BESCHREIBUNG Die vorliegende Erfindung betrifft ein Filament mit strah- lungsemittierenden Halbleiterchips. Die Erfindung betrifft des Weiteren eine Leuchtvorrichtung mit einem solchen Filament . Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2016 109 665.2, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Heutzutage kommen für Beleuchtungsanwendungen zunehmend LED- Lampen (Light Emitting Diode) zum Einsatz, welche Leuchtdio ^¬ denchips aufweisen. Hierzu gehören sogenannte Retrofit- Lampen, welche herkömmlichen Glühlampen ähnlich sehen und so eingesetzt werden können wie herkömmliche Glühlampen. Eine Retrofit-Lampe kann mehrere LED-Filamente aufweisen. Hierbei handelt es sich um Bauelemente mit einer Mehrzahl an strah- lungsemittierenden Halbleiterchips. Die Halbleiterchips eines Filaments können auf einem gemeinsamen linearen Substrat angeordnet und elektrisch in Reihe verbunden sein. Auch können die Halbleiterchips von einer Konversionsschicht zur Strah- lungskonversion umschlossen sein. Zur elektrischen Kontaktie- rung kann das Filament zwei und an den entgegengesetzten Enden angeordnete Kontakte (Anode, Kathode) aufweisen. Die Leuchtwirkung des mit Halbleiterchips ausgestatteten Filaments kann vergleichbar sein zu derjenigen eines klassischen glühenden Filaments.

Die LED-Filamente von Retrofit-Lampen können zueinander seriell und/oder parallel geschaltet sein. Neben den Filamenten können die Retrofit-Lampen ferner eine Treiberschaltung auf- weisen, so dass ein Betrieb an einem Wechselstromnetz möglich ist. Mit Hilfe des Treibers kann die Netzspannung derart um ^¬ gewandelt werden, dass eine für den Betrieb der LED-Filamente geeignete Vorwärtsspannung bereitgestellt werden kann. Die Effizienz ist umso größer, je näher die bereitgestellte Vor ^¬ wärtsspannung an die Netzspannung angeglichen werden kann.

Bei Retrofit-Lampen besteht eine Anforderung darin, im

Leuchtbetrieb ein vorgegebenes Lumenpaket mit einer hinrei ^¬ chenden Genauigkeit bereitzustellen. In der Regel wird dem Lumenpaket eine höhere Priorität beigemessen als der Effizi ^¬ enz. Dies führt dazu, dass in Bezug auf die erreichte Span ^¬ nung und damit die Effizienz ein Kompromiss eingegangen wird.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein verbessertes Filament mit strahlungsemittierenden Halbleiterchips und eine entsprechende Leuchtvorrichtung anzugeben. Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Pa ^¬ tentansprüche gelöst. Weitere vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird ein Filament vorge- schlagen. Das Filament weist mehrere Stränge aus elektrisch in Reihe verbundenen strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf. Ferner weist das Filament mehrere Kontaktstrukturen zur elektrischen Kontaktierung der Stränge auf. Die Kontaktstrukturen sind mit Halbleiterchips an den Enden der Stränge elektrisch verbunden, so dass die Stränge über die Kontakt ^¬ strukturen elektrisch angesteuert werden können.

Die Ausgestaltung des Filaments mit den mehreren, d.h. wenigstens zwei Strängen aus seriell geschalteten Halbleiter- chips, wobei die Stränge über die Kontaktstrukturen

elektrisch kontaktiert werden können, bietet eine hohe Flexi ^¬ bilität in Bezug auf eine elektrische Verschaltung und An- steuerung des Filaments. Die Verschaltung des Filaments kann infolgedessen weitgehend unabhängig von einem vorgegebenen Lumenpaket optimiert sein, so dass eine effiziente Betriebs ^¬ weise möglich ist. Je nach Ausgestaltung des Filaments ist es zum Beispiel möglich, im Betrieb eine Vorwärtsspannung bereitzustellen, welche möglichst nahe an eine Netzspannung (beispielsweise mit einem Effektivwert von 230V, 110V oder 120V) angeglichen ist. Das vorgeschlagene Filament kann in einer als Retrofit-Lampe ausgebildeten Leuchtvorrichtung zur Anwendung kommen. Hierbei kann das Filament, gegebenenfalls mit weiteren sowie gegebenenfalls baugleich ausgeführten Filamenten, an einen Treiber angeschlossen sein.

Im Folgenden werden weitere mögliche Details und Ausführungs ^¬ formen näher beschrieben, welche für das Filament in Betracht kommen können.

In einer Ausführungsform sind die Strahlungsemittierenden Halbleiterchips der Stränge des Filaments entlang einer ge ^¬ meinsamen fiktiven Linie, zum Beispiel entlang einer geraden Linie, angeordnet. Diese Ausgestaltung kann bezogen sein auf eine Draufsicht auf das Filament. In gleicher Weise kann das Filament eine sich entlang einer fiktiven und zum Beispiel geraden Linie erstreckende Ausgestaltung besitzen. Die Kontaktstrukturen sind elektrisch leitfähig, und zum Beispiel aus einem metallischen Material ausgebildet. Des Weite ^¬ ren sind die Kontaktstrukturen zugänglich, so dass die Kontaktstrukturen elektrisch kontaktiert und damit die Stränge über die Kontaktstrukturen elektrisch angesteuert werden kön- nen. Das Filament kann derart ausgebildet sein, dass die

Stränge zumindest separat voneinander elektrisch angesteuert werden können. Je nach Ausgestaltung des Filaments können auch mehrere oder sämtliche Stränge des Filaments gemeinsam angesteuert werden. In diesem Zusammenhang können ferner fol- gende Ausgestaltungen in Betracht kommen.

In einer weiteren Ausführungsform weist das Filament mehrere Stränge aus Strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf, wel ^¬ che elektrisch in Reihe zu einer Reihenschaltung verbunden sind. Hierbei sind zwei Kontaktstrukturen mit Halbleiterchips an den Enden der Reihenschaltung elektrisch verbunden. Ferner ist wenigstens eine weitere Kontaktstruktur vorhanden, über welche zwei Stränge der Reihenschaltung elektrisch in Reihe verbunden sind. Die wenigstens eine weitere Kontaktstruktur kann als Zwischenabgriff dienen. Diese Ausgestaltung ermöglicht eine flexible elektrische Ansteuerung des Filaments. Hierbei kann wahlweise lediglich ein Strang, oder können meh- rere oder sämtliche Stränge des Filaments gemeinsam mit elektrischer Energie versorgt und dadurch betrieben werden.

In Bezug auf die vorgenannte Ausführungsform können des Wei ^¬ teren folgende Merkmale und Details zur Anwendung kommen. Das Filament kann mit zwei elektrisch in Reihe verbundenen Fila ^¬ menten verwirklicht sein, und infolgedessen lediglich eine weitere Kontaktstruktur aufweisen, über welche die zwei

Stränge elektrisch in Reihe verbunden sind. Die zwei Stränge können benachbarte bzw. gegenüberliegende Enden aufweisen, und die weitere Kontaktstruktur kann mit Halbleiterchips an diesen Enden elektrisch verbunden sein. Das Filament kann auch mit einer größeren Anzahl an seriell verbundenen Strängen und insofern mit einer entsprechend größeren Anzahl an weiteren Kontaktstrukturen verwirklicht sein. Hierbei können jeweils zwei benachbarte Stränge über eine weitere Kontakt ^¬ struktur elektrisch in Reihe verbunden sein. Die betreffenden zwei Stränge können jeweils benachbarte bzw. gegenüberliegen ^¬ de Enden aufweisen, und die dazugehörige weitere Kontakt ^¬ struktur kann mit Halbleiterchips an diesen Enden elektrisch verbunden sein.

In einer weiteren Ausführungsform weist das Filament mehrere Stränge aus Strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf, wel ^¬ che elektrisch getrennt sind. Bei jedem der getrennten Strän- ge sind zwei Kontaktstrukturen mit Halbleiterchips an den En ^¬ den des betreffenden Strangs elektrisch verbunden. Auch diese Ausgestaltung ermöglicht eine flexible elektrische Ansteue ^¬ rung des Filaments. Hierbei kann wahlweise lediglich ein Strang, oder können mehrere oder sämtliche Strenge des Fila- ments zusammen, allerdings separat voneinander mit elektrischer Energie versorgt und dadurch betrieben werden. In Bezug auf die vorgenannte Ausführungsform sind ferner fol ^¬ gende Ausgestaltungen denkbar. Das Filament kann mit zwei o- der einer größeren Anzahl an elektrisch getrennten und damit unabhängigen Strängen verwirklicht sein. Die zwei Stränge bzw. jeweils zwei benachbarte Stränge können gegenüberliegen ^¬ de Enden aufweisen. Die an diesen Stellen befindlichen Halbleiterchips können an jeweils eigene Kontaktstrukturen ange ^¬ schlossen sein. Hierbei können zwei Kontaktstrukturen, welche mit Halbleiterchips von gegenüberliegenden Enden zweier be- nachbarter Stränge elektrisch verbunden sind, einen geteilten Abgriff bilden.

In einer weiteren Ausführungsform sind wenigstens zwei Kontaktstrukturen an den entgegengesetzten Enden des Filaments zugänglich und dadurch kontaktierbar . Für den Fall, dass sämtliche Stränge des Filaments zu einer Reihenschaltung ver ^¬ bunden sind, können zwei und an den Enden des Filaments zu ^¬ gängliche Kontaktstrukturen ferner mit Halbleiterchips an den Enden der Reihenschaltung verbunden sein und dadurch als pri- märe Kontaktstrukturen dienen, mit deren Hilfe sämtliche

Stränge in gemeinsamer Weise elektrisch angesteuert werden können .

In einer weiteren Ausführungsform ist in einem Bereich zwi- sehen den entgegengesetzten Enden des Filaments wenigstens eine Kontaktstruktur zugänglich. Bei einer Ausgestaltung des Filaments mit in Reihe geschalteten Strängen können über eine solche Kontaktstruktur zwei benachbarte Stränge elektrisch verbunden sein. Hierbei kann die Kontaktstruktur in einem Be- reich zwischen den zwei benachbarten Strängen zugänglich sein, und als Zwischenabgriff dienen. Bei einer Ausgestaltung des Filaments mit elektrisch getrennten Strängen kann es vorgesehen sein, dass in einem Bereich zwischen zwei benachbarten Strängen zwei Kontaktstrukturen zugänglich sind. Die zwei Kontaktstrukturen können mit Halbleiterchips an den Enden der benachbarten Stränge elektrisch verbunden sein, und als geteilter Abgriff dienen. In einer weiteren Ausführungsform sind an einem Ende des Filaments zwei Kontaktstrukturen zugänglich, welche mit Halbleiterchips an den Enden eines Strangs elektrisch verbunden sind. In dieser Ausgestaltung kann der betreffende Strang mit Hilfe der an demselben Ende des Filaments zugänglichen Kontaktstrukturen elektrisch kontaktiert und angesteuert werden. An diesem Ende des Filaments kann gegebenenfalls noch wenigs ^¬ tens eine weitere und mit einem Halbleiterchip an einem Ende eines anderen Strangs elektrisch verbundene Kontaktstruktur vorhanden sein. Auf der Grundlage der vorgenannten Ausführungsform kann eine Ausgestaltung des Filaments verwirklicht sein, in welcher sämtliche Kontaktstrukturen des Filaments lediglich an dessen Enden zugänglich sind. Auf diese Weise kann das Filament einen homogenen und symmetrischen Aufbau besitzen.

