第1実施形態
 本発明の第1実施形態について、図1を参照� �て説明する。
 本第1実施形態においては、CVD装置等の半導 体製造装置のチャンバーに接続されている排 気配管の管内の圧力を計測するために設置さ れる、本発明の圧力計測用加熱装置としての 圧力連通孔ブロックについて説明する。
 図1は、その排気配管10に、圧力連通孔ブロ� ��ク101を介して圧力計21、22及び23が設置され� ��いる状態を示す断面図である。

 図1に例示するように、排気配管10の一方の� ��面にはフランジ11が形成されており、この� �ランジ11が図示しないチャンバーに形成され たフランジと、Oリング12を介在させて密着接 合されることにより、排気配管10はチャンバ� ��に接続され、排気配管10の内部空間はチャ� �バーの内部空間と連通される。
 排気配管10の圧力計測対象の領域の壁面に� �、排気配管10の内部と外部とを連通する開口 13が形成されており、排気配管10の開口13付近 の外周面に、本発明に係る圧力連通孔ブロッ ク101が設置される。

 圧力連通孔ブロック101は、排気配管10の� �周面の開口13の近傍に密着設置されるブロッ ク状の装置であり、基材部111、基材部111内に 形成される圧力連通孔(圧力連通配管)121、及� ��、基材部111内に埋設されるヒーター131を有� ��る。

 基材部111は、前述したように、排気配管1 0の外周に密着設置して用いられる。従って� �材部111の内周面は、排気配管10の外周面に沿 った形状に、すなわち排気配管10の外周面と� ��じ曲率半径の曲面に形成され、また基材部1 11の外周面は、内周面に対して所定の高さを� ��った曲面に形成される。

 基材部111の排気配管10の周方向の長さ、及� �、排気配管10の軸方向の長さは任意に設定し てよい。但し、圧力連通孔ブロック101は、圧 力連通孔ブロック101を密着設置した範囲にお いては排気配管10の内周面に副生成物が析出� ��着させない作用をも意図して排気配管10の� �周面に密着設置させるものなので、そのよ� �な作用が十分に得られて、排気配管10の開口 13の近傍に圧力計測に支障が生じない程度に� ��分にそのような副生成物が析出付着しない� ��域が得られるように、その周方向長さ及び� ��方向長さを確保する必要がある。
 なお、排気配管10の外周の全周にわたって� �材部111が密着設置されるような構成として� �よい。そのような構成とすれば副生成物の� �出付着が防止される領域が一層拡大されて� �適である。

 基材部111は、内部に圧力連通孔121及びヒー� ��ー131が埋設される。
 圧力連通孔121は、排気配管10と圧力計21、22� ��び23とを接続する配管、すなわち、圧力連� �孔ブロック101を排気配管10に装着した場合に 基材部111の内周面に配置される排気配管10の� ��口13と、基材部111の外周面に設置される圧� �計21、22及び23とを連通させる配管(ブァッフ� ��ー配管)である。本実施形態の圧力連通孔ブ ロック101においては、排気配管10の圧力を、3 種類(3個の)圧力計を用いて計測する。従って 、圧力連通孔121は、基材部111の内部において 3つに分岐されている。すなわち、圧力連通� �121は、基材部111の内周面に形成され排気配� �10の開口13に接続される1つの配管側端部開口 122と、基材部111の外周面に形成され3つの圧� �計21、22及び23に各々が接続される圧力計側� �部開口123、124及び125を有し、これらが基材� �111の内部の分岐配管により相互に接続し連� �するように構成されている。

 なお、圧力連通孔121は、配管を基材部111� ��埋設する形態で構成してもよいし、基材部1 11に孔を形成する形態で構成してもよい。前� ��の場合には、圧力連通孔121を構成する配管� ��、また、後者の場合には基材部111自体を、� ��熱効率が高く処理ガスに対して耐腐食性を� ��する材料により形成されるのが好適であり� ��具体的には、例えばステンレス鋼材(例えば SUS316)あるいはアルミニウム材(例えばA5052)等� ��形成するのが好適である。

