本発明の電子部品実装用積層フィルム及� ��電子部品実装用フィルムキャリアテープは� ��厚さ15μm以下、25℃における伸び率が5%以上� ��あり、主として3μm以上の長径長さを有する 柱状の銅結晶粒子からなる電解銅箔を導体層 としている。かかる電解銅箔は、従来の低プ ロファイル電解銅箔と異なり、電解銅箔を形 成する銅粒子が非常に大きいが、このように 銅結晶粒子が大きな電解銅箔のM面はS面と同� ��またはS面よりも低い表面粗度(Rz)を有して� �るが、このようなM面を均質に粗化処理する� ��とによりポリイミド層との間に非常に高い� ��着性が発現し且つポリイミド層の透明度を� ��く維持することができる。

 このように絶縁フィルムであるポリイミ� ��層の光透過率を高くすることができる結果� ��例えば、この電子部品実装用フィルムキャ� ��アテープのポリイミド層面側から光を照射� ��て、このポリイミド層を透過した後、半導� ��チップに反射して戻ってくる光をフィルム� ��ャリアテープのポリイミド層面側に配置し� ��検知装置で検知して、こうして検知された� ��像をパターン認識することにより、本発明� ��フィルムキャリアテープへの半導体チップ� ��実装の位置決めを高い精度で行うことがで� ��る。従って、本発明の電子部品実装用フィ� ��ムキャリアテープには特別な位置決め手段� ��形成しなくとも、形成された配線パターン� ��体を用いて正確に半導体チップの位置決め� ��行うことができ、より高い精度で電子部品� ��実装することが可能になる。

 また、本発明では、電解銅箔のM面に実質 的に無色透明なポリイミド層を設けて電子実 装用積層フィルムとすることにより、実質的 に無色透明なポリイミド層を有するものとな るので、CCDなどの撮像素子を直接実装しても 、ポリイミド層を介しての撮像が可能なもの となる。

 なお、電解銅箔上にポリイミド層を設け� ��方法としては、ポリイミドフィルムを直接� ��圧着したり、ポリイミドフィルムを熱可塑� ��樹脂や熱硬化性樹脂などの接着層を介して� ��圧着したりして積層フィルムとしてもよい� ��、好ましくは電解銅箔の表面にポリイミド� ��駆体からなる層を形成し、この電解銅箔の� ��面でポリイミドの閉環反応を行ってポリイ� ��ド層を積層するのがよい。又は電解銅箔の� ��面にポリイミド溶液キャスティングする方� ��によってポリイミド層を設けてもよい。こ� ��らの方法によると、電解銅箔とポリイミド� ��との間に非常に高い密着性が発現し且つポ� ��イミド層の高い透明性が維持される。

 また、非着色性が高く実質的に透明なポ� ��イミドとしては、特開平5-301958号公報、特� �平9-328545号公報、特開2006-199945号公報などに� ��載されているものを用いることができる。

 本発明は、また、このような銅の粒子径の� ��きい電解銅箔を用いることにより、配線ピ� ��チ幅が40μmを下回るような非常にファイン� �ッチの配線パターンを形成することができ� �と共に、このようにして形成された導体層� �体が、非常に高い引張り強度および伸び率� �有している。しかもこのような電解銅箔の� �面を均質に粗化処理し、この粗化処理した� �解銅箔の表面に、例えば、ポリイミド前駆� �からなる層を形成してこの電解銅箔の表面� �ポリイミドの閉環反応を行ってポリイミド� �を積層することにより、この電解銅箔とポ� �イミド層との間に非常に高い密着性が発現� �る。このような電解銅箔とポリイミド層と� �らなる基材フィルムを用いて電解銅箔を選� �的にエッチングして形成された配線は、そ� �配線自体の機械的強度および伸び率が高く� �しかもポリイミド層との密着強度も高い。� �って、配線ピッチ幅が40μmを下回るような非 常にファインピッチのフレキシブルプリント 配線基板を形成しても、このフレキシブルプ リント配線基板に形成されている配線自体の 機械的強度が高く、このフレキシブルプリン ト配線基板を折り曲げて使用するなど非常に 過酷な条件下で使用したとしても、折り曲げ 部などで配線パターンがポリイミド層から剥 離することがなく、さらに、配線パターンが 破断することがない。具体的には、上記のよ うな電解銅箔で形成された配線パターンを有 するフレキシブルプリント配線について屈曲 半径0.8mm、屈曲角度±135度、屈曲速度175rpm、� �加荷重100gf/10mm ^w の条件で25℃で測定した、少なくとも一部の� ��線パターンが断線に至るまでの耐折性が100� ��以上であり、非常に高い耐折性を有してい� ��。

