Die vorliegende Erfindung betrifft ein Elektronikmodul und ein Verfahren zur Her stellung eines Elektronikmoduls.

Aus dem Stand der Technik sind Elektronikmodule, insbesondere aus der Leis tungselektronik bekannt, bei denen Metall-Keramik-Substrate als Leiterplatten die nen. Metall-Keramik-Substrate sind beispielsweise als Leiterplatten oder Platinen aus dem Stand der Technik hinlänglich bekannt, beispielsweise aus der DE 10 2013 104 739 A1 , der DE 19 927 046 B4 und der DE 10 2009 033 029 A1 . Typi scherweise werden auf einer Bauteilseite des Metall-Keramik-Substrats An schlussflächen für elektrische Bauteile und Leiterbahnen angeordnet, wobei die elektrischen Bauteile und die Leiterbahnen zu elektrischen Schaltkreisen zusam- menschaltbar sind. Wesentliche Bestandteile der Metall-Keramik-Substrate sind eine Isolationsschicht, die bevorzugt aus einer Keramik gefertigt ist, und wenigs tens eine an die Isolationsschicht angebundene Metallschicht. Wegen ihrer ver gleichsweise hohen Isolationsfestigkeiten haben sich aus Keramik gefertigte Isola tionsschichten in der Leistungselektronik als besonders vorteilhaft erwiesen. Durch eine Strukturierung der Metallschicht können sodann Leiterbahnen und/oder An schlussflächen für die elektrischen Bauteile realisiert werden.

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Elektronikmodul bereitzustel len, das gegenüber den aus dem Stand der Technik bekannten Elektronikmodulen verbessert ist, insbesondere in Hinblick auf den Fertigungsaufwand und die Effizi enz bei der Nutzung der Substratfläche des Metall-Keramik-Substrats. Die Aufgabe wird gelöst durch ein Elektronikmodul gemäß Anspruch 1 und durch ein Verfahren gemäß Anspruch 7. Weitere Vorteile und Eigenschaften ergeben sich aus den Unteransprüchen sowie der Beschreibung und den beigefügten Figu ren.

Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Elektronikmodul, insbesondere ein Leistungselektronikmodul, vorgesehen, umfassend

- ein als Träger dienendes Metall-Keramik-Substrat mit einem Keramikelement und einer primären Bauteilmetallisierung und vorzugsweise mit einer Kühlteilme tallisierung, also rückseitigen Bauteilmetallisierung

- eine Isolationsschicht, die unmittelbar oder mittelbar an die primäre Bauteilme tallisierung angebunden ist, und

- eine sekundäre Bauteilmetallisierung, die an der vom Metall-Keramik-Substrat abgewandten Seite der Isolationsschicht angebunden ist und insbesondere von der primären Bauteilmetallisierung durch die Isolationsschicht isoliert ist, wobei das Keramikelement eine erste Größe und die Isolationsschicht eine zweite Größe aufweist und wobei zur Ausbildung einer inselartigen Isolationsschicht auf der primären Bauteilmetallisierung ein Verhältnis der zweiten Größe zu der ersten Größe einen Wert annimmt, der kleiner als 0,8, bevorzugt kleiner als 0,6 und be sonders bevorzugt kleiner als 0,4 ist.

Gegenüber den aus dem Stand der Technik bekannten Elektronikmodulen ist eine inselartige Isolationsschicht vorgesehen, mit der insbesondere eine elektrische Isolation zwischen der primären Bauteilmetallisierung und der sekundären Bau teilmetallisierung realisiert wird. Dadurch ist man nicht mehr zwingend auf die Ausbildung von elektrischen Leitungen oder Leitungsbahnen im Rahmen einer Strukturierung der primären Bauteilmetallisierung angewiesen, sondern kann durch die Isolationsschicht verschiedene elektrische Bauteile elektrisch isolierend voneinander anordnen bzw. gezielt Verbindungen einrichten, ohne dass hierfür eine Strukturierung der primären Bauteilmetallisierung zwingend erforderlich ist. Vorzugsweise ist dabei die Isolationsschicht unmittelbar an die primäre Bauteilme tallisierung angebunden.

Alternativ ist es vorstellbar, dass bspw. die Isolationsschicht Teil eines weiteren, insbesondere kleineren Metall-Keramik-Substrats ist, das wiederum auf dem als Träger dienenden größeren Metall-Keramik-Substrats platziert wird und im Rah men eines DCB- oder Aktivlötverfahrens oder mittels Klebstoffs an das Metall- Keramik-Substrat angebunden ist. Insbesondere handelt es sich bei der Isolati onsschicht um eine vergleichsweise dünne, aus Keramik gefertigte, Isolations schicht, die zur elektrischen Isolation der sekundären Bauteilmetallisierung von der primären Bauteilmetallisierung beiträgt. Dabei ist es insbesondere vorgese hen, dass das Elektronikmodul bzw. die Anordnung von der primären Bauteilme tallisierung und der sekundären Bauteilmetallisierung nicht vollständig in eine Ver kapselung oder ein Gehäuse eingebettet ist. Der Fachmann versteht unter der ersten Größe eine erste Dicke und/oder eine erste Länge bzw. Breite bzw. Fläche des Keramikelements und unter der zweiten Größe eine zweite Dicke und/oder zweite Länge bzw. Breite bzw. Fläche der Isolationsschicht. Dabei kann die Isola tionsschicht streifenförmig sein, oder einen elliptischen, kreisförmigen, rautenför migen und/oder quadratischen Querschnitt aufweisen. Vorzugsweise ist die Isola tionsschicht in einer parallel zur Haupterstreckungsebene verlaufenden Ebene zu allen Seiten umgeben von der primären Bauteilmetallisierung. Alternativ ist es auch vorstellbar, dass die Isolationsschicht am Rand der primären Bauteilmetalli sierung angeordnet ist, so dass die Isolationsschicht in einer parallel zur Haupter streckungsebene verlaufenden Ebene höchstens zu drei oder zwei Seiten umge ben ist von der primären Bauteilmetallisierung.

Weiterhin ist es besonders bevorzugt vorgesehen, dass die Isolationsschicht, ins besondere umlaufend, gegenüber dem äußersten Rand der sekundären Bauteil metallisierung übersteht, insbesondere zwecks der Vermeidung eines elektrischen Überschlags zwischen der sekundären Bauteilmetallisierung und der primären Bauteilmetallisierung. Vorzugsweise ist es vorgesehen, dass die Isolationsschicht, insbesondere umlaufend entlang eines äußersten Rands der Isolationsschicht bzw. der sekundären Bauteilmetallisierung, in einer parallel zur Haupterstre ckungsebene des Metall-Keramik-Substrats verlaufenden Richtung gegenüber einem äußersten Rand der sekundären Bauteilmetallisierung vorsteht, vorzugs weise um 10 pm bis 500 pm, bevorzugt um 50 pm bis 250 pm und besonders be vorzugt um 100 bis 150 pm. Mit anderen Worten: Die Isolationsschicht ist derart ausgebildet, dass ihr äußerster Rand derart vorsteht gegenüber der sekundären Bauteilmetallisierung, dass sie einen „Pullback“ bildet, der den elektrischen Über schlag verhindert und eine vollständige elektrische Isolation der sekundären Bau teilmetallisierung gegenüber der primären Bauteilmetallisierung bewirkt.

