以下、本発明の実施形態を、ガラス基板� ��のレーザ加工装置を例にして、図面に基づ� ��て説明する。ここではガラス基板を二方向( x方向およびy方向)にクロスカットする場合の 例について説明する。

 最初に本発明のレーザ加工を実行する際に� ��いるレーザ加工装置の構成について説明す� ��。
 図1は本発明の一実施形態であるレーザ加工 装置LM1の全体構成図である。レーザ加工装置 LM1は、主に、レーザ光源10、レーザ走査光学� ��20、テーブル40、基板誘導機構50、トリガ機� ��60から構成される。

(レーザ光源)
 レーザ光源10には、CO ₂ レーザが用いられる。CO ₂ レーザの代わりにCOレーザ、エキシマレーザ� ��用いてもよい。レーザ光源10からは断面形� �が円形のレーザビーム(元ビームL0)が出射さ� ��る。

(レーザ走査光学系)
 レーザ走査光学系20は、大別すると、レー� �ビームの断面形状を調整するビーム整形部21 、レーザビームのビーム径を拡大して出射す るビーム断面拡大部24、レーザビームを基板� ��導いて基板G上にレーザスポットBSを形成す� ��レーザ光学系およびこのレーザ光学系をテ� ��ブル面(XY方向)に沿って移動する移動機構に よりビームスポットBSを走査する走査機構部2 2、ビーム整形部21およびビーム断面拡大部24� ��いずれかから出射したレーザビームを走査� ��構部22に導く光路調整部23と、レーザビーム (元ビーム)の光路をビーム整形部21とビーム� �面拡大部24との間で切り替えるビーム断面切 替機構29とからなる。なお、テーブル面のう� ��X方向を走査軸方向(スクライブを行う方向)� ��Y方向を送り軸方向とする。

 ビーム整形部21について説明する。ビー� �整形部21は、レーザ光源10から出射された元� ��ームを、断面形状が楕円形である平行ビー� ��に整形するとともに、平行ビームの長軸径� ��短軸径を調整するための複数の光学素子か� ��なる。

 図2(a)は楕円形の平行ビームを出射するビー ム整形部21の構成例を示す図である。このビ� ��ム整形部21は、第一放物面鏡(凹面)M1、第二� ��物面鏡(凸面)M2、第三放物面鏡M3(凸面)、第� �放物面鏡M4(凹面)の4つの光学素子からなる。 このうち第一放物面鏡(凹面)M1と第二放物面� �(凸面)M2とは、互いの焦点を一致させて、共� ��点F ₁₂ となるように配置してある。また、第三放物 面鏡(凸面)M3と第四放物面鏡(凹面)M4とについ� ��も互いの焦点が一致し、共焦点F ₃₄ となるように配置してある。

 そして、第一放物面鏡(凹面)M1から第二放 物面鏡(凸面)M2へ向かうレーザビームの進行� �向がXY面方向となり、第二放物面鏡M2で反射� ��たレーザビームは第三放物面鏡M3へ向けら� �、第三放物面鏡(凸面)M3から第四放物面鏡(凹 面)M4へ向かうレーザビームの進行方向がXZ面� ��なるように、これら4つの放物面鏡が立体的 に配置される。

 このような配置により、第一放物面鏡M1は� �X方向に進行する円形断面の元ビームL0(図2(b) 参照)を、XY面方向に反射する。そのときZ方� �のビーム幅はそのままでありY方向のビーム� ��は集束しながら進行するようになり、第二� ��物面鏡M2に入射する。第二放物面鏡M2は、共 焦点F ₁₂ となるように配置してあることにより、Y方� �に集束するレーザビームを反射すると、再� �平行ビームL1(図2(c)参照)となって、X方向に� �けて進行するようになる。この平行ビームL1 のZ方向のビーム幅は、元ビームL0のままであ り、Y方向のビーム幅が縮小された楕円形状� �断面を有するレーザビームとなる。

 さらに、平行ビームL1が進行して第三放� �面鏡M3で反射されると、Y方向のビーム幅は� �のままでありX方向のビーム幅を拡大しなが� ��XZ面内を進行するようになり、第四放物面� �M4に入射する。