 以下、本発明の一実施形態に係る電子部� ��実装用積層フィルム及び電子部品実装用フ� ��ルムキャリアテープを実施例に基づいて説� ��する。

 図1には、一実施形態に係る電子部品実装 用フィルムキャリアテープを、図2にはその� �子部品実装用積層フィルムを示す。図1(a)、( b)に示す本実施形態のCOFフィルムキャリアテ� ��プ20は、図2に示すように、電解銅箔からな� ��導体層11とポリイミド層からなる絶縁層12と を具備する電子部品実装用積層フィルム10を� ��いて製造されたものである。なお、図3は塗 布法による電子部品実装用積層フィルム10の� ��造方法の一例を示すものである。

 図2に示す電子部品実装用積層フィルム10� ��、詳細は後述する所定の電解銅箔からなる� ��体層11上に(図3(a))、所定の無色透明ポリイ� �ド層を形成するためのポリイミド前駆体や� �ニスを含むポリイミド前駆体樹脂組成物を� �布して塗布層12aを形成し(図3(b))、溶剤を乾� �させて巻き取る。次に、酸素をパージした� �ュア炉内で熱処理し、イミド化してポリイ� �ド層からなる絶縁層12としたものである(図3( c))。

 一方、図1に示す電子部品実装用フィルム キャリアテープ20は、積層フィルムを用いて� ��造されたCOFフィルムキャリアテープであり� ��導体層11をパターニングした配線パターン21 と、配線パターン21の幅方向両側に設けられ� ��スプロケットホール22とを有する。また、� �線パターン21は、それぞれ、実装される電子 部品の大きさにほぼ対応した大きさで、絶縁 層12の表面に連続的に設けられている。さら� ��、配線パターン21上には、ソルダーレジス� �材料塗布溶液をスクリーン印刷法にて塗布� �て形成したソルダーレジスト層23を有する。 なお、配線パターン21の少なくともインナー� ��ード21aに対応する領域には、電子部品の金� ��ンプと金-錫共晶接合又は金-金熱圧着層接� �できるメッキ層、例えば、錫メッキ、錫合� �メッキ、金メッキ、金合金メッキ、あるい� �これに代わるメッキ層などが形成されてい� �。

 このようにして製造された電子部品実装� ��フィルムキャリアテープ20は、例えば、搬� �されながらICチップやプリント基板などの電 子部品の実装工程に用いられ、COF実装される 。

 図4は、電子部品として、CCDからなる撮像 素子を実装した半導体装置30の断面を示した� ��のである。かかる半導体装置30は、撮像素� �40の金バンプ41とインナーリード21aとを密着� ��せて配置し、絶縁層12の裏面に加熱ツール� �密着させて所定の温度で加熱しつつ所定の� �力を印加することにより、撮像素子40の金バ ンプ41とインナーリード21aとを接合したもの� ��ある。

 ここで、本発明で使用する電解銅箔は、� ��来の銅結晶粒子が小さい低プロファイル電� ��銅箔とは異なり、粒子径の大きい柱状の銅� ��晶粒子が多数形成されており、しかもこの� ��状の銅結晶粒子の中には3μm以上、好ましく は6μm以上の長径を有する銅結晶粒子が多数� �在するものである。

 図5は、上記の電解銅箔を使用して形成さ れたインナーリード(ポリイミド層は溶解除� �してある)の断面を銅結晶粒子が結晶ごとに� ��確になるように区分けして撮影した電子顕� ��鏡写真およびそのトレース図である。