Weiterhin ist es vorgesehen, dass ein Verhältnis der zweiten Dicke zu der ersten Dicke einen Wert zwischen 0,03 und 0,8, bevorzugt 0,03 und 0,5 und besonders bevorzugt zwischen 0,03 und 0,3 annimmt. Beispielsweise weist die zweite Dicke einen Wert zwischen 500 pm und 1 mm, bevorzugt zwischen 200 pm und 500 pm und besonders bevorzugt zwischen 10 pm und 200 pm auf. Es hat sich herausge stellt, dass mit vergleichsweise dünnen Isolationsschichten eine ausreichende Iso lierfestigkeit hergestellt werden kann. Dabei nutzt die Isolationsschicht mit Vorteil die primäre Bauteilmetallisierung als mechanische Stabilisierung. Durch die ver gleichsweise dünnen zweiten Dicken ist es mit Vorteil vereinfacht, feine Strukturie rungen bzw. Trennabschnitte zwischen elektrischen Bauteilen bzw. Isolations schichten zu realisieren.

Insbesondere ist es in vorteilhafter weise möglich, mit einer möglichst kleinen, insbesondere dünnen, Isolationsschicht Isolationsmaterial einzusparen. Außerdem ist es möglich, vergleichsweise kleine Strukturierungen zu realisieren, da die Isola tionsschicht vergleichsweise einfach zu strukturieren ist. Außerdem ist es möglich, durch die entsprechende Gestaltung mit der inselartigen Isolationsschicht Elektro- nikmodule mit einer vergleichsweise geringen parasitären Induktivität bereitzustel len. Außerdem ist es in vorteilhafter Weise möglich, die Oberfläche des Metall- Keramik-Substrats möglichst optimal für eine füllende Anordnung von elektrischen Bauteilen zu nutzen. Weiterhin ist vorgesehen, dass die primäre bzw. sekundäre Bauteilmetallisierung und/oder die Kühlteilmetallisierung unmittelbar und direkt an die Isolationsschicht angebunden ist, beispielsweise angebunden mittels eines DCB-Verfahrens, eines AMB-Verfahrens oder mittels einer Dünnschichttechnik. Ferner umfasst das Me- tall-Keramik-Substrat bzw. das weitere Metall-Keramik-Substrat mindestens eine Metallschicht, beispielsweise als Teil der Kühlteilmetallisierung oder der primären bzw. sekundären Bauteilmetallisierung, die an einer Außenseite des Keramikele ments bzw. der Isolationsschicht stoffschlüssig angebunden ist, wobei sich die Metallschicht und das Keramikelement entlang einer Haupterstreckungsebene erstrecken und entlang einer senkrecht zur Haupterstreckungsebene verlaufenden Stapelrichtung übereinander angeordnet sind. Als Materialien für die Metallisie rung bzw. den Metallabschnitt, d. h. für die primäre Bauteilmetallisierung, die se kundäre Bauteilmetallisierung, die Kühlteilmetallisierung und/oder eine Rücksei tenmetallisierung sind Kupfer, Aluminium, Molybdän und/oder deren Legierungen, sowie Laminate wie CuW, CuMo, CuAI, AICu und/oder CuCu vorstellbar, insbe sondere eine Kupfer-Sandwichstruktur mit einer ersten Kupferschicht und einer zweiten Kupferschicht, wobei sich eine Korngröße in der ersten Kupferschicht von einer zweiten Kupferschicht unterscheidet. Weiterhin ist bevorzugt vorgesehen, dass die mindestens eine Metallisierung, d. h. die primäre Bauteilmetallisierung oder sekundäre Bauteilmetallisierung, oberflächenmodifiziert ist. Als Oberflächen modifikation ist beispielsweise eine Versiegelung mit einem Edelmetall, insbeson dere Silber und/oder Gold, oder ENIG („ electroless nicket immersion gold “) oder ein Kantenverguss an der ersten bzw. zweiten Metallisierungsschicht zur Unter drückung einer Rissbildung bzw. -Weitung denkbar.

Vorzugsweise umfasst das Keramikelement und/oder die Isolationsschicht min destens eine Keramikschicht, wobei die Keramikschicht AI2O3, S13N4, AIN, eine HPSX-Keramik (d. h. eine Keramik mit einer AI2O3- Matrix, die einen x- prozentigen Anteil an Zr0 ₂ umfasst, beispielsweise AI2O3 mit 9% Zr0 ₂ = HPS9 oder AI2O3 mit 25% Zr0 ₂ = HPS25), SiC, BeO, MgO, hochdichtes MgO (> 90% der theoretischen Dichte), TSZ (tetragonal stabilisiertes Zirkonoxid) oder ZTA. Es ist dabei auch vorstellbar, dass die Isolationsschicht oder das Keramikelement als Verbund- bzw. Hybridkeramik ausgebildet ist, bei der zur Kombination verschiede ner gewünschter Eigenschaften mehrere Keramikschichten, die sich jeweils in Hinblick auf ihre materielle Zusammensetzung unterscheiden, übereinander ange ordnet und zu einer Isolationsschicht zusammengefügt sind. Vorzugsweise wird eine möglichst wärmeleitfähige Keramik für einen möglichst geringen Wärmewi derstand verwendet. Es ist auch vorstellbar, dass im Keramikelement oder in der Isolationsschicht zwischen zwei Keramikschichten eine metallische Zwischen schicht angeordnet ist.

Dabei wird vorzugsweise die primäre Bauteilmetallisierung und/oder die Kühlteil metallisierung an die Isolierschicht mittels eines AMB-Verfahrens und/oder eines DCB-Verfahrens stoffschlüssig angebunden.

Unter einem „DCB-Verfahren” (Direct-Copper-Bond-Technology) oder einem „DAB-Verfahren” (Direct-Aluminium-Bond-Technology) versteht der Fachmann ein solches Verfahren, das beispielsweise zum Verbinden von Metallschichten oder - blechen (z. B. Kupferblechen oder-folien oder Aluminiumblechen oder-folien) miteinander und/oder mit Keramik oder Keramikschichten dient, und zwar unter Verwendung von Metall- bzw. Kupferblechen oder Metall- bzw. Kupferfolien, die an ihren Oberflächenseiten eine Schicht oder einen Überzug (Aufschmelzschicht), aufweisen. Bei diesem beispielsweise in der US 3744 120 A oder in der DE23 19 854 C2 beschriebenen Verfahren bildet diese Schicht oder dieser Überzug (Auf schmelzschicht) ein Eutektikum mit einer Schmelztemperatur unter der Schmelz temperatur des Metalls (z. B. Kupfers), so dass durch Auflegen der Folie auf die Keramik und durch Erhitzen sämtlicher Schichten diese miteinander verbunden werden können, und zwar durch Aufschmelzen des Metalls bzw. Kupfers im We sentlichen nur im Bereich der Aufschmelzschicht bzw. Oxidschicht.

Insbesondere weist das DCB-Verfahren dann z. B. folgende Verfahrensschritte auf: • Oxidieren einer Kupferfolie derart, dass sich eine gleichmäßige Kupfer oxidschicht ergibt;

• Auflegen der Kupferfolie auf die Keramikschicht;

• Erhitzen des Verbundes auf eine Prozesstemperatur zwischen etwa 1025 bis 1083°C, z. B. auf ca. 1071 °C;

• Abkühlen auf Raumtemperatur.

