LED装置 技术领域

本发明涉及照明领域， 具体涉及一种 LED装置。 背景技术

随着大功率 LED ( light emitting diode, 发光二极管 )被不断应用在各个领 域， 大功率 LED在使用中由于产生的热量较高会逐渐导致 LED内 PN结和荧光 材料的温度过高， 引起光效衰减， 使 LED灯的寿命大大缩短。 所以在大功率 LED装置中必须有散热结构。 在大功率 LED散热的各个环节中， 如何将 LED 内部的热引导出来传给散热器， 同时又能保证多个 LED之间要求的电绝缘特 性， 是一个比较关键的问题。

如图 1所示为现有技术中的大功率 LED散热结构。 其中 11为包含底座的 LED灯， 12为绝缘层， 13为散热器。 绝缘层 12位于 LED灯 11和散热器 13中间， 分别与 LED灯 11和散热器 13连接，这样在 LED灯 11和散热器 13中间起到绝缘的 作用。

在具体实施过程中， 本发明的发明人发现， 由于绝缘层与 LED灯底座的 连接面积较小， 且绝缘层为低导热系数材料构成， 导致散热效果受到影响。 发明内容

本发明的目的之一为提供一种可以更有效散热 的大功率 LED装置。

一种 LED装置， 包括包含底座的 LED、 热引导层、 绝缘层和散热器； 所述热引导层一面连接所述 LED底座， 另一面连接所述绝缘层； 所述连 接绝缘层一面面积至少比所述 LED 底座与所述热引导层连接一面面积大

10%;

所述绝缘层连接散热器。

本发明实施例采用在 LED底座和绝缘层之间增加热引导层， 通过热引导 层与绝缘层的接触面积的增大， 增加热传递效率， 提高散热效率。 附图说明

图 1是现有技术大功率 LED装置的结构示意图；

图 2是本发明一种 LED装置的一个实施例的结构示意图。 本发明目的的实现、 功能特点及优点将结合实施例， 参照附图做进一步 说明。 具体实施方式

应当理解， 此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明 ， 并不用于限 定本发明。

参照图 2, 提出本发明一实施例的结构示意图；

图 2中包括：

带底座的 LED21 , 热引导层 22, 绝缘层 23和散热器 24。

所述带底座的 LED21的底座 21a与热引导层 22连接， 热引导层 22的另 一面与绝缘层 23连接； 绝缘层 23与散热器 24连接。

所述热引导层 22与绝缘层 23连接的一面的面积至少比所述底座 21a与 所述热引导层 22连接一面的面积大 10%。

更优的，所述带底座的 LED21的底座 21a与热引导层 22的连接不需要考 虑绝缘的问题， 因此可以采用高热传导系数的连接方式（例如 焊接）进行连 接。

本发明实施例采用在 LED底座和绝缘层之间增加热引导层， 通过热引导 层与绝缘层的接触面积的增大， 增加热传递效率， 提高散热效率。

实施例二、 本实施例是在上述实施例的基础上做进一步的 改进。

本实施例同样包括带底座的 LED21 , 热引导层 22, 绝缘层 23和散热器 24。

所述带底座的 LED21的底座 21a与热引导层 22连接， 热引导层 22的另 一面与绝缘层 23连接； 绝缘层 23与散热器 24连接。

所述热引导层 22与绝缘层 23连接的一面的面积至少比所述底座 21a与热 弓 1导层 22连接的一面的面积大 10%。

与上述实施例不同的是由于不用考虑热引导层 22与底座 21a之间的绝缘 问题， 热引导层 22与底座 21a之间可以是任何具有高热传导系数的连接方 式， 本实施例采用将热引导层 22与底座 21a由同一块金属材料制成， 也就是热引导 层 22与底座 21 a制作成一个整体， 更好的进行热量传递。

在传统的 LED散热结构中， LED底座直接连接绝缘层，使得绝缘层的有效 导热面积限制在与 LED底座相同的面积上， 而绝缘层通常具有比金属材料更 低的热传导系数， 从而使这个面积较小的绝缘层成为系统散热的 瓶颈。

本发明在 LED底座与绝缘层之间增加一个热引导层， 由于热引导层与绝 缘层的接触面的面积大于 LED底座的面积， 使得绝缘层的有效导热面积增大 到和热引导层与绝缘层接触面的面积相等， 绝缘层的热阻减小。 热引导层与 绝缘层的接触面的面积比 LED底座的面积大得越多， 热传导的效果越好， 为 了保证得到较好的热传导效果， 热引导层与绝缘层的接触面的面积应至少比 LED底座的面积大 10%以上。

同时， 热引导层由于不需要考虑绝缘问题， 它可以与 LED底座之间采用 任何能够有效降低热阻的方式进行连接， 包括采用金属焊接、 使用同一金属 材料制作 LED底座及热 ^ 1导层等等非绝缘方式的连接，虽然 LED底座面积没有 增大， 但是由于采用了高导热系数的材料， LED底座与热引导层之间的热阻 将小于传统结构中 LED底座与绝缘层连接的热阻。 以上所述仅为本发明的优选实施例， 并非因此限制本发明的专利范围， 凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效 结构或等效流程变换， 或直接 或间接运用在其他相关的技术领域， 均同理包括在本发明的专利保护范围内。