以下、本発明の実施形態を説明する。
(第一実施形態)
 本実施形態では、プリプレグに使用する樹� ��組成物の構成、プリプレグ等について説明� ��る。
 前記樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂、(B)硬� ��剤、(C)無機充填材および(D)シアネート樹脂� ��よび/またはそのプレポリマーを必須成分と する。
 前記樹脂組成物に用いる(A)エポキシ樹脂は� ��下記一般式(1)で示される構造を有する。

[式中 Arは縮合環芳香族炭化水素基を示し、r は1以上の整数である。Xは水素、またはエポ� ��シ基(グリシジルエーテル基)を、R1は、水素 、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル 基、フェニル基、およびベンジル基の中から 選択される1種を表す。nは1以上の整数であり 、p、qは1以上の整数であり、またp、qの値は� ��繰り返し単位毎に同一でも、異なっていて� ��よい。]

 (A)のエポキシ樹脂を使用することで、(A)の� ��ポキシ樹脂と、(D)のシアネート樹脂との相� ��性が良好になるとともに、樹脂成分に対す� ��(C)無機充填材の分散性が良好となり、樹脂� ��分と、(C)無機充填材とが分離しないように� ��る。これにより、(D)のシアネート樹脂、(C)� ��無機充填材を使用することで、線膨張係数� ��低くすることができるとともに、プリプレ� ��等のシート状物を作製した際にスジむらが� ��生することを防止でき、表面を平滑化する� ��とができる。
 これに加え、(A)エポキシ樹脂を用いること� ��より、(C)無機充填材を含有しても、低溶融� ��度化できる。そのため、積層板等を製造す� ��際の、加工性に優れたものとなる。
 なお、(A)のエポキシ樹脂を使用せず、他の� ��造のエポキシ樹脂を使用した場合において� ��低溶融粘度化した場合には、プリプレグ等� ��ように、シート状に成形した際に、スジむ� ��がより発生しやすいものとなってしまう。
 また、(A)のエポキシ樹脂は、式(1)で示され� ��ものであってもよく、この場合には、Arは� �合環芳香族炭化水素基を示し、rは1以上の整 数である。Xは水素、またはエポキシ基(グリ� ��ジルエーテル基)を、R1は、水素、メチル基� ��エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニ� ��基、およびベンジル基の中から選択される1 種を表す。nは1以上の整数である。さらに、p 、qはそれぞれ0以上の整数であるが、p=q=0と� �ることはなく、(A)のエポキシ樹脂は、pが1以 上、qが1以上の繰り返し単位を少なくとも1つ 有する。

 前記縮合環芳香族炭化水素基[Ar]は、下記 式(Ar1)~(Ar4)で表される構造よりなる群から選� ��れる1種あることが好ましい。

[式中 R ₂ は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピ ル基、ブチル基、フェニル基、およびベンジ ル基の中から選択される1種を表す。]
さらに好ましくは上記式(Ar1)であることが好� ��しく、特に好ましくは、上記式(Ar1)の中で� �R ₂ が、メチル基の場合である。このようにする ことで、プレス成形した際に外観や埋め込み 性が良化し、成形性が良好になるという効果 がある。

 前記(A)エポキシ樹脂の含有量は、特に限定� ��れないが、前記樹脂組成物全体の1~20重量%� �好ましく、なかでも、5重量%以下であること が特に好ましい。
 1重量%未満の場合には、無機充填材成分と� �脂成分とが各々分離してしまう場合があり� �20重量%を超える場合には、難燃性が低下す� �という問題が発生する可能性がある。

 前記樹脂組成物の(B)硬化剤は、特に限定� ��れないが、フェノール樹脂、硬化促進剤を� ��いることが好ましい。フェノール樹脂と、� ��化促進剤とを併用してもよい。

 前記フェノール樹脂は、特に限定されな� ��が、例えばフェノールノボラック樹脂、ク� ��ゾールノボラック樹脂、ビスフェノールAノ ボラック樹脂、アリールアルキレン型ノボラ ック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、 未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、ア マニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾー ルフェノール樹脂等のレゾール型フェノール 樹脂が挙げられる。これらの中の1種類を単� �で用いることもできるし、異なる重量平均� �子量を有する2種類以上を併用したり、1種類 または2種類以上の前述した樹脂と、それら� �プレポリマーを併用したりすることもでき� �。これらの中でも特に、アリールアルキレ� �型フェノール樹脂が好ましい。これにより� �さらに吸湿半田耐熱性を向上させることが� �きる。

 前記硬化促進剤は、特に限定されないが、� ��えばナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト� ��オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビ� ��アセチルアセトナートコバルト(II)、トリス アセチルアセトナートコバルト(III)等の有機� ��属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミ� ��、ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン等の3級ア� �ン類、2-メチルイミダゾール、2-フェニルイ� ��ダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾー� �、2-エチル-4-エチルイミダゾール、1-ベンジ� ��ー2-メチルイミダゾール、1-ベンジルー2-フ� ��ニルイミダゾール、2-ウンデシルイミダゾ� �ル、1-シアノエチルー2-エチルー4-メチルイ� �ダゾール、1-シアノエチルー2-ウンデシルイ� ��ダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキ� �イミダゾール、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシ� ��ミダゾール、2,3-ジヒドロー1H-ピロロ(1,2-a)� �ンズイミダゾール等のイミダゾール類(イミ� ��ゾール化合物)、フェノール、ビスフェノー ルA、ノニルフェノール等のフェノール化合� �、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトル� �ンスルホン酸等の有機酸等、またはこの混� �物が挙げられる。これらの中の誘導体も含� �て1種類を単独で用いることもできるし、こ� ��らの誘導体も含めて2種類以上を併用したり することもできる。
 これらの硬化促進剤のなかでも、特にイミ� ��ゾール化合物が好ましい。これにより、樹� ��組成物をプリプレグとし、半導体装置に使� ��した場合の絶縁性、半田耐熱性を高めるこ� ��ができる。
 前記イミダゾール化合物としては、例えば� ��1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジ ル-2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メ� ��ルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダ� �ール、2,4-ジアミノ-6-〔2’-メチルイミダゾ� �ル-(1’)〕-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミ� �-6-(2’-ウンデシルイミダゾリル)-エチル-s-ト リアジン、2,4-ジアミノ-6-〔2’-エチル-4-メチ ルイミダゾリル-(1’)〕-エチル-s-トリアジン� ��2-フェニルー4,5-ジヒドロキシメチルイミダ� ��ール、2-フェニル-4-メチルー5-ヒドロキシメ チルイミダゾールなどを挙げることができる 。

 これらの中でも、1-ベンジル-2-メチルイ� �ダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾー ル、及び、2-エチル-4-メチルイミダゾールが� ��ましい。これらのイミダゾール化合物は、� ��脂成分に対し特に優れた相溶性を有するこ� ��で、均一性の高い硬化物が得られる。

