Integrierte Digitale Magnetfeld-Detektoren: Die Erfindung betrifft die schnelle e 1 e k - trische digitalisierte Detektion, Messung und integrierte Auswertung von Magnetfeldern mittels speziellen Feldeffekt-Transistorstrukturen.

STAND DER TECHNIK: Der Entwurf von integrierten (intelligenten) Magnetfeldsensoren ist Gegenstand zahlreicher Aktivitäten: Unter Ausnutzung des Hall-Effekts werden ge- eignete Materialien mit hoher Elektronenbeweglichkeit wie GaAs speziell strukturiert und hergestellt [2], [7], [17] während andererseits mit kommerziell einsetzbaren Si- Technologien der Schritt zu vermarktbaren Prudukten genommen wird [16], [6], [8]. Die Realisierungsprinzipien des Magnetfeldtransistoren (MT) mit zwei Transistoren und der entsprechenden Feldeffekt-Transistoren (MAGFET) sind seit über 10 Jahren bekannt; verschiedenste Ausführungen wurden vermessen und analysiert [3], [9]. Den physikali¬ schen Stand der Technik über integrierte Magnetfeldsensoren stellten Baltes und Popovic 1986 in einer Übersicht zusammen [10]. In der Zwischenzeit wurden zahlreiche Magnet¬ feldsensoren (MFS) integriert hergestellt, vermessen und auch mit Leistungsmerkmalen verglichen - in Bezug auf das Rauschverhalten und in Abhängigkeit von der Temperatur [4], [12], auch für Standard-Si-Prozesse.

Für die stark expandierende Branche der magnetischen Massenspeicher werden dabei bereits Magnetköpfe auf Si-Hableiterbasis eingesetzt [6]. Eine Steigerung der Detektions- geschwindigkeit, der Empfindlichkeit, und vor allem des Integrationsgrades ist heute von großem Interesse. Um die Empfindlichkeit bei der analogen Magnetfelddetektion zu steigern, wurden auch magnetisch veränderliche Materialeigenschaften ausgenutzt in einem magnetisch gesteuerten Oszillator (MCO) [18]. Die Verarbeitung der analog erfaßten Magnetsignale erfolgt in der Regel später digital. Deshalb werden rauscharme, empfindliche Transistorschaltungen benötigt [5], [9], um danach mittels konventioneller A/D-Wandler in digitale Signale umgewandelt zu werden. Könnte man die Digitalisie¬ rung noch weiter nach vorn an die Sensorstelle direkt verlagern, würde man viele analoge Probleme über etwas mehr digitale Logik lösen können. Wie dies möglich ist,

wird in diesem Beitrag aufgezeigt. Vor allem durch die denkbaren Komplexitätssteige¬ rungen beim Einsatz von Sub-μ Technologien können neue Sensor-Leistungsklassen erschlossen werden: Durch die Vervielfältigung von optimierten Magnetfeldsensorzellen zu einem Array können Miniaturmagnetfelder mehrdimensional vermessen werden. Die Applikationsbreite reicht dabei von der genauen Ortspositionsvermessung in Mechanik und Robotik [8], [13] bis zur Datenspeicher- und Videotechnik.

Ein Doppeldraintransistor zur rauscharmen Vermessung von Magetfeldern kleiner Aus¬ dehnung ist aus [20] bekannt. Im Gegensatz zu der im folgenden dargestellten Anord- nung zur digitalen Detektion wird in diesem Doppeldraintransitor eine analoge Ver¬ arbeitung der Signale hinter zwei Floating Gates vorgenommen.

PROBLEMSTELLUNG: Der Erfindung liegt die grundsätzliche Aufgabe zugrunde, ein ruhendes oder schnell veränderliches Magnetfeld von πünimalster Ausdehnung im μm ² - Bereich und darunter digital zu detektieren.

Dabei soll es darüber hinaus möglich sein, mehrere tausend Sensorzellen auf einem Halbleitermaterial nebeneinander anzuordnen und parallel auszuwerten.

LÖSUNG: Die genannte grundsätzliche Aufgabe wird durch die in den Ansprüchen (1) oder (2) genannte Anordnung (vgl. Fig. 3a und 3b) gelöst. Die gleiche Aufgabe wird durch eine technologische Variante gelöst, die in den Ansprüchen (13) oder (14) angege¬ ben sind (vgl. Fig.5).

