以下、本発明をその好適な実施形態に即� ��て、詳細に説明する。

 本発明の封止充てん用フィルム状樹脂組� ��物は、(a)熱可塑性樹脂、(b)エポキシ樹脂、( c)硬化剤及び(d)2個以上のフェノール性水酸基 を有する化合物を含有するものである。以下 、各成分について説明する。

(a)熱可塑性樹脂
 本発明で用いる(a)熱可塑性樹脂は、封止充� ��ん用フィルム状樹脂組成物の保管温度(25℃� ��下)で固形であり、少なくとも封止充てん用 フィルム状樹脂組成物の適用温度(100℃以上)� ��溶融状態となる樹脂である。

 (a)熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹� ��、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリ� ��ルボジイミド樹脂、シアネートエステル樹� ��、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ� ��チレン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、� ��リエーテルイミド樹脂、ポリビニルアセタ� ��ル樹脂、ウレタン樹脂、アクリルゴム等が� ��げられ、その中でも耐熱性及びフィルム形� ��性に優れるフェノキシ樹脂、ポリイミド樹� ��、シアネートエステル樹脂、ポリカルボジ� ��ミド樹脂等が好ましく、フェノキシ樹脂、� ��リイミド樹脂がより好ましい。特に好まし� ��のは、分子内にフルオレン骨格を有するフ� ��ノキシ樹脂である。このようなフェノキシ� ��脂はガラス転移点温度が約90℃であり、フ� �オレン骨格を有しない他のフェノキシ樹脂(� ��60℃)より高いため、フィルム状封止用樹脂� ��成物とした場合、ガラス転移点温度が向上� ��、耐熱性の向上が可能となる。

 (a)熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、5000 より大きいことが好ましいが、より好ましく は10000以上であり、さらに好ましくは20000以� �である。5000以下の場合にはフィルム形成能� ��低下する場合がある。なお、重量平均分子� ��はGPC(Gel Permeation Chromatography)を用いて、ポ� ��スチレン換算で測定した値である。また、� ��れらの熱可塑性樹脂は単独又は2種以上の混 合体や共重合体として使用することもできる 。

(b)エポキシ樹脂
 本発明において用いる(b)エポキシ樹脂は、� ��ポキシ基(オキシラン環)を2以上有する(2官� �以上)の化合物である。

 (b)エポキシ樹脂としては、例えばビスフ� ��ノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF� �エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ� ��脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂� ��クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビ� ��ェニル型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型� ��ポキシ樹脂、ジフェニルスルフィド骨格含� ��エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型多� ��能エポキシ樹脂、ナフタレン骨格含有多官� ��エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格� ��有多官能エポキシ樹脂、トリフェニルメタ� ��骨格含有多官能エポキシ樹脂、アミノフェ� ��ール型エポキシ樹脂、ジアミノジフェニル� ��タン型エポキシ樹脂、その他各種多官能エ� ��キシ樹脂などを用いることができる。

 これらの中でも、低粘度化、低吸水率、� ��耐熱性の観点から、ビスフェノールA型エポ キシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂� �ナフタレン骨格含有多官能エポキシ樹脂、� �シクロペンタジエン骨格含有多官能エポキ� �樹脂、トリフェニルメタン骨格含有多官能� �ポキシ樹脂などを用いることが好ましい。� �た、これらのエポキシ樹脂の性状としては� �25℃で液状でも固形でも構わないが、固形の エポキシ樹脂では、例えば、はんだを加熱溶 融させて接続する場合、その融点又は軟化点 がはんだの融点よりも低いものを用いること が好ましい。また、これらのエポキシ樹脂は 単独又は2種以上を混合して用いてもよい。

 なお、本発明の封止充てん用フィルム状� ��脂組成物が適用される半導体製品(半導体パ ーケージや半導体装置等)に用いられるはん� �は、含鉛はんだであっても、鉛フリーはん� �(例えば、SnAgCu系、SnZnBi系、SnCu系)でもよい� �また、低融点はんだ(融点:120~150℃程度)でも� ��高融点はんだ(融点:180~300℃程度)でもよい。

