次に、図面を参照して、本発明の実施の� ��態説明する。以下の図面の記載において、� ��一又は類似の部分には同一又は類似の符号� ��付している。但し、図面は模式的なもので� ��り、厚みと平面寸法との関係、各層の厚み� ��比率等は現実のものとは異なることに留意� ��べきである。又、本発明の実施の形態で例� ��的に記述した各層の厚さや寸法等も限定的� ��解釈すべきではなく、具体的な厚みや寸法� ��以下の説明を参酌して判断すべきものであ� ��、図面相互間においても互いの寸法の関係� ��比率が異なる部分が含まれていることは勿� ��である。

 又、以下に示す本発明の実施の形態は、� ��発明の技術的思想を具体化するための装置� ��方法を例示するものであって、本発明の技� ��的思想は、構成部品の材質、形状、構造、� ��置等を下記のものに特定するものでない。� ��発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記� ��された技術的範囲内において、種々の変更� ��加えることができる。

 図1に示すように、本発明の実施の形態に係 るヒューズリンクは、隣接して並列配置され たm個の楕円の穴Q ₁ ,Q ₂ ,Q ₃ ,……,Q _m-1 ,Q _m (m=P-1は正の整数。)及びこの両側の半楕円部(� ��り欠き部)により、臼型に括れたP個の遮断� �狭小帯を並列配置してn個(n=Sは正の整数。)� �遮断部22 _-1 ,22 _-2 ,22 _-3 ,……,22 _-(n-1) ,22 _-n を構成している。そして、この遮断部22 _-1 ,22 _-2 ,22 _-3 ,……,22 _-(n-1) ,22 _-n が、直列方向に測った長さが2.5mm以下の連結� ��(放熱帯)21 _-1 ,21 _-2 ,21 _-3 ,……,21 _-(n-1) ,21 _-n を介してn組直列に並べられている。直列方� �に測ったヒューズリンクの両端には、端子� �11,12が設けられている。冒頭で述べた定義に よればS=n,P=m+1(「nS(m+1)P」)のパターンのエッ� �ングヒューズである。

 図2(a)に示した厚さの定義を用いて説明すれ ば、本発明の実施の形態に係るヒューズリン クは遮断部22 _-1 ,22 _-2 ,22 _-3 ,……,22 _-(n-1) ,22 _-n の厚さt _H =10~60μmであり、連結帯(放熱帯)21 _-1 ,21 _-2 ,21 _-3 ,……,21 _-(n-1) ,21 _-n の厚さt _R =80~150μmであることを特徴とする。遮断部狭� �帯の最小幅bが遮断部の厚さt _H に依存するので、微細加工性を考慮すると、 遮断部の厚さt _H は10~40μmが好ましく、更に、全溶断幅W=σB _j  及び全溶断長さL=σPL _i  をそれぞれ一定にして、分割P値及び分割S値� ��増大するためには、遮断部の厚さt _H が10~30μm程度が好ましい。遮断部狭小帯の最� ��幅bは、理論上は遮断部の厚さt _H 程度まで可能であるが、加工寸法のバラツキ を考慮すると、遮断部の厚さt _H の2倍程度が好ましい。したがって、遮断部� �厚さt _H を30μm程度とすれば、遮断部狭小帯の最小幅b =60μmがエッチングにより加工可能であり、遮 断部の厚さt _H を10μm程度とすれば、遮断部狭小帯の最小幅b =20μmがエッチングにより加工可能である。

 従来から100Vヒューズリンクを2本直列にし� �使用すれば200Vのヒューズリンクとして使え� ��600Vヒューズが6Sで出来る場合、これを60Sに� ��れば凡そ6000Vのヒューズの設計の目安とな� �事などは常識であった。従来、6Sのヒューズ を7Sで設計すれば性能が良くなり、69Sのヒュ� ��ズを79S型にすれば性能が良くなったことを� ��「S効果」と言っていた。これに対し本発明 の「S分割効果」は、図3に示す全溶断長さL=σ L _i  を一定にして、これをS分割した場合の効果� �意味する。

 図4は、並列数は8Pで、全溶断長さL=34mm一� ��とした場合の5種類のS分割を示す。図1に示� ��例ではP=16,S=16であるが、図4には分割S値S=4,8 ,12,16,24の場合が示されている。図1及び図5に� ��いて、並列配置方向に測った遮断部の幅(全 溶断幅)W=は8mmである。即ち、図4(a)は4S8P型の� ��図4(b)は8S8P型の、図4(c)は12S8P型の、図4(d)は1 6S8P型の、図4(e)は24S8P型のヒューズパターン� �示す。

