DESCRIPTION

DOMAINE TECHNIQUE

L'invention concerne un dispositif électronique configuré pour recevoir un rayonnement électromagnétique et comprenant une structure antireflet disposée du côté d'une face de réception de ce rayonnement. L'invention s'applique avantageusement à la réalisation d'une photodiode ou d'un bolomètre comprenant cette structure antireflet. L'invention concerne également un procédé de réalisation d'un tel dispositif électronique.

ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE

Les couches antireflets sont utilisées dans de nombreuses applications électroniques dans le but d'augmenter la réception de certaines longueurs d'onde.

Par exemple, le document US 6 926 952 B1 décrit un détecteur thermique de type pyroélectrique comprenant une structure antireflet permettant d'augmenter sa sensibilité en augmentant l'absorption du rayonnement infrarouge reçu par le détecteur. La structure antireflet correspond à une succession alternée de couches de polymère à faible indice de réfraction et de couches de polymère à fort indice de réfraction. L'inconvénient majeur de cette structure antireflet est la complexité liée à la superposition de plusieurs couches de polymères qui doit être réalisée sans dégrader l'uniformité de dépôt de chaque couche.

Le document US 2006/0097134 Al décrit une structure antireflet formée par une alternance de couches de SÎNX/SÎNXOY déposées sur des photodiodes. De telles couches doivent toutefois être déposées à des températures élevées, par exemple comprises entre 350°C et 360°C, ce qui engendre des problèmes liés à la diffusion des dopants présents (notamment le phosphore qui diffuse très rapidement dans le germanium), ainsi que des problèmes d'incompatibilité avec certains matériaux comme par exemple le PVDF qui se dégrade à une température supérieure à environ 170°C. Le document US 8 840 258 B2 décrit un autre type de structure antireflet comprenant des microstructures coniques. Cette structure est réalisée en dispersant des particules sur une couche de matériau, puis en réalisant une gravure sélective telle que la couche de matériau soit gravée de manière plus importante que les particules. Une telle structure antireflet est également difficile à réaliser notamment à cause de la répartition des particules devant être réalisée sur la surface de la couche destinée à former les microstructures. De plus, il est très difficile de contrôler la hauteur et la largeur des microstructures réalisées.

Le document FR 3 046 879 Al décrit un bolomètre intégrant une structure antireflet comprenant d'une part une couche de ZnS formée au sommet du bolomètre et une couche structurée au niveau d'une face interne formant un réseau périodique de motifs bidimensionnels. Bien que les performances antireflets obtenues soient satisfaisantes, la difficulté pour former la couche structurée au sein d'une cavité est un problème.

EXPOSÉ DE L'INVENTION

Un but de l'invention est de proposer un dispositif électronique configuré pour recevoir un rayonnement électromagnétique et comprenant une structure antireflet ne présentant pas les inconvénients des structures antireflets de l'art antérieur, c'est-à- dire qui soit aisément réalisable et qui n'implique pas des températures élevées, par exemple supérieures à environ 200°C.

Pour cela, l'invention propose un dispositif électronique comprenant au moins :

- une face de réception configurée pour recevoir un rayonnement électromagnétique ;

- une ou plusieurs couches actives configurées pour absorber le rayonnement électromagnétique et/ou transformer le rayonnement électromagnétique en un signal électrique ;

- une structure antireflet disposée du côté de la face de réception, et comprenant au moins : • une couche de polymère diélectrique, et

• des microstructures saillantes disposées sur la couche de polymère diélectrique et telles que la distance quadratique moyenne entre deux microstructures voisines soit inférieure à une longueur d'onde du rayonnement électromagnétique destinée à être absorbée et/ou transformée par le dispositif électronique, et comprenant au moins un matériau cristallisé comportant des molécules d'hydrocarbure aromatique polycyclique ou de polystyrène ou de PTFE, et du polymère diélectrique, ou comprenant du PMMA et du polymère diélectrique.

