| WO/2006/048509 | A PARTICLE FILTER WITH A HIGH COLLECTING EFFICIENCY |
| JP60084169 | DUST COLLECTING APPARATUS |
| JP2002047627 | DUST REMOVING UNIT, DUST REMOVING STRUCTURE AND DUST REMOVING METHOD |
東京エレクトロン株式会社 (〒25 東京都港区赤坂五丁目3番1号 Tokyo, 10763, JP)
| ガスが通流する2つの通流口を有する筐体と、各通流口を隔離するように前記筐体に収容されており、一の通流口から流入したガス中のパーティクルを捕捉するフィルタ部材とを備えるガスフィルタにおいて、 ガスの通流によって該ガス中のパーティクルを帯電させる帯電孔が形成されたパーティクル帯電部を、前記筐体の一の通流口側に設けてある ことを特徴とするガスフィルタ。 |
| 前記帯電孔は音速ノズルで構成されている ことを特徴とする請求項1に記載のガスフィルタ。 |
| 前記フィルタ部材は、 一の通流口を覆う有底筒状をなし、 前記帯電孔は、前記フィルタ部材の中心軸に対して、前記フィルタ部材の側面側に偏在している ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のガスフィルタ。 |
| 半導体デバイス製造装置にガスを供給するガス供給路を備えたガス供給装置において、 請求項1又は請求項2に記載のガスフィルタを前記ガス供給路の途中に介装してあり、 前記パーティクル帯電部は、 前記ガスフィルタ及び前記ガス供給路間をシールするシール部材に前記帯電孔を形成してなる ことを特徴とするガス供給装置。 |
| 半導体デバイス製造装置にガスを供給するガス供給路を備えたガス供給装置において、 請求項1乃至請求項3のいずれか一つに記載のガスフィルタを前記ガス供給路の途中に介装してある ことを特徴とするガス供給装置。 |
本発明は、ガス中のパーティクルを帯電 せて捕捉するガスフィルタ、及び該ガスフ ルタを備えたガス供給装置に関する。
半導体デバイスの製造工程でパーティク が混入し、該パーティクルがウエハ表面に 着すると、半導体デバイスの配線が短絡し 半導体デバイスの歩留まりが低下する原因 なるため、パーティクルが装置内に混入し いように、各種パーティクル混入防止対策 講じられている。
パーティクル混入防止対策の一つとして ガス供給装置にはガスフィルタが設けられ いる。ガス供給装置は、ガス圧、流量等を 御してプロセスガス、パージガス等を半導 デバイス製造装置に供給する装置である。 スフィルタは、2つの通流口を有する筒状の 筐体と、該筐体に収容されたフィルタ部材と を備え、ガス供給路に介装されている。フィ ルタ部材は、例えば焼結ステンレス製、セラ ミック製又は樹脂製であり、約数十μmのポア 径を有している。
フィルタ部材のポア径よりも粒径が大き パーティクルは、フィルタ部材によって物 的に捕捉され、ポア径より粒径が小さいパ ティクルも、パーティクル及びフィルタ部 間に働く分子間力によって捕捉される。具 的には、前記フィルタ部材によって、粒径 約0.003μm程度の微小なパーティクルも捕捉 ることが可能である。
一方、空気中の塵埃を捕捉する集塵装置が
示されている(例えば、特許文献1)。特許文
1に係る集塵装置は、空気中の塵埃を帯電さ
せる荷電部と、該荷電部の下流に設けられて
おり、帯電した塵埃を集塵する集塵部とを備
えている。荷電部は、例えば導電性の電極線
及び電極板で構成され、電極線及び電極板に
電圧が印加されるように構成されている。電
極線及び電極板に電圧が印加された場合、電
極線及び電極板の周囲に電界が形成され、空
気の絶縁破壊によって、空気がイオン化し、
塵埃を帯電させるもことができる。帯電した
塵埃は、集塵部によって集塵される。
