Flip-Chip-Gehäuse für zwei Filtertopologien Die Erfindung betrifft Gehäuse für in Flip-Chip-Bauweise ver ^¬ schaltete Chips.

In Flip-Chip-Bauweise montierte Chips werden im Allgemeinen über Bump-Verbindungen mit einer Trägerplatte verbunden und verschaltet. Ein Flip-Chip-Bauelement benötigt keine wesent ^¬ lich größere Grundfläche als der Chip. Dadurch ist es mög ^¬ lich, die Grundfläche eines mit einem "geflippten" Chip bestückten Bauelements relativ gering zu halten; insbesondere der Randbereich des Bauelements, welcher nicht von der Chip- fläche überlappt wird, kann besonders klein gehalten werden. Bump-Verbindungen, stellen dabei eine elektrische und eine mechanische Verbindung zwischen Kontaktflächen des Gehäuses und Anschlussflächen des Chips her. Flip-Chip-Bauelemente sind beispielsweise aus der US 7,388,281 bekannt.

Ein Problem bei bekannten Flip-Chip-Bauelementen ist, dass die entsprechenden Kontaktflächen des Gehäuses und die entsprechenden Anschlussflächen auf dem Chip sowie die Größe des Gehäuses und des Chips individuell aneinander angepasst sein müssen, um einerseits eine mechanisch stabile Verbindung und andererseits eine optimal geringe Grundfläche zu erhalten.

Nachteilig daran ist, dass die durch die Individualität der Bauelemente verursachten Stückkosten nicht in wünschenswertem Maße gesenkt werden können.

Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Flip-Chip-Gehäuse und entsprechende Chip-Topologien an- zugeben, die eine kostengünstige Herstellung eines Flip-Chip- Bauelements ermöglichen.

Diese Aufgabe wird durch ein Flip-Chip-Gehäuse nach Anspruch 1 gelöst. Ein nebengeordneter, das Flip-Chip-Gehäuse nicht einschränkender Anspruch gibt Chip-Topologien an, welche in einfacher, aber effektiver Weise mit dem Flip-Chip-Gehäuse des unabhängigen Anspruchs 1 zusammenwirken. Abhängige Ansprüche geben vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung an.

Es wird ein Flip-Chip-Gehäuse mit einer ersten Kontaktfläche und einer zweiten Kontaktfläche angegeben. Die erste Kontakt ^¬ fläche ist zur Verschaltung über eine Bump-Verbindung mit einer Anschlussfläche eines ersten Chips vorgesehen. Die zweite Kontaktfläche ist zur Verschaltung über eine Bump-Verbindung mit einer Anschlussfläche eines zweiten Chips vorgesehen. Der erste Chip umfasst dabei eine andere Topologie als der zweite Chip. Das Flip-Chip-Gehäuse ist dafür vorgesehen, entweder mit dem ersten Chip oder mit dem zweiten Chip verbunden zu sein.

Die Erfinder fanden heraus, dass ein günstiger herzustellendes Bauelement dann erhalten wird, wenn ein Flip-Chip-Gehäuse so designt wird, dass es alternativ mit verschiedenen Chips verbunden werden kann. Dadurch ist es möglich, die Anzahl an unterschiedlichen Flip-Chip-Gehäusen zu verringern, wodurch eine entsprechende Anzahl an Verarbeitungsanlagen zur Massenanfertigung von Gehäusen eingespart werden kann. Ebenso wird die Gesamtentwicklungszeit vermindert, weil nicht mehrere Ge- häuse unabhängig voneinander entwickelt werden müssen. Zusätzlich können die Gehäuse in größeren Auflagen gefertigt werden, was die Stückkosten senkt. Trotzdem kann ein Flip- Chip-Gehäuse erhalten werden, welches bezüglich der Gehäusegröße einen guten Kompromiss darstellt und welches bezüglich seiner elektrischen Eigenschaften individuell angepassten Gehäusen gegenüber keinen Nachteil aufweist. Der erste Chip kann dabei in einem Ausführungsbeispiel eine Grundfläche von ca. 800 x 700 ym ² , der zweite Chip kann eine Grundfläche von 700 x 600 ym ² aufweisen. Ein entsprechendes Bauelement kann eine Größe von 1400 x 1100 ym ² aufweisen. In einer Ausführungsform umfasst das Flip-Chip-Gehäuse ferner eine Eingangskontaktfläche, die zur Verschaltung über eine Bump-Verbindung mit einer Eingangsanschlussfläche des ersten oder zweiten Chips vorgesehen ist. Die Ausführungsform umfasst weiterhin eine Ausgangskontaktfläche, die zur Verschal- tung über eine Bump-Verbindung mit einer Ausgangsanschlussfläche des ersten oder zweiten Chips vorgesehen ist.