 なお、基材部111は、前述のステンレス鋼� ��(例えばSUS316)あるいはアルミニウム材(例え� ��A5052)の他に、チタン、アルミニウム合金、� ��ッケルコバルト合金、あるいは、酸化アル� ��ニウム、炭化珪素、窒化アルミニウム、窒� ��珪素、酸化珪素の何れかからなるセラミッ� ��ス等の材料で形成するのも好適である。

 ヒーター131は、圧力連通孔121、排気配管10� �あるいは基材部111の全体を加熱するために� �材部111の内部に埋設された加熱手段である� �
 ヒーター131は、少なくとも圧力連通孔121を� ��熱し、圧力連通孔121の内部を処理ガス(反応 ガス)の昇華析出温度以上の高温に保持し、� �応副生成物の圧力連通孔121への析出付着を� �止する。図1に示す圧力連通孔ブロック101に� ��いては、複数のヒーター131a及び131bが圧力� �通孔121に沿って配置されており、これらが� �心的に圧力連通孔121を加熱する。

 また、ヒーター131は、圧力連通孔ブロッ� ��101と排気配管10との密着面を介して、すな� �ち基材部111と排気配管10の外周面を介して排 気配管10自体を加熱し、排気配管10の開口13の 周囲を高温に保持し、排気配管10の内周面の� ��口13の近傍に反応副生成物が析出付着する� �を防止する。図1に示す圧力連通孔ブロック1 01においては、複数のヒーター131bが基材部111 の内周面近傍に配設されており、これらが中 心的に排気配管10を加熱する。

 また、基材部111(圧力連通孔ブロック101)� �は、これら以外にもヒーター131が設置され� �いてよい。例えば、圧力連通孔121や排気配� �10の温度を適切な温度に維持するため、ある いは、圧力連通孔ブロック101の周囲空間への 放熱による温度低下を防止あるいは補完する ため等に、別途ヒーター131を設置してもよい 。図1に示す圧力連通孔ブロック101において� �、複数のヒーター131cが基材部111の外周面近� ��に配設されており、これらが上述したよう� ��目的のために基材部111の全体を加熱する。

 なお、ヒーター131の種類や形態は任意で� ��る。ヒーター131の加熱材料としては、例え� ��、シリコンラバーヒーター、マイカヒータ� ��、セラミックスヒーターあるいはポリイミ� ��ヒーター等の抵抗発熱体を用いるのが好適� ��ある。また、これらの抵抗発熱体を用いて� ��状発熱体を形成してヒーター131として基材� ��111に埋設してもよいし、シースヒーター等� ��線状(棒状)発熱体として基材部111に埋設し� �もよい。

 このような構成の圧力連通孔ブロック101の� ��周面の圧力計側端部開口123、124及び125に、� ��々、圧力計21、22及び23を設置する。本実施� ��態においては、圧力計側端部開口123、124及� ��125との間にアイソレーションバルブ31、32及 び33を各々介在させて、圧力計21、22及び23を� ��置する。各圧力計21、22及び23は、圧力連通� ��ブロック101の圧力連通孔121を介して、排気� ��管10の圧力を計測する。
 なお、本実施形態において3つの圧力計21、2 2及び23は、ピラニー真空計、キャパシタンス マノメータ及び電離真空計である。

 圧力連通孔ブロック101を用いたこのような� ��成の圧力計測系によれば、排気配管10と圧� �計21、22及び23とを、周囲にヒーター131が配� �されて内部が反応副生成物の昇華析出温度� �上に保たれた圧力連通孔ブロック101の圧力� �通孔(ブァッファー配管)121を介して連通させ ているので、排気配管10の圧力計測を、反応� ��生成物の堆積等の影響を受けること無しに� ��すなわちこれらの影響から開放された安定� ��た条件で計測することができる。
 すなわち、本発明に係る圧力連通孔ブロッ� ��101を排気配管10と圧力計21、22及び23との間� �介在させることにより、半導体製造プロセ� �の副生成物の圧力計測系への堆積が抑制、� �止され、安定して適切に、高精度に圧力計� �を行うことができる。

