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Title:
HIGH-TEMPERATURE SUPERCONDUCTIVE LAYER ARRANGEMENT
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2009/121321
Kind Code:
A1
Abstract:
The invention relates to a high-temperature superconductive layer arrangement, comprising a carrier material and a texturized buffer layer made of oxidic material. According to the invention, the buffer layer comprises at least one further constituent forming a homogeneous mixed crystal phase, said constituent being a transition metal from the first subgroup and/or forming at least a partial melt with the oxidic buffer material at an annealing temperature of ≤ 1,600 degrees Celsius. The further constituent may in particular be copper and/or silver.

Inventors:
BÄCKER, Michael (Krefelder Strasse 97 A, Köln, 50670, DE)
BRUNKAHL, Oliver (Marktstr. 24, Remagen, 53424, DE)
FALTER, Martina (Wiedring 29, Swisstal-Buschhoven, 53359, DE)
Application Number:
DE2009/000357
Publication Date:
October 08, 2009
Filing Date:
March 14, 2009
Export Citation:
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Assignee:
ZENERGY POWER GMBH (Heisenbergstr. 16, Rheinbach, 53359, DE)
BÄCKER, Michael (Krefelder Strasse 97 A, Köln, 50670, DE)
BRUNKAHL, Oliver (Marktstr. 24, Remagen, 53424, DE)
FALTER, Martina (Wiedring 29, Swisstal-Buschhoven, 53359, DE)
International Classes:
H01L39/24
Attorney, Agent or Firm:
GUDAT, Axel et al. (Lippert, Stachow & PartnerFrankenforster Strasse 135-137, Bergisch Gladbach, 51427, DE)
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Claims:

Hochtemperatursupraleiter-Schichtanordnung

Patentansprüche

1. Hochtemperatursupraleiter-Schichtanordnung umfassend mindestens ein Trägermaterial und eine texturierte Pufferschicht aus oxidischen Material, die ein texturiertes Aufwachsen einer Hochtemperatursupraleiter (HTSL) -Schicht ermöglicht, dadurch gekennzeichnet, dass die Pufferschicht mindestens einen weiteren, eine homogene Mischkristallphase bildenden Bestandteil enthält, der (a) ein übergangsmetall der ersten Nebengruppe (einschließlich in Form eines Oxids) ist und/oder (b) der ein Metall oder Metalloxid ist, welches bei einer Glühtemperatur von ≤ 1.600 Grad Celsius mit dem oxidischen Puffermaterial zumindest eine partielle Schmelze bildet.

2. Schichtanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das übergangsmetall Kupfer und/oder Silber ist.

3. Schichtanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der weitere Bestandteil in einem Gehalt von bis zu 40 at.-% bezogen auf den Gesamtmetallgehalt der Pufferschicht vorliegt.

4. Schichtanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeich-

net, dass der weitere Bestandteil in einem Gehalt von 2 bis 30 at.-% bezogen auf den Gesamtmetallgehalt der Pufferschicht vorliegt.

5. Schichtanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das den weiteren Bestandteil enthaltende Pufferschichtmaterial bei einer Glühtemperatur von ≤ 1.250 Grad Celsius zumindest eine partielle Schmelze bildet.

6. Schichtanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das den weiteren Bestandteil aufnehmende Pufferschichtmaterial zumindest aus einem Material besteht ausgewählt aus der Gruppe: Seltenerdenoxid, Hauptgruppenmetalloxid oder übergangsmetalloxid, einschließlich jeweils binäre, ternäre oder multinäre Oxide derselben, Zirkonat, Aluminat, Titanat, Manganat, Ruthenat.

7. Schichtanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das den weiteren Bestandteil aufnehmende Pufferschichtmaterial ein binäres oder multinäres Seltenerdenoxid ist, bei welchem die Metallkomponenten teilweise oder ausschließlich Seltenerdenmetalle sind und 2 oder mehr unterschiedliche Seltenerdenmetalle enthalten sind.

8. Schichtanordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das den weiteren Bestandteil aufnehmende Pufferschichtmaterial ein Seltenerdenmetalloxid der allgemeinen Formel RE 2+ χM 2+y O z mit -2 ≤ x, y ≤ 2, wobei RE eines oder mehrere Seltenerdenmetalle und M eines oder mehrere zwei, drei-, vier- oder fünfwertige Metalle, einschließlich Seltenerdenmetalle, sind.

9. Schichtanordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass M eines oder mehrere Metalle aus der Gruppe Seltenerdenmetall, Hafnium, Zirkon sind.

LO. Schichtanordnung nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass RE und/oder M unabhängig voneinander teilweise gegen ein übergangsmetall und/oder Hauptgruppenmetall substituiert sind oder dass M ein übergangs- oder Hauptgruppenmetall oder eine Kombination derselben darstellt.

11. Schichtanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Porosität der den weiteren Bestandteil enthaltenden Pufferschicht ≤ 25% beträgt.

12. Schichtanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die den weiteren Bestandteil enthaltenden Pufferschicht eine RMS-Rauheit von ≤ 1,8 nm aufweist .

13. Schichtanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Pufferschicht mehrere Schichten aufweist und dass die den weiteren Bestandteil enthaltende Mischkristallphasenpufferschicht auf dem Trägermaterial angeordnet ist.

14. Schichtanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Pufferschicht mehrere Schichten aufweist, und dass die den weiteren Bestandteil enthaltende Mischkristallphasenpufferschicht, die an die Hochtemperatursupraleiter-Schicht angrenzende Schicht bildet.

15. Schichtanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die zwischen Trägermaterial und HTSL-Schicht angeordnete Pufferschicht nur Schichten aufweist, die einen weiteren, eine homogene Mischkristallphase bildenden weiteren Bestandteil aufweist.

16. Schichtanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 15, da-

durch gekennzeichnet, dass die Pufferschicht nur einschichtig ausgebildet ist.

L7. Verfahren zur Herstellung einer Hochtemperatursupraleiter- Schichtanordnung, insbesondere nach einem der Ansprüche 1 bis 16, wobei auf einem Trägermaterial eine texturierte Pufferschicht aufgebracht wird, die ein texturiertes Aufwachsen eines HochtemperaturSupraleiters ermöglicht, dadurch gekennzeichnet, dass in das Pufferschichtmaterial mindestens ein weiterer, eine homogene Mischkristallphase bildender Bestandteil eingebracht wird, der (a) mindestens ein übergangsmetall der ersten Nebengruppe (einschließlich in Form eines Oxids) enthält und/oder (b) ein Metall oder Metalloxid ist, welches bei einer Glühbehandlung von ≤ l.βOO Grad Celsius mit dem Pufferschichtmaterial zumindest eine partielle Schmelze bildet.

18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass als übergangsmetall Kupfer und/oder Silber eingesetzt wird.

19. Verfahren nach Anspruch 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, dass der mindestens eine weitere Bestandteil in einem Gehalt von bis zu 40 at.-% bezogen auf den Gesamtmetallgehalt der Pufferschicht zugefügt wird.

20. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass der mindestens eine weitere Bestandteil derart zugefügt wird, dass die das resultierende Pufferschichtmaterial bei einer Glühtemperatur von ≤ 1.250 Grad Celsius zumindest eine partielle Schmelze bildet.

21. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass eine Pufferschicht aufgebracht wird, die zumindest im Wesentlichen aus einem Material besteht ausgewählt aus der Gruppe: Seltenerdenoxid, Haupt-

gruppenmetalloxid oder übergangsmetalloxid, einschließlich jeweils binäre, ternäre oder multinäre Oxide derselben, Zirkonat, Aluminat, Titanat, Manganat, Ruthenat .

22. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass das den weiteren Bestandteil aufnehmende Pufferschichtmaterial ein binäres oder multinäres Seltenerdenoxid ist, bei welchem die Metallkomponenten teilweise oder ausschließlich Seltenerdenmetalle sind und 2 oder mehr unterschiedliche Seltenerdenmetalle enthalten sind.

23. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass als das den weiteren Bestandteil aufnehmende Pufferschichtmaterial ein Seltenerdenmetalloxid der allgemeinen Formel RE2- x M 2 -yO 2 2 mit 0 < x, y, z ≤ 1 eingesetzt wird, wobei RE eines oder mehrere Seltenerdenmetalle und M eines oder mehrere zwei, drei-, vier- oder fünf- wertige Metalle, einschließlich Seltenerdenmetalle, sind.

24. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass die Pufferschicht in mehreren Schichten aufgebracht wird und dass die den weiteren Bestandteil enthaltende Mischkristallphasenpufferschicht auf dem Trägermaterial und/oder als die an die Hochtemperatursupraleiter-Schicht angrenzende Schicht ausgebildet wird.

25. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass die Pufferschicht nur durch eine oder mehrere Schichten ausgebildet wird, die einen weiteren, eine homogene Mischkristallphase bildenden weiteren Bestandteil aufweisen.

26. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass der weitere Bestandteil und das Pufferschichtmaterial zusammen oder getrennt auf der jeweiligen Unterlage abgeschieden werden.

11. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass der weitere Bestandteil und das Pufferschichtmaterial und/oder jeweils deren Precursoren getrennt oder zusammen mittels einer chemischen Lösung auf der jeweiligen Unterlage abgeschieden werden und dass, gegebenenfalls nach weiteren Abscheidungsschritten des Pufferschichtmaterial und/oder des weiteren Bestandteils, das beschichtete Substrat unter Bildung einer den weiteren Bestandteil enthaltenden homogenen Mischkristallphase einer Glühbehandlung unterzogen wird.

18. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallkomponenten des Puffermaterials und/oder des weiteren Bestandteils zumindest teilweise oder vollständig als Alkylcarboxylate, Acetylacetona- te oder in Form anderer vorzugsweise chelatbildender Komplexe in einem organischen Lösungsmittel auf das Trägermaterial oder eine bereits vorliegende Puffermaterialschicht, einschließlich dessen Vorstufen, aufgebracht wird.

29. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallkomponenten des Puffermaterials und/oder des weiteren Bestandteils in Form wasserlöslicher Verbindungen in einer wässrigen Lösung auf das Trägermaterial oder eine bereits vorliegende Puffermaterialschicht, einschließlich dessen Vorstufen, aufgebracht wird.

30. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 29, dadurch gekennzeichnet, dass die Glühbehandlung zur Erzeugung der den weiteren Bestandteil enthaltenden Pufferschicht zumindest teilweise in einer reduzierenden Atmosphäre erfolgt.

31. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 30, dadurch gekennzeichnet, dass die Glühbehandlung zur Erzeugung

der den weiteren Bestandteil enthaltenden Pufferschicht derart durchgeführt wird, dass eine Porosität der Pufferschicht von ≤ 25% vorliegt.

32. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 31, dadurch gekennzeichnet, dass die Glühbehandlung zur Erzeugung der den weiteren Bestandteil enthaltenden Pufferschicht derart durchgeführt wird, dass die Pufferschicht eine RMS- Rauheit von ≤ 1,8 nm aufweist.

Description:

Hochtemperatursupraleiter-Schichtanordnung

Die Erfindung betrifft eine Hochtemperatursupraleiter-Schicht- anordnung umfassend mindestens ein Trägermaterial und eine texturierte Pufferschicht, die ein texturiertes Aufwachsen einer Hochtemperatursupraleiter (HTSL) -Schicht ermöglicht.

Die Pufferschicht hat eine Vielzahl unterschiedlicher Funktionen. Zum Einen soll diese die Textur von dem einen möglichst hohen Texturgrad aufweisenden texturierten Trägermaterial möglichst vollständig und perfekt auf die aufzuwachsende HTSL- Schicht übertragen. Hierbei ist zu berücksichtigen, dass das Trägermaterial möglichst weitgehend biaxial texturiert ist, d.h. sowohl senkrecht zu der Schicht als auch in einer axialen Richtung innerhalb der Schicht. Eine entsprechende biaxiale Texturierung des Hochtemperatursupraleiters ist zur Erzielung hoher kritischer Ströme und hoher Stromdichten notwendig. Weiterhin soll die Pufferschicht eine Diffusion von Bestandteilen oder Verunreinigungen des Trägermaterials in die HTSL-Schicht verhindern, da hierdurch die kritische Stromdichte und/oder der absolute kritische Strom des Hochtemperatursupraleiters vermindert oder der supraleitende Zustand gestört werden kann. Weiterhin soll die Pufferschicht eine möglichst hohe Haftfestigkeit sowohl mit dem Trägermaterial als auch mit dem aufzuwachsenden Hochtemperatursupraleiter aufweisen. Weiterhin muss die Pufferschicht ausreichende mechanische und Temperaturwechseleigenschaften aufweisen, sowohl unter Berücksichtigung der Herstellungs- als auch der Einsatzbedingungen. Zudem soll die

Pufferschicht möglichst einfach, reproduzierbar und mit hoher

Prozessgeschwindigkeit herstellbar sein.

Als Pufferschichtmaterial werden bisher eine Reihe unterschiedlicher Materialien eingesetzt, wie beispielsweise Yttriumstabilisiertes Zirkonoxid (YSZ), verschiedene Zirkonate wie Gadoliniumzirkonat, Lanthanzirkonat oder dergleichen, Titanate wie Strontiumtitanat, einfache Oxide wie Ceroxid, Magnesiumoxid oder dergleichen. Um das heutzutage bestehende komplexe und hohe Anforderungsprofil zu erfüllen, insbesondere einen hohen Texturübertrag und hohe Diffusionsbarriere zu gewährleisten, besteht die Pufferschicht aus Schichtkombinationen mehrerer unterschiedlicher Puffermaterialien, teilweise aus fünf oder mehr Schichten. Die Aufbringung mehrerer Schichten von Puffermaterial ist jedoch verfahrenstechnisch überaus aufwändig und reduziert die Produktionsgeschwindigkeit des Gesamtherstellungsverfahrens einer funktionsfähigen HTSL-Schichtan- ordnung beträchtlich, auch wenn beispielsweise zur Herstellung von Bändern kontinuierliche Prozesstechniken eingesetzt werden. Durch die Verwendung einer einschichtigen Pufferschicht herkömmlicher Materialien kann das komplexe Anforderungsprofil jedoch nur unzulänglich erfüllt werden.

Weiterhin besteht ein Bedürfnis, die Qualität der Hochtemperatursupraleiter-Schichten im Hinblick auf deren Homogenität und Textur weiter zu erhöhen. So soll der Anteil an Bereichen der HTSL-Schicht, die nicht HTSL-Material aufweisen, z.B. aufgrund einer Porosität der HTSL-Schicht oder aufgrund von Fremdphasen, möglichst minimal sein. Ferner sollen Bereiche mit Fehltextu- rierungen, die nicht nur eine Verkippung gegenüber der Vorzugsorientierung sondern Bereiche mit völlig verschiedener Kristallorientierung darstellen können, vermieden werden. Diese Eigenschaften der HTSL-Schicht können teilweise durch die Wahl der Precursor der HTSL-Materialien bei chemischen Abscheidungs- ' verfahren und die Parameter der Abscheidungs- und Glühprozesse beeinflusst werden, die Effekte sind jedoch nur schwer vorher-

sagbar und teilweise gegenläufig. Aufgrund der Mehrkomponenten- systeme der HTSL-Materialien ist die Kinetik der Zersetzung der Precursoren und Kristallisation des HTSL-Materials oftmals auch nur schwierig steuerbar, so dass Veränderungen der Prozessparameter oftmals nicht erwünscht sind.

Diese Anforderungen sollen nach Möglichkeit insbesondere bei einer HTSL-Schichtanordnung erfüllt werden, bei welcher die Pufferschicht und/oder die HTSL-Schicht mittels chemischer Lösungsbeschichtungen herstellbar sind. Aufgrund der hiermit verbundenen Vorgänge bei thermischer Bildung der Puffer- und HTSL-Schicht sind auch an die Erzeugung dieser Schichten besondere Anforderungen zu stellen. Insbesondere unterscheidet sich die Kinetik der Schichtbildung und Kristallisation grundlegend von den Erfordernissen an eine Erzeugung dieser Schichten durch physikalische Verfahren wie Pulsed-Laser-Deposition (PLD) , thermische Coverdampfung (TCE) , metallorganischer Gasphasenab- scheidung (MOCVD) oder dergleichen.

Der Erfindung liegt hiermit die Aufgabe zugrunde, eine Hochtemperatursupraleiter-Schichtanordnung bereitzustellen, die eine dichte, homogene, rissfreie und möglichst glatte HTSL-Schicht aufweist oder bei welcher eine derartige HTSL-Schicht durch Aufwachsen auf die Pufferschicht erzeugbar ist, wobei die Schichten vorzugsweise durch chemische Lösungsbeschichtungen herstellbar sind. Ferner besteht die Aufgabe darin, ein Verfahren zur Herstellung derartiger Schichtanordnungen bereitzustellen.

Diese Aufgabe wird durch die HTSL-Schichtanordnung nach Anspruch 1 gelöst, bei welcher die texturierte Pufferschicht mindestens einen weiteren, eine homogene Mischkristallphase bildenden Bestandteil enthält, der ein übergangsmetall der ersten Nebengruppe ist und/oder der bei einer Glühtemperatur von ≤ 1.600 Grad Celsius mit dem vorzugsweise oxidischen Puffermaterial zumindest eine partielle Schmelze bildet, wobei der

weitere Bestandteil vorzugsweise ein Metall oder Metalloxid ist. Durch den weiteren Bestandteil, der mit dem Pufferschichtmaterial eine homogene Mischkristallphase bildet, kann überraschenderweise eine Pufferschicht erzeugt werden, die eine sehr geringe oder praktisch keine Porosität und zudem eine nur sehr geringe Rauheit aufweist und die mit hoher Dichtigkeit und praktisch rissfrei herstellbar ist. Weiterhin ist eine derartige Pufferschicht durch chemische Lösungsbeschichtung (CSD) herstellbar.