Unter einem Aktivlot-Verfahren, z. B. zum Verbinden von Metallschichten oder Metallfolien, insbesondere auch von Kupferschichten oder Kupferfolien mit Kera mikmaterial ist ein Verfahren zu verstehen, welches speziell auch zum Herstellen von Metall-Keramik-Substraten verwendet wird, wird bei einer Temperatur zwi schen ca. 600-1000 °C eine Verbindung zwischen einer Metallfolie, beispielswei se Kupferfolie, und einem Keramiksubstrat, beispielsweise Aluminiumnitrid- Keramik, unter Verwendung eines Hartlots hergestellt, welches zusätzlich zu einer Hauptkomponente wie Kupfer, Silber und/oder Gold auch ein Aktivmetall enthält. Dieses Aktivmetall, welches beispielsweise wenigstens ein Element der Gruppe Hf, Ti, Zr, Nb, Ce ist, stellt durch chemische Reaktion eine Verbindung zwischen dem Lot und der Keramik her, während die Verbindung zwischen dem Lot und dem Metall eine metallische Hartlöt-Verbindung ist. Alternativ ist zur Anbindung auch ein Dickschichtverfahren vorstellbar.

Vorzugsweise ist es vorgesehen, dass mindestens ein erstes elektrisches Bauteil an die primäre Bauteilmetallisierung und mindestens ein zweites elektrisches Bau teil an die sekundäre Bauteilmetallisierung, insbesondere jeweils unmittelbar an grenzend, angebunden sind. Über die Isolationsschicht sind somit das mindestens eine erste elektrische Bauteil und das mindestens eine zweite elektrische Bauteil voneinander elektrisch isoliert. Das mindestens eine erste elektrische Bauteil und/oder das mindestens eine zwei te elektrische Bauteil ist vorzugsweise ein schaltbares Bauteile bzw. aktives oder passives Bauteil. Vorzugsweise handelt es sich hierbei um ein WBG-Halbleiter (wide bandgap semiconductors), wie z. B. einem Halbleiter aus Siliziumcarbid, Galliumnitrid und/oder Indiumgalliumnitrid. Beispiele für ein elektronisches Bauteil sind MOSFETs („metal-oxide-semiconductor field-effect transistor“) oder IGBTs („insulated-gate bipolar transistor“).

Vorzugsweise ist es vorgesehen, dass das mindestens eine erste elektrische Bau teil und das mindestens eine zweite elektrische Bauteil über einen Drahtbond mit einander verbunden sind. Dadurch ist es in vorteilhafter Weise möglich, eine elekt rische Verbindung zwischen dem mindestens einen elektrischen Bauteil und dem mindestens einen zweiten elektrischen Bauteil zu realisieren, insbesondere ohne auf die primäre Bauteilmetallisierung des Metall-Keramik-Substrats zurückzugrei fen. Mit anderen Worte: die Verbindung über den Drahtbond ersetzt eine andern falls erforderliche, durch Strukturierung der primären Bauteilmetallisierung ent standene Leiterbahn.

Insbesondere ist es vorgesehen, dass die primäre Bauteilmetallisierung mit der sekundären Bauteilmetallisierung über eine Durchkontaktierung oder eine Seiten kontaktierung miteinander elektrisch leitend verbunden sind. Beispielsweise ist es hierbei vorgesehen, dass in die Isolationsschicht eine Aussparung integriert wird, die während der Ausbildung der sekundären Bauteilmetallisierung mit einem elektrisch leitenden Medium, insbesondere dem Metall der sekundären Bauteilme tallisierung, verfüllt wird. Alternativ ist es vorstellbar, dass bei der Ausbildung der sekundären Bauteilmetallisierung ein über einen äußersten Rand in einer parallel zur Haupterstreckungsebene verlaufenden Richtung überstehender Abschnitt ste hen gelassen wird, d. h. nicht bei der Strukturierung der sekundären Bauteilmetal lisierung entfernt wird. Mit anderen Worten: Die sekundäre Bauteilmetallisierung steht zumindest abschnittsweise gegenüber dem äußersten Rand der Isolations schicht vor bzw. sie steht über. Infolgedessen läuft die sekundäre Bauteilmetalli sierung um die Isolationsschicht herum, und bildet so eine Seitenkontaktierung aus, die am äußersten Rand der Isolationsschicht diese übergreift bzw. umgeht und eine Verbindung zu der primären Bauteilmetallisierung herstellt.

Vorzugsweise ist es vorgesehen, dass die primäre Bauteilmetallisierung des Me- tall-Keramik-Substrats unstrukturiert und/oder frei von bis zu Keramikelement rei chenden Strukturierungen ist. Dadurch lässt sich in vorteilhafter Weise auf ein an dernfalls aufwendiges Ätzverfahren verzichten, insbesondere ein Ätzverfahren, bei dem im Rahmen eines “second etchings“ die Grenzschicht zwischen dem Kerami kelement und der primären Bauteilmetallisierung weggeätzt werden muss. Grund sätzlich ist es in vorteilhafter Weise möglich, auf mehrere Strukturierungen zu ver zichten bzw. auf einen Großteil der Strukturierung in der primären Bauteilmetalli sierung zu verzichten, wodurch die primäre Bauteilmetallisierung sich verbessert zeigt im Hinblick auf die Wärmeabfuhrfähigkeit bzw. dem Wärmetransport, da die Anzahl der Freibereiche in der primären Bauteilmetallisierung im Vergleich zu den üblichen Bauteilmetallisierungen reduziert ist und die primäre Bauteilmetallisierung optimal für den Wärmeabtransport ausgelegt werden kann.

Alternativ ist es vorstellbar, dass die primäre Bauteilmetallisierung strukturiert ist. Unter „strukturiert“ ist insbesondere zu verstehen, dass die primäre Bauteilmetalli sierung bis zum Keramikelement reicht. Beispielsweise lässt sich dieser Freibe reich, d. h. ein durch die Strukturierung gebildete Isolationsgraben, zumindest teil weise, vorzugsweise vollständig oder schichtweise, mit der Isolationsschicht und/oder mit einerweiteren Isolationsschicht und/oder einer Füllmasse, insbeson dere eine elektrisch isolierenden Füllmasse, füllen. Dabei ist es insbesondere bei der Nutzung der Füllmasse vorgesehen, dass die Isolationsschicht den gebildeten Isolationsgraben überbrückt und die Füllmasse die Isolationsschicht stützt oder unterstützt. Beispielsweise handelt es sich bei der Füllmasse um einen Kunststoff oder einen Hartz. In entsprechender Weise gestattet die Strukturierung eine weite re Separation von Metallabschnitten, insbesondere in einer Ebene parallel zur Haupterstreckungsebene, zusätzlich zu der Separation durch die Isolationsschicht in einer senkrecht zur Haupterstreckungsebene verlaufenden Richtung. Vorzugsweise ist es vorgesehen, dass in die primäre Bauteilmetallisierung min destens ein Rücksprung eingelassen ist, in dem die inselartige Isolationsschicht und/oder die sekundäre Bauteilmetallisierung angeordnet und/oder ein erstes elektrisches Bauteil und/oder ein zweites elektrisches Bauteil ist. Dadurch lässt sich in vorteilhafter weise die sekundäre Bauteilmetallisierung derart anordnen, dass sie bündig abschließt mit der primären Bauteilmetallisierung, wodurch die Anschlüsse an der primären Bauteilmetallisierung und der sekundären Bauteilme tallisierung auf einer Ebenen, insbesondere einer parallel zur Haupterstreckungs ebene verlaufenden Ebene, liegen. Dadurch wird das elektrische Verbinden ins besondere über Drahtbonds signifikant verbessert. Außerdem ist es möglich, über Schwingungsdämpfungselemente, wie z. B. einen Snubber, der einen Widerstand und einen Kondensator umfasst, elektrische Schwingungen im Elektromodul zu reduzieren. Ein solches Schwingungsdämpfungselement wirkt sich zudem vorteil haft auf die Induktivität des Elektronikmoduls aus.

