以下、本発明のインドリウム化合物及び該� ��ンドリウム化合物を含有してなる光学記録� ��料について、好ましい実施形態について詳� ��に説明する。
 先ず、上記一般式(I)及び(IV)で表されるイン ドリウム化合物について説明する。

 上記一般式(I)及び上記一般式(IV)中、環Aで� �されるベンゼン環又はナフタレン環の置換� �Z ¹ 及びZ ² で表される、ハロゲン基で置換されてもよく 又は-O-、-CO-、-OCO-若しくは-COO-で中断されて� ��よい炭素原子数1~8のアルキル基において、� ��ロゲン基の置換位置、及び-O-、-CO-、-OCO-又� ��-COO-の中断位置は任意であり、-O-、-CO-、-OCO -又は-COO-が環Aと直接結合するものも含む。
 上記炭素原子数1~8のアルキル基としては、� ��えば、メチル、エチル、プロピル、イソプ� ��ピル、ブチル、s-ブチル、t-ブチル、イソブ チル、アミル、イソアミル、t-アミル、ヘキ� ��ル、シクロヘキシル、ヘプチル、イソヘプ� ��ル、t-ヘプチル、n-オクチル、イソオクチル 、t-オクチル、2-エチルヘキシル、クロロメ� �ル、ジクロロメチル、トリクロロメチル、� �リフルオロメチル、ペンタフルオロエチル� �メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプ� �ポキシ、ブトキシ、s-ブトキシ、t-ブトキシ� ��イソブトキシ、アミルオキシ、イソアミル� ��キシ、t-アミルオキシ、ヘキシルオキシ、� �クロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、イ� �ヘプチルオキシ、t-ヘプチルオキシ、n-オク� ��ルオキシ、イソオクチルオキシ、t-オクチ� �オキシ、2-エチルヘキシルオキシ、クロロメ トキシ、ジクロロメトキシ、トリクロロメト キシ、トリフルオロメトキシ、ペンタフルオ ロエトキシ、2-ヒドロキシエトキシ、2-メチ� �-2-ヒドロキシエトキシ、1-メチル-2-ヒドロキ シエトキシ、3-ヒドロキシプロポキシ、2-(2-� �ドロキシエトキシ)エトキシ、2-メトキシエ� �キシ、2-ブトキシエトキシ、2-メチル-2-メト� ��シエトキシ、1-メチル-2-メトキシエトキシ� �3-メトキシプロポキシ、2-(2-メトキシエトキ� ��)エトキシ、アセチル、アセトニル、ブタン -2-オン-1-イル、ブタン-3-オン-1-イル、シクロ ヘキサン-4-オン-1-イル、トリクロロアセチル 、トリフルオロアセチル、アセトキシ、エタ ンカルボニルオキシ、プロパンカルボニルオ キシ、ブタンカルボニルオキシ、トリフルオ ロアセトキシ等が挙げられる。また、Z ¹ 及びZ ² で表されるスルホニル基又はスルフィニル基 が有する炭素原子数1~8の炭化水素基としては 、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソ プロピル、ブチル、s-ブチル、t-ブチル、イ� �ブチル、アミル、イソアミル、t-アミル、ヘ キシル、シクロヘキシル、シクロヘキシルメ チル、2-シクロヘキシルエチル、ヘプチル、� ��ソヘプチル、t-ヘプチル、n-オクチル、イソ オクチル、t-オクチル、2-エチルヘキシル等� �アルキル基;ビニル、1-メチルエテン-1-イル� �プロペン-1-イル、プロペン-2-イル、プロペ� �-3-イル、ブテン-1-イル、ブテン-2-イル、2-メ チルプロペン-3-イル、1,1-ジメチルエテン-2-� �ル、1,1-ジメチルプロペン-3-イル等のアルケ� ��ル基;フェニル、2-メチルフェニル、3-メチ� �フェニル、4-メチルフェニル、4-ビニルフェ� ��ル、3-イソプロピルフェニル、4-イソプロピ ルフェニル、4-ブチルフェニル、4-イソブチ� �フェニル、4-t-ブチルフェニル、2,3-ジメチル フェニル、2,4-ジメチルフェニル、2,5-ジメチ� ��フェニル、2,6-ジメチルフェニル、3,4-ジメ� �ルフェニル、3,5-ジメチルフェニル等のアリ� ��ル基;ベンジル、2-メチルベンジル、3-メチ� �ベンジル、4-メチルベンジル、フェネチル、 2-フェニルプロパン-2-イル、スチリル等のア� ��ルキル基が挙げられ、Z ¹ で表されるアルキルアミノ基又はジアルキル アミド基が有する炭素原子数1~8のアルキル基 としては、上記例示のアルキル基が挙げられ 、Z ¹ 及びZ ² で表されるハロゲン基としては、フッ素、塩 素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。

