以下に、本発明を詳細に説明する。なお� ��「%」は特に明記しない限り「重量%」を示� �。

(エッチング方法)
 本発明のエッチング方法は、0.5重量%を超え 70重量%以下の(NH ₄ ) ₂ Ce(NO ₃ ) ₆ 、0.5重量%以上30重量%以下のCe(SO ₄ ) ₂ 、又は、0.5重量%を超え30重量%以下の(NH ₄ ) ₄ Ce(SO ₄ ) ₄ を含むエッチング液を用い、導電性高分子を エッチングするエッチング工程、酸化還元電 位測定、酸化還元滴定、及び、電気伝導度測 定よりなる群から選ばれた少なくとも1つの� �析手段により、エッチング液を分析する分� �工程、並びに、前記分析工程によって得ら� �た結果に応じてエッチング工程を管理する� �理工程、を含むことを特徴とする。
 本発明のエッチング方法は、(NH ₄ ) ₂ Ce(NO ₃ ) ₆ 、Ce(SO ₄ ) ₂ 、又は、(NH ₄ ) ₄ Ce(SO ₄ ) ₄ を含む導電性高分子用エッチング液を使用し て、導電性高分子をエッチングする方法であ り、前記エッチング工程の管理を簡便かつ容 易に行うことができ、安定したエッチングを 行うことができるエッチング方法である。

<エッチング工程>
 本発明のエッチング方法は、0.5重量%を超え 70重量%以下の(NH ₄ ) ₂ Ce(NO ₃ ) ₆ 、0.5重量%以上30重量%以下のCe(SO ₄ ) ₂ 、又は、0.5重量%を超え30重量%以下の(NH ₄ ) ₄ Ce(SO ₄ ) ₄ を含むエッチング液(以下、「特定エッチン� �液」ともいう。)を用い、導電性高分子をエ� ��チングするエッチング工程を含む。

 導電性高分子はπ電子が移動して導電性を� �す。このような導電性高分子は多数報告さ� �ている。
 本発明に用いることができる導電性高分子� ��しては、ポリアニリン、ポリチオフェン、� ��リピロール、ポリフェニレン、ポリフルオ� ��ン、ポリビチオフェン、ポリイソチオフェ� ��、ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)、� ��リイソチアナフテン、ポリイソナフトチオ� ��ェン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン� ��ポリパラフェニレンビニレン、ポリアセン� ��ポリチアジル、ポリエチレンビニレン、ポ� ��パラフェニレン、ポリドデシルチオフェン� ��ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレン� ��ニレン、ポリフェニレンスルフィド等やこ� ��らの誘導体が例示できる。これらのうち、� ��リチオフェン類、ポリピロール類、又は、� ��リアニリン類が好ましく、ポリチオフェン� ��又はポリアニリン類がより好ましく、ポリ� ��オフェン類がさらに好ましく、電気伝導度� ��空気中での安定性及び耐熱性に優れたポリ( 3,4-エチレンジオキシチオフェン)が最も好ま� ��い。

 また、導電性高分子を用いる際により高い� ��気伝導度を発現する目的で、ドーパントと� ��ばれるドーピング剤を併用することができ� ��。前記導電性高分子に用いることができる� ��ーパントとしては、公知のドーパントを用� ��ることができ、導電性高分子の種類に応じ� ��ハロゲン類(臭素、ヨウ素、塩素等)、ルイ� �酸(BF ₃ 、PF ₅ 等)、プロトン酸(HNO ₃ 、H ₂ SO ₄ 等)、遷移金属ハライド(FeCl ₃ 、MoCl ₅ 等)、アルカリ金属(Li、Na等)、有機物質(アミ� ��酸、核酸、界面活性剤、色素、アルキルア� ��モニウムイオン、クロラニル、テトラシア� ��エチレン(TCNE)、7,7,8,8-テトラシアノキノジ� �タン(TCNQ)等)等が例示できる。導電性高分子� ��体にドーピング効果を持つ自己ドープ型導� ��性高分子であってもよい。また、ポリチオ� ��ェン類を用いる場合、ドーパントとしては� ��リスチレンスルホン酸を用いることが好ま� ��い。