 前記樹脂組成物の(C)無機充填材は、特に限� ��されないが、例えばタルク、焼成タルク、� ��成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス� ��のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリ� ��、溶融シリカ等の酸化物、炭酸カルシウム� ��炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等� ��炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグ� ��シウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、� ��酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カル� ��ウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜� ��、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウ� ��、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等� ��ホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素� ��窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物、チタン� ��ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチ� ��ン酸塩等を挙げることができる。これらの� ��の1種類を単独で用いることもできるし、2� �類以上を併用したりすることもできる。こ� �により、積層板を薄く(厚さ0.4mm以下)しても� ��分な強度を得ることができる。さらに、積� ��板の低熱膨張化を向上することもできる。
 これらの中でも特に、シリカが好ましく、� ��に球状溶融シリカが低熱膨張性に優れる点� ��好ましい。また、破砕状、球状のシリカが� ��在するが、プリプレグの絶縁樹脂層を形成� ��る樹脂組成物の溶融粘度を下げる点におい� ��、球状シリカが好ましい。

 前記(C)無機充填材の平均粒子径は、特に限� ��されないが、プリプレグを作製するにあた� ��ては、0.005~10μmが好ましく、さらに好まし� �は0.01~5μmであり、特に好ましくは平均粒子� �0.01~2μmの球状溶融シリカである。これによ� �、無機充填材の充填性が向上する。無機充� �材の粒径が0.005μm未満であるとワニスの粘度 が高くなるため、プリプレグ作製時の作業性 に影響を与える場合がある。特に0.01~2μmの球 状溶融シリカを用いた場合は、(A)エポキシ樹 脂との分散性が良く、プリプレグに用いた場 合、加工性に優れる。
 この平均粒子径は、例えば粒度分布計(HORIBA 製、LA-500)により測定することができる。

 また前記(C)無機充填材の粒度分布は、特� ��限定されないが、平均粒子径が単分散の無� ��充填材を用いることもできるし、平均粒子� ��が多分散の無機充填材を用いることができ� ��。さらに平均粒子径が単分散及び/または、 多分散の無機充填材を1種類使用したり、ま� �は2種類以上を併用したりすることもできる� ��

 前記無機充填材の含有量は、特に限定さ� ��ないが、樹脂組成物全体の20~85重量%である� ��とがこのましく、さらには、プリプレグを� ��製するにあたっては30~80重量%が好ましく、� ��に35~70重量%が好ましい。含有量が20~85重量%� ��であると、特に低熱膨張化、低吸水化する� ��とができる。

 (D)のシアネート樹脂および/またはシアネー ト樹脂のプレポリマーは、前述したように、 樹脂組成物の線膨張係数を小さくすることが できる。さらに、プリプレグ等を、電気特性 (低誘電率、低誘電正接)、機械強度等に優れ� ��ものとすることができる。
 ここで、シアネート樹脂および/またはシア ネート樹脂のプレポリマーは、例えばハロゲ ン化シアン化合物とフェノール類とを反応さ せ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマ ー化することにより得ることができる。具体 的には、ノボラック型シアネート樹脂、ビス フェノールA型シアネート樹脂、ビスフェノ� �ルE型シアネート樹脂、テトラメチルビスフ� ��ノールF型シアネート樹脂等のビスフェノー ル型シアネート樹脂等を挙げることができる 。これらの中でもノボラック型シアネート樹 脂が好ましい。これにより、架橋密度増加に よる耐熱性向上と、樹脂組成物等の難燃性を 向上することができる。ノボラック型シアネ ート樹脂は、硬化反応後にトリアジン環を形 成するからである。さらに、ノボラック型シ アネート樹脂は、その構造上ベンゼン環の割 合が高く、炭化しやすいためと考えられる。 さらに、プリプレグを厚さ0.5mm以下にした場� ��であっても、プリプレグを硬化させて作製� ��た積層板に優れた剛性を付与することがで� ��る。特に加熱時における剛性に優れるので� ��半導体素子実装時の信頼性に優れる。

 前記ノボラック型シアネート樹脂は、例� ��ば、以下の式(3)で示されるものを使用する� ��とができる。

 前記式(3)で示されるノボラック型シアネ� ��ト樹脂の平均繰り返し単位nは、特に限定さ れないが、1~10が好ましく、特に2~7が好まし� �。平均繰り返し単位nが前記下限値未満であ� ��とノボラック型シアネート樹脂は耐熱性が� ��下する場合がある。また、平均繰り返し単� ��nが前記上限値を超えると溶融粘度が高くな りすぎ、プリプレグの成形性が低下する場合 がある。

 前記シアネート樹脂の重量平均分子量は、� ��に限定されないが、重量平均分子量5.0×10 ² ~4.5×10 ³ が好ましく、特に6.0×10 ² ~3.0×10 ³ が好ましい。重量平均分子量が5.0×10 ² 未満であるとプリプレグを作製した場合にタ ック性が生じ、プリプレグ同士が接触したと き互いに付着したり、樹脂の転写が生じたり する場合がある。また、重量平均分子量が4.5 ×10 ³ を超えると反応が速くなりすぎ、特に積層板 に用いた場合、成形不良が生じることがある 。
 前記シアネート樹脂等の重量平均分子量は� ��例えばGPC(ゲルパーミエーションクロマトグ ラフィー、標準物質:ポリスチレン換算)で測� ��することができる。

 また、前記シアネート樹脂は、特に限定� ��れないが、1種類を単独で用いることもでき るし、異なる重量平均分子量を有する2種類� �上を併用したり、1種類または2種類以上のシ アネート樹脂と、それらのプレポリマーを併 用したりすることもできる。

 前記シアネート樹脂および/またはシアネー ト樹脂のプレポリマーの含有量は、特に限定 されないが、前記樹脂組成物全体の3~50重量%� ��好ましく、なかでも、3~46重量%が好ましく� �プリプレグを作製する場合等においては、� �らに10~40重量%が好ましい。含有量が3重量%未 満であるとプリプレグ等の成型品を形成する のが困難となる場合があり、50重量%を超える とプリプレグ等の成型品の強度が低下する場 合がある。
 なお(A)のエポキシ樹脂を使用せず、他のエ� ��キシ樹脂とシアネート樹脂とを併用した場� ��、樹脂組成物全体に対し、3重量%以上、シ� �ネート樹脂および/またはシアネート樹脂の� ��レポリマーを含有させた場合において、ス� ��むらの発生が顕著となることがわかってい� ��。

