本発明は、金と金よりイオン化電位の低� ��貴金属元素とが互いに接触してなるエッチ� ��グ対象物に対して、金よりイオン化電位の� ��い貴金属元素を選択的にエッチングするた� ��のエッチング液及びエッチング方法に関す� ��。本発明は特に、金とパラジウムとが互い� ��接触してなるエッチング対象物の、パラジ� ��ムを選択的にエッチングするためのエッチ� ��グ液及びエッチング方法に関する。

 半導体又は液晶関連のデバイス分野及び� ��の周辺分野においては、酸化されにくく、� ��らかいことから、金が電極または接点の材� ��として好適に用いられている。

 金製の電極又は接点を作製する場合、具� ��的には、金製バンプ等の厚膜を作製する場� ��は、メッキ法でバンプを作製するのが主流� ��ある。

 メッキ法により金製バンプを作製する場� ��、基板表面に導電性を与えるために、基板� ��面に金属製の下地膜(シードメタル)を形成� �せてから、金をメッキする。シードメタル� �陰極として、メッキ法により金製バンプを� �成する場合、金メッキ後にバンプ隙間にあ� �シードメタルを除去する必要がある。ここ� �、シードメタルをエッチングで除去する場� �は、バンプの金もエッチング液に接するこ� �となる。

 従って、シードメタルとしても金を使用� ��ると、シードメタルをエッチングで除去す� ��際に、バンプの金の一部も溶けて、バンプ� ��形状が変化してしまう可能性がある。そし� ��、シードメタルとしては、シードメタルと� ��の下地膜との組み合わせ、電気特性面等で� ��れたものが求められつつある。

 ところで、金は、王水又はヨウ素/ヨウ化 物塩系の水溶液でエッチングすることができ る。しかしながら、王水系エッチング液は、 腐食性が激しく、事前に混合させることも難 しく、実用的ではない。そこで、金をエッチ ングする際には、ヨウ素とヨウ化カリウム等 のヨウ化物塩を混合した水溶性エッチング液 を用いるエッチング法が主流となりつつある (特許文献1参照)。

 パラジウム等の貴金属元素は、シリコン系� ��板上の下地膜として用いられるチタンとの� ��性がよい。また、「パラジウム等の貴金属� ��素/チタン下地膜/シリコン系基板」の積層� �は、電気特性の点でも優れている。しかし� �がら、パラジウム等の貴金属元素もヨウ素/� ��ウ化物塩系の水溶性エッチング液でエッチ� ��グされることが知られている(非特許文献1� �照)。

特開昭49-123132号公報 30TH ELECTRONIC COMPONENTS CONFERENCE,pp.539-545 " ETCHING GOLD-PALLADIUM METALLIZATION ON HYBRID MICROCIR CUITS"

 本発明は、上記従来の実情に鑑みてなされ� ��ものである。
 即ち、本発明は、金とパラジウム等の貴金� ��元素とが互いに接触してなるエッチング対� ��物について、パラジウム等の貴金属元素の� ��を選択的にエッチングするためのエッチン� ��液及びエッチング方法を提供することを目� ��とする。

 本発明者らは、上記課題を解決するべく鋭� ��検討を行った。この結果、金と金よりイオ� ��化電位の低い貴金属元素が接触する場合に� ��いて、ヨウ素/ヨウ化物塩系のエッチング液 において、ヨウ化物塩とヨウ素との比率を変 えることにより、意外にも、金よりイオン化 電位の低い貴金属元素のみを選択的にエッチ ングできる領域が存在することを見出し、本 発明に至った。
 本発明は以下を要旨とするものである。

 本発明のエッチング液は、金と金よりイ� ��ン化電位の低い貴金属元素とが互いに接触� ��てなるエッチング対象物のパラジウムを選� ��的にエッチングするためのエッチング液で� ��って、ヨウ素、ヨウ化物塩及び水を含み、� ��ウ素に対するヨウ化物塩のモル濃度比率が9 .5以上であることを特徴とする。