(c)硬化剤
 本発明において使用する(c)硬化剤は、(b)エ� ��キシ樹脂を硬化する硬化剤を意味し、(b)エ� ��キシ樹脂以外の成分(例えば、2個以上のフ� �ノール性水酸基を有する化合物)の硬化反応� ��も生じるものであってもよい。

 (c)硬化剤としては、イミダゾール化合物� ��酸無水物類、アミン類、ヒドラジド類、ポ� ��メルカプタン類、ルイス酸-アミン錯体など を用いることができる。その中でも、保存安 定性と硬化物の耐熱性に優れるイミダゾール 化合物が望ましい。硬化剤がイミダゾール化 合物の場合、例えば、2MZ、C11Z、2PZ、2E4MZ、2P4 MZ、1B2MZ、1B2PZ、2MZ-CN、2E4MZ-CN、2PZ-CN、C11Z-CN、 2PZ-CNS、C11Z-CNS、2MZ-A、C11Z-A、2E4MZ-A、2P4MHZ、2PH Z、2MA-OK、2PZ-OK(四国化成工業株式会社製、製� ��名)などや、これらのイミダゾール化合物を エポキシ樹脂と付加させた化合物が挙げられ る。また、これら硬化剤をポリウレタン系、 ポリエステル系の高分子物質等で被覆してマ イクロカプセル化したものは可使時間が延長 されるために好ましい。これらは単独又は2� �以上を混合して使用することもできる。

(d)2個以上のフェノール性水酸基を有する化� �物
 本発明において用いる(d)2個以上(1分子当り2 個以上を意味する)のフェノール性水酸基を� �する化合物は、フェノール性水酸基、すな� �ちベンゼン環に結合した水酸基を2個以上有� ��る化合物である。すなわち、(d)2個以上のフ ェノール性水酸基を有する化合物は、ベンゼ ン環を少なくとも1つ有し、ベンゼン環(縮合� ��を形成していてもよい)に結合する水酸基を 少なくとも2つ有する化合物である。

 このような化合物としては、例えば、カ� ��コール、レゾルシノール、ハイドロキノン� ��ビフェノール、ジヒドロキシナフタレン、� ��ドロキシハイドロキノン、ピロガロール、� ��チリデンビフェノール(ビスフェノールF)、� ��ソプロピリデンビフェノール(ビスフェノー ルA)、エチリデンビフェノール(ビスフェノー ルAD)、1,1,1-トリス(4-ヒドロキシフェニル)エ� �ン、トリヒドロキシベンゾフェノン、トリ� �ドロキシアセトフェノン、ポリp-ビニルフェ ノール、トリフェノールメタン骨格含有多官 能フェノール化合物などが挙げられる。

 さらに、2個以上のフェノール性水酸基を 有する化合物として、フェノール性水酸基を 1個以上有する化合物と、ハロメチル基、ア� �コキシメチル基又はヒドロキシルメチル基� �2個有する芳香族化合物、ジビニルベンゼン� ��びアルデヒド化合物から選ばれる少なくと� ��1種類以上の化合物との重縮合物も用いるこ とができる。

 フェノール性水酸基を1個以上有する化合 物としては、例えば、フェノール、アルキル フェノール、ナフトール、クレゾール、カテ コール、レゾルシノール、ハイドロキノン、 ビフェノール、ジヒドロキシナフタレン、ヒ ドロキシハイドロキノン、ピロガロール、メ チリデンビフェノール(ビスフェノールF)、イ ソプロピリデンビフェノール(ビスフェノー� �A)、エチリデンビフェノール(ビスフェノー� �AD)、1,1,1-トリス(4-ヒドロキシフェニル)エタ� ��、トリヒドロキシベンゾフェノン、トリヒ� ��ロキシアセトフェノン、ポリp-ビニルフェ� �ールなどが挙げられる。

