Leuchtdiodenchip und Verfahren zur Herstellung eines

Leuchtdiodenchips

Es werden ein Leuchtdiodenchip und ein Verfahren zur

Herstellung eines Leuchtdiodenchips angegeben.

Die Druckschrift DE 102015120323 betrifft einen

Leuchtdiodenchip mit einer Verkapselungsschicht , die

stellenweise zwischen einem Träger und einer reflektierenden Schichtenfolge angeordnet ist, wobei sich die

Verkapselungsschicht stellenweise durch die reflektierende Schichtenfolge hindurch in eine Halbleiterschichtenfolge hinein erstreckt. Der Offenbarungsgehalt der Druckschrift DE 102015120323 wird hiermit durch Rückbezug aufgenommen.

Leuchtdiodenchips, insbesondere auf der Basis von InGaAlP weisen häufig aufgrund von nichtstrahlenden Verlusten in der aktiven Strahlungserzeugenden Zone an geätzten Seitenflächen ein Effizienzmaximum bei vergleichsweise hohen Stromdichten auf. Dies begrenzt den Einsatz derartiger Leuchtdiodenchips bei geringen Stromdichten. Eine Aufgabe der vorliegenden Anmeldung ist es, einen

Leuchtdiodenchip anzugeben, dessen Effizienzmaximum bei niedrigen Stromdichten liegt. Weiterhin ist es Aufgabe der vorliegenden Anmeldung ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Leuchtdiodenchips anzugeben.

Diese Aufgaben werden durch einen Leuchtdiodenchip mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 sowie durch ein Verfahren mit den Schritten des Patentanspruches 10 gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen sowie Weiterbildungen des Leuchtdiodenchips und des Verfahrens sind Gegenstand der jeweils abhängigen Ansprüche.

Gemäß einer Ausführungsform weist der Leuchtdiodenchip eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Zone auf, die im Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt. Besonders bevorzugt umfasst der Leuchtdiodenchip eine

Passivierungsschicht, in der elektrische Ladungsträger statisch fixiert sind oder die zu einer Absättigung der Oberflächenzustände der Halbleiterschichtenfolge führt. Die Passivierungsschicht ist bevorzugt auf einer Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge aufgebracht und überdeckt bevorzugt zumindest die aktive Zone seitlich.

Weiterhin ist es auch möglich, dass sich die

Passivierungsschicht vollflächig über die Seitenfläche der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge erstreckt. Alternativ oder zusätzlich kann die Passivierungsschicht auch zumindest teilweise auf einer Lichtaustrittsfläche der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge oder des Leuchtdiodenchips

angeordnet sein.

Eine Idee der vorliegenden Anmeldung ist es, auf der

Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge, und insbesondere im Bereich der aktiven Strahlungserzeugenden Zone, statisch fixierte Ladungsträger anzuordnen, so dass sich im an die Passivierungsschicht angrenzenden Halbleitermaterial der Halbleiterschichtenfolge Ladungsträger mit entgegengesetzter elektrischer Ladung sammeln. Die statisch fixierten Ladungen in der Passivierungsschicht führen mit Vorteil zu einer

Abschirmung der entgegengesetzt geladenen Sorte von

Ladungsträger an der Seitenfläche. Da für nichtstrahlende Effekte beide Arten von Ladungsträgern lokal vorhanden sein müssen, wird die nichtstrahlende Rate, die zu Verlusten führt, an den in der Regel geätzten Seitenflächen deutlich verringert. Die Effizient des Leuchtdiodenchips wird so mit Vorteil erhöht. Besonders bevorzugt ist die Passivierungsschicht in direktem Kontakt mit dem Material der epitaktischen

Halbleiterschichtenfolge angeordnet. Mit anderen Worten weist die Passivierungsschicht mit der epitaktischen

Halbleiterschichtenfolge besonders bevorzugt eine gemeinsame Grenzfläche auf.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform des Leuchtdiodenchips handelt es sich bei den statisch fixierten Ladungsträger um Elektronen .

