本発明の蛍光体の母体となるII-VI族化合� �半導体としては、II族およびVI族元素の化合� ��から構成されるII-VI族化合物半導体であれ� �特に制限されるものではなく、硫化亜鉛、� �化カドミウム、セレン化亜鉛、セレン化カ� �ミウムなど何れのものを使用しても構わな� �。これらは、単独で使用しても構わないし� �複合化しても構わない。II-VI族化合物半導体 を構成する結晶構造としては特に制限される ものではなく、六方晶、立方晶の単独体、お よびこれらの混成体である結晶多形体混合物 であってもよい。

 II-VI族化合物半導体にイリジウムをドー� �ングする方法としては、II-VI族化合物半導体 、イリジウム化合物および必要に応じて硫黄 を混合して加熱焼成する方法が一般的である が、エネルギー効率を高めるために、断熱材 が使用された焼成炉を用いて焼成すると冷却 までに時間がかかり、その間に、均質性が失 われる傾向がある。すなわち、ドーピングし た後、長時間高温を保持すると、内部拡散し たイリジウム元素が蛍光体粒子表面にブリー ドし、蛍光体粒子内で不均質になることが多 い。

 したがって、本発明の蛍光体を製造する� ��は、II-VI族化合物半導体、イリジウム化合� �および必要に応じて硫黄を混合し、0.1GPa以� �の衝撃波を付与することによってイリジウ� �元素をドーピングする方法を採用するのが� �ましい。

 本発明の蛍光体を製造するのに衝撃波を� ��用する場合、衝撃によって発生する熱によ� ��欠落する硫黄分を補うため硫黄を添加する� ��とが好ましい。硫黄の添加量は特に限定さ� ��るものではなく、通常、II-VI族化合物半導� �100重量部に対して、0.1~300重量部が好ましく� ��1重量部~200重量部がより好ましい。

 衝撃波を使用する場合、衝撃圧力によっ� ��発生する熱により反応温度まで昇温される� ��常温までの冷却速度としては、反応器の大� ��さ、使用する加速度の程度により一律に規� ��することはできないが、通常、衝撃付与か� ��5分以下で冷却するのが好ましく、1分以下� �冷却するのがより好ましい。

 イリジウム化合物としては特に限定され� ��ものではなく、塩化イリジウム、臭化イリ� ��ウム、ヨウ化イリジウムなどのハロゲン化� ��、硫酸イリジウム、硝酸イリジウムなどの� ��リジウム元素を含む鉱酸塩、酢酸イリジウ� ��、酪酸イリジウム、安息香酸イリジウムな� ��の有機酸塩、イリジウムアセチルアセトネ� ��トなどの錯体を使用しても構わない。

 ドーピングされるイリジウム元素の量は� ��定されるものではないが、あまり多すぎる� ��、経済的ではない上に濃度消光を引き起こ� ��ことがあり、また、あまり少なすぎると、� ��い蛍光効率を引き出すに十分な発光中心と� ��らないので、得られる蛍光体中、5~10000ppmの 範囲とするのが好ましく、10~8000ppmの範囲と� �るのがより好ましい。

 本発明の蛍光体を製造する際、イリジウ� ��やその他の金属の導入を円滑に行なうこと� ��できる点で、衝撃付与時に、融剤を使用す� ��のが好ましい。このような融剤としては、� ��化アンモニウム、塩化ナトリウム、塩化カ� ��ウム、塩化バリウム、塩化マグネシウム、� ��化亜鉛などを例示することができる。これ� ��は、単独で使用しても、複数を混合して使� ��しても構わない。融剤の使用量としては、� ��に限定されるものではないが、蛍光体中へ� ��残存量、蛍光体粒径の成長制御を考慮して� ��II-VI族化合物半導体100重量部に対して、0.1~1 0重量部が好ましく、0.5~5重量部がより好まし い。

 本発明の蛍光体を製造する際、銅、マン� ��ン、銀、希土類元素などを、単独または複� ��混合してドーピングしてもよい。

 本発明の蛍光体は、蛍光体内部において� ��リジウム元素が均質化されて含有されてい� ��が、蛍光体内部におけるイリジウム元素含� ��量の、蛍光体表面に含まれるイリジウム元� ��含有量に対する変動比が±5%以内であるのが 好ましい。即ち、次の式を満たすことが好ま しい。

