L'invention concerne les circuits intégrés, et plus particulièrement les transducteurs acoustiques semiconducteurs intégrés, en particulier fonctionnant dans le domaine ultrasonore, et leur fabrication.

Actuellement, les émetteurs/récepteurs acoustiques fonctionnant dans le domaine ultrasonore ne sont pas"intégrables"sur une puce de semiconducteur. En effet, ces émetteurs/récepteurs reposent généralement sur 1'effet piézoélectrique qui engendre la déformation d'une couche mince d'un matériau adapté sous l'effet d'un champ électrique. Et, ce matériau adapté, généralement une lame de quartz, n'est en pratique pas intégrable en technologie silicium.

L'invention vise à remédier à cet inconvénient et propose un transducteur acoustique semiconducteur, intégrable en technologie silicium.

Ce transducteur acoustique semiconducteur intégré, selon l'invention, comprend, d'une façon générale, une membrane semiconductrice déformable, susceptible d'tre parcourue par un courant électrique, et séparée d'une zone d'un substrat semiconducteur par une cavité autorisant des déformations de la membrane.

Dans une technologie silicium, le substrat est en silicium. Par ailleurs, la membrane est de préférence formée de silicium dopé de façon à y permettre une meilleure circulation du courant.

Par ailleurs, selon un mode de réalisation, la hauteur de la cavité est de l'ordre d'une dizaine de nanomètres, tandis que la longueur de la membrane est de l'ordre de la centaine de micromètres. Ces dimensions

sont particulièrement adaptées à une application ultrasonore du transducteur, autorisant ainsi une fréquence de résonance de l'ordre de 30 MHz pour la membrane et de 1 MHz pour la cavité, ce qui conduit donc à une plage de fonctionnement du transducteur comprise entre 1 MHz et 30 MHz.

Le transducteur, selon l'invention, peut tre utilisé en tant qu'élément d'un récepteur acoustique ou en tant qu'élément d'un émetteur acoustique.

Lorsqu'il est utilisé en tant que capteur acoustique (élément d'un récepteur acoustique), le transducteur, selon l'invention, comporte avantageusement un condensateur comportant une première armature formée par la membrane semiconductrice destinée à tre parcourue par un courant électrique et déformable sous l'effet d'une pression acoustique (les variations de pression résultant du son se propageant à l'air libre et venant frapper la membrane). Le condensateur comporte par ailleurs une deuxième armature formée par une zone dopée du substrat semiconducteur disposée en vis-à-vis de la membrane. Par ailleurs, la cavité séparant les deux armatures contient alors par exemple une couche de diélectrique gazeux, de l'air par exemple.

L'invention propose également un récepteur acoustique comprenant un substrat semiconducteur contenant au moins un transducteur tel que défini ci-avant, ainsi que des moyens de génération de courant aptes à générer le courant dans la membrane du transducteur, et des moyens de détection connectés au condensateur et aptes à détecter les variations de la valeur capacitive du condensateur provoquées par les déformations de la membrane.

Lorsque le transducteur selon l'invention est utilisé en tant qu'élément d'un émetteur acoustique, la membrane semiconductrice destinée à tre parcourue par un courant électrique modulé est avantageusement déformable sous 1'effet de la force de Lorenz engendrée par un champ magnétique s'étendant dans le plan de la membrane et perpendiculairement aux lignes de courant.

L'invention propose également un émetteur acoustique comprenant un substrat semiconducteur contenant au moins un transducteur tel que défini ci-avant, ainsi que des moyens de génération de

courant aptes à générer un courant modulé dans la membrane, et des moyens de génération d'un champ magnétique aptes à générer ledit champ magnétique s'étendant dans le plan de la membrane et perpendiculairement aux lignes de courant.

Ces moyens de génération du champ magnétique peuvent tre par exemple un aimant en U.