 本発明に用いることができる導電性高分子� ��導電率は、導電性を示す値の範囲であれば� ��に制限はないが、10 ^-6 ~10 ⁴ S/cmであることが好ましく、10 ^-5.5 ~10 ³ S/cmであることがより好ましく、10 ^-5 ~5×10 ² S/cmであることがさらに好ましい。導電性高� �子の導電率が上記範囲であると、接続部分� �パターニング等において好ましい。
 また、本発明に用いることができる導電性� ��分子は、その使用時において、可視光域に� ��ける透過率が高いものが好ましい。なお、� ��過率は、波長550nmにおいて60~98%であること� �好ましく、70~95%であることがより好ましく� �80~93%であることがさらに好ましい。導電性� �分子自体の透過率が上記範囲であると、デ� �スプレイ等の用途に好適に用いることがで� �る。
 ここで、本発明において、可視光域とは400~ 700nmである。なお、透過率の測定は、分光光� ��計により測定することができる。

 各種の導電性高分子が市販されている。P anipol社により製造され「Panipol」の商品名で� �販されているポリアニリンは、機能性スル� �ン酸でドープした有機溶媒可溶型ポリアニ� �ンである。Ormecon社により製造され「Ormecon」 の商品名で市販されたポリアニリンは、有機 酸をドーパントに用いた溶媒分散型ポリアニ リンである。Bayer社により製造され「Baytron」 の商品名で市販されているポリ(3,4-エチレン� ��オキシチオフェン)はポリスチレンスルホン 酸をドーパントとしている。その他に、アキ レス(株)から商品名「STポリ」で市販される� �リピロール、東洋紡績(株)から商品名「PETMAX 」で市販されるスルホン化ポリアニリン、マ ルアイ(株)から商品名「SCS-NEO」で市販される ポリアニリンも本発明に使用できる。

 特許流通促進事業として特許流通支援チ� ��ートの平成13年度 化学6「有機導電性ポリ� �ー」に記載されている導電性高分子も本発� �に使用できる。

 特定のセリウム(IV)化合物としては、(NH ₄ ) ₂ Ce(NO ₃ ) ₆ 、Ce(SO ₄ ) ₂ 、Ce(NO ₃ ) ₄ 、(NH ₄ ) ₄ Ce(SO ₄ ) ₄ が例示でき、(NH ₄ ) ₂ Ce(NO ₃ ) ₆ 、Ce(SO ₄ ) ₂ 、(NH ₄ ) ₄ Ce(SO ₄ ) ₄ が好ましく、(NH ₄ ) ₂ Ce(NO ₃ ) ₆ 、(NH ₄ ) ₄ Ce(SO ₄ ) ₄ がより好ましい。また、これらのセリウム(IV )塩は水和物であってもよい。本発明におい� �は、(NH ₄ ) ₂ Ce(NO ₃ ) ₆ が短時間で導電性高分子をエッチング処理で きるのでさらに好ましい。
 また、前記エッチング工程のエッチング液� ��、白濁などのような問題が生じない範囲で� ��れば、(NH ₄ ) ₂ Ce(NO ₃ ) ₆ 、Ce(SO ₄ ) ₂ 、及び(NH ₄ ) ₄ Ce(SO ₄ ) ₄ よりなる群から選ばれた2種以上の特定のセ� �ウム(IV)化合物を併用してもよいが、1種の特 定のセリウム(IV)化合物のみを用いることが� �ましい。なお、2種以上特定のセリウム(IV)化 合物を併用する場合の濃度は、各特定のセリ ウム(IV)化合物ごとに求めるものとする。
 特定のセリウム(IV)化合物を含むエッチング 液の溶媒としては、前記セリウム塩を溶解で き、エッチング処理に影響のない媒体であれ ば、特に制限はないが、水であることが好ま しい。また、溶媒として、水と無機酸との混 合物を用いることも好ましい。

 エッチング液に(NH ₄ ) ₂ Ce(NO ₃ ) ₆ を用いる場合、(NH ₄ ) ₂ Ce(NO ₃ ) ₆ の添加量は、エッチング能力から、0.5%を超� �る添加量であり、1.0%以上が好ましく、2.0%以 上がより好ましく、5.0%以上がさらに好まし� �、また、濃度と共に処理速度が上がるが、� �解度の点から、70%以下であり、40%以下が好� �しく、30%以下がより好ましく、15%以下がさ� �に好ましい。(NH ₄ ) ₂ Ce(NO ₃ ) ₆ を用いたエッチング液において、上記範囲の 濃度であるとエッチング能力が優れる。

