以下、場合により図面を参照して、本発� ��の好適な実施形態について説明する。なお� ��図面の説明において、同一又は同等の要素� ��は同一符号を用い、重複する説明を省略す� ��。

 図1は、本発明の一実施形態にかかる絶縁 被覆導電粒子の外観図である。本実施形態に かかる絶縁被覆導電粒子10は、水酸基、カル� ��キシル基、アルコキシ基及びアルコキシカ� ��ボニル基から選ばれる少なくとも1種の官能 基を表面に有する導電粒子8と、導電粒子8表� ��の少なくとも一部を被覆する絶縁性微粒子6 とから構成される。

 導電粒子8の粒径は、絶縁性を確保する観 点から、同一基板上で互いに隣り合う電極間 の最小の間隔よりも小さいことが必要である 。また、導電粒子8の粒径は、同一基板上で� �極の高さにばらつきがある場合、そのばら� �きよりも大きいことが好ましい。このよう� �観点から、導電粒子8の粒径は、1~10μmである ことが好ましく、2.5~5μmであることがより好� ��しい。

 導電粒子8は、基材粒子と基材粒子表面の 少なくとも一部を被覆する多層の金属めっき 層とを有する。前記基材粒子の平均粒径は4.0 μm以下であり、好ましくは2.0μm~4.0μmである� �2.0μm以上であると、実装時に導電粒子がチ� �プバンプの高さばらつきに挟まりにくく、� �通性がより良好になる。4.0μm以下であると� �絶縁抵抗が低下せず、ショート不良がより� �生しにくくなる。

 前記基材粒子は樹脂からなる樹脂粒子で� ��る。基材粒子が樹脂粒子であるために、加� ��及び加圧による変形によって導電粒子と電� ��との接触面積を増加させることができる。� ��材粒子に用いられる樹脂としては特に限定� ��ないが、ポリメチルメタクリレート及びポ� ��メチルアクリレート等のアクリル樹脂、並� ��にポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイ� ��ブチレン及びポリブタジエン等のポリオレ� ��ィン樹脂等を用いることができる。

 前記基材粒子表面を被覆する金属めっき� ��は単層構造の部分があってもよいが、少な� ��とも一部は複数の層からなる多層構造であ� ��。多層構造の場合、耐食性や導電性の観点� ��ら最外層は金層であることが好ましく、金� ��が表面となる部分が導電粒子8表面全体にお いて60%以上であることが好ましい。また、前 記金属めっき層が金層及びニッケル層を含み 、該金層の少なくとも一部が該ニッケル層よ りも外側に設けられていることが好ましい。 さらに、導電粒子8表面における金原子に対� �るニッケル原子の原子存在比が70%以下であ� �ことが好ましい。該原子存在比は、X線光電� ��分光装置によって測定される。導電粒子8表 面を上記構成とすることにより、絶縁性微粒 子6が導電粒子8から剥離しにくくなり、隣接� ��路間の絶縁性が向上できる。

 前記基材粒子表面を被覆する金属めっき� ��に用いられる金属として、金、ニッケルの� ��にも、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、パラジウ� ��、錫、クロム、チタン、アルミニウム、コ� ��ルト、ゲルマニウム、カドミウム等の金属� ��ITO、はんだ等を用いることができる。

 前記基材粒子を前記金属めっき層で被覆� ��る方法として、無電解めっき、置換めっき� ��電気めっき、スパッタリング等の方法が挙� ��られる。前記金属めっき層の厚みは特に限� ��しないが、0.005~1.0μmの範囲が好ましく、0.01 ~0.3μmの範囲がより好ましい。前記金属めっ� �層の厚みが0.005μm未満であると導通不良を起 こし易い傾向があり、1.0μmを超えるとコスト がかかる。

 導電粒子8はその表面に官能基を有する。 絶縁性微粒子6との結合力向上の観点から、� �能基が、水酸基、カルボキシル基、アルコ� �シ基、アルコキシカルボニル基から選ばれ� �少なくとも1種であることが好ましい。導電� ��子8の表面にこれらの官能基が形成されてい ることは、例えば、X線電子分光分析法、飛� �時間型二次イオン質量分析法等の分析手法� �よって確認することができる。