Insbesondere ist es vorstellbar, dass der Rücksprung derart dimensioniert ist, dass im montierten Zustand das mindestens eine erste elektrische Bauteil und/oder das mindestens eine zweite elektrische Bauteil unterhalb einer Oberseite der primären Bauteilmetallisierung angeordnet ist oder im montierten Zustand so angeordnet ist, dass die Oberseite der primären Bauteilmetallisierung mit einer Oberseite des mindestens einen ersten elektrischen Bauteils und/oder des min destens einen zweiten elektrischen Bauteils bündig abschließt. Dadurch wird es in vorteilhafter Weise möglich, über die Oberseite des mindestens einen erstens und/oder des mindestens einen zweiten elektrischen Bauteils einfach eine elektri sche Verbindung zu schaffen. Vorstellbar ist auch, dass das Elektronikmodul eine Verkapselung umfasst, in die das Metall-Keramik-Substrat mit der Isolations schicht und der zweiten Bauteilmetallisierung eingebettet ist. Insbesondere kann der Rücksprung in diesem Fall einen Formschluss mit der Verkapselung bilden. Weiterhin ist es vorstellbar, dass in die Verkapselung Durchkontaktierungen inte griert sind, um beispielsweise das erste elektrische Bauteil, das zweite elektrische Bauteil und/oder das dritte elektrische Bauteil über eine Außenmetallisierung an der Verkapselung ansteuern zu können. Beispielsweise weist der Rücksprung eine in Stapelrichtung bemessene Tiefe auf, die einen Wert zwischen 50 pm und 800 pm, bevorzugt zwischen 70 pm und 600 pm und besonders bevorzugt zwischen 100 pm und 400 pm annimmt Dadurch lässt sich mit Vorteil die Mehrheit der gängigen elektrischen Bauteile, wie z. B. Chips, in den Rücksprung integrieren bzw. in diesem versenken. Es ist auch vor stellbar, dass die Tiefe einen Wert annimmt, der geringer als 150 pm, bevorzugt geringer als 100 pm und besonders bevorzugt geringer als 70 pm ist.

Vorzugsweise ist es vorgesehen, dass die sekundäre Bauteilmetallisierung zur Ausbildung eines Metallabschnittes und mindestens eines vom Metallabschnitt isolierten weiteren Metallabschnitts strukturiert ist. Vorzugsweise ist es hierbei vorgesehen, dass die sekundäre Bauteilmetallisierung dünner als die primäre Bau teilmetallisierung ist, da die primäre Bauteilmetallisierung vorwiegend zum Abfüh ren der Wärme genutzt werden kann, während die sekundäre Bauteilmetallisie rung vorzugsweise zur Isolation von Metallabschnitten untereinander vorgesehen ist. Vorzugsweise ist die primäre Bauteilmetallisierung mehr als 5 mal, bevorzugt mehr als 10 mal und besonders bevorzugt mehr als 20 mal so dick wie die sekun däre Bauteilmetallisierung. Dadurch lassen sich beispielsweise mehrere zweite elektrische Bauteile und/oder mindestens ein drittes elektrisches Bauteil an die Isolationsschicht bzw. an die sekundäre Bauteilmetallisierung anbinden.

Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Her stellen eines Elektronikmoduls, insbesondere eines erfindungsgemäßen Elektro nikmoduls, umfassend:

- Bereitstellen eines Metall-Keramik-Substrats mit einem Keramikelement und einer primären Bauteilmetallisierung und vorzugsweise einer Kühlteilmetallisierung

- Ausbilden einer inselartigen Isolationsschicht auf der primären Bauteilmetallisie rung, wobei das Keramikelement eine erste Größe und die Isolationsschicht eine zweite Größe aufweist, wobei die ausgebildete inselartige Isolationsschicht auf der primären Bauteilmetallisierung derart dimensioniert ist, dass ein Verhältnis der zweiten Größe zu der ersten Größe einen Wert annimmt, der kleiner als 0,8, be vorzugt kleiner als 0,6 und besonders bevorzugt kleiner als 0,5 ist und

- Ausbilden einer sekundären Bauteilmetallisierung auf der inselartigen Isolations schicht.

Alle für das Elektronikmodul beschriebenen Vorteile und Merkmale bzw. Eigen schaften gelten analog für das Verfahren und andersrum.

Vorzugsweise ist es vorgesehen, dass zum Ausbilden einer inselartigen Isolati onsschicht

- eine Lage, insbesondere eine durchgehend flächige Lage aus einem Isolations material an die primäre Bauteilmetallisierung angebunden wird und die angebun dene Lage aus dem Isolationsmaterial strukturiert wird und/oder

- Isolationsmaterial unter Verwendung einer Maskierung auf die primäre Bauteil metallisierung aufgetragen wird. Vorzugsweise handelt es sich um keramikhaltiges Isolationsmaterial. Beispielsweise wird die Strukturierung mittels eines Lasers oder im Rahmen eines Ätzvorgangs oder eines Fräsvorgangs vorgenommen. Im Rah men des Auftragens unter Verwendung einer Maskierung ist es beispielsweise vorstellbar, dass das Isolationsmaterial mittels eines Abscheidevorgangs, insbe sondere mittels eines Sputterns oder eines Gasphasenabscheidevorgangs auf der primären Bauteilmetallisierung aufgetragen wird. Dadurch lassen sich vergleichs weise dünne Isolationsschichten realisieren, die isolierend wirken und insbesonde re materialsparend aufgetragen werden können.

Vorzugsweise ist es vorgesehen, dass eine Lage aus einem Metallmaterial an ei nem Vorverbund, der das Metall-Keramik-Substrat und die inselartige Isolations schicht umfasst, angebunden wird, wobei die an den Vorverbund angebundene Lage aus dem Metallmaterial zur Ausbildung der sekundären Bauteilmetallisierung strukturiert wird. Beispielsweise ist es vorstellbar, dass im Rahmen eines Gaspha senabscheidevorgangs eine sekundäre Initialbauteilmetallisierung hergestellt wird, die nur wenige Mikrometer, insbesondere bis zu 30 pm, dick ist. Durch eine an schließende Vergrößerung dieser sekundären Initialbauteilmetallisierung ist es möglich, eine sekundäre Präbauteilmetallisierung zu realisieren, die eine Dicke aufweist, die größer ist als die sekundäre Initialbauteilmetallisierung. Beispielswei se erfolgt das Vergrößern der Dicke der Metallisierung im Rahmen eines galvani schen oder elektrochemischen Vorgangs. Sowohl die sekundäre Initialbauteilme tallisierung als auch die sekundäre Präbauteilmetallisierung erstrecken sich voll flächig über die gesamte Ausdehnung oder einen Großteil der Ausdehnung der Außenseite der primären Bauteilmetallisierung und der Isolationsschicht. Insbe sondere wird die Isolationsschicht dabei bedeckt nach der Bildung der sekundären Präbauteilmetallisierung vollflächig. Zur elektrischen Isolation der späteren Bau teilmetallisierung ist es vorgesehen, im Rahmen eines Ätzvorgangs, eines Fräs vorgangs oder im Rahmen eines Vorgangs, bei dem mittels Lasers das Metall ab getragen wird, die Strukturierung der Bauteilmetallisierung bzw. der sekundären Bauteilmetallisierung vorzunehmen, insbesondere unter Abtragen der Bauteilme tallisierung, die im Rahmen der Entstehung der sekundären Initialbauteilmetallisie rung und der sekundären Präbauteilmetallisierung erfolgt.