ところが、ガスの種類によっては、従来 ガスフィルタでパーティクルを捕捉できな 場合があり、ガスフィルタを通過したパー ィクルが、ウエハ表面に付着する事例が報 されている。具体的には、洗浄用のフッ素 ス中に含まれる、鉄を主成分としたパーテ クルがフィルタ部材を透過していることが かった。パーティクルがフィルタ部材に捕 されない原因としては、パーティクル及び ィルタ部材間に働く分子間力に比べ、パー ィクル及びガス間に働く分子間力が大きい とが考えられる。
一方、特許文献1においては、パーティクル
を帯電させて捕捉する集塵装置が開示されて
いるが、電界を発生させる荷電部を備える必
要があるため、構成が複雑で、高コストにな
るという問題があった。
また、半導体製造工程又は洗浄工程におい
は、数nmのパーティクルを捕捉する必要が
るところ、電極線及び電極板で構成された
電部をガス供給路に配置した場合、該荷電
及び荷電部の固定部位から、不測のパーテ
クルが発生する虞があり、パーティクル混
防止対策が困難になるという問題があった
更に、半導体デバイス製造用のガス供給装
においては腐食性のプロセスガスが供給さ
る場合があり、荷電部が腐食する虞があっ
。
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたも であり、ガスの通流によって該ガスに含ま るパーティクルを帯電させる帯電孔を有す パーティクル帯電部をフィルタ部材の上流 に設けることによって、従来技術に比べて ーティクル混入の虞が低く、しかも簡単且 低コストでガス中のパーティクルを帯電さ 、該パーティクルを捕捉することができる スフィルタ及びガス供給装置を提供するこ を目的とする。
本発明の他の目的は、帯電孔を音速ノズ として構成することにより、ガスの通流速 を音速にすることができ、パーティクルを 果的に帯電させて捕捉することができるガ フィルタ及びガス供給装置を提供すること ある。
本発明の他の目的は、帯電孔が有底筒状 フィルタ部材の中心軸に対して、該フィル 部材の側壁側に偏在するように設けること より、帯電したパーティクルを速やかにフ ルタ部材に到達させて効果的に捕捉するこ ができるガスフィルタ及びガス供給装置を 供することにある。
本発明の他の目的は、ガスフィルタ及び ス供給路間をシールするシール部材に帯電 を形成することにより、パーティクル帯電 とシール部材とを兼用することができるガ 供給装置を提供することにある。
第1発明に係るガスフィルタは、ガスが通 流する2つの通流口を有する筐体と、各通流 を隔離するように前記筐体に収容されてお 、一の通流口から流入したガス中のパーテ クルを捕捉するフィルタ部材とを備えるガ フィルタにおいて、ガスの通流によって該 ス中のパーティクルを帯電させる帯電孔が 成されたパーティクル帯電部を、前記筐体 一の通流口側に設けてあることを特徴とす 。
第2発明に係るガスフィルタは、前記帯電 孔が音速ノズルで構成されていることを特徴 とする。
第3発明に係るガスフィルタは、前記フィ ルタ部材は、一の通流口を覆う有底筒状をな し、前記帯電孔は、前記フィルタ部材の中心 軸に対して、前記フィルタ部材の側面側に偏 在していることを特徴とする。
第4発明に係るガス供給装置は、半導体デ バイス製造装置にガスを供給するガス供給路 を備えたガス供給装置において、第1又は第2 明に係るガスフィルタを前記ガス供給路の 中に介装してあり、前記パーティクル帯電 は、前記ガスフィルタ及び前記ガス供給路 をシールするシール部材に前記帯電孔を形 してなることを特徴とする。
第5発明に係るガス供給装置は、半導体デ バイス製造装置にガスを供給するガス供給路 を備えたガス供給装置において、第1乃至第3 明のいずれか一つのガスフィルタを前記ガ 供給路の途中に介装してあることを特徴と る。
第1及び第5発明にあっては、パーティクル
含むガスが帯電孔を通流した場合、該ガス
のパーティクルは、摩擦によって帯電し、
電したパーティクルはフィルタ部材に静電
着される。帯電したパーティクル及びフィ
