以下、本発明に係る電子部品を受動部品� ��適用した実施の形態例を図1~図18を参照しな がら説明する。

 本実施の形態に係る受動部品10は、図1に� ��すように、トリプレクサ(triplexer)であって� �1つの入力端子12と3つの出力端子(第1出力端� �14a~第3出力端子14c)を有する。

 入力端子12と第1出力端子14aとの間にはハ� ��パスフィルタ16が接続され、入力端子12と第 2出力端子14bとの間には第1ローパスフィルタ1 8aとSAWフィルタ20が直列に接続され、入力端� �12と第3出力端子14cとの間には第1ローパスフ� ��ルタ18aと第2ローパスフィルタ18bが直列に接 続されている。

 この受動部品10の回路構成例を図2に示す� ��ハイパスフィルタ16は、入力端子12と第1出� �端子14a間に接続された第1キャパシタC1と、� �1出力端子14aとGND(グランド)間に接続された� �1インダクタL1と第2キャパシタC2の直列回路� �で構成されている。

 第1ローパスフィルタ18aは、入力端子12と� ��点22(第1ローパスフィルタ18aとSAWフィルタ20� ��の接点)間に接続された第2インダクタL2と、 該第2インダクタL2と接点22間のラインとGNDと� ��間に接続された第3インダクタL3と第3キャパ シタC3の直列回路とで構成されている。

 第2ローパスフィルタ18bは、接点22と第3出 力端子14c間に接続された第4インダクタL4と第 4キャパシタC4の並列回路と、接点22とGND間に� ��続された第5キャパシタC5と、第3出力端子14c とGND間に接続された第6キャパシタC6とで構成 されている。

 この受動部品10の外観は、図3に示すよう� ��、後述するように複数の誘電体層が積層さ� ��て構成され、且つ、内部に複数の電極が形� ��された誘電体基板24と、該誘電体基板24上に 実装されたSAWフィルタ20とを有する。

 端子構造としては、例えば図4に示すよう に、例えば側面端子構造を採用することがで き、この場合、例えば誘電体基板24の第1側面 24aに形成された3つの端子のうち、中央の端� �を入力端子、両側の2つの端子をそれぞれア� ��ス端子(第1アース端子26a及び第2アース端子2 6b)とし、誘電体基板24の第2側面24b(第1側面24a� ��対向する側面)に形成された3つの端子のう� �、中央の端子を第3出力端子14c、両側の2つの 端子をそれぞれアース端子(第3アース端子26c� ��び第4アース端子26d)とし、誘電体基板24の第 3側面24cに形成された1つの端子を第1出力端子 14aとし、誘電体基板24の第4側面24d(第3側面24c� ��対向する側面)に形成された1つの端子を第2� ��力端子14bとすることができる。

 その他の端子構造としては、例えば図5に 示すように、例えば誘電体基板24の下面24uの� ��に全ての端子を形成する、いわゆる下面端� ��構造を採用することができ、この場合、例� ��ば誘電体基板24の下面であって第1側面24aに� ��接して形成された3つの端子のうち、中央の 端子を入力端子12、両側の2つの端子をそれぞ れアース端子(第1アース端子26a及び第2アース 端子26b)とし、誘電体基板24の下面24uであって 第2側面24bに近接して形成された3つの端子の� ��ち、中央の端子を第3出力端子14c、両側の2� �の端子をそれぞれアース端子(第3アース端子 26c及び第4アース端子26d)とし、誘電体基板24� �下面24uであって第3側面24cに近接して形成さ� ��た1つの端子を第1出力端子14aとし、誘電体� �板24の下面24uであって第4側面24dに近接して� �成された1つの端子を第2出力端子14bとするよ うにしてもよい。

 なお、図4及び図5においては、SAWフィル� �20が実装される部分の電極構造(電極の個数� �配列等)については省略して図示してある。

 そして、誘電体基板24内には、SAWフィル� �20を除く、ハイパスフィルタ16、第1ローパス フィルタ18a及び第2ローパスフィルタ18bをそ� �ぞれ構成する複数の電極が形成されている� �

