Le domaine de l'invention est celui des composants à base de nanofils, réalisés collectivement par croissance localisée sur un substrat pouvant être en silicium, ou en GaN ou en en saphir, ou autre.

Plus précisément, le domaine de l'invention peut adresser des composants à base de nanofils photoconducteurs ou photo-émetteurs pouvant être utilisés par exemple pour produire de la lumière, notamment des diodes électroluminescentes, couramment désignées par l'acronyme LED (« Light Electroluminescent Diode »). Typiquement les nanofils présentent de manière générale des dimensions latérales (diamètre) pouvant être de l'ordre de quelques centaines de nanomètres et une dimension verticale pouvant varier jusqu'à une dizaine de micromètres, avec un rapport hauteur / diamètre allant de 1 à 30 et typiquement autour de 10.

Au cours de ces dernières années, il a été réalisé par exemple, des diodes électroluminescentes (LEDs) visibles à base de nanofils InGaN/GaN verticaux contenant une jonction p-n et connectés collectivement en parallèle.

Grâce à leurs propriétés intrinsèques potentielles (bonne qualité cristalline, relaxation des contraintes aux surfaces libres verticales, bonne efficacité d'extraction de la lumière, ...), les nanofils sont considérés comme des candidats très intéressants pour pallier les difficultés rencontrées actuellement avec des LEDs GaN conventionnelles fabriquées en structure planaire (2D).

Deux approches LEDs Nanofils, basées sur des techniques de croissance différentes, ont déjà été proposées et sont connues de l'homme de l'art.

La première filière consiste à épitaxier des nanofils GaN contenant des puits quantiques InGaN en configuration axiale par Epitaxie par Jet Moléculaire (MBE). Les dispositifs fabriqués à partir de ces nanofils ont donné des résultats intéressants dans le domaine spectral vert. Les puces processées de 1 mm ² peuvent émettre autour de 10 W à 550 nm pour un courant continu de fonctionnement de 100 mA. La figure 1 illustre une telle configuration mettant en évidence des nanofils NT, à la surface d'un substrat 1 1 typiquement en silicium en contact avec un contact inférieur de type n 10, le contact supérieur de type p étant assuré par une couche transparente 12 et la reprise de contact effectuée par une reprise de contact p, épaisse 13. Les nanofils NT, de structure axiale comportent une zone dopée n pouvant typiquement être en GaN dopée n, une zone active ZA en InGaN ou possédant une structure à puits quantique, et une zone dopée p pouvant être en GaN dopée p.

Avec la technique de croissance par jets moléculaires (MBE), certaines inhomogénéités apparaissent en raison de mécanismes de nucléation aléatoire, mais typiquement il a été obtenu une puissance optique sur un fil unique émettant à 550nm de 50nW, soit 5 W/mm ² avec une centaine de nanofils émetteurs/mm ² .

Plus récemment, la technique de croissance MOCVD (dépôt chimique en phase vapeur à base d'organométalliques) a permis la réalisation de nanofils InGaN/GaN contenant une structure LED radiale (configuration Coeur/Coquille).

La figure 2 illustre ce type de configuration dans laquelle, des nanofils NT, sont réalisés à la surface d'un substrat 1 1 recouvert d'une couche de nucléation 21 , une couche de contact inférieur 10 étant également prévue. L'épitaxie localisée est assurée au travers d'un masque 20. La structure des nanofils est de type cœur/coquille. Le cœur 30 peut comprendre un matériau GaN dopé n, typiquement avec un taux de dopage de 10 ¹⁹ cm ^"3 , une structure à puits quantique avec une alternance de couches, pouvant respectivement être en GaN non dopée et InGaN, et enfin une coquille 31 pouvant être constituée d'une couche GaN dopée p avec typiquement un taux de dopage de 10 ¹⁹ cm ^"3 .

Une couche diélectrique 40 assure l'isolation entre les contacts inférieur et supérieur.