Die bei der Realisierung einer Magnetfeld-Doppeldrain-Transistorzelle durch technolo¬ gische Toleranzen verursachten Unsymmetrien können elektrisch kompensiert werden durch die in Anspruch (2) genannte Schaltung (vgl. Abb.la). Die für eine CMOS- Technologie einsetzbare komplementäre Schaltung der Lasttransistoren kann entspre¬ chend Anspruch (4) ausgeführt werden.

Eine adaptive Symmetrisierung kann auch dadurch erzielt werden, daß das gemeinsame Taktgate (3) bzw. (13) in zwei paralle, elektrisch separierte Metall-Gates aufgespalten

wird, die nur durch enge Oxidschichten voneiander getrennt sind, so daß durch geringfü¬ gigen zeitlichen Taktflankenversatz eine elektronische Symmetrisierung vorgemmen werden kann entprechend Anspruch (5).

Eine weitere Kombination, bei der auch die Lasttransistoren als komplementäre Magfet¬ zelle ausgeführt sind, ist in Anspruch (6) aufgeführt. Weitere Ausgestaltungen, mit einer Auswertelogik an den Ausgängen der Magfetzelle bzw. mit einem zusätzlichen Magnet- feldkonzentrator, bei der die Intensität eines Magnetfeldes (inklusive Vetrauensintervall) angezeigt werden kann, ist in den Ansprüchen (7) und (8) genannt.

Ein weitreichendes Applikationsfeld erschließt die Plazierung ganzer Arrays von Ma¬ gnetfeld-Detektorzellen auf einem Chip, die dann insbesondere für digitale Videomagnet¬ köpfe verwendet werden können. Derartige Lösungen sind in den Ansprüchen (9), (10), (11), (16) und (17) formuliert.

Eine asynchrone ausgestaltung unter Einbeziehung einer logischen Rückkopplung zu einem Magnetfeldsensiblen Ringoszillator ist in Fig. 6 a) und b) dargestellt und in Anspruch (15) formuliert.

GEWERBLICHE ANWENDUNGEN DES DIGITALEN MAGNEI ELDETEKIΌRS: Wie im folgenden näher dargestellt, kann die Erfindung eingesetzt werden für neuartige adaptiwe digitale Videomagnetköpfe, für Daten-Lesekopfe in magnetischen Festplatten, sowie für Magnet¬ felddichte-Messer und Miniaturkompaß. Die Anwendungen werden jeweils im Bezug auf den Stand der Technik dargestellt und die vorteilhaften Verbesserungen werden spizifi- ziert.

Digitaler Video-Magnetkopf: Analoge TV-Signale werden heute auf 1/2-Zoll-Bänder in schrägen Spuren mit einer Breite von 40 μm bei einer magnetischen Wellenlänge von 0,6μm aufgezeichnet. Unter Verwendung einer heute verfügbaren Submikron-Technolo- gie ist es möglich, das magnetfeldempfindliche Fenster unter dem Taktgate auf eine Fläche von 0,5xlμm zu beschränken und eine Reihe von 1248 digitaler Magnetfelddetek-

torzellen im Abstand von 2 μm anzuordnen. Werden zwei Reihen hiervon versetzt nebeneinander im Layout realisiert, wie in Fig. 4 gezeigt, so lassen sich digitale Video¬ signale, die auf einer viel schmäleren Spur von 4μm gespeichert sind, magnetisch parallel lesen - ohne daß ein rotierender Kopf eingesetzt werden muß: Je drei Detektoren tasten dann mit einer Uberabtastfrequenz von 52 MHz eine Spur ab. Dort, wo der Übergang von einer Spur zur nächsten hinfällt, wird der Detektor adaptiv abgeschaltet. Die Takt- und Spurerkennung der aufgezeichneten Signale wird "on chip" mittels digitaler PLL-Schaltungen (Phase Locked Loop) durchgeführt. Damit kann bei einer etwa doppelt so hohen Bandgeschwindigkeit auf einem normalen VHS-Band die digitale Fernsehstudioqualität gespeichert und gelesen werden. Dies erfordert natürlich auch die Entwicklung von Schreibköpfen mit schmäleren Spuren. Das Hauptproblem der mecha¬ nischen Spurpräzision wird jedoch erfmdungsgemäß durch die elektronisch adaptive Spurerkennung auf dem hier beschriebenen digitalen Video-Magnetkopf gelöst.