Une telle structure antireflet, formée de la couche de polymère diélectrique et des microstructures, ne nécessite donc pas la réalisation d'une succession alternée de couches de polymère. De plus, du fait que les microstructures comprennent un matériau cristallisé comportant des molécules d'hydrocarbure aromatique polycyclique ou de polystyrène ou de PTFE (polytétrafluoroéthylène), et du polymère diélectrique de la couche sur laquelle elles sont disposées, ou comprenant du PMMA (poly(méthacrylate de méthyle)) et du polymère diélectrique de la couche sur laquelle le PMMA est disposé, ces microstructures peuvent donc être formées, par exemple par cristallisation, et non par gravure, facilitant ainsi leur réalisation. En outre, aucune étape ne nécessite d'atteindre des températures importantes, par exemple supérieures à environ 200°C.

Le matériau des microstructures correspond à un mélange de polymère diélectrique avec au moins l'un des matériaux suivants : hydrocarbure aromatique polycyclique, polystyrène, PTFE, PMMA.

Cette structure antireflet est formée au niveau de la face de réception du rayonnement électromagnétique, ce qui facilite la réalisation de cette structure par rapport à des structures antireflets réalisées au niveau de face internes de dispositifs électroniques.

Une telle structure antireflet a également pour avantage d'être fine par rapport à celles formées par une succession alternée de couches différentes. Cela est particulièrement avantageux lorsque le dispositif électronique correspond à un bolomètre car cette finesse va limiter l'absorption du rayonnement électromagnétique dans la structure antireflet.

La distance quadratique moyenne entre deux microstructures voisines est inférieure à une longueur d'onde du rayonnement électromagnétique destinée à être absorbée. La structure antireflet remplit son rôle antireflet au moins pour les longueurs d'onde inférieures à la distance quadratique moyenne entre les microstructures.

Le dispositif électronique peut être tel que :

- le polymère diélectrique comporte du PVDF (ou poly(fluorure de vinylidène)) et/ou du copolymère P(VDF-TrFe) (ou poly(fluorure de vinylidène)(trifluoro- éthylène)) et/ou du copolymère P(VDF-CFE) (ou poly(fluorure de vinylidène)(chlorofluro- éthylène)) et/ou du copolymère P(VDF-CTFE) (ou (poly(fluorure de vinylidène) (chlorotrifluro-éthylène)) et/ou du terpolymère P(VDF-TrFe-CFE) (ou (poly(fluorure de vinylidène)(trifluoro-éthylène)(chlorofluro-éthylène)) et/ou du terpolymère P(VDF-TrFe- CTFE) (ou (poly(fluorure de vinylidène)(trifluoro-éthylène)(chlorotrifluro-éthylène )), et/ou

- le polymère diélectrique comporte des nanoparticules de BaTi03 et/ou de PZT et/ou de BaSrTi03, qui sont des matériaux inorganiques, et/ou

- les molécules d'hydrocarbure aromatique polycyclique comportent du pyrène et/ou de l'anthracène et/ou du phénantrène et/ou du naphtalène et/ou du triphénylène.

Le PVDF et/ou l'un du copolymère ou des terpolymères mentionnés ci- dessus sont avantageusement utilisés lorsque le dispositif électronique correspond à un bolomètre car ces matériaux permettent de réaliser une bonne absorption des longueurs d'onde se trouvant dans la bande 8 - 14 pm qui correspond aux longueurs d'ondes du domaine de l'infrarouge lointain (LWIR) absorbées par le bolomètre.

Le pyrène peut être avantageusement utilisé car des microstructures comprenant du pyrène protègent le polymère de l'effet des rayons UV reçus.

Pour chacune des microstructures, la somme des hauteurs de la microstructure et de la couche de polymère diélectrique peut être égale à environ l/(4.n), avec l correspondant à une longueur d'onde centrale du rayonnement électromagnétique destinée à être absorbée et/ou transformée par le dispositif électronique, et n correspondant à l'indice de réfraction moyen de l'ensemble formé de la couche de polymère diélectrique, des microstructures et du milieu dans lequel la structure antireflet est destinée à fonctionner. Cette configuration avantageuse permet de favoriser la non- réflexion du rayonnement électromagnétique reçu à la longueur d'onde l.