Le contact supérieur est assuré via une couche supérieure 50, conductrice et transparente à la longueur d'onde d'émission de la structure photoconductrice. Une couche de contact métallique 60 étant également prévue pour assurer une fonction miroir. Dans cette approche, la structure LED étant en configuration Coeur/Coquille, la surface de la zone active est plus importante que dans une approche LEDs nanofils 2D comportant des structures planaires.

Néanmoins, le Demandeur est parti du constat que les procédés d'épitaxie tel que le procédé MOCVD génèrent de par toute la consommation d'espèces gazeuses, des effets de bord préjudiciables à l'obtention de composants homogènes, et des discontinuités dans les zones de croissance des nanofils, plus précisément, une variation sur la plaque du taux de surface de croissance.

En effet, notamment dans le cas des LEDs, les nanofils fabriqués par épitaxie par exemple de GaN sur des motifs de croissances peuvent être définis par les techniques standards de la microélectronique.

Ces motifs sont regroupés sur le substrat sous la forme de motifs réguliers dans des zones compactes, carrées, rondes, hexagonales, triangulaires.... qui définissent la surface active de la LED. Ces zones ont des dimensions définies par les besoins du client final du produit, par exemple 100 μιτι par 100 μιτι, 350 μιτι par 350 μιτι, 1 mm par 1 mm, 3,5 mm par 3,5 mm, 10 mm par 10 mm. Chaque zone de croissance est séparée de sa voisine par un espacement dont la dimension est ajustée au minimum pour permettre le passage des connexions métalliques d'alimentation des LED et la découpe par sciage des substrats, ou autre technique de découpe.

Ces espacements entre les zones de croissances, dans lesquels aucune épitaxie n'est souhaitée, provoquent l'apparition de défauts multiples :

- des non-uniformités en hauteurs et en morphologies, dans les réseaux de fils, liées aux discontinuités dans les zones de croissances ;

- des croissances inorganisées de nano-cristaux par exemple de GaN qui sont des défauts tueurs pour les circuits lors de la fin des étapes de technologie ;

- des dépôts de InGaN parasites qui tapissent les surfaces des plaques de matériaux conducteurs.

La figure 3 illustre une vue réalisée sur un ensemble de nanofils et un ensemble de défauts apparaissant dans les zones de non-croissance, photographie faite au microscope électronique à balayage, qui met en évidence des croissances parasites Cr _pa> des dépôts de résidus de croissance R _cr et/ou des murailles de nanofils de dimensions non- homogènes en périphérie.

Il peut avantageusement être envisagé une solution permettant notamment d'éliminer les défauts en homogénéisant l'ensemble de la surface d'un substrat en termes de croissance de nanofils et en sélectionnant une zone élémentaire de nanofils parmi l'ensemble plus important de nanofils, permettant ainsi de disposer de support fonctionnel présentant des nanofils homogènes et ce en procédant à l'élimination sélective de certains nanofils pour notamment dégager des zones dédiées au contact ohmique. Néanmoins, le retrait de sous-ensembles de nanofils peut s'avérer être délicat à réaliser entre sous-ensembles de nanofils à conserver.

C'est pourquoi et dans ce contexte, la présente invention propose des LEDs comprenant des nanofils sur l'ensemble du substrat et la réalisation de contacts ohmiques grâce à la présence de métal épais au dessus de certains des nanofils préalablement élaborés, permettant par la même de commander électriquement une partie dite active de nanofils.

Plus précisément, la présente invention a pour objet un dispositif électroluminescent comprenant un ensemble de nanofils sur l'ensemble de la surface d'un substrat caractérisé en ce que :

- il comprend au moins une première série de premiers nanofils et une seconde série de seconds nanofils ;

- ladite première série comprenant des premiers nanofils dits actifs capables d'émettre de la lumière sous commande électrique, connectés entre un premier type de contact électrique et un second type de contact électrique pour permettre audit dispositif d'émettre de la lumière sous commande électrique, lesdits premiers nanofils étant recouverts d'au moins une couche conductrice transparente à la longueur d'émission dudit dispositif électroluminescent, ladite couche étant en contact avec ledit premier type de contact électrique ;

- ladite seconde série comprenant des seconds nanofils dits de contact encapsulés dans une couche de métal permettant de constituer ledit premier type de contact électrique ; - le second type de contact électrique étant situé en face arrière dudit substrat, opposée à la face comprenant lesdits nanofils et étant assuré par une couche conductrice au moins en regard de ladite première série de nanofils.

