LEUCHTDIODE MIT EINER KERAMISCHEN ABDECKUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DIESER LEUCHTDIODE Es wird eine Leuchtdiode angegeben. Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode angegeben.

Die Druckschrift US 2005/0022697 Al beschreibt Sol-Gel Spin- On-Gläser, die als Dotierstoff einen Leuchtstoff enthalten können.

Die Druckschrift DE 10 2005 012 953 Al beschreibt ein

optoelektronisches Bauelement, bei dem ein Leuchtstoff in ein Sol-Gel-Material eingebracht ist.

Die Druckschrift DE 10 2007 018 837 Al beschreibt ein

Verfahren zur Herstellung eines Lumineszenzdiodenchips.

Die Druckschrift WO 2009/048704 A2 beschreibt eine

Leuchtdiode mit einem Konverter aus Halbleitermaterial.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, eine Leuchtdiode anzugeben, die verbesserte thermische Eigenschaften aufweist. Es wird eine Leuchtdiode angegeben. Gemäß zumindest einer

Ausführungsform der Leuchtdiode umfasst die Leuchtdiode einen Halbleiterkörper, der zumindest eine aktive Zone aufweist, die zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung

vorgesehen ist. Der Halbleiterkörper umfasst beispielsweise epitaktisch abgeschiedene Schichten, die aus anorganischen Halbleitermaterialien gebildet sind. Die epitaktisch

abgeschiedenen Schichten sind auf ein Aufwachssubstrat abgeschieden, das Bestandteil des Halbleiterkörpers sein kann. Ferner ist es möglich, dass das Substrat vom Halbleiterkörper entfernt ist. Der Halbleiterkörper besteht in diesem Fall lediglich aus den epitaktisch abgeschiedenen Halbleiterschichten. Die aktive Zone ist beispielsweise zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung aus dem

Spektralbereich von UV-Strahlung und/oder blauem Licht vorgesehen, das heißt, im Betrieb der Leuchtdiode wird in der aktiven Zone diese elektromagnetische Strahlung erzeugt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Leuchtdiode umfasst die Leuchtdiode einen keramischen Abdeckkörper. Der

keramische Abdeckkörper ist beispielsweise als Plättchen ausgebildet, dessen Abmessung in vertikaler Richtung - das ist beispielsweise die Richtung, die parallel zu einer

Wachstumsrichtung der epitaktisch abgeschiedenen Schichten des Halbleiterkörpers verläuft - kleiner ist als die

Abmessung in lateraler Richtung - das ist diejenige Richtung, die senkrecht zur vertikalen Richtung verläuft. Der

keramische Abdeckkörper ist dabei vorzugsweise selbsttragend ausgebildet. Insbesondere ist der Abdeckkörper nicht durch Partikel es keramischen Lumineszenzkonversionsmaterials gebildet, die auf den Halbleiterkörper aufgebracht sind, sondern der Abdeckkörper ist ein Verbund, der als Ganzes auf den Halbleiterkörper aufgebracht werden kann. Die Dicke des Abdeckkörpers beträgt dabei vorzugsweise zwischen wenigstens 40 μm. Die Dicke beträgt dabei vorzugsweise höchstens 150 μm.

Der Abdeckkörper weist in lateraler Richtung vorzugsweise die gleichen Abmessungen wie der der Halbleiterkörper auf oder überragt diesen. In jedem Fall weist die dem Halbleiterkörper zugewandete Fläche des Abdeckkörpers dann einen Flächeninhalt auf, der wenigstens 25 %, vorzugsweise wenigstens 50 %, besonders bevorzugt wenigstens 95 % des Flächeninhalts der Fläche des Halbleiterkörpers beträgt, die dem Abdeckkörper zugewandt ist. Das heißt, der Abdeckkörper bedeckt den

Halbleiterkörper vorzugsweise zu einem großen oder

überwiegenden Teil.

Der Abdeckkörper besteht aus einem keramischen Material oder enthält ein keramisches Material. Enthält der Abdeckkörper ein keramisches Material, so enthält der Abdeckkörper

vorzugsweise überwiegend ein keramisches Material, so dass der Abdeckkörper keramisch ist, also die Eigenschaften einer Keramik aufweist.