Durch den weiteren Bestandteil, der mit dem Pufferschichtmaterial eine homogene, feste Mischkristallphase bildet, kann bei der Erzeugung der Pufferschicht zumindest eine partielle Schmelze gebildet werden, so dass bei der anschließenden Glühbehandlung eine zumindest partielle Rekristallisation des Pufferschichtmaterials erfolgen kann, wobei zumindest bereichsweise intermediär eine Flüssigphase entsteht. Hierbei wird ermöglicht, dass die Textur des Trägermaterials wesentlich besser als bei Verwendung des Pufferschichtmaterials ohne den weiteren Bestandteil auf die Pufferschicht und damit letztendlich auf die HTSL-Schicht übertragen wird und zudem eine Pufferschicht mit deutlich verminderter oder praktisch ohne Porosität und Mikrorissen erzeugt wird, die zudem wesentlich glatter als herkömmliche Schichten ist. Der weitere Bestandteil kann hierbei ein Metall und/oder Metalloxid sein, und/oder jeweils ein Precursor desselben sein, welcher bei der zumindest eine partielle Schmelze bildenden Glühtemperatur ein derartiges Metall oder Oxid freisetzt, wie beispielsweise ein Hydroxid, Carbonat, Nitrat, Citrat, Alkylcarboxylat, Acetylacetonat oder ein anderes geeignetes Metallchelat, oder dergleichen, einschließlich Mischungen derselben.

Durch die erfindungsgemäße Pufferschicht kann die auf diese aufwachsende HTSL-Schicht ebenfalls sehr homogen, d.h. praktisch ohne Poren oder sonstige Bereiche, die wie z.B. Mikroris- se einen supraleitenden Stromdurchgang behindern, erzeugt wer-

den, wobei zudem die HTSL-Schicht besonders glatt herstellbar ist. Gegebenenfalls kann auch der Texturübertrag verbessert werden. Insbesondere werden auch Aufwachsfehler auf die Pufferschicht, wie im Bereich von Poren herkömmlicher Pufferschichten vorliegen können und die zu Bereichen mit anderer Kristallorientierung führen können, drastisch vermindert. Eine derartige HTSL-Schicht weist verbesserte physikalische und mechanische Eigenschaften auf, insbesondere auch im Hinblick auf die supraleitenden Eigenschaften wie kritische Stromdichte und die absolute kritische Stromstärke I c , wodurch auch elektronische HTSL-Bauteile mit verbesserten Eigenschaften herstellbar sind.

Das Ergebnis ist insoweit überraschend, als dass bei Aufbringung des Pufferschichtmaterials durch chemische Lösungsbeschich- tung die Bildung der Pufferschicht eine Vielzahl komplizierter physikochemischer Vorgänge umfasst, wie Verdampfen des Lösungsmittels, Zersetzung von PufferSchichtmaterial, Bildung amorpher Festphasen des Pufferschichtmaterials, Rekristallisation desselben, wobei auch die veränderten thermischen Eigenschaften des Pufferschichtmaterials bei der komplexen Temperaturführung des Verfahrens zur Erzeugung der Pufferschicht zu berücksichtigen sind.

Bevorzugte Weiterbildungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Vorzugsweise ist das Trägermaterial texturiert, insbesondere biaxial texturiert, d.h. senkrecht zu der Schichtebene, auf welcher das HTSL-Materials aufgewachsen wird, und in einer Richtung innerhalb der Schichtebene, beispielsweise im Falle eines bandförmigen Trägermaterials der Bandlängsrichtung. Das Trägermaterial kann bandförmig aber auch anders dimensioniert sein, z.B. in Form von eher isometrischen Schichten. Die Pufferschicht besteht zumeist aus einem oxidkeramischen Material bzw. einem Metalloxid.

Vorzugsweise bildet der weitere Bestandteil mit dem Pufferschichtmaterial bei Temperaturen im Bereich von 1600-500 0 C, 1400-600 0 C, 1250-700°C oder 1100-800 0 C eine nur partielle Schmelze, so dass Fest- und Flüssigphase des Pufferschichtmaterials miteinander koexistieren, oder eine praktisch homogene bzw. vollständige Schmelze. Dies gilt auch für den Fall, dass der weitere Bestandteil ein übergangsmetall und/oder übergangsmetalloxid ist.

Allgemein kann der weitere Bestandteil derart ausgewählt und in einem Gehalt in dem Pufferschichtmaterial vorliegen, dass dieser bei einer Glühbehandlung von ≤ 1.600 0 C, vorzugsweise bei ≥ 500 0 C, eine zumindest partielle oder vollständige Schmelze bildet. Insbesondere kann der weitere Bestandteil derart ausgewählt und in einem Gehalt in dem Pufferschichtmaterial vorliegen, dass dieses bei einer Glühbehandlung von ≤ 1.500 0 C oder ≤ 1.300 bis 1.400 0 C, vorzugsweise < 1.100 bis 1.200 0 C oder < 900 bis 1.000 0 C zumindest eine partielle oder vollständige Schmelze bildet. Es versteht sich, dass die Glühtemperatur derart zu wählen ist, dass das Pufferschichtmaterial keine unerwünschte Zersetzung oder Verflüchtigung von Bestandteilen erleidet und das Trägermaterial nicht beeinträchtigt wird, beispielsweise durch unerwünschte Phasenbildung oder nachteilige Veränderungen dessen Textur.

Der weitere Bestandteil kann in einer Konzentration in dem Pufferschichtmaterial eingesetzt werden, so dass dieses vorzugsweise bei der Glühbehandlung von ≤ 1500-1600 0 C aber auch der weiteren Abkühlung bis auf beispielsweise ≤ 800-900 °C, ≤ 600-700°C, < 400-500°C, 200-300 0 C oder bis auf Raumtemperatur oder tieferen Temperaturen bis ca. 70-80 Kelvin oder tiefer keine amorphen Phasen oder keine Mischphasen z.B. durch Phasenumwandlungen entstehen und die homogene Mischkristallphase auch unterhalb der Glühtemperatur langzeitbeständig ist. Die den weiteren Bestandteil enthaltende homogene Festkörpermischkristallphase kann bei Raumtemperatur und/oder der Einsatz-

temperatur des HTSL-Materials kinetisch langzeitbeständig sein, vorzugsweise ist sie auch thermodynamisch in dem Temperaturbereich von der Glühbehandlung (siehe oben) bis zu der Einsatztemperatur des HTSL-Materials beständig, so dass Entrαi- schungsvorgänge oder Phasensegregationen, Ausscheidung von amorphen Phasen oder sonstigen Phasenänderungen nicht stattfinden.

Weiterhin sollten die weiteren Bestandteile allgemein nicht eine signifikante oder keine Tendenz zur Diffusion in die HTSL- Schicht unter (nachteiliger) Veränderung der mechanischen und/oder physikalischen Eigenschaften derselben, insbesondere Verringerung der kritischen Stromdichte und/ oder des absoluten kritischen Stroms, haben.

Vorzugsweise ist der die homogene Mischkristallphase bildende weitere Bestandteil eines oder mehrere Metalle der ersten Nebengruppe, beispielsweise Cu, Ag, Ti, V, Cr, Mn oder Zn, besonders bevorzugt Cu und/oder Ag, gegebenenfalls auch Ti, Cr oder Zn, oder enthält jeweils zumindest ein solches. Gegebenenfalls können auch Fe, Ni und/oder Co eingesetzt werden, diese sind jedoch aufgrund der magnetischen Eigenschaften ihrer Verbindungen nicht bevorzugt. Die oben genannten übergangsmetalle können jeweils einzeln oder in Kombination eingesetzt werden, beispielsweise Kupfer und/oder Silber in Kombination mit einem oder mehreren weiteren der oben genannten Metalle. Gegebenenfalls kann der weitere Bestandteil alternativ oder zusätzlich auch andere Metalle enthalten, beispielsweise eines oder mehrere Metalle aus der Gruppe der Hauptgruppen-Metalle wie Alkali- und/oder Erdalkalimetalle, Metalle und Halbmetalle der dritten, vierten, fünften oder sechsten Hauptgruppe (wie beispielsweise B, Si, Ge, As, Se, Sb, Te) , sofern diese mit dem Pufferschichtmaterial eine homogene Mischkristallphase bilden, die bei einer Glühbehandlung von ≤ 1.600 0 C oder den oben genannten Temperaturen zumindest eine partielle Schmelze bilden und bei niedrigeren Temperaturen, insbesondere den oben genannten Temperaturen,

keinen Phasenumwandlungen oder Ausscheidungen anderer Phasen, einschließlich Bildung amorpher Phasen, unterliegen. Der weitere Bestandteil liegt vorzugsweise als Oxid vor und bildet mit dem Pufferschichtmaterial ein Mischoxid, wobei der weitere Bestandteil mittels eines Precursors eingebracht werden kann. Der weitere Bestandteil liegt vorzugsweise überwiegend oder vollständig in einer mittleren oder niedrigen Oxidationsstufe > 0 vor, z.B. in einer Oxidationsstufe von 1,2, 3 oder 4, vorzugsweise 1 bis 3 oder einer Oxidationsstufe 1 oder 2, sofern diese Oxidationsstufe ausreichend stabil ist. Insbesondere kann Kupfer als Cu(I) vorliegen.