 第四放物面鏡M4は、共焦点F ₃₄ となるように配置してあることにより、X方� �に拡大するレーザビームを反射すると、再� �平行ビームL2(図2(d)参照)になって、X方向に� �けて進行するようになる。この平行ビームL2 のZ方向のビーム幅は、元ビームL0より拡大さ れ、Y方向のビーム幅は元ビームより縮小さ� �た長い長軸の楕円形状の断面を有するレー� �ビームとなる。

 そして、ビーム整形部21により整形され� �断面形状が楕円形の平行ビームL2は、後段の 光路調整部23および走査機構22を経て、基板G� ��に楕円形状のビームスポットBSを形成する� �うになる。したがって、これら4つの放物面� ��M1~M4の光学定数を調整することにより、長� �、短軸を独立に調整した所望の楕円のビー� �スポットを形成することができる。

 次にビーム断面拡大部24について説明す� �。ビーム断面拡大部24は、レーザ光源からの 元ビームL0のビーム径を拡大するとともに平� ��光束にして出射する組み合わせレンズ28か� �なる。例えば凹レンズと凸レンズとの組み� �わせにより拡大平行光束にすることができ� �。なお、拡大したビーム断面の断面積は、� �ーム整形部21で形成される楕円ビームより大 きくなるように調整してある。これは、一般 にレーザスクライブ後に行うレーザブレイク の際に、広い範囲で加熱する方がブレイクし やすいためである。ただし、スクライブ加工 時と同じビームスポット形状でブレイク加工 を行うようにしてもよい。その場合はビーム 断面拡大部24を設ける必要はない。

 次にビーム断面切替機構29について説明す� �。ビーム断面切替機構29は、2つの反射鏡M21� �M22からなり、図示しない駆動機構により、� �ーザビームの光路に出入りできるようにし� �ある。2つの反射鏡M21、M22を光路上に入れた� ��態にすると、ビーム整形部21に向かうレー� �ビームの光路はビーム断面拡大部24に向かう ように切り替わり、組み合わせレンズ28によ� ��て拡大された並行光束の円形ビームが光路� ��整部23に進むようにしてある。
 したがって、レーザビームの光路がビーム� ��形部21に向かうか、ビーム断面拡大部24に向 かうかによって、楕円ビームの平行光束また は拡大された円形ビームの平行光束のいずれ かが光路調整部23に入射するようにしてある� ��

 次に光路調整部23について説明する。光� �調整部23は、図1に示すように長軸方向切替� �30と平面鏡M6とからなり、ビーム整形部21と� �査機構部22との間に設けられる。光路調整部 23は、走査機構部22へ楕円ビーム(拡大円形ビ� ��ム)を導く光路調整を行うとともに、レーザ ビームの長軸方向を変更する調整を行う。

 図3は長軸方向切替部30の構成を示す斜視� ��である。図4は長軸方向切替部30が第一状態� ��ときの構成およびレーザビームの進行する� ��向を示す図(図4(a)は平面図、図4(b)は図4(a)に おけるA視)である。また、図5は長軸方向切替 部30が第二状態のときの構成およびレーザビ� ��ムの進行する方向を示す図(図5(a)は平面図� �図5(b)は図5(a)におけるA視)である。

 長軸方向切替部30は、平面鏡群(M11~M16)から� �る。平面鏡M11は、モータ31aで回転する支軸31 bにより90度回転する可動鏡にしてあり、光路 切替機構31として用いられる。
 また、平面鏡M16はスライド機構32によりY軸� ��向に移動するようにしてある。平面鏡M11と� ��面鏡M16とは連動し、図3および図4において� �線で示す第一の位置と、図3において一点鎖� ��で示すとともに図5において実線で示す第二 の位置とが切り替わるようにしてある。

 平面鏡M11が第一の位置にあるとき、ビー� ��整形部21からX方向に向けて進行する楕円ビ� ��ムL2は、平面鏡M11によるY方向への反射、平� ��鏡M12による-Z方向への反射、平面鏡M13によ� �-Y方向への反射、平面鏡M16による-Z方向への� ��射を繰り返して、平面鏡M6に進行するよう� �してある。このときにレーザビームが通過� �る光路を第一光路とする。