Mit einem entsprechenden Gehäuse verbundene und verschaltete Chips können zur Verrichtung vielfältiger Aufgaben vorgesehen sein. Insbesondere können sie dafür vorgesehen sein, ein elektrisches Signal, z. B. ein HF-Signal, zu manipulieren. Die Eingangskontaktfläche des Gehäuses dient während des Be ^¬ triebs eines entsprechenden Bauelements dazu, Signale über die Bump-Verbindung an eine Eingangsanschlussfläche des Chips weiterzuleiten. Auf dem Chip werden dann die Manipulationen des elektrischen Signals vorgenommen, wobei das entsprechend bearbeitete und zum Beispiel nach einem Frequenzbereich gefilterte Signal dann von der Ausgangsanschlussfläche des Chips über die Bump-Verbindung an die Ausgangskontaktfläche des Gehäuses weitergeleitet wird.

Das Eingangssignal kann dabei erdsymmetrisch (engl.: balan- ced) oder erdunsymmetrisch (engl.: unbalanced) geführt sein. Entsprechend kann ein Flip-Chip-Gehäuse auch weitere Ein ^¬ gangskontaktflächen aufweisen, die mit weiteren Eingangsanschlussflächen des Chips verschaltet sind. Auch das Ausgangs ^¬ signal kann erdsymmetrisch oder erdunsymmetrisch geführt sein. Entsprechend kann das Gehäuse auch weitere Ausgangskon ^¬ taktflächen umfassen, die mit weiteren Ausgangsanschlussflächen des Chips verschaltet sind. Es ist beispielsweise mög ^¬ lich, dass ein mit dem Flip-Chip-Gehäuse zu verschaltender Chip eine Balun-Funktionalität (Balun = balanced-unbalanced Konverter) umfasst.

In einer Ausführungsform des Flip-Chip-Gehäuses ist einer der zur Verschaltung vorgesehenen Chips, ausgewählt aus erstem Chip und zweitem Chip, ein HF-Filterchip für Frequenzen des 1 GHz-Bandes. Der andere Chip ist ein HF-Filterchip für Fre ^¬ quenzen des 2 GHz-Bandes. Die entsprechenden Frequenzen können jeweils auch ein Frequenzband im 1 GHz-Band oder ein Frequenzband im 2GHz-Band sein. HF-Filterchips können z. B. mit akustischen Wellen arbeiten und SAW (SAW = Surface

Acoustic Wave = akustische Oberflächenwelle)

Bauelementstrukturen oder GBAW (GBAW = Guided Bulk Acoustic Wave = geführte akustische Volumenwelle) Bauelementstrukturen oder BAW (BAW = Bulk Acoustic Wave = akustische

Volumenwellen) Bauelementstrukturen umfassen. Solche

Strukturen sind empfindlich und benötigen im Allgemeinen eine akustische Entkopplung von ihrer Umgebung. Flip-Chip-Gehäuse bieten für diese Bauelementstrukturen einen guten Schutz und ermöglichen eine einfache aber wirkungsvolle hermetische Abkapselung solcher Bauelementstrukturen. Flip-Chip-Gehäuse sind also sehr gut geeignet, um mit akustischen Wellen arbei ^¬ tenden Bauelementen verbunden zu werden. Ferner eignen sich mit akustischen Wellen arbeitende Bauelemente insbesondere dazu, HF-Signale zu manipulieren. Als Frequenzen des 1 GHz-Bandes werden hierbei Frequenzen be ^¬ trachtet, die geringer als 1 GHz sind. Als Frequenzen des 2 GHz-Bandes werden Frequenzen betrachtet, die zwischen 1 GHz und 2 GHz liegen. Frequenzen des 1 GHz Bandes und Frequenzen des 2 GHz Bandes unterscheiden sich dabei also um etwa eine Oktave. Aufgrund der unterschiedlichen Wellenlänge erfordern beide Frequenzbänder unterschiedlich ausgestaltete Filterstrukturen. Die Wellenlänge der Signale des 1 GHz-Bandes ist dabei größer als die Wellenlänge der Signale des 2 GHz-Ban ^¬ des. Die Erfinder fanden eine Möglichkeit, die entsprechenden Filterstrukturen der HF-Filter so auf je einem Chip anzuordnen sowie entsprechende Kontaktflächen im Gehäuse so anzuord ^¬ nen, dass das Gehäuse sowohl mit einem 1 GHz-Filterchip als auch alternativ mit einem 2 GHz-Filterchip verschaltet werden kann .

