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Patent Searching and Data


Title:
GAS FLOW DEVICE FOR A SYSTEM FOR THE RADIATION TREATMENT OF SUBSTRATES
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2015/039732
Kind Code:
A1
Abstract:
The invention relates to a system for the radiation treatment of substrates, which comprises at least one radiation source in a chamber above the substrate holders for loading substrates to be treated, and wherein the chamber comprises means for maintaining a gas flow in the chamber, said means having at least one gas inlet and at least one gas outlet, characterized in that the at least one gas inlet is arranged in the region of the substrate holders, such that gas flowing in through the at least one gas inlet firstly flows around the substrate holders before leaving the chamber again through the gas outlet either directly and/or after flowing round the at least one radiation source.

Inventors:
RIBEIRO, Carlos (212/D88 Nguyen Trai, Phuong Nguyen Cu Trinh Q.1, Ho Chi Minh City, VN)
Application Number:
EP2014/002406
Publication Date:
March 26, 2015
Filing Date:
September 05, 2014
Export Citation:
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Assignee:
OERLIKON SURFACE SOLUTIONS AG, TRÜBBACH (Hauptstrasse 53a, Trübbach, CH-9477, CH)
International Classes:
B05D3/06; B29B13/06; B29C35/08; B29C37/00; B29C71/04; F26B3/28; B29C35/04
Foreign References:
US4591724A1986-05-27
DE102004030674A12006-01-19
US5641451A1997-06-24
Other References:
None
Attorney, Agent or Firm:
KEMPKENS, Anke (Kanzlei Kempkens, Hofgraben 486, Landsberg am Lech, 86899, DE)
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Claims:
Ansprüche:

1. Anlage zur Strahlungsbehandlung (401 ) von Substraten, welche in einer Kammer über den Substrathaltern (1 1 , 1 Γ) zum Bestücken von zu behandelnden Substraten mindestens eine Strahlungsquelle (9, 9', 9") umfasst und die Kammer Mittel zur Aufrechterhaltung eines Gasstromes in der Kammer mit einer Gasflussvorrichtung mit zumindest einem Gaseinlass (421 , 42Γ) und zumindest einem Gasauslass (423, 405) umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasflussvorrichtung im Bereich unterhalb des Substrathalters ( 1 1 , 1 1 ') angeordnet ist und dergestalt ausgebildet ist, dass Gaseinlass (421 , 42 ) und Gasauslass (423, 405) Elemente umfassen welche sich in Stromrichtung sich verjüngende und weiter Stromabwärts sich wieder verbreiternde Strömungskanäle bilden wodurch beim Betrieb der Anlage im Wesentlichen zumindest an der Gasflussvorrichtung eine laminare Strömung herrscht und es daher nicht aufgrund von Turbulenzen zu Ablagerungen kommt. 2. Anlage nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die die Strömungskanäle bildenden Elemente aus verformbaren Platten, vorzugsweise aus Blech geformt sind.

3. Anlage nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest zwei der die Strömungskanäle bildenden Elemente im oberen Bereich (30, 30') mittels Schienen, Klammern und oder Kappen zusammengehalten werden, wodurch eine einfache Montage und oder Demontage ermöglicht ist.

4. Anlage nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die die Strömungskanäle bildenden Elemente zumindest doppelwandig sind, wobei die zumindest zwei Wände beanstandet sind wodurch ein thermisch isolierender Spalt (S) gebildet wird.

Description:
Gasstromvorrichtung für Anlage zur Strahlungsbehandlung von Substraten

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Anlage zum Bestrahlen eines Substrates mit elektromagnetischer Strahlung, wie zum Beispiel Infrarotstrahlung (IR-Strahlung) zum Trocken von Substraten und/oder ultraviolette Strahlung (UV-Strahlung) zum Vernetzen von UV-härtenden Lacken.

Solche Anlagen kommen beispielsweise als Bestandteil von Lackieranlagen zum Einsatz. Bei solchen Lackieranlagen wird in einem ersten Schritt die Substratoberfläche typischerweise gereinigt. Dies kann beispielsweise mit Hilfe von Luftdruck und/oder mit Mitteln zum ionisieren der Oberfläche gemacht werden bzw. mittels Bestrahlen der Oberfläche mit einem flüssigem Medium, wie Wasser oder wässrige bzw. alkoholische oder lösemittelhaltige Lösung, oder mit einem Festkörper, wie Strahlgut oder C0 2 , oder mittels Tauchen der Substrate in einer wässrige bzw. alkoholische oder lösemittelhaltige Lösung, eventuell unter Einwirkung von Wellen, wie Ultraschall- oder Mikrowellen.