Der digitale Doppel-Ringoszillator als Magnetfeldmesser: Um möglichst viele magnet¬ feldabhängige Entscheidungen, d.h. Kippvorgänge in kurzer Zeit ausführen zu können, wird in einer zusätzlichen Logikschaltung festgestellt, ab wann ein Kippvorgang ein¬ deutig auswertbar ist. Über die Rückführung wird dann sofort das Takgate-Potential ge¬ ändert. Sind die Drains dann wieder in der Ausgangssituation, wird erneut das Taktgate- Potential sofort geändert. Dieser Vorgang wird dauernd mit der höchstmöglichen Geschwindigkeit ausgeführt. Eine solche Ringoszillatorschaltung ist für eine serielle Ma¬ gnetfeld-Detektorzelle nach Fig. 5a) in dem Schaltbild in Fig. 6a) angegeben - ent¬ sprechend für die parallele Detektorzelle in Fig. 6b).

Tritt an der Detektorzelle des Ringoszillators ein sehr starkes Magnetfeld auf, so weist der eine Oszillatorausgang O _sl die höchste Frequenz auf (über 100 MHz mit heutiger Standardtechnologie), während der zweite Oszillatorausgang O _s2 die Frequenz Null aufweist. Ändert sich die Polarität des Magnetfeldes, so vertauschen sich die Frequenzen auf O _s , und O _s2 . Ist kein Magnetfeld vorhanden, so haben beide Oszillatorausgänge gleiche Frequenzen, die etwas niedriger als die Hälfte der höchsten Frequenz sind. Zählt man die Änderungen auf beiden Oszillatorausgängen separat, so kann man durch Umrechnen direkt die Stärke eines zu vermessenden Magnetfeldes in Gauß oder Tesla

anzeigen.

Digitaler Miniaturkompaß: Im Kombination mit einem Magnetfeldkonzentrator aus hochpermeablem Material, der einen Magnetfluß von einigen mm ² auf einige μm ² auf das Taktgate konzentriert, kann dieses Oszillatorprinzip als digitaler Kompaß eingesetzt werden.

Daten-Magnetlesekopf: Das Doppel-Ringoszillator-Prinzip kann auch zur zuverlässige¬ ren Abtastung digitaler Signale auf Festplatten verwendet werden, wobei eine asyn- chrone Überabtastung eingesetzt werden kann, bei der die interne Verarbeitung mit einer sehr hohen Taktfrequenz ausgeführt werden kann. Wird eine große Zahl von Detektor¬ zellen nebeneinander auf einem Chip angeordnet, so kann natürlich eine Vielzahl von Spuren parallel abgetastet werden, um die Lesedatenrate wesentlich zu erhöhen. Dabei kann wie beim o.g. Videokopf eine adaptive elektronische Spurerkennung durchgefürht werden, wudurch die meechanisch präze Positionsführung des Lese-Kopfes vereinfacht wird wird und schmälere digitale Spuren möglich werden, was die Plattenkapazität erhöht.

VORTEILHAFTE NUTZUNG GEGENÜBER DEM STAND DER TECHNIK DURCH MINIATURISIERTE DETEKTORFLÄCHE: Die Detektion derartig kleiner Magnetfeldflächen unter einem μm ² wird erstmalig durch die hier beschriebene digitale Magnetfeld-Detektorzelle ermöglicht. Die erhebliche Verbesserung der meßbaren lokalen Auflösung eines Magnetfeldes gelingt erfindungsgemäß durch die digitale Entscheidung auf kleinstem Raum direkt an der zu vermessenden Magnetfeldstelle - durch die dort befindlichen Elektronen selbst. Da die Halbleitertechnologie noch nicht an der physikalischen Miniaturisierungsgrenze ange¬ kommen ist, lassen sich auch mit dieser Detektorzelle später noch höhere lokale Auflö¬ sungen erzielen, da theoretisch das gleiche Prinzip auch noch bei einem Zehntel der Fläche ebenso funktioniert, ja sogar noch höhere Frequenzen zulassen wird.

