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Title:
GAS PROCESSING APPARATUS
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2008/087944
Kind Code:
A1
Abstract:
Honeycomb structures (4) are arranged at intervals along a direction from the inlet to the outlet of a duct (1). An upstream electrode (8) is arranged in the upstream of the honeycomb structure (4-1) arranged in the most upstream among the honeycomb structures (4), and a downstream electrode (9) is arranged in the downstream of the honeycomb structure (4-4) arranged in the most downstream. A high voltage is applied between the upstream electrode (8) and the downstream electrode (9), and plasma is generated in a space gap (12) between a through hole (4a) of the honeycomb structure (4) and the honeycomb structure (4).

More Like This:
Inventors:
OYA, Yasuhiro (2-7-3 Marunouch, Chiyoda-ku Tokyo 19, 1006419, JP)
大矢 康裕 (〒19 東京都千代田区丸の内2丁目7番3号 株式会社 山武内 Tokyo, 1006419, JP)
IWATA, Masayuki (2-7-3 Marunouch, Chiyoda-ku Tokyo 19, 1006419, JP)
Application Number:
JP2008/050371
Publication Date:
July 24, 2008
Filing Date:
January 15, 2008
Export Citation:
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Assignee:
YAMATAKE CORPORATION (2-7-3, Marunouchi Chiyoda-ku Tokyo, 19, 1006419, JP)
株式会社 山武 (〒19 東京都千代田区丸の内2丁目7番3号 Tokyo, 1006419, JP)
OYA, Yasuhiro (2-7-3 Marunouch, Chiyoda-ku Tokyo 19, 1006419, JP)
大矢 康裕 (〒19 東京都千代田区丸の内2丁目7番3号 株式会社 山武内 Tokyo, 1006419, JP)
International Classes:
A61L9/00; B01D53/38; B01J19/08
Domestic Patent References:
WO2004114729A1
WO2005001249A1
Foreign References:
JPH03237982A
JP2006261040A
JP2006175422A
Attorney, Agent or Firm:
YAMAKAWA, Masaki et al. (8th Floor Shuwa-Tameike Building,4-2, Nagatacho 2-chom, Chiyoda-ku Tokyo 14, 1000014, JP)
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Claims:
 通風路内に間隔を設けて配置され、前記通風路内を流れる処理対象ガスが通過する多数の貫通孔を有する複数の多孔体と、
 前記複数の多孔体のうち前記処理対象ガスの通過方向の最も上流に配置される多孔体の上流側に配置される上流側電極と、
 前記複数の多孔体のうち前記処理対象ガスの通過方向の最も下流に配置される多孔体の下流側に配置される下流側電極と、
 前記上流側電極と前記下流側電極との間に高電圧を印加し前記多孔体の貫通孔および前記多孔体間の空間にプラズマを発生させる高電圧印加手段と
 を備えることを特徴とするガス処理装置。
 請求項1に記載されたガス処理装置において、
 前記複数の多孔体は、
 前記通風路の入口から出口に向かう方向に沿って間隔を設けて配置されている
 ことを特徴とするガス処理装置。
 請求項1に記載されたガス処理装置において、
 前記複数の多孔体は、
 前記通風路の入口から出口に向かう方向に対し直交する方向に沿って間隔を設けて配置されている
 ことを特徴とするガス処理装置。
 請求項1に記載されたガス処理装置において、
 前記高電圧印加手段は、
 前記上流側電極と前記下流側電極との間に休止期間を設けて高電圧を断続的に印加する
 ことを特徴とするガス処理装置。
 請求項1に記載されたガス処理装置において、
 前記各多孔体の単位面積当たりの貫通孔の数が異なっていることを特徴とするガス処理装置。
 請求項1に記載されたガス処理装置において、
 前記多孔体間の間隔が異なっていることを特徴とするガス処理装置。
 請求項1に記載されたガス処理装置において、
 前記多孔体間の間隔が調整可能とされていることを特徴とするガス処理装置。
 請求項1に記載されたガス処理装置において、
 前記多孔体の下流位置で特定ガスのガス濃度を検出する特定ガス濃度検出手段と、
 この特定ガス濃度検出手段によって検出された特定ガスのガス濃度が予め定められた閾値を超えたか否かを判定する特定ガス濃度レベル判定手段と、
 この特定ガス濃度レベル判定手段によって前記特定ガスのガス濃度が前記閾値を超えたと判定された場合に、その特定ガスのガス濃度が前記閾値内に収まるように、前記多孔体間の間隔を調整する多孔体間隔調整手段と
 を備えることを特徴とするガス処理装置。
 請求項3に記載されたガス処理装置において、
 前記処理対象ガスの流れを妨害して乱流を生じさせる乱流壁を備えることを特徴とするガス処理装置。
 請求項1に記載されたガス処理装置において、
 前記高電圧印加手段は、
 前記上流側電極と前記下流側電極とが配置された複数の多孔体を1群の多孔体群とし、各多孔体群の上流側電極と下流側電極との間に個別に高電圧を印加し、前記多孔体の貫通孔および前記多孔体間の空間にプラズマを発生させる
 ことを特徴とするガス処理装置。
 請求項10に記載されたガス処理装置において、
 前記高電圧印加手段は、前記各多孔体群の上流側電極と下流側電極との間に電圧値が異なる高電圧を印加する
 ことを特徴とするガス処理装置。
 請求項10に記載されたガス処理装置において、
 前記高電圧印加手段は、前記各多孔体群の上流側電極と下流側電極との間に電圧種別が異なる高電圧を印加する
 ことを特徴とするガス処理装置。
 請求項10に記載されたガス処理装置において、
 前記高電圧印加手段は、前記各多孔体群の上流側電極と下流側電極との間に周波数が異なる高電圧を印加する
 ことを特徴とするガス処理装置。
 請求項10に記載されたガス処理装置において、
 前記高電圧印加手段は、前記多孔体群間で高電圧が印加されている期間と印加されていない期間とが重なる休止期間が生じるように、前記各多孔体群の上流側電極と下流側電極との間に高電圧を印加する
 ことを特徴とするガス処理装置。
 請求項1に記載されたガス処理装置において、
 前記多孔体は、ハニカム構造体である
 ことを特徴とするガス処理装置。

                                                                                
Description:
ガス処理装置

 この発明は、処理対象ガスに含まれる有 ガスを浄化するガス処理装置に関するもの ある。

 従来より、排気ガス中で高電圧放電を行 てプラズマ状態を作ることで、排気ガスに まれる有害ガスの浄化を行う技術が知られ いる。近年、この技術は、脱臭を目的とし 、工場の排気を浄化する浄化装置や室内の 気を浄化する空気清浄機に応用されつつあ 。