タ部材間に働く静電力は、パーティクル及
ガス間に働く分子間力に比べて大きい。
従って、たとえパーティクル及びフィルタ
材間に働く分子間力が、パーティクル及び
ス間に働く分子間力より小さい場合であっ
も、該パーティクルをフィルタ部材にて捕
することが可能になる。
また、従来技術の荷電部に比べて、簡単な
成であるため、従来技術に比べ、パーティ
ル帯電部から不純物のパーティクルが発生
る虞は低い。
更に、従来技術の荷電部に比べて、簡単且
低コストな構成でパーティクルを帯電させ
ことが可能になる。
第2及び第5発明にあっては、帯電孔が音速
ズルで構成されているため、パーティクル
含むガスは、帯電孔の一番狭い部分(スロー
部)を音速で通流する。なお、音速ノズルの
下流側の圧力を上流側の圧力で除して得られ
る比が所定の臨界圧力比以下である場合、音
速ノズルを通流するガスの流速は音速に等し
くなることが知られている。
従って、ガス中に含まれるパーティクルを
擦によって効果的に帯電させることが可能
なる。
第3及び第5発明にあっては、フィルタ部材
有底筒状をなしており、帯電孔はフィルタ
材の中心軸に対して側面側に偏在している
このため、帯電孔を通流して帯電したパー
ィクルは、帯電孔がフィルタ部材の中心軸
位置している場合に比べて、より速くフィ
タ部材に到達する。
従って、静電力によってパーティクルをよ
効果的に捕捉することが可能になる。
第4発明にあっては、ガスフィルタ及びガス
供給路間をシールするシール部材に帯電孔を
形成し、パーティクル帯電部を構成している
。
従って、パーティクル帯電部とシール部材
を兼用することが可能になる。
第1及び第5発明によれば、従来技術に比 てパーティクル混入の虞が低く、しかも簡 且つ低コストでガス中のパーティクルを帯 させ、該パーティクルを捕捉することがで る。
第2及び第5発明によれば、ガスの通流速 を音速にすることができ、パーティクルを 果的に帯電させて捕捉することができる。
第3及び第5発明によれば、帯電したパー ィクルを速やかにフィルタ部材に到達させ 効果的に捕捉することができる。
第4発明によれば、パーティクル帯電部と シール部材とを兼用することができる。
1 ガス供給路
9,109,209,409 エンドフィルタ(ガスフィルタ)
91 基部(筐体)
91c,492b ガス流入口(通流口)
91d,499b ガス排出口(通流口)
92,492 収容筒(筐体)
93 フィルタ部材
96,196,296,397,496 パーティクル帯電板
96a,196a,296a,397a,496a 帯電孔
499 覆体(筐体)
以下、本発明をその実施の形態を示す図面
基づいて詳述する。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1に係るガス供
装置の構成を示す模式図である。本発明の
施の形態1に係るガス供給装置は、いわゆる
ーフェスマウント型の集積化ガス供給シス
ムであり、図示しないCVD(Chemical Vapor Deposit
ion)、スパッタリング装置、プラズマエッチ
グ装置等の半導体デバイス製造装置にガス
供給するガス供給路1と、ガスの圧力、流量
を制御する制御部11(図4参照)とを備えてい
。
ガス供給路1は、上流側(図1中左側)から順 に、プレート型の継手2a・・2iを介して連結 れたプレフィルタ3と、マウント型の手動弁4 と、ガスの圧力を調整する圧力調整弁5と、 スの圧力を検出する圧力センサ6と、スルー 路ブロック7aと、ガスの逆流を防止する逆 弁10aと、供給するガスの切り替えを行う三 弁10bと、ガスの流量を制御する流量コント ーラ8と、スルー流路ブロック7bと、エンド ィルタ(ガスフィルタ)9とを備える。
図2は、本発明に係るエンドフィルタ9の 例を模式的に示す側断面図である。エンド ィルタ9は、筐体を構成する基部91及び収容 92と、一端側が開放した有底円筒状をなし、 ガス中のパーティクルを捕捉するフィルタ部 材93と、ガス中のパーティクルを帯電させる 板状のパーティクル帯電板96とを備える。