Der Abdeckkörper umfasst einen Leuchtstoff, der vorgesehen ist, elektromagnetische Strahlung zu absorbieren und

elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu emittieren. Bei dem Leuchtstoff handelt es sich

beispielsweise um ein Lumineszenzkonversionsmaterial, das elektromagnetische Strahlung aus einem ersten

Wellenlängenbereich absorbiert und elektromagnetische

Strahlung aus einem zweiten Wellenlängenbereich mit

Wellenlängen größer als die Wellenlängen im ersten

Wellenlängenbereich emittiert. Bei der elektromagnetischen Strahlung kann es sich beispielsweise zum Teil um die in der aktiven Zone des Halbleiterkörpers erzeugte

elektromagnetische Strahlung handeln. Der keramische

Abdeckkörper kann dabei aus dem Leuchtstoff bestehen. Ferner ist es möglich, dass Partikel des Leuchtstoffs im

Abdeckkörper vorhanden sind. Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Leuchtdiode umfasst die Leuchtdiode eine glashaltige Haftvermittlungsschicht. „Glashaltig" bedeutet dabei, dass die Haftvermittlungsschicht ein Glas enthält oder aus einem Glas besteht. Vorzugsweise ist die Haftvermittlungsschicht zumindest überwiegend aus einem Glas gebildet, so dass die Haftvermittlungsschicht Eigenschaften eines Glases aufweist. Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Leuchtdiode ist der Abdeckkörper an einer Strahlungsaustrittsfläche des

Halbleiterkörpers befestigt. Bei der

Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterkörpers handelt es sich um jenen Teil der Oberfläche des Halbleiterkörpers, durch den die gesamte oder zumindest ein Großteil der

Strahlung, die vom Halbleiterkörper emittiert wird, diesen verlässt. Beispielsweise ist die Strahlungsaustrittsfläche durch eine Hauptfläche des Halbleiterkörpers gebildet, die quer beziehungsweise senkrecht zu einer Wachstumsrichtung der epitaktisch abgeschiedenen Schichten des Halbleiterkörpers verläuft. Der Abdeckkörper ist mechanisch fest mit dem

Halbleiterkörper verbunden. Er ist derart auf dem

Halbleiterkörper aufgebracht, dass zumindest ein Großteil, das heißt wenigstens 50 %, vorzugsweise wenigstens 75 %, besonders bevorzugt wenigstens 90 % der aus der

Strahlungsaustrittsfläche austretenden Strahlung in den

Abdeckkörper gelangt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Leuchtdiode ist die glashaltige Haftvermittlungsschicht zumindest stellenweise zwischen der Strahlungsaustrittsfläche und dem Abdeckkörper angeordnet und vermittelt eine Haftung zwischen dem

Halbleiterkörper und dem Abdeckkörper. Beispielsweise ist die Haftvermittlungsschicht direkt auf die

Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterkörpers aufgebracht und befindet sich daher in direktem Kontakt mit dem

Halbleiterkörper. Ferner ist die Haftvermittlungsschicht dann vorzugsweise direkt in Kontakt mit dem Abdeckkörper. Das heißt, die Haftvermittlungsschicht weist sowohl mit dem

Abdeckkörper als auch mit dem Halbleiterkörper eine

Berührungsfläche auf. Die Abdeckschicht vermittelt diejenige Haftung zwischen Halbleiterkörper und Abdeckkörper, die dafür sorgt, dass der Abdeckkörper an der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterkörpers am Halbleiterkörper befestigt ist. Mit anderen Worten ist zwischen dem keramischen Abdeckkörper und dem Halbleiterkörper eine glashaltige Haftvermittlungsschicht angeordnet, die wie ein Klebstoff wirkt, der den Abdeckkörper am Halbleiterkörper hält. Die Haftvermittlungsschicht kann den gesamten Bereich zwischen Halbleiterkörper und

