以下、本発明の実施の形態について、図1乃 至図3を参照しつつ説明する。
 なお、以下に説明する部材、配置等は本発� ��を限定するものではなく、本発明の趣旨の� ��囲内で種々改変することができるものであ� ��。
 最初に、本発明の実施の形態におけるグロ� ��プラグ駆動装置の第1の構成例について、図 1を参照しつつ説明する。
 本発明の実施の形態におけるグロープラグ� ��動装置Sは、グロープラグ制御部(図1におい� ��は「GCU」と表記)51と、グロープラグ52-1~52-n� ��数nに対応して設けられた電力用MOS型電界効 果トランジスタ(以下、「パワーMOS FET」と称 する)1-1~1-nと、逆接保護用のMOS型電界効果ト� ��ンジスタ(以下、「逆接保護用MOS FET」と称� ��る)2とを主たる構成要素として構成された� �のとなっている。

 グロープラグ制御部51は、車両全体の動作� �制御する主電子制御ユニット(図1においては 「M-ECU」と表記)101から入力されるグロープラ グ52-1~52-nへの通電を指示する制御信号に応じ て、パワーMOS FET1-1~1-nのゲート制御電圧を出 力するよう構成されてなるものである。
 このグロープラグ制御部51には、車両用バ� �テリ(図示せず)の出力電圧を所定の電圧変換 回路によって降圧した電圧が、GCU用電源電圧 として外部からグロープラグ制御部用電源端 子5を介して印加されるようになっている。

 パワーMOS FET1-1~1-nは、いずれもそのドレ� ��ン(又はソース)が相互に接続されてバッテ� �電源接続端子3に接続される一方、ソース(又 はドレイン)は、それぞれ対応するグロープ� �グ52-1~52-nの所定の電圧印加用端子(図示せず) に接続されるようになっている。なお、通常 、グロープラグ52-1~52-nは、電圧が印加される 所定の電圧印加用端子と反対側の端子は、グ ランド(車体アース)されるようになっている� ��

 逆接保護用MOS FET2は、そのソース(又はドレ イン)がグランドに接続される一方、ドレイ� �(又はソース)が、パワーMOS FET1-1~1-nの相互に 接続されたドレインに接続され、パワーMOS F ET1-1~1-nに対して並列接続されたものとなって いる。そして、逆接防止用MOS FET2のゲートは 、開放状態とされたものとなっている。
 なお、図1において、パワーMOS FET1-1~1-n、逆 接保護用MOS FET2のそれぞれに並列に接続され たダイオードは、トランジスタ内部に形成さ れるいわゆる寄生ダイオードである。

 一方、かかるグロープラグ駆動装置Sの外 部においては、図示されない車両用バッテリ の正極端子(図1においては「(+):Batt」と表記)� ��、バッテリ電源接続端子3との間には、過電 流対策としてのヒューズ4が設けられている� �

 上記構成において、車両用バッテリ(図示せ ず)が正常に接続された状態、すなわち、ヒ� �ーズ4を介してバッテリ電源接続端子3に車両 用バッテリ(図示せず)の正極端子が接続され� ��状態においては、車両用バッテリの正電圧� ��パワーMOS FET1-1~1-nに印加されることとなる� ��
 そして、パワーMOS FET1-1~1-nは、主電子制御� ��ニット101からの制御信号に応じてグロープ� ��グ制御部51によりゲート電圧が印加される� �とによって、導通状態とされ、グロープラ� �52-1~52-nへの通電が行われることとなる。

 一方、車両用バッテリが誤接続された場� ��、すなわち、ヒューズ4を介してバッテリ電 源接続端子3に車両用バッテリの負極端子が� �続され、車両用バッテリの正極端子がグラ� �ドに接続された場合、グランド側から逆接� �止用MOS FET2を介してへ車両用バッテリへ逆� �流が一気に流れ込むこととなる(図1において 点線矢印参照)。この場合の電流は、ヒュー� �4の規定電流を越える過電流となるため、電� ��が流れ始めるとヒューズ4は速やかに溶断さ れて開放状態となる。したがって、パワーMOS  FET1-1~1-nは、導通状態となることは無く、車 両用バッテリの逆接続時におけるグロープラ グ52-1~52-nへの通電が確実に回避されることと なる。

 次に、本発明の実施の形態におけるグロー� ��ラグ駆動装置の第2の構成例について、図2� �参照しつつ説明する。なお、図1に示された� ��成要素と同一の構成要素については、同一� ��符号を付して、その詳細な説明を省略し、� ��下、異なる点を中心に説明する。
 この第2の構成例は、パワーMOS FET1-1~1-nの上 流側、すなわち、車両用バッテリ(図2におい� ��は「BAT」と表記)11の正電圧が印加される側� ��、パワーMOS FET1-1~1-nとは、ソース、ドレイ� ��が逆方向となるように逆接保護用のMOS FET� �設けたものである。