Im Falle der Reinigung mit flüssigen Medien kann es zur sich anschliessenden Trocknung bereits zum Einsatz von IR Wärmestrahlen kommen. In einem zweiten Schritt wird dann die eigentliche Lackschicht beispielsweise mittels Aufsprühen einer Lackdispersion aufgebracht. Es folgt ein Schritt während dessen das bereits belackte Substrat ausgebacken wird. Dies kann mittels Erwärmung in Umluft und/oder mittels Beaufschlagung mit Infrarotstrahlung (IR) bei zum Beispiel 50-80°C erfolgen. Dabei wird im Wesentlichen das üblicherweise in der Lackdispersion vorhandene Lösungsmittel verdunstet. Im Falle eines heute sehr weit verbreiteten UV-härtenden Lacks, d.h. eines Lackes, der mittels UV Licht vernetzt wird, erfolgt diese Härtung in einem der Lösungsmittelverdunstung sich anschliessenden Schritt. Entsprechend der Anwendung kommen bei diesen Prozessschritten IR- und/oder UV-Lampen zum Einsatz. In der vorliegenden Beschreibung wird der Prozess der Trocknung mittels IR-Strahlung und/oder der Prozess der Vernetzung mittels UV- Strahlung einheitlich als Strahlungsbehandlung bezeichnet.

Um die freie Verflüchtigung der Lösungsmittel in die Umwelt bzw. in das Arbeitsumfeld zu verhindern, werden solche Prozesse gemäss Stand der Technik in Behandlungskammern durchgeführt. Es sollte dabei gewährleistet sein, dass es zu einem beständigen Gasaustausch

BESTÄTIGUNGSKOPIE kommt, um beispielsweise die Lösungsmittelkonzentration in der Substratumgebung niedrig zu halten und damit auch den Trocknungs- und/oder Vernetzungsprozess zu beschleunigen. Gemäss Stand der Technik wird, wie in Figur 1 schematisch dargestellt die Strahlungsbehandlung in einer geschlossenen Kammer 1 durchgeführt. Dabei werden im oberen Teil der Kammer 1 die Strahlungsquelle 9. 9', 9" vorgesehen und im unteren Teil die mit den Substraten zu bestückenden Substrathalter 1 1 , 1 Γ platziert. Gezeigt als Substrathalter sind in der Figur 1 zwei Spindeln, welche mit zu bestrahlenden Komponenten bestückt werden können. Die Platzierung der Strahlungsquellen 9, 9', 9" unterhalb der Substrathalter 1 1 , 1 1 ' wäre auch möglich, wird aber in der Regel vermieden, um nicht zu riskieren, dass die Strahlungsquellen 9, 9', 9" mit von den Substraten herabtropfenden Lackresten verschmutzt werden.

Gemäss Stand der Technik wird an der Kammerdecke ein Einströmbereich 7 vorgesehen, durch den, gespeist von einem Einlass 3, Gas wie zum Beispiel Luft in die Kammer strömt. Das Gas strömt gemäss Stand der Technik an den Strahlungsquellen 9, 9', 9"und anschliessend an den Substraten 1 1 , 1 Γ vorbei in den unteren Bereich der Kammer, wo es über den Auslass 5 aus der Kammer 1 abgesogen wird. Aufgrund dieser Anordnung gemäss Stand der Technik wirken Strömung und Gravitation zusammen, so dass Verschmutzungen, wie zum Beispiel Staub und auch Lösungsmittel effektiv abgesaugt werden. In der Figur 1 ist der Gasstrom und dessen Richtung schematisch durch Pfeile dargestellt.