Wie der dargestellte Stand der Technik zeigt, ist es bislang nicht gelungen . Dennoch liefern die vielfältigen Errungenschaften der heutigen Halbleitertechnologie die Voraus¬ setzung für innovative Lösungen zur direkten digitalen Detektion und zur integrierten

Signalauswertung. Dies bedarf jedoch der technologiespezifischen Entwicklung von Basiszellen, die dann in eine digitale oder analoge Schaltungsumgebung auf einem (CMOS, BiCMOS oder GaAs-) Chip eingebunden und simuliert werden können. Für diese Zwecke wird in dem vorliegenden Beitrag das Prinzip eines digitalen Magnetfeld- Detektors vorgestellt, dessen Layoutzelle leicht mit vorhandener digitaler Logik ver¬ schaltet werden kann. Signaltheoretisch wird hierbei die Entscheidung über das Vorhan¬ densein eines (minimalen) Magnetfeldes soweit als möglich nach vorn verlagert, so daß kaum noch ein Verstärkungsrauschen von Transistoren hinzukommen kann. Dies gelingt durch Ausbildung eines hochlabilen Zustandes in der Halbleiterregion, in der das Magnetfeld detektiert werden soll, derart, daß geringste Unsymmetrien einer Ladungs¬ verteilung zum Umkippen in einen von zwei (i.A. auch mehr) möglichen stabilen Zuständen führt. Diese 1 -Bit-Information wird abgespeichert, worauf wieder erneut ein labiler Entscheidungszustand hergestellt werden kann. Dieses Abfragen wird mit einer möglichst hohen Taktfrequenz wiederholt. Dadurch daß von der labilen Anordnung her eine Entscheidung erzwungen wird, reichen im Extremfall bereits die thermisch ver¬ ursachten zufälligen Elektronenbewegungen für eine Entscheidung aus. Die anschließen¬ de stochastische Auswertung der so entstandenen 1 -Bit-Folge erlaubt auch eine nähere Bestimmung des Magnetfeldes. Da aber das durch verschiedene Effekte verursachte zufällige Verhalten der Elektronen bekannt ist, kann aus geringfügigen Abweichungen von erwarteten Häufigkeitsverteilungen auf das Einwirken eines Magnetfeldes geschlos¬ sen werden. In den meisten in der Literatur vermessenen Empfindlichkeitsgrenzen wird die durch das Magnetfeld verursachte Abweichung der Meßgröße verglichen mit dem Effektivwert des überlagerten Rauschens. Die gezielte stochastische Auswertung erlaubt jedoch auch die Angabe eines meßbaren Wertes, der viel kleiner ist als das überlagerte Rauschen.

FUNKΠONSBESCHREΠJUNG DER DIGITALEN MAGraτFELr lteTFJcπoN: Das physikalische Gesetz, das das Vorhandensein eines magnetischen Feldes in einem Halbleiter zu messen gestattet, ist die auf Ladungen wirkende Lorentzkraft. Bewegen sich die Elektronen in einem Halbleiter gegenüber einem Magnetfeld, dann beschreibt der Hall-Effekt die Wirkung der Lorentzkraft. Verändert sich das Magnetfeld gegenüber freien Ladungs¬ trägern, dann beschreibt das Induktionsgesetz die Wirkung. Beide Effekte werden in der

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beschriebenen Struktur eines unstabilen Doppeldrain-Transistors ausgenutzt.

Die Grundanordnung eines seriellen tristabilen Doppeldraintransistors ist an einem Lay- outbeipiel von Fig. 3a) gezeigt. Für die Funktion ist das Layout an den Anschlüssen U _DS1 und U _DS2 noch durch zwei Lasttransistoren zu ergänzen, die an die Versorgungs¬ spannung U _DD anzusschließen sind. Die Grundanordnung besteht aus drei n-Kanälen, wobei der untere einer vom Verarmungstyp ist, d.h. am zugehörigen Gate ist eine negative Spannung anzulegen, um den Kanal zu sperren. Der magnetfeldempfindliche Doppeldrain-Transistor arbeitet in folgenden 4 Phasen: 1. Am Taktgate (von Fig, la) liegt ein gegenüber dem Sourcebereich negatives

Potential, so daß der leicht n-dotierte Depletion-Kanal direkt unter dem Taktgate ge¬ sperrt ist. Beide Drainkontakte U _DS1 und U _DS2 haben dann ein (nahe an U _DD gelegnes) positives Potential, da kein Strom fließt.