 前記官能基は、導電粒子8表面に対して配 位結合を形成する基と前記官能基とを有する 化合物を、導電粒子8表面に付着又は結合さ� �ることにより形成できる。前記配位結合を� �成する基として、例えば導電粒子8の表面が� ��層からなる場合、金に対して配位結合を形� ��するメルカプト基、スルフィド基又はジス� ��フィド基が挙げられる。従って、メルカプ� ��基、スルフィド基又はジスルフィド基と前� ��官能基とを有する化合物が、導電粒子8表面 に付着又は結合していることが好ましい。こ のような、メルカプト基、スルフィド基又は ジスルフィド基と前記官能基とを有する化合 物として、メルカプト酢酸、2-メルカプトエ� ��ノール、メルカプト酢酸メチル、メルカプ� ��コハク酸、チオグリセリン、及びシステイ� ��等が挙げられる。

 導電粒子8表面に、前記官能基を形成させ る具体的な方法として、例えば、メタノール やエタノール等の有機溶媒中にメルカプト酢 酸等の上述の化合物を10~100mmol/l程度溶解し、 その溶液の中に導電粒子8を分散する方法が� �げられる。

 絶縁性微粒子6は、対向する回路電極間の 導通性を十分高くする観点から、無機酸化物 微粒子である。該無機酸化物微粒子として、 ケイ素、アルミニウム、ジルコニウム、チタ ン、ニオブ、亜鉛、錫、セリウム、マグネシ ウムより選ばれる少なくとも一つの元素を含 む酸化物からなる微粒子を好適に用いること ができる。これらは単独で又は二種類以上を 組み合わせて用いることができる。

 絶縁性微粒子6は、その表面に水酸基を有 する。なお、この水酸基の一部を、シランカ ップリング剤等でアミノ基やカルボキシル基 、エポキシ基に変性してもよい。通常、無機 酸化物の粒子径が500nm以下の場合には変性す� ��ことは困難であるので、絶縁性微粒子6を変 性せずに用いることが好ましい。

 一般に水酸基は、水酸基、カルボキシル� ��、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基� ��の官能基と、脱水縮合による共有結合や水� ��結合によって強固な結合を形成する。導電� ��子8はその表面にこれらの官能基を有してい るため、導電粒子8と絶縁性粒子6とは強固な� ��合力を有している。さらに、絶縁性微粒子6 の表面電位が負電位であることが好ましい。 絶縁性微粒子6の表面電位が負電位であると� �官能基を有する導電粒子8に絶縁性微粒子6が 結合しやすくなる。

 絶縁性微粒子6が、前記無機酸化物微粒子の 中でも粒子径を制御した水分散コロイダルシ リカ(SiO ₂ )であることが特に好ましい。水分散コロイ� �ルシリカ(SiO ₂ )であると、隣接回路電極間の絶縁性を更に� �好にできる。水分散コロイダルシリカは表� �に水酸基を有する為、導電粒子8との結合力� ��優れていること、粒子径を揃えやすいこと� ��安価であること等の利点も有する。絶縁信� ��性向上のために、分散溶液中のアルカリ金� ��イオン及び、アルカリ土類金属イオン濃度� ��100ppm以下であることが望ましい。また、金� ��アルコキシドの加水分解反応、いわゆるゾ� ��ゲル法により製造される無機酸化物微粒子� ��好ましい。

 絶縁性微粒子6の平均粒径が20~500nmである� ��とが好ましい。粒径が20nm以上であると、20n m未満の場合と比較して、導電粒子8を被覆す� ��絶縁性微粒子6が絶縁体として良好に機能し て、同一基板上で互いに隣り合う回路電極間 のショートを更に抑制できる。一方、粒径が 500nm以下であると、500nmを超える場合と比較� �て、対向する回路電極間の導通性が向上す� �傾向にある。なお、上記粒径は、BET法によ� �比表面積換算法又はX線小角散乱法により測� ��することができる。

 絶縁性微粒子6が、導電粒子8よりも硬い� �子であることが好ましい。絶縁性微粒子6を� ��電粒子8よりも硬くすることで、異方導電接 着フィルムを作製する際に絶縁被覆導電粒子 10が変形しにくくなる。なお、絶縁性微粒子6 が導電粒子8よりも硬いことは粒子の硬度を� �定することにより確認できる。硬度はモー� �硬度により測定できる(金:2.5、ニッケル:3.8� �シリカ:7.0)。