Bei den Strahlungsemittierenden Halbleiterchips des Filaments kann es sich um Leuchtdiodenchips (LED-Chips, Light Emitting Diode) handeln, so dass das Filament ein LED-Filament ist. Weiter kann das Filament mit einem Konversionsmaterial zur Strahlungskonversion ausgebildet sein. Auf diese Weise kann eine von den Halbleiterchips erzeugte Strahlung wenigstens teilweise konvertiert werden, und kann das Filament eine aus konvertierten und nicht konvertierten Strahlungsanteilen zu- sammengesetzte Lichtstrahlung, zum Beispiel eine weiße Licht ^¬ strahlung, emittieren. In diesem Zusammenhang können ferner folgende Ausgestaltungen in Betracht kommen.

In einer weiteren Ausführungsform sind die Halbleiterchips der Stränge mit einer Konversionsschicht zur Strahlungskon ^¬ version bedeckt. Die Konversionsschicht, welche aus einem o- der mehreren Konversionsmaterialien ausgebildet sein kann, kann sämtliche Halbleiterchips umschließen. In einer weiteren Ausführungsform ragen wenigstens zwei Kontaktstrukturen an den Enden des Filaments aus der Konversionsschicht heraus. Hierdurch sind die Kontaktstrukturen an diesen Stellen zugänglich und dadurch kontaktierbar . Sofern sämtliche Stränge des Filaments zu einer Reihenschaltung ver ^¬ bunden sind, können zwei und an den Enden des Filaments aus der Konversionsschicht herausragend Kontaktstrukturen als primäre Kontaktstrukturen dienen, mit deren Hilfe sämtliche Stränge gemeinsam elektrisch betrieben werden können.

In einer weiteren Ausführungsform ragt wenigstens eine Kontaktstruktur seitlich aus der Konversionsschicht heraus, so dass die betreffende Kontaktstruktur zugänglich und kontak- tierbar ist. Bei einer Ausgestaltung des Filaments mit in

Reihe geschalteten Strängen können über eine solche Kontaktstruktur zwei benachbarte Stränge elektrisch verbunden sein, und kann die Kontaktstruktur als Zwischenabgriff dienen. Bei einer Ausgestaltung des Filaments mit elektrisch getrennten Strängen kann das Filament zwei seitlich aus der Konversions ^¬ schicht herausragende Kontaktstrukturen aufweisen, welche mit Halbleiterchips an den Enden zweier benachbarter Stränge elektrisch verbunden sind und daher als geteilter Abgriff dienen .

In einer weiteren Ausführungsform sind die Halbleiterchips der Stränge jeweils mit einem separaten und einem Strang zugeordneten Schichtabschnitt der Konversionsschicht bedeckt. In einem Zwischenbereich von zwei benachbarten Schichtab- schnitten der Konversionsschicht ist wenigstens eine Kontakt ^¬ struktur zugänglich. Bei einer Ausgestaltung des Filaments mit zwei Strängen weist das Filament zwei Schichtabschnitte, und bei einer Ausgestaltung mit einer größeren Anzahl an Strängen weist das Filament eine entsprechende Anzahl an Schichtabschnitten der Konversionsschicht auf. Sofern die

Stränge in Reihe geschaltet sind, können über eine in einem Zwischenbereich der Konversionsschicht zugängliche Kontakt ^¬ struktur zwei benachbarte Stränge elektrisch verbunden sein, und kann die betreffende Kontaktstruktur als Zwischenabgriff dienen. Bei einer Ausgestaltung des Filaments mit elektrisch getrennten Strängen können in einem Zwischenbereich von zwei benachbarten Schichtabschnitten der Konversionsschicht zwei Kontaktstrukturen zugänglich sein. Diese zwei Kontaktstruktu- ren können mit Halbleiterchips an den Enden zweier benachbarter Stränge elektrisch verbunden sein und damit als geteilter Abgriff dienen. In einer weiteren Ausführungsform weist das Filament einen Träger auf, auf welchem die Halbleiterchips und die Kontakt ^¬ strukturen angeordnet sind. Der Träger kann aus einem strahlungsdurchlässigen Material, zum Beispiel Saphir oder einem Glasmaterial, ausgebildet sein. Möglich ist auch eine nicht transparente Ausgestaltung des Trägers aus zum Beispiel einem keramischen Material. Des Weiteren kann der Träger eine lineare, also eine sich entlang einer fiktiven, zum Beispiel geraden Linie erstreckende Form aufweisen. Diese Ausgestaltung kann bezogen sein auf eine Draufsicht auf das Filament. Die auf dem Träger angeordneten Kontaktstrukturen können in Form von flächigen Kontaktstrukturen bzw. Kontaktflächen verwirklicht sein.

Die strahlungsemittierenden Halbleiterchips des Filaments können Kontakte aufweisen, über welche die Halbleiterchips kontaktiert und mit elektrischer Energie versorgt werden kön ^¬ nen. Bei jedem Halbleiterchip können die Kontakte auf derselben Chipseite angeordnet sein. In diesem Zusammenhang können ferner folgende Ausgestaltungen in Betracht kommen.

In einer weiteren Ausführungsform weisen die strahlungsemittierenden Halbleiterchips vorderseitige Kontakte auf. Hierbei können die Halbleiterchips auf einem Träger angeordnet sein, und in den Strängen mit Hilfe von Bonddrähten untereinander elektrisch in Reihe verbunden sein. Auch die an den Enden der Stränge befindlichen Halbleiterchips können über Bonddrähte an die dazugehörigen Kontaktstrukturen angeschlossen sein.

In einer weiteren Ausführungsform weisen die strahlungsemit- tierenden Halbleiterchips rückseitige Kontakte auf. Hierbei kann das Filament einen Träger aufweisen, welcher zusätzlich zu den zur elektrischen Kontaktierung und Ansteuerung der Stränge vorgesehenen Kontaktstrukturen weitere Kontaktstruk- turen aufweisen kann, über welche die Halbleiterchips in den Strängen untereinander elektrisch in Reihe verbunden sein können. Über die Rückseitenkontakte können die Halbleiterchips mit den Kontaktstrukturen und den weiteren Kontakt- strukturen elektrisch und mechanisch verbunden sein. An diesen Stellen kann die Verbindung über ein elektrisch leitfähiges Verbindungsmittel wie zum Beispiel ein Lotmittel oder ein elektrisch leitfähiger Klebstoff hergestellt sein. In einer weiteren Ausführungsform, welche ebenfalls bei einer Verwendung von Halbleiterchips mit Kontakten auf einer Chipseite in Betracht kommen kann, sind die Halbleiterchips der Stränge abwechselnd seitenverkehrt zueinander angeordnet. Dies bezieht sich auf Vorder- und Rückseiten der Halbleiter- chips. Hierbei können die Halbleiterchips oder kann zumindest ein Teil der Halbleiterchips über deren Kontakte elektrisch und mechanisch miteinander verbunden sein. An diesen Stellen kann die Verbindung über ein elektrisch leitfähiges Verbindungsmittel wie zum Beispiel ein Lotmittel oder ein

elektrisch leitfähiger Klebstoff hergestellt sein.

Ein Filament mit abwechselnd seitenverkehrt angeordneten Halbleiterchips kann zum Beispiel elektrisch in Reihe verbun ^¬ dene Stränge aufweisen. Hierbei können zwei benachbarte

Stränge (jeweils) über eine Kontaktstruktur verbunden sein, indem Kontakte von Halbleiterchips an den Enden der benachbarten Stränge an die Kontaktstruktur angeschlossen sind. An einer solchen Stelle kann die Verbindung über ein elektrisch leitfähiges Verbindungsmittel hergestellt sein. Gegebenen- falls kann zwischen einem an eine Kontaktstruktur angeschlossenen Halbleiterchip und einem weiteren Halbleiterchip desselben Strangs ein zusätzliches elektrisch leitfähiges bzw. metallisches Ausgleichselement angeordnet sein, mit welchem die beiden Halbleiterchips verbunden sind. Hierdurch kann ein an dieser Stelle aufgrund der Kontaktstruktur gegebenenfalls vorliegender vergrößerter Abstand ausgeglichen werden. Bei einer Ausgestaltung des Filaments mit elektrisch getrennten Strängen aus abwechselnd seitenverkehrt angeordneten Halbleiterchips können Kontaktstrukturen, an welche Halb ^¬ leiterchips von den Enden zweier verschiedener benachbarter Stränge angeschlossen sind, mechanisch miteinander verbunden sein, zum Beispiel über ein die Kontaktstrukturen verbindendes isolierendes Verbindungselement. Möglich ist es auch, dass die elektrisch getrennten Stränge über eine Konversions ^¬ schicht mechanisch verbunden sind.

In einer weiteren Ausführungsform weist das Filament einen Träger auf, welcher die Halbleiterchips seitlich umgibt. Ein solcher Träger kann durch Umformen der Halbleiterchips hergestellt und aus einem reflektierenden Material ausgebildet sein. Das reflektierende Material kann zum Beispiel ein

Kunststoffmaterial mit darin eingebetteten reflektierenden Partikeln sein. Auf dem Träger können Kontaktstrukturen, zum Beispiel an den Enden des Filaments zugängliche Kontaktstruk ^¬ turen, angeordnet sein. Möglich ist es ferner, dass wenigs- tens eine Kontaktstruktur von dem Träger zumindest teilweise seitlich umgeben ist. Dies kann zum Beispiel in Bezug auf ei ^¬ ne als Zwischenabgriff dienende Kontaktstruktur in Betracht kommen. Des Weiteren können Bonddrähte zum Einsatz kommen, über welche die Halbleiterchips in den Strängen untereinander elektrisch in Reihe verbunden und die an den Enden der Stränge befindlichen Halbleiterchips an die dazugehörigen Kontakt ^¬ strukturen angeschlossen sein können.

Die Stränge des Filaments weisen mehrere, d.h. wenigstens zwei elektrisch in Reihe verbundene Halbleiterchips auf. In einer weiteren Ausführungsform weisen die Stränge des Filaments unterschiedliche Anzahlen an Halbleiterchips auf. Mit Hilfe dieser Ausführungsform kann, bei Anwendung eines geeigneten Treiberkonzepts, eine effiziente Betriebsweise begüns- tigt werden. Durch die unterschiedlichen Anzahlen an Halbleiterchips in den Strängen können die Stränge derart ange ^¬ steuert werden, dass eine bereitgestellte Vorwärtsspannung möglichst nahe an eine Netzspannung angeglichen ist. Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird eine Leucht ^¬ vorrichtung mit einem Filament vorgeschlagen. Das Filament weist den oben beschriebenen Aufbau bzw. einen Aufbau gemäß einer oder mehrerer der oben beschriebenen Ausführungsformen auf. Aufgrund der Ausgestaltung des Filaments mit den mehre ^¬ ren Strängen aus elektrisch in Reihe verbundenen Strahlungsemittierenden Halbleiterchips, wobei die Stränge über Kontakt ^¬ strukturen elektrisch kontaktierbar und ansteuerbar sind, kann das Filament derart in der Leuchtvorrichtung verschaltet sein, dass das Filament mit einer hohen Effizienz betrieben werden kann.

In einer Ausführungsform ist die Leuchtvorrichtung eine Ret- rofit-Lampe. In dieser Ausgestaltung kann die Leuchtvorrichtung einen Kolben aufweisen, innerhalb welchem das Filament angeordnet ist. Ein weiterer möglicher Bestandteil ist ein mit einem Schraubgewinde ausgebildeter Lampensockel zur elektrischen Kontaktierung der Leuchtvorrichtung.