 本発明のエッチング方法は、ヨウ素、ヨ� ��化物塩及び水を含むエッチング液を用いる� ��金属元素のエッチング方法であって、ヨウ� ��に対するヨウ化物塩濃度を調整することに� ��り、金と金よりイオン化電位の低い貴金属� ��素とが互いに接触してなるエッチング対象� ��の金よりイオン化電位の低い貴金属元素を� ��択的にエッチングすることを特徴とする。

 また、本発明のエッチング方法は、金と� ��よりイオン化電位の低い貴金属元素とが互� ��に接触してなるエッチング対象物の金より� ��オン化電位の低い貴金属元素をエッチング� ��る方法であって、ヨウ素、ヨウ化物塩及び� ��を含み、ヨウ素に対するヨウ化物塩のモル� ��度比率が9.5以上であるエッチング液を用い� ��エッチングを行うことを特徴とする。

 本発明によれば、金と金よりイオン化電位� ��低い貴金属元素とが互いに接触してなるエ� ��チング対象物の金よりイオン化電位の低い� ��金属元素を選択的にエッチングすることが� ��きる。
 従って、本発明によれば、金よりイオン化� ��位の低い貴金属元素をシードメタルとして� ��い、その上に金メッキすることにより、金� ��ッキ製バンプの形状を損なうことなく、金� ��りイオン化電位の低い貴金属元素製シード� ��タルを選択的にエッチングすることが可能� ��ある。即ち、本発明の方法により、金より� ��る電極又は接点を工業的に有利に作製する� ��とが可能となる。また、バンプの金もヨウ� ��/ヨウ化物塩系エッチング液を用いてエッチ ングすることができるため、バンプの金とシ ードメタルの金よりイオン化電位の低い貴金 属元素の両方を同種のエッチング液でエッチ ングできることから、薬液管理上も好ましい 。

 本発明の技術は、半導体又は液晶関連の� ��バイス分野及びその周辺分野における「金� ��バンプとパラジウム製等のシードメタル」� ��限らず、金と金よりイオン化電位の低い貴� ��属元素とが接触している積層膜のような物� ��あれば、どのような物でもエッチング対象� ��なり得る。

 以下に本発明のエッチング液及びエッチ� ��グ方法の実施の形態を詳細に説明する。

[本発明に係るエッチング機構]
<貴金属元素のヨウ素/ヨウ化物塩系エッチ� ��グ液によるエッチング速度>
 本発明者らは、金と金よりイオン化電位の� ��い貴金属元素とが互いに接触してなるエッ� ��ング対象物における金よりイオン化電位の� ��い貴金属元素の選択的エッチング液を開発� ��るに当たり、ヨウ素/ヨウ化物塩系エッチン グ液による金及びパラジウムのエッチング速 度について、検討を行った。具体的には、金 膜及びパラジウムの膜を、各々、ヨウ素/ヨ� �化物塩のモル比が異なるヨウ素/ヨウ化物塩� ��エッチング液に浸漬し、そのエッチング速� ��を調べた。しかしながら、金及びパラジウ� ��は、どちらも、エッチング液中のヨウ素/ヨ ウ化物塩のモル比が高くなると、エッチング 速度が上がり、金に対してパラジウムのエッ チング速度だけを上げる組成は見つけられな かった。

<金よりイオン化電位の低い貴金属元素の� �択的エッチング機構>
 ところが、金とパラジウムの一部を接触さ� ��た状態でヨウ素/ヨウ化物塩系エッチング液 でエッチングすると、意外なことに、エッチ ング液中のヨウ素/ヨウ化物塩のモル比が高� �なるのに伴い、パラジウムのエッチング速� �は上がるのに対し、金のエッチング速度は� �がった。