 熱的に非平衡な状態、つまり気体の温度 イオン温度に比べ、電子温度が非常に高い 態のプラズマ(非平衡プラズマ(以下、単に ラズマと言う))は、電子衝突でつくられるイ オンやラジカルが常温では起こらない化学反 応を促進させるので、有害ガスを効率的に除 去あるいは分解することが可能な媒体として 有害ガス処理において有用であると考えられ ている。実用化で肝心なことは、処理時のエ ネルギーの効率の向上と、プラズマで処理し た後に完全に安全な生成物質へと変換される ことである。

 一般に、大気圧でのプラズマは気体放電や 子ビームなどによって生成される。現在に いて、適用が考えられているものに、窒素 化物(NOx)、硫黄酸化物(SOx)、フロン、CO ,揮発性有機溶剤(VOC)などがある。中でもNOxは 車の排ガスなどに含まれているので早急な実 用化が必要となっている。

 NOx除去における放電プラズマ(気体放電によ って生成されたプラズマ)内の現象は、電子 突によって1次的に生成されたイオンやラジ ルが最初の反応を起こし、その後の反応を してN ,H O,NH NO などの各粒子に変換されて行くものと考えら れている。

 また、有害ガスを例えばアセトアルデヒド ホルムアルデヒドとした場合、この有害ガ をプラズマを通すことによって、CO とH Oに変換される。この場合、副生成物として オゾン(O )が発生する。

 図24に放電プラズマを利用した従来のガ 処理装置の要部を例示する(例えば、文献1( 開2000-140562号公報)参照)。同図において、101 処理対象ガス(有害ガスを含む空気)GSが流れ るダクト(通風路)であり、ダクト101内には、 クト1の入口から出口へ向かう方向に沿って 放電電極102とアース電極103とが交互に配置さ れ、これら電極102,103間にセルと呼ばれる多 の貫通孔104aを有するハニカム構造体4が配設 されている。貫通孔104aはハニカム構造体4に の巣状に設けられている。105は高電圧電源 ある。なお、ハニカム構造体104はセラミッ ス等の絶縁体で形成されており、文献2(特 2001-276561号公報)にもその使用例がある。

 放電電極102は、金属製メッシュ、極細ワ ヤ、または針状体等で形成されている。各 電電極102は、導線106によって高電圧電源105 +極に接続されている。アース電極103は、金 属性メッシュ等で形成されている。各アース 電極103は、導線107によって高電圧電源105の- に接続されている。

 このガス処理装置では、処理対象ガスGS ダクト101に流し、放電電極102とアース電極10 3との間に高電圧電源105からの高電圧(数kV~数1 0kV)を印加する。これにより、各ハニカム構 体104の貫通孔104a内にプラズマが発生し、こ プラズマ中に生成されるイオンやラジカル よって、処理対象ガスGSに含まれる有害ガ が無害な物質に分解される。

 しかしながら、上述した従来のガス処理 置では、次の(1)~(3)のような問題があった。

 (1)多数のハニカム構造体104を有するが、 らつきなく均一なプラズマを発生させる技 が確立されておらず、ハニカム構造体104の 能にばらつきが出てしまう。例えば、同じ ニカム構造体104同士でもインピータンス値 異なることがあり、また1つのハニカム構造 体104内でも例えばその上下でインピーダンス 値が異なるというようなこともあり、全体と して均一なプラズマが発生せず、ガス処理能 力が不安定となる。また、貫通孔104aだけで プラズマ発生なので、プラズマの発生量が なく、ガス処理能力が低い。

 (2)ハニカム構造体104は吸湿すると低イン ーダンスに、乾燥すると高インピーダンス なる特性を持っており、ハニカム構造体104 低インピーダンスになると、流れる電流が 大し放電電極102とアース電極103との間に印 される高電圧値が低下し、ハニカム構造体1 04が高インピーダンスになると、流れる電流 減少し放電電極102とアース電極103との間に 加される高電圧値が上昇する。このような 電圧値の変化に対し、所望のプラズマの発 量を確保し得る高電圧値を得ることのでき 高電圧電源105は、その設計に要する工数も めて非常に高価となる。

 (3)ハニカム構造体104のそれぞれに対して 電電極102とアース電極103を設けているため 部品点数が多く、構造も複雑となり、高価 なる。

 本発明は、このような課題を解決するた になされたもので、その目的とするところ 、安定したガス処理能力と高いガス処理能 とを備えたガス処理装置を安価に提供する とにある。

 このような目的を達成するために、本発 は、通風路内に間隔を設けて配置され、通 路内を流れる処理対象ガスが通過する多数 貫通孔を有する複数の多孔体と、複数の多 体のうち処理対象ガスの通過方向の最も上 に配置される多孔体の上流側に配置される 流側電極と、複数の多孔体のうち処理対象 スの通過方向の最も下流に配置される多孔 の下流側に配置される下流側電極と、上流 電極と下流側電極との間に高電圧を印加し 孔体の貫通孔および多孔体間の空間にプラ マを発生させる高電圧印加手段とを設けた のである。

 この発明によれば、通風路内に複数の多 体(例えば、ハニカム構造体)が間隔を設け 配置され、この複数の多孔体のうち処理対 ガスの通過方向の最も上流に配置される多 体の上流側に上流側電極が配置され、最も 流に配置される多孔体の下流側に下流側電 が配置され、上流側電極と下流側電極との に高電圧が印加される。この高電圧の印加 より、多孔体の貫通孔および多孔体間の空 にプラズマが発生し、このプラズマを通過 る際に処理対象ガスに含まれる有害ガスが 害な物質に分解される。

 この発明において、プラズマは多孔体の 通孔だけではなく、多孔体間の空間(空気層 )にも発生する。このため、貫通孔内での有 ガスの分子分解効果に加え、多孔体間の空 での有害ガスの分子分解効果が加わり、さ にこの貫通孔内での分子分解効果と多孔体 の空間での分子分解効果との相乗効果によ 、有害ガスの無害な物質への分解が促進さ る。また、多孔体間の空間には、均一なプ ズマが大量に発生する。