Weiterhin ist es bevorzugt vorgesehen, dass mindestens ein erstes elektrisches Bauteil an die primäre Bauteilmetallisierung und mindestens ein zweites elektri sches Bauteil an die sekundäre Bauteilmetallisierung angebunden werden, wobei vorzugsweise

- das mindestens eine erste Bauteil und/oder die primäre Bauteilmetallisierung und

- das mindestens eine elektrische zweite Bauteil und/oder die sekundäre Bau teilmetallisierung über einen Drahtbond miteinander elektrisch leitend verbunden werden. Dadurch ist es in vorteilhafter Weise möglich, die üblicherweise vorgese hene Leiterbahn zum Verbinden von den mindestens einen elektrischen Bauteil mit dem mindestens einen zweiten elektrischen Bauteil durch die Verbindung über Drahtbonds zu ersetzen. Dies könnte sich insbesondere im Rahmen der Herstel lung und Fertigung und im Rahmen des Bestückens der Elektronikmodule als vor teilhaft erweisen. Weitere Vorteile und Merkmale ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Gegenstands mit Bezug auf die beigefügten Figuren. Einzelne Merkmale der einzelnen Ausführungsform können dabei im Rahmen der Erfindung miteinander kombiniert werden.

Es zeigt:

Fig. 1: schematisch ein Elektronikmodul gemäß einer ersten beispielhaf ten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in einer Explo sionsdarstellung, jeweils bestückt und einmal unbestückt und in einer zusammengesetzten Darstellung

Fig. 2 schematisch ein Elektronikmodul gemäß einer zweiten beispiel haften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,

Fig. 3 schematisch ein Elektronikmodul gemäß einer dritten beispielhaf ten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,

Fig. 4 schematisch ein Elektronikmodul gemäß einer vierten beispiel haften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,

Fig. 5 schematisch ein Elektronikmodul gemäß einer fünften beispiel haften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,

Fig. 6a-6f schematisch ein Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmo duls gemäß einer ersten beispielhaften Ausführungsform der vor liegende Erfindung,

Fig. 7a-7e schematisch ein Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmo duls gemäß einer zweiten beispielhaften Ausführungsform der vorliegende Erfindung, Fig. 8a-8f schematisch ein Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmo duls gemäß einer dritten beispielhaften Ausführungsform der vor liegende Erfindung,

Fig. 9a-9f schematisch ein Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmo duls gemäß einer vierten beispielhaften Ausführungsform der vorliegende Erfindung,

Fig. 10a-10f schematisch ein Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmo duls gemäß einer fünften beispielhaften Ausführungsform der vorliegende Erfindung und

Fig. 11a-11f schematisch ein Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmo duls gemäß einer sechsten beispielhaften Ausführungsform der vorliegende Erfindung.

In Figur 1 ist schematisch ein Elektronikmodul 100 gemäß einer ersten beispiel haften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in einer Explosionsdarstel lung, jeweils unbestückt (oben) und bestückt (mittig), und in einer zusammenge setzten Darstellung gezeigt (unten). Solche Elektronikmodule 100, insbesondere Leistungselektronikmodule, umfassen ein Metall-Keramik-Substrat 1 als Träger für zumindest ein erstes elektrisches Bauteil 51. Das als Träger dienende Metall- Keramik-Substrat 1 umfasst ein Keramikelement 10, an dem an gegenüberliegen den Seiten eine primäre Bauteilmetallisierung 21 und eine Kühlteilmetallisierung 20 angebunden sind. Vorzugsweise sind die primäre Bauteilmetallisierung 21 und die Kühlteilmetallisierung 20 im Rahmen eines DAB oder DCB-Verfahrens, d. h. eines Direktanbindungsverfahrens, oder im Rahmen eines Aktivlötverfahrens an das Keramikelement 10 angebunden. An das Metall-Keramik-Substrat 1 kann bei spielsweise über ein erstes Lötmaterial 31 das mindestens eine elektrische Bauteil 51 angebunden werden. Dabei kann es sich beispielsweise bei dem mindestens einen ersten elektrischen Bauteil 51 um einen Chip oder einen Mikroprozessor handeln.

Typischerweise ist es im Stand der Technik vorgesehen, die primäre Bauteilmetal lisierung 21 zu strukturieren, um das mindestens eine elektrische Bauteil 51 elektrisch isoliert von mindestens einem zweiten elektronischen Bauteil 52 am Me- tall-Keramik-Substrat 1 anzuordnen. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist es allerdings vorgesehen, dass zur elektrischen Isolie rung des mindestens einen ersten elektrischen Bauteils 51 von dem mindestens einen zweiten elektrischen Bauteil 52 eine Isolationsschicht 40 vorgesehen ist. In dem in Figur 1 dargestellten Ausführungsbeispiel ist dabei die Isolationsschicht 40 Teil eines weiteren Metall-Keramik-Substrats 2, das im Vergleich zu dem als Trä ger dienenden Metall-Keramik-Substrat 1 kleiner ist. Insbesondere ist das weitere Metall-Keramik-Substrat 2 im Vergleich zu dem als Träger dienenden Metall- Keramik-Substrat 1 um einen Faktor 2, bevorzugt einen Faktor 4 und besonders bevorzugt um einen Faktor 7,5 kleiner als das Metall-Keramik-Substrat 1. Dabei umfasst das weitere Metall-Keramik-Substrat 2 neben der Isolationsschicht 40 ei ne Rückseitenmetallisierung 23 und eine der Rückseitenmetallisierung 23 gegen überliegende sekundäre Bauteilmetallisierung 22. Dabei ist das weitere Metall- Keramik-Substrat 2 über eine Bindungsschicht 15 an die primäre Bauteilmetallisie rung 21 angebunden. Insbesondere ist dabei die Rückseitenmetallisierung 23 des weiteren Metall-Keramik-Substrats 2 an die primäre Bauteilmetallisierung 21 über die Bindungsschicht 15 angebunden, wobei die Bindungsschicht 15 im Rahmen eines DCB oder DAB-Direktanbindungsverfahrens erfolgen kann und/oder über einen Klebstoff und/oder über ein Aktivlotmaterial.