 この図5に示すように、本発明で使用する電 解銅箔の厚さはT ₀ であり、この電解銅箔中には長径がD ₁ ,D ₂ ,D ₄ ,D ₅ ,D ₆ ,D ₇ ,D ₈ ,D ₉ で表される柱状の銅結晶粒子が多数存在して いる。この柱状の銅結晶粒子の長径D ₁ ,D ₂ ,D ₄ ,D ₅ ,D ₆ ,D ₇ ,D ₈ ,D ₉ は、電解銅箔の厚さT ₀ と同等かT ₀ よりも明らかに長く、従って本発明のフレキ シブルプリント配線基板を形成する配線パタ ーン中には、配線パターンの厚さよりも長い 長径を有する柱状の銅結晶粒子が多数含有さ れている。

 本発明の電子部品実装用フィルムキャリア� ��ープ20の配線パターン21には、この電解銅箔 の厚さ(=配線パターンの厚さ)T ₀ と同等かT ₀ よりも長い長径を有する柱状の結晶粒子が配 線パターン21の断面中に面積比率で通常は50%� ��上含有されており、さらに75%以上含有され� ��いることが好ましい。

 従って、本発明で使用する電解銅箔中に� ��長径が3μmに満たない銅結晶粒子が断面比率 で50%以下の量、好ましくは25%以下の量で含有 されており、これらの長径が3μmに満たない� �結晶粒子は、通常は長径が3μm以上である柱� ��の銅結晶粒子の間隙を埋めるように存在し� ��いる。

 本発明で使用する電解銅箔は、上記のよ� ��に、長径が3μm以上の柱状の銅結晶粒子を高 い比率で含有するものであり、このような大 きい柱状の銅結晶粒子を高い比率で含有する ことにより、この電解銅箔のM面の表面粗さ(R z)は、非常に低く、通常は0.8μm以下、好まし� ��は0.1~0.6μmの範囲内にある。しかもこの電解 銅箔のM面は非常に平滑であり、この電解銅� �の流れ方向(MD方向)に沿って、この電解銅箔� ��表面に入射角60°で測定光を照射し、反射角 60°で跳ね返った光の強度を測定して光沢度� �Ga(60°)〕を測定すると、この電解銅箔の光沢 度は600~780の値を示す。この電解銅箔のM面(析 出面)の光沢度〔Ga(60°)〕の値は、電解銅箔の S面(電解銅箔を製造する際に用いるドラム型� ��極の表面に接触している面)よりも高い値を 示すことも多く、非常に高い平滑性を示す。

 本発明で使用する電解銅箔が長径の柱状粒� ��を高い比率で含有するから、結合力の低い� ��子界面が少なくなり、この電解銅箔は、高� ��引張強度を有している。本発明で使用する� ��解銅箔について、25℃で測定した引張強度� �通常は33kgf/mm ² 以上、好ましくは35~40kgf/mm ² である。さらに180℃で60分間加熱した後に測� ��した引張強度は通常は30kgf/mm ² 以上であり、好ましくは33~40kgf/mm ² である。すなわち、本発明で使用する電解銅 箔は、上述のように主として3μm以上の長径� �有する柱状の銅結晶粒子からなるので、非� �に高い引張強度を有する。

 また、この電解銅箔の25℃における伸び� �は5%以上、好ましくは10~15%であり、さらに180 ℃で60分間加熱した後の伸び率も通常は8%以� �、好ましくは10~15%である。すなわち、上述� �ように本発明で使用される電解銅箔を構成� �る銅結晶粒子は、長径が3μm以上である柱状� ��結晶粒径および形態を有しているので、常� ��において非常に高い伸び率が発現すると共� ��、高温に加熱した後の伸び率も非常に高い� ��を示す。

 このように本発明で使用する電解銅箔が� ��非常に高い伸び率および引張強度を有する� ��は、この電解銅箔を形成する銅の結晶粒子� ��柱状結晶であり、しかもその大部分が長径� ��3μm以上の大型の柱状結晶であるからである 。