De plus, les matériaux des microstructures et de la couche de polymère diélectrique sont avantageusement choisis tels que n soit égal à environ la racine carrée du produit de l'indice du milieu incident avec lequel la face de réception est en contact (par exemple de l'air, et qui correspond au milieu dans lequel la structure antireflet est destinée à fonctionner) par l'indice du milieu sur lequel repose la structure antireflet (lorsque le dispositif électronique correspond à un bolomètre, ce milieu correspond par exemple à une couche de scellement en germanium ou en silicium amorphe recouvrant une capsule, qui forme un capot, du bolomètre), ce qui favorise la non-réflexion du rayonnement électromagnétique reçu.

Chacune des microstructures peut avoir une forme sensiblement conique. Une telle forme conique peut notamment être obtenue lorsque le matériau cristallisé des microstructures comporte du pyrène.

Un rapport entre une hauteur de chacune des microstructures et une épaisseur de la couche de polymère diélectrique est supérieur ou égal à environ 5. Cette configuration est particulièrement avantageuse lorsque le dispositif électronique correspond à un bolomètre car l'absorption du rayonnement électromagnétique reçu est meilleure, notamment lorsque le rayonnement électromagnétique reçu appartient au domaine l'infrarouge lointain (LWIR, c'est-à-dire des longueurs d'onde comprises entre environ 8 pm et 14 pm).

Le dispositif électronique peut correspondre à une photodiode ou à un bolomètre. Dans le cas d'un dispositif électronique correspondant à un bolomètre, la structure antireflet peut être disposée sur une capsule, ou un capot, du bolomètre.

De manière avantageuse, le dispositif électronique peut être tel que :

- lorsque le dispositif électronique correspond à une photodiode, la distance quadratique moyenne entre deux microstructures voisines est inférieure à une longueur d'onde de coupure de la photodiode, ou - lorsque le dispositif électronique correspond à un bolomètre, la distance quadratique moyenne entre deux microstructures voisines est inférieure à une longueur d'onde centrale du rayonnement électromagnétique destiné à être absorbé par le bolomètre.

Par exemple, lorsque le dispositif électronique correspond à un bolomètre destiné à absorber les longueurs d'onde de la gamme 8 - 14 pm, cette distance quadratique moyenne entre les microstructures voisines peut être égale à environ 10 pm. Selon un autre exemple, lorsque le dispositif électronique correspond à une photodiode, comprenant par exemple du germanium, cette distance quadratique moyenne entre microstructures voisines peut être inférieure à la longueur d'onde de coupure de la photodiode, c'est-à-dire la longueur d'onde minimale détectée par la photodiode.

L'invention concerne également un procédé de réalisation d'un dispositif électronique comprenant au moins :

- une face de réception configurée pour recevoir un rayonnement électromagnétique ;

- une ou plusieurs couches actives configurées pour absorber le rayonnement électromagnétique et/ou transformer le rayonnement électromagnétique en un signal électrique ;

- une structure antireflet disposée du côté de la face de réception, et comprenant au moins :

• une couche de polymère diélectrique, et

• des microstructures saillantes disposées sur la couche de polymère diélectrique et telles que la distance quadratique moyenne entre deux microstructures voisines soit inférieure à une longueur d'onde du rayonnement électromagnétique destinée à être absorbée et/ou transformée par le dispositif électronique, et comprenant au moins un matériau cristallisé comportant des molécules d'hydrocarbure aromatique polycyclique ou de polystyrène ou de PTFE, et du polymère diélectrique, ou comprenant du PMMA et du polymère diélectrique,

dans lequel la structure antireflet est réalisée par la mise en œuvre des étapes suivantes :

- réalisation d'une première solution par dissolution, dans un premier solvant, d'un premier matériau comprenant des molécules d'hydrocarbure aromatique polycyclique ou de polystyrène ou de PMMA ou de PTFE;