Besonders bevorzugt erzielen die statisch fixierten Ladungen in der Passivierungsschicht eine Verbiegung der Bandkante von Leitungsband und Valenzband in dem an die

Passivierungsschicht angrenzenden Halbleitermaterial der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge. Auf diese Art und

Weise reichern sich Ladungsträger aus dem Halbleitermaterial, deren Ladung entgegengesetzt ist zu der Ladung der statisch fixierten Ladungsträger in der Passivierungsschicht, in dem an die Passivierungsschicht angrenzenden Halbleitermaterial an. Die statisch fixierten Ladungen in der

Passivierungsschicht führen in der Regel mit Vorteil zu einer Abschirmung der entgegengesetzt geladenen Sorte von

Ladungsträger an der Seitenfläche. Beispielsweise führen die statisch fixierten Ladungsträger in der Passivierungsschicht zu einer Bandkantenverbiegung im Bereich der Passivierungsschicht zu kleineren Energien, sodass sich hier Elektronen im Grenzbereich zur

Halbleiterschichtenfolge anreichern. Aufgrund der lokal erhöhten Elektronendichte in der Passivierungsschicht sammeln sich im Gegenzug im angrenzenden Bereich der

Halbleiterschichtenfolge positive Ladungsträger,

beispielsweise Löcher. Der Bereich der Bandkantenverbiegung an der Grenzfläche Halbleiterschichtenfolge - Passivierungsschicht weist beispielsweise eine Ausdehnung zwischen 1 Nanometer und 100 Nanometer auf. Beispielsweise beträgt die Bandkantenverbiegung von Valenzbandkante und Leitungsbandkante mindestens 0,1 eV.

Gemäß einer Ausführungsform weist die Ladungsträgerdichte der statisch fixierten Ladungsträger im Grenzbereich zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der Passivierungsschicht

mindestens 10 ¹¹ cm ^-2 auf. Besonders bevorzugt weist die

Ladungsträgerdichte der statisch fixierten Ladungsträger im Grenzbereich zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der Passivierungsschicht mindestens 10 ¹² cm ^-2 auf. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform basiert die

epitaktische Halbleiterschichtenfolge auf einem III/V- Halbleiterverbundmaterial .

Bei dem I I I /V-Halbleiterverbundmaterial handelt es sich besonders bevorzugt um ein Phosphid-

Halbleiterverbundmaterial . Ein Phosphid- Halbleiterverbundmaterial ist ein

Halbleiterverbundmaterialien, das Phosphor enthält, wie die Materialien aus dem System In _x Al _y Gai- _x - _y P mit 0 < x < 1, 0 < y < 1 und x+y < 1. Insbesondere weist die epitaktisch

gewachsene Halbleiterschichtenfolge eines dieser Materialien auf oder besteht auf einem dieser Materialien.

Die Passivierungsschicht weist bevorzugt eine Dicke zwischen einschließlich 1 Nanometer und einschließlich 100 Nanometer auf. Besonders bevorzugt ist die Passivierungsschicht sehr dünn ausgebildet. Bevorzugt übersteigt die Dicke der

Passivierungsschicht 5 Nanometer nicht.

Die statisch fixierten Ladungen in der Passivierungsschicht führen mit Vorteil zu einer Abschirmung der entgegengesetzt geladenen Sorte von Ladungsträger an der Seitenfläche. Da für nichtstrahlende Effekte beide Arten von Ladungsträgern lokal vorhanden sein müssen, wird die nichtstrahlende Rate, die zu Verlusten führt, an den Seitenflächen deutlich verringert. Dies führt insbesondere zu einer Effizienzerhöhung bei

Leuchtdiodenchips mit geringer lateraler Ausdehnung.

Besonders bevorzugt weisen die Leuchtdiodenchips daher eine Kantenlänge auf, die 1 Millimeter nicht überschreitet.

Weiterhin ist die Effizienzerhöhung besonders effektiv bei einem Leuchtdiodenchip, der ein vergleichsweise hohes

Verhältnis von Seitenfläche zu Lichtaustrittsfläche aufweist. Das Verhältnis von Seitenfläche zu Lichtaustrittsfläche des Leuchtdiodenchips beträgt bevorzugt mindestens 0,01.