基部91は、ステンレス製の円板状をなし 基部91の一端面(図2中、上面)には収容筒92が 嵌する円筒状の嵌合筒部91aが略垂直に突設 れている。嵌合筒部91aの中心軸は、基部91 中心軸と略一致しており、その外周面には 収容筒92を基部91に締結するための雄ねじ91b 形成されている。また、基部91は、一端面 略中央部に、パーティクル帯電板96及びフィ ルタ部材93の開放端が内嵌する横断面円形状 嵌合凹部91eを有している。嵌合凹部91eの略 央部にはガス流入口91c(通流口)が形成され いる。また、嵌合凹部91eと嵌合筒部91aとの にはガス排出口(通流口)91dが形成されている 。ガス流入口91c及びガス排出口91dは夫々、基 部91の厚み方向に連通している。
収容筒92は、一端側が開放した有底円筒 のステンレス製である。収容筒92は、外周面 が拡径した段状部分を開放端側に有し、該段 状部分が基部91の嵌合筒部91aに内嵌している また、収容筒92の開放端と、基部91との間に は、収容筒92と基部91との間をシールするニ ケル製、又はステンレス製のガスケット95、 例えばOリングが介装されている。そして、 容筒92及び基部91は、締結部材94によって締 されて、筐体を構成している。締結部材94は 、嵌合筒部91aの雄ねじ91bに螺合する雌ねじ94a を内周面に有するナットであり、一端側の内 径が収容筒92の段状部分の外径よりも小さく 収容筒92に当接する当接部を有している。 結部材94が嵌合筒部91aに螺合することによっ て、収容筒92の段状部分は締結部材94の当接 にて基部91側に押圧され、収容筒92は基部91 締結される。
図3は、パーティクル帯電板96の一例を模式
に示す平面図及び側断面図である。図3(a)は
、パーティクル帯電板96の平面図、図3(b)は、
パーティクル帯電板96の側断面図である。パ
ティクル帯電板96は、ガスの通流によって
ガス中のパーティクルを帯電させる帯電孔96
aを略中央部に有しており、図2に示すように
部91の嵌合凹部91eに内嵌している。帯電孔96
aは、通流面積が出側及び入側よりも小さく
成されたスロート部を途中に有する音速ノ
ルで構成されている。
パーティクル帯電板96は、例えばステンレ
製であり、パーティクル帯電板96の直径は4~8
mm、厚み方向の幅は約1mm、帯電孔の径は、10~1
00μmである。
なお、パーティクル帯電板96は、基部91及び
フィルタ部材93間をシールするガスケットと
て構成しても良いし、専用のオリフィスと
て構成しても良い。
フィルタ部材93は、例えば、焼結ステン ス製、セラミック製又は樹脂製であり、約 十μmのポア径を有している。フィルタ部材93 の開放端は、図2に示すように嵌合凹部91eに 嵌している。
なお、エンドフィルタ9のガス流入口91c及 び継手2h間、並びにガス排出口91d及び継手2i 夫々は、ガスケット97,98によってシールされ ている。
図4は、制御部11の構成を示すブロック図 ある。制御部11は、CPU11aを備えたコンピュ タである。CPU11aには、コンピュータの動作 必要な制御プログラムを記憶したROM11b、CPU11 aの演算処理を実行する際に生ずる各種デー を一時記憶するRAM11c、入力インタフェース( 力IF)11d及び出力インタフェース(出力IF)11eが バス11fを介して接続されている。入力インタ フェース11dには、エンドフィルタ9の上流側 ガスの圧力を検出する圧力センサ6と、エン フィルタ9の下流側のガスの圧力を検出する 下流側圧力センサ12とが接続され、CPU11aは、 スの上流側圧力及び下流側圧力を検出する うに構成されている。なお、下流側圧力セ サ12は、例えばガス供給装置又は図示しな 半導体デバイス製造装置に設けられたセン である。また、出力インタフェース11eには 圧力調整弁5が接続されており、CPU11aは、出 インタフェース11eを介して制御信号を与え ことによって、圧力調整弁5の動作を制御す る。