Abdeckkörper ausfüllen. Es ist aber auch denkbar, dass die Haftvermittlungsschicht zwischen Halbleiterkörper und

Abdeckkörper strukturiert ist und es Bereiche zwischen

Halbleiterkörper und Abdeckkörper gibt, die frei von der

Haftvermittlungsschicht sind. Diese Bereiche können dann mit Luft gefüllt sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Leuchtdiode umfasst die Leuchtdiode einen Halbleiterkörper mit zumindest einer aktiven Zone, die zur Erzeugung von elektromagnetischer

Strahlung vorgesehen ist, einen keramischen Abdeckkörper mit einem Leuchtstoff, der vorgesehen ist, elektromagnetische Strahlung zu absorbieren und elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu emittieren, und einer

glashaltigen Haftvermittlungsschicht. Der Abdeckkörper ist dabei an einer Strahlungsaustrittsfläche des

Halbleiterkörpers befestigt und die glashaltige

Haftvermittlungsschicht ist zwischen der

Strahlungsaustrittsfläche und dem Abdeckkörper angeordnet und vermittelt eine Haftung zwischen dem Halbleiterkörper und dem Abdeckkörper . Der hier beschriebenen Leuchtdiode liegt dabei unter anderem die Erkenntnis zugrunde, dass eine glashaltige

Haftvermittlungsschicht besonders gut zur Anpassung des optischen Brechungsindex zwischen Halbleiterkörper und keramischem Abdeckkörper geeignet ist. Die glashaltige

Haftvermittlungsschicht verfügt beispielsweise über einen größeren optischen Brechungsindex als dies für eine

Silikonschicht der Fall wäre, die den keramischen

Abdeckkörper und den Halbleiterkörper alternativ als

Haftmittel miteinander verbinden könnte. Ferner zeichnet sich eine glashaltige Haftvermittlungsschicht durch eine

beispielsweise gegenüber einer Silikonschicht verbesserte Wärmeleitfähigkeit aus. Der Halbleiterkörper ist daher thermisch besonders gut an den Abdeckkörper angeschlossen, so dass der Abdeckkörper zum Abführen von Wärme vom

Halbleiterkörper Verwendung finden kann. Die beschriebene Leuchtdiode zeichnet sich daher durch verbesserte optische und thermische Eigenschaften aus. Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Leuchtdiode enthält die Haftvermittlungsschicht ein Spin-On-Glas oder die

Haftvermittlungsschicht besteht aus einem Spin-On-Glas. Wenn die Haftvermittlungsschicht ein Spin-On-Glas enthält, so ist sie vorzugsweise überwiegend aus dem Spin-On-Glas gebildet. Das heißt, das Spin-On-Glas kann beispielsweise als

Matrixmaterial für Zusatzstoffe wie Leuchtstoffe oder

Diffusorpartikel wirken, die Haftvermittlungsschicht besteht aber zu wenigstens 75 %, vorzugsweise zu wenigstens 90 % aus dem Spin-On-Glas. Zum Beispiel findet für die

Haftvermittlungsschicht das Material XC3150i der Firma Silecs Verwendung. Der Brechungsindex der Haftvermittlungsschicht beträgt zum Beispiel zwischen 1,5 und 2,5, beispielsweise 1,651 bei einer Wellenlänge von 632 nm. Die thermische Leitfähigkeit der Haftvermittlungsschicht liegt zum Beispiel zwischen wenigstens 0,1 W/mK und höchstens 1,0 W/mK.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Leuchtdiode enthält die Haftvermittlungsschicht einen weiteren Leuchtstoff, der vorgesehen ist, elektromagnetische Strahlung zu absorbieren und elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu emittieren. Bei dem weiteren Leuchtstoff kann es sich

beispielsweise um den gleichen Leuchtstoff handeln, der auch vom keramischen Abdeckkörper umfasst wird. Darüber hinaus ist es möglich, dass es sich um einen anderen Leuchtstoff

handelt, der zur Absorption und/oder Emission von

elektromagnetischer Strahlung anderer Wellenlängen oder eines anderen Wellenlängenbereichs als der erste Leuchtstoff vorgesehen ist.

