[0001] 本发明属于半导体照明领域， 特别是涉及一种发光二极管芯片结构及其制作 方 法。

背景技术

[0002] 半导体照明作为新型高效固体光源， 具有寿命长、 节能、 环保、 安全等显著优 点， 将成为人类照明史上继白炽灯、 光灯之后的又一次飞跃， 其应用领域正在 迅速扩大， 正带动传统照明、 显示等行业的升级换代， 其经济效益和社会效益 巨大。 正因如此， 半导体照明被普遍看作是 21世纪最具发展前景的新兴产业之 也是未来几年光电子领域最重要的制高点之一 。 发光二极管 （英文简称 LED ） 通常是由如 GaN （氮化镓） 、 GaAs （砷化镓） 、 GaP （磷化镓） 、 GaAsP （磷 砷化镓） 等半导体制成的， 其核心是具有发光特性的 PN结， 在正向电压下， 电 子由 N区注入 P区， 空穴由 P区注入 N区， 进入对方区域的少数载流子一部分与多 数载流子复合而发光。

[0003] 当前全球能源短缺的忧虑再度升高的背景下， 节约能源是我们未来面临的重要 的问题， 在照明领域， LED被称为第四代照明光源或绿色光源， 具有节能、 环保 、 寿命长、 体积小等特点， 可以广泛应用于各种指示、 显示、 装饰、 背光源、 普通照明和城市夜景等领域。

[0004] 现有的一种 LED芯片结构一般是在发光外延叠层上设置反射 层， 如采用具有高 低折射率差较大的分布布拉格反射层 （DBR） 或者具有较高反射率的金属 （如 A g） 作为反射层， 但 DBR具有一定的角度性， 且导热效果不理想， 而高反射金属 的反射率上限一般约为 95%， 反射率难以进一步提升， 不利于 LED芯片外部光萃 取， 从而导致芯片发光效率的提升得到制约。

发明概述

技术问题

问题的解决方案 技术解决方案

[0005] 鉴于以上所述现有技术的缺点， 本发明的目的在于： 提供一种发光二极管芯片 结构及其制作方法， 用于解决现有技术中发光二极管芯片外部光萃 取较低而导 致发光效率降低的问题。

[0006] 为实现上述目的及其他相关目的， 本发明提供一种发光二极管芯片结构， 其特 征在于： 包括： 衬底； 发光外延结构， 位于所述衬底上， 包括依次层叠的第一 导电型半导体层、 量子阱层以及第二导电型半导体层； 电流扩展层， 形成于所 述发光外延结构的部分表面； 绝缘层， 包裹所述电流扩展层的侧壁， 所述绝缘 层具有一系列图案化通孔结构； 金属层， 形成于所述绝缘层表面， 所述一部分 金属层通过部分通孔结构与所述电流扩展层接 触， 另一部分金属层通过部分通 孔结构与所述发光外延结构接触。

[0007] 优选地， 还包括局部缺陷区， 位于部分所述第二导电型半导体层上， 且向下延 伸至所述第一导电型半导体层形成台面结构， 所述台面结构露出有发光外延结 构侧壁。

[0008] 优选地， 第一电极， 形成于所述局部缺陷区； 以及第二电极， 形成于所述金属 层上。

[0009] 优选地， 所述绝缘层的图案化通孔结构包括位于所述电 流扩展层之上的第一通 孔结构和位于发光外延结构之上的第二通孔结 构。

[0010] 进一步地， 所述第一通孔结构为阵列式， 所述第二通孔结构为环状或带状。

[0011] 优选地， 所述第一、 第二通孔结构的尺寸介于 l~5(Vm， 优选介于 l~2(Vm。

[0012] 优选地， 所述第一通孔结构与第二通孔结构的数量之比 介于 5: 1~50： 1 , 更优 选第一通孔结构与第二通孔结构的数量之比介 于 10: 1~30: 1。

[0013] 优选地， 第一通孔结构横截面面积总和占所述发光二极 管芯片结构的横截面面 积比值的 3%~50%， 更优选第一通孔结构横截面面积总和占所述发 光二极管芯片 结构的横截面面积比值的 5%~20%。