Die Passivierungsschicht weist bevorzugt eines der folgenden Materialien auf oder ist aus einem der folgenden Materialien gebildet: Aluminiumoxid, Siliziumoxid, Aluminiumphosphid, Indiumaluminiumphosphid . Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform des Leuchtdiodenchip basiert die Halbleiterschichtenfolge auf einem Phosphid- Verbundhalbleitermaterial oder ist aus einem Phosphid- Verbundhalbleitermaterial gebildet, wobei die

Passivierungsschicht in direktem Kontakt auf die

Halbleiterschichtenfolge aufgebracht ist. Die

Passivierungsschicht weist hierbei besonders bevorzugt

Aluminiumphosphid und/oder Aluminiumoxid auf. Beispielsweise ist es möglich, dass die Passivierungsschicht aus zwei Einzelschichten gebildet ist, von denen die eine

Aluminiumphosphid aufweist oder aus Aluminiumphosphid besteht, während die andere Aluminiumoxid aufweist oder aus Aluminiumoxid besteht. Besonders bevorzugt ist hierbei die Aluminiumoxidschicht in direktem Kontakt mit dem

Halbleitermaterial angeordnet.

Weiterhin ist es auch möglich, dass die Passivierungsschicht ungeordnete Bereiche aufweist, von denen die einen

Aluminiumphosphid aufweisen oder aus Aluminiumphosphid bestehen und die anderen Aluminiumoxid aufweisen oder aus Aluminiumoxid bestehen. Besonders bevorzugt ist hierbei die Passivierungsschicht sehr dünn ausgebildet und weist

lediglich einige Nanometer Dicke auf. Weiterhin überwiegen bei dieser Ausführungsform die Bereiche, die Aluminiumoxid aufweisen, die Bereiche, die Aluminiumphosphid aufweisen bevorzugt deutlich. Beispielsweise besteht die

Passivierungsschicht zu mindestens 95% aus Aluminiumoxid.

Bei einem Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips wird zunächst eine epitaktisch gewachsene

Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Zone

bereitgestellt, wobei die aktive Zone dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Auf eine Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge wird eine Passivierungsschicht aufgebracht, in der elektrische

Ladungsträger statisch fixiert sind. Die Passivierungsschicht bedeckt hierbei zumindest die aktive Strahlungserzeugende Zone der Halbleiterschichtenfolge.

Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform des

Verfahrens werden Teile der Seitenfläche der

Halbleiterschichtenfolge durch Ätzen, insbesondere durch Trockenätzen, erzeugt. Dies wird auch als Mesa-Ätzen

bezeichnet. Die Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge wird in der Regel zunächst teilweise durch Ätzen erzeugt, während ein weiterer Teil der Seitenfläche schließlich durch einen anderen Trennprozess , wie beispielsweise Brechen, Sägen oder Laserschneiden, hergestellt werden. Besonders bevorzugt wird die aktive Zone der Halbleiterschichtenfolge durch Ätzen getrennt . Gemäß einer bevorzugt Ausführungsform des Verfahrens wird eine Halbleiterschichtenfolge bereitgestellt, die auf einem Phosphid-Verbundhalbleitermaterial beruht oder aus einem Phosphid-Verbundhalbleitermaterial besteht. Zum Aufbringen der Passivierungsschicht wird in direktem Kontakt auf die Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge eine nicht- stöchiometrische Siliziumdioxidschicht (SiO _x -Schicht)

aufgebracht, bevorzugt durch thermisches Verdampfen.

Dann wird in direktem Kontakt auf die nicht-stöchiometrische Siliziumdioxidschicht eine Aluminiumphosphidschicht (AI ₂ O ₃ - Schicht) aufgebracht, besonders bevorzugt durch ein ALD- Verfahren . Mit Atomlagenabscheidung (atomic layer deposition, ALD) ist vorliegend eine spezielle Form eines CVD-Verfahren

bezeichnet . Bei einem CVD-Verfahren („chemical vapour deposition", chemische Gasphasenabscheidung) wird die zu beschichtende Oberfläche in einem Volumen zur Verfügung gestellt. In dem Volumen wird weiterhin zumindest ein Ausgangsmaterial zur Verfügung gestellt, aus dem durch eine chemische Reaktion an der zu beschichtenden Oberfläche eine feste CVD-Schicht abgeschieden wird. In der Regel befindet sich in dem Volumen zumindest ein zweites Ausgangsmaterial, mit dem das erste Ausgangsmaterial unter Bildung der festen CVD-Schicht an der Oberfläche chemisch reagiert. Das CVD-Verfahren zeichnet sich somit durch mindestens eine chemische Reaktion an der zu beschichtenden Oberfläche zur Bildung der CVD-Schicht aus.

