Zum Empfang verschiedener Fernsehprogramme wird der Empfänger auf die Frequenz abgestimmt, mit der das jeweilige Programm ausgestrahlt wird.

Die zu Übertragungszwecken benutzten Frequenzen, beispiels- weise in der Fernsehtechnik, sind in Bereiche eingeteilt, die als Frequenzbänder bezeichnet werden. Üblicherweise sind Emp- fänger auf ein Frequenzband oder mehrere Frequenzbänder ein- stellbar. Das hat den Vorteil, daß eine Empfangseinheit nicht für alle zu empfangenden Frequenzen ausgelegt sein muß, son- dern Teilempfangseinheiten vorgesehen sein können, die je- weils nur ein Frequenzband abdecken. Die Abstimmkreise in den Teilempfangseinheiten sind dann auf das verhältnismäßig klei- ne Frequenzspektrum des jeweiligen Bandes optimiert, verglei- che beispielsweise DE 36 06 437 C2.

Die bei der Fernsehübertragung benutzten Frequenzen sind in drei Bänder unterteilt. Das untere VHF-Band umfaßt z. B. das Frequenzspektrum von 45 bis 126 Megahertz, das obere VHF-Band die Frequenzen 133 bis 407 Megahertz und das UHF-Band das Frequenzintervall von 415 bis 860 Megahertz. Für den VHF-und den UHF-Bereich werden üblicherweise elektrisch unabhängige Teilempfangseinheiten eingesetzt, die üblicherweise einen Mi- scher und einen Oszillator enthalten. Jede Teilempfangsein- heit enthält mehrere Schwingkreise, welche auf die Empfangs-

frequenz oder die Oszillatorfrequenz abgestimmt sind. Als Ab- stimmelemente sind in den Schwingkreisen Kapazitätsdioden an- geordnet.

Normalerweise weisen Empfangseinheiten (Tuner) zwei oder drei Teilempfangseinheiten auf. Bei den sogenannten Drei-Band- Tunern ist je eine Teilempfangseinheit pro Band vorgesehen.

Weiterhin gibt es Tuner, welche nur zwei Teilempfangseinhei- ten enthalten, wobei eine der beiden Teilempfangseinheiten so ausgelegt ist, daß die enthaltenen Schwingkreise zwischen zwei Frequenzbändern umschaltbar sind. Hierfür sind in jedem Schwingkreis Induktivitäten vorgesehen, von denen eine mit- tels Schaltdioden zum Umschalten kurzgeschlossen werden kann.

Diese Tuner werden als Zwei-Band-Tuner bezeichnet.

Die Schwingkreise im Abstimmbereich einer Teilempfangseinheit müssen im Gleichlauf sein, um eine konstante Durchlasscharak- teristik und eine konstante Ausgangsfrequenz des Tuners zu gewährleisten. Deshalb werden an den Gleichlauf der Abstimm- dioden, welche üblicherweise Kapazitätsdioden mit einstellba- rer Kapazität sind, hohe Anforderungen gestellt.

Es sind zwei Möglichkeiten bekannt, Dioden mit guten Gleich- laufeigenschaften zu erhalten : In einem ersten bekannten Ver- fahren werden alle hergestellten Dioden bezüglich ihrer Kenn- linie vermessen, das heißt, es werden beispielsweise sechs verschiedene elektrische Spannungen angelegt, und jeweils die bei der angelegten Spannung meßbare Kapazität erfaßt. Dioden, welche geringe Abweichungen zueinander aufweisen, werden zu Sätzen zusammengestellt. In einem zweiten, bekannten Verfah- ren werden solche Dioden zu Sätzen zusammengestellt, welche bei der Herstellung auf dem Wafer unmittelbar benachbart sind. Dies wird als gleitender Gleichlauf bezeichnet. Den be- schriebenen, bekannten Verfahren ist der Nachteil gemeinsam, daß sie einen großen elektrischen und logistischen Aufwand erfordern.

Da die Kapazitätsdioden beziehungsweise Abstimmdioden der verschiedenen Teilempfangseinheiten für verschiedene Fre- quenzbänder ausgelegt sind, weisen die Dioden unterschiedli- che Kapazitätsbereiche auf. Während die für den unteren Fre- quenzbereich eines Drei-Band-Tuners zu verwendenden Kapazi- tätsdioden eine relativ große Kapazität aufweisen, haben die für den oberen Frequenzbereich benötigten Dioden eine ver- hältnismäßig kleine Kapazität. Die Kapazitätsbereiche bezie- hungsweise Kennlinien der Kapazitätsdioden können durch Va- riation der Abmessungen der Dioden sowie der Technologie be- einfluß werden.

