本发明属于 PVD工艺技术领域， 尤其涉及一种靶材的刻蚀量测装置及量测方 法。 背景技术

在 TFT( Thin film transistor )及液晶显示器制造技术领域中，许多 PVD(Physical Vapor Deposition)设备釆用磁控溅射来增加靶材效率。 设于靶材的下面的磁石可以 提高靶材的利用率， 但同时磁石的移动会形成刻蚀曲线。 当靶材的刻蚀深度 ( Erosion Depth )到达一定程度便无法使用。

因此， 需要量测已用靶材的刻蚀深度， 并调整磁石的移动和磁力线的分布， 使刻蚀曲线均匀分布， 以提高靶材利用率。 发明内容

本发明的目的在于， 提供一种靶材的刻蚀量测装置， 其能够量测靶材的刻蚀 深度。

本发明通过如下技术方案实现： 一种靶材的刻蚀量测装置， 其中， 所述靶材 的刻蚀量测装置包括导轨、 定位部件及刻蚀深度量测部件， 所述刻蚀深度量测部 件以与所述导轨相对移动的方式设置在所述导 轨上， 所述定位部件设置在所述导 轨的两侧以支撑所述导轨。

作为上述技术方案的进一步改进， 所述刻蚀深度量测部件包括用于量测靶材 的刻蚀深度的深度计。

作为上述技术方案的进一步改进， 所述定位部件包括磁性件。

作为上述技术方案的进一步改进， 所述磁性件包括磁石或电磁铁。

作为上述技术方案的进一步改进， 所述靶材的刻蚀量测装置还包括连接在所 述定位部件与所述导轨之间及连接在所述刻蚀 深度量测部件与所述导轨之间的连 接件。

作为上述技术方案的进一步改进， 所述导轨的底侧设有沿所述导轨的长度方 向延伸的滑槽。 作为上述技术方案的进一步改进， 所述滑槽具有滑动容纳部及夹持部， 所述 连接件的上部设有与所述滑动容纳部匹配的凸 缘， 所述夹持部位于所述滑动容纳 部的下方并用于保持所述凸缘。

作为上述技术方案的进一步改进， 所述连接件的上部设有具有向上运动趋势 的弹性件， 所述滑槽沿所述导轨的长度方向均勾布置有多 个定位孔， 所述弹性件 与所述多个定位孔相适配。

作为上述技术方案的进一步改进， 所述弹性件为弹簧定位销。

作为上述技术方案的进一步改进， 所述靶材的刻蚀量测装置还包括连接在所 述定位部件与所述导轨之间及连接在所述刻蚀 深度量测部件与所述导轨之间的连 接件， 所述导轨的底侧设有沿所述导轨的长度方向延 伸的滑槽， 所述滑槽具有滑 动容纳部及夹持部， 所述连接件的上部设有与所述滑动容纳部匹配 的凸缘， 所述 夹持部位于所述滑动容纳部的下方并用于保持 所述凸缘。

根据本发明的另一方面， 提供了一种靶材的刻蚀量测方法， 其中， 所述靶材 的刻蚀量测方法包括以下步骤：

定位步骤， 通过定位部件将刻蚀深度量测部件定位在靶材 的正上方， 长度方向量测步骤， 沿一导轨的长度方向移动刻蚀深度量测部件， 对靶材的 刻蚀深度进行量测。

作为上述技术方案的进一步改进， 所述刻蚀深度量测部件包括用于量测靶材 的刻蚀深度的深度计。

作为上述技术方案的进一步改进， 所述定位部件包括磁性件。

作为上述技术方案的进一步改进， 所述磁性件包括磁石或电磁铁。

作为上述技术方案的进一步改进， 在所述定位部件与所述导轨之间及在所述 刻蚀深度量测部件与所述导轨之间设置有连接 件。

作为上述技术方案的进一步改进， 所述导轨的底侧设有沿所述导轨的长度方 向延伸的滑槽， 所述滑槽具有滑动容纳部及夹持部， 所述连接件的上部设有与所 述滑动容纳部匹配的凸缘， 所述夹持部位于所述滑动容纳部的下方并用于 保持所 述凸缘。

本发明的有益效果是： 本发明的靶材的刻蚀量测装置包括导轨、 定位部件及 刻蚀深度量测部件， 所述刻蚀深度量测部件以与所述导轨相对移动 的方式设置在 所述导轨上， 所述定位部件设置在所述导轨的两侧以支撑所 述导轨， 由此， 通过 定位部件将导轨固定在靶材的表面上方， 并移动刻蚀深度量测部件以量测靶材的 表面任意处的刻蚀深度。 基于刻蚀深度量测部件的量测数据， 对磁石进行调节以 提高靶材的刻蚀深度的均匀度， 从而提高靶材利用率。