 前記樹脂組成物は、さらに前記(A)、(D)以外� ��熱硬化性樹脂(実質的にハロゲンを含まない )を併用することが好ましい。前記熱硬化性� �脂は、例えば、ビスフェノールA型エポキシ� ��脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビス フェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノー� �E型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキ シ樹脂、ビスフェノールP型エポキシ樹脂、� �スフェノールZ型エポキシ樹脂等のビスフェ� ��ール型エポキシ樹脂、フェノールノボラッ� ��型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエ� ��キシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、� ��フェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラ� ��キル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン� ��エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂� ��アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ� ��エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エ� ��キシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、� ��ダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型� ��ポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア(尿素 )樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有� �る樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマ� �イミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリル� �タレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオ� �サジン環を有する樹脂等が挙げられる。
 これらの中の1種類を単独で用いることもで きるし、2種類以上を併用したりすることも� �きる。

 前記樹脂組成物は、特に限定されないが、� ��ップリング剤を用いることが好ましい。前� ��カップリング剤は、前記熱硬化性樹脂と、� ��記無機充填材との界面の濡れ性を向上させ� ��。そして繊維基材に対して熱硬化性樹脂等� ��よび無機充填材を均一に定着させ、耐熱性� ��特に吸湿後の半田耐熱性を改良することが� ��きる。
 前記カップリング剤は、特に限定されない� ��、具体的にはエポキシシランカップリング� ��、カチオニックシランカップリング剤、ア� ��ノシランカップリング剤、チタネート系カ� ��プリング剤およびシリコーンオイル型カッ� ��リング剤の中から選ばれる1種以上のカップ リング剤を使用することが好ましい。これに より、無機充填材の界面との濡れ性を高くす ることができ、それによって耐熱性をより向 上させることできる。

 前記カップリング剤の添加量は、特に限� ��されないが、無機充填材100重量部に対して0 .05~3重量部が好ましく、特に0.1~2重量部が好� �しい。含有量が0.05重量部未満であると無機� ��填材を十分に被覆できないため耐熱性を向� ��する効果が低下する場合があり、3重量部を 超えると反応に影響を与え、曲げ強度等が低 下する場合がある。

 前記樹脂組成物は、さらに樹脂組成物と導� ��層との密着性が向上するような成分を添加� ��ても良い。例えば、フェノキシ樹脂、ポリ� ��ニルアルコール系樹脂、導体層を構成する� ��属との密着性を向上させるカップリング剤� ��が挙げられる。これらの中でも特に金属と� ��密着性に優れ、硬化反応速度に与える影響� ��少ないと言う点でフェノキシ樹脂を添加す� ��ことが好ましい。前記フェノキシ樹脂は、� ��えばビスフェノール骨格を有するフェノキ� ��樹脂、ノボラック骨格を有するフェノキシ� ��脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹� ��、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂� ��が挙げられる。また、これらの骨格を複数� ��類有した構造のフェノキシ樹脂を用いるこ� ��もできる。
 また、前記樹脂組成物には、必要に応じて� ��顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外� ��吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イ� ��ン捕捉剤等の上記成分以外の添加物を添加� ��ても良い。

 次に、プリプレグについて説明する。

 前述したエポキシ樹脂組成物を用いたプ� ��プレグは、前記樹脂組成物を基材に含浸さ� ��てなるものである。これにより、誘電特性� ��高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性� ��の各種特性に優れたプリント配線板を製造� ��るのに好適なプリプレグを得ることができ� ��。

 前記基材は、特に限定されないが、ガラ� ��織布、ガラス不織布等のガラス繊維基材、� ��リアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂� ��維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維等のポリ� ��ミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、� ��香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリ� ��ステル樹脂繊維等のポリエステル系樹脂繊� ��、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維等� ��主成分とする織布または不織布で構成され� ��合成繊維基材、クラフト紙、コットンリン� ��ー紙、リンターとクラフトパルプの混抄紙� ��を主成分とする紙基材等の有機繊維基材等� ��挙げられる。これらの中でもガラス繊維基� ��が好ましい。これにより、プリプレグの強� ��が向上し、吸水率を下げることができ、ま� ��熱膨張係数を小さくすることができる。

 前記ガラス繊維基材を構成するガラスは� ��特に限定されないが、例えばEガラス、Cガ� �ス、Aガラス、Sガラス、Dガラス、NEガラス、 Tガラス、Hガラス等が挙げられる。これらの� ��でもEガラス、Tガラス、または、Sガラスが� ��ましい。これにより、ガラス繊維基材の高� ��性化を達成することができ、熱膨張係数も� ��さくすることができる。

 前記プリプレグを製造する方法は、特に� ��定されないが、例えば、前述したエポキシ� ��脂組成物を用いて樹脂ワニスを調製し、基� ��を樹脂ワニスに浸漬する方法が挙げられる� ��

 さらには、プリプレグを製造する方法と� ��ては、各種コーターにより塗布する方法、� ��プレーにより吹き付ける方法等が挙げられ� ��。これらの中でも、基材を樹脂ワニスに浸� ��する方法が好ましい。これにより、基材に� ��する樹脂組成物の含浸性を向上することが� ��きる。なお、基材を樹脂ワニスに浸漬する� ��合、通常の含浸塗布設備を使用することが� ��きる。

 前記樹脂ワニスに用いられる溶媒は、前記� ��脂組成物中の樹脂成分に対して良好な溶解� ��を示すことが望ましいが、悪影響を及ぼさ� ��い範囲で貧溶媒を使用しても構わない。良� ��な溶解性を示す溶媒は、例えばアセトン、� ��チルエチルケトン、メチルイソブチルケト� ��、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、� ��トラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド� ��ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキ� ��ド、エチレングリコール、セルソルブ系、� ��ルビトール系等が挙げられる。
 前記樹脂ワニスの固形分は、特に限定され� ��いが、前記樹脂組成物の固形分50~80重量%が� ��ましく、特に60~78重量% が好ましい。これ� �より、樹脂ワニスの基材への含浸性を更に� �上できる。前記基材に前記樹脂組成物を含� �させる所定温度は、特に限定されないが、� �えば90~220℃等で乾燥させることによりプリ� �レグを得ることが出来る。

 次に、積層板について説明する。図1を参照 して説明する。
 本実施形態の積層板2は、前記プリプレグ(� �1では符号1に該当)を少なくとも1枚もしくは� ��数枚積層したものの、上下両面に、金属箔2 1を重ね、加熱、加圧することで得ることが� �きる。前記加熱する温度は、特に限定され� �いが、120~230℃が好ましく、特に150~210℃が好 ましい。また、前記加圧する圧力は、特に限 定されないが、1~5MPaが好ましく、特に2~4MPaが 好ましい。これにより、誘電特性、高温多湿 化での機械的、電気的接続信頼性に優れた積 層板2を得ることができる。

 前記金属箔21は、特に限定されないが、� �えば銅及び銅系合金、アルミ及びアルミ系� �金、銀及び銀系合金、金及び金系合金、亜� �及び亜鉛系合金、ニッケル及びニッケル系� �金、錫及び錫系合金、鉄および鉄系合金等� �金属箔が挙げられる。