 上記一般式(I)及び上記一般式(IV)において、 Z ² の置換基同士が結合して形成する環構造の例 としては、シクロペンタン環、シクロヘキサ ン環、シクロペンテン環、ベンゼン環、ピペ リジン環、モルホリン環、ラクトン環、ラク タム環等の5~7員環及びナフタレン環、アント ラセン環等の縮合環が挙げられる。

 上記一般式(I)及び上記一般式(IV)において、 R ² で表される上記一般式(II)及び(III)で表される 基以外の炭素原子数1~30の有機基としては特� �制限を受けず、例えば、メチル、エチル、� �ロピル、イソプロピル、ブチル、s-ブチル、 t-ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル� ��t-アミル、ヘキシル、シクロヘキシル、シ� �ロヘキシルメチル、2-シクロヘキシルエチル 、ヘプチル、イソヘプチル、t-ヘプチル、n-� �クチル、イソオクチル、t-オクチル、2-エチ� ��ヘキシル、ノニル、イソノニル、デシル、� ��デシル、トリデシル、テトラデシル、ペン� ��デシル、ヘキサデシル、ペプタデシル、オ� ��タデシル等のアルキル基;ビニル、1-メチル� ��テニル、2-メチルエテニル、プロペニル、� �テニル、イソブテニル、ペンテニル、ヘキ� �ニル、ヘプテニル、オクテニル、デセニル� �ぺンタデセニル、1-フェニルプロペン-3-イル 等のアルケニル基;フェニル、ナフチル、2-メ チルフェニル、3-メチルフェニル、4-メチル� �ェニル、4-ビニルフェニル、3-イソプロピル� ��ェニル、4-イソプロピルフェニル、4-ブチル フェニル、4-イソブチルフェニル、4-t-ブチル フェニル、4-ヘキシルフェニル、4-シクロヘ� �シルフェニル、4-オクチルフェニル、4-(2-エ� ��ルヘキシル)フェニル、4-ステアリルフェニ� ��、2,3-ジメチルフェニル、2,4-ジメチルフェ� �ル、2,5-ジメチルフェニル、2,6-ジメチルフェ ニル、3,4-ジメチルフェニル、3,5-ジメチルフ� ��ニル、2,4-ジ-t-ブチルフェニル、シクロヘキ シルフェニル等のアルキルアリール基;ベン� �ル、フェネチル、2-フェニルプロパン-2-イル 、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、 スチリル、シンナミル等のアリールアルキル 基及びこれらの炭化水素基がエーテル結合又 はチオエーテル結合で中断されたもの、例え ば、2-メトキシエチル、3-メトキシプロピル� �4-メトキシブチル、2-ブトキシエチル、メト� ��シエトキシエチル、メトキシエトキシエト� ��シエチル、3-メトキシブチル、2-フェノキシ エチル、2-メチルチオエチル、2-フェニルチ� �エチルが挙げられ、更にこれらの基は、以� �に示す置換基で置換されていてもよい。