 その電極構造の一例を図6を参照しながら 説明する。図6では、端子構造として下面端� �構造(図5参照)を採用している。

 図6に示すように、誘電体基板24は、上か� ��順に、第1誘電体層S1~第13誘電体層S13が積み� ��ねられて構成されている。これらの第1誘電 体層S1~第13誘電体層S13は、1枚あるいは複数枚 の層にて構成される。

 第1誘電体層S1の主面及び第2誘電体層S2の� ��面には、SAWフィルタ20(図6では図示せず)を� �装するための複数の電極が形成されている� �

 第12誘電体層S12の主面には、ビアホール30 を介して第1アース端子26a~第4アース端子26dと 電気的に接続される内層アース電極32が形成� ��れている。

 特に、この受動部品10においては、誘電� �層の積層方向(下から上に向かって)、内層ア ース電極32、キャパシタ形成領域34、インダ� �タ形成領域36が配列されて構成されている。 インダクタ形成領域36は、第3誘電体層S3~第8� �電体層S8の範囲であり、キャパシタ形成領域 34は、第9誘電体層S9~第11誘電体層S11の範囲で� ��る。各誘電体層の材料は、インダクタ形成� ��域36を低誘電率材、キャパシタ形成領域34を 高誘電率材として、異種材接合構造とするの が好適である。

 そして、インダクタ形成領域36の第3誘電� ��層S3の主面には、4つのインダクタ形成用電� ��(電極40a1~電極40a4)が形成されている。第4誘� ��体層S4の主面にも、4つのインダクタ形成用� ��極(電極40b1~電極40b4)が形成されている。

 このうち、電極40a1と電極40b1は、各パタ� �ン形状が実質的に同じとされ、第3誘電体層S 3を間に挟んで互いに対向しており、ビアホ� �ル42aにて電気的に接続されている。電極40a2� ��電極40b2のパターン形状も実質的に同じとさ れ、互いに対向しており、ビアホール42bにて 電気的に接続されている。同様に、電極40a3� �電極40b3のパターン形状も実質的に同じとさ� ��、互いに対向しており、ビアホール42cにて� ��気的に接続されている。電極40a4と電極40b4� �パターン形状も実質的に同じとされ、互い� �対向しており、ビアホール42dにて電気的に� �続されている。

 つまり、電極40a1と電極40b1は一対のイン� �クタ形成用電極40Aを構成し、電極40a2と電極4 0b2は一対のインダクタ形成用電極40Bを構成し 、電極40a3と電極40b3は一対のインダクタ形成� ��電極40Cを構成し、電極40a4と電極40b4は一対� �インダクタ形成用電極40Dを構成している。

 また、電極40a2、電極40a3及び電極40a4は、� ��一端部が互いに接続されて形成され、同様� ��、電極40b2、電極40b3及び電極40b4も、各一端� ��が互いに接続されて形成されている。さら� ��、これら接続部分がビアホール44を介して� �1誘電体層S1に形成されたSAWフィルタ20の実装 用電極46に電気的に接続されている。すなわ� ��、上述の接続部分は、一対のインダクタ形� ��用電極40Bと、一対のインダクタ形成用電極4 0Cと、一対のインダクタ形成用電極40Dとの接� ��部分を構成する。

 同様に、第5誘電体層S5の主面には、4つの インダクタ形成用電極(電極48a1~電極48a4)が形� ��されている。第6誘電体層S6の主面にも、4つ のインダクタ形成用電極(電極48b1~電極48b4)が� ��成されている。

 このうち、電極48a1と電極48b1は、各パタ� �ン形状が実質的に同じとされ、第5誘電体層S 5を間に挟んで互いに対向しており、ビアホ� �ル50aにて電気的に接続されている。電極48a2� ��電極48b2のパターン形状も実質的に同じとさ れ、互いに対向しており、ビアホール50bにて 電気的に接続されている。同様に、電極48a3� �電極48b3のパターン形状も実質的に同じとさ� ��、互いに対向しており、ビアホール50cにて� ��気的に接続されている。電極48a4と電極48b4� �パターン形状も実質的に同じとされ、互い� �対向しており、ビアホール50dにて電気的に� �続されている。