 ハロメチル基、アルコキシメチル基又は� ��ドロキシルメチル基を2個有する芳香族化合 物としては、例えば、1,2-ビス(クロロメチル) ベンゼン、1,3-ビス(クロロメチル)ベンゼン、 1,4-ビス(クロロメチル)ベンゼン、1,2-ビス(メ� ��キシメチル)ベンゼン、1,3-ビス(メトキシメ� ��ル)ベンゼン、1,4-ビス(メトキシメチル)ベン ゼン、1,2-ビス(ヒドロキシメチル)ベンゼン、 1,3-ビス(ヒドロキシメチル)ベンゼン、1,4-ビ� �(ヒドロキシメチル)ベンゼン、ビス(クロロ� �チル)ビフェニル、ビス(メトキシメチル)ビ� �ェニルなどが挙げられる。ハロメチル基、� �ルコキシメチル基又はヒドロキシルメチル� �を2個有する芳香族化合物及びジビニルベン� ��ンは、いずれをフェノール性水酸基を1個以 上有する化合物と反応させても、2個以上の� �ェノール性水酸基を有する化合物になり、� �ラックス活性向上という同様の効果を発現� �ることが可能である。

 アルデヒド化合物としては、ホルムアル� ��ヒド(その水溶液としてホルマリン)、パラ� �ルムアルデヒド、トリオキサン、ヘキサメ� �レンテトラミンなどが挙げられる。

 上記の重縮合物としては、例えば、フェ� ��ールとホルムアルデヒドの重縮合物である� ��ェノールノボラック樹脂、クレゾールとホ� ��ムアルデヒドとの重縮合物であるクレゾー� ��ノボラック樹脂、ナフトール類とホルムア� ��デヒドとの重縮合物であるナフトールノボ� ��ック樹脂、フェノールと1,4-ビス(メトキシ� �チル)ベンゼンとの重縮合物であるフェノー� ��アラルキル樹脂、ビスフェノールAとホルム アルデヒドの重縮合物、フェノールとジビニ ルベンゼンとの重縮合物、クレゾールとナフ トールとホルムアルデヒドの重縮合物などが 挙げられ、これらの重縮合物をゴム変性した ものや分子骨格内にアミノトリアジン骨格や ジシクロペンタジエン骨格を導入したもので もよい。

 また、これらの化合物の性状としては、� ��温において固体状でも液状でも構わないが� ��金属表面の酸化膜を均一に還元除去し、は� ��だの濡れ性を阻害しないために、液状のも� ��を用いることが好ましく、例えば、これら� ��フェノール性水酸基を有する化合物をアリ� ��化することによって液状にしたものとして� ��アリル化フェノールノボラック樹脂、ジア� ��ルビスフェノールA、ジアリルビスフェノー ルF、ジアリルビフェノールなどが挙げられ� �。これらの化合物は単独で用いてもよいし� �2種以上を組み合わせて用いてもよい。

 さらに、例えば、はんだを加熱溶融させ� ��接続する場合、フラックス活性を付与する� ��めに添加する化合物が、加熱時に分解、揮� ��せずに接着剤(封止充てん用フィルム状樹脂 組成物)中に残っている必要がある。すなわ� �、フラックス活性を付与するために添加す� �化合物のTGA(Thermal Gravimetory Analysis)法によっ て測定される熱重量変化率が0%となる(残存重 量が0となる)最低温度が、はんだの溶融温度� ��り高いことが好ましい。また、フラックス� ��性を付与するために添加する化合物として� ��温で固体状のものを用いる場合、化合物の� ��融温度がはんだの溶融温度より低いもの、� ��なわち、はんだ表面の酸化膜を均一に除去� ��るために、はんだの溶融温度において、化� ��物が液体状態又は溶融状態で存在するなど� ��流動性を有することが好ましい。

 なお、本発明におけるフラックス活性と� ��、金属表面の酸化膜を還元除去して、金属� ��容易に溶融できるようにし、溶融した金属� ��濡れ広がるのを阻害せず、金属接合部が形� ��される状態を達成できる性能を意味し、例� ��ば、はんだボールを銅板上などで加熱溶融� ��せて接続する場合、はんだボールが初期径� ��りも大きくなって銅表面に濡れ広がり、溶� ��後のはんだボールをシェア試験した際に、� ��んだと銅の界面で破断するのではなく、は� ��だボールのバルク破壊となる状態を達成で� ��ることを意味している。

 また、溶融後のはんだボールの初期径に� ��する変化率を、後述するはんだ濡れ広がり� ��として定義すると、良好なフラックス活性� ��実現するには、はんだ濡れ広がり率が20%以� ��となることが好ましく、30%以上となること� ��より好ましく、40%以上となることがさらに� ��ましい。