- réalisation d'une deuxième solution par dissolution, dans un deuxième solvant dont la température d'évaporation est supérieure à celle du premier solvant, de monomères aptes à former le polymère diélectrique, et telle que le premier matériau ne soit pas soluble dans le deuxième solvant et que le premier matériau comporte une densité inférieure à celle de la deuxième solution ;

- mélange des première et deuxième solutions, tel que la proportion en poids du premier matériau dans le mélange des première et deuxième solutions soit comprise entre environ 15 % et 50 % (ou incluse dans la gamme [15% ; 50%]);

- dépôt du mélange des première et deuxième solutions du côté de la face de réception ;

- premier traitement thermique à une température supérieure à la température d'évaporation du premier solvant et inférieure à la température d'évaporation du deuxième solvant, formant la couche de polymère diélectrique ;

- deuxième traitement thermique à une température supérieure à la température d'évaporation du deuxième solvant, formant les microstructures.

Les microstructures se forment à partir d'une matrice polymère comportant un additif, qui correspond aux molécules d'hydrocarbure aromatique polycyclique ou de polystyrène, choisi de manière à avoir une vitesse de transition structurale sous l'effet de la température supérieure à celle du polymère diélectrique. Cet additif est choisi de sorte à avoir une température de changement de sa structuration inférieure à celle du polymère diélectrique, de sorte que lorsqu'on effectue le deuxième traitement thermique (pouvant correspondre à un traitement thermique de cristallisation), une modification structurale (par exemple une cristallisation) de la matrice de polymère entraîne une mise en contrainte de cet additif. Cette contrainte mécanique fait ressortir des microstructures par exemple sous la forme de micro-pointes, en particulier de forme conique.

Une proportion en poids du premier matériau dans le mélange qui soit inférieure ou égale à 50 % permet de ne pas saturer le mélange avec les molécules du premier matériau et d'éviter la formation, après le deuxième traitement thermique, d'une simple couche de polymère diélectrique saturé en molécules du premier matériau sans la formation des microstructures. De plus, une proportion en poids du premier matériau dans le mélange qui soit supérieure ou égale à 15 % permet d'obtenir des microstructures avec une densité suffisante et régulière pour qu'elles puissent remplir une fonction d'antireflet, c'est-à-dire telles que la distance quadratique moyenne entre deux microstructures voisines est inférieure aux longueurs d'onde du rayonnement électromagnétique destinées à être absorbées et/ou transformées par le dispositif électronique.

La durée et la température avec lesquelles le deuxième traitement thermique est mis en œuvre peuvent être choisies en fonction d'une hauteur et d'un espacement souhaités pour chacune des microstructures. Ces paramètres sont notamment choisis en fonction des longueurs d'onde du rayonnement électromagnétique qui sont ciblées par le dispositif électronique, c'est-à-dire celles destinées à être absorbées ou transformées en signal électrique.

Le procédé peut être tel que :

- le premier traitement thermique est mis en œuvre à une température comprise entre environ 70°C et 90°C pendant une durée comprise entre environ 10 min et 60 min, et/ou

- le deuxième traitement thermique est mis en œuvre à une température comprise entre environ 130°C et 150°C pendant une durée comprise entre environ 10 min et 60 min, ou correspond à un recuit de type flash UV avec une durée d'impulsion comprise entre environ 1 ms et 2 ms et une fluence comprise entre environ 15 j/cm ² et 20 j/cm ² .

Le procédé peut être tel que :

- le premier solvant comporte de l'acétone, et/ou - le deuxième solvant comporte du cyclopentanone et/ou du diméthylformamide et/ou du diméthylacétamide.

Le procédé peut être tel que :

- la proportion en poids du premier matériau dans la première solution est comprise entre environ 30 % et 70 %, et/ou

- la proportion en poids du polymère diélectrique dans la deuxième solution est comprise entre environ 1 % et 20 %.

La proportion en poids du premier matériau dans le mélange des première et deuxième solutions peut être comprise entre environ 10 % et 30 %.