 また、この発明において、多孔体間には空 層が設けられるので、上流側電極と下流側 極との間のインピーダンスが安定し、多孔 の吸湿・乾燥によるインピーダンス変化に して流れる電流の変化が小さくなり、専用 設計された特殊な高電圧電源を使用する必 がなくなる。
 また、この発明において、電極は上流側電 と下流側電極の2個の電極のみでよく、多孔 体毎に電極を配置する必要がなくなり、部品 点数が削減され、構造が簡単となり、組立工 数も少なくて済む。

 本発明によれば、通風路内に複数の多孔 を間隔を設けて配置し、この複数の多孔体 うち処理対象ガスの通過方向の最も上流に 置される多孔体の上流側に上流側電極を配 し、最も下流に配置される多孔体の下流側 下流側電極を配置し、上流側電極と下流側 極との間に高電圧を印加するようにしたの 、多孔体の貫通孔だけではなく、多孔体間 空間にもプラズマが発生するものとなり、 通孔内での有害ガスの分子分解効果に加え 多孔体間の空間での有害ガスの分子分解効 が加わり、さらにこの貫通孔内での分子分 効果と多孔体間の空間での分子分解効果と 相乗効果により、有害ガスの無害な物質へ 分解が促進され、ガス処理能力が高まる。 た、多孔体間の空間には、均一なプラズマ 大量に発生するので、ガス処理能力が安定 る。

 また、本発明によれば、多孔体間に空気層 設けられるので、上流側電極と下流側電極 の間のインピーダンスが安定し、多孔体の 湿・乾燥によるインピーダンス変化に対し 流れる電流の変化が小さくなり、専用に設 された特殊な高電圧電源を使用する必要が くなり、市販されている安価な高電圧電源 用いることができるようになる。
 また、本発明によれば、上流側電極と下流 電極の2個の電極のみでよく、多孔体毎に電 極を配置する必要がない。これにより、部品 点数が削減され、構造が簡単となり、組立工 数も少なくて済み、コストダウンが図られる 。

図1は、本発明に係るガス処理装置の一 実施例(実施例1)の要部を示す図である。 図2は、実施例1のガス処理装置におい ハニカム構造体間の間隔を異ならせるよう した例(実施例2)を示す図である。 図3は、実施例1のガス処理装置におい ハニカム構造体間の間隔を自動で調整する うにした場合の応用例(実施例4)を示す図で る。 図4は、本発明に係るガス処理装置の他 の実施例(実施例5)の要部を示す図である。 図5は、実施例5のガス処理装置におい ハニカム構造体間の間隔を異ならせるよう した例を示す図である。 図6は、実施例5のガス処理装置におい ハニカム構造体間の間隔を自動で調整する うにした場合の応用例を示す図である。 図7は、実施例5のガス処理装置におい ダクトの入口から出口へ向かう方向(長さ方 )に貫通孔を有するハニカム構造体を用いた 例(実施例6)を示す図である。 図8は、実施例5のガス処理装置におい ハニカム構造体間の空間ギャップに乱流壁 設けた例(実施例7)を示す図である。 図9は、実施例5のガス処理装置におい ハニカム構造体間の貫通孔に乱流壁を設け 例(実施例7)を示す図である。 図10は、本発明に係るガス処理装置の の実施例(実施例8)の要部を示す図である。 図11は、実施例8のガス処理装置におい てダクトの入口から出口へ向かう方向に対し 直交する方向に沿って複数のハニカム構造体 をダクト内に設けるようにした例を示す図で ある。 図12は、実施例8のガス処理装置におい て高電圧電源を交流の高電圧電源同士の組合 せとした例(実施例9)を示す図である。 図13は、本発明に係るガス処理装置の 実施例(実施例10)の要部を示す図である。 図14は、実施例10のガス処理装置の上 側電極と下流側電極との間に休止期間を設 て断続的に印加される高電圧Vの印加タイミ グを示す図である。 図15は、本発明に係るガス処理装置の の実施例(実施例11)の要部を示す図である。 図16は、実施例11のガス処理装置の第1 ハニカム構造体群に印加される高電圧VAと 2のハニカム構造体群に印加される高電圧VB 印加タイミングを示す図である。 図17は、高電圧VAが印加されない休止 間T1を高電圧VBが印加されない休止期間T2よ も長くするようにした例を示す図である。 図18は、高電圧VAとVBをその一部が重な るように印加するようにした例を示す図であ る。 図19は、本発明に係るガス処理装置の の実施例(実施例12)の要部を示す図である。 図20は、実施例4のガス処理装置の第1 ハニカム構造体群に印加される高電圧VAと第 2のハニカム構造体群および第3のハニカム構 体群に印加される高電圧VBおよびVCの印加タ イミングを示す図である。 図21は、第1のハニカム構造体群への高 電圧VAと第2のハニカム構造体群への高電圧VB 第3のハニカム構造体群への高電圧VCとを順 にずらして印加するようにした例を示す図 ある。 図22は、高電圧電源を交流の高電圧電 同士の組合せとした例(実施例13)を示す図で ある。 図23は、実施例13のガス処理装置の第1 ハニカム構造体群に印加される交流の高電 VAと第2のハニカム構造体群に印加される交 の高電圧VBの印加タイミングを示す図であ 。 図24は、放電プラズマを利用した従来 ガス処理装置の要部を例示する図である。

 以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明 る。
〔実施例1〕
 図1はこの発明に係るガス処理装置の一実施 例(実施例1)の要部を示す図である。

 この実施例1では、ダクト1内にダクト1の 口から出口へ向かう方向に沿って所定の間 G(G1,G2,G3)を設けてハニカム構造体4(4-1~4-4)を 置し、このハニカム構造体4のうち最も上流 に配置されるハニカム構造体4-1の上流側に上 流側電極8を、最も下流に配置されるハニカ 構造体4-4の下流側に下流側電極9を配置し、 流側電極8を導線16によって高電圧電源5の+ に接続し、下流側電極9を導線17によって高 圧電源5の-極に接続している。この実施例1 は、高電圧電源5と導線16,17とで高電圧印加 段20が構成されている。

 ハニカム構造体4は、セラミックス等の絶 縁体で形成されており、処理対象ガスGSが通 する多数の貫通孔(セル)4aを有している。各 ハニカム構造体4の単位面積当たりの貫通孔4a の数は等しくされている。すなわち、この実 施例1では、単位面積当たりの貫通孔4aの数が 等しい同一種類のハニカム構造体4-1~4-4を使 している。上流側電極8および下流側電極9は 、処理対象ガスGSが通過するように、金属製 ッシュとされている。