 この傾向は金とパラジウムとが接触した場� ��にのみ起こる現象で、特に、その接触面積� ��大きいほど顕著であった。
 金とパラジウムが接触した状態であると、� ��故、このような現象が起こるのかは不明で� ��るが、本発明のエッチング液におけるエッ� ��ング機構は、以下の様に推定される。

 一般に、エッチング機構は、エッチング対� ��物の酸化工程と、酸化により生成した酸化� ��の溶解工程との2つの要素で構成される。
パラジウムは、pH<1(王水)の領域では、カチ オンとして溶解する。一方、本発明のヨウ素 /ヨウ化物塩系エッチング液は、pH≧1である� �とから、パラジウムは、2価のアニオン(M ₂ PdI ₄ (M:1価のカチオン))として溶解していると推定 される。また、金もパラジウムと同様に、本 発明のエッチング液のpH領域では、アニオン( MAuI ₂ (M:1価のカチオン))として溶解していると推定 される。

 一般的に、金属がアニオンとして溶解す� ��場合のエッチング速度は、酸化律速では無� ��、生成した酸化物の溶解律速であることが� ��い。そして、エッチング液に塩を添加する� ��、エッチング速度が上がる場合があること� ��知られている。そこで、金もパラジウムも� ��単独で存在する場合は、アニオン溶解型で� ��ッチングが進むために、エッチング液中の� ��ウ化物塩/ヨウ素のモル比の上昇に伴い、エ ッチング速度が上がる傾向になったと推定さ れる。

 しかしながら、金とパラジウムとを接触� ��せた場合には、エッチング液中のヨウ化物� ��/ヨウ素のモル比の上昇に伴い、金のエッチ ング速度は下がる。従って、金とパラジウム とを接触させた場合には、上記の推定エッチ ング機構とは、全く異なる現象が起きると考 えられる。

 本発明者らは、これが電喰と呼ばれる現� ��の影響によるものと推定した。pH=0における 金のイオン化電位は、1.498Vである。また、pH= 0におけるパラジウムのイオン化電位は、0.987 Vである。即ち、金とパラジウムとでは、パ� �ジウムの方が金よりイオン化電位が低い。� �こで、本発明者らは、金とパラジウムとが� �触する系では、電喰作用により、パラジウ� �の方がエッチングされ易いと推定した。

 電喰とは、二種の異なる金属が同時に電解� ��溶液に接触したとき、金属間の電位差によ� ��イオン化傾向の強い(イオン化電位が低い)� �属から弱い(イオン化電位が高い)金属に電子 が移動し、電子を失ったイオン化傾向の強い (イオン化電位が低い)金属原子がイオンとし� ��溶液中に溶け出すことにより、金属が腐食� ��る現象をいう。即ち、イオン化電位の低い� ��属が酸化作用によりエッチングされると(酸 化雰囲気)、残った電子は、接触面を通じて� �オン化電位の高い金属に流れる。この結果� �この電子を貰ったイオン化電位が高い金属� �、還元雰囲気となり、エッチングが抑制さ� �る。ここで、エッチング液が水溶液系であ� �場合は、通常、金の表面で、電子(e ^- )はH ⁺ と反応して、水素ガスを発生する。しかしな がら、本発明のエッチング液では、水素が発 生する電位より、ヨウ素がヨウ素イオンに還 元される電位の方が高いため、金の表面では 、ヨウ素が還元されてヨウ素イオンとなり(I ₂ +2e ^- →2I ^- )、溶解反応が進んでいると推定される。

 電喰が目に見えるか否かは、エッチング� ��よる電子の移動量の多寡で決まる。本発明� ��エッチング液の場合、ヨウ化物塩/ヨウ素の モル比が小さいと、パラジウムのエッチング 速度が小さく、電子の移動量が少ないために 、電喰が生じていても目視では確認し難い。 ところが、ヨウ化物塩/ヨウ素のモル比が高� �なると、パラジウムのエッチング速度が大� �くなり、残余電子の金への移動量も多くな� �、金は還元雰囲気となって、エッチングが� �制されるものと推定される。