Die Leuchtvorrichtung weist gemäß einer weiteren Ausführungsform einen mit dem Filament verbundenen Treiber auf, mit dessen Hilfe eine Netzspannung (Wechselspannung bzw. Netzwechselspannung) in eine für den Betrieb der Stränge des Fila- ments geeignete Vorwärtsspannung umgewandelt werden kann. Der Treiber ist dazu ausgebildet, die Stränge des Filaments der ^¬ art anzusteuern und somit derart mit elektrischer Energie zu versorgen, dass die Vorwärtsspannung an die Netzspannung angeglichen ist. Wie oben angegeben wurde, ist es aufgrund des Aufbaus des Filaments möglich, die Vorwärtsspannung nahe an die Netzspannung angepasst bereitzustellen. Auf diese Weise kann eine effiziente Betriebsweise der Leuchtvorrichtung er ^¬ zielt werden, und können Verluste im Betrieb der Leuchtvorrichtung klein gehalten werden.

Im Hinblick auf die Anpassung der Vorwärtsspannung an die Netzspannung kann der Treiber zum wahlweisen Ansteuern von einzelnen, mehreren oder sämtlichen Strängen des Filaments ausgebildet sein. Auf diese Weise kann die zum Betreiben des Filaments bereitgestellte und an das Filament bzw. an dessen Stränge angelegte Vorwärtsspannung einen stufenförmigen Verlauf aufweisen. Hierbei können mit Hilfe des Treibers jeweils mit ansteigender Größe der Netzspannung (Spannungsbetrag) zu ^¬ nehmend mehr Halbleiterchips des Filaments elektrisch betrie ^¬ ben werden. Im Bereich der maximalen Größe (Scheitelwert) der Netzspannung können jeweils sämtliche Stränge und damit sämt ^¬ liche Halbleiterchips des Filaments elektrisch betrieben wer- den. In entsprechender Weise können jeweils mit abnehmender Größe der Netzspannung zunehmend weniger Halbleiterchips des Filaments elektrisch betrieben werden. Im Bereich der Nulldurchgänge der Netzspannung können sämtliche Stränge und da ^¬ mit sämtliche Halbleiterchips des Filaments nicht betrieben werden.

Im Hinblick auf eine Ausgestaltung der Leuchtvorrichtung mit einem Treiber können ferner folgende Ausführungsformen zur Anwendung kommen.

In einer weiteren Ausführungsform weist die Leuchtvorrichtung einen mehrstufigen Treiber zum Ansteuern der Stränge des Filaments auf. In Bezug auf diese Ausführungsform kann eine Ausgestaltung des Filaments mit elektrisch in Reihe verbunde- nen Strängen zur Anwendung kommen. Der mehrstufige Treiber ermöglicht eine Ansteuerung der Stränge derart, dass eine be ^¬ reitgestellte Vorwärtsspannung möglichst nahe an eine Netz ^¬ spannung angeglichen ist. In einer weiteren Ausführungsform sind die Stränge des Filaments in separaten Schaltkreisen verschaltet. In Bezug auf diese Ausführungsform kann eine Ausgestaltung des Filaments mit elektrisch getrennten Strängen zur Anwendung kommen. Zur Ansteuerung der Stränge kann die Leuchtvorrichtung den ein- zelnen Strängen zugeordnete und mit diesen verbundene Trei ^¬ bereinheiten aufweisen. Die Treibereinheiten können in einem gemeinsamen Treiber zusammengefasst sein. Der gemeinsame Treiber ermöglicht ebenfalls eine Ansteuerung der Stränge derart, dass eine bereitgestellte Vorwärtsspannung möglichst nahe an eine Netzspannung angeglichen ist.

Die Leuchtvorrichtung kann ferner mit mehreren Filamenten des oben beschriebenen Aufbaus ausgebildet sein. Die Filamente können baugleich ausgeführt sein. Auch können die Filamente seriell und/oder parallel verschaltet sein. Aufgrund des Auf ^¬ baus der Filamente bestehen große Freiheiten für unterschied ^¬ liche Serien- und/oder Parallelschaltungen. Hierbei kann die Verschaltung weitestgehend unabhängig von einem vorgegebenen Lumenpaket optimiert sein.

Die vorstehend erläuterten und/oder in den Unteransprüchen wiedergegebenen vorteilhaften Aus- und Weiterbildungen der Erfindung können - außer zum Beispiel in Fällen eindeutiger

Abhängigkeiten oder unvereinbarer Alternativen - einzeln oder aber auch in beliebiger Kombination miteinander zur Anwendung kommen . Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung, sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich in Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen, die im Zusammenhang mit den schematischen Zeichnun- gen näher erläutert werden. Es zeigen:

Figuren 1 und 2 eine seitliche Darstellung und eine Auf ^¬ sichtsdarstellung eines Filaments, welches zwei in Reihe ge ^¬ schaltete Stränge aus Halbleiterchips, eine Konversions- schicht und eine zwischen den Strängen zugängliche Kontakt ^¬ struktur aufweist;

Figuren 3 und 4 eine seitliche Darstellung und eine Auf ^¬ sichtsdarstellung eines weiteren Filaments, welches einen Träger mit hierauf angeordneten Halbleiterchips mit vorder ^¬ seitigen Kontakten aufweist; Figuren 5 und 6 eine seitliche Darstellung und eine Auf ^¬ sichtsdarstellung eines weiteren Filaments, welches eine seitlich aus einer Konversionsschicht herausragende Kontakt ^¬ struktur aufweist;

Figuren 7 bis 9 eine seitliche Darstellung und AufSichtsdarstellungen eines weiteren Filaments, welches eine sich bis zu einem Ende des Filaments erstreckende Kontaktstruktur auf ^¬ weist;

Figuren 10 und 11 eine seitliche Darstellung und eine Auf ^¬ sichtsdarstellung eines weiteren Filaments, welches

elektrisch getrennte Stränge aus Halbleiterchips aufweist; Figuren 12 und 13 eine seitliche Darstellung und eine Auf ^¬ sichtsdarstellung eines weiteren Filaments, welches drei in Reihe geschaltete Stränge aus Halbleiterchips aufweist;

Figuren 14 und 15 eine seitliche Darstellung und eine Auf- Sichtsdarstellung eines weiteren Filaments, welches zwei in Reihe geschaltete Stränge aus Halbleiterchips mit rückseiti ^¬ gen Kontakten aufweist;

Figuren 16 und 17 eine seitliche Darstellung und eine Auf- Sichtsdarstellung eines weiteren Filaments, welches eine seitlich aus einer Konversionsschicht herausragende Kontakt ^¬ struktur aufweist;

Figuren 18 und 19 eine seitliche Darstellung und eine Auf- Sichtsdarstellung eines weiteren Filaments, welches Stränge aus abwechselnd seitenverkehrt zueinander angeordneten Halb ^¬ leiterchips aufweist;

Figuren 20 und 21 eine seitliche Darstellung und eine Auf- Sichtsdarstellung eines weiteren Filaments mit abwechselnd seitenverkehrt zueinander angeordneten Halbleiterchips und einer seitlich aus einer Konversionsschicht herausragenden Kontaktstruktur; Figuren 22 bis 24 eine seitliche Darstellung und Aufsichts ^¬ darstellungen eines weiteren Filaments mit einem Halbleiterchips seitlich umgebenden Träger;

Figuren 25 bis 27 eine seitliche Darstellung und Aufsichts ^¬ darstellungen eines weiteren Filaments mit einem Halbleiterchips seitlich umgebenden Träger und einer seitlich aus einer Konversionsschicht herausragenden Kontaktstruktur;

Figur 28 eine Retrofit-Lampe mit einem Filament;

Figur 29 eine Verschaltung von Strängen eines Filaments mit separaten Treibereinheiten;

Figur 30 eine Verschaltung von Strängen eines Filaments mit einem mehrstufigen Treiber;

Figur 31 ein Diagramm mit Spannungsverläufen; und

Figur 32 einen vergrößerten Ausschnitt des Diagramms von Figur 31 mit einer zusätzlichen Darstellung einer Ansteuerung von Strängen eines Filaments. Anhand der folgenden schematischen Figuren werden mögliche

Ausgestaltungen eines zur Emission von Lichtstrahlung ausgebildeten Filaments 100 beschrieben. Die Filamente 100, welche in einer Leuchtvorrichtung in Form einer Retrofit-Lampe 200 eingesetzt werden können, weisen einen solchen Aufbau auf, dass eine hohe Flexibilität in Bezug auf unterschiedliche elektrische Verschaltungen und Betriebsweisen möglich sind.

Es wird darauf hingewiesen, dass die Figuren lediglich sche- matischer Natur sind und nicht maßstabsgetreu sind. In diesem Sinne können in den Figuren gezeigte Komponenten und Strukturen zum besseren Verständnis übertrieben groß oder verkleinert dargestellt sein. Auch können die Filamente 100 mit an ^¬ deren Anzahlen an gezeigten Komponenten wie zum Beispiel Halbleiterchips 120 verwirklicht sein. In gleicher Weise kön ^¬ nen die Filamente 100 neben gezeigten und beschriebenen Komponenten weitere Komponenten und Strukturen aufweisen. Figur 1 zeigt eine seitliche Darstellung, und Figur 2 zeigt eine AufSichtsdarstellung eines lichtemittierenden Filaments 100. Der hier gezeigte Aufbau kann als Grundprinzip aufge- fasst werden, auf welchem die anhand der nachfolgenden Figuren beschriebenen Ausgestaltungen eines Filaments 100 basie- ren und von welchem diese Ausgestaltungen abgeleitet werden können. Das Filament 100 weist zwei Stränge 111, 112 aus elektrisch in Reihe verbundenen Strahlungsemittierenden Halbleiterchips 120 auf. Die beiden Stränge 111, 112 umfassen un ^¬ terschiedliche Anzahlen an Halbleiterchips 120. Ferner sind die Stränge 111, 112 selbst elektrisch in Reihe zu einer Rei ^¬ henschaltung verbunden. Sämtlich Halbleiterchips 120 des Filaments 100 sind entlang einer gemeinsamen geraden Linie, in Draufsicht auf das Filament 100 gesehen, angeordnet. Das Filament 100 weist des Weiteren eine die Halbleiterchips 120 bedeckende Konversionsschicht 160 zur Strahlungskonversi ^¬ on auf. Vorliegend ist die Konversionsschicht 160 in zwei se ^¬ parate und den einzelnen Strängen 111, 112 zugeordnete

Schichtabschnitte unterteilt, von welchen die Halbleiterchips 120 umschlossen sind. Die aufgrund der umhüllenden Konversi ^¬ onsschicht 160 nicht sichtbaren Halbleiterchips 120 sind in den Figuren 1, 2 gestrichelt angedeutet.

Bei den Halbleiterchips 120 kann es sich um Leuchtdiodenchips handeln. Mit Hilfe der Konversionsschicht 160 kann eine im Betrieb von den Halbleiterchips 120 erzeugte primäre Licht ^¬ strahlung wenigstens teilweise in eine oder mehrere sekundäre Lichtstrahlungen umgewandelt werden. Auf diese Weise kann das Filament eine Lichtstrahlung abgeben, welche primäre und se- kundäre, also nichtkonvertierte und konvertierte Strahlungs ^¬ anteile, umfassen kann. Es ist zum Beispiel möglich, dass die primäre Lichtstrahlung eine blaue Lichtstrahlung ist, welche mit Hilfe der Konversionsschicht 160 in eine gelbe Licht- Strahlung umgesetzt wird, so dass durch eine Überlagerung dieser Lichtstrahlungen eine weiße Lichtstrahlung von dem Filament 100 abgegeben werden kann. Möglich ist auch zum Beispiel eine teilweise Umwandlung der blauen Lichtstrahlung in eine rote Lichtstrahlung und in eine grüne oder gelbgrüne

Lichtstrahlung, so dass durch eine Überlagerung ebenfalls eine weiße Lichtstrahlung erzeugt werden kann.