 (NH ₄ ) ₂ Ce(NO ₃ ) ₆ を含むエッチング液において、当該エッチン グ液の分解を防止するため、安定剤を用いる ことができるが、当該エッチング液について は安定剤を配合した方が好ましい。当該安定 剤としてはHNO ₃ 又はHClO ₄ が好ましい。当該安定剤としてHNO ₃ を用いた場合、その濃度は、0.1%より多いこ� �が好ましく、また、70%以下が好ましく、1.0~6 0%であることがより好ましく、5~50%であるこ� �がさらに好ましく、10~20%であることが最も� �ましい。また、当該安定剤としてHClO ₄ を用いた場合、その濃度は、0.1%より多いこ� �が好ましく、また、60%以下が好ましく、1.0~5 0%であることがより好ましく、5~40%であるこ� �がさらに好ましい。なお、硫酸は、(NH ₄ ) ₂ Ce(NO ₃ ) ₆ エッチング液を白濁させるので安定剤として 好ましくない。(NH ₄ ) ₂ Ce(NO ₃ ) ₆ を用いたエッチング液において、安定剤が上 記範囲の濃度であるとエッチング液の安定性 が向上する。

 エッチング液にCe(SO ₄ ) ₂ を用いる場合は、Ce(SO ₄ ) ₂ の含有量は、エッチング能力から、0.5%以上� �あり、1.0%以上が好ましく、また、濃度と共� ��処理速度が上がるが、溶解度の点から、30%� ��下であり、20%以下が好ましく、2.0~25%がより 好ましく、5~15%がさらに好ましい。Ce(SO ₄ ) ₂ を用いたエッチング液において、上記範囲の 濃度であるとエッチング能力が優れる。

 Ce(SO ₄ ) ₂ を用いたエッチング液において、Ce(SO ₄ ) ₂ のエッチング能力の低下を防止するため、安 定剤を用いることができるが、当該エッチン グ液については安定剤を配合した方が好まし い。当該安定剤としてはHNO ₃ 又はH ₂ SO ₄ が好ましく、HNO ₃ がより好ましい。当該安定剤としてHNO ₃ を用いた場合、その濃度は、0.1%より多いこ� �が好ましく、また、70%以下が好ましく、1.0~6 0%であることがより好ましく、5.0~50%であるこ とがさらに好ましい。また、当該安定剤とし てH ₂ SO ₄ を用いた場合、その濃度は、0.1%より多いこ� �が好ましく、1.0%以上がより好ましく、2.0%以 上がさらに好ましく、5.0%以上が特に好まし� �、また、40%以下が好ましく、30%以下がより� �ましく、20%以下がさらに好ましい。Ce(SO ₄ ) ₂ を用いたエッチング液において、安定剤が上 記範囲の濃度であるとエッチング液のエッチ ング能の低下を防止することができるので好 ましい。

 エッチング液に(NH ₄ ) ₄ Ce(SO ₄ ) ₄ を用いる場合、(NH ₄ ) ₄ Ce(SO ₄ ) ₄ の添加量は、エッチング能力から、0.5%を超� �る添加量であり、1.0%以上が好ましく、2.0%以 上がより好ましく、5.0%以上がさらに好まし� �、また、濃度と共に処理速度が上がるが、� �解度の点から、30%以下であり、25%以下が好� �しく、15%以下がさらに好ましい。(NH ₄ ) ₄ Ce(SO ₄ ) ₄ を用いたエッチング液において、上記範囲の 濃度であるとエッチング能力が優れる。

 (NH ₄ ) ₄ Ce(SO ₄ ) ₄ を含むエッチング液において、当該エッチン グ液の分解を防止するため、安定剤を用いる ことができるが、当該エッチング液について は安定剤を配合した方が好ましい。当該安定 剤としてはH ₂ SO ₄ 又はHClO ₄ を用いた場合、その濃度は、1.0%より多いこ� �が好ましく、また、40%以下が好ましく、2.0~3 0%であることがより好ましく、3~20%であるこ� �がさらに好ましい。なお、硝酸は、(NH ₄ ) ₄ Ce(SO ₄ ) ₄ エッチング液を白濁させるので安定剤として 好ましくない。(NH ₄ ) ₄ Ce(SO ₄ ) ₄ を用いたエッチング液において、安定剤が上 記範囲の濃度であるとエッチング液の安定性 が向上する。