 本発明の実施の形態に係るヒューズリンク� ��おいては、連結帯(放熱帯)21 _-1 ,21 _-2 ,21 _-3 ,……,21 _-(n-1) ,21 _-n の厚さt _R を厚くして、連結帯(放熱帯)21 _-1 ,21 _-2 ,21 _-3 ,……,21 _-(n-1) ,21 _-n の抵抗値を小とし、且つ連結帯(放熱帯)21 _-1 ,21 _-2 ,21 _-3 ,……,21 _-(n-1) ,21 _-n の質量を大きくしている。このため、図4に� �すように、全溶断長さL=一定として、分割S� �を増大し、連結帯(放熱帯)21 _-1 ,21 _-2 ,21 _-3 ,……,21 _-(n-1) ,21 _-n の長さRが小さくても連結帯(放熱帯)21 _-1 ,21 _-2 ,21 _-3 ,……,21 _-(n-1) ,21 _-n の存在を確保できるようになった。

 表1は、図4に示した並列数8P、全溶断長さL=3 4mm、全溶断幅W=8mmの場合の、分割S値S=4,8,12,16, 24の5種類のヒューズリンクの実験結果をまと めたものである。

 表1から、動作過電圧V _m (「動作過電圧V _m 」の定義は、図9~11参照。)が分割S値と共に大 きくなり、最大で2.1倍にもなることが分かる 。これに対し、限流値I _m (「限流値I _m 」の定義は、図9~11参照。)は最小で87.5%と小� �くなり、S分割効果の寄与率は余り大きくは� ��い。全I ²  t値は、動作過電圧V _m 値に逆比例して最大1/20と小さくなり、S分割� ��果が如何に大きいかが分かる。

 表2は分割P値を32Pとし、分割S値S=4,8,12,16,24� �した場合の試験結果で、全I ²  t値に対するS分割効果は更に大きくなったこ� ��が分かる。

 又、本発明の実施の形態に係るヒューズリ� ��クによれば、遮断部22 _-1 ,22 _-2 ,22 _-3 ,……,22 _-(n-1) ,22 _-n の厚さt _H を薄くしたので、総合最小断面σSを同一にし て分割P値を大きくしてP分割効果を高めなが� ��分割S値も大きくできるようになったのでS� �割効果を最大限に利用してI ² t値を従来ヒューズの1/10にも小さくすること� ��できる。「P効果」といえば従来の常識では 、P値を多くすれば総合最小断面σSが大きく� �るので、I ²  t値は大きくなり、I ²  t特性が悪くなると考えられていた。本発明� �おける「P分割効果」とは、総合最小断面σS� ��同一で、これをP分割した場合の効果を意味 する。即ち、本発明の実施の形態に係るヒュ ーズリンクにおいては、総合最小断面σSを同 一にして分割P値を増大しているので、分割P� ��を増大すればする程ヒューズリンクのI ²  t値は小さくなり、I ²  t特性は良くなる。このため、「P分割効果」� ��従来の「P効果」の常識からすれば、逆の現 象となる。

 例えば接地抵抗において接地棒を多くす� ��ばするほど、接地抵抗が小さくなり、接地� ��1本を2本にすれば全接地抵抗は1/2になる。� �かし、これを10本に増しても1/10にはならな� �。お互いの接地電位を上げる干渉がある事� �、次第にその接地棒を多くする事による効� �が薄れてゆくからである。以上の現象は総� �ヒューズリンクのP分割効果においても同様� ��ある。つまり、熱回路はすべて電気回路に� ��き換えて考える事ができるので、接地抵抗� ��熱抵抗に、電位を熱電位に置き換えると、� ��発明の実施の形態に係るヒューズリンクの� ��却特性の問題は、接地抵抗計算式と同一と� ��えてヒューズリンクの説明が出来る。