 絶縁性微粒子6が、導電粒子8の表面を一� �で被覆していることが好ましい。一層で被� �した場合、導電粒子8の表面に絶縁性微粒子6 を複数層積層した場合に比べて、絶縁性微粒 子6の積層量を制御しやすい。

 導電粒子8が絶縁性微粒子6によって被覆� �れている表面の割合、すなわち絶縁性微粒� �6による導電粒子8表面の被覆率が30~50%である ことが好ましい。なお、ここでいう100%とは� �導電粒子8表面を平面とした場合に、その平� ��に絶縁性微粒子6が細密充填される場合をい う。また、上記被覆率のCV値が20%以下である� ��とが好ましい。なお、CV値とは、被覆率の� �準偏差を平均値で割った値であり、ばらつ� �を示す。上記被覆率が高い場合は、同一基� �上で隣り合う回路電極間の絶縁性が高くな� �、かつ、対向する回路電極間の導通性が低� �する傾向がある。上記被覆率が低い場合は� �上記導通性が高くなり、上記絶縁性が低下� �る傾向がある。

 本実施形態にかかる絶縁被覆導電粒子10� �、導電粒子8の表面上に高分子電解質を吸着� ��せた後、絶縁性微粒子6を被覆して得ること ができる。

 一般に、このような方法は、交互積層法( Layer-by-Layer assembly)と呼ばれる。交互積層法� �、G.Decherらによって1992年に発表された有機� �膜を形成する方法である(Thin Solid Films,210/21 1,1992,p.831)。この方法では、正電荷を有する� �リマー電解質(ポリカチオン)の水溶液と負電 荷を有するポリマー電解質(ポリアニオン)の� ��溶液とに、基材を交互に浸漬することで基� ��上に静電的引力によって吸着したポリカチ� ��ンとポリアニオンとの組が積層されて複合� ��(交互積層膜)を得ることができる。

 交互積層法では、静電的な引力によって� ��基材上に形成された材料の電荷と、溶液中� ��反対電荷を有する材料とが静電気的に引き� ��うことにより膜成長するので、吸着が進行� ��て電荷の中和が起こるとそれ以上の吸着が� ��こらなくなる。したがって、ある飽和点ま� ��に至れば、それ以上膜厚が増加することは� ��い。

 また、Lvovらは交互積層法を微粒子に応用 し、シリカやチタニア、セリアの各微粒子分 散液を用いて、微粒子の表面電荷と反対電荷 を有する高分子電解質を交互積層法で積層す る方法を報告している(Langmuir,Vol.13、1997、p.61 95-6203)。この方法を用いると、負の表面電荷� ��有するシリカの微粒子とその反対電荷を持� ��ポリカチオンであるポリジアリルジメチル� ��ンモニウムクロライド(PDDA)又はポリエチレ� ��イミン(PEI)などとを交互に積層することで� �シリカ微粒子と高分子電解質とが交互に積� �された微粒子積層薄膜を形成することが可� �である。

 絶縁被覆導電粒子10の製造方法として、� �ルカプト基、スルフィド基又はジスルフィ� �基と水酸基、カルボキシル基、アルコキシ� �及びアルコキシカルボニル基から選ばれる� �なくとも1種の官能基とを有する化合物を含� ��溶液に導電粒子8を接触させて、該化合物を 導電粒子8表面に付着又は結合させる第1のス� ��ップと、高分子電解質を含む溶液に導電粒� ��8を接触させて、該高分子電解質を導電粒子 8表面に付着させる第2のステップと、水酸基� ��表面に有する無機酸化物微粒子である絶縁� ��微粒子6を含む分散液に導電粒子8を接触さ� �て、導電粒子8と導電粒子8表面の少なくとも 一部を被覆する絶縁性微粒子6とを有する絶� �被覆導電粒子10を得る第3のステップと、を� �の順に備える、製造方法が挙げられる。

