「発光ダイオードパッケージの一例」
 以下、本発明の実施の形態の発光ダイオー� ��パッケージの一例について図面を参照して� ��明する。尚、以下の説明で参照する図は、� ��実施形態の発光ダイオードパッケージの構� ��を説明するためのものであり、図示される� ��部の大きさや厚さや寸法等は、実際の発光� ��イオードパッケージの寸法関係とは異なる� ��合がある。図1には、本実施形態の発光ダイ オードパッケージの一例を斜視図で示し、図 2には図1に示す発光ダイオードパッケージの� ��面模式図を示す。また、図3には図2のA-A’� �に対応する断面模式図を示し、図4には図2の B-B’線に対応する拡大断面模式図を示す。

 図1~図4に示す発光ダイオードパッケージ1 は、例えば照明装置として用いられるもので あり、複数の発光ダイオードチップ2と、発� �ダイオードチップ2が接続されるリード群3(� �ード群構造)と、リード群3を一体に保持する 絶縁構造体4とから概略構成されている。絶� �構造体4には凹部41が設けられており、この� �部41内に発光ダイオードチップ2が封止され� �透明封止樹脂41aで保護されている。これに� �り、凹部41を通じて発光ダイオードチップ2� �らの光を取り出せるようになっている。

 発光ダイオードチップ2は、半導体発光層 と、半導体発光層の上に配置されたp電極2bと 、p電極2bと平面的に離間して配置されたn電� �2cとを備えている。p電極2bは、後述するp型� �導体層に接続されており、一方、n電極2cは� �n型半導体層に接続されている。発光ダイオ� ��ドチップ2のサイズは特に限定されないが、 0.1mm~30mm角の大きさが好ましい。

 半導体発光層は、基板上にn型半導体層と発 光層とp型半導体層とを備えたものである。� �発明における基板材料としては、サファイ� �単結晶、スピネル単結晶、ZnO単結晶、LiAlO ₂ 単結晶、LiGaO ₂ 単結晶、MgO単結晶などの酸化物単結晶、Si単� ��晶、SiC単結晶、GaAs単結晶、GaP結晶、AlN単結 晶、GaN単結晶およびZrB ₂ などのホウ化物単結晶などの導電性材料を用 いることができる。また、ガラスなどの別基 板に半導体発光素子を載せた形態も用いるこ とができる。

 n型半導体層、発光層、p型半導体層は、例� �ば、As系、P系、窒化物系の半導体を用いる� �とができる。窒化物系半導体としては、例� �ば、一般式Al _x Ga _y In _z N _1-a M _a (0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1で且つ、x+y+z=1。記� ��Mは窒素(N)とは別の第V族元素を表し、0≦a< ;1である。)で表わされる窒化物系半導体を用 いることができる。窒化物系半導体は、Al、G aおよびIn以外に他のIII族元素を含有すること ができ、必要に応じてGe、Si、Mg、Ca、Zn、Be、 PおよびAsなどの元素を含有することもできる 。さらに、意識的に添加した元素に限らず、 成膜条件等に依存して必然的に含まれる不純 物、並びに原料、反応管材質に含まれる微量 不純物を含む場合もある。

 n型半導体層は、通常、下地層、nコンタク� �層およびnクラッド層から構成される。
 nコンタクト層は下地層および/またはnクラ� ��ド層を兼ねることができる。下地層はAl _x Ga _1-x N層(0≦x≦1、好ましくは0≦x≦0.5、さらに好� �しくは0≦x≦0.1)から構成されることが好ま� �い。nコンタクト層としては、下地層と同様� ��Al _x Ga _1-x N層(0≦x≦1、好ましくは0≦x≦0.5、さらに好� �しくは0≦x≦0.1)から構成されることが好ま� �い。また、nコンタクト層を構成する窒化物� ��半導体は、下地層と同一組成であることが� ��ましい。
 nコンタクト層と発光層との間には、nクラ� �ド層を設けることが好ましい。nクラッド層� ��AlGaN、GaN、GaInNなどで形成することが可能で ある。また、これらの構造のヘテロ接合や複 数回積層した超格子構造としてもよい。