Beispielsweise kann der weitere Leuchtstoff zur Absorption von UV-Strahlung vorgesehen sein und elektromagnetische

Strahlung aus dem Spektralbereich von blauem Licht

emittieren. Der Leuchtstoff des keramischen Abdeckkörpers kann dann zur Absorption des blauen Lichts vorgesehen sein und beispielsweise gelbes Licht emittieren. Ferner ist es möglich, dass Leuchtstoff und weiterer Leuchtstoff

elektromagnetische Strahlung aus dem gleichen

Wellenlängenbereich absorbieren und elektromagnetische

Strahlung aus unterschiedlichen Wellenlängenbereichen

emittieren. Insgesamt kann die Verwendung eines weiteren Leuchtstoffs dazu beitragen, dass von der Leuchtdiode im Betrieb weißes Licht mit einem besonders hohen

Farbwiedergabeindex emittiert wird.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Leuchtdiode enthält die Haftvermittlungsschicht zumindest eines der folgenden Materialien oder besteht aus einem der folgenden Materialien: Siliziumoxid, insbesondere Siliziumdioxid, einem Metalloxid, insbesondere Zinkoxid, Zinnoxid, Aluminiumoxid,

Zirkoniumdioxid, Hafniumdioxid.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der

Haftvermittlungsschicht weist die Haftvermittlungsschicht eine gleichmäßige Dicke auf. Das heißt, die

Haftvermittlungsschicht ist als ebene oder im Wesentlichen ebene Schicht auf die Strahlungsaustrittsfläche des

Halbleiterkörpers aufgebracht. Die Dicke der

Haftvermittlungsschicht beträgt dabei zum Beispiel zwischen wenigstens 1 μm und höchstens 20 μm, bevorzugt zwischen wenigstens 1 μm und höchstens 10 μm.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Leuchtdiode besteht der Abdeckkörper aus einem keramischen Leuchtstoff. Das heißt, der keramische Abdeckkörper ist vollständig aus einem keramischen Leuchtstoff gebildet, der beispielsweise mittels eines Spritzgussverfahrens, eines Spritzpressverfahrens oder eines Pulverspritzgussverfahrens in die Form eines Plättchens gebracht ist. Bei dem Leuchtstoff kann es sich beispielsweise um YAG: Ce handeln. Gemäß zumindest einer Ausführungsform der Leuchtdiode besteht der Abdeckkörper und/oder der weitere Leuchtstoff aus einem der folgenden Materialien oder enthält eines der folgenden Materialien: mit Metallen der seltenen Erden dotierte

Granate, mit Metallen der seltenen Erden dotierte

Erdalkalisulfide, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Thiogallate, mit Metallen der seltenen Erden dotierte

Aluminate, mit Metallen der seltenen Erden dotierte

Orthosilikate, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Chlorosilikate, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Erdalkalisiliziumnitride, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Oxynitride, mit Metallen der seltenen Erden dotierte Aluminiumoxynitride .

Es wird ferner ein Verfahren zur Herstellung einer

Leuchtdiode angegeben. Mittels des Verfahrens kann

beispielsweise eine hier beschriebene Leuchtdiode hergestellt werden. Das heißt, sämtliche für die Leuchtdiode offenbarten Merkmale sind auch für das Verfahren offenbart und umgekehrt.

Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens wird zunächst ein Halbleiterkörper bereitgestellt, der eine aktive Zone

umfasst, die zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist. Anschließend wird eine Schicht aus Spin-On- Glas auf die Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterkörpers aufgebracht. Das Spin-On-Glas wird beispielsweise als SoI- Gel-Material im gelösten Zustand auf die

Strahlungsaustrittsfläche aufgebracht. Das Spin-On-Glas kann auf die Strahlungsaustrittsfläche beispielsweise

aufgeschleudert, aufgerakelt, aufgesprüht, aufgestempelt, aufdosiert oder mittels Siebdruck aufgebracht werden. Auch andere Verfahren zu Aufbringung des Spin-On-Glases sind möglich.