Mit Atomlagenabscheidung (atomic layer deposition, ALD) ist vorliegend ein CVD-Verfahren bezeichnet, bei dem das erste gasförmige Ausgangsmaterial dem Volumen zugeführt wird, in dem die zu beschichtende Oberfläche bereitgestellt ist, so dass das erste gasförmige Ausgangsmaterial auf der Oberfläche adsorbiert. Nach einer bevorzugt vollständigen oder nahezu vollständigen Bedeckung der Oberfläche mit dem ersten

Ausgangsmaterial wird der Teil des ersten Ausgangsmaterial, der noch gasförmig bzw. nicht auf der Oberfläche adsorbiert vorliegt, in der Regel wieder aus dem Volumen entfernt und das zweite Ausgangsmaterial zugeführt. Das zweite

Ausgangsmaterial ist dafür vorgesehen, mit der an der

Oberfläche adsorbierten, ersten Ausgangsverbindung unter Bildung einer festen ALD-Schicht chemisch zu reagieren. Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird auf eine Halbleiterschichtenfolge, die auf einem Phosphid- Verbundhalbleitermaterial beruht, zum Aufbringen der

Passivierungsschicht zunächst eine Aluminiumphosphidschicht (AIP-Schicht) in direktem Kontakt auf die Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge aufgebracht, beispielsweise

epitaktisch .

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird der Schichtverbund mit der Halbleiterschichtenfolge und den darauf aufgebrachten Schichten getempert. Die Temperatur zum Tempern liegt bevorzugt zwischen einschließlich 100 °C und einschließlich 800 °C. Weitere vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen.

Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der Figuren 1 bis 3 wird ein erstes Ausführungsbeispiel eines

Verfahrens zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips näher erläutert.

Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der Figuren 4 und 5 wird ein weiteres Ausführungsbeispiel eines

Verfahrens zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips näher erläutert.

Figur 6 zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines

Leuchtdiodenchips gemäß einem Ausführungsbeispiel.

Figur 7 zeigt schematisch Leitungsband und Valenzband des

Halbleitermaterials sowie der Passivierungsschicht des Leuchtdiodenchips gemäß einem

Ausführungsbeispiel .

Figur 8 zeigt eine schematische Schnittdarstellung einer

Halbleiterprobe, anhand derer der positive Effekt der Passivierungsschicht experimentell bestätigt wird .

Figur 9 zeigt Messungen der Photolumineszenzintensität der

Probe mit dem Aufbau gemäß Figur 8 in Abhängigkeit der Dicke x der Aluminiumphosphidschicht .

Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu

betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente, insbesondere Schichtdicken, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.

Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figuren 1 bis 3 wird zunächst eine epitaktisch gewachsene

Halbleiterschichtenfolge 1 mit einer aktiven Zone 2

bereitgestellt. Die aktive Zone 2 ist hierbei dazu geeignet, im Betrieb des Leuchtdiodenchips elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Die Halbleiterschichtenfolge 1 beruht besonders bevorzugt auf einem Phosphidverbundhalbleitermaterial .

Auf einer ersten Hauptfläche 3 der epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichtenfolge 1 ist hierbei ein erster

elektrischer Kontakt 4 aufgebracht, während auf der zweiten Hauptfläche 5 der Halbleiterschichtenfolge 1, die der ersten Hauptfläche 3 gegenüberliegt, ein zweiter elektrischer Kontakt 6 aufgebracht ist. Beispielsweise handelt es sich bei dem ersten elektrischen Kontakt 4 um einen p-Kontakt und bei dem zweiten elektrischen Kontakt 6 um einen n-Kontakt. In einem nächsten Schritt, der schematisch in Figur 2

dargestellt ist, wird eine nicht-stöchiometrische

Siliziumoxidschicht 7 (SiO _x -Schicht) in direktem Kontakt auf die Seitenfläche 8 der Halbleiterschichtenfolge 1 mittels thermischen Verdampfens abgeschieden. Die nicht- stöchiometrische Siliziumdioxidschicht 7 überdeckt hierbei insbesondere die aktive Zone 2. Weiterhin ist die zweite Hauptfläche 5 der Halbleiterschichtenfolge 1 sowie der erste elektrische Kontakt 4 zumindest teilweise mit der nicht- stöchiometrische Siliziumoxidschicht 7 bedeckt.