Tuner, speziell solche, welche für Fernsehgeräte geeignet sind, unterliegen einem starken Kostendruck. Diesem wird durch eine höhere Integration der Bauteile beziehungsweise Reduzierung der Anzahl der Bauelemente begegnet. Allerdings ist eine gemeinsame Integration eines Satzes von Dioden, wel- che in einer einzigen Teilempfangseinheit einzusetzen sind, nicht möglich, da durch die dann gegebene Kopplung der Dioden untereinander die Schwingkreise in einer Teilempfangseinheit miteinander gekoppelt wären. Der damit verbundene Selektions- verlust läßt diese Alternative als nicht realisierbar er- scheinen.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein elektronisches Bauelement mit mehreren Kapazitätsdioden anzu- geben, welches zur Erfüllung der Anforderungen an den Gleich- lauf von Kapazitätsdioden in Fernseh-Tunern geeignet ist, und zugleich zur Kostenreduzierung beiträgt.

Weiterhin ist es Aufgabe der Erfindung, die Verwendung des Bauelements in einer Empfangseinheit und eine Schaltungsan- ordnung mit zumindest einem derartigen Bauelement anzugeben.

Bezüglich des Bauelements wird die Aufgabe mit einem elektro- nischen Bauelement mit einer ersten und einer zweiten Diode gelöst, welche in einem gemeinsamen Gehäuse angeordnet sind,

welche jeweils eine mit einer Steuerspannung in einem Kapazi- tätsbereich zwischen einer kleinsten Kapazität und einer größten Kapazität einstellbare Kapazität aufweisen, und wel- che jeweils eine Kennlinie der Kapazität in Abhängigkeit von der Steuerspannung aufweisen, wobei die Kennlinie der zweiten Diode ein festes, bekanntes Verhältnis zu der der ersten Diode hat.

Bezüglich der Verwendung wird die Aufgabe gelöst durch Ver- wendung eines oder mehrerer Bauelemente gemäß obiger Be- schreibung in einer Empfangseinheit, welche eine erste und eine zweite Teilempfangseinheit aufweist, wobei die ersten Dioden als Abstimmdioden in der ersten Empfangseinheit und die zweiten Dioden als Abstimmdioden in der zweiten Empfangs- einheit eingesetzt werden.

Besonders gute Gleichlaufeigenschaften, insbesondere der er- sten Dioden untereinander und der zweiten Dioden untereinan- der, ergeben sich dann, wenn für die Bauelemente verwendete Chips, welche die Dioden aufweisen, bei der Herstellung vor dem Zersägen auf einem Wafer unmittelbar benachbart sind.

Bezüglich der Schaltungsanordnung wird die Aufgabe mit einer Tunerschaltung gelöst, mit einem oder mehreren Bauelementen gemäß obiger Beschreibung, aufweisend einen ersten Teiltuner, in welchem die ersten Dioden der Bauelemente angeordnet sind, und einen zweiten Teiltuner, in welchem die zweiten Dioden der Bauelemente angeordnet sind.

Das beschriebene Bauelement weist zumindest zwei Dioden auf, wobei die Kapazität der Dioden jeweils mittels einer Steuer- spannung einstellbar ist. Die kleinste einstellbare Kapazität und die größte einstellbare Kapazität begrenzen den Kapazi- tätsbereich der Dioden nach unten beziehungsweise oben. Eine Kennlinie beschreibt die Abhängigkeit der Kapazität von der Steuerspannung. Die Kennlinie der zweiten Diode hat dabei ein festes, bekanntes Verhältnis zu dem der ersten Diode. Durch

Ausmessen der Kennlinie der ersten Diode läßt sich zuverläs- sig auf die Kennlinie der zweiten Diode schließen.

Die Integration mehrerer Dioden in einem Bauteil bietet eine Kostenersparnis, da eine Verkleinerung der benötigten Chipfläche möglich wird, sowie in Anwendungen, in denen diese Bauelemente benutzt werden, die Anzahl der erforderlichen Bauelemente reduziert werden kann. Die Produktionskosten sol- cher Anwendungen, beispielsweise als Empfangseinheiten, sin- ken.