Nachteilig bei der Anordnung gemäss dem Stand der Technik ist allerdings, dass der Gasstrom, welcher an den Substraten vorbeiströmt, zunächst die Strahlungsquellen passieren muss. Diese sind im Betrieb in der Regel heiss, was zu einer unkontrollierten Erwärmung des Gasstromes führt. Dies bedeutet, dass die Substrathalter 1 1 , 1 Γ mit einem Gasstrom beaufschlagt werden, welcher keine definierte Temperatur besitzt und bei dem es über die Breite der Substrathalter sogar zu Temperaturgradienten kommen kann. Der Prozess des Trocknens und oder Vernetzens wird jedoch stark von der vorherrschenden Temperatur beeinflusst. Undefinierte Temperaturbedingungen führen daher schnell zu einem unkontrollierten Prozess. Insbesondere wenn Temperaturgradienten vorliegen kommt es zu Inhomogenitäten. Die Problematik wird dadurch noch verschärft, dass die Strahlungsquellen selbst in der Regel nicht temperaturstabilisiert sind. In der Anfangsphase werden die Strahlungsquellen eher kühl sein, während sie nach längerem Betrieb doch deutlich aufheizen. Dieses Problem könnte zwar durch explizite Kühlmassnahmen an den Strahlungsquellen reduziert werden. Allerdings sind solche Massnahmen mit erheblichem technischem Aufwand verbunden und somit teuer.

Nach dem oben gesagten wäre es wünschenswert, eine Anlage zur Strahl ungsbehandlung zur Verfügung zu haben, mit der die oben geschilderten Probleme des Stand der Technik abgemildert und vorzugsweise vollständig überwunden werden.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde eine solche Anlage anzugeben. Erfindungsgemäss werden die oben geschilderten Probleme durch eine Anlage gemäss Anspruch 1 gelöst. Die abhängigen Ansprüche stellen bevorzugte Ausführungsforrnen der vorliegenden Erfindung dar. Prinzipiell wurden die Probleme erfindungsgemäss dadurch gelöst, dass in der Kammer ein Gasstrom aufgebaut wird, welcher unmittelbar nach Eintritt in die Kammer an den Substraten vorbeiströmt. Da der Gasstrom zuvor nicht an den eventuell Wärme ausstrahlenden Strahlungsquellen vorbeiströmt, ist die Temperatur des Gasstroms wohldefiniert und kann auch in einfacher Weise auf einen gewünschten stabilen Wert eingestellt werden.

Die Erfindung und deren vorteilhafte Ausführungsformen wird nun anhand von Figuren im Detail beispielhaft beschrieben.

Figur 1 zeigt eine Anlage zur Strahlungsbehandlung von Substraten gemäss dem Stand der

Technik- Figur 2 zeigt eine erfindungsgemässe Anlage zur Strahlungsbehandlung von Substraten gemäss einer ersten Ausführungsform.

Figur 3 zeigt eine erfindungsgemässe Anlage zur Strahlungsbehandlung von Substraten gemäss einer zweiten Ausführungsform.

Figur 4 zeigt eine erfindungsgemässe Anlage zur Strahlungsbehandlung von Substraten gemäss einer dritten Ausführungsform.

Figur 5 zeigt schematisch das mögliche Layout einer Lackieranlage welche

Strahlungsbehandlungskammern gemäss der vorliegenden Erfindung umfasst.

Figur 2 zeigt eine erfindungsgemässe Anlage gemäss einer ersten Ausführungsform. Gezeigt ist eine Kammer 201 in der Strahlungsquellen 9, 9', 9" und zu bestrahlende Substrate 1 1 , 1 1 ' angeordnet sind. In der Kammer ist unten, in der Nachbarschaft der Substrate 1 1 , 1 1 ' ein Gaseinlass 203 vorgesehen. Im Bereich der Kammerdecke ist gemäss dieser Ausführungsform der Gasauslass 205 vorgesehen, dem eine Deckenkammer 207 vorgeschaltet sein kann. Im Betrieb der Anlage strömt nun das Gas nach dem Eintritt in die Kammer zunächst an den Substraten 1 1 , 1 Γ vorbei, bevor es die Strahlungsquellen 9, 9', 9" umströmt und durch die optionale Deckenkammer 207 über den Gasauslass 205 hinausströmt. Auf diese Weise ist die Temperatur des an den Substraten 1 1 , 1 Γ vorbeiströmenden Gases wohldefiniert und der Prozess kann bei genau vorgegebenen und stabilen Temperaturverhältnissen stattfinden. Es ist vorteilhaft, an den Randbereichen der Kammer Einformungen 209 vorgesehen welche als Staubfänger fungieren können.