Lors de la réalisation de la deuxième solution, la composition en monomères peut être choisie en fonction d'une valeur souhaitée de l'indice de réfraction moyen de l'ensemble formé de la couche de polymère diélectrique, des microstructures et du milieu dans lequel la structure antireflet est destinée à fonctionneret qui se trouve entre les microstructures, cette valeur souhaitée pouvant être égale, à 10 % près, à la racine carrée du produit de l'indice du milieu dans lequel la structure antireflet est destinée à fonctionner par l'indice du milieu sur lequel repose la structure antireflet.

Le mélange des première et deuxième solutions peut être réalisé à une température comprise entre environ 30°C et 45°C.

Une épaisseur du mélange des première et deuxième solutions déposé du côté de la face de réception peut être comprise entre environ 50 nm et 10 pm.

BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS

La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels :

- la figure 1 représente un dispositif électronique comprenant une structure antireflet, selon un premier mode de réalisation ;

- la figure 2 représente des microstructures d'une structure antireflet du dispositif électronique selon le premier mode de réalisation ; - la figure 3 représente un dispositif électronique comprenant une structure antireflet selon un deuxième mode de réalisation.

Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures décrites ci-après portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre.

Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles.

Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) doivent être comprises comme n'étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles.

EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS

Un dispositif électronique 100 comportant une structure antireflet 102, réalisé selon un premier mode de réalisation, est décrit ci-dessous en lien avec la figure 1.

Ce dispositif électronique 100 correspond à une photodiode comprenant au moins une jonction p-n. Sur l'exemple de réalisation représenté sur la figure 1, la jonction p-n est formée par une première couche 104 de semi-conducteur dopé n, une deuxième couche 106 de semi-conducteur intrinsèque, c'est-à-dire non dopé intentionnellement, et une troisième couche 108 de semi-conducteur dopé p. Dans le premier mode de réalisation, les trois couches 104, 106 et 108 comportent un même semi- conducteur qui correspond avantageusement à du germanium. En variante, ce semi- conducteur peut correspondre à du silicium, ou bien à un autre semi-conducteur.

Les trois couches 104, 106, 108 sont entourées par des espaceurs diélectriques 110, comportant par exemple du Si0 ₂ . Les espaceurs diélectriques 110 délimitent la structure active du dispositif électronique 100, c'est-à-dire les couches 104, 106 et 108 qui forment des couches actives de la photodiode et qui sont configurées pour transformer un rayonnement électromagnétique (ici de la lumière infrarouge) destiné à être reçu par le dispositif électronique 100 en un courant électrique.

La structure antireflet 102 est disposée du côté d'une face de réception 112 du dispositif électronique 100, c'est-à-dire la face du dispositif 100 configurée pour recevoir le rayonnement électromagnétique, ce rayonnement étant destiné à être détecté par le dispositif 100. La structure antireflet 102 repose sur une face supérieure de la troisième couche 108 (face opposée à celle en contact avec la deuxième couche 106) et sur les espaceurs diélectriques 110.

La structure antireflet 102 comporte une couche 114 de polymère diélectrique et des microstructures 116 saillantes disposées sur la couche 114. Dans la configuration représentée sur la figure 1, la couche 114 de polymère diélectrique est donc disposée entre les microstructures 116 et les couches actives du dispositif électronique 100.

Les microstructures 116 comportent un matériau cristallisé comprenant des molécules d'hydrocarbure aromatique polycyclique, ou de polystyrène, et des molécules du polymère diélectrique de la couche 114.

Le polymère diélectrique peut correspondre à au moins l'un des matériaux suivants : PVDF, le copolymère P(VDF-TrFe) ou le P(VDF-CFE) ou le P(VDF-CTFE), le terpolymère P(VDF-TrFe-CFE) ou le P(VDF-TrFe-CTFE). Il est également possible que le polymère diélectrique comporte des nanoparticules de BaTi0 ₃ et/ou de PZT et/ou de BaSrTi0 ₃ . Les molécules d'hydrocarbure aromatique polycyclique du matériau cristallisé des microstructures 116 comportent avantageusement du pyrène et/ou de l'anthracène et/ou du phénantrène et/ou du naphtalène et/ou du triphénylène et/ou du polystyrène. De manière avantageuse, les molécules d'hydrocarbure aromatique polycyclique présentes dans le matériau des microstructures 116 correspondent à des molécules de pyrène.