2. Beim schnellen Übergang des Potentials am Taktgate auf Nullpotential schie- ßen (schnelle) Elektronen in den leicht n-dotierten Bereich bis zu den beiden ^-diffun¬ dierten Drainregionen, da aufgrund der positiven Potentiale an den beiden bis zu Drain¬ regionen reichenden Gates sich mit Elektronen angereicherte Schichten im Halbleiterma¬ terial gebildet haben. Die Gates sind in der Regel durch eine dünne SiO ₂ Schicht vom Halbleitermaterial isoliert. 3. Ist ein zur Oberfläche des Taktgates senkrechtes in das Material hinein gerichtetes Magnetfeld vorhanden, so werden die Elektronen bei ihrer Bewegung ent¬ sprechend der Lorentzkraft nach rechts abgelenkt, wodurch im ersten Augenblick am rechten Drain mehr Elektronen ankommen. Dadurch fällt das rechte Drain- mit dem linken Gatepotential schneller als das linke Drain- mit dem rechten Gatepotential. Das scheller fallende linke Gatepotial bewirkt, daß der linke Kanal schneller gesperrt wird und das rechte Gatepotential wieder nach oben geht. Dieser Vorgang wird jetzt sofort durch die Rückkoppelung verstärkt: Das rechte Drain stabilisiert sich im niedrigen und das linke Drain im hohen Potential. Den Ausschlag für das Umkippen geben also die ersten Elektronen, die schneller sein können als die nachfolgenden und demzufolge auch stärker (als im Halleffekt meßbar) abgelenkt werden. Hat das Magnetfeld die entgegen¬ gesetzte Polarisation, so kippt das linke Drain nach unten.

4. Die Information, ob das rechte oder linke Drainpotential nach unten gefallen

ist, wird abgespeichert. Anschließend kann sofort wieder mittels eines negativen Taktpo¬ tentials die Ausgangssituation hergestellt werden, um dann aufs Neue einen vom Ma¬ gnetfeld abhängigen Kippvorgang einzuleiten.

Ist kein Magnetfeld vorhanden, so leiten die thermischen stochastisch verteilten Elek¬ tronenbewegungen den Kippvorgang ein. Eine Kilibrierung mittels einer elektrischen Spannung, wie z. B. durch einstellbare Spannungen an den Gates der Lasttransistoren (vgl. Bild la), oder mittels zweier geringfügig versetzter Taktsignale an ein parallel aufgespaltenes Taktgate (vgl. Fig. lb) wird dann derart vorgenommen, daß Rechts- und Links-Kippvorgänge mit gleicher Wahrscheinlichkeit auftreten.

Auch bei schwachen Magnetfeldern wird die Verteilung der Kippvorgäng breit gestreut sein: Die prozentuale Abweichung von der symmetrischen Gleichverteilung kann dann bei einem längeren Beobachtungsintervall umgerechnet werden in die Stärke eines auf- tretenden Magnetfeldes am Taktgate. Dabei ist zu berücksichtigen, daß sich das Ver¬ trauensintervall mit steigender thermischer Energie der Elektronen und mit sinkender freien Weglänge der Elektronen zwischen den Atomen verschlechtert.

Ähnlich wie der serielle arbeitet der paralle Doppeldraintransistor, dessen Layout in Fig. 3b skizziert ist; er ist sozusagen das duale Modell der seriellen Anordnung. Der Unter¬ schied liegt darin, daß der parallele Doppeldrain-Transistor aus dem stromführenden Zustand im Taktgate-Kanal schaltet. In dieser ersten Phase sind die rechts und links vom Taktgate gelegenen Steuergate-Kanäle gesperrt. Tritt ein senkrechtes Magnetfeld auf, so werden die Ströme zu den beiden Drains unsymmetrisch, so daß beim Sinken des Taktgatepotentials auf Null die Anordnung in die gleiche Richtung der Unsymmetrie kippt. Vorteilhaft, d. h. die Empfindlichkeit steigernd ist dabei ein möglichst minimaler Abstand zwischen Taktgate und Steuergates. Er kann mit einem zusätzlichen Oxidations- prozeßschritt erzeugt werden, der auf das zuerst angebrachte mittlere Gate wiederum mit einer dünnen Isolierschicht belegt, so daß danach ein zweites Mal das Polisilizium der beiden seitlichen Gates aufgebracht werden kann. Das zugehörige Schaltbild mit Schal¬ tungssymbolen ist in Fig. 2a) gezeigt.