 平面鏡M11が第二の位置にあるとき、ビー� ��整形部21からX方向に向けて進行するレーザ� ��ームL2は、平面鏡M11による-Y方向への反射、 平面鏡M14による-X方向への反射、平面鏡M15に� ��る-Z方向への反射を繰り返して平面鏡M6に進 行するようにしてある。このときにレーザビ ームが通過する光路を第二光路とする。第一 光路と第二光路とは平面鏡M16の位置で交差す るようにしてあり、第二光路を通過したレー ザビームを使用するときは、平面鏡M16をスラ イド機構32により光路から外すようにしてあ� ��。

 第一光路を通過したレーザビーム(楕円ビ ーム)と第二光路を通過したレーザビーム(楕� ��ビーム)とは、断面の形状は同じで、長軸方 向が90度ずれている。したがって、光路切替� ��構31での光路選択により、互いに長軸方向� �直交する2種類の楕円ビームを選択して出射� ��ることができる。

 また、図1に示すように、長軸方向切替部 30は、X方向に進行する平行ビームL2を屈曲し� ��Z方向に進行する平行ビームL3を形成するこ� ��になる。平行ビームL2の光路長(M4~M11間距離) を調整することにより、走査機構部22との間� ��X方向の位置調整が行われる。また、平面鏡 M6は-Z方向に進行する平行ビームL3を-Y方向に� ��曲し、-Y方向に進行する平行ビームL4を形成 する。平行ビームL3の光路長(M16~M6間距離)を� �整することにより、走査機構22部との間の高 さ(Z方向)調整が行われる。さらに後述する走 査機構の平面鏡M7が最もM6に近い位置にある� �きの平行ビームL4の光路長(M6~M7間距離)を調� �することにより、走査機構部22との間のY方� �の位置調整が行われる。

 次に、ビームスポットBSを走査する走査� �構部22(レーザ光学系、移動機構)について説� ��する。走査機構部22は、軸線がY方向に向け� ��れたガイドレール25と、図示しない駆動機� �によりガイドレール25に沿って移動可能に取 り付けられる平面鏡M7と、平面鏡M7に一体に� �定され、軸線がX方向に向けられたガイドレ� ��ル26と、図示しない駆動機構によりガイド� �ール26に沿って移動可能に取り付けられる平 面鏡M8とからなる。このうち平面鏡M7および� �面鏡M8は、長軸方向切替部30から出射された� ��円ビームを基板に照射してビームスポットB Sを形成するレーザ光学系を構成する。また� �ガイドレール25、26と図示しない駆動機構と� ��レーザ光学系を移動するための移動機構を� ��成する。なお、テーブル40を挟んで2本のガ� ��ドレール25を平行に設けるようにして、ガ� �ドレール26を両側から移動可能に支えるよう にしてもよい。

 便宜上、ガイドレール25の最も平面鏡M6に 近い位置を平面鏡M7の原点位置とする。平面� ��M7は、原点位置で平面鏡M6からの平行ビーム L4を反射し、平行ビームL5を平面鏡M8に導くよ うに角度が調整してある。このとき平行ビー ムL4は-Y方向に進行する。平面鏡M7はガイドレ ール25に沿ってY方向に移動するので、平面鏡 M7がガイドレール25上のどの位置に移動して� �、平行ビームL4は平面鏡M7により反射され、� ��面鏡M8に導かれるようになる。

 平面鏡M8は平行ビームL5を反射し、基板G� �上にビームスポットBSを形成する。このとき 平行ビームL5は-X方向に進行する。平面鏡M8は ガイドレール26に沿ってX方向に移動するので 、平面鏡M8がガイドレール26上のどの位置に� �動しても、平行ビームL5は平面鏡M8により反� ��され、基板Gの上に同一形状のビームスポッ トBSが形成される。