L'invention propose également un procédé de fabrication d'un transducteur acoustique semiconducteur intégré comprenant une membrane semiconductrice déformable séparée d'une zone d'un substrat semiconducteur par une cavité autorisant des déformations de la membrane, le procédé comportant les étapes suivantes : -ménager dans le substrat une région isolante délimitant une région semiconductrice dite région active, -déposer par épitaxie sélective sur la surface de ladite région active, une première couche d'un premier matériau, par exemple du germanium ou un alliage de silicium-germanium, -déposer par épitaxie non sélective sur la première couche et sur la région isolante, une deuxième couche d'un deuxième matériau semiconducteur (par exemple du silicium), le premier matériau étant sélectivement éliminable par rapport au deuxième matériau, -graver localement la deuxième couche, la première couche et une partie de la région active, de façon à former deux tranchées latérales laissant subsister un empilement central comportant une partie de la deuxième couche, une partie de la première couche et une partie de la région active, et laissant apparaître ladite partie de la première couche sur deux côtés latéraux opposés de 1'empilement, -éliminer sélectivement latéralement la partie de ladite première couche de façon à former ladite cavité qui est délimitée par la partie sous-jacente du substrat (formant ladite zone du substrat) et la partie restante de ladite deuxième couche (qui forme ladite membrane), et -former des espaceurs latéraux pour fermer la cavité sous la membrane.

D'autres avantages et caractérisques de l'invention apparaîtront à l'examen de la description détaillée de modes de réalisation et de mise en oeuvre, nullement limitatifs, et des dessins annexés, sur lesquels :

-la figure 1 illustre très schématiquement une puce semiconductrice comportant une matrice de transducteurs acoustiques, selon l'invention ; -la figure 2 illustre schématiquement un boîtier contenant une puce telle que celle illustrée sur la figure 1 ; -la figure 3 illustre un agencement selon l'invention, comportant un aimant en U coopérant avec une puce équipée d'une matrice de transducteurs selon l'invention ; -la figure 4 illustre schématiquement l'agencement de la figure 3 incorporé dans un boîtier ; -les figures 5 et 6 illustrent très schématiquement un mode de réalisation d'un transducteur acoustique selon l'invention, plus particulièrement destiné à tre incorporé dans un émetteur acoustique, selon l'invention ; -les figures 7 et 8 illustrent très schématiquement un transducteur acoustique selon l'invention, plus particulièrement destiné à tre incorporé dans un récepteur acoustique, selon l'invention ; -les figures 9a à 9d illustrent schématiquement les principales étapes d'un procédé de fabrication, selon l'invention, permettant l'obtention d'un transducteur acoustique ; -la figure 10 illustre très schématiquement un montage électrique d'un émetteur acoustique, selon l'invention ; et -la figure 11 illustre très schématiquement un montage électrique d'un récepteur acoustique, selon l'invention.

Sur la figure 1, la référence P désigne une puce ou plaquette semiconductrice comportant un substrat, par exemple en silicium. Cette puce comporte plusieurs régions dites"régions actives"ZA, mutuellement isolées par des régions isolantes STI, par exemple des tranchées isolantes réalisées de façon classique et connue en soi par un procédé dit"d'isolation par tranchées étroites" ("Shallow Trench Isolation"en langue anglaise). Comme on le verra plus en détail ci-après, c'est au sein de chacune des régions actives ZA que sera réalisé un transducteur acoustique qui, selon l'application, sera destiné soit à capter des ultrasons, soit à émettre des ultrasons.

La puce P comporte par ailleurs, associée à cette matrice de

transducteurs MC, une logique de commande LC comportant des circuits de traitement de données adaptés à l'application. Cette logique de commande peut comporter, comme on le verra plus en détail ci-après, un oscillateur, un modulateur, un processeur de traitement du signal.

Par ailleurs, la puce P comporte, de façon classique, des plots d'entrée/sortie PES sur ses bords. Ces plots d'entrée/sortie sont reliés par des pistes métalliques et des trous d'interconnexion (connus par l'homme du métier sous la dénomination de"vias") aux différents éléments constitutifs de la puce.