 次に、図2を参照して多層プリント配線板3� �ついて説明する。
 前記上下面に銅箔(金属箔21)を有する両面銅 張積層板2を用意し、その両面に、エッチン� �等により所定の導体回路(内層回路)21Aを形成 し、導体回路21Aを黒化処理等の粗化処理する ことにより内層回路基板2Aを作製する。
 次に内層回路基板2Aの上下面に、フィルム� �き若しくは金属箔付き絶縁樹脂シート、ま� �は前述したプリプレグを形成し、加熱加圧� �形する。
 具体的には、前記フィルム付き若しくは金� ��箔付き絶縁樹脂シート、または本実施形態� ��プリプレグと内層回路基板2Aとを合わせて� �真空加圧式ラミネーター装置などを用いて� �空加熱加圧成形させる。その後、熱風乾燥� �置等で加熱硬化させることにより内層回路� �板2A上に絶縁層31を形成することができる。
  ここで加熱加圧成形する条件としては特� �限定されないが、一例を挙げると、温度60~16 0℃、圧力0.2~3MPaで実施することができる。ま た、加熱硬化させる条件としては特に限定さ れないが、一例を挙げると、温度140~240℃、� �間30~120分間で実施することができる。
  あるいは、前記フィルム付き若しくは金� �箔付き絶縁樹脂シート、または本実施形態� �プリプレグを内層回路基板2Aに重ね合わせ、 これを平板プレス装置などを用いて加熱加圧 成形することにより内層回路基板2A上に絶縁� ��31を形成することもできる。
 ここで加熱加圧成形する条件としては、特� ��限定されないが、一例を挙げると、温度140~ 240℃、圧力1~4MPaで実施することができる。

  上述した方法にて得られた基板は、絶� �層表面を過マンガン酸塩、重クロム酸塩等� �酸化剤などにより粗化処理した後、金属メ� �キにより新たな導電配線回路を形成するこ� �ができる。

 その後、前記絶縁層31を加熱することによ� �硬化させる。硬化させる温度は、特に限定� �れないが、例えば、100℃~250℃の範囲で硬化� ��せることができる。好ましくは150℃~200℃で 硬化させることである。
 次に、絶縁層31に、炭酸レーザー装置を用� �て開口部を設け、電解銅めっきにより絶縁� �表面に外層回路32形成を行い、外層回路32と� ��層回路21Aとの導通を図る。なお、外層回路3 2には、半導体素子を実装するための接続用� �極部33を設ける。
 その後、最外層にソルダーレジストSを形成 し、露光・現像により半導体素子が実装でき るよう接続用電極部33を露出させ、ニッケル� ��メッキ処理を施し、所定の大きさに切断し� ��多層プリント配線板3を得ることができる。

  次に、図3を参照して半導体装置4について 説明する。
 半導体装置4は、上述した方法にて製造され た多層プリント配線板3に半導体素子41を実装 し、製造することができる。半導体素子41の� ��装方法、封止方法は特に限定されない。例� ��ば、半導体素子41と多層プリント配線板3と� ��用い、フリップチップボンダーなどを用い� ��多層プリント配線板3上の接続用電極部33と� ��導体素子41の半田バンプBの位置合わせを行� ��。その後、IRリフロー装置、熱板、その他� �熱装置を用いて半田バンプBを融点以上に加� ��し、多層プリント配線板3と半田バンプBと� �溶融接合することにより接続する。そして� �多層プリント配線板3と半導体素子41との間� �液状封止樹脂(図示略)を充填し、硬化させる ことで半導体装置4を得ることができる。

(第二実施形態)
 以下、本発明の絶縁樹脂シート、多層プリ� ��ト配線板、多層プリント配線板の製造方法� ��及び半導体装置について説明する。

 まず、絶縁樹脂シートについて説明する。
 絶縁樹脂シート5は、図4に示すように、(A)� �記一般式(1)で表される構造を有するエポキ� �樹脂(以下、(A)エポキシ樹脂という。)、(B)硬 化剤、(C)無機充填材、(D)シアネート樹脂およ び/またはそのプレポリマーを必須成分とす� �絶縁樹脂層51をキャリアフィルム52A、又は金 属箔52B上に形成することにより得られる。
 (A)のエポキシ樹脂を使用することで、(A)の� ��ポキシ樹脂と、(D)のシアネート樹脂との相� ��性が良好になるとともに、樹脂成分に対す� ��(C)無機充填材の分散性が良好となり、樹脂� ��分と、(C)無機充填材とが分離しないように� ��る。これにより、(D)のシアネート樹脂、(C)� ��無機充填材を使用することで、線膨張係数� ��低くすることができるとともに絶縁樹脂シ� ��トを作製した際にスジむらが発生すること� ��防止でき、シート表面を平滑化することが� ��きる。
 これにより、該絶縁樹脂シートにおいて、� ��細配線加工を要求される場合においても絶� ��樹脂シートを積層してなる絶縁樹脂層表面� ��均一に粗化することができる。これに加え� ��縁樹脂層と導体回路との密着性等が優れる� ��いった成形性も良好となる。
 さらに(A)エポキシ樹脂を用いることにより� ��(C)無機充填材を含有しても、低溶融粘度化� ��きる。そのため、積層板を製造する際の、� ��工性に優れたものとなる。
 なお、(A)のエポキシ樹脂を使用せず、他の� ��造のエポキシ樹脂を使用した場合において� ��低溶融粘度化した場合には、絶縁樹脂シー� ��に、スジむらがより発生しやすいものとな� ��てしまう。

[式中 Arは縮合環芳香族炭化水素基を示し、r は1以上の整数である。Xは水素、またはエポ� ��シ基(グリシジルエーテル基)を、R1は、水素 、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル 基、フェニル基、およびベンジル基の中から 選択される1種を表す。nは1以上の整数であり 、p、qは1以上の整数であり、またp、qの値は� ��繰り返し単位毎に同一でも、異なっていて� ��よい。]

 絶縁樹脂シート5に用いる前記(A)エポキシ樹 脂の縮合環芳香族炭化水素基[Ar]は、下記式(A r1)~(Ar4)で表される構造のいずれかであること が好ましい。さらに好ましくは式(Ar1)である� ��とが好ましく、特に好ましくは、式(Ar1)の� �でもR ₂ が、メチル基の場合である。このようにする ことで、プレス成形した際に外観や埋め込み 性が良化し、成形性が良好になるという効果 がある。

[式中 R ₂ は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピ ル基、ブチル基、フェニル基、およびベンジ ル基の中から選択される1種を表す。]

 絶縁樹脂シート5に用いる前記(A)共重合体 エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されない が、前記絶縁樹脂層の1~20重量%が好ましく、� ��に絶縁樹脂シート5を作製するにあたっては 、5重量%以下が好ましい。含有量が前記1重量 %未満であると充填材成分と樹脂成分の分離� �防止する効果が十分でなくなり、前記20重量 %を超えると難燃性が低下するという問題が� �生する可能性がある。