Vereinfachte Layout-Ausführungen der seriellen und parallelen Doppeldraintransistoren, die mit einer NMOS Standardtechnologie erzeugt werden können, sind in Fig.5 a) und b) skizziert. Um den Anreicherungs-Kanal unter dem Taktgate in Fig 5a) ausfuhren zu können, werden zwei zusätzliche, eng benachbarte leitende n ⁺ -Diffusionszonen ange¬ bracht, an die sich dann auch die beiden Kippgate-n-Kanäle anschließen. Im Ruhezustand liegt hier das Taktgatepotential von Gl auf Null, während der Kippvorgang dann beim Übergang zu einem hohen Potential an Gl eingeleitet wird.

REALISTERUNGSMODELLE DER DIGITALEN MAGFET-ZELLE: Anhand der folgenden Schaltbil¬ der wird unter Verwendung bekannter Transistorsymbole das Grundprinzip noch einmal erleutert, ohne auf spezielle (im Füll Custom Design) ausgeführte und optimierte I^yout-Strukturen einzugehen.

Bild la) zeigt das Schaltbild einer NMOS-MAGFET-Detektorzelle mit Ladungsent¬ scheidung, bei der die Symmetrisierung über eine Spannungssteuerung an den Last¬ transistoren Tl und T2 vorgesehen ist. Die Transistoren T5 und T6 haben einen gemein¬ samen Source- und Gate-Bereich. Die Transistoren T3 und T4 haben getrennte Drainre¬ gionen, aber überlappenden Gatebereich auf der Seite der Transistoren T4, T5. Im Ausgangszustand hat der Takt C Nullpotential, so daß kein Strom nach Tl und T2 fließt. Beim Anlegen des Potentials an C wird der gesamte Bereich unter den Gates von T5 und T6 leitend, so daß die Rückkopplung and die Gates von T3 und T4 zu einem labilen Zustand führt, der entweder den Drainanschluß von T3 oder T4 auf niedriges Potential kippen läßt - je nach anfänglicher Ladungsverteilung.

Die Schaltung in lb) arbeitet nach dem gleichen Prinzip, mit dem Unterschied, daß die Symmetrierung über geringfügig veränderbare Taktanstiegszeitpunkte von Cl und C2 vorgenommen wird. Beide Gate-Metallisierungen von T5 und T6 müssen deshalb auch getrennt sein. Die CMOS-Ausführung erfordert die beiden p-MOS-Transistoren T7 und T8 zusätzlich, die aber mit Tl bzw. T2 einen gemeinsamen Sourcebereich haben können.

Bild lc) stellt eine weitere CMOS-Ausführung dar, bei der auch die komplementären p- Transistoren einen gemeinsamen Basisbereich aufweisen, der eine Ladungsunsymmetrie aufgrund eines Magnetfeldes erlaubt.

Bild 2a) stellt eine NMOS-Detektorzelle dar, bei der der labile Zustand aus dem strom¬ führenden Zustand heraus erzeugt wird. Dabei überdeckt das am Takt C angeschlossene isolierte Gate-Metall die mittleren Gateregionen der Transistoren T3 und T4. Geht C auf Nullpotential, so führt entweder das rechte oder das linke rückgekoppelte Gate zu einem leitenden Zustand - je nach Unsymmetrie des Stromes beim Umschalten. Die Ausgangs- symmetrisierung wird dabei wieder durch Steuerung der Lasttransistoren vorgenommen.

Eine CMOS-Ausführung zeigt Bild 2b), bei dem die Schaltungssymmetrisierung wieder über zwei getrennte und geringfügig im Takt versetzbare Gate-Anschlüsse elektrisch vorgenommen werden kann. Der Kippvorgang wird hier wieder beim Übergang von hohen zum Nullpotential des Taktes ausgelöst.

Eine weitere Ausführung, die aus dem stromführenden Zustand schaltet, zeigt Bild 2c). Zwei parallele niederohmige Lasttransistoren erzwingen dabei den Startzustand.

Die hier gezeigten Testzellen in NMOS und CMOS beschränken sich zunächst nur auf die Ausmessung des Einflusses senkrechter Magnetfelder. Unter Zugrundelegung einer bipolaren Si-Technologie oder GaAs-Technologie werden später auch laterale Digitalisie- rungs-Magnetfeld-Detektorzellen entworfen, von denen sogar zwei orthogonal arbeitende lokal derart verknüpft werden können, daß die laterale Richtung eines Feldes mit detektiert werden kann.

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