 従って、金とパラジウムとが接触した系� ��ヨウ素/ヨウ化物塩系のエッチング液でエッ チングする場合、ヨウ化物塩/ヨウ素のモル� �が高い程、パラジウムのエッチング速度が� �きく、金のエッチング速度が小さくなって� �パラジウムの選択的なエッチングが達成で� �ると推定される。

 即ち、金とパラジウムとが接触している� ��で、金に対するパラジウムの選択的なエッ� ��ングを達成するためには、ヨウ素/ヨウ化物 塩系のエッチング液のヨウ化物塩/ヨウ素の� �ル比を制御することが極めて重要であると� �定される。

[エッチング液]
 本発明のエッチング液は、ヨウ素、ヨウ化� ��塩及び水を含む。

<ヨウ素>
 本発明において、金、パラジウム等の金よ� ��イオン化電位の低い貴金属元素(以下、単に 「貴金属元素」と称す場合がある。)をエッ� �ングする際の金、パラジウム等の酸化速度� �、ヨウ素濃度に大きく依存している。通常� �本発明のエッチング液中のヨウ素濃度が高� �ほど、本発明のエッチング液による貴金属� �素のエッチング速度は大きくなる。

 金に対して、パラジウム等の金よりイオ� ��化電位が低い貴金属元素の選択エッチング� ��を出すためには、金よりイオン化電位が低� ��貴金属元素の本来のエッチング速度を、あ� ��程度確保する必要がある。この点から、本� ��明のエッチング液におけるヨウ素濃度は、� ��い方が好ましい。但し、ヨウ素濃度により� ��ラジウム等の貴金属元素のエッチング速度� ��制御する際は、パラジウム等の貴金属元素� ��層のサイドエッチングの影響も考慮するの� ��好ましく、この点からは、ヨウ素濃度は、� ��い方が好ましい。また、ヨウ素濃度の設定� ��際しては、後述のヨウ化物塩濃度との関係� ��も含めた最適範囲を選ぶのが最も好ましい� ��

 このような観点から、本発明のエッチン� ��液のヨウ素濃度は、下限が、通常1重量%、� �ましくは2重量%で、上限が、通常10重量%、好 ましくは5重量%、更に好ましくは4重量%であ� �。ヨウ素濃度が上記下限以上であると、酸� �作用によるエッチング速度が大きい点で好� �しく、また、上記上限以下であると、ヨウ� �物塩/ヨウ素のモル比を大きくしやすく、金� ��対する選択エッチング性の点からも好まし� ��。

<ヨウ化物塩>
 本発明のエッチング液で用いるヨウ化物塩� ��しては、本発明のエッチング液においてカ� ��オンとして作用するヨウ化物塩であればよ� ��。即ち、本発明のエッチング液で用いるヨ� ��化物塩は、本発明のエッチング液に溶解で� ��るヨウ化物塩であれば特に制限はない。ヨ� ��化物塩の価数は、1価でも2価でも良い。ヨ� �化物塩としては、具体的には、ヨウ化ナト� �ウム、ヨウ化カリウム及びヨウ化アンモニ� �ム等が挙げられる。これらのヨウ化物塩は1� ��を単独で用いても、2種以上を併用しても良 い。

 本発明のエッチング液は、そのヨウ化物� ��の濃度が高いほど、ヨウ素が溶解し易く、� ��ッチング後の残留ヨウ素量も少なくするこ� ��ができるので好ましい。また、本発明のエ� ��チング液は、そのヨウ化物塩の濃度が低い� ��ど、ヨウ化物塩が溶解しやすく、エッチン� ��後の残留ヨウ化物塩の量も少なくすること� ��できるので好ましい。そして、本発明のエ� ��チング液におけるヨウ化物塩濃度は、上述� ��通り、ヨウ素に対するモル比が適当な値に� ��るよう選択することが重要である。