 また、絶縁樹脂シート5の絶縁樹脂層51は� ��(A)のエポキシ樹脂以外に、さらに他のエポ� ��シ樹脂を含有してもよい。含有するエポキ� ��樹脂は、特に限定されないが、例えばフェ� ��ールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾー� ��ノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型� ��ポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、� ��フェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリ� ��ルアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン� ��エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹� ��、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペ� ��タジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型� ��ポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂� ��フルオレン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹� ��などを挙げることができる。この中でも特� ��フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ク� ��ゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラ� ��ク型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ� ��脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂� ��アリールアルキレン型エポキシ樹脂が好ま� ��い。これにより、耐熱性および難燃性を向� ��させることができる。

 絶縁樹脂シート5に用いる(B)硬化剤は、特 に限定されないが、例えばイミダゾール化合 物、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、 オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビス アセチルアセトナートコバルト(II)、トリス� �セチルアセトナートコバルト(III)等の有機金 属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン 、ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン等の3級アミ� ��類、フェノール、ビスフェノールA、ノニル フェノール等のフェノール化合物、酢酸、安 息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン 酸等の有機酸、またはこの混合物が挙げられ る。硬化促進剤として、これらの中の誘導体 も含めて1種類を単独で用いることもできる� �、これらの誘導体も含めて2種類以上を併用� ��たりすることもできる。

 これら硬化促進剤の中でも特にイミダゾー� ��化合物が好ましい。これにより、吸湿半田� ��熱性を向上させることができる。そして、� ��記イミダゾール化合物は、特に限定されな� ��が、上記(A)エポキシ樹脂、及び前記以外の� ��ポキシ樹脂との相溶性を有することが望ま� ��い。
 ここで、相溶性を有するとは、イミダゾー� ��化合物を(A)エポキシ樹脂、及び前記以外の� ��ポキシ樹脂と有機溶剤とともに混合した場� ��に、実質的に分子レベルまで溶解、または� ��それに近い状態まで分散することができる� ��うな性状を指すものである。

 絶縁樹脂シート5の絶縁樹脂層51に用いる樹� ��組成物は、このようなイミダゾール化合物� ��用いることにより、上記(A)エポキシ樹脂や� ��の他のエポキシ樹脂の反応を効果的に促進� ��せることができ、また、イミダゾール化合� ��の配合量を少なくしても同等の特性を付与� ��ることができる。
 さらに、このようなイミダゾール化合物を� ��いた樹脂組成物は、樹脂成分との間で微小� ��マトリックス単位から高い均一性で硬化さ� ��ることができる。これにより、多層プリン� ��配線板に形成された絶縁樹脂層51の絶縁性� �半田耐熱性を高めることができる。

 前記イミダゾール化合物としては、例え� ��、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベン ジル-2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-� ��チルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミ� �ゾール、2,4-ジアミノ-6-〔2’-メチルイミダ� �リル-(1’)〕-エチル-s-トリアジン、2,4-ジア� �ノ-6-(2’-ウンデシルイミダゾリル)-エチル-s- トリアジン、2,4-ジアミノ-6-〔2’-エチル-4-メ チルイミダゾリル-(1’)〕-エチル-s-トリアジ� ��、2-フェニルー4,5-ジヒドロキシメチルイミ� ��ゾール、2-フェニル-4-メチルー5-ヒドロキシ メチルイミダゾールなどを挙げることができ る。

 これらの中でも、1-ベンジル-2-メチルイ� �ダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾー ル、及び、2-エチル-4-メチルイミダゾールが� ��ましい。これらのイミダゾール化合物は、� ��に優れた相溶性を有することで、均一性の� ��い硬化物が得られるとともに、絶縁樹脂層� ��面に微細かつ均一な粗化面を形成すること� ��できるので、微細な導体回路を容易に形成� ��ることができるとともに、多層プリント配� ��板に高い耐熱性を発現させることができる� ��

 (C)無機充填材は、特に限定されないが、� ��えばタルク、焼成タルク、焼成クレー、未� ��成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、� ��化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカ� ��の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシ� ��ム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸� ��アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸� ��カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、� ��酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸� ��または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸� ��リウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カル� ��ウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒� ��アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、� ��化炭素等の窒化物、チタン酸ストロンチウ� ��、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等を挙� ��ることができる。これらの中の1種類を単独 で用いることもできるし、2種類以上を併用� �ることもできる。これらの中でも特に、シ� �カが好ましく、溶融シリカが低熱膨張性に� �れる点で好ましい。また、破砕状、球状の� �リカが存在するが、絶縁樹脂層を形成する� �脂組成物の溶融粘度を下げる点において、� �状シリカが好ましい。

 前記(C)無機充填材の粒径は、絶縁樹脂シ� ��ト5を作製するにあたっては、平均粒子径が 1.2μm以下であることが好ましく、さらに平均 粒径が0.01~1.0μmであることが好ましく、特に� ��ましくは0.2~1.0μmである。平均粒径が0.01μm� �満であると、樹脂組成物をワニスにした際� �ワニスの粘度が高くなり、また、1.2μmを超� �ると、樹脂組成物をワニスにした際のワニ� �中に無機充填材の沈降等が起こりやすく、� �ずれの場合も作業性が低下する場合がある� �

 前記(C)無機充填材の含有量は、絶縁樹脂� ��の20~85重量%であることが好ましく、さらに� ��絶縁樹脂シート5を作製するにあたっては、 好ましくは30~65重量%である。前記無機充填材 の含有量が前記下限値未満であると、高弾性 化、低熱膨脹化する効果が充分でない場合が ある。また、前記上限値を超えると、流動性 の低下により、この絶縁樹脂シートを用いて 多層プリント配線板を製造する際の成形性が 低下する場合がある。

 絶縁樹脂シート5に用いる樹脂組成物は、フ ェノキシ樹脂を含むことが好ましい。前記フ ェノキシ樹脂は、特に限定されないが、例え ば、ビスフェノールA骨格を有するフェノキ� �樹脂、ビスフェノールF骨格を有するフェノ� ��シ樹脂、ビスフェノールS骨格を有するフェ ノキシ樹脂、ビスフェノールM骨格を有する� �ェノキシ樹脂、ビスフェノールP骨格を有す� ��フェノキシ樹脂、ビスフェノールZ骨格を有 するフェノキシ樹脂等ビスフェノール骨格を 有するフェノキシ樹脂、ノボラック骨格を有 するフェノキシ樹脂、アントラセン骨格を有 するフェノキシ樹脂、フルオレン骨格を有す るフェノキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨 格を有するフェノキシ樹脂、ノルボルネン骨 格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格 を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を 有するフェノキシ樹脂、アダマンタン骨格を 有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。
 またフェノキシ樹脂として、これら中の骨� ��を複数種類有した構造を用いることもでき� ��し、それぞれの骨格の比率が異なるフェノ� ��シ樹脂を用いることができる。さらに異な� ��骨格のフェノキシ樹脂を複数種類用いるこ� ��もできるし、異なる重量平均分子量を有す� ��フェノキシ樹脂を複数種類用いたり、それ� ��のプレポリマーを併用したりすることもで� ��る。

