以下、本発明の実施の形態について、図� ��を参照して説明する。

 はじめに、電子ビーム露光装置の構成につ� ��て説明する。次に、電子銃の構成について� ��明し、電子銃のうち本発明の特徴部分の電� ��源の構成について説明する。次に、本発明� ��電子銃を使用した露光装置の露光方法につ� ��て説明する。次に、電子源の表面に電子放� ��を制限する領域を形成する方法について説� ��する。最後に、本実施形態の電子銃を使用� ��た場合の効果について説明する。
(電子ビーム露光装置の構成)
 図1に、本実施形態に係る電子ビーム露光装 置の構成図を示す。

 この電子ビーム露光装置は、電子光学系� ��ラム100と、電子光学系コラム100の各部を制� ��する制御部200とに大別される。このうち、� ��子光学系コラム100は、電子ビーム生成部130� ��マスク偏向部140及び基板偏向部150によって� ��成され、その内部が減圧される。

 電子ビーム生成部130では、電子銃101から� ��成した電子ビームEBが第1電磁レンズ102で収� ��作用を受けた後、ビーム整形用マスク103の� ��形アパーチャ103aを透過し、電子ビームEBの� ��面が矩形に整形される。

 その後、電子ビームEBは、マスク偏向部14 0の第2電磁レンズ105によって露光マスク110上� ��結像される。そして、電子ビームEBは、第1� ��第2静電偏向器104、106により、露光マスク110 に形成された特定のパターンSiに偏向され、� ��の断面形状がパターンSiの形状に整形され� �。

 なお、露光マスク110はマスクステージ123� ��固定されるが、そのマスクステージ123は水� ��面内において移動可能であって、第1、第2� �電偏向器104、106の偏向範囲(ビーム偏向領域) を超える部分にあるパターンSを使用する場� �、マスクステージ123を移動することにより� �そのパターンSをビーム偏向領域内に移動さ� ��る。

 露光マスク110の上下に配された第3、第4� �磁レンズ108、111は、それらの電流量を調節� �ることにより、電子ビームEBを露光マスク110 上に収束させた上で、更に基板W上に結像さ� �る役割を担う。

 露光マスク110を通った電子ビームEBは、� �3、第4静電偏向器112、113の偏向作用によって 光軸Cに振り戻された後、第5電磁レンズ114に� ��ってそのサイズが縮小される。

 マスク偏向部140には、第1、第2補正コイ� �107、109が設けられており、それらにより、� �1~第4静電偏向器104、106、112、113で発生する� �ーム偏向収差が補正される。

 その後、電子ビームEBは、基板偏向部150� �構成する遮蔽板115のアパーチャ115aを通過し� ��第1、第2投影用電磁レンズ116、121によって� �板W上に投影される。これにより、露光マス� ��110のパターンの像が、所定の縮小率、例え� ��1/10の縮小率で基板Wに転写されることにな� �。

 基板偏向部150には、第5静電偏向器119と電 磁偏向器120とが設けられており、これらの偏 向器119、120によって電子ビームEBが偏向され� ��基板Wの所定の位置に露光マスクのパターン の像が投影される。

 更に、基板偏向部150には、基板W上におけ る電子ビームEBの偏向収差を補正するための� ��3、第4補正コイル117、118が設けられる。

 基板Wは、モータ等の駆動部125により水平 方向に移動可能なウエハステージ124に固定さ れており、ウエハステージ124を移動させるこ とで、基板Wの全面に露光を行うことが可能� �なる。

 一方、制御部200は、電子銃制御部202、電� ��光学系制御部203、マスク偏向制御部204、マ� ��クステージ制御部205、ブランキング制御部2 06、基板偏向制御部207及びウエハステージ制� ��部208を有する。これらのうち、電子銃制御� ��202は電子銃101を制御して、電子ビームEBの� �速電圧やビーム放射条件等を制御する。ま� �、電子光学系制御部203は、電磁レンズ102、10 5、108、111、114、116及び121への電流量等を制� �して、これらの電磁レンズが構成される電� �光学系の倍率や焦点位置等を調節する。ブ� �ンキング制御部206は、ブランキング電極127� �の印加電圧を制御することにより、露光開� �前から発生している電子ビームEBを遮蔽板115 上に偏向し、露光前に基板上に電子ビームEB� ��照射されるのを防ぐ。