Eine zweite vorteilhafte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist in Figur 3 gezeigt. Hierbei wird eine Kammer 301 mit Strahlungsquellen 9, 9', 9" , welche über Substraten 1 1 , 1 angeordnet sind sowohl durch einen ersten Einlass 303 im unteren Bereich der Kammer, unterhalb der Substrate 1 1 , 1 Γ als auch durch einen zweiten Einlass 305 im oberen Bereich der Kammer, oberhalb der Strahlungsquellen 9, 9', 9" mit Gasflüssen beaufschlagt. Vorzugsweise auf halber Höhe der Kammer sind Auslässe 3 1 1 , 31 P vorgesehen, die bevorzugt symmetrisch angeordnet sind. Die beiden Gasströme treffen bei dieser Ausführungsform, wie in der Figur mittels Pfeile angedeutet in etwa auf halber Höhe, d.h. zwischen Strahlungsquellen 9, 9', 9" und Substraten 1 1 , 1 1 ' aufeinander und entweichen über die seitlich angeordneten Auslässe 31 1 , 31 Γ aus dem Kammerinnern. Diese besonders bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hat insbesondere den Vorteil, dass im Gasstrom mittransportierte Staubpartikel tendenziell an den Kammerrand transportiert werden. Sind dort dann noch Einformungen 309 vorgesehen, welche als Staubfänger fungieren können, so wird eventuell in der Kammer vorhandener Staub, der hauptsächlich in Richtung zu den Auslässen 31 1 , 31 1 ' transportiert wird aber unterwegs aus den Gasstrom ausscheidet, hauptsächlich in den Staubfängern aufgesammelt. Gemäss einer besonders bevorzugten Ausführungsform ist in den Einformungen 309 jeweils ein herausnehmbares Gefäss 313 vorgesehen, so dass sich in diesem Gefäss der Staub sammelt und dieser durch Herausnahme und Leerung des Gefässes einfach entsorgt werden kann. Natürlich lässt sich ein solches Gefäss auch bei den anderen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung vorteilhaft einsetzen. Vorliegend wurde eine Anlage zur Strahlungsbehandlung von Substraten offenbart, welche in einer Kammer über den Substrathaltern zum Bestücken von zu behandelnden Substraten mindestens eine Strahlungsquelle umfasst und die Kammer Mittel zur Aufrechterhaltung eines Gasstromes in der Kammer mit zumindest einen Gaseinlass und zumindest einen Gasauslass umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass der zumindest eine Gaseinlass im Bereich der Substrathalters angeordnet ist dergestalt, dass durch den zumindest einen Gaseinlass einströmendes Gas zunächst die Substrathalter umströmt bevor es entweder direkt und/oder nach Umströmung der mindestens einen Strahlungsquelle durch den Gasauslass wieder die Kammer verlässt.

Bei der Anlage kann der Gasauslass im Bereich der mindestens einen Strahlungsquelle vorgesehen sein, dergestalt, dass das Gas, nach Umströmung der Substrathalter die mindestens eine Strahlungsquelle umströmt bevor es über den Gasauslass die Kammer verlässt.

Der Gasauslass kann auf einer Höhe zwischen Substrathalter und mindestens einer Strahlungsquelle vorgesehen sein

Im Bereich der mindestens einen Strahlungsquelle kann ein zweiter Gaseinlass vorgesehen sein, dergestalt, dass durch den zweiten Gaseinlass einströmendes Gas zunächst die mindestens eine Strahlungsquelle umströmt bevor es auf das von den Substrathaltern heranströmende Gas trifft und mit diesem durch den Gasauslass aus der Kammer hinausströmt. Am unteren Kammerrand können Einformungen vorgesehen sein derart, dass im Bereich der Einformungen die Strömung herabgesetzt ist und die Einformungen dementsprechend als Staubfänger Wirkung entfalten.

Es können in den Einfomungen herausnehmbare Gefässe vorgesehen sein.