図5は、CPU11aの圧力制御に係る処理手順を 示すフローチャートである。まず、CPU11aは、 下流側圧力センサ12にて下流側圧力を検出し( ステップS11)、圧力センサ6にて上流側圧力を 出する(ステップS12)。
次いで、CPU11aは、下流側圧力を上流側圧 で除して得られる比が所定臨界圧力比以下 あるか否かを判定する(ステップS13)。所定 界圧力比は、帯電孔96aを通流するガスの流 が音速になるときの下流側圧力と、上流側 力との比であり、所定臨界圧力の値はROM11b 記憶している。前記比が所定臨界圧力比以 である場合、帯電孔96aを通流するガスの流 は、音速で一定になる。
所定臨界圧力比より大きいと判定した場 (ステップS13:NO)、CPU11aは、圧力調整弁5の動 を制御することによって上流側のガスの圧 を増加させ(ステップS14)、処理をステップS1 1に戻す。所定臨界圧力比以下であると判定 た場合(ステップS13:YES)、CPU11aは、処理を終 る。
次に、本発明に係るエンドフィルタ9及びガ
ス供給装置の作用を説明する。
図6は、エンドフィルタ9の作用を概念的に
す説明図である。ガス供給路1の上流側から
給されたガスは、継手2h及びガス流入口91c
通じて帯電孔96aの入側に到達し、帯電孔96a
通流する。エンドフィルタ9の下流側圧力を
ンドフィルタ9の上流側圧力で除して得られ
る比が所定臨界圧力以下である場合、帯電孔
96aを通流するガスの流速は音速に達する。帯
電孔96aを音速で通流するガス中のパーティク
ルPは、帯電孔96aとの摩擦によって帯電、例
ば正に帯電する。そして、帯電孔96aを通流
たガスはフィルタ部材93を通流する際、帯電
したパーティクルPは静電力によってフィル
部材93に捕捉される。パーティクルP及びフ
ルタ部材93間に働く静電力は、パーティクル
P及びガス間に働く分子間力に比べて大きい
め、パーティクルPを効果的に捕捉すること
可能になる。
このように構成された実施の形態1に係る エンドフィルタ9及びガス供給装置にあって 、従来技術に比べてパーティクル混入の虞 低く、しかも簡単且つ低コストでガス中の ーティクルを帯電させ、該パーティクルを 捉することができる。
また、帯電孔96aを音速ノズルとして構成 ることによって、ガスの通流速度を音速に ることができ、パーティクルを効果的に帯 させて捕捉することができる。
更に、帯電孔96aは、出側の通流面積が途 の通流面積に比べて大きくなるように形成 れているため、帯電孔96aを通流したガスは 放射状に噴射し、帯電したパーティクルは フィルタ部材93の側面に到達する。従って パーティクルを効果的に捕捉することがで る。
図7は、第1の変形例に係るエンドフィル 109を模式的に示す側断面図、図8は、第1の変 形例に係るパーティクル帯電板196を模式的に 示す平面図及び側断面図である。図8(a)は、 ーティクル帯電板196の平面図、図8(b)は、パ ティクル帯電板196の側断面図である。第1の 変形例に係るパーティクル帯電板196は、フィ ルタ部材93の中心軸に対して、フィルタ部材9 3の側面側に偏在するように複数の帯電孔196a, 196a,…を有している。例えば、4個の帯電孔196 a,196a,…がパーティクル帯電板196の周方向に 配されている。
第1の変形例にあっては、帯電したパーティ
クルを速やかにフィルタ部材93に到達させて
果的に捕捉することができる。
また、複数の帯電孔196a,196a,…を設けている
ため、一つの帯電孔を設けた場合に比べ、上
流側の圧力をより低圧にしてガスの流量を確
保することができる。