 基板偏向制御部207は、第5静電偏向器119への 印加電圧と、電磁偏向器120への電流量を制御 することにより、基板Wの所定の位置上に電� �ビームEBが偏向されるようにする。ウエハス テージ制御部208は、駆動部125の駆動量を調節 して、基板Wを水平方向に移動させ、基板Wの� ��望の位置に電子ビームEBが照射されるよう� �する。上記の各部202~208は、ワークステーシ� ��ン等の統合制御系201によって統合的に制御� ��れる。
(電子銃の構成)
 図2に、電子銃101の構成図を示す。本実施形 態において、電子銃101は熱電界放射型を使用 する。電子銃101は、電子源20と、引き出し電� ��21と、引き出し電極21の下方に配置される加 速電極25と、電子源20の両側に配されたカー� �ン製の電子源加熱用発熱体22と、電子源20と� ��子源加熱用発熱体22とを支持する支持具23と 、支持具23を支持して囲んでいるサプレッサ� ��電極24とを有している。電子源は、例えば� �結晶のLaB ₆ またはCeB ₆ を用いる。

 引き出し電極21は、電子源20の先端に強い 電界を作り電子源20から電子を放射させるた� ��の電圧が印加される電極であり、例えば、� ��子源20の電子放出面から2mm以下の距離に設� �される。

 加速電極25は、電子源20から放射された電 子を加速させるための電圧が印加される電極 であり、例えば、引き出し電極21から20mmの距 離に設置される。

 このように構成された電子銃101において� ��電子銃制御部202は電子源加熱用電流を電子� ��加熱用発熱体22に加え続けて電子源20を1300� �に加熱し、電子源20を一定温度に保った状態 で、サプレッサー電極24と引き出し電極21の� �に強電界を印加して電子源20から電子を引き 出す。さらに、引き出し電極21の下方に配し� ��加速電極25に電圧を印加して、所定のエネ� �ギーの電子ビーム29を取り出し、電子ビーム 29をウエハステージ124上に固定されているレ� ��ストが塗布された基板Wに照射させることに よって電子ビーム露光がなされる。

 ここで、サプレッサー電極24にかける電� �は-0.1~-0.5kVであり、引き出し電極21にかける� ��圧は2.0~4.0kVである。これらの電圧は電子源2 0の電位に対する値であって、通常は真のア� �スグランドに対しては電子源20が-50kVである� ��で、-50kVを加算した値になる。

 なお、本実施形態では、電子源20を加熱� �ながら強電界をかけて電子放射させている� �このため、電子源20の表面にガス分子が吸着 することを防止でき、電子ビームの輝度の低 下を防止することができる。

 また、上記した電極に加えて、引き出し� ��極21と加速電極25の間に、静電レンズ電極26� ��設置するようにしてもよい。静電レンズ電� ��26は、電子源20から照射される電子照射の開 き角度を調整するための電極であり、加速電 極25に電子が照射されないようにするような� ��圧が印加される。

 図3は、電子銃を構成する電極間の電位分 布の一例を示す図である。図3の横軸は電子� �20の電子放出面からの距離を示し、縦軸は電 位を示している。図3のx1は引き出し電極21の� ��置、x2は静電レンズ電極26の位置を示してい る。また、図3では、加速電極25の電位を0[kV]� ��し、電子源20の電子放出面の電位を-50[kV]と� ��た場合について示している。

 図3に示すように、静電レンズ電極26の位置� ��、電圧が電子放出面のカソード電圧よりご� ��わずか高い電位を持つような電子レンズを� ��成することにより、電子照射の開き角度が� ��さくなり、加速電極25に電子があたらない� �うにすることができる。これにより、加速� �極25に電子ビームが照射されて熱が発生する ことがなくなり、露光装置内の真空度の低下 を防御することが可能となる。
(引き出し電極の構成)
 次に、本実施形態で使用する引き出し電極2 1の構成について図4を参照して説明する。

 電子ビーム露光装置では、電子ビームの� ��度を大きくすることが、スループット向上� ��ために重要となる。

 電子ビームの輝度を大きくするために、� ��子源20の電子放出面20aに強電界をかけるよ� �にする。導電体の表面に強電界をかけるこ� �によって、電子を表面内に閉じ込めている� �テンシャル障壁が引き下げられて、電子の� �ンネル現象が起こり、表面から電子を放出� �せることができる。従って、負の電界強度� �電子放出面20a近傍で大きくすることができ� �ば、電子放出面20aから多量の電子を放出さ� �ることが可能となる。