 上記のように本発明で使用する電解銅箔� ��形成する銅の粒子の形状が大型の柱状結晶� ��あることから、引張強度および伸び率が高� ��なるので、この電解銅箔を用いて形成され� ��配線パターンは、フレキシブルプリント配� ��基板を折り曲げて使用しても、折り曲げ部� ��等に形成された配線パターンがポリイミド� ��から剥離することがなく、また折り曲げ部� ��等で配線パターンが断線することがない。

 上記のような本発明で使用する電解銅箔は� ��例えば、ジアリルジメチルアンモニウムク� ��ライドのような環状構造を有する4級アンモ ニウム塩ポリマーと、3-メルカプト-1-プロパ� ��スルホン酸などの有機スルホン酸と、塩素� ��オンとを有する硫酸系銅電解液から銅を析� ��させることにより製造することができる。� ��お、この場合の環状構造を有する4級アンモ ニウム塩ポリマーの濃度は通常は1~50ppmの範� �内にあり、有機スルホン酸の濃度は通常は3~ 50ppmの範囲内にあり、塩素イオンの濃度は通� ��は5~50ppmの範囲内にある。また、この硫酸系 銅電解液の銅濃度は通常は50~120g/リットルの� ��囲内にあり、フリー硫酸濃度は、通常は60~2 50g/リットルの範囲内にある。このような硫� �系銅電解液の液温を20~60℃の範囲内、電流密 度を通常は30~90A/dm ² の範囲内に設定して、銅を析出させることに より本発明で使用する電解銅箔を製造するこ とができる。上記のような組成を有する硫酸 系銅電解液を用いて上記のような条件で銅を 析出させると、析出銅の大部分が3μm以上の� �径を有する柱状の銅結晶粒子となり、しか� �析出終了面(析出面=M面)の表面が非常に平滑� ��なる。

 これに対して従来の低プロファイル電解� ��箔は、銅を析出させる際に使用する銅電解� ��中に、銅と錯体を形成する添加剤を加えて� ��銅の析出粒子をできるだけ小さくして、製� ��される電解銅箔の表面を平滑にしているの� ��あり、低プロファイル電解銅箔中には粒子� ��が小さいために銅結晶粒子の界面が多数存� ��することになるので、得られる銅箔の引張� ��度、伸び率などが本発明で使用する電解銅� ��のように高くはなりにくい。また、銅箔の� ��面も非常に微細な粒子からなるために、銅� ��表面の表面粗さは低くなるけれども光沢度� ��Ga(60°)〕は通常は600未満の値を示し、光沢� �〔Ga(60°)〕が600を超えることは通常はない。

 本発明では、上記のような電解銅箔とポ� ��イミド層との積層体である基材フィルムを� ��いてフレキシブルプリント配線基板を製造� ��るが、この積層の際には上記電解銅箔の表� ��にポリイミド層を形成する。本発明で使用� ��る電解銅箔は、上述のようにM面の平滑性を S面と同等またはそれ以上に高くすることが� �きることから、電解銅箔のM面あるいはS面の いずれの面にポリイミド層を形成しても良い が、通常はM面の表面にポリイミド層を形成� �る。電解銅箔のM面にポリイミド層を形成す� ��場合、電解銅箔を表面処理した後にポリイ� ��ド層を形成することが好ましい。ここで表� ��処理の例としては、電解銅箔の例えばM面に 、銅微細粒子を析出付着させる所謂やけメッ キ処理および付着した銅微細粒子を固定する かぶせメッキ処理からなる粗化処理、防錆処 理、並びに、カップリング剤処理などを挙げ ることができる。