   -0.05≦[(蛍光体内部におけるIr含有量-蛍� �体表面に含ま
   れるIr含有量)/(蛍光体表面に含まれるIr� �有量)]≦0.05
 本発明において、衝撃付与後に得られた衝� ��付与物を洗浄する。洗浄によって、ドーピ� ��グされなかったイリジウム塩やその他の金� ��塩、さらには、添加した、余分の融剤を除� ��する。洗浄は、中性水や酸性水を使用する� ��とができる。酸性分としては、特に限定さ� ��るものではなく、塩酸、硫酸、硝酸、リン� ��などの鉱酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸な� ��の有機酸を使用することができる。これら� ��、単独で使用することもできるし、複数を� ��合して使用することもできる。

 II-VI族化合物半導体が、高濃度の酸性物� �接触すると分解する場合があるので、酸性� �を使用する場合、通常0.1~20重量%の水溶液を� ��用することが好ましく、より好ましくは1~10 重量%の水溶液を使用する。更に、II-VI族化合 物半導体の分解、表面へのイオン残留性を考 慮して、酢酸の使用が好ましい。洗浄したII- VI族化合物半導体は、真空、熱風などの方法� ��乾燥され、所望の蛍光体を得ることができ� ��。

 II-VI族化合物半導体にイリジウム元素が� �ーピングされたことは量子効率を測定する� �とによって確認することができる。量子効� �とは、入射光による励起によって放出され� �光子の数と物質に吸収された入射光の光子� �数との比であり、この数値が大きいほどド� �ピング効果が高いことを意味する。量子効� �は分光蛍光光度計によって測定することが� �きる。

 本発明において特に好ましい蛍光体の製� ��方法は、II-VI族化合物半導体及びイリジウ� �化合物を含む無機組成物を焼成する工程を� �むイリジウム含有蛍光体の製造方法であっ� �、イリジウム化合物としてイリジウム錯塩� �使用することを特徴とする製造方法である� �この製造方法について以下に詳しく説明す� �。

 原料として使用するII-VI族化合物半導体� �しては、特に制限されるものではなく、前� �したとおりである。

 イリジウム化合物としてイリジウムの錯� ��が用いられる。塩化イリジウムなどのハロ� ��ン化イリジウム塩など一般的に入手される� ��リジウム塩を用いた場合、水やアルコール� ��どの溶媒に溶解しにくく、大量の水を使用� ��なければならないことに加え、非常に凝集� ��やすいことから、II-VI族化合物半導体に均� �に分散させることができない。そのため、� �熱焼成時に、凝集し、加熱により熱還元さ� �て、II-VI族化合物半導体に導入することが難 しい。使用されるイリジウムの錯塩に制限は なく、イリジウムの価数にも特に制限はなく 、三価、四価のものを用いることができる。 例えば、ヘキサクロロイリジウム(III)酸アン� ��ニウム、ヘキサクロロイリジウム(III)酸ナ� �リウム、ヘキサクロロイリジウム(III)酸カリ ウム、ヘキサクロロイリジウム(IV)酸アンモ� �ウム、ヘキサクロロイリジウム(IV)酸ナトリ� ��ム、ヘキサクロロイリジウム(IV)酸カリウム 、ヘキサクロロイリジウム(IV)酸水素、ヘキ� �ブロモイリジウム(III)酸アンモニウム、ヘキ サブロモイリジウム(III)酸ナトリウム、ヘキ� ��ブロモイリジウム(III)酸カリウム、ヘキサ� �ロモイリジウム(IV)酸アンモニウム、ヘキサ� ��ロモイリジウム(IV)酸ナトリウム、ヘキサブ ロモイリジウム(IV)酸カリウム、ヘキサブロ� �イリジウム(IV)酸水素、ヘキサヨードイリジ� ��ム(III)酸アンモニウム、ヘキサヨードイリ� �ウム(III)酸ナトリウム、ヘキサヨードイリジ ウム(III)酸カリウム、ヘキサヨードイリジウ� ��(IV)酸アンモニウム、ヘキサヨードイリジウ ム(IV)酸ナトリウム、ヘキサヨードイリジウ� �(IV)酸カリウム、ヘキサヨードイリジウム(IV) 酸水素、ヘキサアンミンイリジウム(III)塩化� ��、ヘキサシアノイリジウム(III)酸カリウム� �ペンタアンミンクロロイリジウム(III)塩化物 などが挙げられる。入手性、安全性や、得ら れる硫化イリジウムに金属不純物を残存させ ないことを考慮し、これらのアンモニウム塩 を用いることが好ましい。すなわち、ヘキサ クロロイリジウム(III)酸アンモニウム、ヘキ� ��クロロイリジウム(IV)酸アンモニウムなどの ヘキサクロロイリジウム塩を使用することが 好ましい。