 特定のセリウム(IV)化合物を含むエッチング 液は、Ce(NO ₃ ) ₄ を用いてもよい。Ce(NO ₃ ) ₄ の使用量としては、0.5%以上30%以下であり、5. 0~20%であることが好ましい。
 Ce(NO ₃ ) ₄ を用いる場合、使用直前に合成し、エッチン グ液に用いることが好ましい。Ce(NO ₃ ) ₄ の合成方法としては、公知の方法により合成 することができるが、例えば、イオン交換水 中に水酸化セリウム及び硝酸を加えて加熱し 合成する方法が挙げられる。また、Ce(NO ₃ ) ₄ を用いる場合、当該安定剤としてHNO ₃ を用いることが好ましい。

 なお、特定のセリウム(IV)化合物を含むエッ チング液に安定剤を用いた場合、安定剤の種 類や、溶液の温度、溶液のpH、溶液の極性、� ��通イオン効果等の影響により、(NH ₄ ) ₂ Ce(NO ₃ ) ₆ 、Ce(SO ₄ ) ₂ 、(NH ₄ ) ₄ Ce(SO ₄ ) ₄ 、又はCe(NO ₃ ) ₄ を含有するエッチング液における溶解度が変 化することは言うまでもない。例えば、(NH ₄ ) ₂ Ce(NO ₃ ) ₆ を用いた場合、前記の種々の条件により、溶 解度が70%以下となることもある。その場合、 前記エッチング液における(NH ₄ ) ₂ Ce(NO ₃ ) ₆ の使用量は、0.1重量%を超え飽和濃度となる� �以下であり、Ce(SO ₄ ) ₂ 又はCe(NO ₃ ) ₄ についても同様である。
 また、当該溶解度の一例として、HNO ₃ 水溶液を用いた場合の各温度における(NH ₄ ) ₂ Ce(NO ₃ ) ₆ の飽和濃度を測定した。結果を下記表1及び2� ��示す。

 前記エッチング工程におけるエッチング時� ��液温は、10~70℃であることが好ましく、20~60 ℃であることがより好ましく、30~50℃である� ��とがさらに好ましい。上記範囲の液温であ� ��とエッチング能力が優れる。
 前記エッチング工程におけるエッチング時� ��は、特に制限はないが、0.2~30分間が好まし� ��、0.3~25分間がより好ましく、0.4~15分間がさ� ��に好ましい。上記範囲のエッチング時間で� ��るとエッチング処理において基板等に与え� ��ダメージが少ない。
 また、前記エッチング工程におけるエッチ� ��グ時間は、後述する分析工程によって得ら� ��た結果に応じて、長さを調節することが好� ��しい。

 前記エッチング工程におけるエッチングの� ��法には、特に制限はなく、例えば、浸漬法� ��スプレー法どちらでも使用可能である。
 前記エッチング液を使用して、導電性高分� ��をエッチングによりパターニングするには� ��エッチング液で導電性高分子が溶解しない� ��分を保護する、フォトレジストが必要にな� ��。当該フォトレジストは紫外線を照射した� ��分が現像液に溶解するポジ型と紫外線を照� ��した部分が現像液に不溶化するネガ型があ� ��。
 ポジ型は液体のレジストが多くディスプレ� ��ではLCD等の線幅が数μmオーダーのエッチン� ��に用いられる。
 ネガ型はドライフィルムレジストが多く、� ��ィスプレイではPDP(プラズマディスプレイパ ネル(Plasma Display Panel))等の線幅が数十μmオ� �ダーのエッチングに用いられる。
 ポジ型とネガ型どちらのレジストも本発明� ��おいて使用可能なので、目的とするパター� ��の精細度によってポジ型又はネガ型を選べ� ��よい。
 フォトレジストとしては、アルカリを用い� ��除去することの可能なレジストであること� ��好ましく、液体のレジストであることがよ� ��好ましい。

 基板としては、特に制限はなく、使用用� ��に応じて選択することができ、具体的には� ��ガラス、石英、ポリエステル(例えばポリエ チレンテレフタレート、ポリエチレンナフタ レート等)、ポリオレフィン(例えばポリエチ� ��ン、ポリプロピレン、ポリスチレン等)、ポ リイミド、ポリアクリレート、ポリメタクリ レート等が挙げられる。また、基板が、透明 な基板(透明基板)である場合に、非常に有効� ��ある。

