, 多个第一进气孔 111的形状与大小相同, 从而多个第一进气 孔 111的横截面积相同, 使得第一中心区域 11的蚀刻气体的流速相同, 进而使得 待加工基板上与第一中心区域 11相对应的部分的蚀刻速率相同, 从而有效提高 待加工基板上与第一中心区域 11相对应的部分的加工均一性;

[0069] 多个第二进气孔 121的形状与大小相同, 从而使得第一边缘区域 12的蚀刻气体 的流速相同, 进而使得待加工基板上与第一边缘区域 12相对应的部分的蚀刻速 率相同, 从而有效提高待加工基板上与第一边缘区域 12相对应的部分的加工均 一性;

[0070] 且第一进气孔 111的横截面积和第二进气孔 121的横截面积经过精心设计, 从而 使得待加工基板的中心区域蚀刻速率 (即待加工基板上与第一中心区域 11相对 应的部分的蚀刻速率) 与边缘区域蚀刻速率 (即待加工基板上与第一边缘区域 1 2相对应的部分的蚀刻速率) 相同, 提高待加工基板的各个部分的加工均一性。

[0071] 在一个实施例中, 多个第一进气孔 111的大小和形状局部相同, 多个第二进气 孔 121的大小和形状局部相同, 只要使得待加工基板上与第一中心区域 11相对应 的部分的蚀刻速率与待加工基板上与第一边缘 区域 12相对应的部分的蚀刻速率 相同即可。

[0072] 在一个实施例中, 多个第一进气孔 111的大小和形状不同, 多个第二进气孔 121 的大小和形状不同, 只要使得待加工基板上与第一中心区域 11相对应的部分的 蚀刻速率与待加工基板上与第一边缘区域 12相对应的部分的蚀刻速率相同即可

[0073] 请参阅图 1和图 4, 本申请实施例的目的还在于提供一种蚀刻设备 , 包括用于对 待加工基板 3进行蚀刻的腔体 100、 第一电极板 1和第二电极板 2; 第一电极板 1设 置在腔体 100内的上方、 靠近腔体 100的顶部 101, 包括第一中心区域 11和环绕第 一中心区域 11的第一边缘区域 12, 第一中心区域 11贯通开设有与进气装置连接 的第一进气孔 111, 第一边缘区域 12贯通开设有与进气装置连接的第二进气孔 12 1, 第二进气孔 121环绕设置在第一进气孔 111的外围, 第一进气孔 111的横截面 积小于第二进气孔 121的横截面积; 第二电极板 2设置在腔体 100内的下方、 靠近 腔体 100的底部 102、 并与第一电极板 1相对设立, 包括放置区和围绕放置区的第 二边缘区域; 待加工基板 3设于放置区上, 第一电极板 1的位置与待加工基板 3的 位置相对应; 腔体 100上还开设有用于与抽气装置连接的出气口 103, 出气口 103 设置在腔体 100内的下方且出气口 103的位置低于第二电极板 2的位置。

[0074] 本申请实施例提供的一种蚀刻设备的工作原理 如下: 首先将待加工基板 3设置 在第二电极板 2上; 然后将进气装置与第一进气孔 111和第二进气孔 121连接, 将 抽气装置与出气口 103连接; 启动抽气装置和进气装置, 从而使得蚀刻气体通过 第一进气孔 111和第二进气孔 121进入到腔体 100内, 并对待加工基板 3进行蚀刻 ; 蚀刻气体最后通过出气口排出到腔体 100外。

[0075] 具体地, 请参阅图 3 , 在一个范例中, 在未对进气孔的横截面积进行调整时, 由于蚀刻气体会向腔体 100内部的角落流动, 而待加工基板 3的基板边缘区域更 靠近腔体 100的四个角落, 因此基板边缘区域的蚀刻速率要高于基板中心 区域的 蚀刻速率, 造成待加工基板 3各部分的蚀刻程度不同, 因此待加工基板 3各部分 的加工均一性不佳。

[0076] 请参阅图 4, 在本实施例中, 第二进气孔 121的横截面积大于第一进气孔 111的 横截面积, 使得经过第二进气孔 121的蚀刻气体的气压要小于经过第一进气孔 11 1的蚀刻气体的气压, 因此第二进气孔 121中的蚀刻气体的流速要小于第一进气 孑 Lm中的蚀刻气体的流速, 从而使得流向腔体 ioo的四个角落的蚀刻气体会减 少, 从而可以降低基板边缘区域的蚀刻速率, 使得基板边缘区域的蚀刻速率与 基板中心区域的蚀刻速率更接近, 从而提高待加工基板 3的各部分的加工均一性