 これらのイリジウムの導入方法としても� ��に限定されるものではなく、一般的に、II-V I族化合物半導体と固体混合して、加熱焼成� �る方法、または、II-VI族化合物半導体を水に 分散し、イリジウム錯塩の粉末或いは水に溶 解したイリジウム錯塩を加え、攪拌しながら 、水を蒸発させて無機組成物を得、その無機 組成物を加熱焼成する方法、更には、II-VI族� ��合物半導体を生成するときにイリジウム錯� ��を共存させて生成させ、得られた組成物を� ��熱焼成する方法、などが用いられる。イリ� ��ウム錯塩の凝集を抑制し、II-VI族化合物半� �体に定着させるには、イリジウム錯塩を溶� �した状態で定着させる方法の使用が好まし� �。

 II-VI族化合物半導体を生成する方法とし� �は、II族金属塩、VI族化合物及びイリジウム� ��塩を水性媒質中で混合すればよく、特に限� ��されるものではないが、例えば、II族金属� �を含む水溶液及びVI族化合物を含む水性液の 少なくとも一方にイリジウム錯塩を存在させ 、これらII族金属塩を含む水溶液及びVI族化� �物を含む水性液を混合する方法が挙げられ� �。水性媒質としては、水の他、例えば、メ� �ノール、エタノール、エチレングリコール� �どのアルコール類、アセトンなどのケトン� �、ジオキサン、テトラヒドロフランなどの� �ーテル類、ジメチルスルホキシド類、スル� �ラン類、ジメチルホルムアミドなどのアミ� �類などの有機化合物を、溶解性を保持し水� �濃度で50重量%を超えない範囲で含むもので� �ってもよい。イリジウム錯塩は、II族金属塩 、VI族化合物及びイリジウム錯塩が最終的に� ��性媒質中で混合されるのであれば、II族金� �塩を含む水溶液またはVI族化合物を含む水性 液の少なくとも一方に存在させることでもよ い。VI族化合物として金属硫化物などの無機� ��合物を使用する場合はイリジウム錯塩をII� �金属塩を含む水溶液に存在させるのが好ま� �く、VI族化合物としてチオカルボニル化合物 などの有機化合物を使用する場合はイリジウ ム錯塩をVI族化合物を含む水性液に存在させ� ��のが好ましい。

 使用するVI族化合物の量としては、II族元 素量に対して、0.5~5モル倍、未反応II族金属� �残留は、用途を限定する為、通常、1.0~4モル 倍、より好ましくは1.1~2モル倍の範囲で使用� ��る。II-VI族化合物半導体を生成させる温度� �しては、0℃~200℃の範囲で実施することがで きるが、特殊な反応器が不要であることや、 安全性、操作性の観点から、0℃~120℃の範囲� ��実施することが好ましく、より好ましくは1 0℃~90℃の範囲で実施する。II族金属塩として は、カルシウム、マグネシウム、バリウム、 ストロンチウム、亜鉛、カドミウムなどの塩 が挙げられる。反応速度、反応後の安定性を 考慮して、亜鉛、カドミウムの使用が好まし い。使用される塩の種類としては、特に限定 されるものではないが、塩酸塩、硝酸塩、硫 酸塩などの鉱酸塩、酢酸塩、シュウ酸塩など の有機酸塩、アセチルアセトネートなどの有 機金属錯体などを挙げることができる。入手 性、水への溶解性、安定性を考慮して、塩酸 塩、硝酸塩、酢酸塩の使用が好ましい。VI族� ��合物としては、反応の安定性、VI族化合物� �安定性を考慮して、硫化ナトリウム、硫化� �リウムなどのアルカリ金属硫化物、チオア� �トアミド、チオ尿素などを使用することが� �きる。これらは単独で使用しても複数を混� �して使用しても構わない。

 イリジウム錯塩をII-VI族化合物半導体に� �着させるときの水の使用量は特に限定され� �ものではないが、通常、分散性を考慮して� �II-VI族化合物半導体のスラリー濃度として、 0.1~50重量%、より好ましくは、1~30重量%の範囲 で定着を行うことが好ましい。

 スラリーから水を除去する方法としては� ��特に限定されるものではないが、デカンテ� ��ションなどの方法を用いると、溶液中に溶� ��しているイリジウム錯塩をロスするため好� ��しくない。通常、スラリーから水を、減圧� ��たは加熱により留去する方法を使用する。