[0014] 优选地， 所述绝缘层覆盖于所述发光外延结构的侧壁。

[0015] 优选地， 所述绝缘层包括低折射率的材料层。

[0016] 优选地， 所述绝缘层包括分布布拉格反射层。 [0017] 优选地， 所述金属层为多层结构。

[0018] 优选地， 所述金属层包括金属反射层和金属阻挡层。

[0019] 本发明还提供一种发光二极管芯片结构的制作 方法， 包括： 以下工艺步骤： （ 1） 提供一衬底， 于所述衬底上形成发光外延结构， 所述发光外延结构包括依次 层叠的第一导电型半导体层、 量子阱层以及第二导电型半导体层； （2） 于所述 发光外延结构形成台面结构， 所述台面结构露出有发光外延结构侧壁； （3） 于 所述发光外延结构的部分表面形成电流扩展层 ； （4） 形成绝缘层， 包裹所述电 流扩展层的侧壁， 所述绝缘层具有一系列图案化通孔结构； （5） 于所述具有图 案化通孔结构的绝缘层表面形成金属层， 所述一部分金属层通过部分通孔结构 与所述电流扩展层接触， 另一部分金属层通过部分通孔结构与所述发光 外延结 构接触。

[0020] 优选地， 所述步骤 （2） 包括： 于所述发光外延结构中刻蚀出局部缺陷区， 形 成台面结构；

[0021] 优选地， 所述步骤 （4） 的绝缘层的图案化通孔结构包括： 位于所述电流扩展 层之上的第一通孔结构和位于发光外延结构之 上的第二通孔结构。

[0022] 进一步地， 所述第一通孔结构为阵列式， 所述第二通孔结构为环状或带状。

[0023] 优选地， 所述第一、 第二通孔结构的尺寸介于 l~5（Vm， 优选介于 l~2（Vm。

[0024] 优选地， 所述第一通孔结构与第二通孔结构的数量之比 介于 5: 1~50： 1 , 更优 选第一通孔结构与第二通孔结构的数量之比介 于 10: 1~30: 1。

[0025] 优选地， 第一通孔结构横截面面积总和占所述发光二极 管芯片结构的横截面面 积比值的 3%~50%， 更优选第一通孔结构横截面面积总和占所述发 光二极管芯片 结构的横截面面积比值的 5%~20%。

[0026] 优选地， 所述步骤 （4） 的绝缘层还覆盖于所述发光外延结构的侧壁。

[0027] 优选地， 所述绝缘层包括低折射率的材料层。

[0028] 优选地， 所述绝缘层包括分布布拉格反射层。

[0029] 优选地， 所述金属层为多层结构。

[0030] 优选地， 所述金属层包括金属反射层和金属阻挡层。

[0031] 优选地， 还包括步骤 （6） _: 于所述局部缺陷区制作第一电极； 以及于所述金 属层上制作第二电极。

发明的有益效果

有益效果

[0032] 如上所述， 本发明的发光二极管芯片结构及其制作方法， 包括以下有益效果： [0033] （1） 通过电流扩展层、 绝缘层 （如低折射率） 、 金属反射层形成全方位反射 层 （ODR） 结构， 其反射效果优于常规的金属反射层或分布布拉 格反射层结构 ， 增强发光二极管芯片外部光萃取几率， 提高 LED器件的亮度；

[0034] （2） 通过对绝缘层形成具有图案化的第一通孔结构 ， 使金属层与电流扩展层 连通， 从而维持 LED器件的电压 （VF） 不上升；

[0035] （3） 通过对绝缘层形成具有图案化的第二通孔结构 ， 使得金属层与发光外延 结构 （如 P-GaN层） 直接接触， 从而改善金属层 （如金属反射层） 与绝缘层粘附 性不佳问题， 增强 LED器件的可靠性。

对附图的简要说明

附图说明

[0036] 图 1~图10显示为本发明的发光二极管芯片结构的� �作方法各步骤所呈现的结构 示意图， 其中， 图 4显示为图 5 （LED芯片单元俯视图） 沿 A-A方向的剖视图， 图 8显示为图 7的虚线框局部放大结构示意图， 图 10显示为本发明的发光二极管芯 片结构示意图。

[0037] 元件标号说明：

[0038] 101衬底； 1021局部缺陷区； 102第一导电型半导体层； 103量子阱层； 104第二 导电型半导体层； 105电流扩展层； 106绝缘层； 1061第一通孔结构； 1062第二 通孔结构； 107金属层； 1071金属反射层； 1072金属保护层； 108第二绝缘层； 1 081第二绝缘层的第一通孔结构； 1082第二绝缘层的第二通孔结构； 109第一电 极； 110第二电极