Der mindestens eine weitere Bestandteil oder die Kombination der weiteren Bestandteile können in einem Gehalt von bis zu 40 at.-% bezogen auf den Gesamtmetallgehalt der Pufferschicht vorliegen, gegebenenfalls auch in einem höheren Gehalt, sofern mit dem Pufferschichtmaterial eine homogene Mischkristallphase gebildet wird, die vorzugsweise auch unterhalb der Glühtemperatur beständig ist, wie oben angegeben. Der weitere Bestandteil kann in einem Gehalt von ≥ 1 bis 2 at.-% oder ≥ 3 bis 5 at.-%, vorzugsweise in einem Gehalt von ≥ 7 bis 10 at.-% vorliegen, jeweils bezogen auf den Gesamtmetallgehalt des Pufferschichtma- terials. Der Gehalt des mindestens einen oder die Kombination der weiteren Bestandteile kann ≤ 30 bis 35 at.-%, gegebenenfalls ≤ 20 bis 25 at.-% bezogen auf den Gesamtmetallgehalt der Pufferschicht betragen.

Das Pufferschichtmaterial, welches erfindungsgemäß mit dem mindestens einen weiteren Bestandteil unter Bildung einer homogenen Mischkristallphase dotiert wird, kann ein Seltenerdenmetalloxid, insbesondere ein binäres, ternäres oder multinäres Seltenerdenmetalloxid, ein Oxid eines übergangsmetalls, insbesondere der zweiten oder dritten Nebengruppe gegebenenfalls aber auch der ersten Nebengruppe, oder ein Hauptgruppenmetall- oxid, jeweils einschließlich ein binäres, ternäres oder multinäres Oxid derselben sein. Das Pufferschichtmaterial kann auch

ein Seltenerdenmetall-übergangsmetall-Oxid sein, wobei das

übergangsmetall ein solches der ersten, zweiten und/oder dritten, vorzugsweise der zweiten und/oder dritten, Nebengruppe sein kann. Seltenerdenmetalle im Sinne der Erfindung sind Sc, Y, La und die Lanthanoiden (Ln) . Das Pufferschichtmaterial kann gegebenenfalls auch ein einfaches Oxid eines Seltenerdenmetalls, Hauptgruppenmetalls oder übergangsmetalls sein. Beispielsweise kann das Pufferschichtmaterial ein Zirkonat, Alumi- nat, Titanat, Manganat oder Ruthenat sein. Dass Pufferschichtmaterial kann zum Beispiel auch Zirkonoxid, insbesondere Yttri- um-stabilisiertes Zirkonoxid (YSZ) , Nickeloxid, Ceroxid, Magnesiumoxid oder gegebenenfalls auch ein anderes Erdalkalimetalloxid sein.

Besonders bevorzugt ist das den weiteren Bestandteil aufnehmende Pufferschichtmaterial ein Seltenerdenmetalloxid, vorzugsweise ein binäres oder multinäres Seltenerdenmetalloxid, welches die allgemeine Formel RE 2+x M 2+y O z mit -2 ≤ x, y ≤ 2, vorzugsweise -1 ≤ x, y ≤ 1, aufweisen kann, wobei vorzugsweise gilt, wenn x ≤ 0 ist y ≥ 0 und wenn y ≤ 0 ist x > 0. Vorzugsweise ist jeweils x = -y. x, y können unabhängig voneinander jeweils 0 sein. Es kann sein x + y = + d, wobei 3 ≤ 0,5 bis 1, vorzugsweise ≤ 0,2 bis 0,3 oder ≤ 0,15 bis 0,1 sein kann. Ist 3 kleiner 0, so kann das Kationenteilgitter Leerstellen aufweisen, ist 3 größer 0, so können interstitielle Lagen wie z.B. Oktaederlücken zusätzlich besetzt sein. Insbesondere kann 3 gleich 0 sein. RE ist eines oder mehrere Seltenerdenmetalle und M eines oder mehrere zwei, drei-, vier- oder fünfwertige Metalle, einschließlich Seltenerdenmetalle, z kann insbesondere im Bereich zwischen 5 und 8 variieren, beispielsweise im Bereich von 6 bis 8. Insbesondere kann die Formel RE 2+ χM2 +y θ5_ 8 , mit -1 ≤ x, y ≤ 1, oder RE 2+ χM2+ y O 7 ± 2 z mit -1 < x, y ≤ 1 und 0 < z ≤ 0,5, gelten, besonders bevorzugt kann die Formel RE 2+ χM2 + yθ5-8, mit -0,5 ≤ x, y < 0,5, oder RE2 +x M 2+y O 7 ± 2z mit -0,5 < x, y ≤ 0,5 und 0 ≤ z < 0,5, gelten, wobei im übrigen das oben Gesagte gelten kann. Allgemein hat z einen solchen Wert, dass hierdurch die neutrale

Ladungsbilanz hergestellt wird. Es kann sein 5≤z≤8 oder z=7.

RE kann jeweils eines oder mehrere Metalle ausgewählt aus der Gruppe La, Y und Ln (Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu) sein, insbesondere nur aus der Gruppe La und Ln oder nur aus der Gruppe Ln. Insbesondere kann Ln jeweils eines oder mehrere Metalle aus der Gruppe Ce, Nd, Sm, Eu, Gd, Yb sein. Unabhängig hiervon oder in Kombination hiermit kann M eines oder mehrere Metalle sein ausgewählt aus der Gruppe der übergangsmetalle, einschließlich Lanthanoiden (Ln) , und Hauptgruppenmetalle, einschließlich Zn. M kann eines oder mehrere Metalle aus der Gruppe der übergangsmetalle, einschließlich Lanthanoiden, oder eines oder mehrere Metalle aus der Gruppe der Seltenerdenmetalle oder aus der Gruppe bestehend aus Lanthan und der Lanthanoiden sein. M kann jeweils auch ein oder mehrere Metalle der übergangsmetalle der ersten, zweiten und/oder dritten Nebengruppe sein, vorzugsweise der zweiten und/oder dritten Nebengruppe, jeweils ausgenommen der Lanthanoiden und Actinoiden. Gegebenenfalls können für M auch ein oder mehrere Lanthanoiden in Kombination mit einem oder mehreren von den Lanthanoiden und Actinoiden verschiedenen übergangsmetallen vorliegen. Gegebenenfalls kann M jeweils auch Sc, La und Y einschließen. Vorzugsweise ist M ein oder mehrere Metalle mit einer Wertigkeit von drei bis fünf, insbesondere von drei bis vier oder von vier bis fünf. Sind M mehrere Metalle, so haben diese vorzugsweise dieselbe Wertigkeit, vorzugsweise 3, 4 oder 5. So kann M jeweils eines oder mehrere Metall aus der Gruppe Sr, Ba, Ga, In, Tl, Sn, Pb, Bi, oder auch As, Sb, Se oder Te oder Tantal, Niob sein. Alternativ oder zusätzlich kann M eines oder mehrere Metalle aus der Gruppe Seltenerdenmetall, Hafnium, Zirkon, Tantal, Niob sein. Besonders bevorzugt ist M eines oder mehrere Metalle von Cer, Hafnium oder Zirkon, insbesondere Cer. Das Seltenerdenmetall (insbesondere auch Cer) , Hafnium oder Zirkon können wie unten beschrieben teilweise substituiert sein, insbesondere jeweils gegen ein anderes Metall aus der Gruppe von Seltenerdenmetall, insbeson-

dere Cer, Hafnium und Zirkon. Gegebenenfalls kann dasselbe

Metallatom wie z. B. ein Seltenerdenmetall, einschließlich Ln, Hf oder Zr auch auf verschiedenen Lagen vorhanden sein.

