以下に、本発明の実施形態に係る高周波� ��イッチモジュール及び高周波スイッチ装置� ��ついて説明する。

(高周波スイッチモジュール)
 以下に、本発明の一実施形態に係る高周波� ��イッチモジュールについて図面を参照しな� ��ら説明する。図1は、高周波スイッチモジュ ール10を備えた高周波スイッチ装置70のブロ� �ク図である。高周波スイッチ装置70は、複数 種類の周波数帯域の送受信信号を取り扱うこ とができる携帯電話に用いられる。そして、 高周波スイッチ装置70は、アンテナから入力� ��てくる複数の周波数帯域の受信信号が対応� ��る受信回路に正確に出力されるように、信� ��の伝送経路を切り替えると共に、送信回路� ��らの送信信号がアンテナに正確に出力され� ��ように伝送経路を切り替える。

 高周波スイッチ装置70は、図1に示すよう� ��、プリント配線基板50上に高周波スイッチ� �ジュール10が実装されることにより構成され ている。また、プリント配線基板50には、ア� ��テナ30及びコンデンサC1~C3が設けられている 。高周波スイッチモジュール10は、多層基板1 2、スイッチ回路14、SAWフィルタ20,22,24,26,28、� ��抗器R1~R3及び電流経路S1~S3を備えている。な お、抵抗器R1~R3はそれぞれ、電流経路S1~S3に� �して直列に接続されており、SAWフィルタ20,22 ,24,26,28は、平衡出力端子を有している。

 多層基板12は、内部に回路が形成された� �板である。図2(a)は、多層基板12の裏面を示� �た図であり、図2(b)は、多層基板12の表面を� �した図である。多層基板12の裏面とは、多層 基板12がプリント配線基板50上に実装される� �に、プリント配線基板50と対向する面であり 、多層基板12の表面とは、多層基板12の裏面� �平行な面である。

 図2(a)に示すように、多層基板12の裏面に� ��、端子T1~T28が設けられている。図1に示すよ うに、端子T1,T2はそれぞれ、GSM方式の送信信� ��GSM-Tx1,GSM-Tx2が図示しない送信回路から入力� ��てくる送信系端子である。端子T3~T12はそれ� ��れ、GSM方式の受信信号Rx1~Rx5が図示しない受 信回路へと出力していく受信系端子である。 端子T13~T15のそれぞれは、アンテナ30に入出力 する高周波信号の周波数帯域に応じてスイッ チ回路14の制御を行う制御信号Vc1~Vc3が印加さ れる制御端子である。端子T16は、スイッチ回 路14を駆動させるための電源電圧Vddが印加さ� ��る電源端子である。端子T17~T25には、図示し ないGND端子を介して接地される。端子T26は、 アンテナ30が接続され、複数の周波数帯域の� ��周波信号が入出力する共通端子である。な� ��、図2(a)の端子T27,T28は、プリント配線基板50 上のGND端子を介して接地されていてもよい。 該端子T27,T28は、他の端子T1~T26よりも大きな� �積を有しており、図示しないプリント配線� �板50側の電極に対して固定されることにより 、図1のプリント配線基板50と多層基板12とを� ��着する役割を果たしている。

 多層基板12の表面には、図2(b)に示すよう� ��、CMOS等の半導体素子を用いたスイッチ回路 14、SAWフィルタ(表面波フィルタ)20,22,24,26,28、 抵抗器R1~R3及びインダクタL1~L5が実装されて� �る。スイッチ回路14、SAWフィルタ20,22,24,26,28� ��抵抗器R1~R3及びインダクタL1~L5は、図2(a)に� �す端子T1~T26と多層基板12内に設けられている ビアホール導体及び配線を介して電気的に接 続されている。以下に、図2を参照しながら� �り詳細に説明する。なお、SAWフィルタ20,22及 びSAWフィルタ24,26はそれぞれ、2つのフィルタ を1つのパッケージに一体化したものであり� �SAWフィルタ20,22,24,26,28は、平衡・不平衡変換 機能を備えたフィルタである。