Weiterhin ist es besonders bevorzugt vorgesehen, dass das mindestens eine zweite elektrische Bauteil 52 über ein zweites Lotmaterial 32 an mindestens einen Abschnitt der sekundären Bauteilmetallisierung 22 angebunden ist. Dabei kann das zweite Lotmaterial 32 dem ersten Lotmaterial 31 entsprechen oder sich vom ersten Lotmaterial 31 unterscheiden. Insbesondere zeichnet sich die Ausführungsform der Figur 1 dadurch aus, dass das Keramikelement 10 des Metall-Keramik-Substrats 1 eine erste Größe L1, D1 und die Isolationsschicht 40 eine zweite Größe L2, D2 aufweist, wobei zur Ausbil dung einer inselartigen Isolationsschicht 40 auf der primären Bauteilmetallisierung 21 ein Verhältnis der zweiten Größe L2, D2 zu der ersten Größe L1, D1 einen Wert annimmt, der kleiner als 0,8, bevorzugt kleiner als 0,6 und besonders bevor zugt kleiner als 0,4 ist. Insbesondere ist es dadurch vorgesehen, dass durch die Isolationsschicht 40 verhindert wird, dass das mindestens eine erste elektrische Bauteil 51 mit dem mindestens einen zweiten elektrischen Bauteil 52 über die pri märe Bauteilmetallisierung 21 elektrisch leitend verbunden ist. Dabei versteht der Fachmann unter einer ersten Größe L1 , D2 eine entlang einer Haupterstre- ckungsebene FISE des Metall-Keramik-Substrats 1 bemessene erste Länge L1 und/oder eine senkrecht zur Haupterstreckungsebene HSE bemessene erste Di cke D1 des Keramikelements 10 und unter einer zweiten Größe L2, D2 eine paral lel zur Haupterstreckungsebene HSE bemessene zweite Länge L2 und/oder eine senkrecht zur Haupterstreckungsebene HSE bemessene zweite Dicke D2. Vor zugsweise ist es vorgesehen, dass die zweite Dicke D2 der Isolationsschicht 40 kleiner als die erste Dicke D1 des Keramikelements 10 ist. Beispielsweise ist die zweite Dicke D2 kleiner als das 0,8-fache der ersten Dicke D1 , bevorzugt kleiner als das 0,5-fache der ersten Dicke D1 und besonders bevorzugt kleiner als das 0,3-fache der ersten Dicke D1.

In Figur 2 ist ein Elektronikmodul 100 gemäß einer zweiten beispielhaften Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt. Im Wesentlichen ergänzt die Ausführungsform der Figur 2 diejenige aus der Figur 1 dahingehend, dass das mindestens eine erste elektrische Bauteil 51 über einen Drahtbond 8 elektrisch leitend mit der sekundären Bauteilmetallisierung 22 verbunden ist. Mit anderen Worten: Statt über die primäre Bauteilmetallisierung 21 die elektrische Verbindung zwischen dem mindestens einen ersten elektrischen Bauteil 51 und dem mindes tens einen zweiten elektrischen Bauteil 52 herzustellen, ist es hier vorgesehen, dass ein Drahtbond 8 die Verbindung zwischen dem mindestens einen ersten elektrischen Bauteil 51 und dem mindestens einen zweiten elektrischen Bauteil 52 realisiert, wobei das zweite elektrische Bauteil 52 über die Isolationsschicht 40 elektrisch isoliert ist von der primären Bauteilmetallisierung 21. Vorzugsweise ist es vorgesehen, dass die sekundäre Bauteilmetallisierung 22 strukturiert ist, insbe sondere derart, dass sich separate und insbesondere elektrisch isolierte Metallab schnitte an der sekundären Bauteilmetallisierung 22 ausbilden. Weiterhin ist es besonders bevorzugt vorgesehen, dass das Elektronikmodul 100 Anschlussfah nen 16 und/oder elektrische Kontaktmittel aufweist, mit denen ein elektrischer Kontakt zur primären Bauteilmetallisierung 21 und/oder sekundären Bauteilmetal lisierung 22 hergestellt werden können. Beispielsweise ist es in dem in Figur 2 dargestellten Ausführungsbeispiel vorgesehen, dass eine Anschlussfahne 16 ein Anschluss für einen positiven Pol zu der primären Bauteilmetallisierung 21 reali siert, während eine andere Anschlussfahne 16 einen Anschluss für einen negati ven Pol für die sekundäre Bauteilmetallisierung 22 bereitstellt, sowie noch ein an derer Anschluss mit einer Anschlussfahne 16, an der ein Ausgangssignal abgegrif fen werden kann. Weiterhin ist es vorstellbar, dass unterschiedliche Metallab schnitte der sekundären Bauteilmetallisierung 22 ebenfalls über einen Drahtbond 8 bzw. einen weiteren Drahtbond 8 miteinander verbunden sind.

In Figur 3 ist eine dritte beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt. Insbesondere unterscheidet sich die Ausführungsform der Figur 3 von denjenigen aus den Figuren 1 und 2 dahingehend, dass die Isolationsschicht 40 anstatt mittelbar über die Rückseitenmetallisierung 23 des weiteren Metall- Keramik-Substrats 2 unmittelbar bzw. direkt an die primäre Bauteilmetallisierung 21 angebunden ist. Dadurch wird in vorteilhafter Weise auf die Rückseitenmetalli sierung 23 aus den Ausführungsbeispielen der Figuren 1 und 2 verzichtet. Weiter hin ist es vorgesehen, dass die Isolationsschicht 40 eine zweite Dicke D2 aufweist und das Keramikelement 10 eine erste Dicke D1 , wobei ein Verhältnis der zweiten Dicke D2 zur ersten Dicke D1 einen Wert zwischen 0,03 und 0,8, bevorzugt 0,03 und 0,5 und besonders bevorzugt zwischen 0,03 und 0,3 annimmt. Beispielsweise weist die zweite Dicke D2 einen Wert von 500 pm bis 1 mm, bevorzugt zwischen 200 pm und 500 pm und besonders bevorzugt zwischen 10 pm und 200 pm auf. Weiterhin ist es vorgesehen, dass die Isolationsschicht 40 eine entlang der Haupt erstreckungsebene HSE des Metall-Keramik-Substrats 1 bemessene zweite Län ge L2 aufweist und die sekundäre Bauteilmetallisierung 22 eine entlang der Haupterstreckungsebene HSE bemessene dritte Länge L3 aufweist, wobei die zweite Länge L2 kleiner als die dritte Länge L3 ist. Insbesondere nimmt ein Ver hältnis der zweiten Länge L2 zu der dritten Länge L3 einen Wert zwischen 0,7 und 0,9, bevorzugt zwischen 0,75 und 0,85 und besonders bevorzugt zwischen 0,78 und 0,82 an. Vorzugsweise ist es vorgesehen, dass die sekundäre Bauteilmetalli sierung 22 gegenüber einen äußersten Rand der Isolationsschicht 40 in Richtung der Haupterstreckungsebene HSE zurückversetzt ist, insbesondere umlaufend für die gesamte inselartige Isolationsschicht 40. Dadurch wird insbesondere ein um laufender Überstand der Isolationsschicht 40 gegenüber der sekundären Bauteil metallisierung 22 veranlasst, der insbesondere verhindert, dass es zu einem elektrischen Überschlag zwischen der sekundären Bauteilmetallisierung 22 und der primären Bauteilmetallisierung 21 kommt, insbesondere bei vergleichsweise dünnen Schichten oder Schichtdicken der Isolationsschicht 40, d. h. im Vergleich zu vergleichsweise dünnen zweiten Dicken D2. Weiterhin ist es vorstellbar, dass die primäre Bauteilmetallisierung 21 frei ist von Strukturierungen, die bis zum Ke ramikelement 10 reichen. Weiterhin ist es vorgesehen, dass das Metall-Keramik- Substrat 1 eine parallel zur Haupterstreckungsebene HSE bemessene erste Län ge L1 aufweist, wobei ein Verhältnis der zweiten Länge L2 zur ersten Länge L1 einen Wert annimmt, der kleiner ist als 0,8, bevorzugt kleiner als 0,6 und beson ders bevorzugt kleiner als 0,4.