Insbesondere kann das den weiteren Bestandteil aufnehmende Puffermaterial zwei oder mehr verschiedene Seltenerdenmetalle RE und RE' aufweisen, die jeweils unabhängig voneinander insbesondere La, Y oder ein Lanthanoid (Ln) wie Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu sein können, insbesondere Ce, Nd, Sm, Eu, Gd, Yb, im speziellen Ce. Insbesondere kann jeweils RE gleich La und/oder Y sein. RE und RE' können jeweils unabhängig voneinander auch ausgewählt sein aus der Gruppe Ce, Nd, Sm, Eu, Gd, Yb, im speziellen Ce, insbesondere wenn RE gleich La oder Y ist. Das den weiteren Bestandteil aufnehmenden Pufferschichtmaterial kann hierbei die Formel RE 2+X RE ' 2+y O 7 + z , RE 2 RE ' 2 O 7±Z , La 2+x RE 2+y O 7 ± z (mit RE ungleich La), La 2 RE 2 O 7±z (mit RE ungleich La), La 2+x Ln 2+ y0 7 ± z , La 2 Ln 2 0 7 ± z , oder Ln 2+x Ln' 2+y O 7±z , Ln 2 Ln' 2 O 7 + z aufweisen, jeweils mit -2 ≤ x, y ≤ 2 oder vorzugsweise -1 ≤ x, y, z ≤ 1, wobei La jeweils teilweise oder vollständig durch Y substituiert sein kann. Besonders bevorzugt ist jeweils mit -0,5 ≤ x, y ≤ 0,5, wobei im übrigen das oben Gesagte gelten kann. Vorzugsweise ist jeweils wenn x ≤ 0 ist y > 0 und wenn y ≤ 0 ist x ≥ 0. Vorzugsweise ist jeweils x = -y. Allgemein hat z einen solchen Wert, dass hierdurch die neutrale Ladungsbilanz hergestellt wird, insbesondere einen Wert, so dass gilt 5 ≤ 7 ± z ≤ 8 ist, wobei z auch 0 sein kann.

Insbesondere kann das den weiteren Bestandteil aufnehmende Puffermaterial ein Seltenerdenmetall (RE) -übergangsmetall (TM) - Oxid sein, wobei TM ein übergangsmetall ausgenommen der Lantha- noiden und Actinoiden ist, beispielsweise nach der allgemeinen Formel (La, Ln) 2+x TM 2+y O 7±2z , (La, Ln) 2 TM 2 O 7±2z , RE 2+x TM 2+y O 7±2z , RE 2 TM 2 O 7422 , Ln 2+x TM 2+y O 2z/ Ln 2 TM 2 O^ 22 , La 2+x TM 2+y O 7 + 2z oder La 2 TM 2 O^ 2Z , wobei RE, Ln und/oder TM gegebenenfalls jeweils nur ein Metall ausgewählt aus der jeweiligen Gruppe sein können, und wobei jeweils -2 ≤ x, y ≤ 2 oder vorzugsweise -1 ≤ x, y, z

≤ 1, besonders bevorzugt jeweils -0,5 ≤ x, y ≤ 0,5. (La, Ln) zeigt an, dass La und/oder Ln vorliegen können. Es können jeweils auch unabhängig voneinander x und/oder y = 0 sein. Vorzugsweise ist jeweils wenn x ≤ 0 ist y ≥ 0 und wenn y ≤ 0 ist x ≥ 0. Vorzugsweise ist jeweils x = -y. Allgemein hat z einen solchen Wert, dass hierdurch die neutrale Ladungsbilanz hergestellt wird. Für z kann jeweils gelten 0 ≤ z ≤ 1 oder 0 ≤ z ≤ 0,5, oder es ergibt sich jeweils für 5 ≤ 7 + 2z ≤ 8 ist.

Das Pufferschichtmaterial (ohne den weiteren Bestandteil) kann insbesondere ausgewählt sein aus RE 2+x Ce2 +y O 7+2 , RE 2 Ce2θ 7+z (bevorzugt RE = La, Nd, Sm, Eu, Gd, Y und Yb) oder (La, Ln) 2+x Ce 2+y O 7+2 ,

(La,Ln) 2 Ce 2 θ 7+z (bevorzugt Ln = Nd, Sm, Eu, Gd und Yb, insbesondere Sm, Eu, Gd, Yb) , RE 2+ χZr 2+y O 7+2 , RE 2 Zr 2 O 7+2 (bevorzugt RE = La, Nd, Sm, Eu, Gd, Y und Yb) oder (La,Ln) 2+x Zr 2+y O 7+z ,

(La, Ln) 2 Zr 2 O 7+2 (bevorzugt Ln = Nd, Sm, Eu, Gd und Yb, insbesondere Gd, Sm und/oder Nd) . Hierbei kann Ce teilweise oder vollständig substituiert sein, z.B. gegen Hf, Ti, Zr, Ta, Nb und/oder Sn. Das Pufferschichtmaterial kann auch eine Phase der Zusammensetzung (Ln' 2 -χLn' ' x ) M 2 O 7+Z sein, wobei M beispielsweise Zr, Hf, Ti oder Sn sein kann, insbesondere Zr. Auch dieses Material kann jeweils mit einem übergangsmetall dotiert sein. Allgemein hat z einen solchen Wert, dass hierdurch die neutrale Ladungsbilanz hergestellt wird, insbesondere einen Wert, so dass gilt 5 ≤ 7 + z ≤ 8 ist, wobei z auch 0 sein kann.

Es können jeweils unabhängig voneinander x und/oder y = 0 sein. Es kann jeweils -2 ≤ x, y ≤ 2 sein, vorzugsweise -1 ≤ x, y, z ≤ 1, besonders bevorzugt jeweils -0,5 ≤ x, y ≤ 0,5. Vorzugsweise ist jeweils wenn x ≤ 0 ist y > 0 und wenn y ≤ 0 ist x ≥ 0. Vorzugsweise ist jeweils x = -y. Allgemein hat z einen solchen Wert, dass hierdurch die neutrale Ladungsbilanz hergestellt wird, insbesondere einen Wert, so dass gilt 5 ≤ 7 + z ≤ 8 ist, wobei z auch 0 sein kann. Für z kann jeweils gelten 0 ≤ z ≤ 1 oder 0 ≤ z < 0,5.

Das Puffermaterial kann auch ein binäres oder mutlinäres SeI- tenerdenmetall-Cer-Oxid sein, welches auch weitere Komponenten aufweisen und beispielsweise ein Hauptgruppenmetall-Selten- erdenmetall-Cer-Oxid, ein übergangsmetall-Seltenerdenmetall- Cer-Oxid oder Mischformen zwischen diesen sein kann, wie ein Hauptgruppenmetall-übergangsmetall-Seltenerdenmetall-Cer-Ox id.

Allgemein kann TM auch in verschiedenen Oxidationsstufen vorliegen, insbesondere wenn zwei oder mehr verschiedene übergangsmetalle vorliegen. Vorzugsweise ist TM jeweils nur ein Metall der übergangsmetalle.

Insbesondere kann das Pufferschichtmaterial (ohne den weiteren Bestandteil) ein Seltenerdenoxid der allgemeinen Formel RE 2 - χRE' x M2-yM' y O 7 ±2z oder Ln 2 - x Ln' x M 2 - y M' yO 2z mit 0 ≤ x, y, z ≤ 1, insbesondere 0 ≤ z ≤ 0,5, sein, wobei RE und RE', Ln und Ln' sowie M und M' jeweils verschiedene Metalle aus den genannten Gruppen sind, vorzugsweise jeweils drei- oder vier- oder fünf- wertige Metalle. Besonders bevorzugt ist jeweils -0,5 ≤ x, y ≤ 0,5. Allgemein hat z einen solchen Wert, dass hierdurch die neutrale Ladungsbilanz hergestellt wird, insbesondere einen Wert, so dass gilt 5 ≤ 7 ± 2z ≤ 8 ist, wobei z auch 0 sein kann.

Das Puffermaterial kann auch ein binäres oder mutlinäres SeI- tenerdenmetall-Cer-Oxid sein, welches auch weitere Komponenten aufweisen und beispielsweise ein Hauptgruppenmetall-Selten- erdenmetall-Cer-Oxid, ein übergangsmetall-Seltenerdenmetall- Cer-Oxid oder Mischformen zwischen diesen sein kann, wie ein Hauptgruppenmetall-übergangsmetall-Seltenerdenmetall-Cer-Ox id.

Allgemein können die Oxide jeweils in Bezug auf die Metallkomponenten und/oder den Sauerstoffgehalt stöchiometrisch oder nicht-stöchiometrisch sein können, z.B. im Sinne von Mischverbindungen oder in Form von Defektverbindungen. Die Seltenerdenmetalloxide können 2, 3 oder mehr unterschiedliche Seltenerden-

metalle enthalten. Sind übergangsmetalle enthalten, so können

1, 2, 3 oder mehr unterschiedliche übergangsmetalle enthalten sein. Die übergangsmetalle können jeweils dieselbe oder unterschiedliche Oxidationsstufen aufweisen. In den oben angegebenen Formeln kann jeweils unabhängig voneinander auch x = 0 und/oder y = 0 sein. Allgemein kann in den obigen Formeln auch 0 ≤ x, y < 0,5 oder 0 < x, y ≤ 0,25, 0 ≤ x, y < 1 oder 0 < x, y < 0,05 sein. Allgemein hat z einen solchen Wert, dass hierdurch die neutrale Ladungsbilanz hergestellt wird.

Gegebenenfalls kann das Pufferschichtmaterial auch Ceroxid (Ceθ2 oder Ceθ 2 - 2 ) sein. Cer kann hierbei teilweise unter Bildung binärer Oxide substituiert sein gegen Al, Hf, Ti, Zr, Sn, Ta, Nb oder ein anderes Seltenerdenmetall, insbesondere La, Nd, Sm, Eu, Gd, Y und Yb.