 また、この実施例1において、ハニカム構 造体4-1と4-2との間の間隔G1と、ハニカム構造 4-2と4-3との間の間隔G2と、ハニカム構造体4- 3と4-4との間の間隔G3とは等しく、例えば0.5mm~ 数mmとされている。これにより、ハニカム構 体4-1と4-2との間に空気層12-1が形成され、ハ ニカム構造体4-2と4-3との間に空気層12-2が形 され、ハニカム構造体4-3と4-4との間に空気 12-3が形成されている。以下、空気層12(12-1~12 -3)を空間ギャップと呼ぶ。

 このガス処理装置では、処理対象ガスGS ダクト1内に流し、上流側電極8と下流側電極 9との間に高電圧電源5からの高電圧(数kV~数10k V)を印加する。これにより、ハニカム構造体4 の貫通孔4aおよびハニカム構造体4間の空間ギ ャップ12にプラズマが発生し、このプラズマ に生成されるイオンやラジカルによって、 理対象ガスGSに含まれる有害ガスが無害な 質に分解される。

 このガス処理装置において、プラズマは ニカム構造体4の貫通孔4aだけではなく、ハ カム構造体4間の空間ギャップ12にも発生す 。このため、貫通孔4a内での有害ガスの分 分解効果に加え、ハニカム構造体4間の空間 ャップ12での有害ガスの分子分解効果が加 り、さらにこの貫通孔4a内での分子分解効果 とハニカム構造体4間の空間ギャップ12での分 子分解効果との相乗効果により、有害ガスの 無害な物質への分解が促進され、ガス処理能 力が高まる。また、ハニカム構造体4間の空 ギャップ12には、対向する貫通孔4aの縁面か 電界が広がって、均一なプラズマが大量に 生する。これにより、貫通孔4a内に発生す プラズマのばらつきによる影響が小さくな 、ガス処理能力が安定する。

 また、このガス処理装置において、ハニ ム構造体4間には空気層である空間ギャップ 12が設けられるので、この空間ギャップ12に り上流側電極8と下流側電極9との間のインピ ーダンスが安定し、ハニカム構造体の吸湿・ 乾燥によるインピーダンス変化に対して流れ る電流の変化が小さくなる。これにより、上 流側電極8と下流側電極9との間に加わる高電 値の変化が小さくなり、高電圧電源5として 、専用に設計された特殊な高電圧電源ではな く、市販されている安価な高電圧電源を使用 することができるようになる。

 また、このガス処理装置において、電極 上流側電極8と下流側電極9の2個の電極のみ よく、ハニカム構造体4毎に電極を配置する 必要がない。これにより、部品点数が削減さ れ、構造が簡単となり、組立工数も少なくて 済み、コストダウンが図られる。

〔実施例2〕
 実施例1では、ハニカム構造体4-1~4-4の単位 積当たりの貫通孔4aの数を等しくしたが、ハ ニカム構造体4-1~4-4の単位面積当たりの貫通 4aの数を選択的に異ならせるようにしてもよ い。例えば、ハニカム構造体4-1,4-2について 単位面積当たりの貫通孔4aの数を少なし、ハ ニカム構造体4-3,4-4については単位面積当た の貫通孔4aの数を多くするようにしたり、ハ ニカム構造体4-1,4-2,4-3,4-4の順で単位面積当た りの貫通孔4aの数を多くするなどとしてもよ 。

 ハニカム構造体4-1,4-2,4-3,4-4の順で単位面 当たりの貫通孔4aの数を多くすると、ハニ ム構造体4-1,4-2,4-3,4-4の順でプラズマの発生 が大きくなり、各ハニカム構造体4で分解可 な有害ガスの種類を異ならせることが可能 なる。

 例えば、その分子が持つエネルギー準位 順に高い有害ガスA,B,C,Dが処理対象ガスGSに まれていたものとした場合、処理対象ガスG Sに含まれる有害ガスAをハニカム構造体4-1で 解し、処理対象ガスGSに含まれる有害ガスB ハニカム構造体4-2で分解し、処理対象ガスG Sに含まれる有害ガスCをハニカム構造体4-3で 解し、処理対象ガスGSに含まれる有害ガスD ハニカム構造体4-4で分解するなど、各ハニ ム構造体4で分解可能な有害ガスの種類を異 ならせることができる。

 この場合、ハニカム構造体4-2での有害ガ Bの分解に際し、ハニカム構造体4-1によって 分解しきれなかった有害ガスAの分解が行わ 、ハニカム構造体4-3での有害ガスCの分解に し、ハニカム構造体4-1,4-2で分解しきれなか った有害ガスA,Bの分解が行われ、ハニカム構 造体4-4での有害ガスDの分解に際し、ハニカ 構造体4-1,4-2,4-3で分解しきれなかった有害ガ スA,B,Cの分解が行われる。

 このような方法とすると、1つのハニカム 構造体4で全ての有害ガスA,B,C,Dの分解を行う うにした場合よりも、有害ガスの分解に際 て発生する副生成物(例えば、オゾン)の発 量を少なくすることができる。

〔実施例3〕
 実施例2では、ハニカム構造体4-1~4-4の単位 積当たりの貫通孔4aの数を選択的に異ならせ るようにしたが、図2に示すように、ハニカ 構造体4間の間隔G(G1,G2,G3)を異ならせるよう してもよい。

 このようにすると、空間ギャップ12(12-1,12 -2,12-3)でのプラズマの発生量が異なるものと り、ハニカム構造体4-1~4-4の単位面積当たり の貫通孔4aの数を選択的に異ならせた場合と 様の作用・効果を得ることができる。この 合、ハニカム構造体4-1~4-4を単位面積当たり の貫通孔4aの数が等しい同一種類のハニカム 造体とすることができるので、部品の種類 増やさずに済む。

 また、この実施例3において、ハニカム構 造体4間の間隔Gを調整可能な構造とすれば、 動でハニカム構造体4間の間隔Gを調整した 、自動でハニカム構造体4間の間隔Gを調整し たりして、空間ギャップ12でのプラズマの発 量を変え、処理対象ガスGSに含まれる有害 スの種類が運用途中で変わるような場合に 柔軟に対処することが可能となる。

〔実施例4〕
 図3にハニカム構造体4間の間隔Gを自動で調 するようにした場合の応用例(実施例4)を示 。この実施例4では、ハニカム構造体4-4の下 流位置にオゾンの濃度を検出するオゾン検出 手段13を設け、このオゾン検出手段13が検出 るオゾンの濃度をオゾンレベル判定手段14へ 与えるようにしている。