 基板上に形成されるビームスポットBSの長� �方向は、長軸方向切替部30で、第一光路を選 択しているときはY方向を向く。また、第二� �路を選択しているときはX方向を向く。した� ��って、平面鏡M8をX方向に移動(走査)すると� �は、第二光路を選択することで走査方向と� �軸方向とを一致させることができる。また� �平面鏡M8をY方向に移動(走査)するときは、第 一光路を選択することで、走査方向と長軸方 向とを一致させることができる。
 また、第一光路、第二光路のいずれを選択� ��ている場合も、ビームスポットBSは平行光� �で基板に照射されることになるので、基板� �後述するテーブル面に載置されている場合� �も、基板がテーブル面から浮上されている� �合でも同じビームスポットで照射されるこ� �になる。

(テーブル)
 次に、テーブル40について説明する。図6は� ��ーブル40の断面構造を示す図である。テー� �ル40は、多孔部材(例えば多孔質セラミック)� ��らなり基板G(図1参照)が載置される上面部材 41と、上面部材41の周囲に密着し、さらに底� �が形成され、上面部材41との間に中空空間42a が形成されるボディ42と、中空空間42aに繋が� ��流路43が形成され、外部流路44に接続される プラグ45と、流路43、外部流路44、開度調節弁 46aを介して中空空間42aを減圧する真空ポンプ 46と、流路43、外部流路44、圧力調整弁47aを介 して中空空間42aに加圧空気を送るエアー源47� ��からなる。

 これらのうち、中空空間42a、流路43、外部� �路44、開度調節弁46a、真空ポンプ46により、� ��板Gを上面部材41に吸着させる吸着機構MAが� �成される。吸着機構MAは、開度調節弁46aによ り、強い吸着状態(吸着力が30MPa以上程度)と� �普
通の吸着状態(吸着力が0.03MPa~0.3MPa程度)との� �段階で、吸着力を調整することができるよ� �にしてある。前者の吸着状態の場合は、レ� �ザビームを照射してもガラス基板の曲がり� �発生しないように強く吸着される。一方、� �者の吸着状態の場合、吸着機構の一般的な� �的である位置を固定し基板の移動を防ぐこ� �ができる程度に吸着される。

 また、中空空間42a、流路43、外部流路44、 開閉弁47a、エアー源47により、基板Gを上面部 材41の上に浮上させる浮上機構MBが形成され� �。浮上機構MBは、基板のブレイク加工の際に 後述する基板誘導機構50とともに用いられる� ��また、基板の水平方向の位置を調整する際� ��も、基板誘導機構50とともに用いられる。

(基板誘導機構)
 次に、基板誘導機構50について説明する。� �板誘導機構50は、テーブル40上での基板の位� ��決めや微調整に用いられる。
 図7は基板誘導機構50の構造を示す図である� ��基板誘導機構50は、方形のテーブル40の対角 コーナー48a、48bの近傍に取り付けられる一対 の可動当接部51a、51bにより構成される。各可 動当接部51a、51bは、図示しない駆動機構によ って、支軸52a、52bを中心に並進動作や旋回動 作が行われる多関節アーム53a、53bを有する。 多関節アーム53a、53bの先端部分には、図示し ない駆動機構により旋回動作が行われる金属 製の当接部材54a、54bが取り付けられる。当接 部材54a、54bは、それぞれ先端が左右に分岐す るように取り付けられ、基板Gと接する部位� �円柱形にしてある。この円柱の軸方向は鉛� �方向に向けられている。

 したがって、基板Gを位置決めしたり微調 整したりするときに、エアー源47(図6)を作動� ��て基板Gを浮上させた状態で、基板Gを当接� �材54a、54bで押すことにより、基板Gが当接部� ��54a、54bに軽く接しながら、所望の位置に移� ��するようになる。また、当接部材54a、54bの� ��置を所望位置で停止させると、浮上状態で� ��置を固定することができる。その後、エア� ��源47を停止し、真空ポンプ46を作動すること により、基板Gを同じ位置で吸着させること� �できる。

 なお、アライメントマークが形成されて� ��る基板Gの場合は、テーブル40に定義される� ��標系に対する取り付け位置が予め計測され� ��いるカメラ55a、55bを用いて、アライメント� ��ークを撮影することにより、アライメント� ��ークの現在位置から基板Gの位置ずれ量を求 め、移動量を算出し、基板誘導機構50により� ��動させることで、基板Gの位置を自動調整す ることもできる。