Selon une variante de l'invention, lesdits seconds nanofils sont situés en périphérie desdits premiers nanofils.

Selon une variante de l'invention, lesdits seconds nanofils sont recouverts par ladite couche conductrice transparente à la longueur d'émission dudit dispositif électroluminescent.

Selon une variante de l'invention, le dispositif électroluminescent comprend une troisième série de troisièmes nanofils dits neutres électriquement sans couche conductrice transparente à la longueur d'émission dudit dispositif électroluminescent, lesdits troisièmes nanofils pouvant être situés en périphérie desdits premiers nanofils actifs et desdits seconds nanofils, définissant une zone dite active dudit dispositif.

Selon une variante de l'invention, l'épaisseur de la couche de métal définie au dessus desdits seconds nanofils est de l'ordre d'au moins quelques dizaines de nanomètres.

Selon une variante de l'invention, le dispositif électroluminescent comprend une couche conductrice transparente à la longueur d'émission dudit dispositif électroluminescent, pouvant être en oxyde d'indium et d'étain (ITO), ou en oxyde de zinc dopé aluminium (AZO), ou en oxyde de zinc dopé gallium (GZO) ou en oxyde d'étain dopé fluoré (FTO).

Selon une variante de l'invention, la couche de métal encapsulant lesdits seconds nanofils est en cuivre ou en nickel ou en argent.

Selon une variante de l'invention, le dispositif électroluminescent comporte des plots de contact métalliques à la surface de ladite couche de métal, pouvant être en or ou en alliage d'argent et d'étain.

Selon une variante de l'invention, lesdits seconds nanofils sont recouverts par une couche continue ou discontinue d'accroché pour le métal, pouvant être en cuivre ou en aluminium.

Selon une variante de l'invention, le dispositif électroluminescent comprend une couche discontinue d'isolant encapsulant la base desdits nanofils et étant située à la surface dudit substrat entre lesdits nanofils. Selon une variante de l'invention, le dispositif électroluminescent comprend une couche miroir située entre deux nanofils adjacents, pouvant être en Al ou en Ag ou en Ru.

L'invention a aussi pour objet un procédé de fabrication de dispositif(s) électroluminescent(s) comprenant :

- un ensemble de nanofils sur l'ensemble de la surface d'un substrat ;

- au moins une première série de premiers nanofils et une seconde série de seconds nanofils ;

- ladite première série comprenant des premiers nanofils dits actifs capables d'émettre de la lumière sous commande électrique, connectés entre un premier type de contact électrique et un second type de contact électrique pour permettre audit dispositif d'émettre de la lumière sous commande électrique, lesdits premiers nanofils étant recouverts d'au moins une couche conductrice transparente à la longueur d'émission dudit dispositif électroluminescent, ladite couche étant en contact avec ledit premier type de contact électrique ;

- ladite seconde série comprenant des seconds nanofils dits de contact encapsulés dans une couche de métal permettant de constituer ledit premier type de contact électrique ;

- le second type de contact électrique étant situé en face arrière dudit substrat, opposée à la face comprenant lesdits nanofils et étant assuré par une couche conductrice au moins en regard de ladite première série de nanofils.

caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes :

- la croissance de nanofils sur l'ensemble de la surface d'un substrat ;

- le dépôt d'une couche conductrice transparente à la longueur d'onde de fonctionnement du dispositif électroluminescent, à la surface d'au moins une partie desdits nanofils ;

- l'encapsulation locale par une couche de métal d'un sous- ensemble de nanofils constituant lesdits seconds nanofils dits de contact permettant de constituer ledit premier type de contact électrique ; - la réalisation du second type de contact en face arrière du substrat, par une couche conductrice au moins en regard de ladite première série de nanofils. Selon une variante de l'invention, le procédé comprend :

- la réalisation de motifs épais de résine à la surface d'au moins deux premiers sous-ensembles de premiers nanofils laissant au moins un second sous-ensemble de seconds nanofils non recouverts de ladite résine ;

- le dépôt d'une couche de métal, à la surface desdits seconds nanofils pour assurer le premier type de contact électrique ;

- le retrait desdits motifs de résine au niveau desdits premiers nanofils.