 前記エッチング工程の一例について、図1を 参照して説明する。
 図1A~図1Gは、前記エッチング液を用いて導� �性高分子をエッチングして、導電性高分子� �回路パターンを得る一例の概略工程図であ� �。
 前記エッチング液の使用例として、基板1(� �1A)上に導電性高分子膜2(図1B)をコーティング し、この基板1(図1B)上にレジスト3(図1C)を塗� �し(図1C)、回路図に従って露光する(図1D)。そ して露光した部分のレジスト4を現像液で除� �し導電性高分子膜を露出させる(図1E)。現像� ��た基板に前記エッチング液を用いてエッチ� ��グし(図1F)、導電性高分子膜をパターニング する。その後、洗浄し、残存するレジスト部 を除去して導電性高分子膜がパターニングさ れた基板を得ることができる(図1G)。
 なお、図1ではレジスト3として、ポジ型レ� �ストを使用したが、本発明はこれに限定さ� �るものではなく、ネガ型のレジストを使用� �ることもできる。

(分析工程)
 本発明のエッチング方法は、例えば、酸化� ��元電位測定、酸化還元滴定、及び、電気伝� ��度測定等のような分析手段により、エッチ� ��グ液を分析する分析工程を含む。
 前記分析手段としては、酸化還元電位測定� ��酸化還元滴定、電気伝導度測定、吸光度測� ��、比色測定、エッチング量測定、及び、エ� ��チング速度測定等が例示できる。これらの� ��でも、前記分析手段は、酸化還元電位測定� ��酸化還元滴定、電気伝導度測定、及び、吸� ��度測定よりなる群から選ばれた少なくとも1 つであることが好ましく、酸化還元電位測定 、酸化還元滴定、及び、電気伝導度測定より なる群から選ばれた少なくとも1つであるこ� �がより好ましく、酸化還元電位測定又は酸� �還元滴定により少なくとも分析することが� �らに好ましく、酸化還元電位測定により少� �くとも分析することが特に好ましい。

 特定のセリウム(IV)化合物を含むエッチング 液は、その使用によって液中の酸化剤として のCe ⁴⁺ 濃度が低下するが、本発明のエッチング方法 では、このCe ⁴⁺ 濃度を分析し、その分析結果に応じて、エッ チング液の管理を行うことが好ましい。
 エッチング液中のCe ⁴⁺ の減少量を求める手段としては、エッチング 液の酸化還元滴定、及び/又は、酸化還元電� �測定が好ましく例示できる。
 また、エッチング液の疲労度、すなわち、� ��在のエッチング液における導電性高分子の� ��ッチング可能量は、エッチング液の電気伝� ��度によっても判断することが可能である。� ��気伝導度は、液中に存在するイオンの量の� ��標である。本発明においては、硝酸イオン� ��の変化が電気伝導度を変化させる主要因と� ��えられるが詳細は明らかではない。
 さらに、エッチング液の疲労度は、エッチ� ��グ液の色の変化により判断することも好ま� ��い手段である。すなわち、エッチング液の� ��光度測定や、色見本等を用意し、それと比� ��する方法(比色測定)も好ましい方法である� �
 その他にも、エッチングされる導電性高分� ��のエッチング量を計る手段、エッチング液� ��導電性高分子のエッチング速度を測定する� ��段などを用いて求めてもよい。
 特定のセリウム(IV)化合物を含むエッチング 液中の酸化剤であるCe ⁴⁺ 濃度を測定すれば、Ce ⁴⁺ の減少量を直接的に求めることができるが、 Ce ³⁺ 濃度を測定することによってもCe ³⁺ の増加量はそのままCe ⁴⁺ の減少量になるため、Ce ⁴⁺ の減少量を求めることができる。

 エッチング液中のCe ⁴⁺ 減少量は、例えば、エッチング液の酸化還元 電位を測定することによって求めることがで きる。すなわち、エッチング液の酸化還元電 位の測定したところ、Ce ⁴⁺ とCe ³⁺ の割合から酸化還元電位をフィッティングす ることが可能でることが確認され、よって全 Ce濃度が判れば、酸化還元電位を測定するこ� ��によりCe ⁴⁺ の減少量を求めることができるのである。

 Ce ⁴⁺ +e ^- →Ce ³⁺ の反応に可逆の酸化還元電位は以下のように 表される。
 E=E ⁰ +(RT/nF)ln[(Ce ⁴⁺ )/(Ce ³⁺ )]
 E=E ⁰ +0.059×log[(Ce ⁴⁺ )/(Ce ³⁺ )]
 全Ce濃度は初期に投入するCe量と供給したCe� ��から推算できる。E ⁰ は文献値又は[Ce ⁴⁺ ]=[Ce ³⁺ ]での酸化還元電位を実測することにより求� �られる。よってエッチング液の酸化還元電� �Eを実測すれば、Ce ³⁺ の生成量が求まり、Ce ⁴⁺ の減少量が求められるのである。