 II-VI族化合物半導体に導入されるイリジ� �ムの量としては、特に限定されるものでは� �いが、多すぎる導入は、その導入量に対し� �経済的ではなく、また、濃度消光を引き起� �すため好ましくなく、低すぎる濃度は、高� �蛍光効率を引き出すに十分な発光中心を持� �ないため好ましくない。したがって、通常� �II-VI族化合物半導体に対し、5~5000ppmの範囲、 より好ましくは、10~1000ppmの範囲で導入する� �とが好ましい。

 イリジウム含有無機組成物を焼成する温� ��としては、II-VI族化合物半導体の結晶形が� �化する温度以上、昇華する温度以下で実施� �る。即ち、500℃以上、1250℃以下、好ましく� ��、550℃以上、1000℃以下、より好ましくは、 600℃以上、800℃以下の温度で実施する。

 焼成温度までの昇温速度は特に限定され� ��ものではないが、通常、2.0℃/分以上40.0℃/� ��以下の速度で昇温する。早すぎる温度は、� ��体やII-VI族化合物半導体を入れる容器を破� �するため好ましくなく、遅すぎる速度では� �生産効率が著しく低下するため好ましくな� �。このような観点から、2.5℃/分以上、30.0℃ /分以下の速度で実施することが好ましい。

 焼成をおこなう雰囲気は特に限定される� ��のではなく、空気下、不活性ガス雰囲気下� ��還元性ガス雰囲気下何れのガス雰囲気の下� ��実施しても構わない。

 焼成時に結晶化の促進や粒径を大きくす� ��ために融剤を使用することができる。使用� ��きる融剤としては、前述したように、塩化� ��トリウム、塩化カリウムなどのアルカリ金� ��塩、塩化マグネシウム、塩化カルシウム、� ��化バリウムなどのアルカリ土類塩、塩化ア� ��モニウム、塩化亜鉛などを使用することが� ��き、これらの融剤は単独で使用しても、複� ��を混合して使用しても構わない。使用する� ��としては、特に限定されるものではなく、I I-VI族化合物半導体に対して、0.1~50重量%、操� ��性、経済性を考慮して、0.5~10重量%を使用す ることが好ましい。

 前述したように、他の金属を同時にドー� ��することもできる。同時にドープする方法� ��しては、特に制限されるものではなく、イ� ��ジウム錯塩と同時に水に溶解して混合し、� ��成することでドープすることもできるし、� ��リジウム錯塩を混合した後に、塩を固体混� ��し、焼成することでドープすることも可能� ��ある。ドープする元素としては、銀、銅、� ��ンガンなどの遷移金属の他に、セリウム、� ��ーロピウムなどの希土類元素やガリウムな� ��の金属元素をドープすることもできる。こ� ��らは、塩化物、臭化物などのハロゲン化物� ��硫酸、りん酸、硝酸などの鉱酸塩、酢酸、� ��ロピオン酸などの有機酸塩として混合する� ��とができ、単独または複数を混合して使用� ��ても構わない。

 II-VI族化合物半導体に導入される他の元� �の量としては、特に限定されるものではな� �が、多すぎる導入は、その導入量に対し、� �済的ではなく、また、濃度消光を引き起こ� �ため好ましくなく、低すぎる濃度は、高い� �光効率を引き出すに十分な発光中心を持た� �いため好ましくない。したがって、通常、II -VI族化合物半導体に対し、5~5000ppmの範囲、よ り好ましくは、10~1000ppmの範囲で導入するこ� �が好ましい。

 焼成時に欠落するVI族元素を補うためそ� �VI族元素単体を添加することができることは 前述したとおりであり、例えば、硫黄分を補 うため硫黄を添加することができる。

 本発明において、焼成終了後、焼成物を� ��浄する。洗浄によって、導入されなかった� ��リジウム塩、さらには、添加した、余分の� ��剤を除去する。洗浄は、中性水や酸性水を� ��用することが出来る。酸性分としては、特� ��限定されるものではなく、塩酸、硫酸、硝� ��、リン酸などの鉱酸、酢酸、プロピオン酸� ��酪酸などの有機酸を使用することができる� ��これらは、単独で使用することも出来るし� ��複数を混合して使用することもできる。II-V I族化合物半導体が、高濃度の酸性物と接触� �ると分解する場合があるので、酸性水を使� �する場合、通常0.1~20重量%の水溶液を使用す� ��ことが好ましく、より好ましくは1~10重量%� �水溶液を使用する。更に、II-VI族化合物半導 体の分解、表面へのイオン残留性を考慮して 、酢酸の使用が好ましい。

 本発明では、焼成した後、洗浄したII-VI� �化合物半導体を真空、熱風などの方法で乾� �し、所望の蛍光体を得ることが出来る。