Cette puce P est destinée à tre incorporée dans un boîtier BO, tel que celui illustré sur la figure 2, comportant de façon classique, un enrobage de résine destiné à encapsuler le circuit intégré réalisé sur la puce P, ainsi que des broches BR reliées de façon classique et connue en soi aux plots d'entrée/sortie PES de la puce.

Par ailleurs, le boîtier BO comporte également une ouverture OUV qui est ménagée en regard de la matrice MC de transducteurs. Ainsi, lorsque le boîtier BO contient un émetteur acoustique, les sons produits par la matrice de transducteurs MC vont pouvoir se propager à l'air libre à travers l'ouverture OUV. De mme, lorsque le boîtier BO contient un récepteur acoustique, l'ouverture OUV va permettre à l'air libre propageant le son de venir frapper les membranes des transducteurs de la matrice MC.

Comme on le verra plus en détail ci-après, un transducteur destiné à tre incorporé dans un émetteur acoustique, utilise le principe de la force de Lorenz. Plus précisément, un transducteur selon l'invention comporte une membrane déformable. Un courant I est destiné à circuler dans la membrane. Par ailleurs, celle-ci est soumise à l'effet d'une induction magnétique s'étendant dans le plan de la membrane perpendiculairement aux lignes de courant. De ce fait, une force normale à la surface de la membrane (force de Lorenz) est générée et va déformer la membrane.

Cette déformation engendrera un son si le courant I circulant dans la membrane est modulé.

Sur la figure 3, la référence AI désigne un aimant en U qui est un moyen particulièrement simple de générer un champ magnétique. Le

champ magnétique va s'étendre de l'une des branches en U, par exemple la branche Bl, de l'aimant jusqu'à l'autre branche du U, par exemple la branche B2, dans le plan de la puce P. Par ailleurs, comme on le verra plus en détail ci-après, le courant va circuler dans les membranes des transducteurs perpendiculairement aux lignes du champ magnétique.

Comme on le voit sur la figure 4, l'aimant en U AI est également incorporé dans le boîtier, la branche horizontale de l'aimant en U étant située sous la puce P. Celle-ci est par ailleurs disposée de façon à ce que la matrice MC de transducteurs se situe en face de l'ouverture UV.

L'ensemble est solidairement maintenu par 1'enrobage de résine.

Sur les figures 5 et 6, on a illustré très schématiquement une vue de dessus et une vue en coupe selon la ligne VI-VI, d'un transducteur incorporé dans un émetteur acoustique.

La région active ZA s'étend, au sein du substrat SB en silicium, entre une région isolante périphérique STI. Par ailleurs, une membrane MB, par exemple également en silicium, suffisamment mince pour tre déformée, s'étend au-dessus de la région active ZA et repose à deux de ses extrémités EX1 et EX2 sur la région isolante périphérique STI.

La surface inférieure de la membrane MB, c'est-à-dire la surface qui est située en vis-à-vis de la surface supérieure de la région active ZA, est séparée de cette région active par une cavité CV. Cette cavité CV est fermée latéralement par des régions isolantes ou espaceurs ESP qui, comme on le verra plus en détail ci-après, sont ménagés dans des tranchées latérales réalisées dans la région active ZA.

Afin de faciliter la circulation d'un courant I dans la membrane MB, celle-ci est avantageusement dopée. De ce fait, notamment si le dopage de la membrane MB s'effectue par implantation, la zone de substrat ZSB située en vis-à-vis de la membrane est également dopée, bien que le dopage de cette zone ZSB ne soit pas indispensable au fonctionnement du transducteur acoustique.