Bei solchen Anwendungen, bei denen sehr hohe Anforderungen an den Gleichlauf der verwendeten Kapazitätsdioden gestellt wer- den, führt das beschriebene Prinzip ebenfalls zu einer Ko- stensenkung, da jeweils nur noch eine Diode eines Bauelements kontrolliert werden muß. Denn wenn die elektrischen Eigen- schaften einer Diode eines Bauelements meßtechnisch erfaßt sind, so sind die elektrischen Eigenschaften der weiteren, auf demselben Bauelement angeordneten Dioden ebenfalls be- kannt. Denn die Dioden eines Bauelementes sind den gleichen Fertigungsbedingungen, Umgebungsbedingungen und damit verbun- dener Toleranzen unterworfen. Vergleicht man nun die elektri- schen Eigenschaften, beispielsweise den Kapazitätsbereich, welcher insbesondere durch kleinste und größte einstellbare Kapazität gekennzeichnet ist, mehrerer erster Dioden ver- schiedener Bauelemente, beispielsweise durch Messung, und sind diese ersten Dioden im Gleichlauf, so sind auch alle zweiten beziehungsweise weiteren Dioden verschiedener Bauele- mente im Gleichlauf. Dies führt zu einem reduzierten Testauf- wand und damit zu einer Kostensenkung.

Die Zusammenfassung mehrerer Dioden auf einem Bauelement führt weiterhin zu einer höheren Ausbeute.

Die zweite Diode weist ein bezüglich der ersten Diode festes, bekanntes Kennlinien-Verhältnis auf. Somit gestattet die meß- technische Erfassung der Kennlinie der ersten Diode, das

heißt die Kapazität der Diode als Funktion der angelegten Steuerspannung, welche beispielsweise durch Messung an mehre- ren Punkten erfassbar ist, Rückschlüsse auf die tatsächliche Kennlinie der zweiten Diode.

In einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung weisen die erste und zweite Diode eines Bauelements ein gleiches Va- riationsverhältnis auf. Das Variationsverhältnis einer Kapa- zitätsdiode ist definiert als Quotient aus größter und klein- ster einstellbarer Kapazität. Dieses Variationsverhältnis ist unmittelbar abhängig von der Fläche einer Kapazitätsdiode.

Wenn beispielsweise die zweite Diode die doppelte Fläche der ersten Diode aufweist, so führt dies zu einer vierfachen Ka- pazität. Derartige Bauelemente sind besonders zur Anwendung in Empfangseinheiten, welche mehrere Teilempfangseinheiten mit verschiedenen Frequenzbändern aufweisen, geeignet. Für höhere Frequenzen sind Kapazitätsdioden mit kleinerer Kapazi- tät und kleinerem Kapazitätsbereich erforderlich.

Das Verhältnis von größter einstellbarer Kapazität zu klein- ster einstellbarer Kapazität kann als Steilheit bezeichnet werden. Wenn erste und zweite Diode in einem Herstellungsver- fahren bezüglich Implantationen und Dotierungen gleiche Fer- tigungsschritte durchlaufen haben, so ist die Steilheit ihrer Kennlinien gleich. Dies gilt auch dann, wenn durch eine Grö- ßenskalierung die Fläche einer ersten Diode ein Vielfaches der Fläche einer zweiten Diode ist. Haben erste und zweite Diode maskengesteuert unterschiedliche Fertigungsschritte durchlaufen, so ist die Steilheit ihrer Kennlinien unter- schiedlich.

In einer weiteren, vorteilhaften Ausführungsform der vorlie- genden Erfindung sind die erste und die zweite Diode in einem Bauelement monolithisch integriert.

In einer weiteren, vorteilhaften Ausführungsform der vorlie- genden Erfindung sind auf einem Bauelement benachbarte Dioden

entgegengesetzt gepolt, um die Verkopplung der Dioden zu ver- ringern.

Das Verbinden der Kathoden der Dioden eines Bauelements mit hochohmigen Widerständen ermöglicht weitere Platz-und Ko- stenersparnis, da in diesem Fall nur noch ein Widerstand für die Sperrspannungsversorgung des Bauelements notwendig ist.