Pour chacune des microstructures 116, la somme de la hauteur h de la microstructure 116 et de la hauteur e de la couche 114 est avantageusement égale à environ l/(4.n), avec l correspondant à une longueur d'onde centrale du rayonnement électromagnétique destinée à être transformé par le dispositif électronique 100 en courant électrique, et n correspondant à l'indice de réfraction moyen de l'ensemble formé de la couche 114, des microstructures 116 et du milieu dans lequel la structure antireflet 102 est destinée à fonctionner et se trouvant les microstructures 116 (ce milieu correspondant par exemple à de l'air), n est avantageusement égal à environ la racine carrée du produit de l'indice du milieu dans lequel la structure antireflet 102 est destinée à fonctionner (par exemple de l'air) par l'indice du milieu sur lequel repose la structure antireflet 102, c'est-à- dire ici l'indice du matériau de la couche 108 dans ce premier mode de réalisation.

De manière générale, la hauteur h de chacune des microstructures 116 peut être comprise entre environ 50 nm et 1200 nm.

L'indice de réfraction du matériau cristallisé des microstructures 116 est supérieur à celui du polymère diélectrique de la couche 114 à cause de la cristallisation des molécules d'hydrocarbure aromatique polycyclique ou de polystyrène présentes dans le matériau des microstructures 116. Par exemple, lorsque l'indice de réfraction du polymère diélectrique de la couche 114 est égal à environ 1,6, comme c'est le cas lorsque le polymère diélectrique correspond au PVDF, son copolymère ou son terpolymère, l'indice de réfraction du matériau cristallisé des microstructures 116 est par exemple égal à environ 2, comme c'est le cas lorsque le matériau cristallisé des microstructures 116 correspond à la partie cristalline du mélange entre les molécules d'hydrocarbure aromatique polycyclique, par exemple du pyrène, avec le polymère diélectrique de type PVDF ou son copolymère ou son terpolymère ou un mélange du copolymère et du terpolymère.

Il est possible d'ajuster l'indice de réfraction moyen de la structure antireflet via un ajustement de la composition en monomères du matériau. Par exemple, lorsque le polymère diélectrique correspond au copolymère P(VDF-TrFe), il est possible de faire varier sa composition en VDF et en TrFe en fonction de la valeur souhaitée pour l'indice de réfraction moyen de la structure antireflet 102, qui est avantageusement égale à environ (à 10% près) la racine carrée du produit de l'indice du milieu dans lequel la structure antireflet 102 est destinée à fonctionner (par exemple de l'air) par l'indice du milieu sur lequel repose la structure antireflet 102, c'est-à-dire ici l'indice du matériau de la couche 108 dans ce premier mode de réalisation.

De manière générale, en considérant les exemples de matériaux précédemment cités, la valeur de l'indice de réfraction du polymère diélectrique de la couche 114 est par exemple comprise entre environ 1,3 et 1,7, et celle de l'indice de réfraction du matériau cristallisé des microstructures 116 est par exemple comprise entre environ 1,9 et 2,2. De manière avantageuse, chacune des microstructures 116 forme une micro-pointe de forme sensiblement conique. Une telle forme conique est obtenue par exemple lorsque du pyrène est utilisé pour former les microstructures 116. D'autres formes sont toutefois possibles.

La couche 114 de polymère diélectrique a par exemple une épaisseur e comprise entre environ 50 nm et 3 pm.

