Domaine de l' invention

La présente invention concerne le domaine des dispo ^¬ sitifs à propagation d'ondes acoustiques principalement utilisés dans le domaine de l'électronique pour constituer des systèmes résonants, des filtres, des lignes à retard, etc.

De tels dispositifs sont notamment utilisés dans le domaine des hautes fréquences, couramment jusqu'à quelques giga- hertz et trouvent des applications notamment dans le domaine des transmissions, de la télévision, des téléphones portables, des capteurs et des étiquettes de marquage de produits. Exposé de l'art antérieur

On distingue deux types principaux de dispositifs à ondes acoustiques : les dispositifs à ondes acoustiques de surface (SAW) et les dispositifs à ondes acoustiques de volume (BAW) .

La figure 1 représente un exemple de dispositif clas ^¬ sique à ondes acoustiques de surface constituant une ligne à retard. Ce dispositif est formé sur un substrat piézoélectrique 1, éventuellement une ou plusieurs couches minces piézoélectri- ques formées sur un substrat plus épais. Les ondes acoustiques sont émises dans le substrat à partir de deux peignes inter- digités 2 et 3 comprenant des doigts conducteurs respectifs 4 et

5. Si on applique un signal variable en fonction du temps ou alternatif entre les peignes 2 et 3, ce signal est transformé par effet piézoélectrique en une onde acoustique de surface qui se propage dans le substrat 1. L'onde acoustique se propageant dans le substrat est recueillie par un ensemble de deux peignes récepteurs interdigités 7 et 8 comprenant des doigts métalliques respectifs 9 et 10 avec un retard correspondant au trajet parcouru par l ' onde . Le signal est par exemple recueilli aux bornes d'une impédance électrique 11. Ces dispositifs à ondes acoustiques de surface sont bien adaptés à la réalisation de composants à haute fréquence tels que mentionnés ci-dessus (lignes à retard, filtres, résonateurs, etc.). Ils permettent même de réaliser des filtres relativement complexes. Toutefois, ces dispositifs posent des problèmes de réalisation pratique quand leur fréquence de fonctionnement augmente. En effet, le pas P des dents des peignes 2-3 et 7-8 détermine la longueur d'onde λ de l'onde acoustique par la relation P = λ/N, avec N > 2, généralement égal à 2. Dans les matériaux couramment utilisés, la vitesse de propagation V des ondes de surface est de l'ordre de 5000 m/s. Pour une fréquence f de 2,5 GHz, par exemple, la longueur d'onde est de 2 μm (λ=V/f) , c'est-à-dire que le pas des dents des peignes doit être de l'ordre de 1 μm. Ceci conduit à avoir des doigts métalliques d'une largeur de l'ordre de 0,5 μm espacés d'une distance de

0,5 μm. Il est en pratique difficile de miniaturiser davantage les peignes conducteurs d'une part pour des raisons de litho ^¬ graphie et d'autre part pour des raisons de pertes électriques. Les dispositifs à ondes acoustiques de surface sont donc en pratique limités à des fréquences de fonctionnement de l'ordre de 1 à 3 GHz.

Un autre type de dispositif à ondes acoustiques exploite les propriétés des ondes acoustiques de volume. De façon générale, quand le milieu de propagation est une couche mince, on exploite les ondes de volume dans l'épaisseur de la

couche mince. Dans ce but, les électrodes sont placées de part et d'autre de cette couche mince. Ces dispositifs peuvent fonc ^¬ tionner à des fréquences supérieures à 3 GHz mais sont souvent délicats à élaborer, notamment en cas d'utilisation de membranes .

On notera en particulier le brevet des Etats-Unis d'Amérique N ⁰ 5873154 de la société Nokia Mobile Phones Limited, qui décrit une structure particulière de dispositifs à ondes acoustiques de volume. La figure 2 ci-jointe, reprend la figure 3 de ce brevet. On y trouve sur un substrat 20, par exemple en verre, un multicouche 21 constituant un miroir acoustique fondé sur le principe de Bragg et comportant des couches alternées 22 à 26, la couche supérieure 26 étant une couche conductrice. Une couche piézoélectrique 28 est formée au-dessus du miroir acous- tique et est revêtue d'une électrode 29, de façon à pouvoir être excitée en résonance entre les électrodes 26 et 29. Dans cette structure, le miroir acoustique 21 est destiné à éviter que les vibrations produites dans la couche piézoélectrique 28 se réper ^¬ cutent dans le substrat 20. Les ondes formées dans la couche piézoélectrique 28 sont des ondes de volume classiques, et la figure 4 de ce brevet indique que les vitesses de propagation sont de l'ordre de 6000 m/s pour les ondes longitudinales et de 2720 m/s pour les ondes de cisaillement. Ainsi, dans ce disposi ^¬ tif, le miroir acoustique 21 n'est pas destiné à modifier les caractéristiques des ondes de volume apparaissant dans la couche piézoélectrique 28 mais seulement à assurer un isolement pour les vibrations entre la couche piézoélectrique 28 et le substrat

20.