 つまり、電極48a1と電極48b1は一対のイン� �クタ形成用電極48Aを構成し、電極48a2と電極4 8b2は一対のインダクタ形成用電極48Bを構成し 、電極48a3と電極48b3は一対のインダクタ形成� ��電極48Cを構成し、電極48a4と電極48b4は一対� �インダクタ形成用電極48Dを構成している。

 同様に、第7誘電体層S7の主面には、4つの インダクタ形成用電極(電極52a1~電極52a4)が形� ��されている。第8誘電体層S8の主面にも、4つ のインダクタ形成用電極(電極52b1~電極52b4)が� ��成されている。

 このうち、電極52a1と電極52b1は、各パタ� �ン形状が実質的に同じとされ、第7誘電体層S 7を間に挟んで互いに対向しており、ビアホ� �ル54aにて電気的に接続されている。電極52a2� ��電極52b2のパターン形状も実質的に同じとさ れ、互いに対向しており、ビアホール54bにて 電気的に接続されている。同様に、電極52a3� �電極52b3のパターン形状も実質的に同じとさ� ��、互いに対向しており、ビアホール54cにて� ��気的に接続されている。電極52a4と電極52b4� �パターン形状も実質的に同じとされ、互い� �対向しており、ビアホール54dにて電気的に� �続されている。

 つまり、電極52a1と電極52b1は一対のイン� �クタ形成用電極52Aを構成し、電極52a2と電極5 2b2は一対のインダクタ形成用電極52Bを構成し 、電極52a3と電極52b3は一対のインダクタ形成� ��電極52Cを構成し、電極52a4と電極52b4は一対� �インダクタ形成用電極52Dを構成している。

 さらに、一対のインダクタ形成用電極40A� ��一対のインダクタ形成用電極48Aとが第4誘電 体層S4に形成されたビアホール56aにて電気的� ��接続され、一対のインダクタ形成用電極40B� ��一対のインダクタ形成用電極48Bとが第4誘電 体層S4に形成されたビアホール56bにて電気的� ��接続され、一対のインダクタ形成用電極40C� ��一対のインダクタ形成用電極48Cとが第4誘電 体層S4に形成されたビアホール56cにて電気的� ��接続され、一対のインダクタ形成用電極40D� ��一対のインダクタ形成用電極48Dとが第4誘電 体層S4に形成されたビアホール56dにて電気的� ��接続されている。

 同様に、一対のインダクタ形成用電極48A� ��一対のインダクタ形成用電極52Aが第6誘電体 層S6に形成されたビアホール58aにて電気的に� ��続され、一対のインダクタ形成用電極48Bと� ��対のインダクタ形成用電極52Bとが第6誘電体 層S6に形成されたビアホール58bにて電気的に� ��続され、一対のインダクタ形成用電極48Cと� ��対のインダクタ形成用電極52Cとが第6誘電体 層S6に形成されたビアホール58cにて電気的に� ��続され、一対のインダクタ形成用電極48Dと� ��対のインダクタ形成用電極52Dとが第6誘電体 層S6に形成されたビアホール58dにて電気的に� ��続されている。

 ここで、一対のインダクタ形成用電極40A� ��ビアホール56a、一対のインダクタ形成用電� ��48A、ビアホール58a及び一対のインダクタ形� ��用電極52Aによって図2の第1インダクタL1が構 成され、一対のインダクタ形成用電極40B、ビ アホール56b、一対のインダクタ形成用電極48B 、ビアホール58b及び一対のインダクタ形成用 電極52Bによって図2の第2インダクタL2が構成� �れ、一対のインダクタ形成用電極40C、ビア� �ール56c、一対のインダクタ形成用電極48C、� �アホール58c及び一対のインダクタ形成用電� �52Cによって図2に示す第3インダクタL3が構成� ��れ、一対のインダクタ形成用電極40D、ビア� ��ール56d、一対のインダクタ形成用電極48D、� ��アホール58d及び一対のインダクタ形成用電� ��52Dによって図2に示す第4インダクタL4が構成 される。