Le pas des microstructures 116, c'est-à-dire la distance quadratique moyenne entre deux microstructures 116 voisines, est par exemple compris entre environ 40 nm et 1 pm. De manière générale, la distance quadratique moyenne entre deux microstructures 116 voisines est inférieure à une partie des longueurs d'onde du rayonnement électromagnétique destinées à être absorbées et/ou transformées par le dispositif électronique 100 et qui ne sont donc pas diffractées par les microstructures 116.

Grâce au réseau formé par les microstructures 116, la réflexion du rayonnement électromagnétique sur le dispositif 100 est réduite, permettant ainsi au dispositif 100, qui correspond ici à une photodiode, d'avoir une meilleure absorption et donc une meilleure photosensibilité.

La figure 2 est une photo montrant de nombreuses microstructures 116 de la structure antireflet 102 du dispositif 100.

Un autre dispositif électronique 200 comportant la structure antireflet 102, et réalisé selon un deuxième mode de réalisation, est décrit ci-dessous en lien avec la figure 3. Dans ce deuxième mode de réalisation, le dispositif électronique 200 correspond à un bolomètre.

Le dispositif 200 comporte une membrane 202 suspendue au-dessus d'un substrat support 204. Cette membrane 202 forme l'élément absorbeur et l'élément thermomètre du dispositif 200. La membrane 202 est suspendue mécaniquement au- dessus du substrat 204 par l'intermédiaire d'éléments de support 206 auxquels sont fixés des bras d'isolation thermique (non visibles sur la figure 3) qui sont reliés mécaniquement à la membrane 202.

Sous l'effet du rayonnement incident reçu par le dispositif 200, la membrane 202 s'échauffe et sa résistance électrique varie en conséquence. Le substrat support 204 comporte un circuit électronique intégré permettant la lecture de l'élément thermomètre du dispositif 200.

Le dispositif 200 comporte également, sur le substrat 204, un réflecteur métallique 208 disposé en regard de la membrane 202 tel que ce réflecteur 208 et la membrane 202 forment ensemble une cavité optique résonante de type Fabry-Perot. La membrane 202 est disposée dans une cavité 210 formée entre le substrat 204 et une capsule 212, ou capot. La capsule 212, comprenant par exemple du silicium amorphe, est fermée par une couche de scellement 214, par exemple en germanium.

La structure antireflet 102, similaire à celle précédemment décrite en lien avec le premier mode de réalisation, est disposée sur la couche de scellement 214, au niveau de la face de réception 112 du dispositif 200. Les différentes caractéristiques et possibilités de réalisation de la structure antireflet 102 précédemment décrites pour le premier mode de réalisation s'appliquent également à ce deuxième mode de réalisation.

De plus, du fait que le dispositif 200 correspond à un bolomètre, c'est-à- dire est destiné à absorber le rayonnement électromagnétique reçu au niveau de sa face de réception, la structure antireflet 102 est avantageusement réalisée telle que le rapport entre la hauteur h de chacune des microstructures 116 et l'épaisseur e de la couche 114 de polymère diélectrique soit supérieur ou égal à environ 5. Cette configuration est avantageuse car elle permet d'obtenir une plus grande absorption du rayonnement électromagnétique reçu.

On décrit ci-dessous un procédé de réalisation de la structure antireflet 102 qui peut s'intégrer au cours d'un procédé de réalisation d'un dispositif électronique 100 ou 200 destiné à comporter la structure antireflet.

Les différents éléments du dispositif électronique 100 ou 200 autres que la structure antireflet 102 (couches actives, électrodes, etc.) sont tout d'abord réalisés.

On réalise tout d'abord une première solution par dissolution, dans un premier solvant, de grains solides d'un premier matériau comprenant des molécules d'hydrocarbure aromatique polycyclique ou de polystyrène. Le premier matériau correspond par exemple à du pyrène. Le premier solvant correspond par exemple à de l'acétone. De manière avantageuse, la proportion en poids du premier matériau dans la première solution est comprise entre environ 30 % et 70 %.