 (a)熱可塑性樹脂の配合量は、(a)熱可塑性� ��脂及び(b)エポキシ樹脂の総量100重量部に対� ��て、5~50重量部とすることが好ましく、5~40� �量部とすることがより好ましく、10~35重量部 とすることが特に好ましい。この配合量が5� �量部未満ではフィルム形成が困難となる傾� �があり、50重量部を超えると粘度が高くなっ て接続不良が発生する恐れがある。

 (b)エポキシ樹脂の配合量は、(a)熱可塑性� ��脂及び(b)エポキシ樹脂の総量100重量部に対� ��て、10~90重量部とすることが好ましく、15~90 重量部とすることがより好ましい、さらに好 ましくは20~80重量部である。この配合量が10� �量部未満では硬化物の耐熱性が低下する傾� �があり、90重量部を超えるとフィルム形成性 が低下する恐れがある。

 (c)硬化剤の配合量は、硬化剤の種類によ� ��て異なるが、一般には、(b)エポキシ樹脂100� ��量部に対して0.05~30重量部である。硬化剤が イミダゾール化合物の場合には、(b)エポキシ 樹脂100重量部に対して0.1~20重量部とすること が好ましく、1~10重量部とすることがより好� �しい。この配合量が0.1重量部未満では、硬� �が不充分となる。また20重量部より多いと硬 化物の耐熱性が低下する場合がある。

 (d)2個以上のフェノール性水酸基を有する 化合物の配合量は、(a)熱可塑性樹脂及び(b)エ ポキシ樹脂の総量100重量部に対して、0.5~20重 量部が好ましく、1~15重量部がより好ましい� �この配合量が0.5重量部未満では、フラック� �活性が不充分となる場合があり、20重量部を 超えると、エポキシ樹脂単独の硬化系ではな く、エポキシ樹脂とフェノール類との硬化系 になるため(硬化物のネットワークにフェノ� �ル類が組み込まれる)、使用するフェノール� ��水酸基を有する化合物によっては、エポキ� ��樹脂の特性が充分に発現せず、硬化物の耐� ��性が低下する恐れがある。

 なお、(d)2個以上のフェノール性水酸基を 有する化合物の種類及び最適配合量は、フラ ックス活性の有無だけでなく、フィルム形成 性、フィルム製造時の作業性(ワニスの粘度� �化など)、フィルムの取扱性(タック性、打ち 抜きやスリットなどの加工性など)などを考� �して設定される。

 本発明の封止充てん用フィルム状樹脂組� ��物には、無機フィラーを含有させることも� ��ましい。無機フィラーを含有させることに� ��り、例えば、封止充てん用フィルム状樹脂� ��成物の粘度の調整が容易となり、硬化物性� ��制御も可能となる。また、半導体チップと� ��板を接続する際のボイド発生や吸湿率抑制� ��可能となる。

 無機フィラーとしては、特に限定されな� ��が、例えば、ガラス、二酸化ケイ素(シリカ )、酸化アルミニウム(アルミナ)、酸化チタン (チタニア)、酸化マグネシウム(マグネシア)� �カーボンブラック、マイカ、硫酸バリウム� �どが挙げられる。これらは単独又は2種以上� ��混合して使用してもよい。また、2種類以上 の金属酸化物を含む複合酸化物(2種類以上の� ��属酸化物が単に混合されてなるものではな� ��、金属酸化物同士が化学的に結合して分離� ��能な状態となっているもの)であってもよく 、例えば、二酸化ケイ素と酸化チタン、二酸 化ケイ素と酸化アルミニウム、酸化ホウ素と 酸化アルミニウム、二酸化ケイ素と酸化アル ミニウムと酸化マグネシウムなどからなる複 合酸化物が挙げられる。また、フィラーの粒 径は、フリップチップ接続時にフィラーが接 続部に捕捉されて電気的な接続を阻害するこ とを防止するため、平均粒径は10μm以下であ� ��ことが好ましい。さらに、粘度や硬化物の� ��性を調整するために、粒径の異なるものを2 種以上組み合わせて用いてもよい。