 本発明のエッチング液のヨウ化物塩濃度� ��、下限が、通常1重量%、好ましくは5重量%、 上限が、通常40重量%、好ましくは30重量%であ るのが好ましい。また、本発明のエッチング 液におけるヨウ素とヨウ化物塩との合計濃度 は、下限が、通常2重量%、好ましくは7重量%� �上限が、通常50重量%、好ましくは35重量%で� �るのが好ましい。ヨウ素とヨウ化物塩との� �計濃度が上記下限以上であると、エッチン� �速度が大きい点で好ましく、また、上記上� �以下であると、エッチング液に接触させる� �(基板をエッチング液に浸けたり、取り出し� ��りする際)のエッチング量が少ない点、及び 、経済性の点で好ましい。

<ヨウ化物塩/ヨウ素モル比>
 本発明のエッチング液においては、上述の� ��り、金と金よりイオン化電位の低い貴金属� ��素とが互いに接触してなるエッチング対象� ��をエッチングする際に、金よりイオン化電� ��の低い貴金属元素を選択的にエッチングで� ��るようヨウ化物塩濃度を調整することが極� ��て重要である。ヨウ化物塩/ヨウ素のモル比 は、具体的には、下限が好ましくは9.5であり 、更に好ましくは10.0であり、特に好ましく� �11であり、上限が好ましくは15であり、更に� ��ましくは13であり、特に好ましくは12である 。

 ヨウ化物塩/ヨウ素のモル比は、高い方が 「金のエッチング速度」より「金よりイオン 化電位の低い貴金属元素のエッチング速度」 が大きくなり、選択エッチング性が高まる点 で好ましい。一方、ヨウ化物塩/ヨウ素のモ� �比が低い方が、エッチング液のヨウ素濃度� �高い場合でもエッチング液のヨウ化物濃度� �絶対値が飽和溶解度以下となりやすく、ま� �、使用する薬品量から見た経済性の点でも� �利である。特に、後述するように、本発明� �エッチング液が更にアルコールを含み、ヨ� �化物塩の溶解度が下がった場合は、アルコ� �ルを含まない場合に比べて、ヨウ化物塩/ヨ� ��素のモル比は、低めの方が好ましい。

 また、本発明のエッチング液のヨウ化物� ��/ヨウ素のモル比は小さいほど、上述の電喰 が起こりにくい。例えば、金製バンプの下の シードメタル層をエッチングする場合、ヨウ 化物塩/ヨウ素のモル比は小さい方が、サイ� �エッチングが起こりにくく、バンプの形状� �維持しやすい。即ち、バンプが崩れる、バ� �プが倒れるといったことが無い。

 なお、ヨウ化物塩/ヨウ素のモル比の好適 な範囲は、エッチングしたい貴金属(金より� �オン化電位の低い貴金属)とエッチングした� ��ない物質(金)の種類、形状(厚み等)、両者の 接触状態(接触面積等)、エッチング条件(エッ チング温度等)などに応じて変わる。そこで� �ヨウ化物塩/ヨウ素のモル比は、これらを考� ��した上で、適当な組成を選択する必要があ� ��。例えば、パラジウム上に金製バンプを作� ��する場合は、バンプの大きさ(面積)や間隔� �変われば、金とパラジウムの面積比率や接� �面積が変わる。金層とパラジウム層の接触� �積が大きいほど、電子の移動が容易となり� �パラジウムの選択エッチング性が高まる傾� �にあるため好ましい。

 ここで、ヨウ素/ヨウ化物塩水溶液に更に アルコールを加えると、ヨウ化カリウムの溶 解度は小さくなるため、ヨウ化カリウム/ヨ� �素のモル比の上限値は低下する傾向にある� �逆に、高温であるなど、ヨウ化カリウムの� �解度が高い条件では、高いヨウ化カリウム/� ��ウ素のモル比も可能となる。