发明实施例

本发明的实施方式

[0039] 以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方 式， 本领域技术人员可由本说明 书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点 与功效。 本发明还可以通过另外 不同的具体实施方式加以实施或应用， 本说明书中的各项细节也可以基于不同 观点与应用， 在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改 变。

[0040] 请参阅图 1~图10。 需要说明的是， 本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明 本发明的基本构想， 遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按 照实际实施 时的组件数目、 形状及尺寸绘制， 其实际实施时各组件的型态、 数量及比例可 为一种随意的改变， 且其组件布局型态也可能更为复杂。

[0041] 如图 1~图10所示， 本实施例提供一种发光二极管芯片结构的制作 方法， 所述制 作方法包括以下步骤：

[0042] 如图 1所示， 首先进行工艺步骤 （1） ， 提供一衬底 101， 于所述衬底 101上形成 发光外延结构， 所述外延结构包括依次层叠的第一导电型半导 体层 102、 量子阱 层 103以及第二导电型半导体层 104。

[0043] 所述衬底 101包括平面型蓝宝石衬底、 图形蓝宝石衬底、 硅衬底、 碳化硅衬底 、 氮化镓衬底、 砷化镓衬底等。 在本实施例中， 所述衬底选用为图形蓝宝石衬 底。

[0044] 作为示例， 采用 MOCVD工艺于所述衬底 101上形成外延结构， 所述外延结构可 以包含缓冲层 （图中未示出） 、 第一导电型半导体层 102、 量子阱层 103以及第

层 102可以为 N型 GaN层， 所述量子阱层 103可以为 GaN基量子阱层， 所述第二导 电型半导体层 104可以为 P型 GaN层。 当然， 也可以依据实际需求选择其它种类的 外延结构， 并不限于此处所列举的示例。

[0045] 如图 2所示， 然后进行工艺步骤 （2） ， 于所述外延结构中从上至下， 刻蚀出若 干个数量的局部缺陷区 1021， 形成台面结构， 所述台面结构露出有所述外延结 构侧壁， 具体地， 所述台面结构显露有第一导电型半导体层 102台面以及第一导 电型半导体层 102、 量子阱层 103及第二导电型半导体层 104的侧壁。

[0046] 例如， 可以采用 ICP刻蚀或 RIE刻蚀工艺， 于所述外延结构中刻蚀出台面结构， 使得所述台面结构显露有第一导电型半导体层 102台面以及第一导电型半导体层 102、 量子阱层 103及第二导电型半导体层 104的侧壁， 所述第一导电型半导体层 台面用以于后续第一电极的电连接。 局部缺陷区 1021的数量至少一个， 也可以 根据 LED芯片的结构、 用途、 面积大小等进行增加， 从而使得局部缺陷区的数量 与后续制作的第二通孔结构的数量相当。 需要特别说明的是， 当 LED结构为垂直 结构时， 也可以不需要制作局部缺陷区， 而将第一电极制作于第一导电型半导 体层 102或是衬底 101的背面。

[0047] 如图 3所示， 接着进行工艺步骤 （3） ， 于所述发光外延结构的部分表面上形成 电流扩展层 105。

[0048] 例如， 所述电流扩展层 105可以为采用蒸镀或溅镀工艺以形成的 ITO透明导电层 ， 也可以选用其它材料， 如 ZnO、 石墨烯等， 并通过熔合使电流扩展层其与发光 外延结构的 P-GaN层形成欧姆接触。 工艺步骤 （4） 制作的电流扩展层还包括通 过黄光、 蚀刻工艺蚀刻部分电流扩展层， 使得位于所述发光外延层表面上的电 流扩展层“内缩”， 便于后续的绝缘层披覆于该电流扩展层的侧壁 。

[0049] 如图 4和 5所示， 接着进行工艺步骤 （4） ， 于上述结构上制作绝缘层 106， 包裹 所述电流扩展层 105的侧壁以及覆盖于所述相邻的发光外延结构 的侧壁， 其中包 裹所述电流扩展层 105的侧壁的绝缘层 106主要用于与电流扩展层、 后续制作的 金属层构成全方位反射层 （ODR） 结构， 覆盖于所述相邻的发光外延结构的侧 壁的绝缘层 106主要作为电绝缘的作用； 进一步地， 所述绝缘层具有一系列图案 化通孔结构。