 図2(b)に示した丸印は、多層基板12の最上� ��に設けられているビアホール導体である。� ��層基板12の最上層には、ビアホール導体b1~b3 9が設けられている。端子T1,T2はそれぞれ、ビ アホール導体b1,b2を介してスイッチ回路14と� �気的に接続されている。

 端子T3,T4は、ビアホール導体b3,b4を介して SAWフィルタ20と電気的に接続されている。更� ��、ビアホール導体b3,b4は、SAWフィルタ20の平 衡端子に接続され、ビアホール導体b17は、SAW フィルタ20の不平衡端子に接続されている。� ��に、ビアホール導体b17は、多層基板12内の� �線等及びビアホール導体b20を介してスイッ� �回路14と電気的に接続されている。これによ り、図1に示すように、スイッチ回路14と端子 T3,T4とは、SAWフィルタ20を介して電気的に接� �されている。すなわち、SAWフィルタ20は、端 子T3,T4とスイッチ回路14との間に接続されて� �る。

 端子T5,T6は、ビアホール導体b5,b6を介して SAWフィルタ22と電気的に接続されている。更� ��、ビアホール導体b5,b6は、SAWフィルタ22の平 衡端子に接続され、ビアホール導体b21は、SAW フィルタ22の不平衡端子に接続されている。� ��に、ビアホール導体b21は、多層基板12内の� �線等及びビアホール導体b24を介してスイッ� �回路14と電気的に接続されている。これによ り、図1に示すように、スイッチ回路14と端子 T5,T6とは、SAWフィルタ22を介して電気的に接� �されている。すなわち、SAWフィルタ22は、端 子T5,T6とスイッチ回路14との間に接続されて� �る。

 端子T7,T8は、ビアホール導体b7,b8を介して SAWフィルタ24と電気的に接続されている。更� ��、ビアホール導体b7,b8は、SAWフィルタ24の平 衡端子に接続され、ビアホール導体b25は、SAW フィルタ24の不平衡端子に接続されている。� ��に、ビアホール導体b25は、多層基板12内の� �線等及びビアホール導体b27を介してスイッ� �回路14と電気的に接続されている。これによ り、図1に示すように、スイッチ回路14と端子 T7,T8とは、SAWフィルタ24を介して電気的に接� �されている。すなわち、SAWフィルタ24は、端 子T7,T8とスイッチ回路14との間に接続されて� �る。

 端子T9,T10は、ビアホール導体b9,b10を介し� ��SAWフィルタ26と電気的に接続されている。� �に、ビアホール導体b9,b10は、SAWフィルタ26の 平衡端子に接続され、ビアホール導体b25は、 SAWフィルタ26の不平衡端子に接続されている� ��更に、ビアホール導体b25は、多層基板12内� �配線等及びビアホール導体b27を介してスイ� �チ回路14と電気的に接続されている。これに より、図1に示すように、スイッチ回路14と端 子T9,T10とは、SAWフィルタ26を介して電気的に� ��続されている。すなわち、SAWフィルタ26は� �端子T9,T10とスイッチ回路14との間に接続され ている。

 端子T11,T12は、ビアホール導体b11,b12を介� �てSAWフィルタ28と電気的に接続されている。 更に、ビアホール導体b11,b12は、SAWフィルタ28 の平衡端子に接続され、ビアホール導体b28は 、SAWフィルタ28の不平衡端子に接続されてい� ��。更に、ビアホール導体b28は、多層基板12� �の配線等及びビアホール導体b30を介してス� �ッチ回路14と電気的に接続されている。これ により、図1に示すように、スイッチ回路14と 端子T11,T12とは、SAWフィルタ28を介して電気的 に接続されている。すなわち、SAWフィルタ28� ��、端子T11,T12とスイッチ回路14との間に接続� ��れている。