附图说明

图 1是用于说明靶材的刻蚀深度的情形的图。

图 2是根据本发明的一个具体实施例的靶材的刻� �量测装置的概略正面图。 图 3是图 2的靶材的刻蚀量测装置的俯视图。

图 4是图 2的靶材的刻蚀量测装置的导轨的仰视图。

图 5是图 4的导轨的 A-A截面图。

图 6是图 4的导轨的正面图。

图 7是图 2的靶材的刻蚀量测装置的连接件的侧视图。

图 8是图 2的靶材的刻蚀量测装置的深度计的侧视图。

图 9是图 2的靶材的刻蚀量测装置的支撑杆的侧视图。

图 10是用于说明根据本发明的一个具体实施例的� ��材的刻蚀量测方法的流程 的图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的具体实施方式进行进 一步的说明。

如图 1所示， 靶材的蚀刻处 102的刻蚀深度 h并不是均匀分布的。 靶材的蚀 刻处 102的刻蚀深度 h与 PVD设备机台内的磁石移动、 气流等紧密相关。 不同工 厂、 不同时期的 PVD设备机台之间也会有差别。 一旦靶材的刻蚀深度 h接近靶材 厚度 d值， 靶材就只能下机， 送回靶材厂商重新制作后送回。 因此， 需要一种可 以在 PVD设备机台保养时直接在 PVD设备机台上量测靶材的刻蚀深度的装置， 以得到及时、 准确的实测值， 进而对磁石进行调节以提高靶材的刻蚀深度的 均匀 度， 从而提高靶材利用率， 这在实际生产中有着重大意义。

鉴于此， 本发明人提出了一种靶材的刻蚀量测装置。 该靶材的刻蚀量测装置 包括导轨 400、定位部件 600及刻蚀深度量测部件 500。所述刻蚀深度量测部件 500 以与所述导轨 400相对移动的方式设置在所述导轨 400上。 所述定位部件 600设 置在所述导轨 400的两侧以支撑所述导轨 400。

由此， 通过定位部件将导轨固定在靶材的表面上方， 并移动刻蚀深度量测部 件以量测靶材的表面任意处的刻蚀深度。 基于刻蚀深度量测部件的量测数据， 对 磁石进行调节以提高靶材的刻蚀深度的均匀度 ， 从而提高靶材利用率。 靶材的刻 蚀深度越均匀， 靶材的使用率越高， 从而延长靶材的下机时间。 靶材的下机时间 延长， 可以节约物料成本。 而且， 从生产工艺上考虑， 靶材的刻蚀深度越均匀， 形成的产品的缺陷几率越小， 生产稳定性越好。

本实施例的靶材的刻蚀量测装置中， 所述刻蚀深度量测部件 500 包括用于量 测靶材 100的刻蚀深度 h的深度计（也称高度计）。 深度计可以为市面销售的数显 深度计。 所述定位部件 600包括可以磁性件 200。 更具体而言， 所述磁性件 200可 以包括磁石或电磁铁。 此外， 所述靶材的刻蚀量测装置还包括连接在所述定 位部 件 600与所述导轨 400之间及连接在所述刻蚀深度量测部件 500与所述导轨 400 之间的连接件 700。 易言之， 所述刻蚀深度量测部件 500通过连接件 700可移动地 连接在导轨 400上。 定位部件 600通过连接件 700可移动地连接在导轨 400上。 如图 1、 图 4及图 5所示， 本实施例的靶材的刻蚀量测装置中， 所述导轨 400 包括本体 410、 端盖 402、 沿所述导轨 400的长度方向 X延伸的滑槽 430、 定位孔 440。 滑槽 430形成于本体 410上。 且滑槽 430位于导轨 400的底侧。 端盖 402可 套设在本体 410的两个端部 420上。

如图 Ί所示， 在本实施例的靶材的刻蚀量测装置中， 所述连接件 700包括本 体 720、 设于本体 720上部的凸缘 730、 嵌设于所述本体 720内的弹性件 740、 及 用于连接刻蚀深度量测部件 500或定位部件 600的连接部 710。 其中， 连接部 710 可以为螺纹连接部。