Le transducteur comporte également plusieurs plots de contact électrique ou vias V 1 venant au contact de l'une des deux extrémités de la membrane reposant sur la région périphérique isolante, par exemple l'extrémité EX1. De mme, il est prévu plusieurs autres plots de contact électrique V2 venant en contact de l'autre extrémité de la membrane EX2

reposant sur la région périphérique isolante STI. Bien qu'il suffirait d'équiper chacune des deux extrémités EX1 et EX2 de la membrane d'un seul via, il est préférable de prévoir plusieurs vias sur chacune des deux extrémités. Ceci permet notamment de diminuer la résistance électrique de 1'ensemble des vias et d'obtenir une meilleure homogénéité des lignes de courant dans la membrane.

Chacun des vias VI, V2 vient également en contact avec une piste métallique PI, P2 du premier niveau de métallisation du circuit intégré. Ces vias et pistes métalliques permettront la connexion électrique du transducteur. Enfin, de façon classique, il est prévu un premier niveau de matériau isolant PHD, isolant la surface supérieure du substrat SB du premier niveau de métallisation. Ce matériau isolant est par exemple classiquement un oxyde de silicium dopé obtenu à partir de tétraorthosilicate d'éthyle (TEOS). Les pistes métalliques de chaque niveau de métallisation sont par ailleurs classiquement enrobées d'un autre matériau isolant IMD, par exemple de l'oxyde TEOS, mais non dopé.

En fonctionnement, un courant I modulé circule dans la membrane. Le champ magnétique B généré par l'aimant, perpendiculairement aux lignes de courant I, va provoquer l'apparition d'une force de Lorenz perpendiculaire à la membrane qui va déformer celle-ci de façon plus ou moins importante en fonction de l'amplitude du courant, provoquant ainsi l'émission d'un son (ou ultrason).

Les figures 7 et 8 illustrent très schématiquement un transducteur acoustique incorporé dans un récepteur acoustique. La figure 8 est une coupe selon la ligne VIII-VIII de la figure 7.

Par rapport au transducteur illustré sur les figures 5 et 6, la membrane MB du transducteur des figures 7 et 8 forme une première armature d'un condensateur. La zone dopée ZSB 1 du substrat semiconducteur, disposée en vis-à-vis de la membrane, forme alors une deuxième armature du condensateur. La cavité CV séparant les deux armatures contient une couche de diélectrique gazeux, par exemple de l'air ou de l'azote.

Le substrat SB, par exemple un substrat de type P, comporte un caisson CS, dopé N, au sein d'une première partie duquel est réalisée la zone de substrat dopée ZSB 1. Par ailleurs, ce caisson CS comporte une

autre partie ZSB2, également dopée, isolée de la membrane, et au contact de laquelle est réalisé le via V2.

Le courant circulant dans le condensateur pénètre ainsi par exemple par le via V 1, circule dans la membrane et ressort par le via V2 par l'intermédiaire du caisson CS et des zones ZSB 1 et ZSB2.

Le reste de la structure est identique à celle qui a été décrite en référence aux figures 5 et 6, la référence LM désignant sur la figure 7, tout comme sur la figure 5, la limite interne des couches de matériaux isolants PHD et IMD.

On va maintenant décrire en se référant plus particulièrement aux figures 9a à 9d, les principales étapes d'un procédé de fabrication permettant l'obtention d'un transducteur selon l'invention.

Comme le montre la figure 9a, on définit au préalable dans le substrat SB la zone active ZA au sein de laquelle va tre réalisé le transducteur, en la délimitant, de façon classique, par des tranchées isolantes STI. On dépose ensuite, par épitaxie sélective, une couche d'un premier matériau, par exemple une couche de germanium ou bien d'un alliage de silicium-germanium. A titre indicatif, on pourra utiliser comme alliage un alliage SiGe avec 0<x<l, ou bien un alliage Sil x yGexCy avec 0<x<0, 95 et 0<y<0, 05.

On pourra utiliser de préférence un alliage SiGe à teneur élevée en germanium, et en particulier comportant 10 à 30% en poids de germanium.

L'épitaxie est réalisée de façon classique et elle est sélective en ce sens que le matériau 1 ne croît que sur le silicium de la région active ZA.