Die Seltenerdenmetalle der oben genannten Oxide können teilweise durch andere übergangsmetalle, z.B. übergangsmetalle der ersten, zweiten und/oder dritten Nebengruppe, insbesondere durch Metalle der zweiten und/oder dritten Nebengruppe (jeweils ausgenommen der Lanthanoiden und Actinoiden) substituiert sein. Hierbei können einzelne Lagen in den Kristallstrukturen der Seltenerdenmetalloxide teilweise oder vollständig substituiert sein, beispielsweise unter Bildung homogener Mischkristallphasen. Gegebenenfalls können die Seltenerdenmetalle und/oder übergangsmetalle der oben genannten Oxide auch unabhängig voneinander teilweise durch Hauptgruppenmetalle ersetzt sein, beispielsweise durch eines oder mehrere Metalle aus der Gruppe von Alkalimetallen, beispielsweise Cs, Rb, Erdalkalimetallen, beispielsweise Ba, Sr, Metallen der dritten Hauptgruppe oder mit Metallen oder Halbmetallen der vierten oder fünften Hauptgruppe, beispielsweise auch Sn, Pb, Sb oder auch Zn. Die Substitution kann im Hinblick auf einzelne Lagen vollständig unter Bildung stöchiometrischer Abwandlungen oder unter Bildung nicht-stöchiometrischer Mischkristallphasen erfolgen. Die Seltenerden- und/oder übergangsmetalle können jeweils durch eines

oder mehrere andere der genannten Metalle ersetzt werden. Es versteht sich, dass bei den Seltenerdenmetalloxiden in einer, mehreren oder in sämtlichen Lagen der Kristallstrukturen jeweils auch mehrere Seltenerdenmetalle angeordnet sein können. Entsprechend können alternativ oder zusätzlich auch die übergangsmetalle teilweise gegen eines oder mehrere übergangsmetalle ersetzt sein. Es versteht sich, dass allgemein auch nur eine der beiden Lagen RE oder M in dem Seltenerdenmetalloxid der oben angegebenen Formeln substituiert sein kann.

Bei den genannten Seltenerdenmetalloxiden kann der Seltenerdenmetallgehalt > 5-10 at.-%, > 20-30 at.-% oder > 40-50 at.-% betragen, gegebenenfalls auch ≥ 60-70 at.-%, bezogen auf den Gesamtmetallgehalt. Der Seltenerdenmetallgehalt der oben genannten Oxide kann jeweils auch < 95-90 at.-%, ≤ 70-80 at.-% oder ≤ 50-60 at.-% betragen, gegebenenfalls auch ≤ 30-40 at.-% oder ≤ 20-25 at.-%, jeweils bezogen auf den Gesamtmetallgehalt. Diese Angaben beziehen sich auf das ursprüngliche Puffermaterial, d.h. ohne den weiteren bei ≤ 1600 0 C eine partielle Schmelze bildenden Bestandteil, sie können sich auch auf das den weiteren Bestandteil enthaltende Puffermaterial beziehen. Das ursprüngliche binäre oder multinäre Puffermaterial kann somit bei wesentlichen höheren Temperaturen eine (partielle) Schmelze bilden, z.B. bei > 1700-1800 0 C oder bei ≥ 1900-200 0 C. Durch die genannten Substitutionen bzw. Dotierungen können jedoch das Aufwachsverhalten, Texturübertrag, Haftfestigkeit und/oder die für die Precursorzersetzung erforderlichen Bedingungen, z.B. auch die notwendige Atmosphäre, mitbestimmt werden.

Das Pufferschichtmaterial kann allgemein im Hinblick auf Sauerstoff eine Phasenbreite aufweisen, beispielsweise kann in den oben genannten Verbindungen z zwischen 0 und ± 1 oder 0 und ± 0,5 variieren, gegebenenfalls kann das Sauerstoffgitter somit auch unterstöchiometrisch sein, d.h. z kann kleiner 0 sein, vorzugsweise jedoch nicht kleiner -1.

Das Pufferschichtmaterial, insbesondere das den weiteren Bestandteil enthaltende PufferSchichtmaterial, kann beispielsweise im NaCl-, Fluorit-, Pyrochlor-, im Perowskittyp oder im GdFeO3-Typ kristallisieren, gegebenenfalls einschließlich geordneter überstrukturen derselben, insbesondere im Fluorittyp, im Pyrochlortyp oder gegebenenfalls einer andere Fluoritüberstruktur. Es versteht sich, dass der Gehalt des weiteren Bestandteils derart ausgewählt sein kann, dass eine optimale Anpassung der Gitterkonstanten des Pufferschichtmaterials an die des Trägermaterials und/oder des HTSL-Materials bezogen auf die Gitterkonstanten in der Schichtebene der Schichtenanordnung liegen kann, gegebenenfalls unter Berücksichtigung von überstrukturen. So können die Gitterkonstanten des Pufferschichtmaterials zumindest in etwa in den mittleren Bereich der Gitterkonstanten des Trägermaterials und der HTSL-Schicht liegen, beispielsweise mit Abweichung von ≤ + 5-8 % oder ≤ 2-3 % oder ≤ 0,75-1 %, jeweils bezogen auf den mittleren Absolutwert der Gitterkonstanten des Trägermaterials und des HTSL-Materials in der Hauptebene der Schichtenanordnung, wobei im Falle von überstrukturen entsprechendes für die auf die Elementarzelle des Trägermaterials transponierten und skalierten Gitterkonstanten des Pufferschichtmaterials gilt.

Die Pufferschicht kann aus mehreren Einzelschichten bestehen, die sich jeweils in ihrer Zusammensetzung unterscheiden können, z.B. hinsichtlich des Pufferschichtmaterials, des Gehaltes oder der Spezies des weiteren, eine Mischphase bildenden Bestandteils . Die einzelnen Pufferschichten können aber auch zumindest im Wesentlichen dieselbe Zusammensetzung aufweisen, z.B. um eine Pufferschicht größerer Dicke zu erzeugen.

Die den weiteren Bestandteil enthaltende Mischkristallphasen- Pufferschicht kann unmittelbar auf dem Trägermaterial aufgebracht sein kann. Es kann gegebenenfalls auch auf dem Trägermaterial auch eine „Keimbildungsschicht λλ aufgebracht sein, die aus einem oxidischen Material wie einem Titanat oder Zirkonat

bestehen kann, beispielsweise aus Calciumtitanat . Diese Keim- bildungschicht dient nicht als Pufferschicht sondern im Wesentlichen der Konfektionierung der Trägermaterialoberfläche. Sie besteht in der Regel aus einer Vielzahl isolierter, inselartiger Strukturen und stellt keine ausreichende Diffusionsbarriere dar.

Alternativ oder zusätzlich kann bei der aus mehreren Schichten bestehende Pufferschicht der weitere Bestandteil, der mit dem Pufferschichtmaterial eine Mischkristallphase bildet, die an die HTSL-Schicht angrenzende Schicht bilden. Die weiteren Schichten der Pufferschicht können herkömmliche Pufferschichten sein, die einen weiteren eine Mischkristallphase bildenden Bestandteil nicht aufweisen. Gegebenenfalls können auch mehrere erfindungsgemäße Puffermaterialschichten mit jeweils einem oder mehreren eine Mischphase bildenden Bestandteil vorgesehen sein, wobei in den einzelnen Schichten unterschiedliche Bestandteile oder Bestandteile in unterschiedlichen Gehalten vorliegen. Zur Ausbildung der mehrere Schichten umfassenden Puffermaterialschicht können beispielsweise die Puffermaterialien in Form von lösungsmittelhaltigen Lösungen auf das jeweilige Substrat aufgebracht werden und das Lösungsmittel teilweise oder vollständig entfernt werden. Gegebenenfalls kann sich hieran eine thermische Behandlung anschließen. Nachfolgend hierzu kann dann eine weitere Puffermaterialschicht der gleichen oder einer unterschiedlichen Zusammensetzung aufgebracht werden. Vorzugsweise erfolgt die Glühbehandlung unter Erzeugung des oxidkeramischen Puffermaterials nach Ausbildung sämtlicher Puffermaterialschichten, gegebenenfalls können nach einer Glühbehandlung auch weitere Puffermaterialschichten aufgebracht werden. Bei der nach Aufbringung der Puffermaterialschicht erfolgenden thermischen Behandlung kann das Lösungsmittel teilweise oder vollständig entfernt werden und das in Form eine Prekursors aufgebrachte Puffermaterial teilweise oder vollständig zersetzt werden.