 特に、本発明のエッチング液を半導体又� ��液晶関連のデバイス分野での微細配線作製� ��どで使用する場合は、エッチング液中の不� ��物が少ないのが好ましい。そこで、本発明� ��エッチング液で用いる水は、高純度である� ��のが好ましい。特に、導電性イオンが少な� ��ものが好ましい。具体的には、比抵抗が1Mω ・cm以上の水が好ましい。比抵抗値10数Mω・cm 以上の超純水が特に好ましい。

<アルコール>
 本発明のエッチング液は、更にアルコール� ��含んでいることが好ましい。エッチング液� ��にアルコールが含まれていると、エッチン� ��液中のヨウ素の溶解性が高くなる。

 具体的には、ヨウ素の水に対する溶解度は� ��20℃で0.03g/100cm ³ (国際化学物質安全性カードのヨウ素の項(ICSC 番号0167))であるが、例えば、ここで、ヨウ化 カリウムが存在すると、ヨウ化カリウムがKI ₃ となり、ヨウ素はI ₃ ^- の状態で水に溶解し易くなる。
 また、オクタノールの水に対する分配係数( logPow=2.49:同上国際化学安全物質情報)の如く� �ヨウ素は、水よりアルコールに分配されや� �い。
 従って、ヨウ素系エッチング液にアルコー� ��が含まれていると、エッチング液の表面張� ��が小さくなり、エッチング対象物に対する� ��れ性が高くなり、エッチング対象物の形状� ��複雑な場合でも狭隙部までエッチング液が� ��透しやすくなる。

 アルコールとしては、水への溶解性が高� ��ものが好ましい。アルコールの価数は、1価 でも2価以上の多価でも良いが、ヨウ素との� �応性から1価が好ましい。また、アルコール� ��炭素数は、1~4が好ましい。即ち、アルコー� ��としては、炭素数1~4の1価のアルコール又は ジオールが好適である。アルコールの好適例 としては、メタノール、エタノール、プロパ ノール、エチレングリコール、プロピレング リコール、ジエチレングリコール及びグリコ ールエーテル類等が挙げられる。これらのア ルコールは1種を単独で用いても、2種以上を� ��用しても良い。

 本発明のエッチング液中のアルコールの好� ��な濃度は、エッチング対象物の表面にレジ� ��トが存在するか否かによっても異なる。ア� ��コールは、本発明のエッチング液での必須� ��分ではないので、その濃度の下限は、当然0 重量%であるが、アルコールを用いる場合の� �限は、アルコールの配合効果が発現しやす� �ことから1重量%であるのが好ましい。
アルコール濃度の上限は、50重量%が好ましく 、35重量%が更に好ましく、20重量%が特に好ま しい。アルコール濃度が上記上限以下である と、上述の通り、ヨウ化物塩の溶解度が高く 、ヨウ化物塩/ヨウ素のモル比が高めやすい� �また、エッチング対象物の表面にレジスト� �存在する場合でも、これを溶解させてしま� �危険性が低い。エッチング対象物にレジス� �が存在しない場合は、レジストが存在する� �合より、アルコール濃度の上限は高めでよ� �が、それでも、水より多く存在しないよう� �するのが好ましい。

<pH>
 本発明のエッチング液のpHは、ヨウ素、ヨ� �化物塩及び水を含み、金と金よりイオン化� �位の低い貴金属元素とが互いに接触してな� �エッチング対象物の金よりイオン化電位の� �い貴金属元素を選択的にエッチングできれ� �特に制限は無い。本発明のエッチング液は� �上述の好ましいヨウ化物塩/ヨウ素のモル比� ��すると、通常、pH5.0~6.0となる。