In Figur 4 ist ein Elektronikmodul 100 gemäß einer vierten bevorzugten Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt. Insbesondere zeichnet sich das Ausführungsbeispiel der Figur 4 im Vergleich zu den vorherigen dadurch aus, dass die primäre Bauteilmetallisierung 21 einen rückspringenden Verlauf aufweist, d. h. mindestens einen Rücksprung 45 ausbildet, in den wiederum die Isolations schicht 40 eingelassen ist bzw. innerhalb dem die Isolationsschicht 40 angeordnet bzw. ausgebildet ist. Durch das Einbringen der Isolationsschicht 40, insbesondere mit der sekundären Bauteilmetallisierung 22 in den Rücksprung 45, ist es in vor- teilhafter Weise möglich, ein bündigen Abschluss entlang einer senkrecht zur Haupterstreckungsebene HSE verlaufenden Stapelrichtung S zwischen der pri mären Bauteilmetallisierung 21 und der sekundären Bauteilmetallisierung 22 zu realisieren, sodass eine ebene Fläche von der primären Bauteilmetallisierung 21 und der sekundären Bauteilmetallisierung 22, insbesondere von den jeweils von dem Keramikelement 10 abgewandten Seiten, bereitgestellt wird.

Dadurch wird eine gemeinsame Anbindungsebene geschaffen, die es mit Vorteil einfacher zulässt, Bindungen zwischen der primären Bauteilmetallisierung 21 und der sekundären Bauteilmetallisierung 22 zu realisieren bzw. zwischen dem min destens einen ersten elektrischen Bauteil 51 und dem mindestens einen zweiten elektrischen Bauteil 52. Vorstellbar ist auch, dass eine Vorrichtung zur Dämpfung unerwünschter elektrischer Schwingungen zwischen der primären Bauteilmetalli sierung 21 und der sekundären Bauteilmetallisierung 22 vorgesehen ist. Bei spielsweise handelt es sich hierbei um einen Snubber47. Insbesondere sind der artige Snubber 47 dafür vorgesehen, elektrische Schwingungsdämpfungen vorzu nehmen zwischen der primären Bauteilmetallisierung 21 und der sekundären Bau teilmetallisierung 22. In vorteilhafter Weise ist es in einem solchen Fall bspw. mög lich, den Snubber 47 auf der gemeinsam bereitgestellten Anbindungsebene der primären Bauteilmetallisierung 21 und der sekundären Bauteilmetallisierung 22 anzuordnen.

In Figur 5 ist ein Elektronikmodul 100 gemäß einer fünften beispielhaften Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt. Insbesondere ist es in dieser Ausführungsform vorgesehen, dass die Isolationsschicht 40 neben dem mindes tens einen zweiten elektrischen Bauteil 52 mindestens ein drittes elektrisches Bau teil 53 trägt. Dabei kann es sich beispielsweise um ein passives oder aktives SMD-Bauteil handeln. Insbesondere ist es vorgesehen, dass der Bereich unter halb des elektrischen Bauteils 53 zur Wärmspreizung von anderen Bauteilen, d. h. beispielsweise für das erste elektrische Bauteil 51 und zweite elektrische Bauteil 52 vorgesehen ist. Durch die Isolationsschicht 40 ist es möglich, auch dieser Be reich mit dem dritten elektrischen Bauteil 53 zu bestücken, insbesondere wenn vom dritten elektrischen Bauteil 53 eine vergleichsweise geringe Wärmemenge ausgeht. Dadurch wird die Oberseite des als Träger dienenden Metall-Keramik- Substrats 1 möglichst umfassend und optimiert zur Bestückung genutzt.

In den Figuren 6a bis 6f ist ein Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls 100 gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar gestellt. Insbesondere ist es vorgesehen, dass in einem nicht dargestellten Schritt das Metall-Keramik-Substrat 1 bereitgestellt wird. Anschließend wird Keramikma terial in Form einer Dünnschicht zur Ausbildung der Isolationsschicht 40 zumindest teilweise, vorzugsweise vollflächig, aufgetragen. Durch ein gezieltes lokales Ab tragen in bestimmten Bereichen an der Oberseite des Metall-Keramik-Substrats 1 wird die vollflächige Isolationsschicht 40 reduziert auf eine inselartige Isolations schicht 40, deren zweite Länge L2 kleiner ist als die erste Länge L1 des Metall- Keramik-Substrats 1 bzw. des ersten Keramikelements 10. Beispielsweise wird zum Entfernen bzw. partiellen Entfernen der Isolationsschicht 40 Laserlicht 55 verwendet, dass von einer Laserquelle 56 bereitgestellt wird (siehe Figur 6b). Fi gur 6c zeigt den von den überflüssigen Teilbereichen der Isolationsschicht 40 be freiten Vorverbund. Im Anschluss an das Entfernen der Isolationsschicht 40 erfolgt ein Aufbringen einer sekundären Initialbauteilmetallisierung 22‘. Insbesondere wird diese sekundäre Initialbauteilmetallisierung 22' im Rahmen eines Abscheidevor gangs, insbesondere eines chemischen oder physikalischen Gasphasenabschei devorgangs, wie bspw. im Rahmen eines Sputtern, eines PVD, CVD, PECVD oder anderen Dünnschichtfilmprozessen aufgetragen. Dadurch ergibt sich eine durch gehende, vollflächige Ausformung der sekundären Initialbauteilmetallisierung 22' auf der primären Bauteilmetallisierung 21 und der inselartigen Isolationsschicht 40. Dies ist in Figur 6d illustriert.

In Anschluss an die Dünnschichtausbildung der sekundären Initialbauteilmetallisie rung 22' wird bspw. im Rahmen eines galvanischen oder elektrochemischen Pro zesses die Dicke der sekundären Initialbauteilmetallisierung 22' erhöht zur Ausbil dung einer sekundären Präbauteilmetallisierung 22“. Auch die sekundäre Präbau teilmetallisierung 22“ erstreckt sich über die gesamte Ausdehnung der primären Bauteilmetallisierung 21. Dieser Zustand im Fertigungsverfahren ist in Figur 6e illustriert.

Die Figur 6f zeigt das Elektronikmodul 100 in Anschluss an eine Strukturierung, insbesondere nach einem Abtrag von Teilen der sekundären Präbauteilmetallisie rung 22“ zwecks der Ausbildung der sekundären Bauteilmetallisierung 22 mit der zweiten Dicke D2, die vorzugsweise einen strukturierten Verlauf auf der Isolati onsschicht 40 aufweist, bei dem verschiedene Metallabschnitte, elektrisch isoliert durch die Isolationsschicht 40 voneinander, auf der Isolationsschicht 40 ausgebil det sind. Beispielsweise erfolgt ein derartiges Strukturieren im Rahmen eines La- serabtragens oder im Rahmen eines Ätzverfahrens und/oder eines mechanischen Bearbeitens.