In einem nachfolgenden Verfahrensschritt wird das Spin-On- Glas an der Strahlungsaustrittsfläche angetrocknet. Durch das Trocknen werden flüchtige Bestandteile aus dem Spin-On-Glas entfernt. Beispielsweise geht das Sol-Gel-Material bei dem Antrocknen in einen Gel-artigen Zustand über.

In einem anzuschließenden Verfahrensschritt wird ein

keramischer Abdeckkörper, der einen Leuchtstoff umfasst, der vorgesehen ist, elektromagnetische Strahlung zu absorbieren und elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu emittieren, auf die Spin-On-Glasschicht aufgebracht. Schließlich wird die Spin-On-Glasschicht erwärmt und dabei zur Haftvermittlungsschicht vernetzt. Dabei wird eine

mechanisch feste Verbindung zwischen dem Halbleiterkörper und dem Abdeckkörper hergestellt. Das Verfahren wird bevorzugt gleichzeitig für eine Vielzahl von Halbleiterkörpern durchgeführt, die beispielsweise im Wafer-Verbund vorliegen können. Dabei kann auf jeden

Halbleiterkörper ein zugeordneter, bereits vereinzelter

Abdeckkörper aufgebracht werden. Es ist jedoch auch möglich, dass auf die Vielzahl der Halbleiterkörper eine einzige

Scheibe aufgebracht wird, die anschließend zusammen mit den Halbleiterkörpern zu einzelnen Leuchtdioden vereinzelt wird.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt der Verfahrensschritt des Antrocknens des Spin-On-Glases bei einer Temperatur von wenigstens 100 ⁰ C und höchstens 180 ⁰ C innerhalb einer Zeitspanne von wenigstens 3 min und höchstens 15 min. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Erwärmen und Vernetzen der Spin-On-Glasschicht bei einer Temperatur von wenigstens 150 ⁰ C und höchstens 350 ⁰ C innerhalb einer Zeitspanne von wenigstens 3 min und höchstens 15 min durchgeführt. Allgemein findet das Erwärmen und Vernetzen vorzugsweise bei einer höheren Temperatur statt als das

Antrocknen . Im Folgenden wird die hier beschriebene Leuchtdiode sowie das hier beschriebene Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode anhand von Figuren sowie den zugehörigen

Ausführungsbeispielen näher erläutert.

Die Figuren 1 und 2 zeigen Ausführungsbeispiele von hier

beschriebenen Leuchtdioden in schematischen

Schnittdarstellungen . Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu

betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.

Die Figur 1 zeigt eine schematische Schnittdarstellung einer hier beschriebenen Leuchtdiode gemäß einem ersten

Ausführungsbeispiel. Die Leuchtdiode umfasst einen

Halbleiterkörper 1. Der Halbleiterkörper 1 umfasst eine erste Halbleiterschicht 3 und eine zweite Halbleiterschicht 4. Die erste Halbleiterschicht 3 ist beispielsweise p-dotiert, die zweite Halbleiterschicht 4 ist dann n-dotiert. Zwischen erster Halbleiterschicht 3 und zweiter Halbleiterschicht 4 ist die aktive Zone 2 angeordnet. Die aktive Zone ist zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung bei Bestromung der Leuchtdiode vorgesehen. Beispielsweise wird im Betrieb der Leuchtdiode von der aktiven Zone elektromagnetische

Strahlung aus dem Spektralbereich von UV-Strahlung und/oder blauem Licht emittiert. Der Halbleiterkörper 1 weist eine Strahlungsaustrittsfläche Ia auf, durch die zumindest ein Teil der im Betrieb in der aktiven Zone 2 erzeugten elektromagnetischen Strahlung den Halbleiterkörper 1 verlässt. Die Strahlungsaustrittsfläche 1 ist vorliegend durch eine Hauptfläche des Halbleiterkörpers 1 gebildet .