On dépose ensuite, par épitaxie non sélective, et de façon classique et connue en soi, une couche d'un deuxième matériau 2, par exemple du silicium.

Les conditions de réalisation des épitaxies sélectives et non sélectives sont bien connues de l'homme du métier.

On définit également un masque de résine photorésistif 3 destiné notamment à définir la géométrie et les dimensions de la mambrane, puis l'on procède à des gravures anisotropes successives pour éliminer successivement, comme illustré sur la figure 9b, une partie de la couche de silicium 2, puis une partie de la couche du matériau 1, et enfin une partie

du substrat ZA.

Après retrait du masque de résine, on obtient, comme illustré sur la figure 9b, un empilement central comportant au sommet, la partie résiduelle 20 de la couche de silicium qui formera la future membrane. Il convient de noter ici que cette portion résiduelle 20 de la couche de silicium repose sur ses deux extrémités longitudinales (non représentées sur la figure 9b) sur la région périphérique isolante STI.

L'empilement central comporte sous la portion résiduelle 20 une portion résiduelle 10 du matériau 1.

Les tranchées TR, ménagées de part et d'autre de 1'empilement jusque dans le substrat SB, laissent ainsi apparaître sur les deux côtés latéraux opposés de 1'empilement, les flancs de la partie résiduelle 10 de la couche du matériau 1.

On élimine sélectivement latéralement la portion résiduelle 10, de façon à former la cavité CV (figure 9c). On peut effectuer cette gravure sélective latérale selon l'une des techniques bien connues de l'homme du métier, telle que la gravure par plasma isotrope, ou bien l'attaque au moyen d'une solution chimique oxydante, par exemple une solution de 40 ml de HNO3 50%, de 20 ml de H202 et de 5 ml de HF 0,5%.

On peut également, bien que cela ne soit pas absolument nécessaire, former sur les parois intérieures de la cavité CV de minces couches de matériau diélectrique 4, par exemple Si02, de façon à servir de barrière de protection.

On procède ensuite à une implantation de dopants dans la membrane 20 (figure 9d), ce qui conduit à la pénétration de dopants dans la zone de substrat située en vis-à-vis de la membrane de façon à former la zone de substrat dopée ZSB 1.

En variante, il aurait été possible de réaliser un dopage in situ de la membrane lors de l'épitaxie de la couche 2.

On ferme ensuite la cavité CV en réalisant dans le fond des tranchées TR des régions isolantes (par exemple en Si02) ou espaceurs ESP.

Bien entendu, dans le cas où le transducteur est destiné à tre utilisé dans un récepteur, on procède également à une implantation dans le caisson de façon à former notamment la zone ZSB2.

Les étapes ultérieures de fabrication du transducteur, comme notamment la réalisation des vias ainsi que la réalisation des matériaux diélectriques PHD et IMD, sont réalisées de façon classique.

La membrane a par exemple une épaisseur qui varie de 5 à 100 nm, de préférence de 10 à 20 nm. La surface de la membrane est par exemple de l'ordre de 100x100, um. La fréquence de résonance pour ces dimensions est de l'ordre de 30 MHz pour la membrane et de 1 MHz pour la cavité (vitesse de l'onde sonore de l'ordre de 1 cm/s pour un vide de 0,01 Torr et pour une hauteur de cavité de 10 nm). Un tel transducteur acoustique peut ainsi fonctionner dans une plage de fréquences comprise entre 1 MHz et 30 MHz.

Il est par ailleurs particulièrement avantageux de prévoir une matrice MC comportant un nombre relativement important de transducteurs ultrasonores, puisque la puissance acoustique est proportionnelle à la surface totale des capteurs.

Par ailleurs, alors que l'on n'a représenté qu'un seul transducteur par région active ZA, il aurait été possible de réaliser plusieurs transducteurs dans chaque région active ZA en isolant mutuellement un transducteur d'un autre par des tranchées réalisées dans le substrat et au fond desquelles on aurait réalisé un dopage opposé au dopage de la zone de substrat du transducteur située sous la membrane.