 さらにエッチング速度はエッチング液中のC e ⁴⁺ 濃度に対応し、その濃度が低下するとエッチ ング速度が遅くなる。そこでエッチング液中 のCe ⁴⁺ 濃度を一定の範囲にすることにより速度を一 定に維持できるから、エッチング速度を測定 し、その速度を一定にするようにCe ⁴⁺ を供給することによってもエッチング液の管 理が可能である。エッチングの速度の測定は 、エッチング処理する基板等に光を当て透過 光の量を測定することにより、エッチングに 要する時間を求めることができ、その値から エッチングの速度を求めることが可能である 。
 上記のエッチング液中のCe ⁴⁺ の減少量を求める手段は、1つの手段を単独� �行っても、2つ以上の手段を組み合わせて行� ��ことも可能である。

 酸化還元電位(OPR)測定は、簡便かつ連続的� �モニターすることが可能であり、また、精� �に優れた手段である。酸化還元滴定は、精� �に優れた手段である。電気伝導度(EC)測定は� ��簡便かつ連続的にモニターすることが可能� ��あり、分析数値の再現性の高い手段である� ��
 また、酸化還元滴定は、導電性高分子やそ� ��分解物などの有機物の影響を受けないため� ��ヨウ化カリウムを用いた酸化還元滴定であ� ��ことが好ましい。
 具体的には、エッチング液にヨウ化カリウ� ��を作用させ、遊離したヨウ素をチオ硫酸ナ� ��リウムによる還元滴定手法により、溶解し� ��四価のセリウムを定量することができる。
 また、前記分析工程において、酸化還元電� ��(OPR)測定と、電気伝導度(EC)測定とを併用し� ��分析することが好ましい。ORP測定が四価の� ��リウム(Ce ⁴⁺ )と三価のセリウム(Ce ³⁺ )との存在比に大きく影響を受けるのに対し� �EC測定では硝酸やそれ以外の分子種によって も大きな影響を受ける。よって、ORP測定とEC� ��定とを併用することにより、ECの変動がい� �もと違う動きをした場合や、ORPの変化とECの 変化とが大きく異なる変化を起こした場合、 何らかの異常(例えば、硝酸濃度が極端に低� �したなどが挙げられる。)が考えられ、より� ��定したエッチング液の管理が可能となる。

 また、前記分析工程においては、特に分析� ��象に制限はなく、エッチング液の種々の要� ��に関する分析や、導電性高分子や基板等の� ��エッチング物に関する分析を行ってもよい� ��とは言うまでもない。例えば、Ce ⁴⁺ 濃度の分析だけでなく、種々の点からエッチ ングに関する分析を行うことにより、より安 定したエッチング液の管理、また、より安定 したエッチング方法全体の管理が可能となる 。

(管理工程)
 本発明のエッチング方法は、前記分析工程� ��よって得られた結果に応じてエッチング工� ��を管理する管理工程を含む。
 前記管理工程においては、前記分析工程に� ��って得られたCe ⁴⁺ 濃度などの結果に応じて、様々な手段により 、エッチング工程の管理を行えばよい。前記 手段としては、特に制限はないが、下記に示 す(1)~(4)の手段のうち、少なくとも1つの手段� ��用いて管理することが好ましい。
 (1)特定のセリウム(IV)化合物を1種以上補充� �る手段
 (2)新しいエッチング液を補充する手段
 (3)エッチング液の一部又は全てを交換する� ��段
 (4)エッチング時間やエッチング温度を調節� ��る手段

 (1)特定のセリウム(IV)化合物を1種以上補充� �る手段としては、特定のセリウム(IV)化合物� ��エッチング液中へ固体として直接加える手� ��、及び/又は、Ce ³⁺ をCe ⁴⁺ に酸化する手段が例示できる。
 特定のセリウム(IV)化合物をエッチング液中 へ固体として直接加える場合には、エッチン グ液を撹拌できることが好ましい。
 特定のセリウム(IV)化合物としては、前述し た(NH ₄ ) ₂ Ce(NO ₃ ) ₆ 、Ce(SO ₄ ) ₂ 、Ce(NO ₃ ) ₄ 又は(NH ₄ ) ₄ Ce(SO ₄ ) ₄ が例示できる。この中でも、(NH ₄ ) ₂ Ce(NO ₃ ) ₆ (硝酸セリウムアンモニウム)を補充すること� ��好ましい。
 Ce ³⁺ をCe ⁴⁺ に酸化する手段としては、電気的に酸化する 手段や、酸化剤により酸化する手段が例示で きる。電気的に酸化する手段における電極や 、酸化剤により酸化する手段における酸化剤 は、公知のものを用いることができる。