On réalise également une deuxième solution par dissolution, dans un deuxième solvant, d'une poudre d'un deuxième matériau correspondant à un polymère diélectrique, par exemple l'un de ceux précédemment décrits. Le deuxième solvant est choisi tel que :

- sa température d'évaporation est supérieure à celle du premier solvant ;

- le premier matériau ne soit pas soluble dans le deuxième solvant ;

- sa densité soit supérieure à celle du premier matériau.

A titre d'exemple, le deuxième solvant peut comporter du cyclopentanone et/ou du diméthylformamide et/ou du diméthylacétamide. De manière avantageuse, la proportion en poids du polymère diélectrique dans la deuxième solution peut être comprise entre environ 1 % et 20 %.

Les deux solutions sont ensuite mélangées l'une à l'autre, par exemple à une température comprise entre environ 30°C et 45°C. Les volumes des deux solutions sont choisis tels que la proportion en poids du premier matériau dans le mélange des première et deuxième solutions soit comprise entre environ 15 % et 50 %, et avantageusement entre environ 15 % et 30 %.

Le mélange des deux solutions est ensuite étalé sur la surface du support sur lequel la structure antireflet 102 est destinée à être réalisée. Ce support correspond par exemple à la face supérieure d'une photodiode (formée notamment par la face supérieure de la couche 108 sur l'exemple de la figure 1) ou à la face supérieure de la membrane 202 lorsque la structure antireflet 102 est intégrée au bolomètre 200. L'épaisseur du mélange des première et deuxième solutions déposé du côté de la face de réception 112 est par exemple comprise entre environ 50 nm et 10 pm.

La technique mise en œuvre pour déposer le mélange des deux solutions est choisie notamment en fonction de la viscosité du mélange. Par exemple, un dépôt du mélange peut être réalisé par sérigraphie lorsque le mélange a une forte viscosité, généralement en présence d'une forte concentration en terpolymère. Au contraire, un dépôt du mélange peut être réalisé via un dépôt à la tournette, ou « spin coating », lorsque la viscosité du mélange est beaucoup plus faible. Selon une autre variante, le mélange peut être déposé pulvérisation.

Un premier traitement thermique est ensuite mis en œuvre à une température supérieure à la température d'évaporation du premier solvant et inférieure à la température d'évaporation du deuxième solvant. Ce premier traitement thermique forme la couche 114 de polymère diélectrique puisque seul le polymère diélectrique est dissout dans le premier solvant. Le premier traitement thermique est par exemple mis en œuvre à une température comprise entre environ 70°C et 90°C pendant une durée comprise entre environ 10 min et 60 min.

Un deuxième traitement thermique est mis en œuvre à une température supérieure à la température d'évaporation du deuxième solvant. Ce deuxième traitement thermique forme par cristallisation les microstructures 116 sur la couche 114. A titre d'exemple, le deuxième traitement thermique peut être mis en œuvre à une température comprise entre environ 130°C et 150°C pendant une durée comprise entre environ 10 min et 60 min, ou correspondre à un recuit de type flash UV avec une durée d'impulsion comprise entre environ 1 ms et 2 ms et une fluence comprise entre environ 15 j/cm ² et 20 j/cm ² , et par exemple égale à environ 17 j/cm ² pour une couche de mélange d'épaisseur égale à environ 2 pm.

A l'issue de ces deux traitements thermique, la structure antireflet 102 obtenue comporte la couche 114 de polymère diélectrique et les microstructures 116.

Les dimensions des microstructures 116, notamment leur hauteur h, ainsi que le pas des microstructures 116, sont ajustés par le choix de la température et de la durée du deuxième traitement thermique.

Dans les modes de réalisation précédemment décrits, les microstructures 116 correspondent à des micro-pointes de forme sensiblement conique. D'autres formes de microstructures 116 peuvent être obtenues, comme par exemple des sphères si, au cours du procédé décrit ci-dessus, du poly(méthacrylate de méthyle), ou PMMA, est choisi comme premier matériau. D'autres formes plus complexes peuvent être obtenues en choisissant par exemple du polytétrafluoroéthylène (PTFE) comme premier matériau.