In einer Ausführungsform ist das Gehäuse dazu vorgesehen, mit Chips verschiedener Größe verbunden zu werden.

Wie oben schon angedeutet, erfordern im 1 GHz-Band arbeitende Filterchips im Allgemeinen größere Bauelement- oder Filter ^¬ strukturen als im 2 GHz-Band arbeitende Filterchips. Ein erfindungsgemäßes Gehäuse, welches einen größeren und ei ^¬ nen kleineren Chip aufnehmen kann, ist im Allgemeinen größer als ein Gehäuse, welches lediglich den kleineren Chip aufnimmt. Trotzdem kann noch ein klein zu bauendes - und relativ günstig herzustellendes - Bauelement erhalten werden.

In einer Ausführungsform ist für jeden der beiden Chips ein Set von Kontaktflächen vorgesehen. Das Flip-Chip-Gehäuse um- fasst ferner eine Kontaktfläche, die beiden Sets zugehörig ist. Dadurch, dass mindestens eine Kontaktfläche des Gehäuses dazu vorgesehen ist, mit dem ersten Chip und mit dem zweiten Chip verschaltet werden zu können, kann ein Gehäuse mit einer verringerten Grundfläche erhalten werden.

Eine Filterchip-Topologie, welche die Topologie des ersten oder zweiten Chips sein kann und somit in einfacher Weise mit dem Flip-Chip-Gehäuse zusammenwirkt, umfasst eine DMS-Struk ^¬ tur (DMS = Double-Mode SAW Filter) , einen Resonator, eine Eingangsanschlussfläche, eine Ausgangsanschlussfläche und eine Masseanschlussfläche. Die Masseanschlussfläche ist zwi ^¬ schen der DMS-Struktur und dem Resonator angeordnet. Die Masseanschlussfläche ist zur Verschaltung mit einer Kontaktflä ^¬ che, ausgewählt aus erster und zweiter Kontaktfläche, eines erfindungsgemäßen Flip-Chip-Gehäuses vorgesehen. Die Arbeits ^¬ frequenzen der DMS-Struktur und des Resonators sind Frequenzen des 1 GHz-Bandes oder des 2 GHz-Bandes.

DMS-Strukturen sind mit akustischen Oberflächenwellen arbei- tende Strukturen, welche einen Eingangswandler oder eine

Vielzahl von Eingangswandlern und einen Ausgangswandler oder eine Vielzahl von Ausgangswandlern aufweisen können. DMS- Strukturen benötigen eine Vielzahl an Signalleitungen, die Interdigitalwandler mit einer Masseanschlussfläche oder einer Signalanschlussfläche verschalten. Gleichzeitig umfassen DMS- Strukturen eine Vielzahl an Signalleitungen, die

Interdigitalstrukturen mit anderen Schaltungskomponenten verschalten. Der Resonator kann ein SAW-, ein GBAW- oder ein BAW-Resonator sein. Die Filterchip-Topologie kann weitere Resonatoren, die in Serie oder parallel zur DMS-Struktur oder zum Resonator verschaltet sind, umfassen. Der erste Chip kann eine entsprechende Topologie umfassen und Arbeitsfrequenzen des 1 GHz Bandes aufweisen, während der zweite Chip eine entsprechende Filtertopologie umfasst und eine Arbeitsfrequenz des 2 GHz Bandes hat.