 上記製造方法で用いられる高分子電解質� ��含む溶液は、水又は水と水溶性の有機溶媒� ��混合溶媒に高分子電解質を溶解したもので� ��る。使用できる水溶性の有機溶媒として、� ��えば、メタノール、エタノール、プロパノ� ��ル、アセトン、ジメチルホルムアミド、ア� ��トニトリルなどが挙げられる。高分子電解� ��として、水又は水と水溶性の有機溶媒との� ��合溶媒に可溶なものであり、水溶液中で電� ��し、荷電を有する官能基を主鎖又は側鎖に� ��つものを用いることができ、このうちポリ� ��チオンが好ましい。ポリカチオンとして、� ��リアミン類等のように正荷電を帯びること� ��できる官能基を有するもの、例えば、ポリ� ��チレンイミン(PEI)、ポリアリルアミン塩酸� �(PAH)、ポリジアリルジメチルアンモニウムク ロリド(PDDA)、ポリビニルピリジン(PVP)、ポリ� ��ジン、ポリアクリルアミドのいずれか、又� ��これらのポリカチオンを少なくとも1種以上 含む共重合体などを用いることができる。導 電粒子8表面にこれらの高分子電解質が吸着� �れていることは、例えば、X線電子分光分析� ��、飛行時間型二次イオン質量分析法等の分� ��手法によって確認することができる。

 上述のポリカチオンのうち、ポリエチレ� ��イミンが高い電荷密度を有しており、導電� ��子8との結合力が強いことから好ましく用い ることができる。高分子電解質の重量平均分 子量は、用いる高分子電解質の種類によるた め一概に定めることができないが、水溶性及 び導電粒子8への吸着量を良好にする観点、� �び取扱いの容易さの観点から、一般に500~2000 00程度のものが好ましい。

 高分子電解質を含む溶液に導電粒子8を接 触させる方法として、例えば高分子電解質を 水又は水と水溶性の有機溶媒との混合溶媒に 溶解した高分子電解質溶液に、導電粒子8を� �漬する方法が挙げられる。この場合、高分� �電解質溶液中の高分子電解質の濃度は、水� �性及び官能基含有導電粒子への吸着量を良� �にする観点、及び取扱いの容易さの観点か� �、通常0.01~10質量%程度が好ましい。高分子電 解質溶液のpHは、特に限定されない。

 上記水溶性の有機溶媒として、例えば、� ��タノール、エタノール、プロパノール、ア� ��トン、ジメチルホルムアミド、アセトニト� ��ルなどを用いることができる。なお、高分� ��電解質を含む溶液として、エレクトロマイ� ��レーションや腐食を避けるために、アルカ� ��金属(Li、Na、K、Rb、Cs)イオン、アルカリ土� �金属(Ca、Sr、Ba、Ra)イオン、及びハロゲン化� ��イオン(フッ素イオン、クロライドイオン、 臭素イオン、ヨウ素イオン)を含まないもの� �好ましい。

 導電粒子8の表面に吸着される高分子電解 質の種類や分子量、濃度を調整することによ って、絶縁性微粒子6による導電粒子8表面の� ��覆率をコントロールすることができる。具� ��的にはポリエチレンイミン等、電荷密度の� ��い高分子電解質を用いた場合、絶縁性微粒� ��6による被覆率が高くなる傾向があり、ポリ ジアリルジメチルアンモニウムクロリド等、 電荷密度の低い高分子電解質を用いた場合、 上記被覆率が低くなる傾向がある。また、高 分子電解質の分子量が大きい場合、上記被覆 率が高くなる傾向があり、高分子電解質の分 子量が小さい場合、上記被覆率が低くなる傾 向がある。さらに、高分子電解質を高濃度で 用いた場合、上記被覆率が高くなる傾向があ り、高分子電解質を低濃度で用いた場合、上 記被覆率が低くなる傾向がある。

 上述の絶縁被覆導電粒子10の製造方法が� �第2のステップで導電粒子8表面に前記高分子 電解質を接触させる工程の後に導電粒子8の� �面に吸着されていない余剰の前記高分子電� �質を洗い流す工程を、及び第3のステップで� ��電粒子8の表面に絶縁性微粒子6を接触させ� �工程の後に導電粒子8を被覆していない余剰� ��絶縁性微粒子6を洗い流す工程を更に備えて いてもよい。

 上述の高分子電解質及び絶縁性微粒子6を 洗い流す工程に用いる洗浄溶媒としては、水 、アルコール、又はアセトンなどを用いるこ とができる。なお、導電粒子8の表面に吸着� �ている高分子電解質及び又は導電粒子8の表� ��に直接又は高分子電解質を介して結合して� ��る絶縁性微粒子6は、上述の余剰の高分子電 解質及び余剰の絶縁性微粒子6を洗い流す工� �では通常剥離しない。