Selon une variante de l'invention, le procédé comprend le dépôt d'une couche de métal pouvant être une encre métallique, à la surface desdits seconds nanofils, par sérigraphie au travers d'un masque pour assurer le premier type de contact électrique.

Selon une variante de l'invention, le procédé comprend une étape de réalisation de plots conducteurs à la surface de ladite couche de métal.

Selon une variante de l'invention, le procédé comprend le dépôt localisé d'une couche de métal, à la surface desdits seconds nanofils, avec un dispenseur pour assurer le premier type de contact électrique.

Selon une variante de l'invention, le procédé comprend le dépôt localisé d'une couche de métal à la surface desdits seconds nanofils, par jet d'encre pour assurer le premier type de contact électrique.

Selon une variante de l'invention, le procédé comporte une étape de retrait de la couche conductrice et transparente à la longueur d'onde d'émission dudit dispositif électroluminescent au niveau de nanofils situés en périphérie desdits premiers et seconds nanofils, de manière à définir une troisième série de troisièmes nanofils.

Selon une variante de l'invention, le dépôt de la couche de métal et/ou la réalisation des plots conducteurs sont effectués par une opération d'électrodéposition. Selon une variante de l'invention, le procédé comprend le dépôt d'une couche miroir entre deux nanofils adjacents, ledit dépôt étant préalable ou postérieur au dépôt de ladite couche conductrice transparente.

Lorsque la couche de métal est réalisée par électrodéposition : - selon une variante de l'invention, le procédé comprend le dépôt d'au moins une couche d'accroché destinée à l'accroche dudit métal, ledit dépôt pouvant être réalisé :

o de manière continue sur l'ensemble desdits nanofils et entre deux nanofils adjacents au niveau dudit substrat ou ;

o de manière discontinue aux extrémités desdits nanofils et entre deux nanofils adjacents au niveau dudit substrat ou ; o entre deux nanofils adjacents au niveau dudit substrat ;

- selon une variante de l'invention, le procédé comprend le dépôt d'une couche à base de cuivre ou d'aluminium pouvant avantageusement être déposée sur une fine couche préalablement déposée à base de titane ;

- selon une variante de l'invention, le procédé comprend une opération de retrait de ladite couche d'accroché au niveau desdits troisièmes nanofils ou desdits troisièmes nanofils et desdits premiers nanofils.

L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre donnée à titre non limitatif et grâce aux figures annexées parmi lesquelles :

- la figure 1 illustre un premier exemple de LED comprenant des nanofils selon l'art connu ;

- la figure 2 illustre un second exemple de LED comprenant des nanofils selon l'art connu ;

- la figure 3 illustre une vue d'un ensemble de nanofils séparés par des zones de non croissance dans lesquelles sont présents des défauts dans une configuration de l'art connu ;

- les figures 4a à 4i illustrent les différentes étapes d'un exemple de procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent de l'invention ; - la figure 5 illustre un exemple de configuration de couche épaisse de contact, à la surface d'un ensemble de nanofils NTi _c , situés entre des premiers nanofils NTi _a et des troisièmes nanofils NTi _n .

- la figure 6 illustre une vue d'ensemble d'un exemple de dispositif selon l'invention reporté sur un boîtier.

- les figures 7a à 7d illustrent les différentes étapes d'un second exemple de procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent de l'invention ;

- les figures 8a et 8b illustrent les étapes d'un troisième exemple de procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent de l'invention.

Le dispositif électroluminescent de la présente invention, comprend de manière générale un substrat recouvert de nanofils sur l'ensemble de sa surface, pour ne pas laisser des zones libres dans lesquelles il pourrait y avoir des défauts de croissance, lors de la réalisation des nanofils. Ainsi, selon l'invention, mêmes des zones dédiées aux contacts permettant de commander les nanofils, utilisent la surface supérieure de certains nanofils.