 以下、具体的に説明すれば、まず、この第2 の構成例においては、主電子制御ユニット101 と車両用バッテリ11の正極端子との間に、メ� ��ンリレー12が設けられている。
 すなわち、本発明の実施の形態におけるメ� ��ンリレー12は、常開接点12Aと、電磁コイル12 Bとから構成されてなるもので、常開接点12A� �一端と電磁コイル12Bの一端が共に車両用バ� �テリ11の正極に接続される一方、常開接点12A の他端は、グロープラグ制御部用電源端子5� �接続されると共に、主電子制御ユニット101� �開閉成信号端子13に接続されたものとなって いる。

 ここで、開閉成信号端子13は、主電子制� �ユニット101において、常開接点12Aの開閉成� �判定し、必要に応じて本装置全体の動作制� �に供する等の目的で設けられたものである� �すなわち、主電子制御ユニット101において� �この開閉成信号端子13の電圧を判定すること によって、常開接点12Aの開閉成の判定がなさ れるようになっている。

 また、電磁コイル12Bの他端は、主電子制御� ��ニット101に設けられたメインリレー制御端� ��14に接続されている、すなわち、メインリ� �ー制御端子14は、図示されないイグニッショ ンキーが操作されてイグニッションオンの状 態とされると同時に、主電子制御ユニット101 を介してグランドに接続されるようになって いるものである。
 したがって、図示されないイグニッション� ��ーがオンとされると、電磁コイル12Bが励磁� ��れ、常開接点12Aが閉成され、グロープラグ� ��御部51に車両用バッテリ11の電圧が印加され るようになっている。

 一方、この第2の構成例においては、グロ ープラグ52-1~52-nの所定の電圧印加用端子(図� �せず)とパワーMOS FET1-1~1-nのソースとの間に� ��それぞれ電流検出用抵抗器15-1~15-nが直列接� ��されている。そして、その両端の電圧降下� ��、後述するようにグロープラグ制御部51に� �いて検出され、グロープラグ52-1~52-nの電流� �異常値となった場合の検出が可能となって� �る。

 そして、パワーMOS FET1-1~1-nのドレインと、� ��ッテリ電源接続端子3との間には、並列接続 された2つの逆接保護用のMOS FET16a,16bが直列� �続されて設けられている。
 すなわち、逆接保護用のMOS FET16a,16bは、ソ� ��ス同士が相互に接続されてバッテリ電源接� ��端子3に接続される一方、ドレイン同士が接 続されると共に、パワーMOS FET1-1~1-nのドレイ ンに接続されている。

 したがって、バッテリ電源接続端子3とグロ ープラグ52-1~52-nの所定の電圧印加用端子との 間において、パワーMOS FET1-1~1-nと逆接保護用 のMOS FET16a,16bは、互いに逆方向で直列接続さ れて設けられたものとなっている。
 そして、これらパワーMOS FET1-1~1-n及び逆接� ��護用のMOS FET16a,16bのゲート電圧は、共にグ� ��ープラグ制御部51によって制御されるよう� �なっている(詳細は後述)。

 なお、図2において、パワーMOS FET1-1~1-n及 び逆接保護用のMOS FET16a,16bのソース・ドレイ ン間におけるそれぞれのダイオード17-1~17-n、 18a,18bは、トランジスタ内部に形成されるい� �ゆる寄生ダイオードである。

 この第2の構成例においては、グロープラグ 制御部51の構成例が併せて示されており、以� ��、説明すれば、グロープラグ制御部51は、� �ロープラグ主制御部(図2においては「M-GCU」� ��表記)51Aと、昇圧回路(図2においては「BOOST� �と表記)51Bと、異常検出部(図2においては「AB N-DET」と表記)51Cとから構成されたものとなっ ている。
 グロープラグ主制御部51Aは、主電子制御ユ� ��ット101から入力されるグロープラグ52-1~52-n� ��の通電を指示する制御信号に応じて、昇圧� ��路51Bを動作状態とする一方、異常検出部51C� ��より、グロープラグ52-1~52-nに流れる電流が� ��常であるとする所定の信号が出力された場� ��には、昇圧回路51Bの動作を停止させ、パワ� ��MOS FET1-1~1-nをオフ状態としてグロープラグ5 2-1~52-nへの通電が遮断されるよう構成されて� ��るものである。

 昇圧回路51Bは、上述のように、グロープラ� ��主制御部51Aによる制御に応じて、パワーMOS� �FET1-1~1-n及び逆接保護用のMOS FET16a,16bをオン� ��オフとするために必要なゲート電圧を出力� ��るよう構成されてなるものである。
 そして、異常検出部51Cは、電流検出用抵抗� ��15-1~15-nにおける電圧降下の大きさに基づい� ��グロープラグ52-1~52-nにおける異常電流の発� ��の有無を判定し、異常電流が生じていると� ��定された場合には、所定の信号をグロープ� ��グ主制御部51Aへ出力するよう構成されてな� ��ものである。