Eine dritte besonders bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist in Figur 4 gezeigt. Hierbei wird eine Kammer 401 mit Strahlungsquellen 9, 9',9", welche über Substraten 1 1 , 1 P angeordnet sind sowohl durch Einlässe 421 , 42 P im unteren Bereich der Kammer, unterhalb der Substrate 1 1 , 1 1 ' mit Gasflüssen beaufschlagt. Das oder die Gase umströmen die Substrate 1 1 , 1 1 ' und treten zum Teil durch einen Gasausiass 423 im unteren Bereich der Kammer und zum Teil durch einen Gasausiass 405 im oberen Bereich der Kammer aus. Gemäss der vorliegenden Ausfuhrungsform umfassen die Gaseinlass- und/oder Gasauslassvorrichtungen 421 ,421 ' bzw. 423 in einer Dimension sich in Strömungsrichtung verjüngende und weiter in Strömungsrichtung wieder verbreiternde Strömungskanäle dergestalt, dass im Wesentlichen zumindest an den Gasflussvorrichtungen laminarer Strömung vorliegt und es daher nicht aufgrund von Turbulenzen zu Ablagerungen (wie beispielsweise Staub oder Schmutz) kommt. Die Strömungskanäle sind in einer besonders bevorzugten Variante dieser Ausführungsform aus verformbarem Plattenmaterial, beispielsweise aus Blech geformt. In der Figur 4 sind diese jeweils doppelwandig ausgeführt gezeigt, wobei die zwei Wände durch einen Spalt S von beispielsweise 20mm voneinander beabstandet ausgeführt sind. Der Spalt bedingt eine thermische Isolation die u.a. deswegen von Vorteil ist, weil in der Kammer aufgrund der bei einer Trocknung eingesetzten heissen Luft durchaus Temperaturen von 100°C und mehr auftreten können. Das Gas strömt durch die runden Öffnungen 21 , 21 ' der Gaseinlassvorrichtungen 421 , 42 Γ ein und zum Teil durch die runden Öffnungen 23 der Gasauslassvorrichtungen 423 aus.

Gemäss einer bevorzugten Ausführungsform der dritten Variante weisen die einzelnen Gasflussvorrichtungen im oberen Teil Nasen auf die es gestatten jeweils zwei Gasflussvorrichtungen mittels beispielsweise einer Klammerschiene oder mittel Kappen 30, 30' zusammen zu halten, wodurch zum Beispiel auch die Aufrechterhaltung der Laminaren Strömung auch in diesem Bereich ermöglicht wird.

Insbesondere offenbart die vorliegende Erfindung eine Anlage zur Strahlungsbehandlung 401 von Substraten, welche in einer Kammer über den Substrathaltern 1 1 , 1 P zum Bestücken von zu behandelnden Substraten mindestens eine Strahlungsquelle 9, 9', 9" umfasst und die Kammer Mittel zur Aufrechterhaltung eines Gasstromes in der Kammer mit einer Gasflussvorrichtung mit zumindest einem Gaseinlass 421 , 42 P und zumindest einem Gasausiass 423, 405 umfasst, wobei die Gasflussvonichtung im Bereich unterhalb des Substrathalters (1 1 , 1 P) angeordnet ist und dergestalt ausgebildet ist, dass Gaseinlass 421 , 42 P und Gasausiass 423, 405 Elemente umfassen welche sich in Stromrichtung sich verjüngende und weiter Stromabwärts sich wieder verbreiternde Strömungskanäle bilden wodurch beim Betrieb der Anlage im Wesentlichen zumindest an der Gasflussvorrichtung eine laminare Strömung herrscht und es daher nicht aufgrund von Turbulenzen zu Ablagerungen kommt.

Vorzugsweise die die Strömungskanäle bildenden Elemente der Anlage zur Strahlungsbehandlung 401 sind aus verformbaren Platten, vorzugsweise aus Blech geformt.

Vorzugsweise zumindest zwei der die Strömungskanäle bildenden Elemente im oberen Bereich werden mittels Schienen, Klammern und oder Kappen 30, 30' zusammengehalten, wodurch eine einfache Montage und oder Demontage ermöglicht ist.

Vorzugsweise sind die die Strömungskanäle bildenden Elemente zumindest doppelwandig, wobei die zumindest zwei Wände beanstandet sind wodurch ein thermisch isolierender Spalt S gebildet wird.