La présente invention, va être décrite ci-après plus en détails grâce à des étapes de procédé de fabrication permettant d'obtenir le dispositif de l'invention. Les différentes étapes sont illustrées grâce aux figures 4a à 4i.

Etape 1 illustrée en figure 4a :

A partir d'un substrat 100, pouvant avantageusement être en silicium, on réalise sur l'ensemble de ce substrat la croissance des nanofils NT,.

Etape 2 illustrée en figure 4b :

On procède alors au dépôt d'une couche 200 permettant d'encapsuler partiellement les nanofils, via un diélectrique pouvant typiquement être en Si0 ₂ , Al ₂ 0 ₃ , Hf0 ₂ ou en Si _x N _y avec x et y des fractions molaires.

Etape 3 illustrée en figure 4c :

On procède au dépôt d'une couche 300 conductrice transparente à la longueur d'onde de fonctionnement du dispositif électroluminescent. Typiquement, cette couche peut être déposée sur une première couche en nickel, palladium ou en platine de quelques nanomètres (5 nm). La couche conductrice transparente peut être en ITO d'épaisseur de l'ordre d'une dizaine à une centaine de nanomètres. La couche transparente conductrice peut également être en FTO, AZO ou GZO.

Afin de rediriger les faisceaux vers le haut de la puce, il peut avantageusement être prévu le dépôt également d'une structure miroir 400, cette structure miroir pouvant avoir été déposée préalablement au dépôt de la couche conductrice et transparente ou postérieurement. Cette structure miroir peut être une structure bi-couche de type Ti/AI ou de type Ti/Ag ou de type Ti/Ru. Les différentes alternatives sont représentées en figure 4c.

Etape 4 illustrée en figure 4d :

On procède au dépôt d'une structure 500 de couche(s) d'accroché pour le métal épais destiné à permettre la reprise de contact. Cette structure peut par exemple être composée d'une première couche en titane d'épaisseur de l'ordre de 100 nm et d'une couche de cuivre de l'ordre de 400 nm, et être obtenue par procédé PVD. Cette structure bi-couche peut être réalisée sur l'ensemble des nanofils et des interstices entre nanofils, ou bien de manière discontinue, ces différentes possibilités sont illustrée en figure 4d et peuvent être obtenues en jouant sur les épaisseurs de la bi-couche ou par gravure.

Les structures bi-couches peuvent également être réalisées par les dépôts suivants : une première couche de TiN ou de Ti sous une seconde couche de Cu ou d'AI et ce par PVD ou CVD ou procédé d'évaporation ou procédé par pulvérisation. Etape 5 illustrée en figure 4e :

On réalise par lithographie des motifs de résine 600 permettant de positionner ultérieurement les contacts supérieurs et ainsi définir la zone active du dispositif électroluminescent et permettant par la même d'en individualiser la taille comme explicité ci-après.

Etape 6 illustrée en figure 4f :

On procède au dépôt d'une couche épaisse de métal pouvant typiquement avoir une épaisseur d' environ une dizaine de nm au dessus desdits nanofils et pouvant atteindre plusieurs microns, entre les motifs de résine, permettant d'identifier deux séries de nanofils :

- une première série de premiers nanofils sous les motifs de résine, ladite résine étant destinée à être retirée pour laisser lesdits premiers nanofils apparents _;

- une seconde série de seconds nanofils sous les motifs de métal épais _.

La couche épaisse de métal peut typiquement être en cuivre ou en nickel et réalisée par un procédé d'électrodéposition.

On peut alors réaliser sur cette couche épaisse de métal, des plots 800 de « bonding » destinés à permettre la connexion avec un autre support fonctionnalisé, de type par exemple SnAg, qui donne l'empilement Cu/Ni/SnAg, suivi d'une opération de recuit à 260° G Ces plots de « bonding » peuvent aussi être en Au. Etape 7 illustrée en figure 4g :

On procède au retrait des motifs de résine de manière à laisser apparents les premiers nanofils destinés à être actifs.