 発光層としては、好ましくはGa _1-s In _s N(0<s<1)の窒化物系半導体からなる発光層� ��用いられる。発光層は、単一量子井戸(SQW)� �造の他に、上記Ga _1-s In _s Nを井戸層として、この井戸層よりバンドギ� �ップエネルギーが大きいAl _c Ga _1-c N(0≦c≦1)障壁層とからなる多重量子井戸(MQW)� ��造としてもよい。

 p型半導体層は、通常、pクラッド層およびp� ��ンタクト層から構成される。pクラッド層は 、Al _d Ga _1-d N(0<d≦1、好ましくは0.1≦d≦0.3)から構成さ� ��ることが好ましい。pコンタクト層は、少な くともAl _e Ga _1-e N(0≦e<1、好ましくは0≦e≦0.2、より好まし� ��は0≦e≦0.1)を含んでなる窒化物系半導体層� ��ら構成される。

 発光ダイオードチップ2におけるp電極2bおよ びn電極2cの配置は、特に限定されず、例えば 、図2に示すように、p電極2bおよびn電極2cが� �発光ダイオードチップ2の対向する二辺の中� ��線上に配置されていても良いし、発光ダイ� ��ードチップ2の対角線上に配置されていても よい。また、p電極2bおよびn電極2cの平面形状 は、ワイヤボンディングが可能な面積を有し ていればいかなる形状であってもよく、図2� �示すように、円形状とすることができる。
 p電極2bおよびn電極2cとしては、Au,Al,Niおよ� �Cu等の材料を用いることができる。

 次に、リード群3は、一方の外部リード31と� ��他方の外部リード32と、2つの補助リード33� �から構成されている。各リード31~33は、略立 方体状の絶縁構造体4によって相互に絶縁さ� �た状態で一体化されている。また、各リー� �31~33は、例えば、厚み0.1~0.2μm程度のCuやCu系� ��金、Fe系合金、あるいはNiなどの素地金属の 上にAu或いはAg等の貴金属メッキを施した金� �材からなる薄板を所定の形状に打ち抜いて� �成される。
 一方の外部リード31は、一部が絶縁構造体4� ��一方の側壁面42から突き出された端子部31a� �、端子部31aから絶縁構造体4の内部に向けて� ��出形成された帯状の素子載置部31bとから構� ��されている。この帯状の素子載置部31bには� ��その長手方向に沿って3つの発光ダイオード チップ2が一列に並んで載置されている。発� �ダイオードチップ2は、p電極2bおよびn電極2c� ��上にして素子載置部31bに載置されている。
換言すると、発光ダイオードチップ2は、半� �体発光層を構成する絶縁性の基板を素子載� �部31bに接触させた状態で素子載置部31bに載� �されている。なお、素子載置部31bの厚みを� �端子部31aの厚みより大きくすることで、素� �載置部31bにヒートシンク機能を付与しても� �い。
 次に、他方の外部リード32は、絶縁構造体4� ��他方の側壁面43から突き出された端子部32a� �、端子部32aから絶縁構造体4の内部に向けて� ��出形成された帯状の内部端子部32bとから構� ��されている。内部端子部32bは、先の素子載� ��部31bの長手方向の延長上に配置されており� ��内部端子部32bおよび素子載置部31bの各先端� ��相互に近接した状態になっている。そして� ��内部端子部32bと素子載置部31bとの間には、� ��電破壊防止用のツェナーダイオード8が取り 付けられている。
 また、各外部リード31、32の各端子部31a、32a は、側壁面42、43から突き出された部分を除� �、絶縁構造体4に埋め込まれた状態になって� ��る。また、各端子部31a、32aのうち、側壁面4 2、43から突き出された部分は、絶縁構造体4� �底面に向けてそれぞれ折り曲げられている� �

 次に、補助リード33は、素子載置部31bの� �手方向両側に配置されている。この補助リ� �ド33は、図2に示すように帯状の部材であり� �素子載置部31bの長手方向と交差する方向に� �って延在しており、一端33a側が絶縁構造体4� ��よって埋め込まれ、他端33b側が素子載置部3 1bを側方から臨む位置に配置されている。ま� ��、補助リード33の数は、発光ダイオードチ� �プ2の数よりも1つ少ない数であればよい。発 光ダイオードチップ2が3つであれば、補助リ� ��ド33は2つあればよい。

 次に、素子載置部31b上に載置された発光ダ� ��オードチップ2と、各リード31~33との接続状� ��ついて説明する。
 まず、一列に配列された3つの発光ダイオー ドチップ2のうち、一方の外部リード31の端子 部31a寄りに配置された発光ダイオードチップ 2Aのp電極2bは、ボンディングワイヤ51aを介し� ��素子載置部31bに導電接続されている。また� ��発光ダイオードチップ2Aのn電極2cは、ボン� �ィングワイヤ51bを介して一方の補助リード33 Aに導電接続されている。
 また、中央に配置された発光ダイオードチ� ��プ2Bのp電極2bは、ボンディングワイヤ51cを� �して補助リード33Aに導電接続されている。� �た、発光ダイオードチップ2Bのn電極2cは、ボ ンディングワイヤ51dを介して他方の補助リー ド33Bに導電接続されている。
 更に、他方の外部リード32寄りに配置され� �発光ダイオードチップ2Cのp電極2bは、ボンデ ィングワイヤ51eを介して他方の補助リード33B に導電接続されている。
 また、発光ダイオードチップ2Cのn電極2cは� �ボンディングワイヤ51fを介して他方の外部� �ード32の内部端子部32bに導電接続されている 。

 以上のように、発光ダイオードチップ2A~2C� �、リード群3を構成する各リード31~33とは、� �ンディングワイヤ51a~51fを介して、外部リー� ��31、発光ダイオードチップ2A、補助リード33A 、発光ダイオードチップ2B、補助リード33B、� ��光ダイオードチップ2C、外部リード32、の順 に直列に導電接続されている。
 すなわち、発光ダイオードチップ2A~2Cが直� �接続されてダイオード群2Dが構成され、この ダイオード群2Dの両端に外部リード31、32が導 電接続され、ダイオード群2Dを構成する各発� ��ダイオードチップ2A~2Cの間に、補助リード33 A、33Bが導電接続される関係になっている。� �光ダイオードチップ2A~2Cの間に導電接続され る補助リード33A、33Bは、帯状の素子載置部31b の幅方向両側に配置されており、これにより 、発光ダイオードチップ2A~2C同士を近接して� ��置することが可能になっている。補助リー� ��33A、33Bは、素子載置部31bの幅方向片側に配� ��してもよいが、この場合、発光ダイオード� ��ップ2のp電極2bおよびn電極2cから引き出され るボンディングワイヤ51b~51eの引出方向が同� �向きになり、隣接するボンディングワイヤ� �士が接触して短絡するおそれがあることか� �、好ましくは素子載置部31bの幅方向両側に� �助リード33A、33Bを配置するのがよい。

 次に、絶縁構造体4は、リード群3をその� �み方向両側から挟む上部封止部44および下部 封止部45とから構成されている。上部封止部4 4および下部封止部45は、リード群3を構成す� �各リード31~33を挟み、かつ、各リード31~33の� ��において相互に接合されている。上部封止� ��44および下部封止部45は、モールド形成やイ ンサート成形された絶縁性樹脂、例えば、ポ リフタルアミドなどのアミド樹脂、イミド樹 脂、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレン サルファイド(PPS)、液晶ポリマー(LCP)、ABS樹� �、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリ� �樹脂、PBT樹脂、ガラスエポキシ等からなる� �のとすることができる。