Ist die Pufferschicht mehrschichtig ausgebildet, so können die jeweiligen Einzelschichten derart ausgebildet sein, dass diese bei einer niedrigeren Glühtemperatur eine zumindest partielle Schmelze bilden bzw. bei gegebener Glühtemperatur der Anteil (in Volumen oder Gewichtsanteilen) der Schmelze an der Gesamtpufferschicht zunimmt. Beispielsweise kann hierzu der Gehalt des Weiteren, eine homogene Mischkristallphase bildenden Bestandteils an dem Pufferschichtmaterial erhöht sein oder ein anders wirksamerer Bestandteil eingesetzt werden (z.B. Silber statt Kupfer) . Die an die HTSL-Schicht angrenzende Einzelschicht des Puffermaterials kann hierbei einen niedrigeren Schmelzpunkt (inkongruenter Schmelzpunkt) aufweisen, als weiter von der HTSL-Schicht entfernte Puffermaterialschichten, die somit bei gleicher Temperatur nur einen geringeren Anteil an Schmelzphase bilden. Die an die HTSL-Schicht angrenzende Puffermaterialschicht kann hierdurch besonders glatt und besonders gleichmäßig, u. a. mit besonders niedriger Porosität, ausgebildet werden.

Insbesondere kann die den weiteren, eine homogene Mischphase bildenden Bestandteil aufweisende Pufferschicht auf einer Seltenerdenoxidschicht eines einfachen, binären oder multinären Oxids abgeschieden werden, z.B. auf einer Ceroxidschicht (CeO2, wobei die O-Lage auch unterstöchiometrisch sein kann) , einer Seltenerden-Seltenerden-Oxidschicht oder einer Seltenerden- übergangsmetallschicht (z.B. einer LanthanzirkonatSchicht, Seltenerdenzirkonatschicht, Seltenerdenceroxidschicht oder übergangsmetallceroxidschicht) , die die Zusammensetzung La2Zr2O7+x, RE2Zr2O7+x, RE2Ce2O7+x oder TM2Ce2O7+x aufweisen können, mit 0 ≤ x ≤ 1, wobei diese Substratschicht den weiteren, eine homogene Mischphase bildenden Bestandteil wie Kupfer nicht enthält. Die genannten Schichten können im übrigen substituiert sein, wie auch oben zu den erfindungsgemäßen Pufferschichten ausgeführt ist und worauf hiermit Bezug genommen wird.

Die Ausbildung der erfindungsgemäßen Pufferschicht ermöglicht es andererseits, die Pufferschicht nur einschichtig auszubilden, so dass im Falle einer chemischen Lösungsbeschichtung (CSD) nur ein einmaliger Auftrag der Lösung des Pufferschichtmaterials erforderlich ist und nach der thermischen Vorbehandlung und Glühung bereits die HTSL-Schicht aufgebracht werden kann.

Das Pufferschichtmaterial kann in Form eines metallorganischen Prekursors, beispielsweise eines ß-Diketonates, insbesondere eines Acetylacetonats, Alkylcarboxylats oder dergleichen aufgebracht werden. Allgemein kann ein geeignetes Lösungsmittel eingesetzt werden, welches enthalten oder bestehen kann aus einem Keton, z. B. Aceton, einem oder mehreren Alkoholen, einer oder mehreren Carbonsäuren ohne hierauf beschränkt zu sein. Insbesondere können C2-C8- oder C3-C6- oder C3-C4-Carbonsäuren eingesetzt werden, die jeweils geradkettig oder verzweigt sein können, insbesondere auch Propionsäure und/oder Pivalinsäure. Die oben genannten Lösungsmittel können gegebenenfalls auch in Kombination miteinander eingesetzt werden. Das organische Lösungsmittel kann im Wesentlichen wasserfrei sein.

Besonders bevorzugt wird das Pufferschichtmaterial in Form eines Alkylcarbonats, welches 1 bis 10, vorzugsweise 2 bis 8, oder 3 bis 6 C-Atome aufweist, eingesetzt werden, beispielsweise in Form eines Propionats oder Pivalinats . Das Alkylcarbonat kann allgemein geradkettig, verzweigt oder gegebenenfalls auch zyklisch sein.

Das Pufferschichtmaterial kann auch in wässriger Lösung aufgebracht werden, als wasserlösliche Salze sind insbesondere Nitrate, Carboxylate, insbesondere Acetate, Citrate oder Tartrate, einzeln oder in Kombination, einsetzbar. Die wässrige Lösung kann auf einen pH-Wert von 4-8, vorzugsweise 5-7 oder 6-7 eingestellt sein. Vorzugsweise ist die Lösung abgepuffert, insbesondere durch einen thermisch zersetzbaren oder verflüchtigba-

ren Puffer, insbesondere Ammoniak oder ein Ammoniumsalz .

Die Glühbehandlung zur Kristallisation des Puffermaterials kann zumindest teilweise in einer reduzierenden Atmosphäre erfolgen, beispielsweise unter Formiergas oder einem anderen geeignetem Gas mit zumindest ähnlichem Reduktionsvermögen, wobei das Formiergas (N2/H2) 0,1 bis 15 %, 0,2 bis 10 %, 0,5 bis 5 % oder 1 bis 5 %, z.B. ca. 3 % H2 enthalten kann (jeweils Volumenprozent) . Die das Seltenerdenmetall-Cer-Oxid enthaltende, unmittelbar auf das Trägermaterial aufgebrachte Pufferschicht kann auch unter einer Glühbehandlung in einer nicht-reduzierenden Atmosphäre, beispielsweise unter reinem Stickstoff oder einem anderen inerten Gas, hergestellt werden. Dies kann auch unter Umständen für andere oder sämtliche Pufferschichten einer mehrlagigen Puffermaterialbeschichtung gelten. Wird die das Selten- erdenmetall-Cer-Oxid enthaltende Pufferschicht auf eine zwischen dieser und dem Trägermaterial angeordnete Zwischenschicht aus Puffermaterial aufgebracht, so kann die Pufferschicht unter einer Glühbehandlung in einer reduzierenden Atmosphäre hergestellt werden, z.B. unter Formiergas, was unter Umständen auch für die Herstellung anderer oder sämtlicher der erfindungsgemäßen Pufferschichten gelten kann. Allgemein können einzelne Pufferschichten unter einer nicht-reduzierenden Atmosphäre und andere Pufferschichten desselben Pufferschichtaufbaus einer HTSL-Schichtanordnung unter einer reduzierenden Atmosphäre hergestellt werden.

Die Glühbehandlung kann derart durchgeführt werden, dass die den weiteren Bestandteil enthaltenden Pufferschicht eine Porosität von ≤ 25-30%, ≤ 15-20%, ≤ 5-10%, besonders bevorzugt < 2- 3% oder ≤ 1% aufweist oder die Schicht zumindest im Wesentlichen porenfrei ist.

Die Glühbehandlung kann derart durchgeführt werden, dass die den weiteren Bestandteil enthaltenden Pufferschicht eine RMS- Rauheit (root-mean-squared roughness) von ≤ 2,5-2 nm, Vorzugs-

weise ≤ 1,6-1,8 nm oder ≤ 1,2-1,4 nm, besonders bevorzugt ≤

1,0-0,8 nm aufweist, bestimmt über ein Areal von lxlμm 2 .

Der auf die Pufferschicht aufgebrachte Hochtemperatursupraleiter kann ein Seltenerdenmetall-Kupfer-Oxid sein, insbesondere Seltenerdenmetall-Erdalkalimetall-Kupfer-Oxid, wobei unabhängig voneinander das Seltenerdenmetall Yttrium und das Erdalkalimetall Barium sein können. Es versteht sich, dass insbesondere das Seltenerdenmetall z.B. Yttrium und/oder das Erdalkalimetall wie z.B. Barium teilweise gegen andere Metalle, beispielsweise durch andere Seltenerden- oder Erdalkalimetalle, substituiert sein können. Das HTSL-Material kann insbesondere ein Y-Ba-Cu- Oxid (YBa 2 Cu 3 θ x ) oder ein Bi-Sr-Ca-Cu-Oxid sein. Als Hochtemperatursupraleiter im Sinne der Erfindung sei allgemein ein Supraleiter mit einer Sprungtemperatur von ≥ 77 Kelvin verstanden, gegebenenfalls allgemein kann aber auch ein anderer keramischer (oxidischer) Supraleiter auf der Pufferschicht aufgebracht werden.

Allgemein kann die Pufferschicht eine Dicke von 0,02 - 2 μm oder allgemein ≤ 5 μm aufweisen, ohne hierauf beschränkt zu sein, gegebenenfalls im Bereich von 0,1 - 1 μm, 0,1 - 0,5 μm oder im Bereich von 0,1 - 0,3 μm. Die Dicke des Trägermaterials ist nicht limitiert, solange dies eine ausreichende mechanische Festigkeit aufweist, sie kann im Bereich 5-1000μm, von 10- 500μm, von 25-250μm oder im Bereich von 50-100μm liegen. Auf dem Trägermaterial kann vorzugsweise mit inselartiger Struktur ein das Aufwachsen der Pufferschicht förderndes Material aufgebracht sein. Die HTSL-Schicht kann, ohne hierauf beschränkt zu sein, eine Dicke von ≥ 0,05μm, insbesondere im Bereich von 0,1- 50μm oder von 0,25-10μm, vorzugsweise von 0,5-5μm aufweisen.