Etape 8 illustrée en figure 4h :

Puis, dans le cas de l'utilisation d'une structure d'accroché 500, sur la couche conductrice transparente 300 ou sur une structure miroir 400, on peut procéder à la gravure chimique sélective de cette structure.

Il est à noter que dans le cas d'une couche d'accroché en Ti/AI on peut conserver cette couche pour s'en servir comme couche miroir. Typiquement on peut réaliser ce type de gravure sélective dans les couples : Ti/Cu par rapport à ΙΊΤΟ ou par rapport à une structure miroir Ti/AI, en utilisant par exemple une solution de :

- H ₂ 0 ₂ / H ₂ S0 ₄ , dans le cas du cuivre ;

- HF 0,25 % dans le cas du titane.

L'élimination de la structure d'accroché peut également être effectuée par une opération de gravure sèche.

Etape 8 illustrée en figure 4i :

On peut enfin avantageusement procéder au retrait de la couche transparente conductrice 300, en périphérie de l'ensemble des premiers nanofils et des seconds nanofils, de manière à circonscrire la partie active du dispositif, en neutralisant des nanofils, ainsi définis comme étant neutres , sans avoir recours à des opérations d'élimination de cesdits nanofils.

On obtient ainsi un exemple de dispositif selon la présente invention comprenant :

- la première série de premiers nanofils apparents et dits actifs NTi _{a ;}

- la seconde série de seconds nanofils sous les motifs de métal épais, dénommés nanofils de contact NTi _c .

- une troisième série de troisièmes nanofils neutres NTi _n , dépourvus de la couche conductrice transparente et délimitant la partie dispositif électroluminescent sur le substrat ayant donné lieu à une opération globale de croissance de nanofils sur l'ensemble de la surface dudit substrat.

En variante du procédé précédemment décrit, il est tout aussi possible d'envisager de matérialiser les nanofils neutres NTi _n en début de procédé avant les étapes de réalisation de motifs de résine, en procédant au retrait de la couche conductrice 300 au niveau des nanofils en périphérie.

Dans le cas de l'utilisation d'une couche d'accroché 400 au dessus de la couche conductrice 300, on procède alors au retrait des deux couches en périphérie pour définir les nanofils destinés à être des nanofils neutres. Dans les deux cas que la couche 300 soit au dessus ou en dessous de la couche 400, il faut retirer ces deux couches dans la zone des nanofils neutres.

La figure 5 illustre une vue de dessus d'un exemple de configuration de couche épaisse de contact 700, à la surface d'un ensemble de nanofils NTi _c , situés entre des premiers nanofils NTi _a et des troisièmes nanofils NTi _n .

De manière générale, le second type de contact pour commander le dispositif électroluminescent est en face arrière, il peut typiquement s'agir d'une couche métallique déposée en face arrière du substrat pouvant être avantageusement en silicium.

La figure 6 schématise le report d'un exemple de dispositif selon l'invention sur un boîtier, et la connexion électrique depuis les deux types de contact : contact p et contact n. Le contact p est assuré depuis les NTi _c et les plots de contacts 800 et 800'. Le boîtier B ₀ est recouvert d'une couche de métal M-, pouvant être en cuivre, d'une fine couche métallique M ₂ pouvant être typiquement un flash d'or, ledit boîtier étant ainsi solidarisé audit dispositif électroluminescent en face arrière au niveau du substrat comportant une couche métallique M ₃ pouvant typiquement être à base de Ti/Au et assurant le contact de type n, par une couche intermédiaire pouvant être une colle Co.

Il est à noter que les plots de bonding peuvent avoir des dimensions latérales plus faibles et ne pas occuper toute la surface supérieure des motifs de métal épais 700, tels que les plots de bonding 800 effectivement représentés en figure 6.

Second exemple de procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent de l'invention

II est également avantageusement possible de réaliser les contacts par dépôt de métal par un procédé de sérigraphie. Les figures 7a à 7d illustrent les principales étapes de ce type de procédé, qui ne représentent que la réalisation d'un seul sous-ensemble de nanofils de contact NTi _c, même si les nanofils NTi _a peuvent avantageusement être compris entre deux sous-ensembles de nanofils NTi _c . Les premières étapes peuvent être identiques à celles décrites en figure 4a et 4c.

