(実施形態1)
 以下に、本発明の一実施形態の噴射手段を� ��えるレーザアニール処理装置を図1、2に基� �いて説明する。
 図1に示すように、平面方向軸(X及びY)を有� �る試料台3が図示左右方向に移動可能に設置� ��れており、該試料台3の上方に長尺なガス噴 射筒10が配置されている。該ガス噴射筒10の� �方にガラスなどにより構成されるレーザ光� �入窓11が設けられて封止されている。該レー ザ光導入窓11には、レーザ光源5より出力され たレーザ光6が光学系7を経て入射され、ガス� ��射筒10の下端に形成された長尺なガス噴射� �15を通して下方に出射されるように構成され ている。

 ガス噴射筒10は、側面にガス供給管12が接 続されており、該側面の内側にガス流路13が� ��保されている。該ガス流路13には、取付位� �が交互に上下に変わり、他端側がレーザ照� �筒10の上面または下面と隙間を有する3枚の� �魔板14a、14b、14cが間隔を置いて縦方向(例え� ��垂直)に取り付けられており、最下流の邪魔 板14cと他端側のガス噴射筒縦内面との間に確 保された空間を前記レーザ光6が通過すると� �もに、ガス流路13を流れたガスが流入して下 方のガス噴射口15へと導かれるように構成さ� ��ている。

 次に、上記レーザアニール処理装置の動作� ��ついて説明する。
 試料台3に被処理体として、基板1上に形成� �れた非晶質半導体薄膜2を設置する。レーザ� ��源5からは、パルス状に発振されたレーザ光 6(例えば波長308nm、パルス幅30nsのエキシマレ� ��ザ光)が光学系7を通過して線条となったビ� �ム(ラインビーム)となり、レーザ光導入窓11� ��よびガス噴射口15を通して非晶質半導体薄� �2の照射面に照射される。

 また、これに先立ってガス供給管12より� �囲気ガスとして窒素ガスがガス噴射筒10内に 導入され、ガス流路13を流れる。この際に側� ��から横方向に流れるガス流に対し、邪魔板1 4aの外側面が対面するので、ガスが邪魔板14a� ��衝突し、乱流状態になってガス噴射筒10の� �手方向にガスの一部が流れてガス流が均さ� �る。すなわち邪魔板14aの外側面は均流面と� �て作用する。邪魔板14aに衝突したガス流は� �魔板14aの外側面に沿って上昇し、ガス噴射� �10の上側内面に衝突し、再度乱流状態になっ てガス噴射筒10の長手方向にガスの一部が流� ��てガス流が均される。すなわちガス噴射筒1 0の上側内面は均流面として作用する。ガス� �射筒10の上側内面に衝突したガス流は、該上 側内面にそって内側に移動し、さらに邪魔板 14bの外側面に衝突し、方向を変えてガス噴射 筒10の下側内面に衝突し、さらに方向を変え� ��邪魔板14cの外側面に衝突し、方向を変えて� ��ス噴射筒10の上側内面に衝突し、その後、� �向を変えて邪魔板14cの内側の空間へと流れ� �。上記邪魔板14b、14c、ガス噴射筒10の上側内 面、下側内面との衝突においてもガス流は乱 流状態になってガス噴射筒10の長手方向にガ� ��の一部が流れてガス流が均される。したが� ��て、これら邪魔板14b、14c、ガス噴射筒10の� �側内面、下側内面も均流面として作用する� �

 上記のようにして繰り返し均流がなされた� ��ス流は、邪魔板14cの内側の空間を下降して� ��ガス噴射口15より非晶質半導体膜2のレーザ� ��照射部分近傍に照射される。
 このガス流は、上記均流によって前記長手� ��向においてガス流量、ガス流速が均等化さ� ��ており、レーザ光照射部分近傍で均等な照� ��雰囲気を形成する。

 非晶質半導体薄膜2は、前記レーザ光6の� �ルスに合わせて(1ヶ所あたり20パルス照射)移 動する試料台3によって設定した照射開始位� �に移動させた後、一定の速度にて移動しな� �らレーザ光6を照射することによってレーザ� ��6が走査されて照射面が移動し、この移動す る照射面によって非晶質半導体薄膜2の任意� �領域が結晶化される。この際に、非晶質半� �体薄膜2の照射面近傍は、上記のようにガス� ��噴射されており、酸素を効果的に除外して� ��等で良好なガス雰囲気が形成されている。� ��のガス雰囲気によって酸素が十分に除外さ� ��ていることによりレーザアニールを良好に� ��うことができる。