 上記置換基としては、例えば、メチル、� ��チル、プロピル、イソプロピル、シクロプ� ��ピル、ブチル、s-ブチル、t-ブチル、イソブ チル、アミル、イソアミル、t-アミル、シク� ��ペンチル、ヘキシル、2-ヘキシル、3-ヘキシ ル、シクロヘキシル、ビシクロヘキシル、1-� ��チルシクロヘキシル、ヘプチル、2-ヘプチ� �、3-ヘプチル、イソヘプチル、t-ヘプチル、n -オクチル、イソオクチル、t-オクチル、2-エ� ��ルヘキシル、ノニル、イソノニル、デシル� ��のアルキル基;メトキシ、エトキシ、プロポ キシ、イソプロポキシ、ブトキシ、s-ブトキ� ��、t-ブトキシ、イソブトキシ、アミルオキ� �、イソアミルオキシ、t-アミルオキシ、ヘキ シルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチ ルオキシ、イソヘプチルオキシ、t-ヘプチル� ��キシ、n-オクチルオキシ、イソオクチルオ� �シ、t-オクチルオキシ、2-エチルヘキシルオ� ��シ、ノニルオキシ、デシルオキシ等のアル� ��キシ基;メチルチオ、エチルチオ、プロピル チオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ、s-ブ� ��ルチオ、t-ブチルチオ、イソブチルチオ、� �ミルチオ、イソアミルチオ、t-アミルチオ、 ヘキシルチオ、シクロヘキシルチオ、ヘプチ ルチオ、イソヘプチルチオ、t-ヘプチルチオ� ��n-オクチルチオ、イソオクチルチオ、t-オク チルチオ、2-エチルヘキシルチオ等のアルキ� ��チオ基;ビニル、1-メチルエテニル、2-メチ� �エテニル、2-プロペニル、1-メチル-3-プロペ� ��ル、3-ブテニル、1-メチル-3-ブテニル、イソ ブテニル、3-ペンテニル、4-ヘキセニル、シ� �ロヘキセニル、ビシクロヘキセニル、ヘプ� �ニル、オクテニル、デセニル、ぺンタデセ� �ル、エイコセニル、トリコセニル等のアル� �ニル基;ベンジル、フェネチル、ジフェニル� ��チル、トリフェニルメチル、スチリル、シ� ��ナミル等のアリールアルキル基;フェニル、 ナフチル等のアリール基;フェノキシ、ナフ� �ルオキシ等のアリールオキシ基;フェニルチ� ��、ナフチルチオ等のアリールチオ基;ピリジ ル、ピリミジル、ピリダジル、ピペリジル、 ピラニル、ピラゾリル、トリアジル、ピロリ ル、キノリル、イソキノリル、イミダゾリル 、ベンゾイミダゾリル、トリアゾリル、フリ ル、フラニル、ベンゾフラニル、チエニル、 チオフェニル、ベンゾチオフェニル、チアジ アゾリル、チアゾリル、ベンゾチアゾリル、 オキサゾリル、ベンゾオキサゾリル、イソチ アゾリル、イソオキサゾリル、インドリル、 2-ピロリジノン-1-イル、2-ピペリドン-1-イル� �2,4-ジオキシイミダゾリジン-3-イル、2,4-ジオ キシオキサゾリジン-3-イル等の複素環基;フ� �素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子;� ��セチル、2-クロロアセチル、プロピオニル� �オクタノイル、アクリロイル、メタクリロ� �ル、フェニルカルボニル(ベンゾイル)、フタ ロイル、4-トリフルオロメチルベンゾイル、� ��バロイル、サリチロイル、オキザロイル、� ��テアロイル、メトキシカルボニル、エトキ� ��カルボニル、t-ブトキシカルボニル、n-オク タデシルオキシカルボニル、カルバモイル等 のアシル基;アセチルオキシ、ベンゾイルオ� �シ等のアシルオキシ基;アミノ、エチルアミ� ��、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ブチ� ��アミノ、シクロペンチルアミノ、2-エチル� �キシルアミノ、ドデシルアミノ、アニリノ� �クロロフェニルアミノ、トルイジノ、アニ� �ジノ、N-メチル-アニリノ、ジフェニルアミ� �,ナフチルアミノ、2-ピリジルアミノ、メト� �シカルボニルアミノ、フェノキシカルボニ� �アミノ、アセチルアミノ、ベンゾイルアミ� �、ホルミルアミノ、ピバロイルアミノ、ラ� �ロイルアミノ、カルバモイルアミノ、N,N-ジ� ��チルアミノカルボニルアミノ、N,N-ジエチル アミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボ ニルアミノ、メトキシカルボニルアミノ、エ トキシカルボニルアミノ、t-ブトキシカルボ� ��ルアミノ、n-オクタデシルオキシカルボニ� �アミノ、N-メチル-メトキシカルボニルアミ� �、フェノキシカルボニルアミノ、スルファ� �イルアミノ、N,N-ジメチルアミノスルホニル� ��ミノ、メチルスルホニルアミノ、ブチルス� ��ホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ� ��の置換アミノ基;スルホンアミド基、スルホ ニル基、カルボキシル基、シアノ基、スルホ 基、水酸基、ニトロ基、メルカプト基、イミ ド基、カルバモイル基、スルホンアミド基等 が挙げられ、これらの基は更に置換されてい てもよい。また、カルボキシル基及びスルホ 基は塩を形成していてもよい。