 通常、引き出し電極21を使用して、電子� �から電子を放射させているが、本発明者等� �、電子放出面20a近傍の電界強度をより強く� �るために、引き出し電極21の形状に着目した 。

 図4は、引き出し電極21の形状を示す断面� ��である。図4に示すように、引き出し電極21� ��、中央に開口部21aを有し、光軸を中心とし� ��電子源20に向かって球状凹面21bを有してい� �。電子放出面20aは、例えば、直径50μm、引き 出し電極21の開口部21aの直径は100μmである。� ��た、引き出し電極21の球状凹面21bは光軸上� �中心を持ち半径200μmの球面の一部である。� �た、電子放出面20aと引き出し電極21の下面ま での距離は200μmである。

 以下に、引き出し電極21に球状凹面21bを� �けることにより、電子放出面20a近傍の電界� �度を強くできることについて説明する。

 図5は、電子源20の電子放出面20aと引き出� ��電極21との間の電界による電位分布を示し� �いる。図5において、破線は等電位面を示し� ��いる。図5(a)は引き出し電極21の形状が平板� ��のときの電位分布を示しており、図5(b)は、 図4に示す引き出し電極21を使用したときの電 位分布を示している。図5(a)に示すように、� �き出し電極21の形状が平板の場合、引き出し 電極21の近傍では等電位面はほぼ電極に平行� ��あり、電子放出面20aとの間の等電位面もほ� ��平行になっている。図5(b)は引き出し電極21� ��球状凹面21bはその球の中心に向かって電界� ��かかるため、等電位面は球状になる。

 このように、電子源20の電子放出面20aに� �向する引き出し電極21の形状を球状凹面にす ることによって、その間の等電位分布を球状 にすることができる。特に、電子放出面20aを 球面とすることにより、見かけ上1点から電� �が出るようにすることができる。1点から電� ��がでるようにすることにより、電子ビーム� ��輝度を極めて大きくすることができる。

 図6は、電子放出面20aからの距離と電界強 度との関係を示したグラフである。図6の破� �は引き出し電極21の形状を平板状にしたとき の電界強度を示し、図6の実線は引き出し電� �21の形状を図4に示した形状にしたときの電� �強度を示している。

 図6に示すように、引き出し電極21の形状� ��平板状にしたときは、電子放出面20aに向か� ��ほど距離に比例して電界強度が大きくなっ� ��いる。また、図4に示す引き出し電極21の形� ��にしたときは、電界強度は電子放出面から� ��距離と反比例の関係になる。このように、� ��き出し電極21に球状凹面21bを設けることに� �り、電子放出面20a近傍での電界強度を極め� �大きくすることが可能となる。

 なお、電子放出面20aを球面ではなく平面� ��する場合には、1点から電子がでるようにす ることはできないが、電子は最小錯乱円から 出るように振舞う。従って、最小錯乱円の大 きさに依存するものの、平板の引き出し電極 の場合よりも電子ビームの輝度を大きくする ことができる。

 このように、本実施形態の引き出し電極� ��使用すると、電子放出面20a近傍の電界強度� ��従来よりも大きくすることができ、電子源2 0から多量の電子を放出させることが可能に� �る。

 従って、引き出し電極21の電子源20に向かう 面を球状凹面21bにすることによって、従来と 同じ電圧を引き出し電極21に印加した場合に� ��子放出面20a近傍の電界強度を従来よりも大� ��な値とすることが可能になる。また、引き� ��し電極21に印加する電圧を従来よりも小さ� �した場合でも、電子放出面20a近傍の電界強� �を従来と同等か又は従来よりも大きな値と� �ることが可能となる。例えば、従来の引き� �し電極21には3.0kV~6.0kVの電圧を印加していた� ��、本実施形態の引き出し電極21では、2.0kV~4. 0kVの電圧を印加すればよい。
(電子源の構成)
 次に、本実施形態で使用する電子源20の構� �について説明する。

 図7は電子銃101を構成する電子源20の部分� ��び電極を示す断面図である。

 電子源20は先端部が円錐状に形成され、� �囲はカーボン30で覆われている。このカーボ ン30は、例えばCVD法により電子源20上表面に� �成される。電子源20の先端は、電子源20の材� ��が露出し、露出部分は平坦化される。