(トリガ機構)
 次に初期亀裂形成用のトリガ機構について� ��明する。図1に示すように、トリガ機構60は� ��ッターホイール61と、昇降機構62と、支軸63� ��、多関節アーム64とからなる。多関節アー� �64は、基板誘導機構50の多関節アーム53a、53b� ��同様の動きをする。カッターホール61の刃� �はX方向に向けてある。
 初期亀裂TRを形成するときは、多関節アー� �64により、カッターホイール61が初期亀裂を� ��成する位置の直上にくるようにする。そし� ��、昇降機構62により、カッターホイール61を 一時的に下降させて圧接することにより初期 亀裂TRを形成する。

 また、テーブル40の左辺に取り付けたト� �ガ機構60の他に、刃先をY方向に向けた第二� �トリガ機構65を、図1の手前の辺または奥の� �に設けることにより、X方向、Y方向の二方向 に沿って続けてレーザ加工するときに、効率 的な加工を行うことができるようにしてある 。なお、トリガ機構65を設ける代わりに、基� ��誘導機構50を作動し、基板Gを90度回転させ� �隣接する辺に初期亀裂を形成するようにす� �こともできる。

(制御系)
 続いて、レーザ加工装置LM1の制御系につい� ��説明する。図8はレーザ加工装置LM1の制御系 を示すブロック図である。レーザ加工装置LM1 は、テーブル40の吸着機構MAおよび浮上機構MB を駆動する吸着/浮上機構駆動部81、基板誘導 機構50の可動当接部51a、51bを駆動する基板誘� ��機構駆動部82、トリガ機構60の昇降機構61お� ��び多関節アーム64を駆動するトリガ機構駆� �部83、走査機構22の平面鏡M7、M8を移動させる 走査機構駆動部84、レーザビームを照射する� ��ーザ駆動部85、冷却ノズルを設けてビーム� �ポットBSに追随する冷却スポットを形成する ときは冷媒ノズルから冷媒の噴霧を行う冷却 ノズル駆動部86、CCDカメラ55a、55bによる撮像� ��行うカメラ駆動部87、長軸方向切替部30の光 路切替機構31およびこれに連動するスライド� ��構32を駆動する光路切替機構駆動部88、ビー ム断面切替機構29を駆動するビーム断面切替� ��構駆動部89の各駆動系が、コンピュータ(CPU) で構成される制御部80によってコントロール� ��れる。

 制御部80には、キーボード、マウス等の入� �装置からなる入力部91、および各種の表示を 行う表示画面からなる表示部92が接続され、� ��要なメッセージが表示画面に表示されると� ��もに、必要な指示や設定が入力できるよう� ��してある。また、モード情報記憶部93が設� �られ、一般加工モード、厚板加工モード、� �板加工モードの情報が記憶してある。なお� �モード情報記憶部93はメモリ装置(HDD等)に設� ��られる。各加工モード情報には、それぞれ� ��なるシーケンスプログラムが記憶されてお� ��、いずれかが選択されると、その加工モー� ��のプログラムが制御部により実行される。� ��ードの選択を行うモード入力は、入力部91� �より行われる。
 制御部80は、特にモード入力が行われてい� �い場合、あるいは一般加工モードが選択さ� �た場合に一般加工モードが実行される。一� �、厚板加工モード、薄板加工モードが選択� �れると、選択された加工モードが実行され� �。

 一般加工モードは、基板の板厚が薄い場合� ��も厚い場合にも使用できるようにするため� ��スクライブ加工時に吸着機構を用いて基板� ��強く吸着するとともに、ブレイク加工時に� ��上機構を用いて基板を浮上する。
 厚板加工モードは、基板の板厚が厚い場合� ��用いる。基板の板厚が厚い場合は、スクラ� ��ブ加工時には誤って分断されてしまう問題� ��ほとんど発生しないが、ブレイク加工時に� ��板が分断されない問題が生じる。したがっ� ��、ブレイク時に浮上機構を用いて基板を浮� ��する。スクライブ時には、位置決め用に吸� ��機構を普通の吸着状態で使用する。
 薄板加工モードは、基板の板厚が薄い場合� ��用いる。基板の板厚が薄い場合はブレイク� ��工時に分断することが困難になる問題はほ� ��んど発生しないが、スクライブ加工時に基� ��がいきなり分断されてしまう問題が生じる� ��したがってスクライブ時に基板を強く吸着� ��て曲げモーメントの発生を抑えるようにす� ��。なおブレイク時は基板Gを浮上するまでも なく分断されるが、より確実に分断できるよ うにするために、浮上機構により基板を浮上 する。