 また、圧力連通孔ブロック101は、排気配� ��10に密着設置して排気配管10の開口13の近傍� ��加熱しているので、排気配管10の内周面の� �口13の近傍においても反応副生成物の付着が 防止される。その結果、圧力計測系のみなら ず、プロセス処理自体に対する反応副生成物 の影響も低減することができ、適切で安定し た半導体製造プロセスを実現することができ る。

 また、圧力計測系への反応副生成物の付� ��が防止されるので、圧力計測系、すなわち� ��力連通孔ブロック101や圧力計21、22及び23を� ��永久的に使用することができる。このこと� ��、半導体製造装置あるいは製造工程全体の� ��産効率向上や、コスト削減に大きく寄与す� ��。

 なお、前述した本実施形態においては、ア� ��ソレーションバルブ31、32及び33は圧力連通� ��ブロック101の圧力計側端部開口123、124及び1 25に装着されるものとしたが、アイソレーシ� ��ンバルブ31、32及び33を圧力連通孔ブロック1 01内に埋設する構成としてもよい。すなわち� ��基材部111内の圧力計側端部開口123、124及び1 25部分に、アイソレーションバルブ31、32及び 33を予め組み込んだ構成としてもよい。この� ��うな構成としておけば、圧力計21、22及び23� ��圧力連通孔ブロック101に設置する際には、� ��に圧力計21、22及び23のみを設置すればよく� ��適である。
 また、アイソレーションバルブ31、32及び33� ��近傍も圧力連通孔ブロック101のヒーター131� ��より高温に維持されるので、圧力計21、22及 び23の計測部分のごく近傍まで高温状態を確� ��に維持でき、圧力計21、22及び23の計測箇所� ��傍に反応副生成物が析出する可能性を一切� ��除することができる。

第2実施形態
 本発明の第2実施形態について、図2を参照� �て説明する。
 本第2実施形態においては、第1実施形態と� �様に半導体製造装置の排気配管に対して設� �されて配管内部の圧力を計測する装置であ� �て、圧力計も一体的に構成した圧力計測装� �ついて説明する。
 なお、図2及び以下の説明において、図1を� �照して前述した第1実施形態と実質的に同一� ��構成及び作用を有する構成要素については� ��同一の符号を付するとともにその詳細な説� ��は省略する。

 図2は、排気配管10に、本実施形態の圧力計� ��装置100を設置した状態を示す断面図である� ��
 本実施形態の圧力計測装置100は、排気配管1 0の外周面の開口13の近傍に密着設置されるブ ロック状の装置であり、第1実施形態の圧力� �通孔ブロック101の外周側に、さらに圧力計� �バルブブロック102を配設した構成の装置で� �る。
 すなわち、第2実施形態の圧力計測装置100は 、第1実施形態においては圧力連通孔ブロッ� �101の外部に設置したアイソレーションバル� �31、32及び33及び圧力計21、22及び23を、加熱� �温ブロック内に収容して一体的な1つの装置� ��して構成したものである。

 排気配管10及び圧力連通孔ブロック101の� �成及び作用は前述した第1実施形態と同じな� ��で説明を省略する。

 圧力計・バルブブロック102は、基材部112� ��3つの圧力計21、22及び23、3つのアイソレー� �ョンバルブ31、32及び33、及び、ヒーター132� �有する。

 基材部112は、内部に圧力計21、22及び23、� ��イソレーションバルブ31、32及び33及びヒー� ��ー132を収容し、圧力連通孔ブロック101の基� ��部111の外周側に積載配置される。従って基� ��部112の内周面は、基材部111の外周面に沿っ� ��形状に、すなわち基材部111の外周面と同じ� ��率半径の曲面に形成される。また基材部112� ��外周面の高さは、基材部112に収容される圧� ��計21、22及び23の高さに応じた高さに形成さ� ��る。また、基材部112の排気配管10の周方向� �び軸方向の長さは、圧力計21、22及び23、ア� �ソレーションバルブ31、32及び33及びヒータ� �132を十分に被覆し収容する、あるいは埋設� �ることができる長さであれば十分であり、� �力連通孔ブロック101の形状(排気配管10の周� �向及び軸方向の長さ)に合わせる必要は無い� ��

 圧力計21、22及び23とアイソレーションバ� ��ブ31、32及び33とは、各々対応付けられて、� ��力計・バルブブロック102を圧力連通孔ブロ� ��ク101上に設置した場合に、アイソレーショ� ��バルブ31、32及び33が圧力連通孔ブロック101� ��圧力計側端部開口に接続123、124及び125に接� ��される位置に配置される。また、アイソレ� ��ションバルブ31、32及び33は、圧力計側端部� ��口123、124及び125に接続可能なように、圧力� ��側端部開口123、124及び125側の開口を基材部1 12の内周面に露出するように設置されている� ��これにより、圧力計・バルブブロック102を� ��力連通孔ブロック101の所定の位置に積載し� ��場合に、圧力連通孔ブロック101の圧力計側� ��部開口123、124及び125とアイソレーションバ� ��ブ31、32及び33及び圧力計21、22及び23とが連� ��される。その結果、排気配管10の内部空間� �、排気配管10の開口13、圧力連通孔ブロック1 01の圧力連通孔121、アイソレーションバルブ3 1、32及び33を介して、圧力計21、22及び23と接� ��され、圧力計21、22及び23により排気配管10� �圧力が計測可能になる。

 ヒーター132は、圧力計21、22及び23及びア� ��ソレーションバルブ31、32及び33の周囲に配� ��され、圧力計21、22及び23の圧力計測特性に� ��響を与えないように、しかしながら、圧力� ��21、22及び23及びアイソレーションバルブ31� �32及び33の内部において反応副生成物が析出� ��着しないように、それら圧力計21、22及び23� ��びアイソレーションバルブ31、32及び33の温� ��を処理ガス(反応ガス)の昇華析出温度以上� �高温に保持する。

 なお、基材部112及びヒーター132の材料は� ��前述した第1実施形態の圧力連通孔ブロック 101の基材部111及びヒーター131の材料と同じで よい。

 このような構成の圧力計測装置100によれ� ��、圧力連通孔ブロック101に加えてさらに圧� ��計・バルブブロック102の構成により、排気� ��管10と圧力計21、22及び23とを、周囲にヒー� �ー131及び132が配設されて内部が反応副生成� �の昇華析出温度以上に保たれた圧力連通孔� �ロック101の圧力連通孔(ブァッファー配管)121 及びアイソレーションバルブ31、32及び33を介 して連通させており、さらに、圧力計21、22� �び23の周辺あるいはそれ自体の温度も反応副 生成物の昇華析出が防止できる程度の高温に 保たれているので、排気配管10の圧力計測を� ��反応副生成物の堆積等の影響を受けること� ��しに、すなわちこれらの影響から開放され� ��安定した条件で、適切に高精度に行うこと� ��できる。

 また、前述した第1実施形態と同様に、圧 力計測系のみならず、プロセス処理自体に対 する反応副生成物の影響も低減することがで き、適切で安定した半導体製造プロセスを実 現することができる。また、圧力計測系を半 永久的に使用することができ、半導体製造装 置あるいは製造工程全体の生産効率向上や、 コスト削減に大きく寄与する。

第3実施形態
 本発明の第3実施形態について、図3を参照� �て説明する。
 本第3実施形態においては、第2実施形態と� �様に半導体製造装置の排気配管に対して設� �されて配管内部の圧力を計測する圧力計測� �置であって、特に、周囲空間への放熱を防� �して加熱効率を向上させた圧力計測装置に� �いて説明する。
 なお、図3及び以下の説明において、図1及� �図2を参照して前述した第1実施形態及び第2� �施形態と実質的に同一の構成及び作用を有� �る構成要素については、同一の符号を付す� �とともにその詳細な説明は省略する。

 図3は、排気配管10に、本実施形態の圧力� ��測装置200を設置した状態を示す断面図であ� ��。

 圧力計測装置200は、圧力連通孔ブロック1 01b及び圧力計・バルブブロック102bを有し、� �力連通孔ブロック101bは、基材部111b、圧力連 通孔121及びヒーター131を有し、また、圧力計 ・バルブブロック102bは、圧力計21、22及び23� �アイソレーションバルブ31、32、33及びヒー� �ー132を有する。これらの各構成の主要な機� �は、前述した第1及び第2実施形態の対応する 各構成要素と同じなので説明を省略する。