Zur elektrischen Kontaktierung und Ansteuerung weist das in den Figuren 1, 2 gezeigte Filament 100 drei Kontaktstrukturen 131, 132, 133 auf. Die Kontaktstrukturen 131, 132, 133, wel ^¬ che aus einem elektrisch leitfähigen bzw. metallischen Material ausgebildet sind, sind mit Halbleiterchips 120 von den entgegengesetzten Enden der beiden Stränge 111, 112

elektrisch verbunden.

Von den drei Kontaktstrukturen sind zwei Kontaktstrukturen 131, 132 mit Halbleiterchips 120 an den Enden der Reihen ^¬ schaltung aus den beiden Strängen 111, 112 elektrisch verbun- den. Die zwei Kontaktstrukturen 131, 132 befinden sich an den entgegengesetzten Enden des Filaments 100 und sind an diesen Stellen zugänglich. Eine weitere Kontaktstruktur 133 ist in einem Bereich zwischen den Enden des Filaments 100, und zwar zwischen den Strängen 111, 112 in einem Zwischenbereich zwi- sehen den separaten Schichtabschnitten der Konversionsschicht 160 zugänglich. Die Kontaktstruktur 133 ist mit Halbleiterchips 120 von den sich gegenüberliegenden Enden der beiden Stränge 111, 112 elektrisch verbunden, so dass die Stränge 111, 112 über die Kontaktstruktur 133 elektrisch in Reihe ge- schaltet sind.

Der Aufbau des Filaments 100 ermöglicht eine hohe Flexibili ^¬ tät in Bezug auf eine elektrische Verschaltung und Ansteue ^¬ rung. Die beiden endseitigen Kontaktstrukturen 131, 132 kön- nen als primäre Kontaktstrukturen genutzt werden, mit deren Hilfe die beiden Stränge 111, 112 gemeinsam mit elektrischer Energie versorgt werden können. Die weitere Kontaktstruktur 133 kann als Zwischenabgriff genutzt werden, um wahlweise le- diglich einen der Stränge 111, 112 zu betreiben. Hierbei kann der Strang 111 mit Hilfe der Kontaktstrukturen 131, 133, und kann der andere Strang 112 mit Hilfe der Kontaktstrukturen 132, 133 elektrisch angesteuert werden.

Im Folgenden werden weitere mögliche Ausgestaltungen und Varianten beschrieben, welche für ein lichtemittierendes Fila ^¬ ment 100 in Betracht kommen können. Übereinstimmende Merkmale und Vorteile sowie gleiche und gleich wirkende Komponenten werden im Folgenden nicht erneut detailliert beschrieben. Für Details hierzu wird stattdessen auf die vorstehende Beschrei ^¬ bung Bezug genommen. Des Weiteren können Aspekte und Details, welche in Bezug auf eine Ausgestaltung eines Filaments 100 genannt werden, auch in Bezug auf eine andere Ausgestaltung zur Anwendung kommen und können Merkmale von zwei oder mehreren Ausgestaltungen miteinander kombiniert werden.

Die Figuren 3, 4 zeigen eine seitliche Schnittdarstellung und eine AufSichtsdarstellung eines weiteren Filaments 100 mit zwei elektrisch in Reihe verbundenen Strängen 111, 112 aus

Strahlungsemittierenden Halbleiterchips 120 und drei Kontakt ^¬ strukturen 131, 132, 133, welche mit Halbleiterchips 120 an den Enden der Stränge 111, 112 elektrisch verbunden sind. Die zwei Kontaktstrukturen 131, 132, welche als primäre Kontakt- strukturen genutzt werden können, sind mit Halbleiterchips

120 an den Enden der Reihenschaltung aus den beiden Strängen 111, 112 elektrisch verbunden. An die Kontaktstruktur 133, welche als Zwischenabgriff genutzt werden kann, sind Halbleiterchips 120 von gegenüberliegenden Enden der Stränge 111, 112 angeschlossen, so dass die Stränge 111, 112 über die Kontaktstruktur 133 in Reihe verbunden sind.

Das in den Figuren 3, 4 gezeigte Filament 100 weist ferner einen linearen Träger 150 auf, auf welchem die Halbleiter- chips 120 und die Kontaktstrukturen 131, 132, 133 angeordnet sind. Der Träger 150 kann aus einem transparenten Material wie zum Beispiel Saphir oder einem Glasmaterial ausgebildet sein. Denkbar ist auch eine nicht transparente Ausgestaltung des Trägers 150 aus zum Beispiel einem keramischen Material. Die auf dem Träger 150 angeordneten Kontaktstrukturen 131, 132, 133 können, wie in den Figuren 3, 4 angedeutet ist, in Form von Kontaktflächen verwirklicht sein.

In Figur 3 ist eine mögliche Ausgestaltung der Halbleiterchips 120 mit jeweils zwei vorderseitigen Kontakten 121 ange ^¬ deutet, an welche Bonddrähte 170 angeschlossen sind. Mit Hil ^¬ fe der Bonddrähte 170 sind die Halbleiterchips 120 in den Strängen 111, 112 untereinander elektrisch in Reihe verbunden. In gleicher Weise sind die sich an den Enden der Stränge 111, 112 befindenden Halbleiterchips 120 über Bonddrähte 170 mit den dazugehörigen Kontaktstrukturen 131, 132, 133

elektrisch verbunden. Die Halbleiterchips 120 können zum Bei- spiel mit Hilfe eines nicht dargestellten Klebstoffs auf dem Träger 150 befestigt sein.

Das in den Figuren 3, 4 gezeigte Filament 100 weist des Wei ^¬ teren eine Konversionsschicht 160 auf, welche in zwei und den Strängen 111, 112 zugeordnete Schichtabschnitte unterteilt ist. Hierbei sind der Träger 150 im Bereich der Halbleiterchips 120 und die auf dem Träger 150 angeordneten Halbleiterchips 120 nebst Bonddrähten 170 von der Konversionsschicht 160 umschlossen. Die Kontaktstrukturen 131, 132, 133 sind le- diglich teilweise mit der Konversionsschicht 160 bedeckt und ragen im Falle der Kontaktstrukturen 131, 132 zusammen mit dem Träger 150 an den Enden des Filaments 100 aus der Konversionsschicht 160 heraus, so dass die Kontaktstrukturen 131, 132, 133 für eine Kontaktierung zugänglich sind.

Die Figuren 5, 6 zeigen eine seitliche Schnittdarstellung und eine AufSichtsdarstellung eines weiteren Filaments 100 mit einem gegenüber den Figuren 3, 4 leicht abgewandelten Aufbau. Auch dieses Filament 100 weist zwei elektrisch in Reihe ver- bundene Stränge 111, 112 aus Strahlungsemittierenden Halbleiterchips 120 mit Vorderseitenkontakten 121 und einen Träger 150 mit drei Kontaktstrukturen 131, 132, 133 auf. Ein weiterer Bestandteil ist eine Konversionsschicht 160, welche den Träger 150 im Bereich der Halbleiterchips 120 und die auf dem Träger 150 angeordneten Halbleiterchips 120 umschließt. In der in den Figuren 5, 6 gezeigten Ausgestaltung ist die Konversionsschicht 160 nicht in separate Schichtabschnitte unterteilt, sondern besitzt eine durchgehende Form.

Ein weiterer Unterschied des in den Figuren 5, 6 gezeigten Filaments 100 besteht in der Ausgestaltung der Kontaktstruktur 133. Die Kontaktstruktur 133, welche mit Halbleiterchips 120 von den gegenüberliegenden Enden der beiden Stränge 111, 112 elektrisch verbunden ist, steht seitlich aus der Konversionsschicht 160 heraus. Auf diese Weise ist die Kontakt ^¬ struktur 133 an dieser Stelle für eine Kontaktierung zugänglich, und kann daher als seitlicher Zwischenabgriff verwendet werden. Es ist gegebenenfalls möglich, dass auch der Träger 150 einen aus der Konversionsschicht 160 seitlich herausra ^¬ genden Teilabschnitt aufweist, auf welchem die Kontaktstruk ^¬ tur 133 angeordnet ist (nicht dargestellt) . Die Figuren 7 bis 9 zeigen eine seitliche Schnittdarstellung und zwei AufSichtsdarstellungen eines weiteren Filaments 100 mit zwei elektrisch in Reihe verbundenen Strängen 111, 112 aus Halbleiterchips 120 mit Vorderseitenkontakten 121, einem Träger 150 mit drei Kontaktstrukturen 131, 132, 133 und einer durchgehenden Konversionsschicht 160, welche den Träger 150 im Bereich der Halbleiterchips 120 und die Halbleiterchips 120 umschließt. In der AufSichtsdarstellung von Figur 8 ist das Filament 100 ohne die Konversionsschicht 160 gezeigt. Hierdurch wird deutlich, dass die als Zwischenabgriff dienen- den Kontaktstruktur 133 eine zur Seite gezogene und sich zu einem Ende des Filaments 100 erstreckende Form aufweist.

Hierbei weist die Kontaktstruktur 133 einen Abschnitt 141 zwischen den Strängen 111, 112 auf, an welchen Halbleiter- chips 120 an den gegenüberliegenden Enden der beiden Stränge 111, 112 über Bonddrähte 170 elektrisch angeschlossen sind. Weiter weist die Kontaktstruktur 133 einen flächigen Abschnitt 143 auf, welcher an einem Ende des Filaments 100 zu- gänglich ist und nicht mit der Konversionsschicht 160 bedeckt ist. Die Abschnitte 141, 143 sind über einen weiteren Ab ^¬ schnitt 142 der Kontaktstruktur 133 verbunden, welcher sich ausgehend von dem Abschnitt 141 seitlich der Halbleiterchips 120 des Strangs 112 bis zu dem endseitigen Abschnitt 143 er ^¬ streckt. An diesem Ende des Filaments 100 befindet sich seit ^¬ lich des Abschnitts 143 ferner die Kontaktstruktur 132. Wie in Figur 8 dargestellt ist, kann die Kontaktstruktur 132 eine an den Abschnitt 143 angepasste, zum Beispiel L-förmige Auf- sichtsform aufweisen.

Auch bei dem in den Figuren 7 bis 9 gezeigten Filament 100 sind die Kontaktstrukturen 132, 133 mit Halbleiterchips 120 an den entgegengesetzten Enden des Strangs 112 elektrisch verbunden, so dass der Strang 112 über die Kontaktstrukturen 132, 133 elektrisch angesteuert werden kann. Im Unterschied zu den vorhergehend beschriebenen Ausgestaltungen sind die beiden Kontaktstrukturen 132, 133 jedoch an demselben Ende des Filaments 100 zugänglich für eine Kontaktierung .

In einer nicht dargestellten möglichen Abwandlung kann ein Filament 100 derart ausgebildet sein, dass sich die Kontakt ^¬ struktur 133 abweichend von Figur 8 zu dem entgegengesetzten Ende des Filaments 100 erstreckt, und somit die Kontaktstruk- turen 131, 133 an demselben Ende des Filaments 100 zugänglich sind. Hierbei kann die Kontaktstruktur 131 eine angepasste, zum Beispiel L-förmige Aufsichtsform aufweisen.