 R ² で表される上記一般式(II)及び(III)で表される 基以外の好ましい置換基としては、例えば、 メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、 ブチル、s-ブチル、t-ブチルが挙げられる。

 上記一般式(I)及び上記一般式(IV)において、 Y ¹ で表される炭素原子数1~10のアルキル基とし� �は、例えば、メチル、エチル、プロピル、� �ソプロピル、ブチル、s-ブチル、t-ブチル、� ��ソブチル、アミル、イソアミル、t-アミル� �ヘキシル、シクロヘキシル、シクロヘキシ� �メチル、シクロヘキシルエチル、ヘプチル� �イソヘプチル、t-ヘプチル、n-オクチル、イ� ��オクチル、t-オクチル、2-エチルヘキシル、 ノニル、イソノニル、デシル等が挙げられ、 Y ¹ で表される炭素原子数6~20のアリール基とし� �は、例えば、フェニル、ナフチル、アント� �セン-1-イル、フェナントレン-1-イル等が挙� �られ、Y ¹ で表される炭素原子数7~20のアリールアルキ� �基としては、例えば、ベンジル、フェネチ� �、2-フェニルプロパン、ジフェニルメチル、 トリフェニルメチル、スチリル、シンナミル 等が挙げられる。

 上記一般式(I)及び上記一般式(IV)において、 An ^q- で表されるアニオンとしては、例えば、一価 のものとして、塩素アニオン、臭素アニオン 、ヨウ素アニオン、フッ素アニオン等のハロ ゲンアニオン;過塩素酸アニオン、塩素酸ア� �オン、チオシアン酸アニオン、六フッ化リ� �酸アニオン、六フッ化アンチモンアニオン� �四フッ化ホウ素アニオン等の無機系アニオ� �;ベンゼンスルホン酸アニオン、トルエンス� ��ホン酸アニオン、トリフルオロメタンスル� ��ン酸アニオン、ジフェニルアミン-4-スルホ� ��酸アニオン、2-アミノ-4-メチル-5-クロロベ� �ゼンスルホン酸アニオン、2-アミノ-5-ニトロ ベンゼンスルホン酸アニオン、特開2004-53799� �公報に記載されたスルホン酸アニオン等の� �機スルホン酸アニオン;オクチルリン酸アニ� ��ン、ドデシルリン酸アニオン、オクタデシ� ��リン酸アニオン、フェニルリン酸アニオン� ��ノニルフェニルリン酸アニオン、2,2’-メチ レンビス(4,6-ジ-t-ブチルフェニル)ホスホン酸 アニオン等の有機リン酸系アニオン、ビスト リフルオロメチルスルホニルイミドアニオン 、ビスパーフルオロブタンスルホニルイミド アニオン、パーフルオロ-4-エチルシクロヘキ サンスルホネートアニオン、テトラキス(ペ� �タフルオロフェニル)ホウ酸アニオン等が挙� ��られ、二価のものとしては、例えば、ベン� ��ンジスルホン酸アニオン、ナフタレンジス� ��ホン酸アニオン等が挙げられる。また、励� ��状態にある活性分子を脱励起させる(クエン チングさせる)機能を有するクエンチャーア� �オンやシクロペンタジエニル環にカルボキ� �ル基やホスホン酸基、スルホン酸基等のア� �オン性基を有するフェロセン、ルテオセン� �のメタロセン化合物アニオン等も、必要に� �じて用いることができる。

 上記のクエンチャーアニオンとしては、� ��えば、下記一般式(A)又は(B)や下記化学式(C)� ��は(D)で表されるもの、特開昭60-234892号公報� ��特開平5-43814号公報、特開平5-305770号公報、� ��開平6-239028号公報、特開平9-309886号公報、特 開平9-323478号公報、特開平10-45767号公報、特� �平11-208118号公報、特開2000-168237号公報、特開 2002-201373号公報、特開2002-206061号公報、特開20 05-297407号公報、特公平7-96334号公報、国際公� �98/29257号公報等に記載されたようなアニオン が挙げられる。