Résumé de l' invention Un objet de la présente invention est de prévoir un dispositif à ondes acoustiques permettant les nombreuses appli ^¬ cations des dispositifs à ondes acoustiques de surface existants sans leurs inconvénients.

Un objet plus particulier de la présente invention est de prévoir un dispositif à ondes acoustiques susceptible de fonctionner à très haute fréquence.

Un autre objet de la présente invention est de prévoir un dispositif à ondes acoustiques excitable simplement par des structures superficielles à peignes de doigts conducteurs imbri ^¬ qués, par exemple du type de ceux utilisés classiquement dans les filtres à ondes acoustiques de surface.

Pour atteindre ces objets, la présente invention prévoit un dispositif à ondes acoustiques comprenant une couche piézoélectrique sur un miroir acoustique omnidirectionnel et des moyens d'excitation et/ou de réception sur une surface de ladite couche piézoélectrique, propres à exciter des ondes dans une bande interdite du miroir acoustique. Selon un mode de réalisation de la présente invention, les moyens d'excitation/réception sont des peignes conducteurs interdigités.

Selon un mode de réalisation de la présente invention, le miroir acoustique omnidirectionnel est constitué d'un empile- ment de couches alternées à haute et basse impédance acoustique. La présente invention prévoit d'utiliser le dispositif susmentionné, notamment comme filtre, comme résonateur ou comme ligne à retard.

La présente invention prévoit aussi un procédé de détermination d'un dispositif à ondes acoustiques comprenant une couche piézoélectrique sur un miroir acoustique, comprenant les étapes suivantes : pour un couple donné de matériaux constituant le miroir acoustique sur un substrat donné, calculer les courbes de dispersion et choisir la valeur D de la somme des épaisseurs d'une couche de chaque matériau du couple de matériaux de sorte qu'un empilement du couple de matériaux constitue un miroir omnidirectionnel ayant une bande interdite dans une bande de fréquence souhaitée ; et

choisir l'épaisseur de la couche piézoélectrique pour que le miroir reste omnidirectionnel et que la couche piézoélec ^¬ trique ait un mode de vibrations acoustiques dans la plage de fréquences interdites du miroir. Brève description des dessins

Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d' autres de la présente invention seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 est une vue en perspective schématique d'une ligne à retard à ondes acoustiques de surface ; la figure 2 est une vue en coupe d'un dispositif à ondes acoustiques de volume isolé par rapport au substrat, tel que décrit dans le brevet américain 5873154 ; la figure 3 représente une structure de dispositif à ondes acoustiques selon la présente invention ; et la figure 4 représente des courbes de dispersion caractéristiques d'une structure selon la présente invention. Description détaillée

La figure 3 représente un mode de réalisation d'un dispositif à ondes acoustiques selon la présente invention. Ce dispositif comprend un substrat 30 surmonté d'un miroir acous ^¬ tique 31 constitué d'un ensemble de couches 32 à 40, les couches de référence paire étant d'un premier matériau et les couches de référence impaire étant d'un deuxième matériau, ces deux maté ^¬ riaux ayant des impédances acoustiques nettement différentes. On pourra par exemple utiliser un substrat 30 en silicium et un miroir constitué d'une alternance de couches de tungstène et d'aluminium. Au-dessus du miroir acoustique est disposée une couche piézoélectrique 41, par exemple en nitrure d'aluminium, AlN, ou en oxyde de zinc, ZnO. Sur la couche piézoélectrique 41 sont disposés des moyens d'excitation en surface, par exemple deux peignes à dents entrelacées d'excitation 43 et deux peignes à dents entrelacées de réception 44 pour constituer une ligne à

retard à ondes acoustiques similaire à celle décrite en relation avec la figure 1.

Les inventeurs ont montré que, avec une telle struc ^¬ ture, si certaines conditions dimensionnelles et fréquentielles qui seront exposées ci-après sont respectées, les ondes qui se propagent dans la couche piézoélectrique 41 ne sont plus ni des ondes acoustiques de surface (SAW) ni des ondes acoustiques de volume (BAW) mais des ondes d'une nature particulière qui seront appelées ondes guidées. La vitesse de ces ondes guidées, qui se propagent dans le plan de la couche, peut être choisie très élevée, par exemple cinq à dix fois plus rapide que les ondes acoustiques de surface. De plus, ces ondes acoustiques guidées peuvent être excitées et reçues en surface par les mêmes systèmes de peignes conducteurs interdigités que des ondes acoustiques de surface classiques. On pourra donc réaliser les mêmes composants dans une structure selon la présente invention que ceux couramment utilisés en relation avec des ondes acous ^¬ tiques de surface.