 電子源20の先端は、サプレッサー電極24と 引き出し電極21の間に位置するように配置さ� ��る。サプレッサー電極24には0又はマイナス� ��電圧が印加され、電子源20の先端以外の部� �から放出される電子を遮蔽する働きをする� �電界強度は、引き出し電極21とサプレッサー 電極24との間の電圧差と、電子源20の先端の� �さ、角度及び先端の平坦部の直径で決定さ� �る。電子源20の先端平坦部はサプレッサー電 極24と引き出し電極21と平行になるように配� �される。

 電子源20は先端が円錐状になっており、� �子を放出する電子放出面20aは平坦になって� �る。円錐状の電子源20の周囲には電子源20を� ��成する材料とは異なる材料で覆われている� ��円錐状の部分は円錐角が50度以下であるこ� �が望ましい。電子を放出する面は直径10μmか ら100μmが望ましく、通常は40μmが望ましい。� ��た、電子源20の周囲を覆う材料の厚さは10μm が望ましい。ただし、この異なる材料による 被覆は、(1)電子源20から電子が放出されない� ��うにすること、及び、(2)基体の電子源20の� �料の昇華・蒸発を抑えることの2つの目的の� ��めのものであり、被覆材料の厚さの値は、� ��界強度、使用する材料に依存する。被覆材� ��が使用温度で蒸発して消耗することが少な� ��れば、電界強度を上げるためには薄い方が� ��い。

 電子源20に加えられる温度は、電子源20を 構成する材料が昇華する温度よりも低い温度 としている。この温度は例えば1100℃から1450� ��である。これは、電子源20から熱電子を放� �させるために高温を与えた場合には、電子� �20が昇華を起こし、電子放出面20aが減耗し、 変形してしまうので、昇華を起こさない程度 の温度にしているためである。温度を下げた 場合であっても、高温を与えた場合に得られ た電流密度及び輝度を達成する必要がある。 このために、強電界を電子源20の先端部にか� ��て、電子を引き出すようにしている。例え� ��、温度を1500℃から200℃落とした場合に、仕 事関数を0.3eV低減することができれば、1500℃ で温度を落とさず、熱電子放射によって得ら れるのと同じ電子ビームの輝度を得ることが できる。仕事関数を0.3eV低減しても電子を放� ��させるために、電子源20に高電界を印加し� �電子を放出させている。

 このとき、高い電界をかけるため、電子� ��出部分となる電子源20の先端部分だけでな� �、円錐状に形成した電子源20の側面部分から も電子が引き出されてしまうことになる。こ のため、所望の電子ビームの量及び形状が得 られなくなったり、周辺からの余分な電子に よる空間電荷効果の発生により中心部から発 生する電子ビームの輝度が低くなったりする ことがある。これを防ぐために、電子源20の� ��子放出部分以外を電子源20の材料とは異な� �材料で覆うようにする。この異なる材料と� �ては、電子源20を構成する材料よりも仕事関 数が大きい物質を選択する。

 なお、電子源20としてLaB ₆ を使用した場合には、LaB ₆ と反応を起こさず、LaB ₆ よりも仕事関数の大きなカーボン(C)を用いる ことが好ましい。このカーボンは酸素と反応 するため、カーボン膜の厚さが薄いと二酸化 炭素(CO ₂ )として蒸発してなくなることが予想される� �このため、カーボン膜の厚さは、2μmから10μ mにすることが好ましい。LaB ₆ と似た性質を有するCeB ₆ についても同様のカーボン材料が被覆物質と して有効である。

 図8は電子源20の先端部分の円錐角の大き� ��を変えた電子源20の断面図を示している。� �般的に、円錐形状の電子源20の先端半径が小 さいほど、また、先端角度が小さいほど先端 部分に強い電界集中が起こり、電子源20内の� ��子が表面の仕事関数障壁をトンネル現象に� ��り通過しやすくなる。しかし、極端に先端� ��分を細くすると、電子源20自体の強度が弱� �なってしまう。そこで、電子源20の強度及び 電界強度を考慮して、電子源20の先端の角度� ��決定している。