 厚板加工モードは少なくとも2mm以上の板� ��の基板において利用する。これ以上の板厚� ��なると、基板を浮上させないと分断が困難� ��なるからである。一方、薄板加工モードは� ��なくとも0.5mm以下の板厚の基板において利� �する。これ以上の薄さになると、基板の曲� �を積極的に抑えないとスクライブ時に分断� �れてしまうからである。中間の0.5mm~2mmの板� �の基板ではスクライブ時には吸着し、ブレ� �ク時には浮上させるようにするのが好まし� �。

 また、閾値(例えば板厚1mm)を設定して、� �れより厚いときは厚板加工モード、薄いと� �は薄板加工モードにするようにしてもよい� �閾値を設定して加工モードを閾値に基づい� �切り替える場合、入力部から基板の板厚の� �値を入力することにより、モード選択を行� �ようにしてもよい。

 また、詳細説明は省略するが、基板の板� ��を計測する機構を設けるようにして、計測� ��果に基づいて、自動的に加工モードが選択� ��れるようにしてもよい。

(動作例1)
 次に、レーザ加工装置LM1による典型的な動� ��例について説明する。ここではアライメン� ��マークが刻まれた定型のガラス基板Gを、互 いに直交する第一方向と第二方向とにスクラ イブする場合について説明する。説明の便宜 上、第一方向をガラス基板のx方向、第二方� �をガラス基板のy方向とし、アライメントマ� ��クで位置決めを行ったときに、x方向がレー ザ走査光学系のX方向に一致するものとする� �

 図9はレーザ加工装置LM1による動作の第一の 例を示すフローチャートである。この例は、 一般加工モードが実行されるときの動作であ る。
 ガラス基板Gがテーブル40の上に載置される� ��、まず、基板誘導機構50を用いて基板Gの位� ��決めを行う(S101)。位置決めは、カメラ55a、5 5bにより、基板Gのアライメントマークを検出 し、位置ずれ量を求める。続いて、可動当接 部51a、51bを駆動し、当接部材54a、54bを基板G� �基板側面に接近させる。同時に浮上機構MBを 作動させて、基板Gをテーブル面から浮上さ� �る。このときガラス基板Gは当接部材54a,54bと の接点(4箇所)で水平方向の移動が制限される 。続いて、可動当接部51a、51bを駆動して、基 板Gを水平方向に移動(並進、回転)し、位置ず れ量が0になる位置で停止させる。その結果� �基板Gのx方向がレーザ走査光学系のX方向に� �致した状態で位置決めが完了する。そして� �上機構MBを停止し、吸着機構MAを作動させる� ��とにより、基板Gをテーブル面に固定する。 このとき開度調節弁46aは強く吸着される状態 に設定される。

 続いて、トリガ機構60、65を駆動して、ガ ラス基板GのX方向およびY方向のスクライブ開 始位置に初期亀裂TRを作成する(S102)。

 続いて、x方向のレーザスクライブ加工を 行う(S103)。ビームスポットBSの長軸がX方向に 向くように長軸方向切替部30を駆動して第二� ��路を選択する。そして走査機構部22を駆動� �て、平面鏡M7、M8の位置を調整し、レーザビ� ��ムを照射しながら平面鏡M8をX方向に移動(走 査)することにより、ガラス基板のx方向にス� ��ライブ加工を行う。このとき基板Gはテーブ ル面に強く吸着されており、基板Gには曲げ� �ーメントがほとんど生じていないため、い� �なり分断されることはない。x方向のスクラ� ��ブを複数回繰り返すときは、平面鏡M7によ� �Y方向の移動(レーザ停止)と、平面鏡M8による X方向の移動(走査)(レーザ照射)とを交互に行� ��。