[0077] 本申请实施例提供的一种蚀刻设备中, 由于开设于第一中心区域 11的第一进气 孔 111的横截面积小于开设于第一边缘区域 12的第二进气孔 121的横截面积, 因 此当蚀刻气体通过第一进气孔 111和第二进气孔 121进入腔体 100中时, 通过第二 进气孔 121的蚀刻气体的流速小于通过第一进气孔 111的蚀刻气体的流速, 进而 可以降低基板边缘区域蚀刻速率, 使得基板边缘区域与基板中心区域的蚀刻速 率更接近, 从而有效提高待加工基板的各个部分的加工均 一性。

[0078] 在一个实施例中, 位于第一电极板 1的中心区域的进气孔 110的横截面积最小, 位于第一电极板 1的边缘区域的进气孔 110的横截面积最大, 位于第一电极板 1上 的所有进气孔 110的横截面积可以成等差数列排列, 从而使得第一电极板 1上的 所有进气孔 110的横截面积从第一电极板 1的中心区域向第一电极板 1的边缘区域 增大。

[0079] 应当理解的是, 位于第一电极板 1上的进气孔 110的横截面积可以以其他方式排 歹 IJ, 保证进气孔 110的横截面积从第一电极板 1的中心区域向第一电极板 1的边缘 区域增大即可。 进气孔 110的横截面积从第一电极板 1的中心与向第一电极板 1的 边缘区域增大的变化方式可以是线性变化、 阶梯性变化或其他任意变化方式, 此处不做限制, 保证进气孔 110的横截面积从第一电极板 1的中心区域向第一电 极板 1的边缘区域增大即可。

[0080] 请参阅图 2和图 5, 在一个实施例中, 多个第一进气孔 111均匀分布在第一中心 区域 11, 从而使得蚀刻气体的流速在各个第一进气孔 111中均相同, 从而使得进 入第一中心区域 11内的蚀刻气体的流速相同, 进而使得基板中心区域的蚀刻速 率相同, 从而有效提高待加工基板 3的基板中心区域的加工均一性; 多个第二进 气孔 121均匀分布在第一边缘区域 12, 从而使得蚀刻气体的流速在各个第二进气 孔 121中均相同, 从而使得进入第一边缘区域 12内的蚀刻气体的流速相同, 进而 使得基板边缘区域的蚀刻速率相同, 从而有效提高待加工基板 3的基板边缘区域 的加工均一性。

[0081] 在一个实施例中, 多个第一进气孔 111以不均匀或局部均匀的方式分布在第一 中心区域 11, 多个第二进气孔 121以不均匀或局部均匀的方式分布在第一边缘 区 域 12, 只要使得基板中心区域的蚀刻速率与基板边缘 区域的蚀刻速率相同即可

[0082] 在一个实施例中, 多个第一进气孔 111的形状与大小相同, 从而多个第一进气 孔 111的横截面积相同, 使得第一中心区域 11的蚀刻气体的流速相同, 进而使得 基板中心区域的蚀刻速率相同, 从而有效提高基板中心区域的加工均一性; 多 个第二进气孔 121的形状与大小相同, 从而使得第一边缘区域 12的蚀刻气体的流 速相同, 进而使得基板边缘区域的蚀刻速率相同, 从而有效提高基板边缘区域 的加工均一性; 且第一进气孔 111的横截面积和第二进气孔 121的横截面积经过 精心设计, 从而使得基板中心区域的蚀刻速率与基板边缘 区域的蚀刻速率相同 , 提高待加工基板的各个部分的加工均一性。

[0083] 在一个实施例中, 多个第一进气孔 111的大小和形状局部相同, 多个第二进气 孔 121的大小和形状局部相同, 基板中心区域的蚀刻速率与基板边缘区域的蚀 刻 速率相同即可。

[0084] 在一个实施例中, 多个第一进气孔 111的大小和形状不同, 多个第二进气孔 121 的大小和形状不同, 基板中心区域的蚀刻速率与基板边缘区域的蚀 刻速率相同 即可。