Die Figuren 10, 11 zeigen eine seitliche Schnittdarstellung und eine AufSichtsdarstellung eines weiteren Filaments 100 mit zwei Strängen 111, 112 aus seriell verbundenen Halbleiterchips 120, einem Träger 150 und einer Konversions ^¬ schicht 160, welche in zwei separate und den Strängen 111, 112 zugeordnete Schichtabschnitte unterteilt ist. Die Stränge 111, 112 sind im Unterschied zu den vorhergehend beschriebe ^¬ nen Ausgestaltungen nicht in Reihe verbunden, sondern

elektrisch voneinander getrennt. Daher sind auf dem Träger 150 vier elektrisch leitfähige bzw. metallische Kontaktstruk- turen 131, 132, 133, 134 angeordnet. Diese können, wie in den

Figuren 10, 11 angedeutet ist, in Form von Kontaktflächen verwirklicht sein. Bei jedem Strang 111, 112 sind zwei Kontaktstrukturen mit Halbleiterchips 120 an den entgegengesetzten Enden des betreffenden Strangs 111, 112 elektrisch verbunden, und zwar bei dem Strang 111 die Kontaktstrukturen 131, 133 und bei dem Strang 112 die Kontaktstrukturen 132, 134. Die Kontaktstruk- turen 131, 132 befinden sich an den Enden des Filaments 100, und ragen an diesen Stellen zusammen mit dem Träger 150 aus den Schichtabschnitten der Konversionsschicht 160 heraus, so dass die Kontaktstrukturen 131, 132 zugänglich sind. Die anderen Kontaktstrukturen 133, 134, welche mit Halbleiterchips 120 an den gegenüberliegenden Enden der verschiedenen Stränge 111, 112 elektrisch verbunden sind, sind zwischen den Strängen 111, 112 in einem Zwischenbereich zwischen den Schichtabschnitten der Konversionsschicht 160 zugänglich und ragen an dieser Stelle aus den Schichtabschnitten der Konversions- schicht 160 heraus. Die Kontaktstrukturen 133, 134 bilden ei ^¬ nen geteilten Abgriff.

Das Filament 100 weist erneut, wie in Figur 10 gezeigt ist, Halbleiterchips 120 mit Vorderseitenkontakten 121 auf. Elekt- rische Verbindungen zwischen den Halbleiterchips 120 in den Strängen 111, 112 sowie zwischen Halbleiterchips 120 an den Enden der Stränge 111, 112 und den Kontaktstrukturen 131, 132, 133, 134 sind über Bonddrähte 170 hergestellt. Das in den Figuren 10, 11 abgebildete Filament 100 mit den elektrisch getrennten Strängen 111, 112 aus Halbleiterchips 120 bietet ebenfalls eine hohe Flexibilität in Bezug auf eine elektrische Verschaltung und Ansteuerung. Es ist wahlweise möglich, lediglich einen Strang 111, 112 mit Hilfe der dazu- gehörigen Kontaktstrukturen, d.h. den Strang 111 mit Hilfe der Kontaktstrukturen 131, 133 oder den Strang 112 mit Hilfe der Kontaktstrukturen 132, 134, elektrisch anzusteuern und zu betreiben. Es können auch beide Stränge 111, 112 zusammen, allerdings separat voneinander über die dazugehörigen Kontaktstrukturen 131, 132, 133, 134 angesteuert werden.

Für ein Filament 100 mit elektrisch getrennten Strängen 111, 112 sind alternative Ausgestaltungen denkbar, bei welchen

Merkmale der vorhergehend beschriebenen Bauformen zur Anwendung kommen können. Beispielsweise kann ein solches Filament 100, abweichend von den Figuren 10, 11, mit einer durchgehenden Konversionsschicht 160 verwirklicht sein. In Bezug auf Kontaktstrukturen 133, 134, welche mit Halbleiterchips 120 von gegenüberliegenden Enden verschiedener Stränge 111, 112 elektrisch verbunden sind und welche als geteilter Abgriff genutzt werden, ist eine Ausgestaltung entsprechend des in den Figuren 5, 6 gezeigten Filaments 100 möglich. Hierbei können die Kontaktstrukturen 133, 134 seitlich aus der Konversionsschicht 160 herausragen und dadurch für eine Kontak- tierung zugänglich sein. Ein Träger 150 des Filaments 100 kann gegebenenfalls seitlich aus der Konversionsschicht 160 herausragende Teilabschnitte aufweist, auf welchen die Kon- taktstrukturen 133, 145 angeordnet sind (nicht dargestellt) .

Für ein Filament 100 mit elektrisch getrennten Strängen 111, 112 kann ferner ein zu den Figuren 7 bis 9 vergleichbarer Aufbau in Betracht kommen. Auch hierbei kann das Filament 100 eine durchgehende Konversionsschicht 160 aufweisen. Kontakt ^¬ strukturen 133, 134, welche mit Halbleiterchips 120 von ge ^¬ genüberliegenden Enden verschiedener Stränge 111, 112

elektrisch verbunden sind und welche als geteilter Abgriff dienen, können derart ausgebildet sein, dass sich jede Kon- taktstruktur 133, 134 zu einem Ende des Filaments 100 er ^¬ streckt. Hierbei kann es sich um die entgegengesetzten Enden des Filaments 100 handeln. An diesen Stellen kann jeweils eine weitere Kontaktstruktur 131 bzw. 132 vorhanden und zugänglich sein, welche mit einem Halbleiterchip 120 eines entge- gengesetzten Endes des betreffenden Strangs 111 bzw. 112 elektrisch verbunden ist. In dieser Ausgestaltung können die Stränge 111, 112 mit Hilfe von jeweils an demselben Ende des Filaments 100 zugänglichen Kontaktstrukturen 131, 133 bzw.

132, 134 elektrisch angesteuert werden (nicht dargestellt).

Es ist des Weiteren möglich, ein Filament 100 nicht nur mit zwei, sondern mit einer größeren Anzahl an Strängen aus Halbleiterchips 120 und infolgedessen mit mehrfachen Zwischenab ^¬ griffen oder geteilten Abgriffen zu verwirklichen. Zur beispielhaften Veranschaulichung zeigen die Figuren 12, 13 eine seitliche Schnittdarstellung und eine AufSichtsdarstellung eines weiteren Filaments 100, welches einen zu den Figuren 3, 4 vergleichbaren Aufbau besitzt. Das Filament 100 weist drei elektrisch in Reihe verbundene Stränge 111, 112, 113 mit un ^¬ terschiedlichen Anzahlen an Strahlungsemittierenden Halbleiterchips 120 und vier Kontaktstrukturen 131, 132, 133, 134 auf, welche mit Halbleiterchips 120 an den Enden der Stränge 111, 112, 113 elektrisch verbunden sind. Die Halbleiterchips 120 und die Kontaktstrukturen 131, 132, 133, 134 sind auf ei ^¬ nem Träger 150 angeordnet. Die Kontaktstrukturen 131, 132,

133, 134 können in Form von Kontaktflächen verwirklicht sein. Elektrische Verbindungen zwischen den Halbleiterchips 120 in den Strängen 111, 112, 113 untereinander sowie zwischen Halbleiterchips 120 an den Enden der Stränge 111, 112, 113 und dazugehörigen Kontaktstrukturen 131, 132, 133, 134 sind über Bonddrähte 170 hergestellt, welche an Vorderseitenkontakte 121 der Halbleiterchips 120 angeschlossen sind. Ein weiterer Bestandteil des Filaments 100 ist eine den Träger 150 und die Halbleiterchips 120 umschließende Konversionsschicht 160, welche vorliegend in drei und den Strängen 111, 112, 113 zu ^¬ geordnete Schichtabschnitte unterteilt ist.

Wie in Figur 12 gezeigt ist, sind zwei Kontaktstrukturen 131, 132 mit Halbleiterchips 120 an den entgegengesetzten Enden der Reihenschaltung aus den drei Strängen 111, 112, 113 elektrisch verbunden. Die zwei Kontaktstrukturen 131, 132 be- finden sich an den entgegengesetzten Enden des Filaments 100 und ragen an diesen Stellen aus der Konversionsschicht 160 heraus, wodurch die Kontaktstrukturen 131, 132 zugänglich sind für eine elektrische Kontaktierung . Die weiteren und wie die Kontaktstrukturen 131, 132 lediglich teilweise mit der Konversionsschicht 160 bedeckten Kontaktstrukturen 133, 134 sind zwischen den Strängen 111, 112, 113 in Zwischenbereichen zwischen den separaten Schichtabschnitten der Konversions- schicht 160 zugänglich. Hierbei befindet sich die Kontakt ^¬ struktur 133 zwischen den zwei benachbarten Strängen 111, 112, und ist mit Halbleiterchips 120 von den gegenüberliegen ^¬ den Enden der Stränge 111, 112 elektrisch verbunden. Die andere Kontaktstruktur 134 befindet sich zwischen den zwei be- nachbarten Strängen 112, 113, und ist mit Halbleiterchips 120 von den gegenüberliegenden Enden der Stränge 112, 113

elektrisch verbunden. Auf diese Weise sind die jeweils be ^¬ nachbarten Stränge 111, 112 und 112, 113, und damit sämtliche Stränge 111, 112, 113, über die Kontaktstrukturen 133, 134 elektrisch in Reihe geschaltet.

Die beiden endseitigen Kontaktstrukturen 131, 132 können als primäre Kontaktstrukturen genutzt werden, mit deren Hilfe sämtliche Stränge 111, 112, 113 des Filaments 100 gemeinsam mit elektrischer Energie versorgt werden können. Die weiteren Kontaktstrukturen 133, 134 können als Zwischenabgriffe ge ^¬ nutzt werden, um wahlweise lediglich einen einzelnen Strang

111, 112, 113, oder einen Teil, d.h. zwei der Stränge 111,

112, 113 elektrisch anzusteuern.

Auch im Hinblick auf das in den Figuren 12, 13 gezeigte Filament 100 mit drei Strängen 111, 112, 113 aus Halbleiterchips 120 können alternative Ausgestaltungen in Betracht kommen. Denkbar ist zum Beispiel eine Ausgestaltung entsprechend des in den Figuren 5, 6 gezeigten Aufbaus. Hierbei kann das Fila ^¬ ment 100 eine durchgehende Konversionsschicht 160 aufweisen, und können als Zwischenabgriffe dienende Kontaktstrukturen 133, 134, welche mit Halbleiterchips 120 von gegenüberliegen ^¬ den Enden zweier benachbarter Stränge 111, 112 bzw. 112, 113 elektrisch verbunden sind, seitlich aus der Konversionsschicht 160 herausragen (nicht dargestellt). Möglich ist ferner ein zu den Figuren 7 bis 9 vergleichbarer Aufbau. Auch hierbei kann das Filament 100 eine durchgehende Konversionsschicht 160 aufweisen. Kontaktstrukturen 133, 134, welche als Zwischenabgriffe dienen, können derart ausgebildet sein, dass sich die Kontaktstrukturen 133, 134 zu entgegengesetzten Enden des Filaments 100 erstrecken. Auf diese Weise können an einem Ende des Filaments 100 zwei Kontaktstrukturen 131, 133 und an dem anderen Ende des Filaments 100 zwei Kon ^¬ taktstrukturen 132, 134 zugänglich und dadurch elektrisch kontaktierbar sein (nicht dargestellt) .

Des Weiteren kann auch ein zu den Figuren 10, 11 vergleichbarer Aufbau eines Filaments 100 mit drei elektrisch getrennten Strängen 111, 112, 113 in Betracht kommen. Hierbei weist das Filament 100 insgesamt sechs Kontaktstrukturen auf, und sind jedem Strang 111, 112, 113 zwei Kontaktstrukturen zugeordnet, welche mit Halbleiterchips 120 an den Enden des betreffenden Strangs 111, 112, 113 elektrisch verbunden sind. In dieser Bauform kann das Filament 100 eine Konversionsschicht 160 aufweisen, welche in drei und den Strängen 111, 112, 113 zugeordnete Schichtabschnitte unterteilt ist. Zwei Kontakt ^¬ strukturen können an den entgegengesetzten Enden des Filaments 100 zugänglich sein. Zwischen den Strängen 111, 112, 113 und in Zwischenbereichen zwischen den Schichtabschnitten der Konversionsschicht 160 können jeweils zwei Kontaktstruk ^¬ turen zugänglich sein. Abweichend von dieser Ausprägung können auch auf den anderen der oben erläuterten Bauformen basierende Ausgestaltungen vorgesehen sein, zum Beispiel mit einer durchgehenden Konversionsschicht 160 und mit seitlich aus der Konversionsschicht 160 herausragenden Kontaktstruktu ^¬ ren, oder mit sich zu Enden des Filaments 100 erstreckenden Kontaktstrukturen (jeweils nicht dargestellt).