 オゾンレベル判定手段14は、オゾン検出 段13からのオゾンの濃度Opvと予め設定されて いる閾値Othとを比較し、オゾン検出手段13か のオゾンの濃度Opvが閾値Othを超えている場 、オゾンの濃度Opvが閾値Oth内に収まるよう 、ハニカム間ギャップ調整手段15に指令を り、ハニカム構造体4間の間隔Gを自動調整す る。

 これにより、有害ガスの分解処理後の処理 象ガスGSに含まれるオゾンの濃度を閾値Oth 下とすることが可能となり、有害ガスの分 処理後の処理対象ガスGSが排出される環境へ のオゾンの排出量を少なくすることができる 。
〔実施例5〕
 図4にこの発明に係るガス処理装置の他の実 施例(実施例5)の要部を示す。この実施例5で 、ダクト1内にダクト1の入口から出口へ向か う方向に対し直交する方向に沿って所定の間 隔G(G1,G2,G3)を設けてハニカム構造体4(4-1~4-4)を 配置し、このハニカム構造体4のうちダクト1 入口から出口へ向かう方向に対し直交する 向の一端に配置されるハニカム構造体4-1の 側に第1の電極8を、ダクト1の入口から出口 向かう方向に対し直交する方向の他端に配 されるハニカム構造体4-4の外側に第2の電極 9を配置し、第1の電極8を導線16によって高電 電源5の+極に接続し、第2の電極9を導線17に って高電圧電源5の-極に接続している。

 この実施例5においても、ハニカム構造体 4-1~4-4の単位面積当たりの貫通孔4aの数を選択 的に異ならせるようにしたり、ハニカム構造 体4間の間隔G(G1,G2,G3)を異ならせるようにした り(図5参照)、ハニカム構造体4-1~4-4の下流位 にオゾンの濃度を検出するオゾン検出手段13 を設け(図6参照)、このオゾン検出手段13が検 するオゾンの濃度をオゾンレベル判定手段1 4へ与えるようにしてもよい。

〔実施例6〕
 実施例5では、ダクト1のダクト1の入口から 口へ向かう方向に対し直交する方向(厚さ方 向)に貫通孔4aを有するハニカム構造体4を用 たが、図7に示すように、ダクト1の入口から 出口へ向かう方向(長さ方向)に貫通孔4a’を するハニカム構造体4’を用いるようにして よい。このようなハニカム構造体4’を用い ると、処理対象ガスGSが貫通孔4a’内でプラ マに晒される時間がさらに長くなり、ガス 理能力のさらなる向上が図られる。

〔実施例7〕
 実施例5(図4)において、ハニカム構造体4間 空間ギャップ12やハニカム構造体4の貫通孔4a 内に、処理対象ガスGSの流れを妨害して乱流 生じさせる乱流壁を設けるようにしてもよ 。図8にハニカム構造体4間の空間ギャップ12 に乱流壁30を設けた例を、図9にハニカム構造 体4の貫通孔4a内に乱流壁31を設けた例を示す このような乱流壁30,31を設けることにより 処理対象ガスGSのプラズマ内での滞留時間を 稼ぐことができ、ガス処理をさらに高効率で 行うことができるようになる。

 なお、図3や図6に示した例では、ハニカ 構造体4-1~4-4の下流位置でオゾンの濃度を検 するようにしているが、ハニカム構造体4間 の空間ギャップ12においてオゾンの濃度を検 するようにしてもよい。

 また、図3や図6に示した例では、有害ガ の分解処理後の処理対象ガスGSに含まれるオ ゾン、すなわち副生成物として発生するオゾ ンを特定ガスとし、この特定ガスの濃度が閾 値内に収まるようにハニカム構造体4間の間 Gを調整するようにしているが、特定ガスは ゾンに限られるものではなく、有害ガスA,B, C,Dなどを特定ガスとするようにしてもよい。

 また、上述した実施例1~7では、高電圧電 5を直流としているが、交流としたり、パル ス電源を用いるなどとしてもよい。

〔実施例8〕
 図10にこの発明に係るガス処理装置の他の 施例(実施例8)の要部を示す。この実施例8で 、ダクト1内の複数のハニカム構造体4のう 隣り合うハニカム構造体4-1と4-2を第1のハニ ム構造体群4Aとし、この第1のハニカム構造 群4Aの両端に位置するハニカム構造体4-1お び4-2の外側に、第1の電極(上流側電極)とし 電極8を、第2の電極(下流側電極)として電極9 を配置している。

 同様にして、ダクト1内の複数のハニカム 構造体4のうち隣り合うハニカム構造体4-3と4- 4を第2のハニカム構造体群4Bとし、この第2の ニカム構造体群4Bの両端に位置するハニカ 構造体4-3および4-3の外側に、第1の電極(上流 側電極)として電極9を、第2の電極(下流側電 )として電極10を配置している。

 なお、この実施例8において、電極9は第1 ハニカム構造体群4Aの下流側電極と第2のハ カム構造体群4Bの上流側電極とを兼ねた共 電極とされているが、第1のハニカム構造体 4Aの下流側電極と第2のハニカム構造体群4B 上流側電極とを独立した電極とするように てもよい。

 電極8,9および10は、処理対象ガスGSが通過 するように、金属製メッシュとされている。 また、この実施例8において、高電圧電源5は 電圧値が異なる第1の高電圧電源5-1と第2の 電圧電源5-2とから構成され、電極8が導線16 よって高電圧電源5-1の+極に接続され、電極9 が導線18によって高電圧電源5-1の-極および高 電圧電源5-2の+極に接続され、電極10が導線17 よって高電圧電源5-2の-極に接続されている 。この実施例8では、第1の高電圧電源5-1と第2 の高電圧電源5-2と導線16~18とによって高電圧 加手段21が構成されている。

 このガス処理装置では、処理対象ガスGS ダクト1内に流し、電極8と9との間に高電圧 源5-1からの高電圧を、電極9と10との間に高 圧電源5-2からの高電圧を印加する。これに り、ハニカム構造体4の貫通孔4aおよびハニ ム構造体4間の空間ギャップ12にプラズマが 生し、このプラズマ中に生成されるイオン ラジカルによって、処理対象ガスGSに含まれ る有害ガスが無害な物質に分解される。