<その他の成分>
 本発明のエッチング液は、ヨウ素、ヨウ化� ��塩、水、アルコール以外の成分を、本発明� ��優れた効果を大幅に妨げない範囲であれば� ��含んでいても良い。本発明のエッチング液� ��含まれていてもよいその他の成分としては� ��例えば、上記のアルコール以外の有機溶剤� ��が挙げられる。

<エッチング対象物>
 本発明に係るエッチング対象物は、金と金� ��りイオン化電位の低い貴金属元素とが直接� ��触しているものである。

 一般的に、不純物を含むと金属は硬くな� ��。このため、半導体又は液晶デバイス分野� ��での電極や接点用には、純度の高い金属が� ��いられる。即ち、エッチング対象物を構成� ��る金は、純度が高い方が好ましい。具体的� ��は、純度99.8重量%以上の純金が好ましい。

 貴金属元素とは、金、銀、白金、パラジウ� ��、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オ� ��ミウムである。本発明に係るエッチング対� ��物を構成する金よりイオン化電位の低い貴� ��属元素は、ヨウ素/ヨウ化物塩水溶液系のエ ッチング液でエッチング可能な貴金属元素で ある。上記の貴金属元素の内、金よりイオン 化電位が低いのは、金以外の7種の貴金属元� �である。この内、パラジウムが特に好まし� �。
 本発明に係るエッチング対象物を構成する� ��よりイオン化電位の低い貴金属元素は、純� ��ラジウム等の高純度貴金属が好ましい。具� ��的には、貴金属元素濃度が99.8重量%以上で� �るのが好ましい。

 また、本発明に係るエッチング対象物を� ��成する金よりイオン化電位の低い貴金属元� ��は、金属状態であるのが好ましい。

 本発明に係るエッチング対象物では、金� ��金よりイオン化電位の低い貴金属元素とが� ��直接接触」している。この金と金よりイオ� ��化電位の低い貴金属元素とが「直接接触」� ��ていることは、本発明の効果を得る上で極� ��て重要である。金と金よりイオン化電位の� ��い貴金属元素との接触面積は、製造される� ��バイスの構造により異なり、特に制限は無� ��が、接触面積が大きいほど本発明の効果が� ��い。

 ガラス基板やシリコン基板等の基板上に� ��金属層を形成する場合は、基板上に、基板� ��貴金属層の両方に対して密着性のある下地� ��を設けた上に、貴金属層を形成してもよい� ��この下地膜としては、一般的に、チタンタ� ��グステン合金、チタン、クロム、ニッケル� ��属等が用いられることが多い。従来、金製� ��ンプに対する下地膜としては、金原子の移� ��溶解が少ないチタンタングステン合金が使� ��されていた。しかし、チタンタングステン� ��金は硬い。これに対し、下地膜の上に貴金� ��製のシード層を形成してから金製バンプを� ��成すると、下地膜が金層と接しない。そこ� ��、金原子の移動を考慮せずに、下地膜の種� ��を選択することが可能になるものである。� ��ードメタル層がある場合の下地膜としては� ��例えば、軟らかく、シリコンとの密着性も� ��く、安価なチタンなどが挙げられる。

 本発明に係るエッチング対象物は、金及� ��金よりイオン化電位の低い貴金属元素が接� ��していれば、各層の形状や大きさは、特に� ��限されず、用途に応じて、適当な形状及び� ��イズの積層体とすればよい。以下、半導体� ��は液晶デバイス分野等で金製の電極又は接� ��を作製する場合を例として、その好ましい� ��状を説明する。

 この場合、金層の厚さは、デバイスの種� ��等によっても異なるが、通常1~30μm程度であ る。金よりイオン化電位の低い貴金属元素層 の厚さは、デバイスの種類等によっても異な るが、通常10~500nm程度である。金よりイオン� ��電位の低い貴金属元素製の層は、金層をメ� ��キ法により形成するためのシード層である� ��そこで、導電性を十分に得る観点からは、� ��の厚さは上記下限値以上が好ましいが、厚� ��ほどコストがかかるため、経済的な観点か� ��は薄い方が好ましい。チタン等の下地膜の� ��さは、デバイスの種類等によっても異なる� ��、通常10~500nm程度である。上記下限値以上� �あると、基板との絶縁性の点で好ましく、� �た、上記上限以下であるとコスト面で好ま� �い。