In einer Ausführungsform umfasst die Filterchip-Topologie eine Signalleitung und eine Masseleitung. Die Signalleitung verschaltet die DMS-Struktur mit dem Resonator. Die Masselei ^¬ tung ist mit der Masseanschlussfläche und weiteren

Filterstrukturen verschaltet. Sind Kreuzungen erforderlich, so kreuzt die Masseleitung die Signalleitung ohne

galvanischen Kontakt.

In einer Ausführungsform der Filterchip-Topologie umfasst die DMS-Struktur eine Symmetrieachse. Masseleitungen und Kreu ^¬ zungspunkte zwischen Masseleitungen und Signalleitungen können symmetrisch oder unsymmetrisch bezüglich der

Symmetrieachse angeordnet sein. Im Folgenden werden das Flip-Chip-Gehäuse und die Filterchip- Topologie anhand von Ausführungsbeispielen und zugehörigen schematischen Figuren näher erläutert. Es zeigen:

Figur 1: die Grundidee der vorliegenden Erfindung, wobei

Kontaktflächen des Gehäuses vorgesehen sind, die mit Anschlussflächen verschiedener Chips verschaltet werden können,

Figur 2: eine mögliche Filterchip-Topologie für den ersten

Chip,

Figur 3: eine mögliche Filterchip-Topologie für den zweiten

Chip, Figur 4: eine weitere mögliche Filterchip-Topologie für den zweiten Chip, Figur 5: eine mögliche räumliche Anordnung von Kontaktflä ^¬ chen und deren Zuordnung zu für verschiedene Chips vorgesehenen Sets,

Figur 6: einen Querschnitt durch ein elektrisches Bauelement mit einem Flip-Chip-Gehäuse und einem darin ange- ordneten Chip,

Figur 7: verschiedene Einfügedämpfungen verschiedener Flip- Chip-Bauelemente .

Figur 1 zeigt schematisch einen Teil eines Flip-Chip-Gehäuses FCG mit einer ersten Kontaktfläche FK1 und einer zweiten Kontaktfläche KF2. Das Flip-Chip-Gehäuse FCG kann wahlweise mit einem ersten Chip CHI oder mit einem zweiten Chip CH2 verbun- den und verschaltet werden. Der erste Chip CHI umfasst eine erste Anschlussfläche AFI. Der zweite Chip CH2 umfasst eine zweite Anschlussfläche AF2. Die Position der ersten Kontakt ^¬ fläche KFl auf dem Flip-Chip-Gehäuse FCG sowie die Position der ersten Anschlussfläche AFI des ersten Chips CHI sind so gewählt, dass sie im Fall einer Verschaltung des Flip-Chip- Gehäuses FGC mit dem ersten Chip CHI übereinstimmen und mit einer Bump-Verbindung verschaltet werden können. Analog ist die Position der zweiten Kontaktfläche KF2 auf dem Flip-Chip- Gehäuse FCG sowie die Position der zweiten Anschlussfläche AF2 auf dem zweiten Chip CH2 so gewählt, dass sie im Fall ei ^¬ ner Verschaltung des Flip-Chip-Gehäuses FCG mit dem zweiten Chip CH2 übereinstimmen und über einer Bump-Verbindung verbunden und verschaltet werden können. Das Flip-Chip-Gehäuse FCG und die Anordnung seiner Kontakt ^¬ flächen KF1, KF2 sowie gegebenenfalls anderer Kontaktflächen können nicht nur mit einer einzigen Chip-Topologien sondern mit verschiedenen Chip-Topologien verschaltet werden. Dies erfordert einen erhöhten Aufwand bei der Entwicklung sowohl des Flip-Chip-Gehäuses als auch der unterschiedlichen Chip- Topologien. Dieser Aufwand lohnt sich dennoch, weil

einerseits nicht eine Vielzahl verschiedene Flip-Chip-Gehäuse entwickelt werden müssen und weil andererseits die Produktion eines Typs von Flip-Chip-Gehäusen günstiger als die

Produktion zweier verschiedener Typen von Flip-Chip-Gehäusen ist .