 このガス処理装置では、第1のハニカム構 造体群4Aの上流側電極8と下流側電極9との間 第1の高電圧電源5-1からの高電圧を、第2のハ ニカム構造体群4Bの上流側電極9と下流側電極 10との間に第2の高電圧電源5-2からの高電圧を 個別に印加しているので、空間ギャップ12-1,1 2-2での電位を安定的に高電界状態に保ち、プ ラズマを安定して発生させることが可能とな り、従来のような単一電源を用いる場合に比 べてガス処理能力を向上させることが可能と なる。

 また、このガス処理装置では、高電圧電 5-1からの高電圧と高電圧電源5-2からの高電 を異なる値とすることにより、第1のハニカ ム構造体群4Aと第2のハニカム構造体群4Bとで ラズマの発生量を変えて、分解可能な有害 スの種類を異ならせたりすることが可能と る。

 この実施例8においても、図11に示すよう 、ダクト1の入口から出口へ向かう方向に対 し直交する方向に沿って複数のハニカム構造 体4をダクト1内に設けるようにしてもよい。

〔実施例9〕
 実施例8では、高電圧電源5として、直流の 電圧電源5-1と5-2との組合せ(DC+DC)としたが、 流の高電圧電源同士の組合せ(AC+AC)としたり 、直流と交流の高電圧電源の組合せ(DC+AC)と たり、パルス電源と交流電源との組合せ(パ ス+AC)としたするなどしてもよい。また、交 流の高電圧電源を用いた場合、周波数を異な らせるなどしてもよい。また、ハニカム構造 体群の数を増やし、個別に印加する高電圧電 源の種類をさらに増やしたり、周波数を異な らせたりするようにしてもよい。電圧種別を 異ならせたり、周波数を異ならせたりするこ とにより、ハニカム構造体4間の空間の電位 複雑な高電界状態にして、プラズマを安定 て発生させることが可能となる。

 図12に高電圧電源5を交流の高電圧電源同 の組合せとした例(実施例9)を示す。この例 は、第1の高電圧電源として交流の高電圧電 源5-3を用い、第2の高電圧電源として交流の 電圧電源5-4を用いている。この例において 高電圧電源5-3と5-4の周波数を変えると、空 ギャップ12(12-1,12-2)内を複雑な高電界状態と 、全体として空間ギャップ12にプラズマが 生しない休止期間を少なくすることができ 安定してプラズマを発生させることが可能 なる。

〔実施例10〕
 図13はこの発明に係るガス処理装置の他の 施例(実施例10)の要部を示す図である。この 施例10では、下流側電極9と高電圧電源5の- との間の導線17に、抵抗R1とトランジスタTr1 コレクタとの間に接続されたリレーRyの常 接点Saを挿入接続している。トランジスタTr1 のエミッタは接地されており、トランジスタ Tr1のベースに所定時間幅TWのパルス信号を所 周期で与えるようにしている。

 この実施例10では、高電圧電源5と、常開 点Saを含むリレーRyと、抵抗R1と、トランジ タTr1と、導線16,17とによって、高電圧印加 段22が構成されている。

 このガス処理装置では、処理対象ガスGS ダクト1内に流し、上流側電極8と下流側電極 9との間に高電圧電源5からの高電圧(数kV~数10k V)Vを印加する。この上流側電極8と下流側電 9との間への高電圧Vの印加は、トランジスタ Tr1のベースに所定周期で与えられる所定時間 幅TWのパルス信号により、図14に示すように 休止期間Tを設けて断続的に行われる。

 この高電圧Vの印加により、ハニカム構造 体4の貫通孔4aおよびハニカム構造体4間の空 ギャップ12にプラズマが発生し、このプラズ マ中に生成されるイオンやラジカルによって 、処理対象ガスGSに含まれる有害ガスが無害 物質に分解される。

 この実施例10において、ハニカム構造体4- 1~4-4には休止期間Tを設けて高電圧Vが断続的 印加されるので、休止期間T中の電力消費が 減され、使用電力量が削減される。

 また、この実施例10では、高電圧Vが印加 れない休止期間T中に、ハニカム構造体4-1~4- 4に処理対象ガスが吸着され、高電圧Vの印加 に、休止期間T中に吸着された分も含めて処 理対象ガスがハニカム構造体4-1~4-4で分解処 されるので、ガス処理が効率的に行われる のとなる。

〔実施例11〕
 図15にこの発明に係るガス処理装置の他の 施例(実施例11)の要部を示す。この実施例11 は、ダクト1内の複数のハニカム構造体4のう ち隣り合うハニカム構造体4-1と4-2を第1のハ カム構造体群4Aとし、この第1のハニカム構 体群4Aの両端に位置するハニカム構造体4-1お よび4-2の外側に、第1の電極(上流側電極)とし て電極8を、第2の電極として電極9(下流側電 )を配置している。

 同様にして、ダクト1内の複数のハニカム 構造体4のうち隣り合うハニカム構造体4-3と4- 4を第2のハニカム構造体群4Bとし、この第2の ニカム構造体群4Bの両端に位置するハニカ 構造体4-3および4-3の外側に、第1の電極(上流 側電極)として電極9を、第2の電極(下流側電 )として電極10を配置している。

 なお、この実施例11において、電極9は第1 のハニカム構造体群4Aの第2の電極と第2のハ カム構造体群4Bの第1の電極とを兼ねた共通 極とされているが、第1のハニカム構造体群4 Aの第2の電極と第2のハニカム構造体群4Bの第1 の電極とを独立した電極とするようにしても よい。

 電極8,9および10は、処理対象ガスGSが通過 するように、金属製メッシュとされている。 また、この実施例11では、電極8が導線16によ てリレーRyの常開接点Saを介して高電圧電源 5の+極に接続され、電極10が導線17によってリ レーRyの常閉接点Sbを介して高電圧電源5の+極 に接続されている。高電圧電源5の-極および 極9は接地されている。

 この実施例11では、高電圧電源5と、常開 点Saおよび常閉接点Sbを含むリレーRyと、抵 R1と、トランジスタTr1と、導線16,17とによっ て、高電圧印加手段23が構成されている。

 このガス処理装置では、処理対象ガスGS ダクト1内に流し、電極8と電極9との間にリ ーRyの常開接点Saを介する高電圧電源5からの 高電圧VAを印加し、電極9と電極10との間にリ ーRyの常閉接点Sbを介する高電圧VBを印加す 。

 この電極8と電極9との間への高電圧VAの印 加、電極9と電極10との間への高電圧VBの印加 、トランジスタTr1のベースに所定周期で与 られる所定時間幅TWのパルス信号により、 16に示すように、第1のハニカム構造体群4Aと 第2のハニカム構造体群4Bとの間で、高電圧が 印加されている期間と印加されていない期間 とが重なる休止期間T1,T2(T1≒T2)を設けて、断 的に行われる。