 端子T13は、ビアホール導体b13を介して抵� ��器R1と電気的に接続されている。ビアホー� �導体b13は、抵抗器R1においてビアホール導体 b31と電気的に接続されている。また、ビアホ ール導体b31は、ビアホール導体b32を介してス イッチ回路14と電気的に接続されている。こ� ��により、図1に示すように、スイッチ回路14� ��端子T13とは、抵抗器R1を介して電気的に接� �されている。

 端子T14は、ビアホール導体b14を介して抵� ��器R2と電気的に接続されている。ビアホー� �導体b14は、抵抗器R2においてビアホール導体 b33と電気的に接続されている。また、ビアホ ール導体b33は、ビアホール導体b34を介してス イッチ回路14と電気的に接続されている。こ� ��により、図1に示すように、スイッチ回路14� ��端子T14とは、抵抗器R2を介して電気的に接� �されている。

 端子T15は、ビアホール導体b15を介して抵� ��器R3と電気的に接続されている。ビアホー� �導体b15は、抵抗器R3においてビアホール導体 b35と電気的に接続されている。また、ビアホ ール導体b35は、ビアホール導体b36を介してス イッチ回路14と電気的に接続されている。こ� ��により、図1に示すように、スイッチ回路14� ��端子T15とは、抵抗器R3を介して電気的に接� �されている。

 端子T16は、ビアホール導体b16を介してス� ��ッチ回路14と電気的に接続されている。端� �T17~端子T25は、GND端子であり、図2(b)の参照符 号が付されていないビアホール導体のいずれ かに接続されている。

 端子T26は、多層基板12内の配線等及びビ� �ホール導体b39を介して、スイッチ回路14と電 気的に接続されている。

 多層基板12の内部には、所定の層の大部� �を覆うグランド電極が設けられている。ま� �、その他の層には、コイル電極及びコンデ� �サ電極が設けられている。該コイル電極及� �コンデンサ電極は、図1のローパスフィルタ1 6,18を構成している。多層基板12は、端子T1,T2� ��スイッチ回路14との間に接続されているロ� �パスフィルタ16,18を含んでいる。また、多層 基板12内において、スイッチ回路14と端子T13~T 15間に存在するビアホール導体及び配線は、� ��流経路S1~S3を構成している。

 次に、図1のコンデンサC1~C3について説明� ��る。コンデンサC1~C3はそれぞれ、プリント� �線基板50に設けられており、一端が端子T13~T1 6に接続されている配線に接続されていると� �に、他端が接地されている。コンデンサC1~C3 の一端はそれぞれ、抵抗器R1~R3から端子T13~T16 よりも離れた位置において配線に接続されて いる。コンデンサC1~C3は、制御信号Vc1~Vc3に発 生したノイズを接地側へと流す役割を果たし ている。なお、コンデンサC1~C3は、多層基板1 2上に搭載されていてもよい。

 以上のように構成された高周波スイッチ� ��ジュール10では、スイッチ回路14は、制御信 号Vc1~Vc3に基づいて、アンテナ30が受信した受 信信号の周波数帯域に応じた端子T3~T12と端子 T26とを接続する。また、スイッチ回路14は、� ��御信号Vc1~Vc3に基づいて、アンテナ30から送� ��すべき送信信号の周波数帯域に応じた端子T 1,T2と端子T26とを接続する。これにより、高� �波スイッチモジュール10は、複数種類の周波 数帯域の送受信信号を取り扱うことができる 。