 また、第7誘電体層S7の主面には、第2出力 端子14bとSAWフィルタ用実装電極との接続位置 を調整するための接続電極60が形成されてい� ��。

 第9誘電体層S9の主面には、2つのキャパシ タ形成用電極(キャパシタ電極62a1及び第5キャ パシタ電極62e)が形成されている。このうち� �キャパシタ電極62a1は、第3誘電体層S3~第8誘� �体層S8に形成されたビアホール64を介して一� ��のインダクタ形成用電極40Aと電気的に接続� ��れると共に、第7誘電体層S7~第13誘電体層S13� ��形成されたビアホール66を介して一対のイ� �ダクタ形成用電極52B及び入力端子12と電気的 に接続されている。第5キャパシタ電極62eは� �第3誘電体層S3~第8誘電体層S8に形成されたビ� ��ホール68を介して上述した接続部分(一対の� ��ンダクタ形成用電極40Bと、一対のインダク� ��形成用電極40Cと、一対のインダクタ形成用� ��極40Dとの接続部分)と電気的に接続されてい る。

 また、第10誘電体層S10の主面には、2つの� ��ャパシタ形成用電極(キャパシタ電極62a2及� �第4キャパシタ電極62d)が形成されている。こ のうち、キャパシタ電極62a2は、第9誘電体層S 9を間に挟んでキャパシタ電極62a1と対向した� ��置に形成され、第10誘電体層S10~第13誘電体� �S13に形成されたビアホール70を介して第1出� �端子14aに電気的に接続されている。第4キャ� ��シタ電極62dは、第9誘電体層S9を間に挟んで� ��5キャパシタ電極62eと対向した位置に形成さ れ、第7誘電体層S7~第13誘電体層S13に形成され たビアホール72を介して一対のインダクタ形� ��用電極52Dに電気的に接続されると共に、第3 出力端子14cに電気的に接続されている。

 第11誘電体層S11の主面には、3つのキャパ� ��タ形成用電極(第2キャパシタ電極62b、第3キ� ��パシタ電極62c及び第6キャパシタ電極62f)が� �成されている。第2キャパシタ電極62bは、第1 1誘電体層S11を間に挟んで下層の内層アース� �極32と対向すると共に、第7誘電体層S7~第10誘 電体層S10に形成されたビアホール74を介して� ��対のインダクタ形成用電極52Aに電気的に接� ��されている。第3キャパシタ電極62cは、第11� ��電体層S11を間に挟んで下層の内層アース電� ��32と対向すると共に、第7誘電体層S7~第10誘� �体層S10に形成されたビアホール76を介して一 対のインダクタ形成用電極52Cに電気的に接続 されている。第6キャパシタ電極62fは、第10誘 電体層S10を間に挟んで上層の第4キャパシタ� �極62dと対向すると共に、第11誘電体層S11を間 に挟んで下層の内層アース電極32と対向し、� ��らに、第7誘電体層S7~第13誘電体層S13に形成� ��れたビアホール72を介して一対のインダク� �形成用電極52Dに電気的に接続されると共に� �第4キャパシタ電極62d及び第3出力端子14cに電 気的に接続されている。

 そして、キャパシタ電極62a1とキャパシタ 電極62a2にて図2に示す第1キャパシタC1が構成� ��れ、第2キャパシタ電極62bと内層アース電極 32にて第2キャパシタC2が構成され、第3キャパ シタ電極62cと内層アース電極32にて第3キャパ シタC3が構成され、第4キャパシタ電極62dと第 6キャパシタ電極62fにて第4キャパシタC4が構� �され、第5キャパシタ電極62eと内層アース電� ��32にて第5キャパシタC5が構成され、第6キャ� ��シタ電極62fと内層アース電極32にて第6キャ� ��シタC6が構成される。

 ここで、1つの実験例を示す。この実験例 は、上述した本実施の形態に係る受動部品10� ��おいて、一対の同一パターンにおけるパタ� ��ン間の距離と積層方向に隣接する各一対の� ��一パターン間の距離によるQ値の変化を測定 したものである。具体的には、図7に模式的� �示すように、受動部品10のうち、第1インダ� �タL1を構成する一対のインダクタ形成用電極 40A、一対のインダクタ形成用電極48A及び一対 のインダクタ形成用電極52Aについて、周波数 1GHzに対するQ値とインダクタンス値(nH)を測定 した。測定結果を表1に示す。