(実施形態2)
 上記実施形態では、ガス流路に邪魔板を設� ��することで均流面を設けたが、本発明とし� ��は均流面を設ける方法は特に限定をされる� ��のではない。
 図3は、ガス噴射筒100のガス流路をガス噴射 口105の長手方向に沿って扁平な流路断面積形 状にするとともに、該ガス流路103を複数回屈 曲させつつガス噴射口105の上方に伸張させた ものである。なお、図中101はレーザ光導入窓 、102はガス供給管を示すものである。
 ガス供給管102からガス流路103に導入された� ��スは、ガス流路が屈曲する屈曲部103a~103dに� ��る毎に、屈曲部の屈曲面に衝突して乱流を� ��じ、前記したガスの均流がなされる。すな� ��ち、ガス流路103の屈曲部103a~103dの下流近傍� ��ガス流路内面が均流面として作用している� ��

(実施形態3)
 また、均流面は、ガス流路に湾曲部を設け� ��蛇行させることで、湾曲部内面を均流面に� ��てガスの均流を図ることも可能である。
 図4は、ガス噴射筒110のガス流路をガス噴射 口115の長手方向に沿って扁平な流路断面積形 状にするとともに、該ガス流路113を蛇行させ て小さな曲率の湾曲部113a~113dを複数設けたも のである。なお、図中111はレーザ光導入窓、 112はガス供給管を示すものである。
 ガス流路113を流れるガス流は、湾曲部113a~11 3dに至る毎に湾曲部内面に衝突し、前記した� ��流作用を受ける。すなわち、ガス流路113の� ��曲部113a~113dの内面が均流面として作用して� ��る。

(実施形態4)
 上記各実施形態では、均流面について詳細� ��説明をしたが、ガス導入部の構造を工夫す� ��ことでさらに均流作用を増大させることが� ��きる。なお、以下の実施形態では、均流面� ��有するガス流路の説明については省略をし� ��、ガス導入部を詳細に説明する。
 図5では、ガス噴射口125を有するガス噴射筒 120に、ガス導入部側においてガス流路と区画 する区画壁20が設けられ、該区画壁20にガス� �射口125の長手方向において、間隔を有する� �うにガス通過部としてガス通過孔20a…20aが� �数形成されており、該区画壁20を室壁の一部 にしてガスの導入側がガス導入室21とされて� ��る。

 この実施形態では、ガス導入室21に導入� �れたガスが導入室内で拡散し、それぞれの� �ス通過孔20a…20aを通してガス流路へ送られ� �。このガスの流れによって、ガス流路に送� �れるガス流は、ガス噴射口125の長手方向に� �いてガス流量、ガス流速の均等化が図られ� �おり、さらにガス流路において前記した均� �面による作用を得ることでガス流の均等化� �一層図ることが可能になる。

(実施形態5)
 上記実施形態では、区画壁の上流側にガス� ��入室を設けてガス流の均等化を図ったが、� ��6に示すように、ガス噴射口135を有するガス 噴射筒130に区画壁23を設け、該区画壁23にガ� �通過部として設けたガス通過孔23a~23fにそれ� ��れガス供給管を接続する。各ガス供給管に� ��れぞれ流量制御弁22a~22fを設けて各ガス供給 管を流れるガスの流量を均一に制御すること で、ガス流路に前記長手方向に沿ってガスを 均等に送り出すことができる。また、ガス流 路に送り出されたガス流が前記長手方向で偏 りが生じやすい場合には、各流量制御弁22a~22 fを個別に調整することで各ガス供給管の流� �を同一に調整するのではなく、ガス流路に� �ける流れを偏りのないものにしてガス流の� �等化を図るようにしてもよい。

(実施形態6)
 また、図7に示すように、ガス噴射口145を有 するガス噴射筒140に前記実施形態で説明した ガス導入室21を設け、このガス導入室21に、� �ス供給管24を配置し、このガス供給管24に前� ��長手方向に沿ってガスが流出するようにガ� ��通気孔24a…24aを間隔を置いて形成する。な� ��、ガス通気孔に変えて前記長手方向に沿っ� ��スリットを設けることも可能である。
 なお、ガス通気孔24a…24aやスリットでは、� ��り出されるガスが直接に前記ガス通過孔20a� ��20aに向けて移動しないように、前記ガス通� ��孔20a…20aに向かないように前記ガス通気口2 4aやスリットを形成し、好適には通過孔20a…2 0aに背を向けるように通気孔またはスリット� ��形成する。これによりガス供給管24から送� �出されるガスは、ガス導入室21内で前記長手 方向に拡散した後、前記ガス通過孔20a…20aを 通過してガス流路に送出されるので、前記長 手方向におけるガス流の均等化が一層なされ る。

 以上、本発明について上記各実施形態に� ��づいて説明を行ったが、本発明は、上記実� ��形態の説明に限定をされるものではなく、� ��発明の範囲を逸脱しない範囲で当然に適宜� ��変更が可能である。