A partir d'un substrat 100 comportant des nanofils NTi recouverts d'une couche conductrice transparente 300 et localement d'une couche miroir 400 comme illustré en figure 7a, on place un masque M comportant des ouvertures en regard des nanofils destinés à constituer les nanofils de contact, comme illustré en figure 7b.

Au travers dudit masque M, on procède au dépôt d'une encre E métallique pouvant typiquement être en argent, comme illustré en figure 7c. On vient ensuite uniformiser l'épaisseur des contacts métalliques ainsi réalisés à l'aide d'une raclette R, comme illustré sur la figure 7d, et l'on définit ainsi les nanofils de contact NTi _c , recouverts d'une couche épaisse métallique, contigus aux nanofils actifs NTi _a .

De manière analogue à ce qui est représenté en figure 4i, mais non représenté dans le présent exemple, il est possible avantageusement de procéder au retrait de la couche transparente conductrice 300 et de la couche miroir 400, en périphérie de l'ensemble des premiers nanofils et des seconds nanofils, de manière à circonscrire la partie active du dispositif, en neutralisant des nanofils, ainsi définis comme étant neutres, sans avoir recours à des opérations d'élimination de cesdits nanofils.

Selon ce procédé, la connexion électrique (bonding) avec un autre support métallisé, depuis la couche épaisse de premier contact, peut être réalisée directement. Troisième exemple de procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent de l'invention

Il est encore avantageusement possible de réaliser les contacts par dépôt localisé de métal à l'aide d'un dispenseur. Les figures 8a et 8b illustrent ce troisième exemple de procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent de l'invention qui ne représentent que la réalisation d'un seul sous-ensemble de nanofils de contact NTi _c, même si les nanofils NTi _a peuvent avantageusement être compris entre deux sous-ensembles de nanofils NTi _c ,.

Les premières étapes peuvent être identiques à celles décrites en figure 4a et 4c. A partir d'un substrat 100 comportant des nanofils NTi recouverts d'une couche conductrice transparente 300 et localement d'une couche miroir 400, on réalise le dépôt localisé d'une goutte de métal G, à l'aide d'un dispenseur D comme illustré en figure 8a. Le dispenseur D peut être typiquement une seringue. Ce dépôt métallique forme ainsi les contacts au niveau des nanofils de contact NTi _c contigus aux nanofils actifs NTi _a , comme illustré en figure 8b. De manière analogue à ce qui est représenté en figure 4i, mais non représenté dans le présent exemple, il est possible avantageusement de procéder au retrait de la couche transparente conductrice 300 et de la couche miroir 400, en périphérie de l'ensemble des premiers nanofils et des seconds nanofils, de manière à circonscrire la partie active du dispositif, en neutralisant des nanofils, ainsi définis comme étant neutres, sans avoir recours à des opérations d'élimination de cesdits nanofils.

Selon ce procédé, la connexion électrique (bonding) avec un autre support métallisé, depuis la couche épaisse de premier contact, peut être réalisée directement.

Quatrième exemple de procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent de l'invention

Il est encore avantageusement possible de réaliser les contacts par dépôt localisé de métal par une méthode de jet d'encre.

Ainsi, selon la présente invention, la taille des LEDs devient personnalisable, grâce au positionnement des zones de métal épais, et ce avantageusement assez tardivement dans les étapes de procédé.

Au-delà de la non-détérioration de certains nanofils, par des opérations de retrait, on peut gagner en nombre d'étapes de procédé (notamment toutes les étapes nécessaires en cas de suppression de nanofils).

Il est également avantageusement possible de positionner des contacts supérieurs intermédiaires au centre de matrices de grandes tailles, tout en bénéficiant de la possibilité d'électrodéposer des plots de bonding à la suite de la réalisation de la couche de métal épais de contact. Enfin, il est à noter que le principe de la présente invention permetr des dispositifs avec des coûts particulièrement intéressants.