(効果)
 以上のように構成された高周波スイッチモ� ��ュール10では、以下に説明するように、ノ� �ズがコンデンサC1~C3を経由してスイッチ回路 14に戻ることを抑制できる。より詳細には、� ��1及び図2に示すように、スイッチ回路14と端 子T13~T15とを接続する電流経路S1~S3上に、電流 経路S1~S3を通過するノイズを低減するための� ��抗器R1~R3が設けられている。この抵抗器R1~R3 は、電流経路S1~S3の抵抗値よりも大きな抵抗� ��を有している。そのため、抵抗器R1~R3が存� �しない電流経路S1~S3にノイズが流れた場合よ りも、抵抗器R1~R3が存在する電流経路S1~S3に� �イズが流れた場合の方が、多くのノイズが� �エネルギーに変換されて、ノイズが大きく� �衰する。そして、コンデンサC1~C3には、抵抗 器R1~R3を通過することにより減衰したノイズ� ��入力する。よって、高周波スイッチモジュ� ��ル10では、コンデンサC1~C3及びプリント配線 基板50内のグランド電極(図示せず)を経由し� �、スイッチ回路14に入力するノイズの大きさ が抑制されるようになる。その結果、高周波 スイッチモジュール10では、送信信号がノイ� ��により変調されて、送信信号の高調波に歪� ��が発生することを抑制でき、スイッチ回路1 4の高周波特性が劣化することを抑制できる� �

 また、図2(b)に示すように、抵抗器R1~R3は� ��電流経路S1~S3とスイッチ回路14との接続箇所 (すなわち、ビアホール導体b32,b34,b36)に最も� �い該スイッチ回路14の辺に沿って設けられて いる。これにより、抵抗器R1~R3とスイッチ回� ��14との間の距離が短くなり、これらの間に� �いてノイズが流入することを抑制できる。

 また、図2(b)に示すように、抵抗器R1~R3は� ��スイッチ回路14とSAWフィルタ28との間に設け られている。SAWフィルタ28には、受信信号Rx1~ Rx5が入力しており、スイッチ回路14には送信� ��号GSM-Tx1,GSM-Tx2が入力している。そのため、S AWフィルタ28とスイッチ回路14との間に抵抗器 R1~R3が設けられることにより、受信信号Rx1~Rx5 と送信信号GSM-Tx1,GSM-Tx2との間のアイソレーシ ョンを向上させることができる。

 更に、電流経路S1~S3を介してスイッチ回� �14へ静電気が流入する場合、その静電気の流 入を抵抗器R1~R3により制御でき、スイッチ回� ��14の静電気による破壊を防止できる。

(実験結果)
 本願発明者は、高周波スイッチモジュール1 0が奏する効果をより明確なものとするため� �、以下に説明する実験を行った。具体的に� �、1kωの抵抗器R1~R3を設けた高周波スイッチ� �ジュール10(第1の実験例)、500ωの抵抗器R1~R3� �設けた高周波スイッチモジュール10(第2の実� ��例)及び抵抗器R1~R3が設けられていない高周� ��スイッチモジュール10(第3の実験例)を作製� �、これらのRFポートで観測される信号を調べ た。図3(a)は、第1の実験例での実験結果を示� ��たグラフであり、図3(b)は、第2の実験例で� �実験結果を示したグラフであり、図3(c)は、� ��3の実験例での実験結果を示したグラフであ る。縦軸は、ノイズ量を示し、横軸は、周波 数を示している。

 図3(a)ないし図3(c)を比較すると分かるよ� �に、抵抗器R1~R3が設けられることにより、ノ イズ量が低減していることが理解できる。よ って、抵抗器R1~R3が設けられることにより、� ��イズがコンデンサC1~C3を経由してスイッチ� �路14に戻ることを抑制できている。更に、図 3(a)と図3(b)とを比較すると、抵抗器R1~R3が500ω の場合には、僅かではあるがノイズが発生し ているのに対して、抵抗器R1~R3が1kωの場合に は、ノイズが殆ど発生していない。よって、 抵抗器R1~R3は、1kω以上の抵抗値を有している ことが望ましい。