Figur 2 zeigt eine mögliche Filter-Chip-Topologie . Der Chip ist dabei ein HF-Filterchip, der mit akustischen Oberflächenwellen arbeitet. Die Topologie umfasst eine DMS-Struktur DMS sowie zwei Resonatoren Rl, R2. Über Signalleitungen SL auf dem Filter-Chip ist einer der Resonatoren Rl, ein

Serienresonator, mit einer Eingangsanschlussfläche EAF einerseits und mit der DMS-Struktur DMS andererseits

verschaltet. Über den anderen Resonator R2, einen Parallelresonator, und über eine Masseleitung ML ist der Serienresonator mit einer Masseanschlussfläche MAF verschaltet. Signalleitungen werden dabei durch durchgezogene Linien symbolisiert; Masseleitungen werden durch gestrichelte Linien symbolisiert .

Ausgangsseitig ist die DMS-Struktur DMS mit einer ersten Aus- gangsanschlussfläche AAF1 und einer zweiten Ausgangsanschlussfläche AAF2 verschaltet. Die Eingangsanschlussfläche EAF empfängt ein erdunsymmetrisch geführtes Eingangssignal. Die beiden Ausgangsanschlussflächen AAF1, AAF2 stellen ein erdsymmetrisches Ausgangssignal zur Verfügung. Die DMS-Struk ^¬ tur DMS verfügt über eine BALUN-Funktionalität . Zwischen dem Serienresonator Rl und der DMS-Struktur DMS sind drei

Masseanschlussflächen MAF angeordnet. Eine der

Masseanschlussflächen stellt dabei die zweite Anschlussfläche AF2 dar. Die Reflektoren der DMS-Struktur DMS sind mit einer Masseanschlussfläche verschaltet .

Im Allgemeinen problematisch ist die Anordnung von Massean- schlussflächen bei einer Filtertopologie mit einer DMS-Struktur, denn DMS-Strukturen umfassen im Allgemeinen eine Vielzahl von Interdigitalwandlern, welche jeweils einen

Masseanschluss benötigen können. Eine DMS-Struktur kann beispielsweise 5 oder 6 Wandler umfassen und entsprechend 5 oder 6 Masseanschlüsse benötigen.

Die 2 GHz Filtertopologie kann eine DMS-Struktur mit z. B. 6 Interdigitalwandlern umfassen. Jeder der Interdigitalwandler der DMS-Struktur kann mit Masse verschaltet sein. Die 1 GHz Filtertopologie kann eine DMS-Struktur und ein Grundglied einer Ladder-Type-Schaltung sowie 5 Interdigitalwandler umfassen. Der Begriff Masse bezeichnet die Gehäusemasse.

Da Masseleitungen und Signalleitungen galvanisch voneinander getrennt sein sollen, besteht prinzipiell die Möglichkeit, Interdigitalwandler der DMS-Struktur mit jeweils eigenen Masseanschlussflächen MAF zu verschalten. Problematisch daran ist, dass eine große Anzahl an Masseanschlussflächen MAF viel Platz auf dem entsprechenden Chip benötigen. Die Lage von Masseanschlussflächen kann üblicherweise nicht beliebig gewählt werden. Figur 3 zeigt eine Topologie mit einer DMS-Struktur DMS und einem Resonator R. Zwischen der DMS-Struktur DMS und dem Resonator R ist eine Masseanschlussfläche MAF angeordnet. Eine Eingangsanschlussfläche EAF ist über Signalleitungen SL mit unterschiedlichen Interdigitalwandlern der DMS-Struktur DMS verschaltet. Zwei Ausgänge des Resonators R sind über weitere Signalleitungen mit jeweils einer Ausgangsanschlussfläche AAF1, AAF2 verschaltet. Zwischen der DMS-Struktur DMS und dem Resonator R angeordnete Signal- und Masseleitungen sind um die Masseanschlussfläche MAF herum geführt. Signalleitungen SL und Masseleitungen ML müssen galvanisch voneinander getrennt sein. Deswegen verlaufen Signalleitungen SL und Masseleitungen ML abschnittsweise parallel zueinander.