 図8(a)は、電子源20の先端部分の円錐角を9 0度程度にした場合である。図8(b)は図8(a)より も電子源20の先端部分の円錐角を小さくした� ��合である。従来、図8(a)のように、電子源20� ��先端部分の円錐角は90度程度で使用してい� �。図8(b)のように先端角度を小さくするほど� ��強い電界になり電子を容易に放出すること� ��可能になる。さらに、鏡筒内に存在するイ� ��ン等の微粒子が電子源の先端部分に衝突し� ��くくなるため、イオン等による電子源表面� ��消耗と変形効果を低減することが可能とな� ��。

 本実施形態では、電子源20の先端部の角度� �30度程度にしている。電子源20の材質、電子� ��20の長さや幅等のサイズにも依存するが、� �来使用されてきたものよりも長期間安定し� �使用することができる。
(電子源の表面に電子放出を制限する領域を� �成する方法)
 次に、上記の電子放出を制限する領域を電� ��源20に形成する方法について説明する。

 ここでは、図8に示した構造の電子源を例と し、電子源20としてLaB ₆ の単結晶を用いた場合について説明する。

 まず、LaB ₆ 単結晶を先端が円錐状になるように加工する 。

 次に、電子放出を制限する領域を形成する� ��めに、カーボン30をLaB ₆ 単結晶の表面にコーティングする。このコー ティングは、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、真� ��蒸着法、スパッタリング法等いずれの方法� ��あっても良い。このとき、コーティングす� ��膜の厚さは、電子放出表面の仕事関数を十� ��変える(LaB ₆ よりも大きくする)こととLaB ₆ 材料の蒸発を防ぐことができる厚さであれば よい。なお、カーボンを使用する場合は、カ ーボンが酸素と反応してCO ₂ となって蒸発することを考慮し、カーボンの 厚さは2μmから10μmにすることが好ましい。

 次に、電子源20の先端部を直径1μmから200μm� ��平坦になるように、コーティングした膜と� ��もに研磨する。
(露光方法)
 次に、本実施形態の電子銃を使用した露光� ��置の露光方法について説明する。

  一般に、電子ビーム露光装置においては、電 子銃101やサプレッサー電極24、引き出し電極2 1、静電レンズ電極26、加速電極25が格納され� ��電子銃室(不図示)内のクリーニングをする� �めに、使用開始時にコンディショニングを� �施している。コンディショニングでは、電� �銃101を構成する電極(電子源20、サプレッサ� �電極24、引き出し電極21、静電レンズ電極26)� ��加速電極25間に高電圧、例えば通常使用時� �電圧(50kV)の1.6倍程度の電圧(80kV)を印加して� �電を起こさせ、電子銃室内のごみを除去し� �いる。

 このコンディショニングにおいて、もし� ��引き出し電極21、静電レンズ電極26が省略さ れ、これらの電極が設置されておらず、電子 源20と加速電極25が直接相対する構造である� �合には、電子源20から放電が起こり、電子源 20が溶解したり破損したりするおそれがある� ��

 これを防止するため、コンディショニン� ��時には、引き出し電極21を設置するととも� �、この引き出し電極21の電位を電子源20の電� ��よりも低い電位になるようにして、電子源2 0から電子を引き出さないようにしている。

 所定の時間、例えば1から数十時間のコン ディショニングが終了した後は、電子源全体 に印加する電圧を通常の使用電圧値に戻し、 引き出し電極21の電位を電子源20の電位より� �高い電位にして通常の使用状態にする。

 このように、高電圧を電極に印加するコ� ��ディショニングにおいて、引き出し電極21� �電位を電子源20の電位よりも低くしているた め、電子源20から電子が引き出されることを� ��制でき、電子源20の溶解を防ぐことができ� �。

 なお、本実施形態では、電子銃101の先端� ��を平坦にし、かつ、電子放出面20aと電子源2 0の側面を覆う異種物質とを同一の平面上に� �るように形成した。上記実施形態では、電� �源20に加える熱は電子源20を構成する材料が� ��華を起こさない程度であるため、電子ビー� ��を放射しても電子源20が変形することはな� �ものとみなして、上記のような構造とした� �

 しかしながら、昇華が発生しない所定の� ��度の熱を加えたとしても、何らかの原因で� ��定の温度以上になることも考えられ、実際� ��予測の範囲を超えて電子源材料の消耗が起� ��り平坦面が維持できなくなり、時間ととも� ��中心が陥没していくことが予測されうる。� ��こで、このような場合も考慮して、電子源2 0の先端の電子放出面20aと周囲の異種物質面� �を同一平面上に形成しないで、図9に示すよ� ��に、電子放出面20aを含む先端部分が異種物� ��面よりも突出するように形成してもよい。

 また、本実施形態では、電子源の側面を電� ��の放出を制限する領域として説明したが、� ��10に示すように、電子放出面60aおよび通電� �て加熱するカーボンチップ62で挟まれる部分 を除いた電子源60の側面(61、61a)、及び裏面61b を異種物質で覆うようにしても良い。このよ うにすることにより、電子源60の昇華を削減� ��てウェーネルト等への付着物の量を削減す� ��ことが可能となる。
(効果)
 以上説明したように、本実施形態では、引� ��出し電極21の電子放出面20aに対向する部分� �球状凹面にしている。これにより、引き出� �電極21と電子放出面20aとの間の電位分布を球 面状にすることができ、電子放出面近傍の電 位を極めて大きくすることができる。従って 、熱電界放射型の電子銃を使用して低温で動 作させても、電子ビームの輝度を大きくする ことが可能となる。

 また、電子源20のチップの先端部の電子� �出面20aのみを露出させ、その他の側面部分� �異種物質でカバーしている。このような電� �源20を有する電子銃101を低温で動作させるた め、チップの昇華がほとんど起こらない。こ れにより、電子源20の電子放出面20aが変形す� ��ことなく、電子銃101を長期間安定して使用� ��ることができる。

 また、チップの昇華が起こらない温度で� ��子銃101を動作させるため、電子放出面20a近� ��の電位を大きくする強電界をかけている。� ��のように強電界をかけても、カーボン30で� �子源20の側面を覆っているため、電子源20の� ��面から電子が放出されることはない。これ� ��より、電子ビームの形状が変わることがな� ��、不必要な箇所が高温になって真空度が下� ��るという現象を防止することができる。

 また、事実上LaB ₆ の露出表面が電子銃先端中心部のみであるの で、従来のように、側壁部分や裏面などの大 きな面積部分からの昇華・蒸発によるウェー ネルトの内面へのLaB ₆ の付着を防止することができる。

 本実施形態の電子銃101を使用すると、電子� ��20の昇華の発生を抑え、電子源20を構成する LaB ₆ やCeB ₆ の物質がグリッドの裏面に付着することを防 ぐことが出来る。もし、これらの物質がグリ ッドの裏面に付着すると、この付着物がウィ スカとなり、この上に電子がたまり、微小放 電を起こすおそれがある。その場合には、電 子ビーム露光装置を使用したときに、電子ビ ームの量と照射位置が安定しないという現象 が起こってしまう。従って、たとえ、電子銃 101の電子源20の変形が小さくとも、微小放電� ��起こす状態になった場合には、電子ビーム� ��光装置は安定した使用ができないことにな� ��。

 従来の電子銃では、このような微小放電� ��起こるまでの期間は100hから500hと考えられ� �いた。これに対し、本実施形態の電子銃101� �用いると、上述したように電子源20の昇華が ほとんど発生しないようになるため、微小放 電が起こるまでの期間も従来に比べて数倍以 上長くすることが可能になる。これは、従来 よりも温度を50℃から200℃下げて使用するた� ��、電子源の昇華が数分の1から100分の1にな� �ためである。これにより、安定して電子ビ� �ム露光装置を使用できる期間を長くするこ� �が可能となる。

 さらに、電子銃101を複数使用して一つの� ��エハ上に露光するマルチコラム型電子ビー� ��露光装置において、本実施形態の電子銃101� ��使用することにより、安定して使用できる� ��間が従来に比べて格段に延びることになる� ��従来の電子銃を使用すると、上記のように1 00hから500hで微小放電が起こるため、短期間� �使用ごとに調整が必要となる。そのため、� �数の電子銃を使用した場合であっても、一� �の電子銃が不安定になれば装置全体を停止� �なければならず、稼働率が低下し、スルー� �ットを向上させることができない。これに� �し、本実施形態の電子銃をマルチコラム型� �子ビーム露光装置に使用することにより、� �働率が低下せず、実質的に露光処理のスル� �プットを向上させることが可能となる。