On voit immédiatement l'avantage d'un tel dispositif. Les ondes acoustiques se propageant n fois plus rapidement que les ondes acoustiques de surface classique, on pourra, pour un réseau d'excitation de pas donné, faire se propager des ondes à une fréquence n fois plus élevée. Ainsi, dans le cas où n=6, un dispositif excitateur ou récepteur couramment utilisé pour fonctionner à une fréquence donnée pourra fonctionner à une fréquence 6 fois plus élevée. Un système excitateur ou récepteur en surface adapté à une fréquence de l'ordre de 2 gigahertz pourra être utilisé pour des fréquences de 12 gigahertz sans modification du pas des dents de peignes interdigités . Comme miroir acoustique, on pourra utiliser tout miroir connu à condition que l'ensemble qu'il forme avec le substrat présente une bande de fréquence interdite omnidirec- tionnelle .

Un mode de détermination d'un miroir omnidirectionnel va être décrit en relation avec la figure 4. Pour un multicouche

donné, par exemple une alternance de couches d'aluminium et de couches de tungstène de mêmes épaisseurs, on calcule les courbes de dispersion illustrées en figure 4 (voir par exemple Phys. Rev. E66, 056609, 2002, D. Bria et B. Djafari-Rouhani) . Ces courbes de dispersion indiquent, en hachures, toutes les régions dans lesquelles des modes de vibration peuvent exister dans la structure (miroir plus substrat) en fonction du rapport entre le pas D du multicouche et la longueur d'onde λ, le pas étant la somme des épaisseurs d'une couche de chaque matériau constituant le miroir. Les deux droites marquées VL et VT indiquent respec ^¬ tivement les vitesses transverse et longitudinale des ondes acoustiques dans le substrat (du silicium dans cet exemple) . Les zones claires illustrent les régions dans lesquelles toute propagation est interdite. Dans le cas de la structure illustrée, on constate que, dans la plage de produit (fréquence) x (épaisseur) comprise entre 1,2 et 2,4 GHz.μm (par exemple, pour un pas D = 0,4 μm, la bande de fréquence interdite s'étend entre 3 et 6 GHz), aucun mode de propagation n'est possible quelle que soit la longueur d'onde. Dans cette plage, la structure réfléchit toutes les ondes de toutes les incidences : il s'agit d'un miroir acoustique omnidirectionnel . Il est important de noter que les fréquences limite des courbes de dispersion sont propor ^¬ tionnelles au pas D de la structure multicouche. Ainsi, une fois le réseau de courbes déterminé pour un certain pas de couches du miroir, on pourra choisir une bande interdite différente en augmentant de façon proportionnelle le pas des couches.

On devra ensuite choisir l'épaisseur de la couche piézoélectrique 41 pour qu'elle puisse vibrer dans la bande de fréquence concernée. En effet, quand on ajoute une couche au- dessus d'un miroir, on introduit des modes de défaut addition ^¬ nels. Si certains se trouvent dans la bande interdite, ils sont nécessairement guidés dans la couche sans possibilité de fuir dans le substrat. Par exemple, pour une couche piézoélectrique de nitrure d'aluminium (AlN) d'une épaisseur de l'ordre de

800 nm, on obtient un mode de défaut dans la bande interdite. La fréquence de coupure de mode est de l ' ordre de 4 GHz .

Pour un pas de peigne de 3,57 μm, la vitesse de propa ^¬ gation des ondes acoustiques parallèlement au plan de la surface du dispositif est de l'ordre de 30000 m/s. Cette vitesse est sept fois plus grande que la vitesse des ondes de surface usuelles dans des substrats de tantalate de lithium.

Les pertes de propagation sont sensiblement compara ^¬ bles à celles que l'on obtient pour les dispositifs à ondes de surface. En outre, le coefficient de couplage obtenu est de l'ordre de 3 %, soit sensiblement trente fois plus grand que celui que l'on obtient dans le cas d'une onde de surface avec un matériau d'AlN massif.

Bien que l'on ait indiqué l 'AlN comme matériau préféré pour la couche piézoélectrique, tout autre matériau piézoélec ^¬ trique couramment utilisé pourra être utilisé, par exemple le ZnO, le LiNbO ₃ , le KNbO ₃ ...

Bien entendu, la présente invention est susceptible de diverses variantes et modifications qui apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, une ou plusieurs couches minces peuvent être ajoutées au-dessus du dispositif dans un but de passivation ou d' encapsulâtion. En outre, un deuxième miroir acoustique pourra être disposé au-dessus de la couche piézoélec ^¬ trique dans un but de confinement de l'énergie acoustique dans cette couche piézoélectrique.