 これらの中でも、ビフェニル骨格とビスフ� ��ノールS骨格とを有するフェノキシ樹脂を用 いることが好ましい。これにより、ビフェニ ル骨格が有する剛直性によりガラス転移温度 を高くすることができるとともに、ビスフェ ノールS骨格により、多層プリント配線板を� �造する際のメッキ金属の付着性を向上させ� �ことができる。
 また、ビスフェノールA骨格とビスフェノー ルF骨格とを有するフェノキシ樹脂を用いる� �とも好ましい。これにより、多層プリント� �線板の製造時に内層回路基板への密着性を� �上させることができる。さらに、上記ビフ� �ニル骨格とビスフェノールS骨格とを有する� ��ェノキシ樹脂と、ビスフェノールA骨格とビ スフェノールF骨格とを有するフェノキシ樹� �とを併用してもよい。

 絶縁樹脂シート5に用いるフェノキシ樹脂 の含有量は、特に限定されないが、絶縁樹脂 層51の3~25重量%であることが好ましく、さら� �好ましくは、5~20重量%である。フェノキシ樹 脂の含有量が、3重量%未満であると、フェノ� ��シ樹脂を含有することで得られる絶縁樹脂� ��ートの製膜性の効果を十分に得られない場� ��があり、フェノキシ樹脂の含有量が、25重� �%を超えるとワニス粘度の増大により他の樹� ��との溶解性が低下する場合がある。

 絶縁樹脂シート5の絶縁樹脂層51は、(D)シ� ��ネート樹脂及び/又はそのプレポリマーを含 有する。

 前記シアネート樹脂及び/又はそのプレポ リマー樹脂としては、特に限定されないが、 例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノー ル類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方 法でプレポリマー化することにより得ること ができる。また、このようにして調製された 市販品を用いることもできる。

 前記のシアネート樹脂及び/又はそのプレ ポリマーを用いることにより、絶縁樹脂シー トの絶縁樹脂層の弾性率を向上させることが できる。また、シアネート樹脂(特にノボラ� �ク型シアネート樹脂)は、剛直な化学構造を� ��するため、耐熱性に優れており、ガラス転� ��温度以上でも弾性率の低下が小さく、高温� ��おいても高弾性率を維持することができる� ��さらに、硬化反応によって水酸基などの分� ��率の大きな官能基が生じないため、誘電特� ��においても優れたものとすることができる� ��

 前記シアネート樹脂及び/又はそのプレポ リマーの中でも、下記一般式(3)で表されるノ ボラック型シアネート樹脂が好ましい。これ により、前記効果に加えて、絶縁樹脂シート の絶縁樹脂層のガラス転移温度をさらに高く することができるとともに、硬化後の絶縁樹 脂層の難燃性をより向上させることができる 。

 前記式(3)で示されるノボラック型シアネー� ��樹脂の平均繰り返し単位nは、特に限定され ないが、1~10が好ましく、特に2~7が好ましい� �平均繰り返し単位nが前記下限値未満である� ��ノボラック型シアネート樹脂は耐熱性が低� ��する場合がある。また、平均繰り返し単位n が前記上限値を超えると溶融粘度が高くなり すぎ、プリプレグの成形性が低下する場合が ある。

 前記シアネート樹脂の重量平均分子量は、� ��に限定されないが、重量平均分子量5.0×10 ² ~4.5×10 ³ が好ましく、特に6.0×10 ² ~3.0×10 ³ が好ましい。重量平均分子量が5.0×10 ² 未満であるとプリプレグを作製した場合にタ ック性が生じ、プリプレグ同士が接触したと き互いに付着したり、樹脂の転写が生じたり する場合がある。また、重量平均分子量が4.5 ×10 ³ を超えると反応が速くなりすぎ、特に積層板 に用いた場合、成形不良が生じることがある 。
 前記シアネート樹脂等の重量平均分子量は� ��例えばGPC(ゲルパーミエーションクロマトグ ラフィー、標準物質:ポリスチレン換算)で測� ��することができる。

 前記シアネート樹脂及び/又はそのプレポリ マーの含有量は、特に限定されないが、樹脂 組成物の3~50重量%、さらには4~46重量%である� �とが好ましく、絶縁樹脂シート5を作製する� ��あたっては、5重量%以上、さらに好ましく� �10~40重量%である。
 これにより、内層回路基板の回路パターン� ��形成された面と絶縁樹脂シート5の絶縁樹脂 層51とを強固に接合することができる。

 また、絶縁樹脂シート5の樹脂組成物は、 樹脂の相溶性、安定性、作業性等の各種特性 向上のため、各種添加剤、例えば、レベリン グ剤、消泡剤、酸化防止剤、顔料、染料、消 泡剤、難燃剤、紫外線吸収剤、イオン捕捉剤 、非反応性希釈剤、反応性希釈剤、揺変性付 与剤、増粘剤等を適宜添加しても良い。

 絶縁樹脂シート5は、絶縁樹脂層51を形成� ��る前記樹脂組成物を、アセトン、メチルエ� ��ルケトン、メチルイソブチルケトン、トル� ��ン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタ� ��、シクロヘキサンシクロヘキサノン、テト� ��ヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジ� ��チルアセトアミド、ジメチルスルホキシド� ��エチレングリコール、セルソルブ系、カル� ��トール系、アニソール等の有機溶剤中で、� ��音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速� ��転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断� ��散方式、および自転公転式分散方式などの� ��種混合機を用いて溶解、混合、撹拌して樹� ��ワニスを作製する。

 前記樹脂ワニス中の樹脂組成物の含有量� ��、特に限定されないが、45~85重量%が好まし� ��、特に55~75重量%が好ましい。

 次に前記樹脂ワニスを、各種塗工装置を用� ��て、フィルム52A上または金属箔52B上に塗工� ��た後、これを乾燥する。または、樹脂ワニ� ��をスプレー装置によりフィルム若しくは金� ��箔に噴霧塗工した後、これを乾燥する。こ� ��らの方法によりフィルム付きまたは金属箔� ��き絶縁樹脂シート5を作製することができる 。
 前記塗工装置は、特に限定されないが、例� ��ば、ロールコーター、バーコーター、ナイ� ��コーター、グラビアコーター、ダイコータ� ��、コンマコーターおよびカーテンコーター� ��どを用いることができる。これらの中でも� ��ダイコーター、ナイフコーター、およびコ� ��マコーターを用いる方法が好ましい。これ� ��より、ボイドがなく、均一な絶縁樹脂層51� �厚みを有する絶縁樹脂シート5を効率よく製� ��することができる。