[0050] 例如， 可以采用化学气相沉积工艺， 于所述外延结构的部分表面形成绝缘层 10 6 , 所述绝缘层 106可以为低折射率材料， 如二氧化硅层、 氟化镁等， 也可以为 高折射率材料， 如二氧化钛等， 或绝缘层也可以是包括高、 低折射率材料的分 布布拉格反射层 （DBR） ， 且并不限于此处所列举的示例。 所述图案化通孔结 构， 优选采用刻蚀工艺形成。 如绝缘层选用 SiO ^ft折射率材料， 藉由低折射率 材料绝缘层与 ITO透明导电层的折射率差， 可以增强光的出射。

[0051] 作为示例， 所述图案化通孔结构包括： 位于所述电流扩展层之上的第一通孔结 构 1061以及位于发光外延结构之上的第二通孔结� � 1062。 进一步地， 所述第一 通孔结构为阵列式， 所述第二通孔结构为环状或带状， 本实施例优选为闭合环 状。 所述第一、 第二通孔结构的尺寸介于 1~50—， 优选介于 1~20—。 所述第一 通孔结构与第二通孔结构的数量之比介于 _{5 :} 1~50: 1， 优选第一通孔结构与第 二通孔结构的数量之比介于 10: 1~30: 1。 一般来说， 第二通孔的数量与局部缺 陷区的数量相当， 形状相似。 所述第一通孔结构横截面面积总和占所述发光 二 极管芯片结构 （LED芯片单元） 的横截面面积比值 K的 3%~50%， 优选 5%~20%

， 更优选 10%， 如果 K值太低， 则金属层与电流扩展层通过第一通孔接触的面 积 太小， 不利于控制电压 （VF） ， 而如果 K值太高， 则会影响电流扩展层、 绝缘 层 （如低折射率） 、 金属反射层形成全方位反射层 （ODR） 结构的反射效果。

[0052] 如图 6~图8所示， 然后进行工艺步骤 （5） ， 于所述具有图案化通孔结构的绝缘 层表面形成金属层， 所述一部分金属层通过第一通孔结构 1061与所述电流扩展 层 105接触， 另一部分金属层通过第二通孔结构 1061与所述发光外延结构接触， 从而改善金属层 107与绝缘层粘附性不佳问题， 增强 LED器件的可靠性。

[0053] 例如， 可以采用蒸镀或者溅镀工艺， 于所述具有图案化通孔结构的绝缘层表面 形成金属层 107， 所述金属层可以包括多层结构， 如金属反射层 1071、 金属保护 层 1072等， 并不限于此处所列举的示例。

[0054] 作为示例， 当金属反射层选用 A1或 Ag高反射金属， 作为反射镜 （mirror） 时， 金属保护层 （Barrier） 选用 TiW、 Cr、 Pt、 Ti等， 金属保护层 1071可以是完全包 裹金属反射层 1071， 用于保护金属反射层。

[0055] 如图 9和 10所示， 接着进行工艺步骤 （6） ， 于所述局部缺陷区制作第一电极 10 9； 以及于所述金属层上制作第二电极 110。 在制作所述第一、 第二电极之前， 可选地， 在步骤 （4） 制得的结构上形成第二绝缘层 108。

[0056] 作为示例， 可以采用化学气相沉积工艺， 形成第二绝缘层 108 , 所述第二绝缘 层 108可以为低折射率材料， 如二氧化硅层、 氟化镁等， 也可以为高折射率材料 ， 如二氧化钛等， 或绝缘层也可以是分布布拉格反射层 （DBR） ， 且并不限于 此处所列举的示例。

[0057] 采用光刻工艺及刻蚀工艺于所述第二绝缘层 108中形成第二绝缘层的第一通孔 结构 1081和第二绝缘层的第二通孔结构 1082。 其中第一通孔结构 1081作为第一 电极的预留窗口， 第二通孔结构 1082作为第二电极的预留窗口。

[0058] 如图 10所示， 接着于所述第一电极的预留窗口中形成第一电 极 109， 所述第一 电极选用 N电极， 以实现 N电极与 N型 GaN层电性连接； 于所述第二电极的预留 窗口中形成第二电极 110， 所述第二电极选用 P电极， 以实现 P电极与金属层、 电 流扩展层、 P型 GaN层电性连接。