[0085] 请参阅图 6和图 7, 在一个实施例中, 蚀刻设备还包括电浆 4, 电浆 4设于第一电 极板 1和待加工基板 3之间, 且与待加工基板 3的位置相对应。 可选地, 电浆 4位 于靠近待加工基板 3的一侧。 在工作时, 蚀刻气体通过第一进气孔 111和第二进 气孔 121进入腔体 100后到达电浆 4; 电浆 4将蚀刻气体分子分解, 产生能够快速 蚀去待加工基板 3的材料的高活性分子, 同时电浆 4也会将这些高活性分子离子 化; 离子化的高活性分子到达待加工基板 3后将待蚀刻材料从固相转化为气相, 并在抽气装置的作用下通过出气口 103从腔体 100中移除。

[0086] 通过设置电浆 4, 使得蚀刻气体能够更好地对待加工基板 3进行蚀刻, 可有效提 高蚀刻效果。 由于通过第二进气孔 121的蚀刻气体的流速小于通过第一进气孔 11 1的蚀刻气体的流速, 因此电浆 4的各个部分的消耗也更加均匀, 进而对待加工 基板 3的各部分的蚀刻速率也更加均匀, 从而提高待加工基板 3的各个部分的加 工均一性。

[0087] 在一个实施例中, 蚀刻设备还包括阻挡环 5和隔板 6, 阻挡环 5设置在第二电极 板 2的第二边缘区域, 并环绕设置在放置区的外围, 隔板 6环绕设置在第二电极 板 2的外侧, 并与阻挡环 5的外围邻接, 隔板 6上贯通设有隔板开口。 当待加工基 板 3放置到第二电极 2的放置区时, 放置区的外围环绕设置的阻挡环 5可以对待加 工基板 3起到稳定和固定的作用; 而在第二电极板 2的外侧环绕设置隔板 6 , 一方 面可以防止待加工基板 3破裂后的碎渣直接掉进出气口 103中进入到抽气装置, 引起抽气装置的损坏, 另一方面也可以对蚀刻气体起到一定的阻隔作 用, 从而 对蚀刻气体的流动速率及流动方向起到控制作 用, 使得蚀刻气体能够通过隔板 6 上开设的隔板开口进入出气口 103。

[0088] 可选地, 隔板 6上相应于出气口 103的位置开设有多个隔板通孔, 从而可以进一 步对蚀刻气体的流动速率、 流动方向以及蚀刻气体分布的均匀程度进行调 节, 从而进一步提高待加工基板 3的各个部分的加工均一性。

[0089] 在一个实施例中, 待加工基板 3包括玻璃基板 31和覆盖在玻璃基板 31表面的薄 膜 32, 薄膜 32设有与待蚀刻的图案对应的镂空区域。 薄膜 32可以对玻璃基板 31 起到保护作用, 从而保证蚀刻气体对玻璃基板 31上需要蚀刻的部分进行蚀刻, 而不需要蚀刻的部分则由于薄膜 32的覆盖而无法接触到蚀刻气体。

[0090] 在一个实施例中, 出气口 103开设于腔体 100的底部 102, 且出气口 103与隔板开 口的位置相对应。 具体地, 底部 102的每侧与隔板 6相对应的位置的两侧均开设 有出气口 103 , 即出气口 103的数量为 8个, 腔体 100的四个角落的每个角落附近 均设有两个出气口 103。 这样设置, 一方面有助于蚀刻气体在经过隔板开口后能 够在抽气装置的作用下迅速通过出气口 103从腔体 100中排出, 另一方面出气口 1 03位置与隔板开口的位置相配合、 同时出气口 103的位置与第一电极板 1上开设 的第一进气孔 111、 第二进气孔 121相配合, 有助于蚀刻气体在待加工基板 3上的 分布更均匀, 从而使得基板中心区域的蚀刻速率与基板边缘 区域的蚀刻速率相 同, 进一步提高待加工基板 3的各个部分的加工均一性。

[0091] 在一个实施例中, 出气口 103开设于腔体 100的侧边, 且出气口 103的位置低于 第二电极板 2的位置, 从而使得蚀刻气体在经过待加工基板 3后再进入出气口 103 ; 出气口 103靠近隔板开口, 一方面有助于蚀刻气体在经过隔板开口后能够 在抽 气装置的作用下迅速通过出气口 103从腔体 100中排出, 另一方面出气口 103位置 与隔板开口的位置相配合、 同时出气口 103的位置与第一电极板 1上开设的第一 进气孔 111、 第二进气孔 121相配合, 有助于蚀刻气体在待加工基板 3上的分布更 均匀, 从而使得基板中心区域的蚀刻速率与基板边缘 区域的蚀刻速率相同, 进 一步提高待加工基板 3的各个部分的加工均一性。 应当理解的是, 出气口 103的 数量和位置可以根据需要进行设定。