Basierend auf den oben aufgezeigten Ansätzen können darüber hinaus Filamente 100 verwirklicht sein, welche eine noch grö ^¬ ßere Anzahl an Strängen aus Halbleiterchips 120 aufweisen. Die Stränge können elektrisch in Reihe verbunden oder

elektrisch getrennt sein. Möglich sind ferner zum Beispiel Ausgestaltungen, in welchen ein Filament 100 mehrere seriell verbundene Stränge und wenigstens einen hiervon elektrisch getrennten Strang aufweist (jeweils nicht dargestellt). Weitere mögliche Abwandlungen bestehen darin, andere Bauformen von Strahlungsemittierenden Halbleiterchips bzw. Leuchtdiodenchips 120 einzusetzen. Zur beispielhaften Veranschaulichung zeigen die Figuren 14, 15 eine seitliche Schnittdarstellung und eine AufSichtsdarstellung eines weiteren Fila- ments 100, welches einen zu den Figuren 3, 4 vergleichbaren Aufbau besitzt. Das Filament 100 weist zwei Stränge 111, 112 aus elektrisch in Reihe verbundenen Halbleiterchips 120 und drei Kontaktstrukturen 131, 132, 133 zur elektrischen Kontak- tierung und Ansteuerung der Stränge 111, 112 auf, welche mit Halbleiterchips 120 an den Enden der Stränge 111, 112

elektrisch verbunden sind. Die Stränge 111, 112 umfassen unterschiedliche Anzahlen an Halbleiterchips 120. Ferner sind die Stränge 111, 112 selbst elektrisch in Reihe zu einer Rei ^¬ henschaltung verbunden. Die Strahlungsemittierenden Halb- leiterchips 120 weisen keine vorderseitigen Kontakte, sondern rückseitige Kontakte 122 auf. In dieser Ausgestaltung kann es sich bei den Halbleiterchips 120 um sogenannte Flip-Chips handeln . Ein weiterer Bestandteil des in den Figuren 14, 15 gezeigten Filaments 100 ist ein Träger 150, welcher zusätzlich zu den zur Kontaktierung der Stränge 111, 112 vorgesehenen Kontaktstrukturen 131, 132, 133 weitere Kontaktstrukturen 137 aufweist. Über die Kontaktstrukturen 137 sind die Halbleiter- chips 120 in den Strängen 111, 112 untereinander elektrisch in Reihe verbunden. Die Kontaktstrukturen 137 sind wie die Kontaktstrukturen 131, 132, 133 aus einem elektrisch leitfähigen bzw. metallischen Material ausgebildet. Auch können die auf dem Träger 150 angeordneten Kontaktstrukturen 131, 132, 133, 137 in Form von Kontaktflächen verwirklicht sein.

Die Halbleiterchips 120 sind über deren Rückseitenkontakte 122 elektrisch und mechanisch mit entsprechenden Kontakt- strukturen 131, 132, 133, 137 verbunden. An diesen Stellen kann eine Verbindung über ein elektrisch leitfähiges Verbindungsmittel, zum Beispiel ein Lotmittel oder ein elektrisch leitfähiger Klebstoff, hergestellt sein (nicht dargestellt) .

Das in den Figuren 14, 15 gezeigte Filament 100 weist des Weiteren eine Konversionsschicht 160 auf, welche in zwei und den Strängen 111, 112 zugeordnete Schichtabschnitte unter ^¬ teilt ist. Hierbei sind der Träger 150 im Bereich der Halb- leiterchips 120 und die auf dem Träger 150 angeordneten Halb ^¬ leiterchips 120 von der Konversionsschicht 160 umschlossen.

Die zwei Kontaktstrukturen 131, 132 sind mit Halbleiterchips 120 an den Enden der Reihenschaltung aus den beiden Strängen 111, 112 elektrisch verbunden. Auf diese Weise können die

Kontaktstrukturen 131, 132 als primäre Kontaktstrukturen genutzt werden, mit deren Hilfe die beiden Stränge 111, 112 ge ^¬ meinsam mit elektrischer Energie versorgt werden können. Die zwei Kontaktstrukturen 131, 132 befinden sich an den Enden des Filaments 100 und ragen an diesen Stellen zusammen mit dem Träger 150 aus der Konversionsschicht 160 heraus, so dass die Kontaktstrukturen 131, 132 für eine Kontaktierung zugänglich sind. Die weitere Kontaktstruktur 133, welche mit Halb ^¬ leiterchips 120 von den gegenüberliegenden Enden der beiden Stränge 111, 112 elektrisch verbunden ist, so dass die Stränge 111, 112 über die Kontaktstruktur 133 elektrisch in Reihe geschaltet sind, ist zwischen den Strängen 111, 112 in einem Zwischenbereich zwischen den Schichtabschnitten der Konversionsschicht 160 zugänglich. Die Kontaktstruktur 133 kann als Zwischenabgriff genutzt werden, um wahlweise lediglich einen der Stränge 111, 112 elektrisch anzusteuern.

Für das in den Figuren 14, 15 gezeigte Filament 100 mit den Halbleiterchips 120 mit Rückseitenkontakten 122 und dem zu- sätzlich mit Kontaktstrukturen 137 ausgestatteten Träger 150, über welche die Halbleiterchips 120 in den Strängen 111, 112 untereinander elektrisch verbunden sind, können in gleicher Weise alternative und von den oben aufgezeigten Bauformen abgeleitete Ausgestaltungen in Betracht kommen.

Denkbar ist zum Beispiel eine Ausgestaltung entsprechend des in den Figuren 5, 6 gezeigten Aufbaus. In diesem Sinne zeigen die Figuren 16, 17 eine seitliche Schnittdarstellung und eine AufSichtsdarstellung eines weiteren Filaments 100, welches zwei elektrisch in Reihe verbundene Stränge 111, 112 aus Strahlungsemittierenden Halbleiterchips 120 mit Rückseiten- kontakten 122 und einen Träger 150 mit Kontaktstrukturen 131, 132, 133, 137 aufweist. Das Filament 100 weist ferner eine den Träger 150 im Bereich der Halbleiterchips 120 und die Halbleiterchips 120 umschließende Konversionsschicht 160 auf, welche eine durchgehende Form besitzt. Eine Kontaktstruktur 133, welche mit Halbleiterchips 120 von den gegenüberliegen ^¬ den Enden der beiden Stränge 111, 112 elektrisch verbunden ist und welche als Zwischenabgriff eingesetzt werden kann, steht seitlich aus der Konversionsschicht 160 heraus. Der Träger 150 kann gegebenenfalls einen aus der Konversions- schicht 160 seitlich herausragenden Teilabschnitt aufweisen, auf welchem die Kontaktstruktur 133 angeordnet ist (nicht dargestellt) .

Für ein Filament 100 mit Halbleiterchips 120 mit Rückseiten- kontakten 122 ist ferner eine Ausgestaltung möglich, bei welcher sich eine Kontaktstruktur 133 entsprechend des in den Figuren 7 bis 9 gezeigten Aufbaus zu einem Ende des Filaments 100 erstreckt, so dass sämtliche Kontaktstrukturen 131, 132, 133 an den entgegengesetzten Enden des Filaments 100 zugäng- lieh sind. Eine weitere in Betracht kommende Abwandlung ist ein Filament 100 mit elektrisch getrennten Strängen 111, 112, was mit einem Aufbau vergleichbar zu den Figuren 10, 11 verwirklicht sein kann. Hierbei kann ein Träger 150 mit Kontakt ^¬ strukturen 137 und mit vier Kontaktstrukturen 131, 132, 133, 134 zur Kontaktierung der Stränge 111, 112 zum Einsatz kommen. Über die Kontaktstrukturen 137 können die Halbleiterchips 120 in den Strängen 111, 112 untereinander elektrisch verbunden sein. Von den vier Kontaktstrukturen 131, 132, 133, 134 können jeweils zwei mit Halbleiterchips 120 von den Enden eines Strangs 111, 112 elektrisch verbunden sein. Darüber hinaus können, entsprechend den oben erläuterten Bauformen, Varianten mit einer größeren Anzahl an Strängen aus Halb- leiterchips 120 in Betracht kommen (jeweils nicht darge ^¬ stellt) .

Die Figuren 18, 19 zeigen in einer seitlichen Schnittdarstellung und in einer AufSichtsdarstellung eine weitere Bauform, welche für ein Filament 100 mit strahlungsemittierenden Halbleiterchips 120 mit rückseitigen Kontakten 122 in Betracht kommen kann. Das Filament 100 weist zwei Stränge 111, 112 aus elektrisch in Reihe verbundenen Halbleiterchips 120 und drei Kontaktstrukturen 131, 132, 133 zur elektrischen Kontaktie- rung und Ansteuerung der Stränge 111, 112 auf, welche mit Halbleiterchips 120 an den Enden der Stränge 111, 112

elektrisch verbunden sind. Die Kontaktstrukturen 131, 132, 133 können mit einer flächigen Form verwirklicht sein. Die Stränge 111, 112 umfassen unterschiedliche Anzahlen an Halb- leiterchips 120, und sind selbst elektrisch in Reihe zu einer Reihenschaltung verbunden. Ein weiterer Bestandteil ist eine die Halbleiterchips 120 umschließende Konversionsschicht 160, welche in zwei und den Strängen 111, 112 zugeordnete Schicht ^¬ abschnitte unterteilt ist.

Wie in Figur 18 gezeigt ist, sind die Halbleiterchips 120 in den Strängen 111, 112 in Bezug auf die Vorder- und Rückseiten abwechselnd seitenverkehrt zueinander angeordnet und über de ^¬ ren Kontakte 122 elektrisch und mechanisch miteinander ver- bunden. An diesen Stellen kann eine Verbindung über ein elektrisch leitfähiges Verbindungsmittel, zum Beispiel ein Lotmittel oder ein elektrisch leitfähiger Klebstoff, hergestellt sein. Auch die sich an den Enden der Stränge 111, 112 befindenden Halbleiterchips 120 können in dieser Art und Wei- se an die Kontaktstrukturen 131, 132, 133 angeschlossen sein (nicht dargestellt) . Die zwei Kontaktstrukturen 131, 132 sind mit Halbleiterchips 120 an den Enden der Reihenschaltung aus den beiden Strängen 111, 112 elektrisch verbunden. Hierdurch können die Kontaktstrukturen 131, 132 als primäre Kontaktstrukturen genutzt werden, mit deren Hilfe die beiden Stränge 111, 112 gemeinsam elektrisch angesteuert werden können. Die Kontaktstrukturen 131, 132 befinden sich an den Enden des Filaments 100 und ra ^¬ gen an diesen Stellen aus den Schichtabschnitten der Konversionsschicht 160 heraus, so dass die Kontaktstrukturen 131, 132 für eine Kontaktierung zugänglich sind. Die weitere und mit einer länglichen Form ausgebildete Kontaktstruktur 133, welche mit Halbleiterchips 120 von den gegenüberliegenden En ^¬ den der beiden Stränge 111, 112 elektrisch verbunden ist, so dass die Stränge 111, 112 elektrisch in Reihe geschaltet sind, ist zwischen den Strängen 111, 112 in einem Zwischenbereich zwischen den Schichtabschnitten der Konversionsschicht 160 zugänglich. Die Kontaktstruktur 133 kann als Zwischenabgriff dienen, um wahlweise lediglich einen der Stränge 111, 112 elektrisch zu betreiben.