Verschiedene nicht mit Signalpfaden sondern mit Masse

verschaltete Interdigitalwandler der DMS-Struktur sind mit der einzigen Masseanschlussfläche MAF zwischen der DMS- Struktur und dem Resonator R verschaltet. Das Problem, dass dazwischen nur eine einzige Masseanschlussfläche vorhanden ist, ist gelöst, indem Masseleitungen und Signalleitungen sich überkreuzen. Dies geschieht an Kreuzungspunkten KP, an denen die galvanische Trennung zwischen Masseleitungen und Signalleitungen durch ein dazwischen angeordnetes

Dielektrikum sichergestellt ist. Die Figuren 2 und 3 stellen somit unterschiedliche Filterto- pologien dar, welche mit einem erfindungsgemäßen Flip-Chip- Gehäuse verbunden und verschaltet werden können. Ein erfindungsgemäßes Flip-Chip-Gehäuse kann dabei eine Kontaktfläche umfassen, die sowohl mit Anschlussflächen der in Figur 2 ge- zeigten Topologie als auch mit Anschlussflächen der in Figur 3 gezeigten Topologie verschaltet werden kann. Dazu zählen insbesondere die Eingangs- und Ausgangsanschlussflächen sowie die zwischen der DMS-Struktur DMS und dem Resonator R der Figur 3 angeordnete Masseanschlussfläche MAF.

Figur 4 zeigt eine Filterchip-Topologie mit einer DMS-Struk- tur DMS und einem Resonator R. Die DMS-Struktur DMS hat dabei Interdigitalwandler und Reflektoren, welche spiegelsymmetrisch zu einer Symmetrieachse SY angeordnet sind. Signallei ^¬ tungen SL und Masseanschlussflächen MAF verlaufen zwischen der DMS-Struktur DMS und dem Resonator R teilweise nebenein- ander. Kreuzungspunkte der Signalleitungen und der Masselei ^¬ tungen sind - im Unterschied zur Topologie der Figur 3 - un ^¬ symmetrisch bezüglich der durch die DMS-Struktur vorgegebene Symmetrieachse SY angeordnet. Die Kreuzungspunkte können fer ^¬ ner entweder asymmetrisch oder symmetrisch zu einer Symmet- rieachse des Eingangsresonators angeordnet sein.

Es kann ferner vorteilhaft sein, Signalleitungen im Wesentlichen nicht parallel zu Masseleitungen anzuordnen. Insbesondere kann die Länge, entlang der Abschnitte von

Signalleitungen die parallel zu Abschnitten von

Masseleitungen verlaufen, minimiert sein.

Figur 5 zeigt Anschlussflächen einer ersten Topologie Tl und einer überlagerten zweiten Topologie T2. Beide Topologien um- fassen DMS-Strukturen DMS oder Resonatoren R. Mit "IG" sind Anschlussflächen eines HF-Filters mit einer Arbeitsfrequenz im 1 GHz-Band bezeichnet. Entsprechend sind mit "2G" An ^¬ schlussflächen eines HF-Filterchips mit einer Arbeitsfrequenz im 2 GHz-Band bezeichnet. Dabei werden fünf Anschlussflächen von beiden Filtertopologien gemeinsam verwendet. Zwei der Anschlussflächen sind einem HF-Filter mit einer Arbeitsfrequenz im 1 GHz-Band vorbehalten. Die Filtertopologie Tl hat dabei - wegen der größeren Wellenlänge der akustischen Wellen - einen größeren Flächenbedarf als die Filtertopologie T2. Die Ge ^¬ samtzahl an Anschlussflächen wird durch die gemeinsame Nutzung der Position von beiden Topologien gering gehalten. Da das Flip-Chip-Gehäuse mit beiden Topologien arbeiten können muss, sind im Gehäuse entsprechende Kontaktflächen für alle Anschlussflächen beider Topologien vorzusehen. Ist das Gehäuse mit einem 2 GHz-Filterchip verschaltet, so werden entsprechend zwei Kontaktflächen des Gehäuses nicht mit An- schlussflächen des 2 GHz-Filterchips verschaltet.