In einigen Anwendungen für das beschriebene Bauelement werden zusätzliche Koppeldioden benötigt. Eine derartige Koppeldiode kann im beschriebenen Bauelement mit integriert sein.

In Zwei-Band-Tunern werden Schaltdioden zum Umschalten einer Teilempfangseinheit zwischen zwei Frequenzbändern benötigt.

Diese Schaltdioden können im Bauelement integriert sein.

Die unmittelbar benachbarte Anordnung mehrerer Kapazitäts- dioden auf einem Wafer bei der Herstellung des Bauelements vor dem Zersägen führt zu einer besonders hohen Paarung der Dioden der Bauelemente. Dies führt dazu, daß jeweils die er- sten Dioden der Bauelemente sehr gute Gleichlaufeigenschaften aufweisen, ebenso die zweiten Dioden der Bauelemente. Dies ist besonders für Anwendungen vorteilhaft, bei denen hohe Gleichlaufeigenschaften an Dioden eines Bestückungssatzes ge- stellt werden. Dies ist beispielsweise in Empfangseinheiten von Fernsehgeräten, welche mehrere Teilempfangseinheiten auf- weisen können, gegeben.

Weitere Ausführungen der vorliegenden Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.

Die Erfindung wird nun an mehreren Ausführungsbeispielen an- hand der Zeichnungen näher erläutert.

Es zeigen :

Figur 1 Eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfin- dung mit einer ersten und einer zweiten Kapazitäts- diode, Figur 2 Ein Bauelement gemäß Figur 1 mit einer dritten Ka- pazitätsdiode, Figur 3 Ein Bauelement gemäß Figur 1, mit hochohmig verbun- denen Kathoden der Dioden, Figur 4 Ein Bauelement gemäß Figur 2 mit hochohmig verbun- denen Kathoden der Dioden, Figur 5 Ein Bauelement gemäß Figur 1 mit einer Koppeldiode, Figur 6 Ein Bauelement mit einer Kapazitätsdiode und einer Schaltdiode, Figur 7 Ein Bauelement mit einer ersten und einer zweiten Kapazitätsdiode und mit einer Schaltdiode, Figur 8 Ein Anwendungsbeispiel mit vier Bauelementen gemäß Figur 2 in einem 3-Band-Tuner, und Figur 9 Ein Anwendungsbeispiel mit vier Bauelementen gemäß Figur 7 in einem 2-Band-Tuner.

Figur 1 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel eines Bauele- ments mit einer ersten Kapazitätsdiode Dl und einer zweiten Kapazitätsdiode D2. Diese sind in einem Bauelement inte- griert. Die Kennlinie der zweiten Diode D2 weist ein festes, bekanntes Verhältnis zu dem Kapazitätsbereich der ersten Diode D1 auf. Beispielsweise kann durch einfaches Skalieren der Dioden der Kapazitätsbereich der zweiten gegenüber der ersten Diode verschieden sein. Denn wenn die zweite Diode ei- ne kleinere Fläche als die erste Diode aufweist, so ist auch ihre Kapazität kleiner. Eine Verringerung der Kapazität um

den Faktor 4 führt dazu, daß der Kapazitätsbereich der zwei- ten Diode von 1/4 pF bis 5 pF variierbar ist bei einem Kapa- zitätsbereich der ersten Diode von 1 pF bis 20 pF. Das Varia- tionsverhältnis, welches gleich dem Quotienten aus größter zu kleinster einstellbarer Kapazität ist, bleibt bei dieser ein- fachen Größenskalierung der Dioden, bei der lediglich die Diodenfläche verändert ist, gleich. Im Zahlenbeispiel beträgt das Variationsverhältnis der ersten und der zweiten Diode je- weils 20.

Wenn die Variation des Kapazitätsbereichs der Dioden durch einfaches Größenskalieren, das heißt Vergrößern oder Verklei- nern der Diodenfläche der zweiten Diode D2 bezüglich der Diodenfläche der ersten Diode D1, nicht ausreicht, so ist ei- ne geeignete Implantation durch ein Dotieren des Halbleiter- materials mit Maskensteuerung bei der Herstellung des Bauele- mentes möglich. Hierdurch ist es beispielsweise möglich, daß der Kapazitätsbereich der zweiten Diode von 1 pF bis 30 pF reicht, während derjenige der ersten Diode von 1 pF bis 20 pF reicht. Die erste und zweite Diode des Bauelements gemäß Fi- gur 1 sind entgegengesetzt gepolt, um eine möglichst geringe Kopplung der Dioden miteinander zu erreichen.