Die Leuchtdiode umfasst ferner eine erste Kontaktstelle 5a, die auf die Strahlungsaustrittsfläche Ia aufgebracht ist. Bei der ersten Kontaktstelle 5a handelt es sich beispielsweise um ein Bondpad, mittels dem die Leuchtdiode über einen Bonddraht elektrisch angeschlossen werden kann. Die zweite

Kontaktstelle 5b ist an der der ersten Kontaktstelle 5a gegenüberliegenden Seite des Halbleiterkörpers 1 ausgebildet und dient beispielsweise zur Lotkontaktierung der

Leuchtdiode .

Auf die Strahlungsaustrittsfläche Ia des Halbleiterkörpers 1 ist eine Haftvermittlungsschicht 6 aufgebracht, die ein Glas enthält oder aus einem Glas besteht. Vorliegend handelt es sich bei der Haftvermittlungsschicht 6 um ein Spin-On-Glas, in das Partikel eines Leuchtstoffes 9 eingebracht sind. Bei dem Leuchtstoff 9 handelt es sich beispielsweise um einen keramischen Leuchtstoff wie YAG:Ce.

Die Haftvermittlungsschicht 6 weist eine gleichmäßige Dicke Dl auf. Die Haftvermittlungsschicht vermittelt eine Haftung zwischen dem Halbleiterkörper 1 und einem Abdeckkörper 7. Der Abdeckkörper 7 ist keramisch ausgebildet. Vorliegend ist der Abdeckkörper 7 aus einem keramischen Material gebildet, in das Partikel eines Leuchtstoffes 8 eingebracht sind. Bei dem Leuchtstoff 8 kann es sich um einen organischen oder einen anorganischen Leuchtstoff handeln.

Die Haftvermittlungsschicht 6 vermittelt eine mechanische Haftung zwischen dem Halbleiterkörper 1 und dem Abdeckkörper 7. Darüber hinaus sorgt die Haftvermittlungsschicht 6 für eine gute thermische Anbindung des Abdeckkörpers 7 an den Halbleiterkörper 1. Schließlich passt sich die

Haftvermittlungsschicht 6 dem Brechungsindex zwischen

Halbleiterkörper 1 und Abdeckkörper 7 an. Das heißt, sie weist einen Brechungsindex auf, der beispielsweise zwischen den Brechungsindices von Halbleiterkörper 1 und Abdeckkörper 7 liegen kann. Abweichend vom in Verbindung mit der Figur 1 beschriebenen

Ausführungsbeispiel der Leuchtdiode ist es möglich, dass die Haftvermittlungsschicht 6 frei von einem Leuchtstoff ist. Die Haftvermittlungsschicht 6 ist dann beispielsweise klarsichtig ausgebildet oder weist Partikel eines lichtstreuenden

Materials wie Titanoxid auf.

Ferner ist es - abweichend vom Ausführungsbeispiel der Figur 1 - möglich, dass der Abdeckkörper 7 aus einem keramischen Leuchtstoff besteht.

In Verbindung mit der Figur 2 ist ein weiteres

Ausführungsbeispiel einer hier beschriebenen Leuchtdiode erläutert. Im Unterschied zum Ausführungsbeispiel der Figur 1 sind erste und zweite Kontaktstelle 5a, 5b an einer dem

Abdeckkörper 7 abgewandten Unterseite des Halbleiterkörpers 1 angeordnet. Dadurch ist es möglich, dass der Abdeckkörper 7 die Strahlungsaustrittsfläche Ia des Halbleiterkörpers 1 ganzflächig bedeckt. Im Ausführungsbeispiel der Figur 2 ist die

Haftvermittlungsschicht 6 frei von einem Leuchtstoff 9 und beispielsweise klarsichtig ausgebildet. Der Abdeckkörper 7 besteht aus dem keramischen Leuchtstoff 8. Abweichend vom in Verbindung mit der Figur 2 beschriebenen Ausführungsbeispiel ist es jedoch auch möglich, dass die Haftvermittlungsschicht 6 Partikel eines Leuchtstoffes 9 enthält und/oder der

Abdeckkörper 7 aus einem keramischen Material gebildet ist, das als Matrixmaterial für Partikel eines Leuchtstoffes 8 Verwendung findet.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2009 027 977.6, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den

Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.