Figur 18 veranschaulicht des Weiteren die mögliche Verwendung eines elektrisch leitfähigen bzw. metallischen Ausgleichselements 139 in dem Strang 112 zur Verbindung eines an die Kontaktstruktur 133 angeschlossenen Halbleiterchips 120 mit ei- nem weiteren Halbleiterchip 120 desselben Strangs 112. Auf diese Weise kann ein an dieser Stelle aufgrund der Kontakt ^¬ struktur 133 vorliegender vergrößerter Abstand ausgeglichen werden. Die betreffenden Halbleiterchips 120 bzw. deren Rückseitenkontakte 122 können über ein elektrisch leitfähiges Verbindungsmittel mit dem Ausgleichselement 139 verbunden sein (nicht dargestellt) .

Für das in den Figuren 18, 19 gezeigte Filament 100 mit den zueinander seitenverkehrt angeordneten Halbleiterchips 120 können in gleicher Weise abgewandelte und von den oben aufge ^¬ zeigten Bauformen abgeleitete Ausgestaltungen in Betracht kommen . Möglich ist zum Beispiel ein zu den Figuren 5, 6 vergleichba ^¬ rer Aufbau. In diesem Sinne zeigen die Figuren 20, 21 eine seitliche Schnittdarstellung und eine AufSichtsdarstellung eines weiteren Filaments 100 mit zwei elektrisch in Reihe verbundenen Strängen 111, 112 aus Halbleiterchips 120 mit

Rückseitenkontakten 122, welche zueinander seitenverkehrt angeordnet und über die Kontakte 122 miteinander verbunden sind. Ein weiterer Bestandteil ist eine die Halbleiterchips 120 umschließende Konversionsschicht 160 mit einer durchge- henden Form. Eine Kontaktstruktur 133, welche mit benachbarten Halbleiterchips 120 von den Enden der beiden Stränge 111, 112 elektrisch verbunden ist und sich zwischen deren Rückseitenkontakten 122 befindet, und welche als Zwischenabgriff eingesetzt werden kann, steht seitlich aus der Konversions- schicht 160 heraus. Die Kontaktstruktur 133 kann eine längli ^¬ che Form mit einer geringen Breite besitzen. In dem Strang 112 ist des Weiteren ein elektrisch leitfähiges Ausgleichselement 139 vorgesehen, über welches der an die Kontakt ^¬ struktur 133 angeschlossene Halbleiterchip 120 mit einem wei- teren Halbleiterchip 120 desselben Strangs 112 verbunden ist.

Für ein Filament 100 mit zueinander seitenverkehrt angeordne ^¬ ten Halbleiterchips 120 können ferner weitere Ausgestaltungen in Betracht kommen. Es ist zum Beispiel möglich, eine Kon- taktstruktur 133 ähnlich zu dem in den Figuren 7 bis 9 gezeigten Aufbau mit einer sich zu einem Ende des Filaments 100 erstreckenden Form auszubilden, so dass sämtliche Kontaktstrukturen 131, 132, 133 an den entgegengesetzten Enden des Filaments 100 zugänglich sind. Eine weitere mögliche Bauform ist ein Filament 100 mit elektrisch getrennten Strängen 111, 112 und vier Kontaktstrukturen 131, 132, 133, 134, von welchen jeweils zwei mit Halbleiterchips 120 an den Enden eines Strangs 111, 112 elektrisch verbunden sind. Hierbei können Kontaktstrukturen 133, 134, welche mit Halbleiterchips 120 von benachbarten Enden der verschiedenen Stränge 111, 112 elektrisch verbunden sind und welche als geteilter Abgriff dienen, zum Beispiel mechanisch miteinander verbunden und elektrisch voneinander isoliert ausgeführt sein, beispiels- weise unter Verwendung eines die Kontaktstrukturen 133, 134 verbindenden isolierenden Verbindungselements. Möglich ist es auch, dass die Stränge 111, 112 über eine Konversionsschicht 160 mechanisch zusammengehalten werden. Darüber hinaus kön- nen, entsprechend den oben erläuterten Ausgestaltungen, Varianten mit einer größeren Anzahl an Strängen aus Halbleiterchips 120 in Betracht kommen (jeweils nicht dargestellt) .

Weitere mögliche Abwandlungen bestehen darin, andere Baufor- men eines Trägers einzusetzen. In diesem Sinne zeigen die Figuren 22 bis 24 zeigen eine seitliche Schnittdarstellung und zwei AufSichtsdarstellungen eines weiteren Filaments 100 mit zwei Strängen 111, 112 aus elektrisch in Reihe verbundenen Halbleiterchips 120 und drei Kontaktstrukturen 131, 132, 133 zur elektrischen Kontaktierung und Ansteuerung der Stränge 111, 112, welche mit Halbleiterchips 120 an den Enden der Stränge 111, 112 elektrisch verbunden sind. Die Stränge 111, 112 umfassen unterschiedliche Anzahlen an Halbleiterchips 120. Ferner sind die Stränge 111, 112 selbst elektrisch in Reihe zu einer Reihenschaltung verbunden. Ein weiterer Bestandteil ist eine Konversionsschicht 160, welche in zwei und den Strängen 111, 112 zugeordnete Schichtabschnitte unter ^¬ teilt ist. In der AufSichtsdarstellung von Figur 23 ist das Filament 100 ohne die Konversionsschicht 160 gezeigt.

Wie in den Figuren 22, 23 gezeigt ist, weist das Filament 100 einen Träger 151 auf, welcher die Halbleiterchips 120 seit ^¬ lich umgibt. Der Träger 151 und die Halbleiterchips 120 be ^¬ sitzen übereinstimmenden Dicken. Auch die mit einer längli- chen Form ausgebildete Kontaktstruktur 133 ist von dem Träger 151 seitlich umgeben, und zu diesem Zweck mit einer mit den Halbleiterchips 120 und dem Träger 151 übereinstimmenden Dicke ausgebildet. Die zwei anderen Kontaktstrukturen 131, 132, welche sich an den entgegengesetzten Enden des Filaments 100 befinden, sind auf dem Träger 151 angeordnet und in Form von Kontaktflächen ausgebildet. Der Träger 151 kann zum Beispiel aus einem reflektierenden Material ausgebildet sein. Hierbei kann es sich um ein Kunst ^¬ stoffmaterial (beispielsweise Silikon oder Epoxid) mit darin eingebetteten reflektierenden Partikeln (beispielsweise Ti02) handeln. Im Rahmen der Herstellung können die Halbleiterchips 120 und die Kontaktstruktur 133 mit Material des Trägers 151 umformt werden, zum Beispiel durch Durchführen eines Formpro ^¬ zesses (Molding) oder durch Vergießen von Material des Trägers 151.

In den Figuren 22, 23 ist eine Bauform der Halbleiterchips 120 mit nicht dargestellten Vorderseitenkontakten angedeutet, an welche Bonddrähte 170 angeschlossen sind. Über die Bond ^¬ drähte 170 sind elektrische Verbindungen zwischen den Halb- leiterchips 120 in den Strängen 111, 112 untereinander sowie zwischen Halbleiterchips 120 an den Enden der Stränge 111, 112 und den dazugehörigen Kontaktstrukturen 131, 132, 133 hergestellt . Der Träger 151 ist im Bereich der Halbleiterchips 120 mit den Schichtabschnitten der Konversionsschicht 160 umschlossen. Die Kontaktstrukturen 131, 132, 133 sind lediglich teilweise mit der Konversionsschicht 160 bedeckt und ragen im Falle der Kontaktstrukturen 131, 132 zusammen mit dem Träger 150 an den Enden des Filaments 100 aus der Konversionsschicht 160 her ^¬ aus, so dass die Kontaktstrukturen 131, 132, 133 für eine Kontaktierung zugänglich sind.

Die zwei Kontaktstrukturen 131, 132 sind mit Halbleiterchips 120 an den Enden der Reihenschaltung aus den beiden Strängen 111, 112 elektrisch verbunden, und können als primäre Kontaktstrukturen zur gemeinsamen elektrischen Ansteuerung der beiden Stränge 111, 112 genutzt werden. Die weitere Kontakt ^¬ struktur 133, welche mit Halbleiterchips 120 von den gegen- überliegenden Enden der beiden Stränge 111, 112 elektrisch verbunden ist, so dass die Stränge 111, 112 elektrisch in Reihe geschaltet sind, und welche zwischen den separaten Schichtabschnitten der Konversionsschicht 160 zugänglich ist, kann als Zwischenabgriff genutzt werden, um wahlweise lediglich einen der Stränge 111, 112 elektrisch anzusteuern.

Für das in den Figuren 22 bis 24 gezeigte Filament 100 mit dem umformten Träger 151 sind alternative Ausgestaltungen denkbar. Es ist zum Beispiel möglich, dass auch die endseiti- gen Kontaktstrukturen 131, 132 von dem Träger 151 seitlich umgeben sind und die Kontaktstrukturen 131, 132 zu diesem Zweck mit einer mit den Halbleiterchips 120 und dem Träger 151 übereinstimmenden Dicke ausgebildet sind. In entsprechender Weise kann die Kontaktstruktur 133 auf dem Träger 151 angeordnet und in Form einer Kontaktfläche ausgebildet sein. Darüber hinaus können alternative und von den oben aufgezeig ^¬ ten Bauformen abgeleitete Ausgestaltungen in Betracht kommen.

Möglich ist zum Beispiel ein zu den Figuren 5, 6 vergleichba ^¬ rer Aufbau. In diesem Sinne zeigen die Figuren 25 bis 27 eine seitliche Schnittdarstellung und AufSichtsdarstellungen eines weiteren Filaments 100 mit zwei elektrisch in Reihe verbunde- nen Strängen 111, 112 aus Halbleiterchips 120, drei Kontakt ^¬ strukturen 131, 132, 133 und einem die Halbleiterchips 120 seitlich umgebenden Träger 151. Die zwei Kontaktstrukturen 131, 132 sind auf dem Träger 151 angeordnet, wohingegen die Kontaktstruktur 133 zu einem Teil von dem Träger 151 seitlich umgeben ist. Ein weiterer Bestandteil ist eine den Träger 151 umschließende Konversionsschicht 160 mit einer durchgehenden Form, welche in der AufSichtsdarstellung von Figur 26 weggelassen ist. Die Kontaktstruktur 133 steht seitlich aus der Konversionsschicht 160 heraus.

Für ein Filament 100 mit einem Halbleiterchips 120 seitlich umgebenden Träger 151 ist ferner eine zu den Figuren 7 bis 9 vergleichbare Ausgestaltung mit einer sich zu einem Ende des Filaments 100 erstreckenden Kontaktstruktur 133 denkbar.

Hierbei kann die Kontaktstruktur 133 zum Beispiel auf dem

Träger 151 angeordnet sein. Des Weiteren kann eine zu den Figuren 10, 11 vergleichbare Bauform vorgesehen sein, also mit elektrisch getrennten Strängen 111, 112 und vier Kontakt- strukturen 131, 132, 133, 134, von welchen jeweils zwei mit Halbleiterchips 120 an den Enden eines Strangs 111, 112 elektrisch verbunden sind. Hierbei können Kontaktstrukturen 133, 134, welche mit Halbleiterchips 120 von benachbarten En- den der verschiedenen Stränge 111, 112 elektrisch verbunden sind und welche als geteilter Abgriff dienen, von dem Träger 151 seitlich umgeben sein. Darüber hinaus können, entsprechend den oben erläuterten Ausgestaltungen, Varianten mit einer größeren Anzahl an Strängen aus Halbleiterchips 120 in Betracht kommen (jeweils nicht dargestellt).