In den Figuren 7a bis 7e ist ein Verfahren gemäß einer zweiten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt. Insbesondere unter scheidet sich das Fierstellungsverfahren in den Figuren 7a bis 7e im Wesentlichen von denjenigen aus den Figuren 6a bis 6f dahingehend, dass die strukturierte Iso lationsschicht 40 nicht vollflächig aufgetragen wird und anschließend teilweise wieder entfernt wird, sondern dabei unter Verwendung einer Maskierung 61 das Aufträgen der Isolationsschicht 40 auf der primären Bauteilmetallisierung 21 be reits lediglich partiell erfolgt. Dadurch erspart man sich mit Vorteil das Abtragen von Teilbereichen der vollflächig aufgetragenen Isolationsschicht 40. Die in den Figuren 7c bis 7e dargestellten Verfahrensschritte entsprechen im Wesentlichen denjenigen, die in den Figuren 6e bis 6f illustriert sind.

In den Figuren 8a bis 8f wird ein Verfahren zur Fierstellung eines Elektronikmo duls 100 gemäß einer dritten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt. Insbesondere unterscheidet sich die Ausführungsform der Figuren 8a bis 8f dahingehend von der Ausführungsform der Figuren 6a bis 6e, dass die Isolationsschicht 40 derart strukturiert wird (Schritt 8b und 8c), dass eine Aussparung realisiert wird, die insbesondere in einer parallel zur Flaupterstre- ckungsebene FISE verlaufenden Richtung schmaler ist als 1000 pm, insbesondere schmaler als 500 pm und besonders bevorzugt schmaler als 250 gm Während der anschließenden Metallisierung der Isolationsschicht 40, insbesondere während der in den Figuren 6a bis 6e beschriebenen mehrstufigen Metallisierung durch die sekundäre Initialbauteilmetallisierung 22' und die sekundäre Präbauteilmetallisie rung 22“ zur Ausbildung der sekundären Bauteilmetallisierung 22 wird so die Aus sparung gefüllt, wodurch eine Durchkontaktierung 26 in der Isolationsschicht 40 gebildet wird bzw. möglich ist.

In den Figuren 9a bis 9f wird ein Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmo duls 100 gemäß einer vierten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt. Insbesondere unterscheidet sich die Ausführungsform der Figuren 9a bis 9f dahingehend von der Ausführungsform der Figuren 6a bis 6e, dass bei der Strukturierung der Metallisierung, die zur Bildung der sekundären Bauteilmetallisierung 22 (Schritt zwischen 9e und 9f) vorgesehen ist, die sekundä re Präbauteilmetallisierung 22“ derart strukturiert wird, dass sich eine Seitenkon taktierung 27 ausbildet. Die Seitenkontaktierung 27 verläuft dabei über den Rand der Isolationsschicht 20 hinaus und realisiert eine elektrisch leitenden Verbindung mit der primären Bauteilmetallisierung 21 , die unter dem Abschnitt der sekundären Bauteilmetallisierung 22 liegt, die gegenüber dem äußersten Rand der Isolations schicht 40 vorsteht.

In den Figuren 10a bis 10f wird ein Verfahren zur Herstellung eines Elektronik moduls 100 gemäß einer fünften beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt. Insbesondere unterscheidet sich die Ausführungsform der Figuren 10a bis 10f dahingehend von der Ausführungsform der Figuren 6a bis 6e, dass die primäre Bauteilmetallisierung 21 strukturiert ist bzw. strukturiert bereitge stellt wird. Dadurch ist in der primären Bauteilmetallisierung 21 ein Isolationsgra ben bzw. ein Freibereich zwischen zwei Metallabschnitten der primären Bauteil metallisierung 21 ausgebildet, die in einer parallel zur Haupterstreckungsebene HSE verlaufenden Richtung nebeneinander angeordnet sind. Ferner ist es vorge sehen, dass die Isolationsschicht 40 durch den Isolationsgraben verläuft, d. h. die Isolationsschicht 40 bedeckt sowohl die Metallabschnitte der primären Bauteilme- tallisierung 21 als auch den Isolationsgraben, d. h. die Oberseite des Keramikele ments 10, und insbesondere die Seitenflächen bzw. Ätzflanken der Metallabschnit te der primären Bauteilmetallisierung 21. Dadurch ist es beispielsweise möglich, vergleichsweise nah beieinander angeordnete Metallabschnitte der primären Bau teilmetallisierung 21 wirkungsvoll voneinander elektrisch isolierend voneinander zu trennen. Insbesondere ist nicht mit Überschlägen zwischen den Metallabschnitten der primären Bauteilmetallisierung 21 zu rechnen. Weiterhin ist es vorstellbar, dass die sekundäre Bauteilmetallisierung 22, vorzugsweise hergestellt mittels Ini tialbauteilmetallisierung 22' und Präbauteilmetallisierung 22“, derart strukturiert wird, dass die sekundäre Bauteilmetallisierung 22 über den Bereich der Isolations schicht 40 verläuft, der innerhalb bzw. durch den Isolationsgraben verläuft.

In den Figuren 11a bis 11f wird ein Verfahren zur Herstellung eines Elektronik moduls 100 gemäß einer sechsten beispielhaften Ausführungsform der vorliegen den Erfindung dargestellt. Insbesondere unterscheidet sich die Ausführungsform der Figuren 11a bis 11f dahingehend von der Ausführungsform der Figuren 6a bis 6e, dass die primäre Bauteilmetallisierung 21 strukturiert ist. Dabei ist es weiter vorgesehen, dass die durch die Strukturierung gebildete Aussparung bzw. der entsprechende Isolationsgraben mit einer Füllmasse 29 gefüllt wird. Insbesondere wird die Aussparung bzw. der Isolationsgraben vollständig gefüllt. Im anschließen den Metallisierungsvorgang, insbesondere gemäß der Ausführungsform aus den Figuren 6a bis 6e, wird eine sekundäre Bauteilmetallisierung 22 ausgebildet, die über die Aussparung bzw. den Isolationsgraben hinwegläuft. Dadurch ist es in vor teilhafter möglich, die Gestaltungsfreiheit bei der Ausbildung von zueinander iso lierten Metallabschnitten zu erweitern.

Die Ausführungsbeispiele aus den Figuren 8a - 8f bis 11 a-11 f lassen sich dabei auch mit der Methode aus dem Ausführungsbeispiel der Figuren 7a bis 7e herstei len. Bezuqszeichenliste:

1 Metall-Keramik-Substrat

2 weiteres Metall-Keramik-Substrat 8 Drahtbond

10 Keramikelement

15 Bindungsschicht

16 Anschlussfahne

20 Kühlteilmetallisierung 21 primäre Bauteilmetallisierung

22 sekundäre Bauteilmetallisierung

22' sekundäre Initialbauteilmetallisierung

22“ sekundäre Präbauteilmetallisierung

23 Rückseitenmetallisierung 26 Durchkontaktierung

27 Seitenkontaktierung

29 Füllmasse

31 erstes Lötmaterial

32 zweites Lötmaterial 40 Isolationsschicht

45 Rücksprung

47 Snubber

51 erstes elektrisches Bauteil

52 zweites elektrisches Bauteil 53 drittes elektrisches Bauteil

55 Laserlicht

56 Laserquelle

61 Maskierung

100 Elektronikmodul HSE Haupterstreckungsebene

S Stapelrichtung

L1 erste Länge L2 zweite Länge L3 dritte Länge

D1 erste Dicke

D2 zweite Dicke