 上述の余剰の高分子電解質を洗い流す工� ��、及び絶縁性微粒子6を洗い流す工程を行う ことによって、絶縁性微粒子6が高分子電解� �溶液に持ち込まれること、及び高分子電解� �が絶縁性微粒子6の分散液に持ち込まれるこ� ��を防止することができる。なお、持ち込み� ��よって絶縁性微粒子の分散液及び高分子電� ��質溶液内でカチオン、アニオンが混ざって� ��まうと、高分子電解質と絶縁性微粒子との� ��集や沈殿が発生する場合がある。

 以上のようにして作製された絶縁被覆導� ��粒子10を、加熱乾燥することにより絶縁性� �粒子6と導電粒子8との結合力を一層強化する ことができる。これは、導電粒子8表面のカ� �ボキシル基等の官能基と絶縁性微粒子6表面� ��水酸基との化学結合が新たに形成されるこ� ��による。絶縁被覆導電粒子10の加熱乾燥は60 ℃~200℃、10~180分の範囲で行うことが好まし� �。温度が60℃より高い場合、又は加熱時間が 10分以上である場合は、温度が60℃より低い� �合、又は加熱時間が10分より短い場合と比較 して、導電粒子8の表面から絶縁性微粒子6が� ��離しにくい傾向がある。一方、温度が200℃� ��り低い場合、又は加熱時間が180分より短い� ��合は、温度が200℃より高い場合、又は加熱� ��間が180分より長い場合と比較して、導電粒� ��8が変形しにくい傾向にある。

 図2は、本発明の一実施形態にかかる異方 導電性接着フィルムの断面図である。本実施 形態の異方導電性接着剤フィルム3は、絶縁� �接着剤層2と上述の通り作製した絶縁被覆導� ��粒子10とを有しており、絶縁被覆導電粒子10 が絶縁性接着剤層2内に部分的に又は完全に� �没しており、かつ、絶縁性接着剤層2の厚さ� ��向の一方側にのみ偏って配置されている。� ��縁被覆導電粒子10は、絶縁接着剤層2の表面� ��ら5μm以内に配置されていることが好ましい 。

 絶縁性接着剤層2に用いられる接着剤組成 物として、熱反応性樹脂と硬化剤との混合物 を用いることができる。このうち、エポキシ 樹脂と潜在性硬化剤との混合物を用いること が好ましい。潜在性硬化剤として、イミダゾ ール系、ヒドラジド系、三フッ化ホウ素-ア� �ン錯体、スルホニウム塩、アミンイミド、� �リアミンの塩、及びジシアンジアミド等を� �いることができる。この他、接着剤組成物� �して、ラジカル反応性樹脂と有機過酸化物� �の混合物や紫外線などのエネルギー線硬化� �樹脂を用いることができる。

 接着剤組成物に含まれるエポキシ樹脂とし� ��、エピクロルヒドリンとビスフェノールA、 ビスフェノールF、又はビスフェノールAD等と から誘導されるビスフェノール型エポキシ樹 脂、エピクロルヒドリンとフェノールノボラ ック又はクレゾールノボラックとから誘導さ れるエポキシノボラック樹脂、ナフタレン環 を含んだ骨格を有するナフタレン系エポキシ 樹脂、グリシジルアミン、グリシジルエーテ ル、ビフェニル、脂環式等の1分子内に2個以� ��のグリシジル基を有する各種のエポキシ化� ��物等を単独で又は2種以上を混合して用いる ことができる。これらのエポキシ樹脂は、エ レクトロマイグレーション防止の観点から、 不純物イオン(Na ⁺ 、Cl ^- 等)や、加水分解性塩素等を300ppm以下に低減� �た高純度品を用いることが好ましい。

 接着剤組成物には、回路接着後の応力を� ��減するため、又は接着性を向上するために� ��上述の成分に加えてブタジエンゴム、アク� ��ルゴム、スチレン-ブタジエンゴム、シリコ ーンゴム等を混合することができる。