Figur 6 zeigt einen Querschnitt durch ein elektrisches Bau ^¬ element mit einem Flip-Chip-Gehäuse FCG und einem Filterchip CH. Der Filterchip CH ist in Flip-Chip-Bauweise über Bump- Verbindungen BU mit dem Flip-Chip-Gehäuse FCG verbunden und verschaltet. Das Flip-Chip-Gehäuse FCG umfasst dabei mehrere dielektrische Lagen DL sowie eine Abdeckung AD. Der Chip CH ist durch die Abdeckung AD und durch die dielektrischen Lagen DL hermetisch abgeschlossen. Auf der Oberfläche des Flip- Chip-Gehäuses FCG und zwischen dessen dielektrischen Lagen sind Signalleitungen und Impedanzelemente, z. B. induktive Elemente, resistive Elemente oder kapazitive Elemente KE in Form von Metallisierungen angeordnet. Auf der Unterseite des Flip-Chip-Gehäuses FCG sind eine oder mehrere externe Kon- taktfläche EKF angeordnet, die über Durchkontaktierungen mit den Kontaktflächen verschaltet sind, die wiederum mit dem Chip verschaltet sind. Über externe Kontaktflächen kann das Gehäuse mit einer externen Schaltungsumgebung verschaltet werden. Externe Kontaktflächen EKF können mit den Anschluss- flächen einer oder beider Topologien verschaltet sein.

Figur 7 zeigt drei berechnete frequenzabhängige Verläufe der Einfügedämpfung. Kurve Kl zeigt dabei die Einfügedämpfung eines konventionellen Filterchip-Bauelements. Das konventio ^¬ nelle Bauelement ist ein Bandpassfilter mit einem Passband im 2 GHz-Frequenzbereich. Kurve K2 zeigt die Einfügedämpfung eines erfindungsgemäßen

Flip-Chip-Gehäuses mit einem HF-Filter mit Passband im 2 GHz- Frequenzbereich. Im Vergleich zur Kurve Kl ist die Sperrbereichsunterdrückung bei Frequenzen zwischen 2500 und 3000 MHz deutlich verbessert. Kurve K2 zeigt dabei die Einfügedämpfung eines Bauelements, wobei der Filterchip bezüglich einer Symmetrieebene einer DMS-Struktur symmetrischen angeordnete Anschlussflächen aufweist.

Kurve K3 zeigt die Einfügedämpfung eines Flip-Chip-Gehäuses mit HF-Filterchip, wobei die Anschlussflächen bezüglich einer Symmetrieebene einer DMS-Struktur unsymmetrisch angeordnet sind. Oberhalb von Frequenzen von etwa 2600 MHz ist die

Sperrbereichsunterdrückung besser als die der Kurve Kl. Speziell bei Frequenzen zwischen 3000 und 3600 MHz ist die

Sperrbereichsunterdrückung besonders verbessert.

Erfindungsgemäße Flip-Chip-Gehäuse und erfindungsgemäße HF- Filtertopologien sind nicht auf die beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Flip-Chip-Gehäuse, welche bei- spielsweise noch weitere dielektrische Lagen oder induktive oder kapazitive Elemente oder weitere Kontaktflächen, insbe ^¬ sondere zum gleichzeitigen Anschließen verschiedener Chips umfassen, stellen ebenso erfindungsgemäße Flip-Chip-Gehäuse dar. Analog stellen Filtertopologien, welche weitere Resona- toren, Anschlussflächen oder Signalleitungen umfassen, ebenfalls erfindungsgemäße Topologien dar. Bezugs zeichenliste :

IG: Anschlussfläche eines HF-Filters für das

1 GHz-Band

2G: Anschlussfläche eines HF-Filters für das

2 GHz-Band

AAF1, AAF2 : erste, zweite Ausgangsanschlussfläche

AD: Abdeckung

BU: Bump-Verbindung

CH; CHI, CH2 : Chip; erster, zweiter Chip

DL: dielektrische Lage

DMS: DMS (Double-Mode SAW Filter) Struktur

EAF: Eingangsanschlussfläche

EKF: externe Kontaktfläche

FCG: Flip-Chip-Gehäuse

HF1, HF2 : erste, zweite Anschlussfläche

Kl, K2, K3 : Einfügedämpfungen

KE : kapazitives Element

KF1, KF2 : erste, zweite Kontaktfläche

KP: Kreuzungspunkt

MAF: Masseanschlussfläche

ML: Masseleitung

R, Rl, R2 : Resonator

SL: Signalleitung

SY: Symmetrieebene

Tl, T2 : verschiedene Filtertopologien