 これにより、休止期間T1,T2中の電力消費 軽減され、使用電力量が削減される。また 高電圧VAが印加されない休止期間T1中にハニ ム構造体群4Aのハニカム構造体4-1,4-2に処理 象ガスが吸着され、高電圧VAの印加中に、 止期間T1中に吸着された分も含めて処理対象 ガスがハニカム構造体4Aで分解処理され、高 圧VBが印加されない休止期間T2中にハニカム 構造体群4Bのハニカム構造体4-3,4-4に処理対象 ガスが吸着され、高電圧VBの印加中に、休止 間T2中に吸着された分も含めて処理対象ガ がハニカム構造体4Bで分解処理されるので、 ガス処理が効率的に行われるものとなる。ま た、ハニカム構造体群4Aでの休止期間T1中に 、ハニカム構造体群4Bで処理対象ガスの分解 処理が行われ、ハニカム構造体群4Bでの休止 間T2中には、ハニカム構造体群4Aで処理対象 ガスの分解処理が行われるので、処理対象ガ スの分解処理が行われない期間が生じないも のとなる。

 また、この実施例11では、第1のハニカム 造体群4Aの第1の電極8と第2の電極9との間に 電圧電源5からの高電圧VAを、第2のハニカム 構造体群4Bの第1の電極9と第2の電極10との間 高電圧電源5からの高電圧VBを個別に印加し いるので、空間ギャップ12-1,12-2での電位を 定的に高電界状態に保ち、プラズマを安定 て発生させることが可能となる。

 なお、第1のハニカム構造体群4Aおよび第2 のハニカム構造体群4Bに対して高電圧電源5を 個別に設け、第1のハニカム構造体群4Aに印加 する高電圧VAと第2のハニカム構造体群4Bに印 する高電圧VBとを異なる値とするようにし もよい。高電圧VAと高電圧VBの値を異ならせ ようにすると、第1のハニカム構造体群4Aと 2のハニカム構造体群4Bとでプラズマの発生 を変えて、分解可能な有害ガスの種類を異 らせたりすることが可能となる。

 また、この実施例11では、高電圧VAが印加 されない休止期間T1と高電圧VBが印加されな 休止期間T2とをほゞ等しくしているが、図17 示すように、高電圧VAが印加されない休止 間T1を高電圧VBが印加されない休止期間T2よ も長くするようにしてもよい。高電圧VAが印 加されない休止期間T1を長くすると、第1のハ ニカム構造体群4Aにおいて処理対象ガスが大 に吸着されるものとなり、すなわちダクト1 に入った直後に直ぐに処理対象ガスが第1の ニカム構造体群4Aにおいて大量に吸着される ものとなり、この大量に吸着された処理対象 ガスを高電圧VAの印加中に一挙に分解処理す ことによって、ガス処理の効率をさらにア プすることができる。

 また、この実施例11では、休止期間T1やT2 固定としているが、休止期間T1やT2を処理対 象ガスGSの速度によって変化させたり、処理 象ガスGSの温度によって変化させたり、処 対象ガスGSの湿度によって変化させたりする ようにしてもよい。例えば、処理対象ガスGS 速度が上昇すれば、処理対象ガスの吸着量 減るので、休止期間T1を長くして、処理対 ガスの吸着量を増加させるようにする。ま 、処理対象ガスGSの温度が高くなったり、湿 度が低くなると、処理対象ガスに含まれる水 分が減るので、休止期間T1を長くして、処理 象ガスの水分の吸着量を増加させるように る。ハニカム構造体は、湿度が高いほど電 が流れ易くなり、プラズマの発生量が大と り、高電圧印加時の分解処理能力がアップ る。

 また、この実施例11では、第1のハニカム 造体群4Aと第2のハニカム構造体群4Bとに、 いに重ならないように高電圧VAと高電圧VBを 加するようにしているが、例えば図18に期 TMとして示すように、その一部が重なるよう に高電圧VAと高電圧VBを印加するようにして よい。

〔実施例12〕
 図19にこの発明に係るガス処理装置の他の 施例(実施例12)の要部を示す。この実施例12 は、ハニカム構造体4を6つとし、ハニカム構 造体4-1と4-2との間に間隔G1を設けて、ハニカ 構造体4-3と4-4との間に間隔G2を設けて、ハ カム構造体4-5と4-6との間に間隔G3を設けて、 ハニカム構造体4-1~4-6をダクト1内に配置して る。

 また、ダクト1内の複数のハニカム構造体 4のうち隣り合うハニカム構造体4-1と4-2を第1 ハニカム構造体群4Aとし、この第1のハニカ 構造体群4Aの両端に位置するハニカム構造 4-1および4-2の外側に、第1の電極(上流側電極 )として電極8を、第2の電極(下流側電極)とし 電極9を配置している。

 同様にして、ダクト1内の複数のハニカム 構造体4のうち隣り合うハニカム構造体4-3と4- 4を第2のハニカム構造体群4Bとし、この第2の ニカム構造体群4Bの両端に位置するハニカ 構造体4-3および4-4の外側に、第1の電極(上流 側電極)として電極9を、第2の電極(下流側電 )として電極10を配置している。

 同様にして、ダクト1内の複数のハニカム 構造体4のうち隣り合うハニカム構造体4-5と4- 6を第3のハニカム構造体群4Cとし、この第2の ニカム構造体群4Cの両端に位置するハニカ 構造体4-5および4-6の外側に、第1の電極(上流 側電極)として電極10を、第2の電極として電 11(下流側電極)を配置している。

 なお、この実施例12において、電極9は第1 のハニカム構造体群4Aの第2の電極と第2のハ カム構造体群4Bの第1の電極とを兼ねた共通 極とされているが、第1のハニカム構造体群4 Aの第2の電極と第2のハニカム構造体群4Bの第1 の電極とを独立した電極とするようにしても よい。また、電極10は第2のハニカム構造体群 4Bの第2の電極と第3のハニカム構造体群4Cの第 1の電極とを兼ねた共通電極とされているが 第2のハニカム構造体群4Bの第2の電極と第3の ハニカム構造体群4Cの第1の電極とを独立した 電極とするようにしてもよい。