Das Bauelement gemäß Figur 2 weist ebenso wie das Bauelement gemäß Figur 1 eine erste und eine zweite Kapazitätsdiode D1, D2 auf, darüberhinaus ist aber eine dritte Kapazitätsdiode D3 vorgesehen. Gegenüber den ersten beiden Dioden D1, D2 kann die dritte Diode D3 ebenfalls durch Größenskalierung einen veränderten Frequenzbereich aufweisen. Ein derartiges Bauele- ment, welches drei Kapazitätsdioden mit jeweils verschiedenem Kapazitätsbereich aufweist, ist beispielsweise zur Anwendung in Drei-Band-Tunern geeignet, da zur Abstimmung der Resonanz- kreise der verschiedenen Frequenzbänder an die Frequenzen an- gepaßte Kapazitätsdioden erforderlich sind. Je höher die Fre- quenz des entsprechenden Frequenzbandes ist, desto kleiner ist die Kapazität sowie der Kapazitätsbereich der zu verwen- denden Abstimmdiode.

Figur 3 zeigt ein Bauteil mit einer ersten Kapazitätsdiode D1 und einer zweiten Kapazitätsdiode D2 gemäß Figur 1, wobei die Kathodenanschlüsse der beiden Dioden durch einen hochohmigen Widerstand mit Rl gleich 20 kg verbunden sind. Durch Integra- tion eines Widerstands R1 im Bauelement ist zum Anschluß des Bauelements an eine externe Sperrspannungsversorgung nurmehr ein Widerstand erforderlich.

Figur 4 zeigt ein Bauteil mit einer ersten und einer zweiten Diode D1, D2 sowie einer dritten Diode D3, welche unter- schiedliche Kapazitätsbereiche aufweisen können, wobei die Kathodenanschlüsse der ersten Diode Dl und der zweiten Diode D2 mit einem hochohmigen Widerstand R2 miteinander verbunden sind, und die Kathodenanschlüsse der zweiten Diode D2 und der dritten Diode D3 ebenfalls mit einem hochohmigen Widerstand R3 miteinander verbunden sind. Für den Anschluß des Bauele- ments gemäß Figur 4 an eine Sperrspannungsversorgung ist so- mit ebenfalls nur ein externer Widerstand erforderlich.

Zusätzlich zur ersten Diode D1 und zur zweiten Diode D2 weist das Bauelement gemäß Figur 5 eine zusätzliche Koppeldiode D4 auf. Dies kann in solchen Tunern, in denen Koppeldioden benö- tigt werden, vorteilhaft sein. Das Bauelement gemäß Figur 6 weist eine erste Diode D1 sowie zusätzlich eine Schaltdiode S1 auf.

Das Bauelement gemäß Figur 7 weist eine erste Kapazitätsdiode Dl und eine zweite Kapazitätsdiode D2 gemäß Figur 1 auf und zusätzlich eine Schaltdiode S1. Für die Anwendung in Zwei- Band-Tunern ist ein derartiges Bauelement besonders geeignet, da in Empfangseinheiten der Fernsehtechnik, welche aus zwei Teilempfangseinheiten bestehen, eine der beiden Teilempfangs- einheiten so ausgeführt sein muß, daß zwischen zwei Frequenz- bändern umgeschaltet werden kann. Hierfür sollte jeder Ab- stimmdiode beziehungsweise Kapazitätsdiode in einer Teil- empfangseinheit eine Schaltdiode S1 zugeordnet sein.

Figur 8 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Drei-Band- Fernsehtuners, welcher drei Teilempfangseinheiten aufweist.