 即ち、接地棒数をヒューズリンクの狭小部� ��Pに置き換えて、ヒューズリンクの分割P値� �多くすればヒューズリンクの冷却が良くな� �、ヒューズリンクの総合最小断面σSが同じ� �も、より多くの電流を流す事が可能になる� �その結果、定格電流値の大きなヒューズリ� �クが提供できる。ヒューズリンクのI ²  t特性は定格を同一にして比較すべきもので� �るから、ヒューズリンクの分割P値が大きく� ��れば、ヒューズリンクのσSはより小さくし� ��も、定格電流値を同一とする事が可能とな� ��ので、σSが小さくなった分だけヒューズリ� ��クのI ²  t値が小さくなる訳である。

 図1に示すように、本発明の実施の形態に係 るヒューズリンクは、厚さ0.8mm~1.5mmのセラミ� ��ク基板等の絶縁性基板の上に導電性薄膜の� ��ターンを形成して構成される。セラミック� ��板の素材としてはアルミナ(Al ₂ O ₃ )、ムライト(3Al ₂ O ₃ ・2SiO ₂ )、ベリリア(BeO)、窒化アルミニウム(AlN)、炭� ��珪素(SiC)等が使用可能である。導電性薄膜� �しては金属薄膜、特に安価且つ加工の容易� �を鑑みると銅(Cu)が好ましいが、銅に限定さ� ��るものではない。金属薄膜、特に銅の薄膜� ��あれば、本発明の実施の形態に係るヒュー� ��リンクのパターンは、銅(Cu)のメッキ及び、 エッチングにより簡単に形成できる。即ち、 セラミック基板の上に厚さt _H =10~60μmの銅の薄メッキをして、遮断部22 _-1 ,22 _-2 ,22 _-3 ,……,22 _-(n-1) ,22 _-n のパターニングをした後、連結帯(放熱帯)21 _-1 ,21 _-2 ,21 _-3 ,……,21 _-(n-1) ,21 _-n の部分が厚さt _R =80~150μmとなるまで追加のメッキをすれば良� �。

 図5では、ヒューズリンクの直列抵抗(全抵� �)r _e =1.5mω,3mω,5mωの場合について、それぞれI ² t値の分割S値依存性が示されている。例えば� ��直列抵抗(全抵抗)r _e =5mωの場合では、S=24でI ² t=350となりS=4の場合に比してI ² t値が1/10になっていることが分かる。

 図6はP=8及びP=32の場合について、それぞれ� �I ² t値の分割S値依存性を示すが、P=32の場合の方 がP=8の場合より全I ² t値の分割S値依存性が大きく、S-P相乗効果が� ��められる。図6において、並列配置方向に測 った遮断部の幅は8mmである。P=8の場合、図6� �a点で示したS=4の場合、全I ² t=4500であり、b点で示したS=24の場合、全I ² t=240であるのでb/a=1/19の全I ² t値の改善が認められる。一方、P=32の場合、� ��6のa点で示したS=4の場合、全I ² t=4500であり、c点で示したS=24の場合、全I ² t=80であるのでc/a=1/56の全I ² t値の改善が認められ、S-P相乗効果により、� �割P値の大きい方が、全I ² t値の分割S値の増大による改善の効果が高い� ��とが分かる。現在、AC600V用ヒューズでは、S =6,P=8(6S8P)が高性能ヒューズとされているが、 図6でa'で示した6S8Pの全I ² t=1800であるので、c/a'=1/13となり、1桁以上の� �著な全I ² t値の改善が認められる。

 以上の如く、本発明の実施の形態に係る� ��ューズリンクによれば、従来の常識値1~1.2/1 00Vを越えた、1.5/100V以上の分割S値を持つヒュ ーズを提供できる。ここで「1.5/100V以上の分� ��S値」は、分割S値が実効電圧100V当たり1.5以� ��であることを示す。図5及び図6からは、2/100 V以上の分割S値を持つヒューズを提供できる� ��とが分かる。

 図6において現用ヒューズの性能は6S8Pの(a'� �)付近と考えると、その値は5mωで規格化した 等価I ² t値で1600A ²  sとなるから、この値を100とする。c点(24S32P)� �6mωにおける全I ² t値=79A ²  sは、5mωで規格化した等価I ² t値で114A ²  sとなる(表2参照。)が、この114A ²  sの値はa'点の7.1%となる。このように10%以下� �非常に小さなI ²  t値は、実用的には不必要な過剰値となる場� �が多い。このため、工業的には、最小断面� �を大きくして定格を上げ、コストダウンを� �えることが実用上必要である。