 電極8,9,10および11は、処理対象ガスGSが通 過するように、金属製メッシュとされている 。また、この実施例12では、高電圧電源とし 、第1の高電圧電源5-1と第2の高電圧電源5-2 が設けられ、電極8が導線16によって高電圧 源5-1の+極に接続され、電極9が導線18によっ 接地されると共に、リレーRyの常開接点Saを 介して高電圧電源5-1の-極に接続されている また、電極10が導線19によって高電圧電源5-2 +極に接続され、電極11が導線17によって接 されると共に、リレーRyの常閉接点Sbを介し 高電圧電源5-2の-極に接続されている。

 この実施例12では、高電圧電源5-1,5-2と、 開接点Saおよび常閉接点Sbを含むリレーRyと 抵抗R1と、トランジスタTr1と、導線16~19とに よって、高電圧印加手段24が構成されている

 このガス処理装置では、処理対象ガスGS ダクト1内に流し、電極8と電極9との間にリ ーRyの常開接点Saを介する高電圧電源5-1から 高電圧VAを印加し、電極9と電極10との間お び電極10と電極11との間にリレーRyの常閉接 Sbを介する高電圧VBおよびVCを印加する。

 この電極8と電極9との間への高電圧VAの印 加、電極9と電極10との間および電極10と電極1 1との間への高電圧VBおよびVCの印加は、トラ ジスタTr1のベースに所定周期で与えられる 定時間幅TWのパルス信号により、図20に示す ように、第1のハニカム構造体群4Aと第2のハ カム構造体群4Bおよび第3のハニカム構造体 4Cとの間で、高電圧が印加されている期間と 印加されていない期間とが重なる休止期間T1, T2を設けて、断続的に行われる。

 これにより、休止期間T1,T2中の電力消費 軽減され、使用電力量が削減される。また 高電圧VAが印加されない休止期間T1中にハニ ム構造体群4Aのハニカム構造体4-1,4-2に処理 象ガスが吸着され、高電圧VAの印加中に、 止期間T1中に吸着された分も含めて処理対象 ガスがハニカム構造体4Aで分解処理され、高 圧VBおよびVCが印加されない休止期間T2中に ニカム構造体群4Bおよび4Cのハニカム構造体 4-3,4-4および4-5,4-6に処理対象ガスが吸着され 高電圧VBおよびVCの印加中に、休止期間T2中 吸着された分も含めて処理対象ガスがハニ ム構造体群4Bおよび4Cで分解処理されるので 、ガス処理が効率的に行われるものとなる。

 また、ハニカム構造体群4Aでの休止期間T1 中には、ハニカム構造体群4Bおよび4Cで処理 象ガスの分解処理が行われ、ハニカム構造 群4Bおよび4Cでの休止期間T2中には、ハニカ 構造体群4Aで処理対象ガスの分解処理が行わ れるので、処理対象ガスの分解処理が行われ ない期間が生じないものとなる。

 なお、この実施例12では、第2のハニカム 造体群4Bと第3のハニカム構造体群4Cとに同 イミングで高電圧VBおよびVCを印加するよう したが、図21に示すように、第1のハニカム 造体群4Aへの高電圧VAと、第2のハニカム構 体群4Bへの高電圧VBと、第3のハニカム構造体 群4Cへの高電圧VCとを順番にずらして印加す ようにし、休止期間T1,T2,T3を得るようにして もよい。

〔実施例13〕
 実施例12では、高電圧電源を直流の高電圧 源5-1と5-2との組合せ(DC+DC)としたが、交流の 電圧電源同士の組合せ(AC+AC)としたり、直流 と交流の高電圧電源の組合せ(DC+AC)としたり パルス電源と交流電源との組合せ(パルス+AC) としたするなどしてもよい。

 また、交流の高電圧電源を用いた場合、 波数を異ならせるなどしてもよい。また、 ニカム構造体群の数を増やし、個別に印加 る高電圧電源の種類をさらに増やしたり、 波数を異ならせたりするようにしてもよい 電圧種別を異ならせたり、周波数を異なら たりすることにより、ハニカム構造体4間の 空間の電位を複雑な高電界状態にして、プラ ズマを安定して発生させることが可能となる 。

 図22に高電圧電源5を交流の高電圧電源同 の組合せとした例(実施例13)を示す。この例 では、第1の高電圧電源として交流の高電圧 源5-3を用い、第2の高電圧電源として交流の 電圧電源5-4を用いている。

 このガス処理装置では、処理対象ガスGS ダクト1内に流し、電極8と電極9との間にリ ーRyの常開接点Saを介する高電圧電源5-3から 交流の高電圧VAを印加し、電極9と電極10と 間にリレーRyの常閉接点Sbを介する交流の高 圧VBを印加する。

 この電極8と電極9との間への交流の高電 VAの印加、電極9と電極10との間への交流の高 電圧VBの印加は、トランジスタTr1のベースに 定周期で与えられる所定時間幅TWのパルス 号により、図23に示すように、第1のハニカ 構造体群4Aと第2のハニカム構造体群4Bとの間 で、高電圧が印加されている期間と印加され ていない期間とが重なる休止期間T1,T2を設け 、断続的に行われる。このようにしても実 例12と同様の効果を得ることができる。

 なお、上述した実施例1~13において、ハニ カム構造体4はオゾンを分解する触媒機能を えたものとしてもよく、例えば、図1に示し 構成において、ハニカム構造体4-4の下流位 にオゾンを分解する触媒を設けるようにし もよい。

 また、上述した実施例1~7および10におい 、ハニカム構造体4の数は、2つ以上あれば、 幾つあっても構わない。また、上述した実施 例8,9,11~13において、ハニカム構造体4の数は 2つ以上のハニカム構造体群を形成すること できればよく、幾つあっても構わない。

 また、上述した実施例1~13において、副生成 物としてオゾンを大量に発生させ、オゾン発 生器として転用するようにしてもよい。
 また、上述した実施例1~13において、ハニカ ム構造体4には貫通孔4aが蜂の巣状に設けられ ているが、多数の貫通孔4aが設けられていれ よく、蜂の巣状に限られるものではない。

 本発明のガス処理装置は、燃料電池等に用 られる水素を効率的に生成する目的で、炭 水素類等から水素含有ガスを生成する、い ゆる改質にも適用することができる。例え オクタン(ガソリンの平均分子量に比較的近 い物質)C 8 H 18 の場合は、本ガス処理装置に供給すると下記 (1)式で示される化学反応が促進され、その結 果水素ガスを効率よく生成することができる 。
 C 8 H 18 +8H 2 O+4(O 2 +4N 2 )→8CO 2 +17H 2 +16N 2 ・・・・(1)