Dabei ist der untere dargestellte Teilempfänger VHF1 für Fre- quenzen von 45 bis 126 Megahertz ausgelegt, der mittlere Tei- empfänger VHF2 umfaßt das Frequenzspektrum von 133 bis 407 Megahertz und der dritte Teilempfänger UHF ist zum Empfang im Frequenzintervall von 415 bis 860 Megahertz geeignet. Jede Empfangseinheit weist einen Mischer M1, M2, M3 auf, in dem das Empfangssignal, welches beispielsweise an einem Antennen- eingang ANT zuführbar ist, mit einem lokal in einem Oszilla- tor LO1, L02, L03 erzeugten Signal gemischt wird. Jede Tei- lempfangseinheit VHF1, VHF2, UHF weist einen Satz von Kapazi- tätsdioden auf, welche miteinander im Gleichlauf sind. Eine horizontale Integration der vier zu einer Teilempfangseinheit gehörenden Abstimmdioden scheidet aus, da die einzelnen Dioden und damit die Schwingkreise untereinander verkoppelt wären. Dies würde zu einem Selektionsverlust führen. Möglich ist aber eine Integration der Abstimmdioden in vertikaler Richtung. Es werden also jeweils drei Dioden D1, D2, D3 in einem gemeinsamen Gehäuse zusammengefaßt beziehungsweise in- tegriert. Die Anzahl der Abstimmdioden-Bauelemente kann im Ausführungsbeispiel von 12 auf 4 reduziert werden. Es werden nurmehr vier Bauelemente IC1, IC2, IC3, IC4 benötigt, welche jeweils drei Abstimmdioden D1, D2, D3 aufweisen, welche je- weils an die verschiedenen, entsprechenden Frequenzniveaus angepaßt sein müssen. Die ersten Dioden D1 der Teilempfangs- einheit mit der niedersten Frequenz VHF1 haben eine relative große Kapazität. Die dritten Dioden D3 des höchsten Frequenz- bandes UHF haben eine verhältnismäßig kleine Kapazität. Die Kapazität der zweiten Dioden D2 des mittleren Frequenzbandes VHF2 liegen dazwischen. Die Kapazität der Kapazitätsdioden Dl, D2, D3 ist mit einer Spannung U einstellbar. Die Anpas- sung der Dioden Dl, D2, D3 bezüglich ihres jeweiligen Kapazi- tätsbereichs an das jeweilige Frequenzband ist beispielsweise mit einer bereits beschriebenen Größenskalierung möglich. Ne- ben der Einsparung von Kosten und Aufwand durch Reduzierung

der Bauelemente erlaubt diese Skalierung eine erleichterte Dimensionierung der PLL (Phase Locked Loop)-Synthesizer. Es ergibt sich ein verbessertes Rauschverhalten der Oszillatoren L01, L02, LO3. Die Teilempfangseinheiten VHF1, VHF2, UHF wei- sen jeweils einen Verstärker V1, V2, V3 auf, denen ein Steu- ersignal I zuführbar ist. Das verstärkte Ausgangssignal O ist an den Ausgängen der Mischer Ml, M2, M3 ableitbar.

Die Diodensätze, welche Dioden aufweisen, die sich jeweils im Gleichlauf befinden, können nunmehr in einfacherer Weise zu- sammengestellt werden, da es genügt, jeweils alle ersten oder alle zweiten oder alle dritten Dioden bezüglich ihrer elek- trischen Eigenschaften, beispielsweise Kennlinie oder dem Ka- pazitätsbereich, zu erfassen und zu vergleichen. Das Verhält- nis des Kapazitätsbereichs der übrigen Dioden der Bauelemente zu den verglichenen Dioden ist bekannt, daher sind dann auch diese Dioden im Gleichlauf.

Wenn bei der Herstellung der Bauelemente, welche mehrere, mo- nolithisch integrierte Kapazitätsdioden aufweisen, die späte- ren Bauelemente auf dem Wafer unmittelbar benachbart angeord- net werden, so lassen sich besonders gute Gleichlaufeigen- schaften der ersten, zweiten und dritten Dioden jeweils un- tereinander erreichen.

Figur 9 zeigt einen Zwei-Band-Tuner für Fernsehgeräte, wobei der untere Teilempfänger VHF umschaltbar zwischen zwei Fre- quenzbändern ausgeführt ist. Hierfür sind Schaltdioden S1 vorgesehen, mit denen Induktivitäten (nicht eingezeichnet) kurzgeschlossen werden und so zwischen zwei Frequenzbereichen umgeschaltet werden kann. Für die ersten und zweiten Dioden D1, D2 gilt sinngemäß das in der Figurenbeschreibung der Fi- gur 8 ausgeführte. Auf einem Bauelement IC1, IC2, IC3, IC4 sind hierbei jeweils eine erste Diode D1, eine zweite Diode D2 und eine Schaltdiode S1 angeordnet.