<エッチング方法>
 本発明のエッチング方法は、ヨウ素、ヨウ� ��物塩及び水を含むエッチング液を用いる貴� ��属元素のエッチング方法であって、ヨウ素� ��対するヨウ化物塩濃度を調整することによ� ��、金と金よりイオン化電位の低い貴金属元� ��とが互いに接触してなるエッチング対象物� ��金よりイオン化電位の低い貴金属元素を選� ��的にエッチングすることを特徴としている� ��即ち、本発明のエッチング方法は、ヨウ素� ��ヨウ化物塩及び水を含むエッチング液を用� ��て、金と金よりイオン化電位の低い貴金属� ��素とが互いに接触してなるエッチング対象� ��の金よりイオン化電位の低い貴金属元素を� ��択的にエッチングできれば特に制限はない� ��
 本発明のエッチング方法としては、上述の� ��ましい液組成のエッチング液でエッチング� ��るのが好ましい。

 エッチング方法としては、浸漬法、スプ� ��ー法、スピン法等何れの方法でエッチング� ��行ってもよい。また、エッチングに用いる� ��置にも、特に制限はない。浸漬法でエッチ� ��グする場合は、撹拌は、一般的には、ゆっ� ��りとした上下浸漬遥動程度のもので十分で� ��る。即ち、撹拌は、拡散律速領域を外せる� ��度に強く、エッチングの面内均一性が良好� ��なる程度の強さであるのが好ましい。

 エッチング処理時の温度についても、本� ��明のエッチング液が均一溶液状態になれば� ��特に制限はない。エッチング温度の下限は� ��通常10℃、好ましくは20℃で、上限は通常50� ��、好ましくは35℃、更に好ましくは25℃であ る。エッチング温度が上記上限以下であると 、金のエッチング速度が速くなりすぎず、エ ッチングの選択性の点で好ましい。

 エッチング時間は、所望量のエッチング� ��行えるように適宜決定されればよい。半導� ��又は液晶デバイス分野等で金製の電極又は� ��点を作製する場合を例とすると、エッチン� ��時間は、通常、2~10分程度である。

 本発明のエッチング液中に含まれるヨウ素� ��、酸化剤であるため、エッチング終了後は� ��エッチング対象物上の残存ヨウ素を十分に� ��去するのが好ましい。溶存ヨウ素をリンス� ��浄する場合、ヨウ化カリウム等のヨウ素を� ��解できるヨウ化物塩水溶液又はアルコール� ��溶液にて洗浄した後に、水洗浄をするのが� ��K ⁺ 、I ₃ ^- 、I ₂ 等の残存物を低減できることから好ましい。

 なお、本発明のエッチング液によるエッ� ��ング速度は、金よりイオン化電位の低い貴� ��属元素のエッチング速度が10mg/hr以上である のが好ましく、11mg/hr以上であるのが更に好� �しく、25mg/hr以下であるのが好ましい。また� ��「金のエッチング速度」に対する「金より� ��オン化電位の低い貴金属元素のエッチング� ��度」の比は、0.8以上であるのが好ましく、1 .0以上であるのが更に好ましく、1.2以上であ� ��のが特に好ましい。そして、「金のエッチ� ��グ速度」に対する「金よりイオン化電位の� ��い貴金属元素のエッチング速度」の比は、� ��金」と「金よりイオン化電位の低い貴金属� ��素」とが接していなかった場合に比べて、2 .0倍以上となっているのが好ましく、2.5以上� ��あるのが更に好ましく、3.0以上であるのが� ��に好ましく、4.0以上であるのが最も好まし� ��。