 (2)新しいエッチング液を補充する手段とし� ��は、特定のセリウム(IV)化合物を含む溶液(� �充液)をエッチング液に加える手段が好まし� ��例示できる。
 特定のセリウム(IV)化合物を含む溶液をエッ チング液に加える手段における溶液は、特定 のセリウム(IV)化合物のみを含む溶液であっ� �も、特定のセリウム(IV)化合物だけでなく、� ��等の他の成分を含む溶液であってもよい。� ��た、特定のセリウム(IV)化合物のみを含む溶 液を添加する場合であっても、酸等の他の成 分を含む溶液を別途添加してもよいことは言 うまでもない。
 エッチング液の安定性の面からは、特定の� ��リウム(IV)化合物の加える方法や添加の有無 にかかわらず、安定剤の濃度を管理するのが 好ましい。管理する方法としては公知の方法 が利用できる。
 特定のセリウム(IV)化合物を含む溶液をエッ チング液に加える手段における特定のセリウ ム(IV)化合物を含む溶液の濃度は、特に制限� �ないが、エッチング装置における容積の点� �ら、導電性高分子をエッチングする前のエ� �チング液の濃度(初期濃度)と同じであるか、 又は、エッチング液の初期濃度よりも濃いこ とが好ましく、エッチング液の初期濃度より も濃いことがより好ましい。

 新しいエッチング液を補充する手段として� ��、硝酸セリウムアンモニウム溶液を補充液� ��して補充する手段であることが特に好まし� ��。
 また、エッチング液には、前記特定のセリ� ��ム(IV)化合物以外にも、エッチング液が含有 していてもよい他の成分を添加してもよい。
 例えば、エッチング液中の酸の濃度を一定� ��保つために酸、例えば、硝酸や硫酸、又は� ��その溶液を添加することも好ましい。
 また、エッチング液へ供給する際、各成分� ��混合した一液として供給することは必ずし� ��必要でなく、複数の溶液に分けて供給して� ��よい。また、エッチング液への供給方法に� ��に制限はなく、例えば、一時に添加しても� ��連続的に添加しても、間歇的に添加しても� ��い。

 (3)エッチング液の一部又は全てを交換する� ��合、前記分析工程によって得られた結果に� ��じ、エッチング液の一部をどの程度の量交� ��するか、又は、エッチング液の全てを交換� ��るか判断すればよい。また、エッチング液� ��交換時期も、前記分析工程によって得られ� ��結果に応じ、判断すればよい。
 エッチング液の全てを交換する場合、エッ� ��ングを行うエッチング槽の洗浄を行うこと� ��好ましい。洗浄方法としては、特に制限は� ��いが、水洗及び/又はエッチング液での共洗 いが好ましく例示できる。また、必要に応じ て、有機溶媒による洗浄や、エッチング槽に 塩が生成している場合は塩の除去などを行っ てもよい。
 このような交換操作や洗浄操作は、装置に� ��動化装置を組み込み自動で行ってもよく、� ��た、使用者自身が手動にて行ってもよい。

 (4)エッチング時間やエッチング温度を調節� ��る手段としては、前記分析工程によって得� ��れた結果に応じて、例えば、エッチング液� ��のCe ⁴⁺ 濃度が低い場合においては、通常よりエッチ ングを行う時間を長くする、及び/又は、エ� �チング温度を高くするといった対応や、Ce ⁴⁺ 濃度が高い場合においては、通常よりエッチ ングを行う時間を短くする、及び/又は、エ� �チング温度を低くするといった対応が例示� �きる。また、エッチング時間やエッチング� �度の調節は、エッチング液中のCe ⁴⁺ 濃度についてだけでなく、エッチング液の現 在の温度、Ce ³⁺ 濃度(全セリウム濃度)、エッチングした導電� ��高分子の量のようなエッチング液の含有物� ��量や物性を考慮して、行うこともできる。