 本発明のヒューズリンクは立体的に作られ� ��しかも微細加工が必要なので、その製造コ� ��トは少なくとも従来費の1.5倍のコストアッ� ��になると推定される。同じ容器にして定格� ��流値を1.5倍に出来れば、本発明のヒューズ� ��ンクの立体化によるコストアップ分を吸収� ��て、更に現用品に対する容器代と組み立て� ��賃が少なくなる分で、コストダウンが促進� ��れる事になる、そこで1.5倍の定格電流を実� ��するためには抵抗値を1/1.5 ²  と小さくしなければならない。これは又、狭 小部断面積を(1.5) ²  =2.25倍大きくすることにより、更にそのI ²  t値は(2.25) ²  =5.06倍大きくなる。

 図6の分割P値=32Pの特性上で、1.5/100Vはデー� �ポイントはないが、分割S値=9Sの内挿点(e点)� ��1.5/100Vに対応する。e点のI ²  t値は、5mωで規格化した等価I ² t値で表すと、グラフ上、上方にシフトし、46 0A ²  sである。この時点で断面積換算でI ²  t値が5.06倍になると仮定すると、その時のI ²  t値は400A ²  s×5.06倍となり、5mωで規格化した等価I ²  t値の2328A ²  sに対応する。この値は現用ヒューズの等価I ²  t値の1600A ²  sを超えるので、1.5倍のコストアップの仮定� �もとでは、あまり魅力のあるヒューズには� �らない。しかし、分割S値を10Sにすると、5mω で規格化した等価I ²  t値が330A ² sとなり、330×5.06=1670A ²  sとなるので現用ヒューズに匹敵する値とな� �、一転して良いヒューズになる。

 製造コストのコストアップ率をどのよう� ��見積もり、抵抗値の減少分をどのように見� ��もるかにも依存するが、上記の様にS分割効 果は著しい変化をもたらす。製造コストのコ ストアップ率が1.5倍程度の前提では、分割S� �=9Sが、製造コストを鑑みた工業的観点から� �顕著な効果を奏する臨界値と評価される。� �り現実的には、分割S値=10Sが、工業的観点か ら評価される顕著な効果を奏する、臨界値と なる。

 図7はS=6の場合について、全I ² t値の分割P値依存性を示すが、分割P値の増大 とともに全I ² t値が減少し、P=16で全I ² t値が最小となるが、P=32の場合、全I ² t値が再び増大することを示す。図7のヒュー� ��リンクは、並列配置方向に測った遮断部の� ��が8mmであるが、分割P値の再増大は、遮断部 22 _-1 ,22 _-2 ,22 _-3 ,……,22 _-(n-1) ,22 _-n における再点弧が原因と考えられる。又、分 割P値の増大に伴う点弧点の熱干渉、アーク� �渉も考えられるが、分割S値を増大すること� ��より、S-P相乗効果により、図7の破線で示す ように、これらの影響を抑制し、全I ² t値が再び増大しないようにできる。

 図7のd点で示したP=5(6S5P)の現在のAC600V用高� �能ヒューズの全I ² t=2160と読めるので、この値と図6のc点(24S32P)� �全I ² t=80とを比較すれば、c/d=80/2160=1/29となり、1桁 以上の顕著な全I ² t値の改善が、AC600V用ヒューズで認められる� �

 図8に示すグラフでは、6S5P型のヒューズリ� �クのI ²  t値を100%として基準化して、分割P値の異なる ヒューズリンクのI ²  t値を比較している。図8より分かるように、1 6Pまでは分割P値の増加に伴いI ²  t値が減少しているが、16Pより更に分割P値が� ��加すると、実験値のバラツキが大きく不安� ��域に入る事が分かる。図7及び図8で説明し� �P分割効果は、定常現象での話である。接地� ��の場合は棒数を多くすれば飽和特性となる� ��けであったが、P分割効果の場合は効果が飽 和する事だけでなく、分割P値をさらに多く� �ると図7及び図8に示すように、現象が不安定 となり、それ以上は効果が逆転しI ²  t値が増大する場合がある。接地抵抗の場合 は定常現象だけの解析であるから、一連の並 列帯のみを扱うが、ヒューズリンクは電流を 遮断する責任を持っているので、過渡特性(� �断特性)についても調べる必要がある。遮断� ��なると単独の並列帯だけでは遮断はできな� ��。直列数S個からなる並列帯の共同作業で遮 断を行う事になるので、全SPの遮断現象によ� ��て過渡特性を知る必要がある。