 第3実施形態の圧力計測装置200が第2実施� �態の圧力計測装置100と異なるのは、圧力連� �孔ブロック101b及び圧力計・バルブブロック1 02bの基材部111b及び基材部112bの周囲空間に接� ��る表面の内側に、真空断熱層141及び真空断� ��層142が配設されていることである。

 真空断熱層141及び真空断熱層142は、基材� ��111b及び基材部112bの周囲空間に接する表面� �内側に形成された空間であり、各々、真空� �熱層用排気配管151を介して排気配管10に別途 形成された真空断熱層用排気配管接続孔14に� ��続されている。これにより、排気配管10の� �気が行われている時には、真空断熱層141及� �真空断熱層142も、真空断熱層用排気配管151� �介して排気されることになり、その結果、� �空断熱層141及び真空断熱層142は真空状態と� �れる。

 このような構成の圧力計測装置200におい� ��も、排気配管10と圧力計21、22及び23とは、� �囲にヒーター131及び132が配設されて内部が� �応副生成物の昇華析出温度以上に保たれた� �力連通孔ブロック101bの圧力連通孔(ブァッフ ァー配管)121及び圧力計・バルブブロック102b� ��アイソレーションバルブ31、32及び33を介し� ��連通させており、さらに、圧力計21、22及び 23の周辺あるいはそれ自体の温度も反応副生� ��物の昇華析出が防止できる程度の高温に保� ��れているので、排気配管10の圧力計測を、� �応副生成物の堆積等の影響を受けること無� �に、すなわちこれらの影響から開放された� �定した条件で、適切に高精度に行うことが� �きる。

 また、圧力計測系のみならず、プロセス� ��理自体に対する反応副生成物の影響も低減� ��ることができ、適切で安定した半導体製造� ��ロセスを実現することができる。また、圧� ��計測系を半永久的に使用することができ、� ��導体製造装置あるいは製造工程全体の生産� ��率向上や、コスト削減に大きく寄与する。

 そして、さらに第3実施形態の圧力計測装 置200によれば、基材部111b及び基材部112bの表� ��(周囲空間との境界面)に真空断熱層を形成� �ているので、圧力連通孔ブロック101b及び圧� ��計・バルブブロック102bの内部でヒーター131 及びヒーター132により発熱された熱が周囲空 間に放熱され難くなる。その結果、少ない発 熱量で圧力連通孔ブロック101b及び圧力計・� �ルブブロック102bの高温状態を維持すること� ��でき、加熱効率を改善することができる。� ��た、熱分布が均一かつ変動の少ないものと� ��り、圧力連通孔121、アイソレーションバル� ��31、32及び33及び圧力計21、22及び23を所望の� ��温状態に維持するための制御が簡単となる� ��

 なお、前述した実施形態は、本発明の理� ��を容易にするために記載されたものであっ� ��本発明を何ら限定するものではない。本実� ��形態に開示された各要素は、本発明の技術� ��範囲に属する全ての設計変更や均等物をも� ��み、また任意好適な種々の改変が可能であ� ��。

 例えば、前述した実施形態は何れも排気� ��管10の圧力を計測する構成を例示して本発� �を説明したが、圧力計測対象は何ら制限さ� �るものではない。例えば、CVD装置等のチャ� �バー内部の圧力を計測するために本発明を� �用してもよい。

 また、真空の計測のために本発明を適用� ��てもよいし、反応ガス等の任意の流体の供� ��圧力あるいは排出圧力等を計測するために� ��発明を適用してもよい。

 また、前述した実施形態においては何れも3 つの圧力計21、22及び23を用いて圧力計測を行 うものとしたが、1個あるいは2個でもよいし� ��4個以上の圧力計を備える構成でもよい。そ の場合には、圧力計の数に応じて、圧力連通 孔ブロック101の圧力連通孔の分岐数や、圧力 計・バルブブロック102又は102bのアイソレー� �ョンバルブの個数を変更すればよい。
 また、圧力計の種類も、前述したピラニー� ��空計、キャパシタンスマノメータ及び電離� ��空計に限られるものではなく、その他任意� ��圧力計を用いてよい。