 このうち粗化処理は、やけメッキ処理とか� ��せメッキ処理とからなり、やけメッキ処理� ��、銅濃度が5~20g/リットル程度、フリー硫酸� ��度が50~200g/リットル程度の銅濃度の低いメ� �キ液を用い、添加剤として例えばα-ナフト� �ノン、デキストリン、膠、チオ尿素などを� �いて、通常は、液温15~40℃、電流密度10~50A/dm ² の条件で電解銅箔のM面に銅の微細粒子を付� �させる処理である。また、かぶせメッキ処� �は、上記のようにして付着した銅の微細粒� �を電解銅箔のM面に固定する処理であり、通� ��は銅濃度50~80g/リットル程度、フリー硫酸濃 度50~150g/リットル程度の銅メッキ液を用いて� ��液温40~50℃、電流密度10~50A/dm ² の条件で銅の微細粒子が付着した電解銅箔の 析出面を銅メッキ層で覆う処理である。

 上記のように表面処理を行って上記電解� ��箔の析出面の表面粗度(Rz)を5μm以下、好ま� �くは0.1~3μmの範囲内、さらに好ましくは0.1~2� �mの範囲内に調整する。このように表面処理� ��行うことにより、電解銅箔とポリイミド層� ��の密着性が高くなる。特に本発明の電子部� ��実装用フィルムキャリアテープを、フラッ� ��ディスプレイパネルを駆動させる電子部品� ��実装に使用する場合には、本発明のフィル� ��キャリアテープを折り曲げて使用する必要� ��あり、上記のように粗化処理をすることに� ��り、形成された配線がポリイミド層から剥� ��することがなくなり、折り曲げ部分や接続� ��子付近で配線が破断するのを防止すること� ��できる。しかも上記のようにして均質に粗� ��処理を行うことにより、エッチング処理に� ��り露出したポリイミド層の表面に銅が残留� ��ることもない。

 一方、ポリイミド層からなる絶縁層12は� �上述したように、好適には、電解銅箔の析� �面の表面に、ポリイミド前駆体を塗布して� �このポリイミド前駆体を電解銅箔と共に加� �することにより、ポリイミド前駆体を電解� �箔表面で閉環して形成したものであるが、� �めフィルム状にしたポリイミドフィルムを� �解銅箔と積層することもできる。

 本発明において、ポリイミド層からなる� ��縁層12の厚さは、通常は12.5~75μm、好ましく� ��20~75μm、特に好ましくは20~50μmの範囲内にあ る。本来ポリイミド樹脂は光透過性の高い樹 脂ではないが、上記のような厚さでポリイミ ド層を形成することにより、ポリイミド層の 光線透過率が67%を超え95%の範囲内になるので 、ICチップや撮像素子等の電子部品の実装前� ��、本発明のフィルムキャリアテープのポリ� ��ミド面側から光を照射すると、配線の形成� ��れていない部分を照射光が透過し、配線パ� ��ーンの形成されている部分は照射光が透過� ��ず、このフィルムキャリアテープを透過す� ��透過光線をCCDカメラ等の検知装置で認識し� ��配線パターンの位置と搭載しようとする半� ��体チップの位置などを認識することができ� ��位置決め精度が著しく向上して、フィルム� ��ャリアテープの端子と撮像素子等の電子部� ��の電極とを正確に一括ボンディングするこ� ��ができる。

 このようにしてフィルムキャリアテープ� ��ポリイミド面側からCCDカメラ等の検知装置� ��用いてパターン認識をする場合には、ポリ� ��ミド層の光線透過率が、67%を超え95%以下、� ��ましくは70~90%の範囲内になるようにポリイ� ��ド層の厚さを調整することが望ましい。

 また、このような光線透過率を有すると� ��に実質的に無色のポリイミド層を用いるこ� ��により、上述したように、実際に電子部品� ��して撮像素子40を受光面が絶縁層12に相対向 するように実装し、絶縁層12を介して撮像す� ��ようにすることができる。

 通常のポリイミド層からなる絶縁層は、� ��ばみを表すYI値が70~130%であるが、上記のよ� ��に撮像素子40を実装する場合のポリイミド� �からなる絶縁層12は、黄ばみを表すYI値が15%� ��下とするのが好ましく、さらに10%以下とす� ��のが好ましい。なお、多少の色相であれば� ��撮像素子40の受光面側にカラーフィルター� �どを設けることにより、キャンセルするこ� �もできる。また、撮像素子以外の受光素子� �外に、発光素子を実装することもできる。