(式中、Mは、上記一般式(III)と同じであり、R ⁹ 及びR ¹⁰ は、各々独立に、ハロゲン原子、炭素原子数 1~8のアルキル基、炭素原子数6~30のアリール� �又は-SO ₂ -J基を表し、Jは、アルキル基、ハロゲン原子 で置換されていてもよいアリール基、ジアル キルアミノ基、ジアリールアミノ基、ピペリ ジノ基又はモルフォリノ基を表し、c及びdは� ��各々独立に、0~4の数を表す。また、R ¹¹ 、R ¹² 、R ¹³ 及びR ¹⁴ は、各々独立に、アルキル基、アルキルフェ ニル基、アルコキシフェニル基又はハロゲン 化フェニル基を表す。)

 上記一般式(II)におけるR ⁰¹ ~R ⁰⁴ で表されるハロゲン原子で置換されてもよい 炭素原子数1~4のアルキル基としては、例えば 、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル 、ブチル、s-ブチル、t-ブチル、イソブチル� �が挙げられ、ハロゲン原子で置換されても� �い炭素原子数1~4のアルコキシ基としては、� �えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、� �ソプロポキシ等が挙げられ、ハロゲン原子� �しては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙� �られ、R ⁰¹ とR ⁰⁴ とが結合して形成するシクロアルケン環とし ては、例えば、シクロブテン環、シクロペン テン環、シクロヘキセン環、シクロヘキサジ エン環等が挙げられ、R ⁰¹ とR ⁰⁴ とが結合して形成する複素環としては、例え ば、ジヒドロピラン環、ピロリン環、ピラゾ リン環、インドリン環、ピロール環、チオフ ェン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジ ン環、ピリダジン環、トリアジン環、キノリ ン環、イソキノリン環、イミダゾール環、オ キサゾール環、イミダゾリジン環、ピラゾリ ジン環、イソオキサゾリジン環、イソチアゾ リジン環等が挙げられ、これらの環は他の環 と縮合されていたり、置換されていたりして もよい。

 上記一般式(III)において、R ^a ~R ⁱ で表される炭素原子数1~4のアルキル基として は、例えば、メチル、エチル、プロピル、イ ソプロピル、ブチル、s-ブチル、t-ブチル、� �ソブチル等が挙げられ、該アルキル基中の� �チレン基が-O-で置換された基としては、例� �ば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イ� �プロポキシ、メトキシメチル、エトキシメ� �ル、2-メトキシエチル等が挙げられ、該アル キル基中のメチレン基が-CO-で置換された基� �しては、例えば、アセチル、1-カルボニルエ チル、アセチルメチル、1-カルボニルプロピ� ��、2-オキソブチル、2-アセチルエチル、1-カ� ��ボニルイソプロピル等が挙げられる。

 上記一般式(III)において、Qで表される置換� ��を有してもよい炭素原子数1~8のアルキレン� ��としては、例えば、メチレン、エチレン、� ��ロピレン、メチルエチレン、ブチレン、1-� �チルプロピレン、2-メチルプロピレン、1,2-� �メチルプロピレン、1,3-ジメチルプロピレン� ��1-メチルブチレン、2-メチルブチレン、3-メ� ��ルブチレン、4-メチルブチレン、2,4-ジメチ� ��ブチレン、1,3-ジメチルブチレン、ペンチレ ン、へキシレン、ヘプチレン、オクチレン、 エタン-1,1-ジイル、プロパン-2,2-ジイル等が� �げられ、該アルキレン基中のメチレン基が-O -、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-SO ₂ -、-NH-、-CONH-、-NHCO-、-N=CH-又は-CH=CH-で置換さ れた基としては、例えば、メチレンオキシ、 エチレンオキシ、オキシメチレン、チオメチ レン、カルボニルメチレン、カルボニルオキ シメチレン、メチレンカルボニルオキシ、ス ルホニルメチレン、アミノメチレン、アセチ ルアミノ、エチレンカルボキシアミド、エタ ンイミドイル、エテニレン、プロペニレン等 が挙げられる。
 また、Mで表される金属原子は、Fe、Co、Ni、 Ti、Cu、Zn、Zr、Cr、Mo、Os、Mn、Ru、Sn、Pd、Rh、 Pt又はIrである。