 本発明におけるフィラーの配合量は、(a)� ��可塑性樹脂及び(b)エポキシ樹脂の総量100重� ��部に対して、200重量部以下とすることが好� ��しく、150重量部以下とすることがより好ま� ��い。この配合量が200重量部より多いと、接� ��剤の粘度が高くなり、接続不良が起きる恐� ��があり、また、フィルムの可とう性が低下� ��て脆くなる傾向がある。

 また、無機フィラーを含有している場合� ��無機フィラーと樹脂の屈折率をほぼ同一に� ��ることによって、波長555nmの光に対して、� �なくとも10%以上の透過率を達成できる。こ� �ような透過率を有することにより、封止充� �ん用フィルム状樹脂組成物を基板又は半導� �チップに貼り付けた後、個片化する方法に� �いて、個片化する位置や基板と半導体チッ� �の位置合わせを行うための位置合わせマー� �を封止充てん用フィルム状樹脂組成物を通� �て認識することが容易になる。

 樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、� ��機フィラーの屈折率はエポキシ樹脂の屈折� ��約1.6に対して、1.53~1.65であることが好まし� ��。このような屈折率を示す無機フィラーと� ��ては、硫酸バリウム、酸化マグネシウム、� ��酸化ケイ素と酸化チタンからなる複合酸化� ��、二酸化ケイ素と酸化アルミニウムからな� ��複合酸化物、酸化ホウ素と酸化アルミニウ� ��からなる複合酸化物、二酸化ケイ素と酸化� ��ルミニウムと酸化マグネシウムからなる複� ��酸化物などが挙げられる。

 なお、本発明の封止充てん用フィルム状� ��脂組成物を用いて、半導体チップと基板を� ��続する場合、個片に切り出した封止充てん� ��フィルム状樹脂組成物を基板に貼り付けて� ��よいし、半導体チップのバンプが形成され� ��面に貼り付けてもよい。また、基板を個片� ��する前に、複数の基板がつながった状態に� ��いて、基板全体に封止充てん用フィルム状� ��脂組成物を貼り付け、半導体チップを接続� ��た後、個片化してもよい。また、半導体チ� ��プに個片化する前の半導体ウエハに封止充� ��ん用フィルム状樹脂組成物を貼り付け、ダ� ��シングによって半導体チップに個片化して� ��よい。

 さらに、本発明の封止充てん用フィルム� ��樹脂組成物には、硬化促進剤、シランカッ� ��リング剤、チタンカップリング剤、酸化防� ��剤、レベリング剤、イオントラップ剤など� ��添加剤を配合してもよい。これらは単独で� ��いてもよいし、2種以上を組み合わせてもよ い。配合量については、各添加剤の効果が発 現するように調整すればよい。

 本発明の封止充てん用フィルム状樹脂組� ��物の粘度は、150℃において50Pa・s以下であ� �ことが好ましく、より好ましくは40Pa・s以下 であり、さらに好ましくは30Pa・s以下である� ��粘度が50Pa・sより高いと、接続不良が発生� �る場合がある。粘度の測定方法は、ずり粘� �性測定装置(例えば、ティーエーインスツル� ��ント株式会社製 ARES)を用いて、直径8~25mmの 平行円板間にフィルムを挟んで、所定の温度 において、周波数1~10Hzの条件下で測定可能で あり、測定は全自動で行われる。

 また、円形に打ち抜いた封止充てん用フィ� ��ム状樹脂組成物をガラス板間に挟み、所定� ��温度において、所定の圧力で所定の時間加� ��した際の加圧前後の樹脂厚みの変化から計� ��する方法を用いることができる。すなわち� ��次式(1)(平行板間の1軸圧縮流動に関するヒ� �リーの式)によって、算出できる。
η=8πFtZ ⁴ Z ₀ ⁴ /3V ² (Z ₀ ⁴ -Z ⁴ )…(1)
η:粘度(Pa・s)
F:荷重(N)
t:加圧時間(s)
Z:加圧後の樹脂厚み(m)
Z ₀ :加圧前の樹脂厚み(m)
V:樹脂の体積(m ³ )