[0092] 请参阅图 4至图 7 , 本申请实施例的目的还在于提供一种蚀刻设备 , 包括用于对 待加工基板 3进行蚀刻的腔体 100、 第一电极板 1和第二电极板 2; 第一电极板 1设 置在腔体 100内的上方、 靠近腔体 100的顶部 101, 包括第一中心区域 11和环绕第 一中心区域 11的第一边缘区域 12, 第一中心区域 11贯通开设有与进气装置连接 的第一进气孔 111, 第一边缘区域 12贯通开设有与进气装置连接的第二进气孔 12 1, 第二进气孔 121环绕设置在第一进气孔 111的外围, 第一进气孔 111的横截面 积小于第二进气孔 121的横截面积; 第二电极板 2设置在腔体 100内的下方、 靠近 腔体 100的底部 102、 并与第一电极板 1相对设立, 包括放置区和围绕放置区的第 二边缘区域; 待加工基板 3设于放置区上, 第一电极板 1的位置与待加工基板 3的 位置相对应; 腔体 100上还开设有用于与抽气装置连接的出气口 103, 出气口 103 设置在腔体 100内的下方且出气口 103的位置低于第二电极板 2的位置。

[0093] 蚀刻设备还包括电浆 4、 阻挡环 5和隔板 6, 电浆 4设于第一电极板 1和待加工基 板 3之间, 且与待加工基板 3的位置相对应; 阻挡环 5设置在第二电极板 2的第二 边缘区域, 并环绕设置在放置区的外围; 隔板 6环绕设置在第二电极板 2的外侧 , 并与阻挡环 5的外围邻接, 隔板 6上贯通设有隔板开口。

[0094] 可选地, 电浆 4位于靠近待加工基板 3的一侧。 在工作时, 蚀刻气体通过第一进 气孔 111和第二进气孔 121进入腔体 100后到达电浆 4; 电浆 4将蚀刻气体分子分解 , 产生能够快速蚀去待加工基板 3的材料的高活性分子, 同时电浆 4也会将这些 高活性分子离子化; 离子化的高活性分子到达待加工基板 3后将待蚀刻材料从固 相转化为气相, 并在抽气装置的作用下通过出气口 103从腔体 100中移除。

[0095] 本申请实施例提供的一种蚀刻设备中, 由于开设于第一中心区域 11的第一进气 孔 111的横截面积小于开设于第一边缘区域 12的第二进气孔 121的横截面积, 因 此当蚀刻气体通过第一进气孔 111和第二进气孔 121进入腔体 100中时, 通过第二 进气孔 121的蚀刻气体的流速小于通过第一进气孔 111的蚀刻气体的流速, 进而 可以降低基板边缘区域蚀刻速率, 使得基板边缘区域与基板中心区域的蚀刻速 率更接近, 从而有效提高待加工基板的各个部分的加工均 一性。

[0096] 设置电浆 4, 使得蚀刻气体能够更好地对待加工基板 3进行蚀刻, 可有效提高蚀 刻效果。 由于通过第二进气孔 121的蚀刻气体的流速小于通过第一进气孔 111的 蚀刻气体的流速, 因此电浆 4的各个部分的消耗也更加均匀, 进而对待加工基板 3的各部分的蚀刻速率也更加均匀, 从而提高待加工基板 3的各个部分的加工均 一性。

[0097] 阻挡环 5可以对待加工基板 3起到稳定和固定的作用; 设置隔板 6, 一方面可以 防止待加工基板 3破裂后的碎渣直接掉进出气口 103中进入到抽气装置, 引起抽 气装置的损坏, 另一方面也可以对蚀刻气体起到一定的阻隔作 用, 从而对蚀刻 气体的流动速率及流动方向起到控制作用, 使得蚀刻气体能够通过隔板 6上开设 的隔板开口进入出气口 103。

[0098] 以上所述仅为本申请的较佳实施例而已, 并不用以限制本申请, 凡在本申请的 精神和原则之内所作的任何修改、 等同替换和改进等, 均应包含在本申请的保 护范围之内。