 本発明のインドリウム化合物としては、� ��造コストが低く、モル吸光係数が大きいの� ��、上記一般式(IV)で表される化合物が好まし い。

 上記一般式(I)で表されるインドリウム化� ��物の好ましい具体例としては、下記化合物N o.1~No.37が挙げられる。尚、以下の例示では、 アニオンを省いたインドリウムカチオンで示 している。本発明のインドリウム化合物にお いて、ポリメチン鎖は共鳴構造をとっていて もよい。

 本発明に係る上記一般式(I)で表されるイン� ��リウム化合物には、R ¹ 及びR ² で表される基が結合する不斉原子をキラル中 心とするエナンチオマー、ジアステレオマー 又はラセミ体等の光学異性体が存在する場合 があるが、これらのうち、いかなる光学異性 体を単離して用いても、あるいはそれらの混 合物として用いてもよい。

 上記一般式(I)で表されるインドリウム化� ��物は、その製造法によって制限を受けるも� ��ではない。例えば、2-メチルインドール誘� �体と芳香族アルデヒド誘導体とを縮合反応� �た後、塩交換反応を行うことによって合成� �ることができる。

 また、上記一般式(II)で表される多重結合 を有する基は、中間体である2-メチルインド� ��ル誘導体を得る過程において導入できる。� ��の方法としては、例えば、アリールヒドラ� ��ン誘導体を出発物質にして、上記一般式(II) で表される多重結合基を有する2-ブタノン誘� ��体によりインドール環を形成する時に導入� ��る方法、インドール環にハロゲン化誘導体� ��反応させて導入する方法が挙げられる。Yは 、インドール環のNHと反応するY-D(Dは塩素、� �素、ヨウ素等のハロゲン基;フェニルスルホ� ��ルオキシ、4-メチルフェニルスルホニルオ� �シ、4-クロロフェニルスルホニルオキシ等の スルホニルオキシ基)により導入できる。ま� �、上記一般式(II)で表される多重結合基を有� ��る2-ブタノン誘導体は、アセトンと該当す� �多重結合基を有するアルデヒドとを反応さ� �ることで得られる。

 本発明の上記インドリウム化合物は、光� ��記録材料として用いられる他、光学フィル� ��ーに含有させる光吸収剤等の光学要素、医� ��品、農薬、香料、染料等の合成中間体、あ� ��いは各種機能性材料等各種ポリマー原料に� ��いられる。しかし、これらの用途によって� ��発明は何ら制限を受けるものではない。

 次に、本発明の光学記録材料及び光学記録� ��体について説明する。
 本発明の光学記録材料は、上記インドリウ� ��化合物を少なくとも一種含有する。また、� ��発明の光学記録媒体は、基体上に、該光学� ��録材料からなる光学記録層を形成して得ら� ��るものである。

 本発明の光学記録材料の調製、及び本発� ��の基体上に、該光学記録材料からなる光学� ��録層を形成したことを特徴とする光学記録� ��体を製造する方法については、特に制限を� ��けない。一般には、メタノール、エタノー� ��等の低級アルコール類;メチルセロソルブ、 エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ブチ ルジグリコール等のエーテルアルコール類;� �セトン、メチルエチルケトン、メチルイソ� �チルケトン、シクロヘキサノン、ジアセト� �アルコール等のケトン類、酢酸エチル、酢� �ブチル、酢酸メトキシエチル等のエステル� �;アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル等の� ��クリル酸エステル類、2,2,3,3-テトラフルオ� �プロパノール等のフッ化アルコール類;ベン� ��ン、トルエン、キシレン等の炭化水素類;メ チレンジクロライド、ジクロロエタン、クロ ロホルム等の塩素化炭化水素類等の有機溶媒 に、本発明のインドリウム化合物及び必要に 応じて後述の各種化合物を溶解して溶解して 溶液状の光学記録材料を作製し、該光学記録 材料を基体上にスピンコート、スプレー、デ ィッピング等で塗布する湿式塗布法が用いら れ、蒸着法、スパッタリング法等も用いられ る。上記有機溶媒を使用する場合、その使用 量は、本発明の光学記録材料中における上記 インドリウム化合物の含有量が0.1~10質量%と� �る量にするのが好ましい。