図9は、第2の変形例に係るエンドフィル 209を模式的に示す側断面図、図10は、第2の 形例に係るパーティクル帯電板296を模式的 示す平面図及び側断面図である。図10(a)は、 パーティクル帯電板296の平面図、図10(b)は、 ーティクル帯電板296の側断面図である。第2 の変形例に係るパーティクル帯電板296は、フ ィルタ部材93と、収容筒92との間に位置する うに、内径がフィルタ部材93の外形より大き く、内径が収容筒92程度の円環状をなしてい 。また、パーティクル帯電板296は、フィル 部材93と収容筒92との間に帯電孔296aを有し いる。
第2の変形例にあっては、ガス排出口91d側 から逆にガスを流入させ、ガス流入口91cから ガスを排出するように用いた場合、フィルタ 部材93の内側からガスを流入させる場合に比 て、帯電したパーティクルを速やかにフィ タ部材93に到達させて効果的に捕捉するこ ができる。
図11は、第3の変形例に係るエンドフィル 9を模式的に示す側断面図である。第3の変 例に係るエンドフィルタ9は、専用のパーテ クル帯電板96に代えて、エンドフィルタ9と 手2hとの間をシールするガスケットとして ーティクル帯電板397を構成してある。つま 、第3の変形例に係るパーティクル帯電板397 、エンドフィルタ9と継手2hとの間をシール るガスケットであり、通常の通流口に代え 帯電孔397aを有している。
第3の変形例にあっては、パーティクル帯 電部397とガスケットとを兼用することができ る。
なお、実施の形態1においては、ガスフィ ルタの一例としてエンドフィルタを説明した が、その用途は限定されず、本発明に係るガ スフィルタをガス供給装置の他の部位に介装 しても良い。
また、ガスフィルタの一例としてマウン 型を説明したが、インライン型、ディスク その他のガスフィルタに本発明を適用して 良い。
更に、帯電孔を設けることによってパー ィクルを帯電させる例を説明したが、ガス 音速で噴射することができるポンプをエン フィルタの上流側に配することによって、 ーティクルを帯電させるように構成しても い。
(実施の形態2)
図12は、本発明の実施の形態2に係るエンド
ィルタ409の一例を模式的に示す側断面図で
る。本発明の実施の形態2に係るインライン
型のエンドフィルタ409は、一端側が開放して
おり、ガス中のパーティクルを捕捉する有底
円筒状のフィルタ部材493と、フィルタ部材493
を収容するための収容筒492及び覆体499と、パ
ーティクルを帯電させる帯電孔496aを略中央
有する円板状のパーティクル帯電板496とを
える。
収容筒492は、両端側が開放しており、フ ルタ部材493よりも大径の筒状をなしている 収容筒492は、ガスが流入するガス流入口492b を一端側(図12中左端側)に有しており、ガス 入口492bにはパーティクル帯電板496が内嵌固 、例えば圧入されている。なお、パーティ ル帯電板496は、収容筒492と一体形成しても い。収容筒492の他端側の外周面は縮径し、 ねじ492aが形成されている。
覆体499は、両端側が開放した筒状をなし 収容筒492の雄ねじ492aに螺合する雌ねじ499a 一端側に有し、他端側にガス排出口499bを有 る。また、覆体499の他端側の内径は、フィ タ部材493の開放端側の外径よりも小さく形 されている。
フィルタ部材493は、実施の形態1と同様の 構成であり、開放端を覆体499側に向け、収容 筒492と同軸的になるように収容筒492に収容さ れている。また、フィルタ部材493と収容筒492 との間にはガスケット495が介装され、覆体499 が収容筒492に螺合することによって、フィル タ部材493は収容固定されている。
実施の形態2に係るエンドフィルタ409にあ っては、実施の形態1と同様、従来技術に比 てパーティクル混入の虞が低く、しかも簡 且つ低コストでガス中のパーティクルを帯 させ、該パーティクルを捕捉することがで る。
なお、今回開示された実施の形態はすべて
点で例示であって、制限的なものではない
本発明の範囲は、特許請求の範囲によって
され、特許請求の範囲と均等の意味及び範
内でのすべての変更が含まれる。