 本発明の封止充てん用フィルム状樹脂組� ��物の260℃におけるゲル化時間は、1~60sであ� �ことが好ましく、より好ましくは3~40sであり 、さらに好ましくは5~30sである。1sより短い� �、はんだなどが溶融する前に硬化してしま� �、接続不良が発生する恐れがあり、60sより� �いと生産性が低下したり、硬化が不充分に� �って信頼性が低下したりする恐れがある。� �お、ゲル化時間とは、本発明の封止充てん� �フィルム状樹脂組成物を260℃に設定した熱� �上に置き、スパチュラなどで攪拌し、攪拌� �能になるまでの時間をいう。

 本発明の封止充てん用フィルム状樹脂組� ��物は、例えば以下のようにして製造するこ� ��ができる。すなわち、(a)熱可塑性樹脂、(b)� ��ポキシ樹脂、(c)硬化剤、(d)2個以上のフェノ ール性水酸基を有する化合物、無機フィラー 及びその他添加剤をトルエン、酢酸エチル、 メチルエチルケトンなどの有機溶媒中で混合 することによってワニスを作製し、そのワニ スを、ナイフコーターやロールコーターを用 いて、離型処理が施されたポリエチレンテレ フタレート樹脂などのフィルム基材上に塗布 した後、有機溶媒を乾燥除去することによっ て、製造することができる。

 図1は、本発明の封止充てん用フィルム状 樹脂組成物を用いて製造される、半導体パッ ケージの一実施形態を示す断面図である。図 1に示す半導体パッケージ100は、一方面にバ� �プ3(はんだバンプ等)を備える半導体チップ5� ��、一方面に配線4を、他方面にはんだボール 1が形成された電極パッド2を備える基板7とが 、バンプ3と配線4が電気的に接続されるよう� ��、封止充てん用フィルム状樹脂組成物6で接 合された構成を有している。半導体パッケー ジ100においては、半導体チップ5と基板7との� ��の間隙及び半導体チップ5の周囲が封止充て ん用フィルム状樹脂組成物6により封止又は� �てんされている。

 半導体チップ5としては、特に限定はなく 、シリコン、ゲルマニウムなどの元素半導体 、ガリウムヒ素、インジウムリンなどの化合 物半導体等、各種半導体を用いることができ る。

 基板7としては、通常の回路基板でもよく 、また、半導体チップでもよい。回路基板の 場合、ガラスエポキシ、ポリイミド、ポリエ ステル、セラミックなどの絶縁基板表面に形 成された銅などの金属層の不要な個所をエッ チング除去して配線パターンが形成されたも の、絶縁基板表面に銅めっきなどによって配 線パターンを形成したもの、絶縁基板表面に 導電性物質を印刷して配線パターンを形成し たものなどを用いることができる。配線パタ ーン(配線4)の表面には、低融点はんだ、高融 点はんだ、スズ、インジウム、金、ニッケル 、銀、銅、パラジウムなどからなる金属層が 形成されていてもよく、この金属層は単一の 成分のみで構成されていても、複数の成分か ら構成されていてもよい。また、複数の金属 層が積層された構造をしていてもよい。

 バンプ3と呼ばれる導電性突起の材質とし ては、低融点はんだ、高融点はんだ、スズ、 インジウム、金、銀、銅などからなるものが 用いられ、単一の成分のみで構成されていて も、複数の成分から構成されていてもよい。 また、これらの金属が積層された構造をなす ように形成されていてもよい。バンプは半導 体チップ5に形成されていてもよいし、基板7� ��形成されていてもよいし、半導体チップ5と 基板7の両方に形成されていてもよい。

 半導体パッケージとしては、インターポ� ��ザーと呼ばれる基板上に半導体チップが搭� ��され、樹脂封止されたものとして、例えばC SP(チップサイズパッケージ)やBGA(ボールグリ� ��ドアレイ)などが挙げられる。また、半導体 チップの電極部を半導体チップ表面上で再配 線することによって、インターポーザーを用 いないで基板に搭載可能とした半導体パッケ ージとして、例えば、ウエハーレベルパッケ ージと呼ばれるものが挙げられる。半導体パ ッケージを搭載する基板としては、通常の回 路基板でよく、インターポーザーに対して、 マザーボードと呼ばれる。