 表1に示したように、分割P値=8Pに対する分� �S値=24S時の5mωで規格化した等価I ²  t値は390A ²  sであるのに対し、分割P値=32Pとした場合の� ��割S値=24S時の5mωで規格化した等価I ²  t値は、表2に示したように、114A ²  sとなっている。その比は114/390≒1/4となる� �もしもS,P分割効果が独立であるとしたなら� �、24S8P時のS分割効果による等価I ²  t値は390であるから、飽和したP分割効果80%� �掛けても等価I ²  t値は312にしかならない。その違いはS分割� �果によってP分割効果が不安定域には入らず� ��更に伸びてゆくために現れた「S,P相乗効果� ��である。「S,P相乗効果」は、その後の各種� ��験によってS分割効果によって、並列帯にS� �割効果の影響で遮断性能が良くなり、再発� �現象を抑制する働きがあるためと推測して� �る。

 図9は、S=6,P=32(6S32P)のヒューズの遮断実験の オシログラム波形であるが、電流波形に瘤が 見られ、再点弧が発生していることが分かる 。図10は、図9と同一の遮断試験回路を用いた 場合のS=16,P=8(16S8P)のヒューズの遮断実験のオ シログラム波形であるが、同様に電流波形に 瘤が見られ、再点弧が発生しているが、図11� ��示すように、S=24,P=8(24S8P)とすると、図9と同 一の遮断試験回路による遮断試験において、 電流波形の瘤が消え、再点弧が抑制されたこ とが分かる。図9~図11に示したヒューズリン� �は、定格電圧600V、定格電流40~60A、推定短絡� ��流100kAの遮断試験回路で試験し、限流値I _m =2000~80Aのものである。

 本発明の実施の形態に係るヒューズリンク� ��おける単位ヒューズに着目し、1個のアーク 電圧を考えて見ると、図12の如く考えるのが� ��も妥当かと推考される。電極降下電圧V _p は低圧放電では空間電荷によって発生する電 圧であるが、ヒューズアーク現象の様に高温 、高圧、過渡現象である場合でも、同様に高 い電圧降下が発生するかどうかは知られてい ない。プラズマ降下の中に電圧に逆比例した dv/dtの上昇効果が、S分割効果として存在する 可能性もあるが、ここでは、電極降下電圧V _p を検討してみる。各ヒューズリンクのアーク 電圧構成は、アーク柱電圧V _ai 、電極降下電圧V _pi として、動作過電圧値V _m を考えると:

       V _m =σV _ai +σV _pi                    …(3)

となる。ここで電極降下電圧V _pi は、陰極降下電圧V _pi /2と陽極降下電圧V _pi /2の和である。具体的には、

  4S8Pヒューズの構成式は  V _m4 =σV _a4 +σV _p4       …(4a)
  8S8Pヒューズの構成式は  V _m8 =σV _a8 +σV _p8       …(5a)
 12S8Pヒューズの構成式は  V _m12 =σV _a12 +σV _p12       …(6a)
 16S8Pヒューズの構成式は  V _m16 =σV _a16 +σV _p16       …(7a)
 24S8Pヒューズの構成式は  V _m24 =σV _a24 +σV _p24       …(8a)

ここで式(4a)~(7a)に、それぞれ表1の実験値を� �れると、式(4b)~(8b)が得られる:

  918V=4V _a4 +4V _p4                   … (4b)
 1072V=8V _a8 +8V _p8                  … (5b)
 1260V=12V _a12 +12V _p12                … (6b)
 1347V=16V _a16 +16V _p16                … (7b)
 1938V=24V _a24 +24V _p24                … (8b)

式(4b)~(8b)でアーク柱を流れる電流は外部定数 で決定され、一定であるから総合アーク長σL tを同一にする為には総溶断長σLのLを分割数� ��逆比で小さくすれば良い。その結果、

   4V _a4 =8V _a8 =12V _a12 =16V _a16 =24V _a24              …(9)

と同一値となるので、「式(5b)」-「式(4b)」を 計算すると、

   8V _p8 -4V _p4 =1072V-918V=154V      …(10)

となる。電極降下電圧V _pi も同じアーク電流が流れている限り略同一の 値と推定される。4S8P対8S8P,8S8P対12S12Pのよう� �お互いに隣り同志の電極降下電圧V _pi 値は更に近いと考えると、