[0059] 最后， 减薄所述衬底 101并进行切割以获得独立的发光二极管芯片。

[0060] 如图 10所示， 本实施例还提供一种发光二极管芯片结构， 所述发光二极管芯片 结构包括： 衬底 101、 发光外延结构、 局部缺陷区 1021、 电流扩展层 105、 具有 通孔结构的绝缘层 106、 金属层 107、 第二绝缘层 108、 第一电极 109以及第二电 极 110。

[0061] 如图 10所示， 所述衬底 101包括平面型蓝宝石衬底、 图形蓝宝石衬底、 硅衬底

、 碳化硅衬底、 氮化镓衬底、 砷化镓衬底等。 在本实施例中， 所述衬底 101选用 为图形蓝宝石衬底。

[0062] 如图 10所示， 所述发光外延结构位于所述衬底 101上， 包括依次层叠的第一导 电型半导体层 102、 量子阱层 103以及第二导电型半导体层 104。

[0063] 例如， 所述第一导电型半导体层 102可以为 N型 GaN层， 所述量子阱层 103可以 为 GaN基量子阱层 103， 所述第二导电型半导体层 104可以为 P型 GaN层。 当然， 也可以依据实际需求选择其它种类的外延结构 ， 并不限于此处所列举的示例。

[0064] 如图 10所示， 所述若干个局部缺陷区 1021位于部分所述第二导电型半导体层 10 4上， 且向下延伸至所述第一导电型半导体层 102形成台面结构， 所述台面结构 露出有所述外延结构侧壁， 具体地， 所述台面结构显露有第一导电型半导体层 1 02台面以及第一导电型半导体层 102、 量子阱层 103及第二导电型半导体层 104的 侧壁。

[0065] 如图 10所示， 所述电流扩展层 105形成于所述发光外延结构的部分表面上， 并 与部分的所述发光外延结构表面接合。

[0066] 例如， 所述电流扩展层 105可以选用 ITO透明导电层， 也可以选用其它材料， 如 ZnO、 石墨烯等。 结构上， 优选位于所述发光外延层表面上的电流扩展层 “内缩”

， 便于后续的绝缘层披覆于该电流扩展层的侧壁 。

[0067] 如图 10所示， 所述绝缘层 106， 包裹所述电流扩展层 105的侧壁以及覆盖于所述 相邻的发光外延结构的侧壁， 其中包裹所述电流扩展层 105的侧壁的绝缘层 106 主要用于与电流扩展层、 金属层构成全方位反射层 （ODR） 结构， 覆盖于所述 相邻的发光外延结构的侧壁的绝缘层 106主要作为电绝缘的作用； 进一步地， 所 述绝缘层具有一系列图案化通孔结构。

[0068] 例如， 于所述外延结构的部分表面形成具有图案化通 孔结构的绝缘层 106， 所 述绝缘层 106可以为低折射率材料， 如二氧化硅层、 氟化镁等， 也可以为高折射 率材料， 如二氧化钛等， 或绝缘层也可以是包括高、 低折射率材料的分布布拉 格反射层 （DBR） ， 且并不限于此处所列举的示例。 作为示例， 所述图案化通 孔结构包括： 位于所述电流扩展层之上的第一通孔结构 1061以及位于发光外延 结构之上的第二通孔结构 1062。 进一步地， 所述第一通孔结构为阵列式， 所述 第二通孔结构为环状或带状， 本实施例优选为闭合环状。 所述第一、 第二通孔 结构的尺寸介于 l~5（Vm， 优选介于 l~2（Vm。 所述第一通孔结构与第二通孔结构 的数量之比介于 5: 1~50： 1 , 优选第一通孔结构与第二通孔结构的数量之比 介 于 10: 1~30: 1。 一般来说， 第二通孔的数量与局部缺陷区的数量相当， 形状相 似。 所述第一通孔结构横截面面积总和占所述发光 二极管芯片结构 （LED芯片单 元） 的横截面面积比值 K的 3%~50%， 优选 5%~20%， 更优选 10%， 如果 K值太低 ， 则金属层与电流扩展层通过第一通孔接触的面 积太小， 不利于控制电压 （VF ） ， 而如果 K值太高， 则会影响电流扩展层、 绝缘层 （如低折射率） 、 金属反射 层形成全方位反射层 （ODR） 结构的反射效果。