Wie oben angedeutet wurde, können die anhand der Figuren 1 bis 27 erläuterten Ausgestaltungen und Varianten eines lichtemittierenden Filaments 100 in einer Retrofit-Lampe 200 zum Einsatz kommen. Zur Veranschaulichung ist in Figur 28 eine solche Retrofit-Lampe 200 mit einem gestrichelt angedeuteten Filament 100 dargestellt. Die Retrofit-Lampe 200 weist einen Kolben 201 auf, innerhalb welchem das Filament 100 angeordnet ist. Des Weiteren weist die Retrofit-Lampe 200 einen Lam- pensockel 202 mit einem Schraubgewinde auf. Zur elektrischen Kontaktierung und damit Verbindung mit einem Stromnetz kann die Retrofit-Lampe 200 mit dem Lampensockel 202 in eine ge ^¬ eignete Fassung eingeschraubt werden (nicht dargestellt) . Die Retrofit-Lampe 200 weist darüber hinaus eine mit dem

Filament 100 verbundene Treiberschaltung auf, mit deren Hilfe eine Netzspannung in eine für den Betrieb der Stränge des Filaments 100 geeignete Vorwärtsspannung umgewandelt werden kann. Die oben beschriebenen Ausgestaltungen des Filaments 100 ermöglichen in diesem Zusammenhang eine hohe Flexibilität in Bezug auf eine elektrische Verschaltung . Hierbei kann die Verschaltung weitestgehend unabhängig von einem vorgegebenen Lumenpaket optimiert sein, um eine effiziente Betriebsweise zu erzielen. Details zu möglichen Verschaltungen werden an- hand der folgenden Figuren näher erläutert.

Die Stränge des Filaments 100 können zum Beispiel in separa ^¬ ten Schaltkreisen verschaltet sein. Eine solche Ausgestaltung kann zum Beispiel bei einem Filament 100 mit elektrisch ge ^¬ trennten Strängen zur Anwendung kommen. Zur Veranschaulichung ist in Figur 29 eine mögliche Verschaltung eines solchen Filaments 100 dargestellt, wobei das beispielhaft dargestell- te Filament 100 zwei elektrisch getrennte Stränge 111, 112 aus Halbleiterchips aufweist. Das Filament 100 kann zum Bei ^¬ spiel einen Aufbau entsprechend der Figuren 10, 11 besitzen. Wie in Figur 29 dargestellt ist, sind die Stränge 111, 112 mit separaten Treibereinheiten 210 elektrisch verbunden. Mit Hilfe der Treibereinheiten 210 können die Stränge 111, 112 separat voneinander elektrisch angesteuert, also mit einer Vorwärtsspannung beaufschlagt werden. Die Treibereinheiten 210 sind zu diesem Zweck an die zur Kontaktierung der Stränge 111, 112 vorgesehenen Kontaktstrukturen angeschlossen. Die Treibereinheiten 210 können Bestandteil einer gemeinsamen und in der Retrofit-Lampe 200 angeordneten Treiberschaltung sein, welche im Betrieb der Retrofit-Lampe 200 mit einer Spannungs ^¬ quelle (Stromnetz) verbunden ist (nicht dargestellt) . Bei einer Ausgestaltung des Filaments 100 mit elektrisch in

Reihe verbundenen Strängen kann zur Ansteuerung des Filaments 100 ein mehrstufiger Treiber 220 eingesetzt werden, wie in Figur 30 gezeigt ist. Das hier beispielhaft dargestellte Filament 100 weist drei seriell verbundene Stränge 111, 112, 113 aus Halbleiterchips auf. Das Filament 100 kann zum Bei ^¬ spiel einen Aufbau entsprechend der Figuren 12, 13 besitzen. Der in der Retrofit-Lampe 200 angeordnete Treiber 220 ist an die zur Kontaktierung der Stränge 111, 112, 113 vorgesehenen Kontaktstrukturen angeschlossen, und im Betrieb der Retrofit- Lampe 200 mit einer Spannungsquelle 225 (Stromnetz) verbun ^¬ den. Die Spannungsquelle 225 kann zum Beispiel eine Wechsel ^¬ spannung mit einem Effektivwert von 230V bereitstellen. Mit Hilfe des Treibers 220 können einzelne, mehrere oder auch sämtliche Stränge 111, 112, 113 des Filaments 100 elektrisch angesteuert werden. Hierbei kann der Treiber 220 eine an das Filament 100 angelegte Vorwärtsspannung bereitstellen, welche möglichst nahe an die Netzspannung angeglichen ist. Zur Veranschaulichung dieses Aspekts ist in Figur 31 ein Diagramm mit Verläufen 231, 232 einer Spannung U in Abhängigkeit der Zeit t gezeigt. Der sinusförmige Spannungsverlauf 231 be ^¬ zieht sich auf die Netzspannung. Der stufenförmige Spannungs- verlauf 232 bezieht sich auf eine durch eine unterschiedliche Ansteuerung von Strängen 111, 112, 113 (mit unterschiedlichen Anzahlen an Halbleiterchips) bereitgestellte Vorwärtsspan ^¬ nung. Hierbei werden die Stränge 111, 112, 113 mit Hilfe des Treibers 220 zu unterschiedlichen Zeitpunkten zu- und abge- schaltet.

Im Bereich der Nulldurchgänge der Netzspannung wird keiner der Stränge 111, 112, 113 und damit kein Halbleiterchip des Filaments 100 angesteuert und mit elektrischer Energie ver- sorgt. Mit ansteigendem Betrag der Netzspannung 231 werden jeweils zunehmend mehr Halbleiterchips des Filaments 100 elektrisch betrieben. Im Bereich des maximalen Betrags des Netzspannung 231 werden sämtliche Stränge 111, 112, 113 und damit sämtliche Halbleiterchips des Filaments 100 betrieben. In entsprechender Weise werden jeweils mit abnehmendem Betrag der Netzspannung 231 zunehmend weniger Halbleiterchips des Filaments 100 betrieben. Es wird deutlich, dass der stufenförmige Spannungsverlauf 232 der Vorwärtsspannung bei dieser Betriebsweise nahe an den Spannungsverlauf 231 der Netzspan- nung angepasst ist. Aus Gründen der Übersichtlichkeit ist ei ^¬ ne Spannungsgleichrichtung, wie sie in dem Treiber 220 für den Betrieb des Filaments 100 vorgenommen wird, und welche ein Vorliegen von lediglich positiven Halbwellen zur Folge hat, in Bezug auf den Spannungsverlauf 232 weggelassen.

Figur 32 zeigt einen vergrößerten Ausschnitt des Diagramms von Figur 31, wobei zur Verdeutlichung der vorgenannten Betriebsweise zusätzlich eine mögliche Ansteuerung der Stränge 111, 112, 113 des Filaments 100 veranschaulicht ist. Im Be- reich der Nulldurchgänge der Netzspannung 231 wird keiner der Stränge 111, 112, 113 betrieben. Mit ansteigendem Betrag der Netzspannung 231 wird zunächst lediglich der Strang 111 eingeschaltet und dadurch mit elektrischer Energie versorgt. Mit weiter ansteigendem Betrag der Netzspannung 231 werden erst der Strang 112, und anschließend der Strang 113 zugeschaltet, so dass im Bereich des Scheitelwerts der Netzspannung 231 sämtliche Stränge 111, 112, 113 betrieben werden. Korrespon- dierend hierzu werden mit abnehmendem Betrag der Netzspannung 231 erst der Strang 113, anschließend der Strang 112 und schließlich der Strang 111 abgeschaltet, so dass im Bereich des nun folgenden Nulldurchgangs der Netzspannung 231 wiederum keines der Filamente 111, 112, 113 betrieben wird. An- schließend bzw. mit erneutem Ansteigen des Spannungsbetrags der Netzspannung 231 wird dieses Vorgehen wiederholt.

Es wird darauf hingewiesen, dass das anhand von Figur 32 er ^¬ läuterte Ansteuern der Stränge 111, 112, 113 des Filaments 100 lediglich als beispielhafte Ausgestaltung anzusehen ist, und dass hiervon abweichend andere Ausgestaltungen in Bezug eine Ansteuerung des Filaments 100 mit Hilfe des Treibers 220 vorgesehen werden können. Es ist zum Beispiel möglich, mit ansteigendem Betrag der Netzspannung 231 zunächst lediglich den Strang 111, anschließend die beiden Stränge 112, 113, nachfolgend die beiden Stränge 111, 112, und anschließend sämtliche drei Stränge 111, 112, 113 zu betreiben. Mit abneh ^¬ mendem Betrag der Netzspannung 231 kann eine hierzu korres ^¬ pondierende Bestromung des Filaments 100 erfolgen.

Bei einer Ausgestaltung des Filaments 100 mit einer anderen Anzahl an Strängen können in entsprechender Weise andere Ausgestaltungen in Bezug auf eine elektrische Ansteuerung der Stränge des Filaments 100 in Betracht kommen.

Bei einer Verschaltung von Strängen eines Filaments 100 in separaten Schaltkreisen, wie sie anhand von Figur 29 erläutert wurde, kann eine Vorwärtsspannung durch eine geeignete Ansteuerung der Stränge mit Hilfe eines Treibers in entspre- chender Weise an eine Netzspannung angeglichen werden. Auch hierbei können einzelne, oder mehrere oder sämtliche Stränge zusammen, allerdings separat voneinander, elektrisch angesteuert werden. Mit Bezug auf die in Figur 29 gezeigte Ausgestaltung kann der die Treibereinheiten 210 umfassende gemeinsame Treiber zum Beispiel derart ausgebildet sein, dass folgende Ansteuerung der Stränge 111, 112 (mit unterschiedlichen Anzahlen an Halbleiterchips) erfolgt. Im Bereich der Nulldurchgänge der Netz ^¬ spannung wird keiner der Stränge 111, 112 elektrisch betrieben. Mit ansteigendem Betrag der Netzspannung 231 können jeweils zunächst lediglich der Strang 112, anschließend ledig- lieh der Strang 111, und nachfolgend beide Stränge 111, 112 zusammen, jedoch separat voneinander, elektrisch betrieben werden. Mit abnehmendem Betrag der Netzspannung kann jeweils eine hierzu korrespondierende Bestromung der Stränge 111, 112 erfolgen .

Eine Retrofit-Lampe 200 kann nicht nur mit einem einzelnen Filament 100, sondern mit mehreren sowie gegebenenfalls bau ^¬ gleich ausgeführten Filamenten 100 ausgebildet sein. Auch in diesem Zusammenhang ermöglichen die oben beschriebenen Ausge- staltungen eines Filaments 100 eine hohe Flexibilität in Be ^¬ zug auf eine elektrische Verschaltung und Betriebsweise.

Hierbei können in entsprechender Weise separate Treiber bzw. Treibereinheiten, oder auch ein oder mehrere mehrstufige Treiber zur Ansteuerung der Filamente 100 zur Anwendung kom- men. Die mehreren Filamente 100 können seriell und/oder pa ^¬ rallel verschaltet sein (nicht dargestellt) .

Obwohl die Erfindung im Detail durch bevorzugte Ausführungs ^¬ beispiele näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen. BEZUGSZEICHENLISTE

100 Filament

111 Strang

112 Strang

113 Strang

120 Halbleiterchip

121 Kontakt

122 Kontakt

131 Kontaktstruktur

132 Kontaktstruktur

133 Kontaktstruktur

134 Kontaktstruktur

137 Kontaktstruktur

139 Ausgleichselement

141 Abschnitt

142 Abschnitt

143 Abschnitt

150 Träger

151 Träger

160 KonversionsSchicht

170 Bonddraht

200 Retrofit-Lampe

201 Kolben

202 Lampensockel

210 Treibereinheit

220 Treiber

225 Spannungsquelle

231 Spannungsverlauf

232 Spannungsverlauf