 表1において、距離Daは、一対のインダク� ��形成用電極40Aを構成する電極40a1と電極40b1� �の距離、一対のインダクタ形成用電極48Aを� �成する電極48a1と電極48b1間の距離、一対のイ ンダクタ形成用電極52Aを構成する電極52a1と� �極52b1間の距離をそれぞれ示す。距離Dbは、� �対のインダクタ形成用電極40Aの電極40b1と一� ��のインダクタ形成用電極48Aの電極48a1間の距 離、並びに一対のインダクタ形成用電極48Aの 電極48b1と一対のインダクタ形成用電極52Aの� �極52a1間の距離をそれぞれ示す。

 なお、距離Da=0は、図8に示すように、イ� �ダクタ形成用電極40A、インダクタ形成用電� �48A、インダクタ形成用電極52Aがそれぞれ一� �構成となっていない構造を示し、これは従� �構造に相当する。

 従来構造の受動部品は、図9に示すように 、上から順に、第1誘電体層S1~第10誘電体層S10 が積み重ねられて構成された誘電体基板24を� ��する。このうち、インダクタ形成領域36は� �第5誘電体層S5~第7誘電体層S7の範囲である。� ��お、説明を簡単にするために、キャパシタ� ��成領域並びにビアホールの説明は省略する� ��

 従来構造において、第5誘電体層S5の主面� ��は、インダクタ形成用電極40A~インダクタ形 成用電極40Dがそれぞれ1つずつ形成され、第6� ��電体層S6の主面には、インダクタ形成用電� �48A~インダクタ形成用電極48Dがそれぞれ1つず つ形成され、第7誘電体層S7の主面には、イン ダクタ形成用電極52A~インダクタ形成用電極52 Dがそれぞれ1つずつ形成されている。

 さらに、インダクタ形成用電極40A、イン� ��クタ形成用電極48A及びインダクタ形成用電� ��52Aがビアホールを介して電気的に接続され� ��ことで、図2の第1インダクタL1が構成され、 インダクタ形成用電極40B、インダクタ形成用 電極48B及びインダクタ形成用電極52Bがビアホ ールを介して電気的に接続されることで、第 2インダクタL2が構成され、インダクタ形成用 電極40C、インダクタ形成用電極48C及びインダ クタ形成用電極52Cがビアホールを介して電気 的に接続されることで、第3インダクタL3が構 成され、インダクタ形成用電極40D、インダク タ形成用電極48D及びインダクタ形成用電極52D がビアホールを介して電気的に接続されるこ とで、第4インダクタL4が構成されている。

 そして、この実験例の結果として、距離D aを増加させた際のQ値の変化を図10に示し、� �離Daを増加させた際のインダクタンス値の変 化を図11に示し、距離Dbを増加させた際のQ値� ��変化を図12に示し、距離Dbを増加させた際の インダクタンス値の変化を図13に示す。図10� �び図12から、距離Da及びDbが大きくなるほどQ� ��が向上する傾向にあり、図11及び図13から、 距離Da及びDbが大きくなるほどインダクタン� �値が減少する傾向にあることがわかる。

 そこで、Q値とインダクタンス値の双方を 加味するため、Q値×インダクタンス値(図面� �は、Q*Lと表記した)の変化をみた。距離Daを� �加させた際のQ値×インダクタンス値の変化� �図14に示し、距離Dbを増加させた際のQ値×イ� ��ダクタンス値の変化を図15に示す。

 図15の枠A及び枠Bで示すように、0<Da≦Db の範囲であれば、Q値×インダクタンス値は増 加傾向にあることがわかる。

 また、図14に示すように、0<Da≦20μmの� �囲であれば、従来の値(=500)よりも高い値を� �ることができることがわかる。

 また、本実施の形態に係る受動部品10は� �図6に示すように、誘電体層の積層方向(下か ら上に向かって)、内層アース電極32、キャパ シタ形成領域34、インダクタ形成領域36が配� �されている。