La figure 10 illustre un montage électrique d'un émetteur acoustique selon l'invention. La logique de commande comporte par exemple un modulateur MDM, de structure classique, destiné à moduler en amplitude un courant I. La modulation est commandée par un processeur de contrôle PC. La sortie du modulateur est reliée à l'une des bornes de la membrane MB, tandis que l'autre borne de la membrane MB est reliée à la masse. Sous l'action conjuguée des lignes de courant modulées et du champ magnétique B, la membrane MB se déforme perpendiculairement à son plan sous l'action de la force de Lorenz, générant par conséquent des ultrasons qui vont se propager dans l'air en sortant par l'ouverture OUV du boîtier.

Le montage électrique illustré sur la figure 11 est un exemple destiné à tre implémenté dans un récepteur acoustique.

L'une des bornes du condensateur du transducteur, par exemple

la borne reliée à la membrane, est connectée à une source de tension STV.

L'autre électrode du condensateur, en l'espèce le substrat, est reliée à la grille d'un transistor J FET. La valeur capacitive du condensateur sera modulée par la déformation mécanique de la membrane engendrée par une variation de pression résultant du son se propageant à l'air libre et venant frapper la membrane. Les transferts de charge entre le condensateur C et la grille du transistor J FET induisent alors une variation de courant drain transformée en tension par une résistance. Cette tension peut tre ensuite analysée, après conversion analogique-numérique, par un processeur de traitement du signal.

D'autres moyens de détection des variations de la valeur capacitive du condensateur sont possibles. On peut notamment utiliser un oscillateur ou circuit oscillant inductif-capacitif, dont le condensateur serait formé par le condensateur du transducteur. Les variations de fréquence de l'oscillateur seront représentatives des variations de la valeur capacitive du condensateur du transducteur, et par conséquent des informations ultrasonores reçues.

REVENDICATIONS 1. Transducteur acoustique semiconducteur intégré, comprenant une membrane semiconductrice déformable (MB), destinée à tre parcourue par un courant électrique, et séparée d'une zone d'un substrat semiconducteur par une cavité (CV) autorisant des déformations de la membrane sous l'effet d'une pression acoustique ou d'une force de Lorenz.

2. Transducteur selon la revendication 1, caractérisé par le fait que la membrane (MB) est formée de silicium dopé, par le fait que le substrat est en silicium, et par le fait que la hauteur de la cavité (CV) est de l'ordre d'une dizaine de nanométres, tandis que la longueur de la membrane est de l'ordre de la centaine de micromètres.

3. Transducteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé par le fait qu'il comprend un condensateur comportant une première armature formée par la membrane semiconductrice (MB) destinée à tre parcourue par un courant électrique et déformable sous l'effet d'une pression acoustique, une deuxième armature formée par une zone dopée du substrat semiconducteur (ZSB1) disposée en vis-à-vis de la membrane, et par le fait que la cavité (CV) séparant les deux armatures contient une couche de diélectrique gazeux.

4. Transducteur selon la revendication 3, caractérisé par le fait que la membrane (MB) repose à deux de ses extrémités (EX 1, EX2) sur une région isolante (STI), par le fait que le substrat comporte un caisson (CS) au sein d'une première partie duquel est formée ladite zone dopée de substrat (ZSB1), et par le fait qu'il comporte plusieurs plots de contact électrique (V1) venant au contact de l'une desdites deux extrémités de la membrane, et plusieurs autres plots de contact électrique (V2) venant au contact d'une deuxième partie (ZSB2) du caisson.

5. Transducteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé par le fait que la membrane semi-conductrice (MB) destinée à tre parcourue par un courant électrique modulé est déformable sous 1'effet de la force de Lorenz engendrée par un champ magnétique (B) s'étendant dans le plan de la membrane et perpendiculairement aux lignes de courant (I).