 また、本願発明者は、第1の実験例と第3� �実験例において、ハーモニックスを測定し� �。ハーモニックスとは、ある周波数におい� �半導体素子にパワーを印加した場合に、そ� �周波数の高次高調波に相当する周波数にお� �て、パワーが観測される現象である。その� �果、第3の実験例でのハーモニックスは、-68d Bcであったのに対して、第1の実験例でのハー モニックスは、-85dBcであった。すなわち、抵 抗器R1~R3が設けられた第1の実験例の方が、抵 抗器R1~R3が設けられていない第3の実験例より も、高調波信号の大きさを低減できているこ とが分かる。これは、スイッチ回路14にノイ� ��が侵入することにより、該ノイズにより高� ��波信号が変調されることを抑制できている� ��とを示している。

(高周波スイッチ装置)
 以下に、本発明の一実施形態に係る高周波� ��イッチ装置について図面を参照しながら説� ��する。図4は、高周波スイッチ装置70'のブロ ック図である。以下に、図1の高周波スイッ� �装置70との相違点を中心に説明を行う。

 高周波スイッチ装置70'と高周波スイッチ� ��置70との相違点は、電流経路S1'~S3'を通過す� ��ノイズを低減するための抵抗器R1~R3が設け� �れている位置である。高周波スイッチ装置70 では、抵抗器R1~R3は、図1に示すように、多層 基板12上に設けられていた。一方、高周波ス� ��ッチ装置70'では、抵抗器R1~R3は、図4に示す� ��うに、プリント配線基板50に設けられてい� �。より詳細には、プリント配線基板50には、 端子T13~T15に一端が接続されている電流経路S1 '~S3'が設けられている。抵抗器R1~R3は、電流� �路S1'~S3'上に設けられている。すなわち、高� ��波スイッチ装置70'では、抵抗器R1~R3は、高� �波スイッチモジュール10'外に設けられてい� �。更に、コンデンサC1~C3は、一端が抵抗部R1~ R3よりも端子T13~T15から離れた位置において電 流経路S1'~S3'に対して接続され、かつ、他端� �接地されている。このような構成によって� �、ノイズがコンデンサC1~C3を経由してスイッ チ回路14に戻ることを抑制できる。

 なお、高周波スイッチ装置70'のその他の� ��成については、高周波スイッチ装置70のそ� �他の構成と同じであるので、説明を省略す� �。

 なお、高周波スイッチ装置70'では、抵抗� ��R1~R3は、多層基板12とプリント配線基板50と� ��接続部分の近傍に設けられていることが望� ��しい。これにより、スイッチ回路14から出� �ノイズをスイッチ回路14近傍で除去すること ができ、スイッチ回路14の他のポートへのノ� ��ズの回りこみを低減できる。

 更に、プリント配線基板50は、電流経路S1 '~S3'の他端に接続されている制御端子用電極( 図示せず)を備えており、抵抗器R1~R3は、制御 端子用電極の近傍に設けられていてもよい。 これにより、他の制御端子電極から抵抗器R1~ R3を備えた制御端子電極へのノイズの回りこ� ��を低減できる。

(変形例)
 高周波スイッチモジュール10及び高周波ス� �ッチ装置70は、前記実施形態に示したものに 限らない。よって、これらは、発明の要旨の 範囲内において変更可能である。例えば、抵 抗器R1~R3は、抵抗素子であり、多層基板12又� �プリント配線基板50に実装されるものとした 。しかしながら、抵抗器R1~R3の代わりに、抵� ��部が多層基板12又はプリント配線基板50に直 接に設けられていてもよい。この場合、抵抗 部は、電流経路S1~S3よりも高い抵抗値を有す� ��材料が塗布されてなる配線により構成され� ��いてもよいし、電流経路S1~S3よりも細い線� �の配線により構成されていてもよい。

 また、高周波スイッチモジュール10及び� �周波スイッチ装置70では、端子T13~T15の全て� �対して抵抗器R1~R3が設けられているが、端子 T13~T15の全てに抵抗器R1~R3が設けられている必 要はない。端子T13~T15のいずれかに抵抗器R1~R3 が設けられなくても、ノイズの影響が生じな い場合がある。このような場合には、ノイズ に関与しない端子T13~T15には、抵抗器R1~R3を設 けなくてもよい。