 上述した距離Da=0とした場合に、キャパシ タ形成領域34とインダクタ形成領域36との層� �距離を狭くしていくと、Q値が劣化し、図16� �び図17に示すように、挿入損失が大きくなり 、また、減衰特性も緩やかになるという問題 がある。これを解決するには、キャパシタ形 成領域34とインダクタ形成領域36との層間距� �を大きくすればよいが、受動部品の低背化� �限界が生じるおそれがある。

 一方、本実施の形態に係る受動部品10で� �、インダクタ形成用電極を一対構造とする� �とから、インダクタ形成領域36の厚み(高さ)� ��大きくなるが、Q値を向上させることができ ることから、インダクタ形成領域36とキャパ� ��タ形成領域34との層間距離を狭くすること� �可能となり、受動部品10の高さを従来構造と 同レベルにすることができ、インダクタ形成 用電極を一対構造にすることによる不利な点 (低背化阻害)を解消させることができる。

 このように、本実施の形態に係る受動部� ��10においては、インダクタのQ値のさらなる� ��上、隣接する周波数帯での減衰の確保、低� ��失による低消費電力を実現することができ� ��。

 上述の例では、1つの誘電体基板24内に複� ��のフィルタを混在させた受動部品10を示し� �が、その他、複数のインダクタと複数のキ� �パシタにて1つのフィルタを構成するように� ��てもよい。図18にその一例を示す。

 図18に示すフィルタは、ローパスフィル� �80であって、複数の誘電体層(第1誘電体層S1~� ��16誘電体層S16)が積層されて構成された誘電� ��基板24のうち、第1誘電体層S1~第10誘電体層S1 0の範囲がインダクタ形成領域36、第11誘電体� ��S11~第14誘電体層S14がキャパシタ形成領域34� �なっている。なお、説明を簡単にするため� �、ビアホールの説明並びにキャパシタ形成� �域34の説明を省略して示す。

 このローパスフィルタ80においも、上述� �た受動部品10と同様に、電極40a1と電極40b1が� ��対のインダクタ形成用電極40Aを構成し、電� ��40a2と電極40b2が一対のインダクタ形成用電� �40Bを構成し、電極40a3と電極40b3が一対のイン ダクタ形成用電極40Cを構成している。

 また、電極48a1と電極48b1が一対のインダ� �タ形成用電極48Aを構成し、電極48a2と電極48b2 が一対のインダクタ形成用電極48Bを構成し、 電極48a3と電極48b3が一対のインダクタ形成用� ��極48Cを構成している。

 また、電極52a1と電極52b1が一対のインダ� �タ形成用電極52Aを構成し、電極52a2と電極52b2 が一対のインダクタ形成用電極52Bを構成し、 電極52a3と電極52b3が一対のインダクタ形成用� ��極52Cを構成している。

 同様に、電極82a1と電極82b1が一対のイン� �クタ形成用電極82Aを構成し、電極82a2と電極8 2b2が一対のインダクタ形成用電極82Bを構成し 、電極82a3と電極82b3が一対のインダクタ形成� ��電極82Cを構成している。

 また、電極84a1と電極84b1が一対のインダ� �タ形成用電極84Aを構成し、電極84a2と電極84b2 が一対のインダクタ形成用電極84Bを構成し、 電極84a3と電極84b3が一対のインダクタ形成用� ��極84Cを構成している。

 このローパスフィルタ80においても、受� �部品10と同様に、一対のインダクタ形成用電 極を構成する2つの電極間の距離Daと、一対の インダクタ形成用電極間の距離Dbとの関係を0 <Da≦Db、且つ、0<Da≦20μmとしている。

 そのため、インダクタのQ値のさらなる向 上、隣接する周波数帯での減衰の確保、低損 失による低消費電力を実現することができる 。

 なお、本発明に係る電子部品及び受動部� ��は、上述の実施の形態に限らず、本発明の� ��旨を逸脱することなく、種々の構成を採り� ��ることはもちろんである。