 絶縁樹脂シート5は、前記樹脂組成物から なる絶縁樹脂層51をキャリアフィルム52A上ま� ��は金属箔52B上に形成して作製される。前記� ��ャリアフィルム52Aは、キャリアフィルム52A� ��に絶縁樹脂層51を形成するため、取扱いが� �易であるものを選択することが好ましい。� �た、絶縁樹脂シート5の絶縁樹脂層51を内層� �路基板面に積層後、キャリアフィルム52Aを� �離することから、内層回路基板に積層後、� �離が容易であるものであることが好ましい� �したがって、前記キャリアフィルム52Aは、� �えばポリエチレンテレフタレート、ポリブ� �レンテレフタレートなどのポリエステル樹� �、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂などの耐� �性を有した熱可塑性樹脂フィルムなどを用� �ることが好ましい。これらキャリアフィル� �52Aの中でも、ポリエステルで構成されるフ� �ルムが最も好ましい。これにより、絶縁樹� �層から適度な強度で剥離することが容易と� �る。

 前記キャリアフィルム52Aの厚さは、特に� ��定されないが、1~100μmが好ましく、特に3~50� �mが好ましい。キャリアフィルム52Aの厚さが� ��記範囲内であると、取扱いが容易で、また� ��縁樹脂層表面の平坦性に優れる。

 前記金属箔52Bは、前記キャリアフィルム5 2A同様、内層回路基板に絶縁樹脂シート5を積 層後、剥離して用いても良いし、また、金属 箔52Bをエッチングし導体回路として用いても 良い。前記金属箔52Bは、特に限定されないが 、例えば、銅及び/又は銅系合金、アルミ及� �/又はアルミ系合金、鉄及び/又は鉄系合金、 銀及び/又は銀系合金、金及び金系合金、亜� �及び亜鉛系合金、ニッケル及びニッケル系� �金、錫及び錫系合金等の金属箔などを用い� �ことができる。

 前記金属箔52Bの厚さは、特に限定はされな� ��が、0.1μm以上70μm以下であることが好まし� �。さらには1μm以上35μ以下が好ましく、さら に好ましくは1.5μm以上18μm以下が好ましい。� ��記金属箔52Bの厚さが上記下限値未満である� ��、金属箔52Bの傷つき、ピンホールが発生し� ��金属箔52Bをエッチングし導体回路として用� ��て場合、回路パターン成形時のメッキバラ� ��キ、回路断線、エッチング液やデスミア液� ��の薬液の染み込みなどが発生する怖れがあ� ��、前記上限値を超えると、金属箔52Bの厚み� ��ラツキが大きくなったり、金属箔52Bの粗化� ��の表面粗さのバラツキが大きくなる場合が� ��る。
 また、前記金属箔52Bは、キャリア箔付き極� ��金属箔を用いることもできる。キャリア箔� ��き極薄金属箔とは、剥離可能なキャリア箔� ��極薄金属箔とを張り合わせた金属箔である� ��キャリア箔付き極薄金属箔を用いることで� ��記絶縁樹脂層の両面に極薄金属箔層を形成� ��きることから、例えば、セミアディティブ� ��などで回路を形成する場合、無電解メッキ� ��行うことなく、極薄金属箔を直接給電層と� ��て電解メッキすることで、回路を形成後、� ��薄銅箔をフラッシュエッチングすることが� ��きる。キャリア箔付き極薄金属箔を用いる� ��とによって、厚さ10μm以下の極薄金属箔で� �、例えばプレス工程での極薄金属箔のハン� �リング性の低下や、極薄銅箔の割れや切れ� �防ぐことができる。前記極薄金属箔の厚さ� �、0.1μm以上10μm以下が好ましい。さらに、0.5 μm以上5μm以下が好ましく、さらに1μm以上3μm 以下が好ましい。前記極薄金属箔の厚さが前 記下限値未満であると、キャリア箔を剥離後 の極薄金属箔の傷つき、極薄金属箔のピンホ ールの発生、ピンホールの発生による回路パ ターン成形時のメッキバラツキ、回路配線の 断線、エッチング液やデスミア液等の薬液の 染み込みなどが発生する怖れがあり、前記上 限値を超えると、極薄金属箔の厚みバラツキ が大きくなったり、極薄金属箔の粗化面の表 面粗さのバラツキが大きくなる場合がある。
 通常、キャリア箔付き極薄金属箔は、プレ� ��成形後の積層板に回路パターン形成する前� ��キャリア箔を剥離する。

 次に、多層プリント配線板の製造方法につ� ��て説明する。ここでは、図2を参照して説明 する。本実施形態では、符号31の絶縁層が、� ��縁樹脂シート5の絶縁樹脂層51に該当するこ� ��となる。
 なお、内層回路基板2Aは第一実施形態と同� �のものであってもよく、また、第一実施形� �とは異なる材質で構成されたものであって� �よい。

 前述した絶縁樹脂シート5を用いた多層プリ ント配線板を製造する方法は、まず、コア基 板(例えばFR-4の両面銅箔)に回路パターン形成 を行った内層回路基板2Aを用意し、ドリル機� ��で開口して開口部を設けた後、無電解めっ� ��により、開口部にメッキ処理を行い、内層� ��路基板の両面の導通を図る。そして、前記� ��箔をエッチングすることにより内層回路21A� ��形成する。
 なお、内層回路基板2Aの回路21Aは、例えば� �黒化処理等の粗化処理したものを好適に用� �ることができる。また開口部は、導体ペー� �ト、または樹脂ペーストで適宜埋めること� �できる。

 内層回路21Aの材質は、この製造方法に適� ��るものであれば、どのようなものでも良い� ��、内層回路の形成においてエッチングや剥� ��などの方法により除去可能であることが好� ��しく、前記エッチングにおいては、これに� ��用される薬液などに対し、耐薬品性を有す� ��ものが好ましい。そのような内層回路の材� ��は、例えば、銅箔、銅板、銅合金板、42合� �およびニッケル等が挙げられる。特に、銅� �、銅板および銅合金板は、電解めっき品や� �延品を選択できるだけでなく、様々な厚み� �ものを容易に入手できるため、内層回路と� �て使用するのに最も好ましい。

 次に、上述したキャリアフィルム52A上に絶� ��樹脂層51が形成された絶縁樹脂シート5を用� ��、多層プリント配線板を製造する方法につ� ��て説明する。
 まず、内層回路21Aを絶縁樹脂シート5の絶縁 樹脂層51で覆うよう(内層回路21A側に絶縁樹脂 層51が位置し、内層回路21Aと絶縁樹脂層51と� �当接するように)に積層する。絶縁樹脂シー� ��5の積層(ラミネート)方法は、特に限定され� ��いが、真空プレス、常圧ラミネーター、お� ��び真空下で加熱加圧するラミネーターを用� ��て積層する方法が好ましく、更に好ましく� ��、真空下で加熱加圧するラミネーターを用� ��る方法である。これにより微細配線回路で� ��ってもボイドがなく回路間を絶縁樹脂層で� ��め込むことができる。