Wie schematisch in Figur 3 dargestellt ist, wird dann in direktem Kontakt auf die nicht-stöchiometrische

Siliziumoxidschicht 7 eine Aluminiumoxidschicht 9 (AI ₂ O ₃ - Schicht) aufgebracht, bevorzugt mit einem ALD-Verfahren .

Schließlich wird der Schichtverbund mit der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge 1 und der darauf aufgebrachten nicht-stöchiometrischen Siliziumoxidschicht 7 und der

Aluminiumoxidschicht 9 getempert, sodass eine

aluminiumoxidhaltige Schicht an der Grenzfläche zur

Halbleiterschichtenfolge 1 entsteht. Diese

aluminiumoxidhaltige Schicht innerhalb der

Passivierungsschicht 10 weist statisch fixierte

Ladungsträger, bevorzugt Elektronen auf.

Die nicht-stöchiometrische Siliziumoxidschicht 7, die

Aluminiumoxidschicht 9 und die grenznahe aluminiumoxidhaltige Schicht bilden bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel die Passivierungsschicht 10 aus.

Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figuren 4 und 5 wird in einem ersten Schritt wiederum eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge 1 mit elektrischen Kontakten 4, 6 bereitgestellt, wie sie bereits anhand von Figur 1

beschrieben wurde. In einem nächsten Schritt wird eine Aluminiumphosphidschicht 11 (AIP-Schicht) in direktem Kontakt auf die Seitenfläche 8 der Halbleiterschichtenfolge 1 aufgebracht, beispielsweise epitaktisch (Figur 5) . Die Aluminiumphosphidschicht 11 bedeckt hierbei insbesondere die aktive Zone 2 und erstreckt sich bis auf die erste Hauptfläche 3 der

Halbleiterschichtenfolge und den ersten Kontakt 4.

Auch der Schichtverbund aus der Figur 5 wird besonders bevorzugt in einem nächsten Schritt getempert (nicht

dargestellt) . Hierbei bildet sich das Aluminiumphosphid zumindest teilweise in Aluminiumoxid (Al _x O _y ) um.

Die Aluminiumphosphid/oxidschicht 11 bildet bei dem

vorliegenden Ausführungsbeispiel die Passivierungsschicht 10 aus. Diese weist fixierte elektrische Ladungsträger,

bevorzugt Elektronen, angrenzend an das Halbleitermaterial der Halbleiterschichtenfolge 1 auf.

Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur bis 3 sowie 4 bis 5 entsteht ein Leuchtdiodenchip, wie er beispielsweise in Figur 6 schematisch dargestellt ist. Der Leuchtdiodenchip gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 6 weist eine epitaktisch gewachsene Halbleiterschichtenfolge 1 basierend auf einem Phosphidverbundhalbleitermaterial auf. Die Halbleiterschichtenfolge 1 umfasst eine aktive Zone 2, die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, die im Betrieb des Leuchtdiodenchips von einer Lichtaustrittsfläche 12 ausgesandt wird.

Auf einer ersten Hauptfläche 3 der epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichtenfolge 1 ist ein erster elektrischer

Kontakt 4 aufgebracht, während auf der zweiten Hauptfläche 5 der Halbleiterschichtenfolge 1 ein zweiter elektrischer

Kontakt 6 aufgebracht ist.

Auf der Seitenfläche 8 der epitaktischen

Halbleiterschichtenfolge 1 sowie auf Teilen der

Lichtaustrittsfläche 12 des Leuchtdiodenchips ist eine

Passivierungsschicht 10 aufgebracht. Insbesondere erstreckt sich die Passivierungsschicht 10 über die aktiven Zone 2. In der Passivierungsschicht 10 befinden sich elektrische

Ladungsträger, die statisch fixiert sind. Vorliegend handelt es sich bei den elektrischen Ladungsträgern um Elektronen. Weiterhin ist es auch möglich, dass die Passivierungsschicht 10 Oberflächenzustände des angrenzenden Halbleitermaterials absättigt .