 上記光学記録層は薄膜として形成され、� ��の厚さは、通常、0.001~10μmが適当であり、� �ましくは0.01~5μmの範囲である。

 また、本発明の光学記録材料中において� ��本発明のインドリウム化合物の含有量は、� ��発明の光学記録材料に含まれる固形分中、1 0~100質量%が好ましい。上記光学記録層は、光 学記録層中に上記インドリウム化合物を50~100 質量%含有するように形成されることが好ま� �く、このようなインドリウム化合物含有量� �光学記録層を形成するために、本発明の光� �記録材料は、上記インドリウム化合物を、� �発明の光学記録材料に含まれる固形分基準� �50~100質量%含有するのがさらに好ましい。

 本発明の光学記録材料に含まれる上記固� ��分は、該光学記録材料から有機溶媒等の固� ��分以外の成分を除いた成分のことであり、� ��固形分の含有量は、上記光学記録材料中、0 .01~100質量%が好ましく、0.1~10質量%がより好ま しい。

 本発明の光学記録材料は、本発明のイン� ��リウム化合物の他に、必要に応じて、アゾ� ��化合物、フタロシアニン系化合物、オキソ� ��ール系化合物、スクアリリウム系化合物、� ��ンドール化合物、スチリル系化合物、ポル� ��ィン系化合物、アズレニウム系化合物、ク� ��コニックメチン系化合物、ピリリウム系化� ��物、チオピリリウム系化合物、トリアリー� ��メタン系化合物、ジフェニルメタン系化合� ��、テトラヒドロコリン系化合物、インドフ� ��ノール系化合物、アントラキノン系化合物� ��ナフトキノン系化合物、キサンテン系化合� ��、チアジン系化合物、アクリジン系化合物� ��オキサジン系化合物、スピロピラン系化合� ��、フルオレン系化合物、ローダミン系化合� ��等の、通常光学記録層に用いられる化合物; ポリエチレン、ポリエステル、ポリスチレン 、ポリカーボネート等の樹脂類;界面活性剤;� ��電防止剤;滑剤;難燃剤;ヒンダードアミン等� ��ラジカル捕捉剤;フェロセン誘導体等のピッ ト形成促進剤;分散剤;酸化防止剤;架橋剤;耐� �性付与剤等を含有してもよい。さらに、本� �明の光学記録材料は、一重項酸素等のクエ� �チャーとして芳香族ニトロソ化合物、アミ� �ウム化合物、イミニウム化合物、ビスイミ� �ウム化合物、遷移金属キレート化合物等を� �有してもよい。本発明の光学記録材料にお� �て、これらの各種化合物は、本発明の光学� �録材料に含まれる固形分中、0~50質量%の範囲 となる量で使用される。

 本発明の光学記録材料には、ジイモニウ� ��化合物を含有させてもよい。該ジイモニウ� ��化合物を含有させることにより、本発明の� ��学記録媒体の経時的な吸光度残存率の低下� ��より効果的に防ぐことができる。また該イ� ��ニウム化合物を含有させる場合の含有量は� ��本発明の光学記録材料に含まれる固形分中� ��0~99質量%の範囲となる量が好ましく、より� �ましくは、50~95質量%である。

 このような光学記録層を設層する上記基� ��の材質は、書き込み(記録)光および読み出� �(再生)光に対して実質的に透明なものであれ ば特に制限はなく、例えば、ポリメチルメタ クリレート、ポリエチレンテレフタレート、 ポリカーボネートなどの樹脂、ガラスなどが 用いられる。また、その形状は、用途に応じ 、テープ、ドラム、ベルト、ディスク等の任 意の形状のものを使用できる。

 また、上記光学記録層上には、金、銀、� ��ルミニウム、銅等を用いて蒸着法あるいは� ��パッタリング法により反射膜を形成するこ� ��もできるし、アクリル樹脂、紫外線硬化性� ��脂等により保護層を形成することもできる� ��

 本発明の光学記録材料は、記録、再生に� ��導体レーザを用いる光学記録媒体に好適で� ��り、特に高速記録タイプのCD-R、DVD±R、HD-DVD ―R、BD-R等の公知の単層式、二層式、多層式� ��ディスクに好適である。