 次に、形成した絶縁樹脂層51を加熱する� �とにより硬化させる。硬化させる温度は、� �に限定されないが、100℃~250℃の範囲が好ま� ��い。特に、150℃~200℃が好ましい。また、次 のレーザー照射および樹脂残渣の除去を容易 にするため半硬化状態にしておく場合もある 。また、一層目の絶縁樹脂層51を通常の加熱� ��度より低い温度で加熱により一部硬化(半硬 化)させ、絶縁樹脂層51上に、一層ないし複数 の絶縁樹脂層をさらに形成し半硬化の絶縁樹 脂層を実用上問題ない程度に再度加熱硬化さ せることにより絶縁樹脂層間および絶縁樹脂 層と回路との密着力を向上させることができ る。この場合の半硬化の温度は、80℃~200℃が 好ましく、100℃~180℃がより好ましい。尚、� �に限定はされないが、次工程においてレー� �ーを照射し絶縁樹脂層にビアを形成する場� �には、フィルム52Aの剥離はビアを形成する� �でも後でも良い。またフィルム52Aの剥離は� �絶縁樹脂層51を形成後、加熱硬化の前、また は加熱硬化後のいずれに行っても特に問題は ない。

 次に、絶縁樹脂層51に、レーザーを照射し� �、ビアを形成する。前記レーザーは、エキ� �マレーザー、UVレーザー、および炭酸ガスレ ーザー等が使用できる。前記レーザーによる 開口部の形成は、絶縁樹脂層51の材質が、感� ��性・非感光性に関係なく、微細なビアを容� ��に形成することができる。したがって、絶� ��樹脂層に微細な開口部を形成することが必� ��とされる場合に、特に好ましい。
 なお、レーザー照射後の樹脂残渣等は過マ� ��ガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤などに� ��り除去することが好ましい。また、平滑な� ��縁樹脂層51表面を同時に粗化することがで� �、続く金属メッキにより形成する導電配線� �路の密着性を上げることができる。絶縁樹� �層51は、前記粗化工程において微細な凹凸形 状を均一に施すことができる。また、絶縁樹 脂層51表面の平滑性が高いため微細な配線回� ��を精度よく形成することができる。

 次に、外層回路32を形成する。外層回路32 の形成方法は、例えば、公知の方法であるセ ミアディティブ法などで形成することができ るが、本発明は何らこれらに限定されない。 次に、導体ポストを形成する。導体ポストの 形成方法としては、公知の方法である電解メ ッキ等で形成することができる。例えば、外 層回路32を電解メッキ用リードとして、銅電� ��メッキを行い、銅で充填し銅ポストを形成� ��ることができる。前記工程を繰り返すこと� ��より、さらに多層にすることができる。尚� ��前記で絶縁樹脂層を半硬化状態にした場合� ��、後硬化(ポストキュア)を行う場合もある� �

 次に、ソルダーレジストSを形成する。ソ ルダーレジストSの形成方法は、特に限定さ� �ないが、例えば、ドライフィルムタイプの� �ルダーレジストSをラミネートし、露光、お� ��び現像により形成する方法、または液状レ� ��ストを印刷したものを露光、および現像に� ��り形成する方法によりなされる。なお、接� ��用電極部は、金めっき、ニッケルメッキお� ��び半田めっき等の金属皮膜で適宜被覆する� ��とができる。このような方法により多層配� ��プリント板を製造することができる。

 次に、絶縁樹脂層51を金属箔52B上に形成� �てなる絶縁樹脂シート5を用いて、多層プリ� ��ト配線板3を製造する方法について説明する 。金属箔52Bを用いた絶縁樹脂シート5を内層� �路基板2Aの内層回路21A面を絶縁樹脂層51で覆� ��ように積層する。金属箔付き絶縁樹脂シー� ��5の積層(ラミネート)方法は、前記キャリア� ��ィルムの絶縁樹脂シートを積層した際と同� ��、特に限定されないが、真空プレス、常圧� ��ミネーター、および真空下で加熱加圧する� ��ミネーターを用いて積層する方法が好まし� ��、更に好ましくは、真空下で加熱加圧する� ��ミネーターを用い積層する方法である。こ� ��により微細配線回路形成された内層回路基� ��2Aに対してもボイドなく絶縁樹脂層51を埋め 込むことができる。

 ここで絶縁樹脂層51にビアを形成する場� �、特に限定はされないが、例えばコンフォ� �マルマスク工法のように、金属箔にビア形� �位置となるところをエッチングし、エッチ� �グされた部分にレーザー照射してビアを形� �する。レーザー照射後の樹脂残渣等は過マ� �ガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤などに� �り除去する。そして金属メッキにより絶縁� �脂層間の接続を図り、エッチングにより外� �回路(外層回路パターン)32形成を行う。また� ��の他に、予め内層回路基板2Aに金属ポスト� �形成し、そこに金属箔付き絶縁樹脂シート5� ��積層することで絶縁樹脂層51にビアを形成� �る方法を用いることもできる。外層回路パ� �ーン32を形成後、さらに多層にする場合は、 絶縁樹脂シートを積層し、前記工程を繰り返 し、形成した外層回路が最外層となる場合は 、前記同様ソルダーレジストSを形成するこ� �により多層プリント配線板3を得ることがで� ��る。

 次に、図3を参照して半導体装置4について� �明する。
 上述した方法で得られた多層プリント配線� ��3に、半田バンプBを有する半導体素子41を実 装することにより半導体装置4を得ることが� �きる。前記半田バンプBは、錫、鉛、銀、銅� ��ビスマスなどからなる合金で構成されるこ� ��が好ましい。半導体素子41と多層プリント� �線板3との接続方法は、フリップチップボン� ��ーなどを用いて基板上の接続用電極部33と� �導体素子41の半田バンプBの位置合わせを行� �。その後、IRリフロー装置、熱板、その他加 熱装置を用いて半田バンプBを融点以上に加� �し、多層プリント配線板3と半田バンプBとを 溶融接合することにより接続する。尚、接続 信頼性を良くするため、あらかじめ多層プリ ント配線板3上の接続用電極部33に半田ペース ト等、比較的融点の低い金属の層を形成して おいても良い。この接合工程に先んじて、半 田バンプBおよび、または多層プリント配線� �3上の接続用電極部33の表層にフラックスを� �布することで、半導体素子41と多層プリント 配線板3との接続性が向上する。

 なお、本発明は前述の実施形態に限定さ� ��るものではなく、本発明の目的を達成でき� ��範囲での変形、改良等は本発明に含まれる� ��のである。