Das Trägermaterial kann ein geeignetes Metall oder eine Legierung sein, z.B. Nickel, eine Nickellegierung wie z. B. Wolframdotiertes Nickel (beispielsweise Ni mit 5-10 at.-%W), Hastelloy oder dergleichen, gegebenenfalls kann das Trägermaterial jedoch

auch ein keramisches Material sein.

Die Erfindung wir im Folgenden beispielhaft beschrieben und anhand der Ausführungsbeispiele erläutert.

Alle BeSchichtungen erfolgten in einer kontinuierlichen Bandbe- schichtungsanlage mit integrierter Trockenstrecke durch Tauch- beschichtung, es kann jedoch auch ein anderes Flüssigbeschich- tungsverfahren eingesetzt werden, z.B. ein Druckverfahren, wie z.B. Tintenstrahl- oder Siebdruck, Sprühbeschichtungsverfahren, Beschichtungen über Kapillaren oder Schlitzdüse oder auch diskontinuierliche Beschichtungsverfahren. Die Zuggeschwindigkeit beträgt bei allen Beispielen 10m/h für ein Band mit lern Breite. Als Substratband wird in allen Fällen ein biaxial- walztexturiertes Ni-5at%W-Band mit 80μm Dicke verwendet. Von allen Beschichtungslösungen wurden jeweils 10ml hergestellt.

Die Schichtdicke wurde mittels Ellipsometermessungen (omt, VisuEL 3.6.2) bestimmt. Mikrorisse wurden über Dunkelfeldbetrachtungen an einem optischen Mikroskop (Zeiss Axiotech) oder einem Resterelektronenmikroskop (JEOL 6400F) beurteilt. Die Analyse der Porosität erfolgte mittels TEM-Messungen (Querschnitt) sowie mittels Ellipsometermessungen (omt, VisuEL 3.6.2). Die Rauheit wurde an einem AFM (Veeco CP-II) über ein Areal von lxlμm 2 bestimmt, wobei eine Standard Si3N4-Spitze mit k=0,06 N/m verwendet wurde. Die Kantenlänge des Areals ist dabei deutlich größer als die Korngrößen des Pufferschichtmaterials und deutlich geringer als die Korngrößen des Metallsubstrates. Dadurch ist sichergestellt, dass mehrere Keramikkörner des Pufferschichtmaterials innerhalb eines Substratkorns vermessen werden.

Alle Resultate sind in der Ergebnistabelle zusammengefasst .

Beispiel 1: Ceroxid

Wasserfreies Cerpropionat wird in Propionsäure so gelöst, dass

eine 0,2 molare Lösung entsteht.

Für eine Serie von 5 Beschichtungslösungen (Ia - Ie) werden zu dieser Lösung werden nun 5, 10, 15, 20 bzw. 25 at% Kupferpropi- onat bezogen auf Cer zugegeben und die Lösung mit Propionsäure wieder auf 0,2mol bezogen auf die Summe der Metallionen verdünnt. Als Vergleichsprobe wurde eine Kupfer-freie Lösung (If) hergestellt .

Die Lösungen werden gemäß allgemeiner Versuchsbeschreibung auf ein Substratband aufgebracht, auf welchem sich bereits eine Lanthanzirkonatschicht befindet. Die Trocknung erfolgt innerhalb von 10min bei 120 0 C unter Luft, die Glühbehandlung erfolgt innerhalb von 30min bei 1000 0 C unter reduzierenden Bedingungen, genauer unter Formiergas (3% H2 in N2) .

Beispiel 2: Ceroxid

Ceracetat wird in Propionsäure so gelöst, dass eine 0,2 molare Lösung entsteht. Für die Beschichtungslösung werden zu dieser Lösung nun 10at% Kupferacetat bezogen auf Cer zugegeben und die Lösung mit Propionsäure wieder auf 0,2mol bezogen auf die Summe der Metallionen verdünnt.

Die Lösungen werden gemäß allgemeiner Versuchsbeschreibung auf ein Substratband aufgebracht, auf welchem sich bereits eine doppelte Lanthanzirkonatschicht befindet. Die Trocknung erfolgt innerhalb von 10min bei 120 0 C unter Luft, die Glühbehandlung erfolgt innerhalb von 30min bei 1100 0 C unter Formiergas (1%H2 in N2) .

Beispiel 3: Cer-Gadolinium-Oxid

Ceracetat und Gadoliniumacetat werden in Propionsäure im Verhältnis 4:1 so gelöst, dass eine 0,2 molare Lösung bezogen auf die Summe der Metallionen entsteht. Für die Beschichtungslösung werden zu dieser Lösung nun 15at% Kupferacetat bezogen auf die Summe aus Cer und Gadolinium zugegeben und die Lösung mit Pro-

pionsäure wieder auf 0,2mol bezogen auf die Summe der Metallionen verdünnt .

Die Lösungen werden gemäß allgemeiner Versuchsbeschreibung auf ein Substratband aufgebracht, auf welchem sich bereits eine doppelte Lanthanzirkonatschicht befindet. Die Trocknung erfolgt innerhalb von 10min bei 15O 0 C unter Luft, die Glühbehandlung erfolgt innerhalb von 30min bei 1000 0 C unter Formiergas (5%H2 in N2) .

Beispiel 4: Ceroxid

Ceracetylacetonat wird in Propionssäure so gelöst, dass eine 0,2 molare Lösung entsteht. Für die Beschichtungslösung werden zu dieser Lösung nun 10at% Silberacetat bezogen auf Cer zugegeben und die Lösung mit Propionsäure wieder auf 0,2mol bezogen auf die Summe der Metallionen verdünnt.

Die Lösung wird gemäß der allgemeinen Versuchsbeschreibung auf ein Substratband aufgebracht, auf welchem sich bereits eine doppelte Lanthanzirkonatschicht befindet. Die Trocknung erfolgt innerhalb von 10min bei 100 0 C unter Luft, die Glühbehandlung erfolgt innerhalb von 20min bei 900 0 C unter Formiergas (3%H2 in N2) .

Beispiel 5a: Ceroxid

Cernitrat und Kupfernitrat (Verhältnis 9:1) werden in Zitronensäure in einem Verhältnis von 1:3 (Gesamtmetallionen : Zitronensäure) gelöst. Durch Zugabe von Ammoniak und Wasser wird eine 0,2molare Lösung mit einem pH-Wert von 6 hergestellt.

Die Lösung wird gemäß der allgemeinen Versuchsbeschreibung auf ein Substratband aufgebracht, auf welchem sich bereits eine doppelte Lanthanzirkonatschicht befindet. Die Trocknung erfolgt innerhalb von 30min bei 200 0 C unter Luft, die Glühbehandlung erfolgt innerhalb von 30min bei 900 0 C unter Formiergas (5%H2 in N2) .

Beispiel 5b: Ceroxid (Vergleichsbeispiel zu 5a) Cernitrat und Citronensäure werden in Wasser so gelöst, dass bezogen auf Cerionen eine 0,2molare Lösung entsteht und deren Verhältnis von Metallionen zu Citronensäure 1:6 entspricht. Durch Zugabe von Ammoniak und Wasser wird eine Lösung mit einem pH-Wert von 6,4 hergestellt.

Die Lösung wird gemäß der allgemeinen Versuchsvorschrift auf ein Substratband aufgebracht, welches bereits doppelt mit Lan- thanzirkonat beschichtet wurde. Die Trocknung erfolgt in 180 min bei 40 0 C i.Vak., die Glühbehandlung erfolgt innerhalb von 20 min bei 950 0 C unter Stickstoff (99,999%).

Beispiel 6: Lanthanzirkonat

Lanthanpropionat, Zirkonpropionat und Kupferpropionat werden im molaren Verhältnis 9:9:1 so in Propionsäure gelöst, dass eine 0,4 molare Lösung in Bezug auf Lanthan entsteht.

Die Lösung wird gemäß der allgemeinen Versuchsbeschreibung auf ein Metallsubstratband aufgebracht. Die Trocknung erfolgt innerhalb von 10min bei 120°C unter Luft, die Glühbehandlung erfolgt innerhalb von 20min bei 1000 0 C unter Formiergas (5%H2 in N2) .

Beispiel 7 : Lanthancerat

Lanthanpropionat, Cerpropionat und Kupferpropionat werden im molaren Verhältnis 9:9:1 so in Propionsäure gelöst, dass eine 0,4 molare Lösung in Bezug auf Lanthan entsteht.

Die Lösung wird gemäß der allgemeinen Versuchsbeschreibung unmittelbar auf ein Metallsubstratband aufgebracht. Die Trocknung erfolgt innerhalb von 10min bei 120 0 C unter Luft, die Glühbehandlung erfolgt innerhalb von 20min bei 950 0 C unter Formiergas (5%H2 in N2) .

Ergebnis tabelle