[0069] 如图 10所示， 所述金属层 107， 形成于所述绝缘层 106表面， 所述一部分金属层 第一通孔结构 1061与所述电流扩展层 105接触， 另一部分金属层通过第二通孔结 构 ₁₀ 61与所述发光外延结构接触， 从而改善金属层 107与绝缘层粘附性不佳问题 ， 增强 LED器件的可靠性。

[0070] 例如， 所述金属层 107可以包括多层结构， 如金属反射层 1071、 金属保护层 107 2等， 并不限于此处所列举的示例。 作为示例， 当金属反射层选用 A1或 Ag高反射 金属， 作为反射镜 （mirror） 时， 金属保护层 （Barrier） 选用 TiW合金等， 金属 保护层 1071可以是完全包裹金属反射层 1071， 用于保护金属反射层。

[0071] 如图 10所示， 第二绝缘层 108， 形成于金属层 107、 局部缺陷区 1021上， 并于第 二绝缘层 108中形成第二绝缘层的第一通孔结构 1081和第二绝缘层的第二通孔结 构 1082。 其中第一通孔结构 1081作为第一电极的预留窗口， 第二通孔结构 1082 作为第二电极的预留窗口。 第一电极 109形成于所述第一电极的预留窗口中， 所 述第一电极选用 N电极， 以实现 N电极与 N型 GaN层电性连接； 第二电极 110形成 于所述第二电极的预留窗口中， 所述第二电极选用 P电极， 以实现 P电极与金属 层、 电流扩展层、 P型 GaN层电性连接。

[0072] 作为示例， 所述第二绝缘层 108可以为低折射率材料， 如二氧化硅层、 氟化镁 等， 也可以为高折射率材料， 如二氧化钛等， 或绝缘层也可以是分布布拉格反 射层 （DBR） ， 且并不限于此处所列举的示例。

[0073] 需要说明的是， 根据需要， 也可以在制作完第一、 第二电极之后， 再于第一、 第二电极之上形成第三绝缘层 （图中未示出） ， 并形成通孔结构， 作为电极窗 口， 最后于电极窗口中形成第三、 第四电极。

[0074] 本实施例通过电流扩展层、 低折射率绝缘层、 金属反射层形成全方位反射层 （ ODR） 结构， 其反射效果优于常规的金属反射层或分布布拉 格反射层结构， 增 强发光二极管芯片外部光萃取几率， 提高 LED器件的亮度； 通过对绝缘层形成具 有图案化的第一通孔结构， 使金属层与电流扩展层连通， 从而维持 LED器件的电 压 （VF） 不上升； 通过对绝缘层形成具有图案化的第二通孔结构 ， 使得金属层 与发光外延结构 （如 P-GaN层） 直接接触， 从而改善金属层 （如金属反射层） 与 绝缘层粘附性不佳问题， 增强 LED器件的可靠性。

[0075] 如上所述， 本发明的发光二极管芯片结构及其制作方法， 具有以下有益效果：

[0076] 本发明通过电流扩展层、 低折射率绝缘层、 金属反射层形成全方位反射层 （0 DR） 结构， 其反射效果优于常规的金属反射层或分布布拉 格反射层结构， 增强 发光二极管芯片外部光萃取几率， 提高 LED器件的亮度； 通过对绝缘层形成具有 图案化的第一通孔结构， 使金属层与电流扩展层连通， 从而维持 LED器件的电压 （VF） 不上升； 通过对绝缘层形成具有图案化的第二通孔结构 ， 使得金属层与 发光外延结构 （如 P-GaN层） 直接接触， 从而改善金属层 （如金属反射层） 与绝 缘层粘附性不佳问题， 增强 LED器件的可靠性。 所以， 本发明有效克服了现有技 术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

[0077] 本发明提供的发光二极管芯片结构及其制作方 法， 适用于制作倒装结构 LED器 件， 亦适用于制作垂直结构或者薄膜结构或者高压 结构 LED器件。 本发明不仅适 用于制作可见光 LED， 也适用于制作 UV-LED等。

[0078] 上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功 效， 而非用于限制本发明。 任何 熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神 及范畴下， 对上述实施例进行修 饰或改变。 因此， 举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离 本发明所揭示 的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或 改变， 仍应由本发明的权利要求 所涵盖。