 次に、かかる構成における動作について説� ��する。
 まず、車両用バッテリ11が正常な状態に接� �された場合にあっては、主電子制御ユニッ� �101を介してメインリレー12へ電源供給がなさ れると、その常開接点12Aが閉成され、それに よってグロープラグ制御部51へも電源供給が� ��され、グロープラグ制御部51が主電子制御� �ニット101と共に動作可能な状態となる。

 そして、グロープラグ52-1~52-nへの通電にあ� ��って、主電子制御ユニット101からは、最初� ��、逆接保護用のMOS FET16a,16bをオンとする制� ��信号が出力され、グロープラグ主制御部51A� ��より昇圧回路51Bが動作状態とされて、逆接� ��護用のMOS FET16a,16bをオンとゲート電圧が逆� ��保護用のMOS FET16a,16bのゲートへ出力される� ��
 次いで、パワーMOS FET1-1~1-nをオンとする制� ��信号が主電子制御ユニット101から出力され� ��ことにより、同様にグロープラグ主制御部5 1A及び昇圧回路51Bの動作により、パワーMOS FE T1-1~1-nがオン状態とされることとなる。
 それによって、グロープラグ52-1~52-nへの通� ��電流は、車両バッテリ11から逆接保護用のMO S FET16a,16b及びパワーMOS FET1-1~1-nを介して流� �込み、通常の通電状態となる。

 一方、車両用バッテリ11が誤接続された� �合、すなわち、バッテリ電源接続端子3に車� ��用バッテリ11の負極端子が接続され、車両� �バッテリ11の正極端子がグランドに接続され た場合、グランド側からグロープラグ52-1~52-n へ逆電流が流れ込もうとする。この場合、図 示されないイグニッションキーが未だオン状 態とされていないため、パワーMOS FET1-1~1-nは オフ状態であるが、その寄生ダイオード17-1~1 7-nは、逆電流が流れる方向に対して順方向と なるため、グランド側からグロープラグ52-1~5 2-n、電流検出用抵抗器15-1~15-n、寄生ダイオー ド17-1~17-n、そして、逆接保護用のMOS FET16a,16b へ至る電流経路が形成される。

 しかし、逆接保護用のMOS FET16a,16bもオフ� ��態にあり、その寄生ダイオード18a,18bは、先 の寄生ダイオード17-1~17-nの場合と異なり、逆 電流の方向に対して逆方向、すなわち、グラ ンド側にカソードが位置し、バッテリ電源接 続端子3側にアノードが位置する状態である� �め、結局、逆電流は、逆接保護用のMOS FET16a ,16bと、その寄生ダイオード18a,18bにより阻止� ��れるため、グロープラグ52-1~52-nへの逆電流� ��よる通電は回避されることとなる。

 なお、図2に示された構成例においては、2� �の逆接防止用のMOS FET16a,16bを並列接続して� �けたが、この逆接防止用のMOS FETの数は、車 両用バッテリ11の大きさによって定まる逆電� ��の大きさに応じて定められるべきものであ� ��て、必ずしも2つ並列接続して設けた構成に 限定されるものではない。
 したがって、1つのMOS FETで十分の電流容量� ��確保することができる場合には、逆接保護� ��のMOS FETは1つで済むが、1つでは電流容量を 確保できない場合には、1つのMOS FETに許容さ れる電流の大きさに応じて複数並列接続して 設けた構成とすることとなる。

 次に、本発明の実施の形態におけるグロー� ��ラグ駆動装置の第3の構成例について、図3� �参照しつつ説明する。なお、図1に示された� ��成要素と同一の構成要素については、同一� ��符号を付して、その詳細な説明を省略し、� ��下、異なる点を中心に説明する。
 この第3の構成例は、図1に示された第1の構� ��例における逆接保護用MOS FET2に代えて、逆� ��保護用ダイオード6が設けられた構成を有す るものである。
 すなわち、逆接保護用ダイオード6は、アノ ードがグランドに接続される一方、カソード は、パワーMOS FET1-1~1-nの相互に接続されたド レインに接続され、パワーMOS FET1-1~1-nに対し て並列接続されたものとなっている。

 かかる構成において、車両用バッテリが� ��接続された場合、グランド側から逆接保護� ��ダイオード6を介して車両用バッテリへ逆電 流が一気に流れ込み(図3において点線矢印参� ��)、ヒューズ4の規定電流を超えることで、� �ューズ4が速やかに溶断されるため、パワーM OS FET1-1~1-nへの通電が回避される点は、先の� ��1に示された第1の構成例と同様である。