   V _p4 ≒V _p8 、V _p8 ≒V _p12 、V _p12 ≒V _p16 、V _p16 ≒V _p24         …(11)

となる。(10)式は大略V _p8 =159Vと考えて良いので、V _p4 =V _p8 =38.5Vとなる。同様にしてV _p12 、V _p12 、V _p24 の値を求め、図13にこれをプロットする。点a ,b,c,d,が求められたものである。特性として� �図13に図示した点線Cの如くなる。更に、表1� ��おいて測定された動作過電圧値V _m をプロットするとA特性の様になり、これに� �算して出したV _p 値に、それぞれの分割数を掛けて総合極降下 値σV _p を計算した結果を、図13中にプロットするとB 特性のようになる。故にA特性とB特性の差は� ��ーク特性V _a で、4Sから24Sまで一定値であり、またC特性は 極降下特性で24Sの短アーク値ではやや小さく なる事が分かる。I ²  t値のS分割効果もこの様な僅かな飽和特性で� ��る事で一致する。

 図14は、図6から誘導されたもので、X軸を分 割P値とし、パラメーターを分割S値としてい� ��。P分割効果はS分割効果よりかなり緩やか� �変化するので、両対数グラフ上で直線近似� �する。パラメーターとしての分割S値が24Sの� ��性の10P点のI ²  t値は、5mωで規格化した等価I ² t値で表すと、図14のグラフ上、上方にシフト し、280A ²  sになる。製造コストのコストアップ率から� �抗値の減少分を見積り、定格電流値を1.5倍� �すると、最小断面積は(1.5) ²  倍にする必要があることは、前述したとおり である。定格電流値を1.5倍にしたときの、I ²  t値は5.6倍悪くなるので、その場合の5mωで規� ��化した等価I ²  t値は280×5.06倍=1417A ² sとなる。1417A ² sの値は、現用ヒューズに対し1417/1600=89%と未� ��多少の優位性を持っている。したがって、� ��造コストを鑑みた工業的観点から、10分割P� ��が、顕著な効果を奏する臨界値と評価され� ��。この値は12P/cmに相当するものとなる。

 具体的には、AC600V用ヒューズの分割S値は 6~7Sが常識であるのに対し、本発明の実施の� �態に係るヒューズリンクによれば、AC600V用� �ューズの分割S値は24S~32Sが可能である。又、 AC6000V用ヒューズでは60~70Sが、従来の常識で� �るが、本発明の実施の形態に係るヒューズ� �ンクによれば、148~198Sが実現できる。

(実装構造)
 図15は、本発明の実施の形態に係るヒュー� �リンクの実装構造の一例を示す。図15では3� �のヒューズリンク1a,1b,1cが内キャップ2a,2bに� ��けられた矩形のスリットを介して固定され� ��いる。そして、絶縁管5の両端を閉じるよう に内キャップ2a,2bが絶縁管の両端に被せられ� ��内キャップ2a,2bの外側にヒューズ端子4a,4bを それぞれ有する外キャップ3a,3bが嵌め込まれ� ��ことにより、ヒューズ筒を構成している。

 上述したように、本発明の実施の形態に係� ��ヒューズリンクによれば、全I ² t値を従来ヒューズの1/10にも小さくすること� ��できるので、設計上、電流に余裕が生じる� ��このため、全I ² t値を所望値以下に維持しつつ、遮断部狭小� �の最小幅bを大きくすることにより、定格電� ��を増大できる。即ち、一枚のヒューズリン� ��に流れる定格電流を2倍にすることも容易で あるので、図15に示すように、ヒューズリン� ��の実装構造における用いるヒューズリンク� ��枚数を半分以下にして、実装構造(ヒューズ 筒)の小型化と低コスト化を図ることが可能� �ある。

 (その他の実施の形態)
 上記のように、本発明は本発明の実施の形� ��によって記載したが、この開示の一部をな� ��論述及び図面は本発明を限定するものであ� ��と理解すべきではない。この開示から当業� ��には様々な態様や代替実施の形態、実施例� ��び運用技術が明らかとなろう。したがって� ��本発明はここでは記載していない様々な態� ��や実施の形態等を含むことは勿論であり、� ��発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な� ��許請求の範囲に係る発明特定事項によって� ��み定められるものである。