 前記管理工程において、エッチング液中のC e ⁴⁺ 濃度は最適値にコントロールすることが好ま しいが、実際の管理操作では最適値を含むあ る濃度範囲内で行われる。通常、Ce ⁴⁺ 濃度の上限はエッチングが速すぎてエッチン グのコントロールができなくなる値であり、 下限値はエッチングが進まなくなる値で決め られるが、実際には、これに経済性を加味し て濃度範囲が決められることになる。

 また、前記管理工程においては、エッチ� ��グ液の特定のセリウム(IV)化合物の含有量が 前記エッチング工程にて記載した濃度範囲未 満、より好ましくは1.0%未満、さらに好まし� �は2.0%未満、特に好ましくは5.0%未満になった 場合、前記(1)又は(2)の手段を行うことが好ま しい。

 また、エッチング処理された基板に付着� ��て系外に持ち出されて排出されるエッチン� ��液相当量を、新たなエッチング液又はエッ� ��ング液の構成成分をエッチング液中に供給� ��、エッチング液の液量を一定に保つことに� ��り、さらに安定したエッチング処理が可能� ��なり好ましい。

 また、前記管理工程における管理は、エッ� ��ング液中のCe ⁴⁺ 濃度の管理だけではなく、エッチング液のCe ⁴⁺ 濃度以外の要素に関する管理や、導電性高分 子や基板等の被エッチング物に関する管理を 行ってもよいことは、言うまでもない。上記 に例示したCe ⁴⁺ 濃度の管理だけでなく、エッチング液の他の 成分(酸濃度、全セリウム量、導電性高分子� �分解物量など)についてもエッチングに関す� ��管理を行うことにより、より安定したエッ� ��ング液の管理、また、より安定したエッチ� ��グ方法全体の管理が可能となる。

 本発明のエッチング方法を実施するための� ��置としては、本発明のエッチング方法を行� ��ことが可能であれば特に制限はないが、エ� ��チング槽又はエッチング散布器を備えたエ� ��チング装置へエッチング液のCe ⁴⁺ 濃度を所定範囲に維持するためにエッチング 液を供給する装置を有しており、この供給装 置にはエッチング液中のCe ⁴⁺ 濃度の検知用装置が付設され、該供給装置は 、検知結果に基づいて操作されることよりな るエッチング液管理装置であることが好まし い。
 前記分析工程において各測定装置により得� ��れた結果をコンピューター等により管理し� ��前記管理工程を行ってもよく、また、前記� ��果を使用者に通知し、使用者自身が前記管� ��工程を行ってもよい。

 この管理装置に付設されるCe ⁴⁺ 濃度の検知用装置としては、検知手段に応じ て決められ、具体的には、酸化還元電位を測 定する装置、酸化還元滴定を行う装置、電気 伝導度を測定する装置などが挙げられる。こ のような酸化還元電位測定、酸化還元滴定、 電気伝導度測定を行う方法やその装置は、例 えば、「改訂五版 分析化学便覧」社団法人� ��本分析化学会編、2001年、丸善(株)発行など� ��照することができる。
 また、基板のエッチング速度を測定する装� ��も使用することができる。基板のエッチン� ��量検知用装置としては、エッチング処理し� ��基板数を検知する装置が挙げられる。

 本発明の導電性高分子を有する基板は、本� ��明のエッチング方法によりエッチングされ� ��導電性高分子を有する基板であり、本発明� ��エッチング方法によりエッチングされた導� ��性高分子を有する透明基板である場合に有� ��である。
 本発明のエッチング方法は、電解コンデン� ��ー、電池、タッチパネル、液晶パネル、電� ��ペーパー、有機ELを用いた照明、及び、有� �EL素子等に用いる導電性高分子のエッチング に適用することができる。
 したがって、高分子有機ELディスプレイに� �表されるディスプレイの表示画素部分の導� �性高分子及び周辺回路と導電性高分子との� �続部分のパターニング、タッチパネルの検� �部分の導電性高分子及び周辺回路と導電性� �分子との接続部分のパターニング、コンデ� �サー製造時に不要部分に付着した導電性高� �子の除去などといったエッチングの必要な� �途において導電性高分子の利用を促進する� �とが期待できる。
 また、本発明の導電性高分子を有する基板� ��、電解コンデンサー、電池、タッチパネル� ��液晶パネル、電子ペーパー、有機ELを用い� �照明、及び、有機EL素子等に好適に用いるこ とができる。