 続いて、y方向のレーザスクライブを行う (S104)。ビームスポットBSの長軸がY方向に向く ように長軸方向切替部30を駆動して第一光路� ��選択する。そして走査機構部22を駆動して� �平面鏡M7、M8の位置を調整し、レーザビーム� ��照射しながら平面鏡M7をY方向に移動(走査)� �ることにより、ガラス基板のy方向にスクラ� ��ブ加工を行う。このときも基板Gはテーブル 面に強く吸着されており、基板Gには曲げモ� �メントがほとんど生じていないため、分断� �れることはない。以上の加工により、x方向� ��よびy方向のスクライブ加工が完了する。

 続いて、y方向、x方向のレーザブレイクを� �う(S105、S106)。y方向から先にレーザブレイク を行えばよいが、x方向に戻してからレーザ� �レイクを行うようにしてもよい。このとき� �板Gは浮上機構MBにより浮上状態にする。ビ� �ム断面切替機構29を駆動してレーザ光源10か� ��のレーザビームがビーム断面拡大部28に向� �うように切り替えておく。これにより基板G� ��は拡大された円形ビームが照射されること� ��なり、円形ビームによるレーザブレイクが� ��われる。続いて、レーザスクライブ時と同� ��にレーザビームを走査する。
 以上の動作により、x方向およびy方向への� �ーザブレイクが行われ、基板Gは方形に分断� ��れる。

(動作例2)
 次に、レーザ加工装置LM1による第二の動作� ��について説明する。
 図10はレーザ加工装置LM1による動作の第二� �例を示すフローチャートである。この例は� �モード選択が行われ、厚板加工モードまた� �薄板加工モードが選択される場合の動作を� �す。

 ガラス基板Gがテーブル40の上に載置され� ��と、まず、基板誘導機構50を用いて基板Gの� ��置決めを行う(S201)。続いて、トリガ機構60� �65を駆動して、ガラス基板GのX方向およびY方 向のスクライブ開始位置に初期亀裂TRを作成� ��る(S202)。以上の工程はS101,S102と同じである� ��

 続いて、モード入力の結果を判定する(S20 3)。一般加工モードが選択されたときは上述� ��た動作例1のS103に進み、レーザスクライブ� �レーザブレイクが行われる。薄板加工モー� �が選択されたときはS204に進み、厚板加工モ� ��ドが選択されたときはS210に進む。

 薄板加工モードが選択されると、x方向の レーザスクライブを行い(S204)、続いてy方向� �レーザスクライブを行う(S205)。このときの� �順はS103,S104と同様である。すなわち、基板G� ��テーブル面に強く吸着させ、基板Gには曲げ モーメントがほとんど生じないようにしてレ ーザ照射を行う。これにより、基板Gがいき� �り分断されることがないようにする。

 続いて、y方向、x方向のレーザブレイク� �行う(S206、S207)。このとき基板Gは、一応、浮 上機構MBにより浮上状態にする。ビーム断面� ��替機構29を駆動してレーザ光源からのレー� �ビームがビーム断面拡大部28に向かうように 切り替えておく。続いて、レーザスクライブ 時と同様にレーザビームを走査する。以上の 動作により、x方向およびy方向へのレーザブ� ��イクが行われ、基板Gは方形に分断される。

 厚板加工モードが選択されると、x方向の レーザスクライブを行い(S210)、続いてy方向� �レーザスクライブを行う(S211)。基板Gは十分� ��厚いため、強い吸着を行わずとも、分断さ� ��ることはないので、基板Gが水平移動しない ように、基板Gをテーブル面に普通の強さ(位� ��決め用)で吸着させておく。

 続いて、y方向、x方向のレーザブレイク� �行う(S212、S213)。このとき基板Gは、必ず浮上 機構MBにより浮上状態にする。ビーム断面切� ��機構29を駆動してレーザ光源からのレーザ� �ームがビーム断面拡大部28に向かうように切 り替えておく。この状態でレーザビームを走 査し、x方向およびy方向へのレーザブレイク� ��行うことにより、基板Gは方形に分断される 。