 図2は、本発明の封止充てん用フィルム状 樹脂組成物を用いて製造される、半導体装置 の一実施形態を示す断面図である。図2に示� �半導体装置200は、内層配線9、ビア10及びス� �ーホール13が形成され一方面に配線11を有す� ��マザーボード8と、半導体パッケージ100(図1� ��照)とが、はんだボール1と配線11が電気的に 接続されるように、封止充てん用フィルム状 樹脂組成物12で接合された構成を有している� ��半導体装置200においては、基板7とマザーボ ード8との間の間隙及び半導体パッケージ100� �周囲が封止充てん用フィルム状樹脂組成物12 により封止又は充てんされている。

 次に、本発明における半導体パッケージ� ��製造方法について説明する。図3は、本発明 の封止充てん用フィルム状樹脂組成物を用い た、半導体チップの製造方法の一実施形態を 示す断面図である。

 (1)まず、図3(a)に示すように、配線14が形� ��された基板15を準備する。そして、図3(b)の� ��おり、配線14を覆うように基板15上に封止充 てん用フィルム状樹脂組成物16を積層し、貼� ��付ける。貼り付けは加熱プレス、ロールラ� ��ネート、真空ラミネートなどによって行う� ��とができる。封止充てん用フィルム状樹脂� ��成物16の供給量は貼付面積とフィルム厚み� �よって設定され、半導体チップ18の大きさ、 バンプ高さ(バンプ19の半導体チップ18表面か� ��の高さ)などによって規定され、粘度等の経 時変化が起きても、供給量を容易に制御する ことができる。

 なお、封止充てん用フィルム状樹脂組成� ��16は半導体チップ18に貼り付けられてもよく 、半導体ウエハに封止充てん用フィルム状樹 脂組成物16を貼り付けた後、ダイシングして� ��半導体チップ18に個片化することによって� �封止充てん用フィルム状樹脂組成物16を貼り 付けた半導体チップ18を作製することができ� ��。

 (2)続いて、図3(c)のとおり、バンプ19(はん だバンプ)を備える半導体チップ18をフリップ チップボンダーなどの接続装置の接続ヘッド 17に取り付け、一方で、封止充てん用フィル� ��状樹脂組成物16が貼り付けられた配線14付き 基板15を同接続装置のステージ20に取り付け� �、位置合わせを行なった後、半導体チップ18 と基板15をバンプ19の融点以上の温度で加熱� �ながら押し付ける。そして、図3(d)に示すよ� ��に、バンプ19と配線14を接合することで半導 体チップ18と基板15を電気的に接続するとと� �に、溶融した封止充てん用フィルム状樹脂� �成物16によって半導体チップ18と基板15の間� �空隙を封止充てんする。この際、封止充て� �用フィルム状樹脂組成物16のフラックス活性 によって、バンプ19の表面の酸化膜が還元除� ��され、バンプ19が溶融し、金属接合による� �続部が形成される。

 また、図3には記載していないが、半導体 チップと基板を位置合わせして、バンプ(は� �だバンプ)が溶融しない温度で加熱しながら� ��し付けることによって封止充てん用フィル� ��状樹脂組成物を溶融させて、半導体チップ� ��バンプと基板電極の間の樹脂を除去すると� ��もに、半導体チップと基板間の空隙を封止� ��てんして、半導体チップと基板を仮固定し� ��後、リフロー炉で加熱処理することによっ� ��バンプを溶融させて半導体チップと基板を� ��続することによって半導体パッケージを製� ��してもよい。

 (3)さらに、接続信頼性を高めるために、� ��記半導体パッケージを加熱オーブンなどで� ��熱処理し、封止充てん用フィルム状樹脂組� ��物の硬化をさらに進行させてもよい。

 本発明の封止充てん用フィルム状樹脂組� ��物を用いた、半導体装置の製造方法は、上� ��半導体チップの製造方法とほぼ同様に実施� ��きる。すなわち、図3における、バンプ19を� ��える半導体チップ18に代えて、図1の半導体� ��ッケージ100を用い、図3における、配線14が� ��成された基板15に代えて、図2における、内� ��配線9、ビア10及びスルーホール13が形成さ� �一方面に配線11を有するマザーボード8を適� �し、封止充てん用フィルム状樹脂組成物16を 介在させて、半導体パッケージ100及びマザー ボード8をはんだボール1の融点以上に加熱し� ��がら、両者を加圧接合すればよい。