6. Transducteur selon la revendication 5, caractérisé par le fait que la membrane (MB) repose à deux de ses extrémités (EX 1, EX2) sur une

région isolante (STI), et par le fait qu'il comporte plusieurs plots de contact électrique (V1, V2) respectivement disposés au niveau de chacune desdites deux extrémités.

7. Récepteur acoustique, caractérisé par le fait qu'il comprend un substrat semiconducteur (SB) contenant au moins un transducteur selon la revendication 3 ou 4, des moyens de génération de courant (STV) aptes à générer le courant dans la membrane du transducteur, et des moyens de détection (TR) connectés au condensateur (C) et aptes à détecter les variations de la valeur capacitive du condensateur provoquées par les déformations de la membrane.

8. Récepteur selon la revendication 7, caractérisé par le fait que le substrat contient plusieurs transducteurs, et par le fait qu'il comporte un boîtier (BO) contenant le substrat et possédant une ouverture (OUV) ménagée en face des transducteurs.

9. Emetteur acoustique, caractérisé par le fait qu'il comprend un substrat semiconducteur (SB) contenant au moins un transducteur selon la revendication 5 ou 6, des moyens de génération de courant (MDM) aptes à générer un courant modulé dans la membrane, et des moyens (AI) de génération d'un champ magnétique aptes à générer ledit champ magnétique s'étendant dans le plan de la membrane perpendiculairement aux lignes de courant.

10. Emetteur selon la revendication 9, caractérisé par le fait que les moyens de génération du champ magnétique comportent un aimant en U (AI).

11. Emetteur selon la revendication 10, caractérisé par le fait que le substrat contient plusieurs transducteurs, et par le fait qu'il comporte un boîtier (BO) contenant le substrat et possédant une ouverture (OUV) ménagée en face des transducteurs, le substrat étant situé entre les deux branches du U de l'aimant.

12. Procédé de fabrication d'un transducteur acoustique semiconducteur intégré, comprenant une membrane semi-conductrice déformable séparée d'une zone d'un substrat semiconducteur par une cavité autorisant des déformations de la membrane, comportant les étapes suivantes : -ménager dans le substrat (SB) une région isolante (STI)

délimitant une région semiconductrice dite active, -déposer par épitaxie sélective sur la surface de ladite région active, une première couche (1) d'un premier matériau, -déposer par épitaxie non sélective, sur la première couche (1) et sur la région isolante (STI), une deuxième couche (2) d'un matériau semiconducteur, le premier matériau étant sélectivement éliminable par rapport au deuxième matériau, -graver localement la deuxième couche (2), la première couche (1) et une partie de la région active (ZA), de façon à former deux tranchées latérales (TR) laissant subsister un empilement central comportant une partie de la deuxième couche (20), une partie de la première couche (10) et une partie de la région active, et laissant apparaître ladite partie (10) de la première couche sur deux côtés latéraux opposés de 1'empilement, -éliminer sélectivement latéralement la partie (10) de ladite première couche de façon à former ladite cavité (CV) délimitée par la partie sous-jacente du substrat formant ladite zone du substrat et la partie restante (20) de ladite deuxième couche formant ladite membrane, -former des espaceurs latéraux (ESP) pour fermer la cavité sous la membrane.

13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé par le fait que ladite première couche (1) est formée de germanium ou d'un alliage de silicium-germanium et par le fait que la deuxième couche (2) est formée de silicium.

14. Procédé selon la revendication 12 ou 13, caractérisé par le fait qu'on dope ladite membrane (MB).

15. Procédé selon l'une des revendications 12 à 14, caractérisé par le fait qu'on dope ladite zone du substrat (ZSB 1) située en vis-à-vis de la membrane.

16. Procédé selon l'une des revendications 12 à 15, caractérisé par le fait qu'on effectue une oxydation des parois internes de la cavité (CV).