 上記接着剤組成物に、フィルム形成性の� ��点からフェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂� ��ポリアミド樹脂等の熱可塑性樹脂(フィルム 形成性高分子)を配合することが好ましい。� �れらのフィルム形成性高分子を配合するこ� �が、反応性樹脂の硬化時の応力を緩和でき� �観点からも好ましい。また、接着性向上の� �点から、フィルム形成性高分子が水酸基等� �官能基を有することがより好ましい。なお� �接着剤組成物をペースト状にしてもよい。� �ィルム形成は、これら少なくともエポキシ� �脂、アクリルゴム、潜在性硬化剤からなる� �着剤組成物を有機溶剤に溶解あるいは分散� �より、液状化して、剥離性基材上に塗布し� �硬化剤の活性温度以下で溶剤を除去するこ� �により行われる。この時用いる溶剤として� �芳香族炭化水素系と含酸素系の混合溶剤が� �料の溶解性を向上させるため好ましい。

 接着剤組成物に、無機質充填材を混入・� ��散することができる。無機質充填材として� ��例えば、溶融シリカ、結晶質シリカ、ケイ� ��カルシウム、アルミナ、炭酸カルシウム等� ��粉体があげられる。無機質充填材の配合量� ��、接着剤組成物100重量部に対して10~200重量� ��が好ましく、熱膨張係数を低下させるには� ��合量が大きいほど効果的であるが、多量に� ��合すると接着性や接続部での接着剤の排除� ��低下に基づく導通不良が発生しやすいため� ��また、配合量が少ないと熱膨張係数が充分� ��下しにくいため、20~90重量部がさらに好ま� �い。また、粉体の平均粒径は、接続部での� �通不良を防止する目的で3μm以下にするのが� ��ましい。さらに、接続時の樹脂の流動性の� ��下及びチップのパッシベーション膜のダメ� ��ジを防ぐ目的で、球状フィラを用いること� ��望ましい。無機質充填材は、絶縁被覆導電� ��子10と共に又は絶縁性接着剤層2中の絶縁被� ��導電粒子10が配置されていない側に混入・� �散することができる。

 本発明にかかる異方導電接着フィルムの� ��造方法は、絶縁性接着剤層2を一定速度で走 行させながら、絶縁被覆導電粒子10を、絶縁� ��接着剤層2の一方面側において噴霧し、噴霧 された絶縁被覆導電粒子10を絶縁性接着剤層2 の表面に落下させる工程を含む。

 絶縁被覆導電粒子10を絶縁性接着剤層の� �方面側に噴霧する手段としては、乾燥した� �縁被覆導電粒子10に空気を吹き付けて噴霧す る方法、高速気流中に絶縁被覆導電粒子10を� ��給して噴霧する方法、スプレー噴霧する方� ��等があり、中でも高速気流中に絶縁被覆導� ��粒子10を供給して噴霧する方法は、絶縁被� �導電粒子10が分散して落下するので好ましい 。さらに、絶縁被覆導電粒子10を同一電荷と� ��ればより分散度が向上できるので好ましい� ��このときに、散布ノズルにエアチューブを� ��いて水平方向に向けて絶縁被覆導電粒子10� �噴霧すると、絶縁被覆導電粒子10は接触帯電 で同一電荷に帯電し、噴霧された絶縁被覆導 電粒子10が、噴霧用エアと分離することで落� ��し、絶縁性接着剤層上に均一に分散して配� ��される。

 絶縁被覆導電粒子10は重力によっても落� �するが、電界を発生させることにより落下� �せることが好ましい。電界を発生させるこ� �により、絶縁被覆導電粒子10は電界の方向に 進行するので高効率である。電界を発生させ るには、帯電した絶縁被覆導電粒子10を噴霧� ��る際に、噴霧を行う箱内の上下に電極を設� ��すればよい。

 絶縁被覆導電粒子10の噴霧・落下は、空気� �送り込み導電性粒子を浮遊させた空気流を� �りノズルから噴霧する方法を用いた場合、� �器の大きさ、空気圧力、ノズル材、ノズル� �絶縁性接着剤との位置関係等と単位面積当� �りの分布状態を予め実験的に求め、最適な� �件になるように行う。例えば、回路電極の� �続において導体の幅/導体の間隔が0.05mm/0.02mm のように精密な箇所の接続を行う場合には、 絶縁被覆導電粒子10の大きさを3~10μmとし、絶 縁性接着剤の表面に、5000~50000個/mm ² の範囲に分散して配置されるように噴霧・落 下させることが好ましい。