如上所述， 所述刻蚀深度量测部件 500包括用于量测靶材 100的刻蚀深度 h 的深度计。 深度计可以为市面销售的数显深度计。 如图 8所示， 所述刻蚀深度量 测部件 500包括本体 510及探针 520。 连接部 710与本体 510连接。 所述定位部件 600可以包括磁性件 200。 更具体而言， 所述磁性件 200可以包括磁石或电磁铁。 在图 1所示的实施例中， 所述磁性件 200为电磁铁。 且所述磁性件 200通过支撑 杆 800与连接件 700连接。 由此， 可以通过左右设置的两个磁性件 200作为吸附 支脚， 将靶材的刻蚀量测装置吸附在适当的零部件（ 例如腔体门板）上。

其中， 如图 9所示， 支撑杆 800包括本体 810、 连接杆 820、 连接槽 830。 连 接槽 830与连接部 710匹配连接。 连接杆 820的下端与磁性件 200连接。 在本发 明的一个优选实施例中， 连接杆 820可以构成为与本体 810之间伸缩连接， 实现 导轨 400与靶材 100之间的高度自由调节。

如图 5所示， 所述滑槽 430具有滑动容纳部 432及夹持部 434。 如图 7所示， 所述连接件 700的上部相应地设有与所述滑动容纳部 432匹配的凸缘 732。所述夹 持部 434位于所述滑动容纳部 432的下方并用于保持所述凸缘 732。 由此， 所述刻 蚀深度量测部件 500通过连接件 700可移动地连接在导轨 400上， 且不会脱离导 轨 400。 定位部件 600通过连接件 700可移动地连接在导轨 400上， 且不会脱离导 轨 400。

此外，所述连接件 700的上部设有具有向上运动趋势的弹性件 740。具体而言， 本实施例中， 所述弹性件 740为弹簧定位销。 弹簧定位销可以从市场上购得， 并 优选具有按压按钮的弹簧定位销。 相应地， 如图 4所示， 所述滑槽 430沿所述导 轨 400的长度方向 X均勾布置有多个定位孔 440。 所述弹性件 740与所述多个定 位孔 440相适配。 由此， 可以通过弹性件 740与定位孔 440的配合， 实现刻蚀深 度量测部件 500及定位部件 600定位。 在需要刻蚀深度量测部件 500或定位部件 600时， 通过按钮（未图示）向下按压弹性件 740, 并手动移动刻蚀深度量测部件 500或定位部件 600即可。

根据本发明的另一方面， 还提供了一种靶材的刻蚀量测方法。 如图 10所示， 所述靶材的刻蚀量测方法包括定位步骤 S1及导轨长度方向 X量测步骤 S2。

在定位步骤 S1中，通过定位部件 600将刻蚀深度量测部件 500定位在靶材 100 的正上方。 在定位步骤 S1之后， 可以在靶材 100的未蚀刻的边缘处对刻蚀深度量 测部件 500进行调零校准。在导轨长度方向 X量测步骤 S2中， 沿导轨长度方向 X 移动刻蚀深度量测部件 500, 对靶材 100的刻蚀深度 h进行量测。 可以根据需要， 重复定位步骤 S1及导轨长度方向 X量测步骤 S2。 沿靶材 100的宽度方向 Y移动 靶材的刻蚀量测装置， 对靶材 100的任意位置的刻蚀深度 h进行量测。

根据本发明的靶材的刻蚀量测装置及量测方法 ， 可以在 PVD设备机台保养时 直接在 PVD设备机台上量测靶材的刻蚀深度， 得到及时、 准确的实测值， 进而对 磁石进行调节以提高靶材的刻蚀深度的均匀度 ， 从而提高靶材利用率。 根据本发 明的靶材的刻蚀量测装置及量测方法， 可及时快速的提高靶材利用率， 减少靶材 的购买数量。 例如 ITO ( Indium Tin Oxides )靶材的售价高昂， 这对控制成本有长 远利益。 根据本发明的靶材的刻蚀量测装置及量测方法 ， 终端产品生产商无需将 残靶送回到靶材厂商处量测后再进行调整， 可以自行进行靶材的刻蚀量测， 测量 数据反馈及时， 周期短， 现场调整磁石， 无需利用物流退运靶材。

以上具体实施方式对本发明进行了详细的说明 ， 但这些并非构成对本发明的 限制。 本发明的保护范围并不以上述实施方式为限， 但凡本领域普通技术人员根 据本发明所揭示内容所作的等效修饰或变化， 皆应纳入权利要求书中记载的保护 范围内。