Teile der Seitenfläche 8 der Halbleiterschichtenfolge 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 6 sind durch Trockenätzen erzielt worden. Diese Teile der Seitenfläche 8 zeichnen sich vorliegend dadurch aus, dass sie schräg zu einer Mittelachse des Leuchtdiodenchips ausgebildet sind. Ein weiterer Teil der Seitenfläche 8 der Halbleiterschichtenfolge 1 ist vorliegend parallel zu einer Mittelachse des Leuchtdiodenchips angeordnet. Dieser Teil des Leuchtdiodenchips wurde durch einen anderen Trennprozess , beispielsweise mittels Sägen oder Lasertrennen, erzielt. Figur 7 zeigt schematisch den Verlauf der Leitungsbandkante CB und der Valenzbandkante VB im Bereich der

Passivierungsschicht 10 sowie der Halbleiterschichtenfolge 1. Die Passivierungsschicht 10 umfasst vorliegend eine

Aluminiumoxidschicht 9 sowie eine nicht-stöchiometrische Siliziumoxidschicht 7. Im Bereich der Grenzfläche der

Passivierungsschicht 10 angrenzend an das Halbleitermaterial weist die Valenzbandkante VB sowie die Leitungsbandkante CB eine Absenkung hin zu niedrigeren Energien auf, in denen Elektronen statisch fixiert sind. Im Gegenzug bildet sich auf der Seite des angrenzenden Halbleitermaterials eine Erhöhung der Valenzbandkante VB, in der Löcher statisch fixiert sind. Auf diese Art und Weise entsteht an der Grenzfläche

Halbleiterschichtenfolge 1 - Passivierungsschicht 10 eine Abschirmung für positive Ladungen, die eine nichtstrahlende Rekombination zumindest verringert.

Die Probe gemäß der schematischen Darstellung der Figur 8 weist ein Galliumarsenidsubstrat 13 auf, auf dem eine zirka 1 Mikrometer dicke InAlP-Schicht epitaktisch gewachsen ist. Auf der InAlP-Schicht ist wiederum eine zirka 300 Nanometer dicke InGaAlP-Halbleiterschichtenfolge 1 mit einer aktiven Zone 2 epitaktisch gewachsen, die Strahlung mit einer Wellenlänge von zirka 620 Nanometer emittiert. Auf die epitaktisch gewachsene Halbleiterschichtenfolge 1 ist wiederum eine Aluminiumphosphidschicht 11 mit einer sehr geringen Dicke x aufgebracht. Experimentell wurde gezeigt, dass sich die Aluminiumphosphidschicht 11 an Luft nahezu vollständig in eine Aluminiumoxidschicht (Al _x O _y -Schicht ) umwandelt .

Die Dicke der Aluminiumphosphid/oxidschicht 11 x wurde nun variiert und die Photolumineszenz der Probe gemessen. Die an der Probe gemäß Figur 8 gemessenen Werte I _PL der

Photolumineszenz sind in Figur 9 in Abhängigkeit der Dicke x aufgetragen. Die Messung gemäß Figur 9 zeigt, dass bei einer Dicke x von zirka 2 Nanometer die Photolumineszenz um einen Faktor 10 gegenüber einer Probe ohne

Aluminiumphosphid/oxidschicht 11 erhöht ist.

Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Anmeldung DE 102015120089.9, deren

Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den

Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Bezugs zeichenliste

1 epitaktische Halbleiterschichtenfolge

2 aktive Zone

3 erste Hauptfläche

4 erster Kontakt

5 zweite Hauptfläche

6 zweiter elektrischer Kontakt

7 Siliziumoxidschicht

8 Seitenfläche

9 Aluminiumoxidschicht

10 PassivierungsSchicht

11 Aluminiumphosphid-Schicht

12 Lichtaustrittsfläche

13 GaAs-Substrat

CB Leitungsbandkante

VB Valenzbandkante