 さらに、絶縁性接着剤層2上に落下した絶 縁被覆導電性粒子10を絶縁性接着剤層2内に埋 め込むことが好ましい。絶縁被覆導電粒子10� ��埋め込む手段としては、絶縁被覆導電粒子1 0が落下した絶縁性接着剤層2の表面に、剥離� ��を有する表面を有するプラスチックフィル� ��を重ね、プレスやラミネート等によって圧� ��を加えることによって実現できる。

 さらに、絶縁被覆導電粒子10を埋め込む� �に、絶縁性接着剤層2を加熱することが好ま� ��い。加熱する温度としては、絶縁性接着剤� ��2が完全には硬化しない程度であって、その 後に行う回路電極の接続において基板と基板 との接続時に必要なタック性、塑性変形性を 残す程度に加熱することが好ましく、その他 の時間や圧力の条件等と共に、絶縁性接着剤 層2に用いられる接着剤組成物の種類によっ� �、予め実験的に求めておくことができる。

 絶縁被覆導電粒子10が落下した絶縁性接� �剤層2に、単層又は複数層の別の接着剤層を� ��ミネートして、厚み方向の特定の位置に粒� ��層を配置することもでき、このときに、ラ� ��ネートする接着剤層の溶融粘度に差をつけ� ��ことが好ましく、例えば絶縁被覆導電粒子1 0が落下した絶縁性接着剤層2がエポキシ樹脂� ��らなる場合、その表面に重ねる接着剤層と� ��ては、同じエポキシ樹脂で溶融粘度を上げ� ��ものを用いるとよい。絶縁性接着剤層2に絶 縁被覆導電粒子10を押し込むときに、絶縁性� ��着剤層2に重ねる接着剤層にまで絶縁被覆導 電粒子10が押し込まれず、絶縁被覆導電粒子1 0の厚み方向の位置を制御できる。

 異方導電接着フィルム3の厚みは、絶縁被 覆導電粒子10の粒径及び接着剤組成物の特性� ��考慮して相対的に決定されるが、1~100μmが� �ましく、3~50μmがより好ましい。異方導電接� ��フィルム3の厚みが1μm以下では充分な接着� �が得られない傾向があり、100μm以上では対� �する回路電極間の導通性を得るために多量� �絶縁被覆導電粒子10を必要とする傾向があり 現実的ではない。

 図3は、本発明の異方導電接着フィルムの 製造方法に用いられる製造装置を図示してい る。なお、絶縁被覆導電粒子10及び絶縁性接� ��剤層2は図3中には図示していない。絶縁性� �着剤層2を有するフィルム11を巻出しロール12 から巻出し、巻取りロール13で巻取りながら� ��一定速度で走行させる。保護フィルム14を� �出しロール15から巻出し、巻取りロール16で� ��取りながら一定速度で走行させる。

 真空エジェクタ19の真空口に粒子供給機17 から供給される絶縁被覆導電粒子10を落とし� ��圧縮空気により導電性粒子を流動化させる� ��流動化した絶縁被覆導電粒子10は、エアチ� �ーブ20内を高速移動する際に同一電荷に帯電 し、散布ノズル21よりフィルム11上の絶縁性� �着剤層2の一方面側において噴霧される。散� ��箱22の上下壁面に設置した上電極23、下電極 24により散布箱22内のフィルムに対して垂直� �向の電界を発生させる。電界の方向に沿っ� �、噴霧された導電性粒子が噴霧エアと分離� �て、一定速度で走行する絶縁性接着剤層2の� ��面に落下する。噴霧エアと分離しなかった� ��縁被覆導電粒子10は、排気口25からサイクロ ン26に吸い込まれ回収される。絶縁被覆導電� ��子導電粒子10が落下した絶縁性接着剤層2は� ��上ラミネートロール27、下ラミネートロー� �28により保護フィルム14を介して絶縁被覆導� ��粒子10が絶縁性接着剤に埋り込む。ラミネ� �トロールを通過した後保護フィルムが巻取� �ール16で巻き取られてフィルム11から分離し� ��本発明の異方導電接着フィルムである、絶� ��被覆導電粒子10が絶縁性接着剤層2内部に部� ��的に又は完全に埋没しており、かつ、絶縁� ��接着剤層2の厚さ方向の一方側にのみ偏って 配置されているフィルム11が得られる。