 上部封止部44には、凹部41が形成されており 、この凹部41を区画する壁面が反射面46とさ� �ている。反射面46は、白色の拡散反射面、望 ましくは光沢反射面、更に好ましくは鏡面反 射面である。凹部41の平面視形状は、発光ダ� ��オードチップ2の配列方向に長軸が沿う略楕 円形状とされている。また、上部封止部44が� ��ード群3の上側、すなわち発光ダイオードチ ップ2側に配置されることによって、発光ダ� �オードチップ2が凹部41の内部に配置され、� �れにより発光ダイオードチップ2が反射面46� �よって囲まれた状態になっている。また、� �部41には、透明の封止樹脂41aが充填されてい る。
封止樹脂41aには蛍光体を含有させてもよい。 例えば、発光ダイオードチップ2が青色発光� �イオードチップの場合は、封止樹脂41aに黄� �蛍光体を含有させることで、白色光を得る� �とができる。

 反射面46は、図1~図4に示すように、一対の� �回転放物面46aと、半回転放物面46a同士の間� �配置された放物柱面46bとから構成されてい� �。図1および図2においては、半回転放物面46a と放物柱面46bとの境界線を一点鎖線によって 表示しており、この境界線において半回転放 物面46aと放物柱面46bとが相互に連続している 。
 ここで半回転放物面46aとは、いわゆる回転� ��物面が、その回転中心軸を含む平面によっ� ��二分割されてなる面である。また図3に示す ように、この半回転放物面46aは、y=ax ² の式(ただしaは1/10~1の範囲であり、より好ま� ��くは1/3である)で表される放物曲線L ₁ に沿って形成された面である。
 また図4に示すように、放物柱面46bは、y=bx ² の式(ただしbはaと同じ値であって1/10~1の範囲 であり、より好ましくは1/3である)で表され� �放物曲線L ₂ に沿って形成された略帯状の面である。放物 柱面46bの幅wは、発光ダイオードチップ2のサ� ��ズ及び発光ダイオードチップ2同士の間隔に よって適宜設定されるが、例えば1mm角のサイ ズの発光ダイオードチップを使用した場合は 1.0mm~2.5mmの範囲に設定することが好ましい。

 また、上部封止部44の厚みは、換言する� �光の出射方向に沿う反射面46の高さは、発光 ダイオードチップ2のサイズ及び発光ダイオ� �ドチップ2同士の間隔によって適宜設定され� ��が、例えば5.0mm~20.0mmの範囲に設定すること� ��好ましい。

 次に、反射面46の焦点と発光ダイオードチ� �プ2との配置関係について説明する。本実施� ��態における反射面46には3つの焦点F ₁ ~F ₃ が存在し、各焦点F ₁ ~F ₃ に発光ダイオードチップ2が配置されている� �本実施形態における反射面46は、上述のよう に一対の半回転放物面46aと放物柱面46bとから 構成されるが、各半回転放物面46aにそれぞれ 一カ所づつ、合計で2カ所に焦点F ₁ 、F ₂ が存在する。この2カ所の焦点F ₁ 、F ₂ は、半回転放物面46aの基礎になる回転放物面 の焦点に対応するものである。すなわち、回 転放物面の焦点は元来、その頂点から回転中 心軸に沿って所定の間隔をあけて離れた箇所 に位置しているところ、この回転中心軸を含 む平面に沿って二分割することによって半回 転放物面46a、46aが構成されることで、回転放 物面における焦点がそれぞれ焦点F ₁ 、F ₂ に対応したものになる。
 次に、放物柱面46bに対応する焦点F ₃ は、2つの焦点F ₁ 、F ₂ を結ぶ線分の間に位置している。この各焦点 に設置される発光ダイオードチップは、発光 層をこの線上に一致させることが好ましい。
 以上のように、各発光ダイオードチップ2は 、一対の半回転放物面46aの焦点F ₁ 、F ₂ 同士を結ぶ直線上に等間隔に配置されており 、3つのうち2つの発光ダイオードチップ2A、2C が半回転放物面46aの各焦点F ₁ 、F ₂ に配置され、残りの発光ダイオードチップ2B� ��焦点F ₁ 、F ₂ の間にある焦点F ₃ に配置される。
 各発光ダイオードチップ2の間隔は、発光ダ イオードチップ2のサイズによって適宜設定� �れるが、例えば1mm角のサイズの発光ダイオ� �ドチップを使用した場合の各ダイオードの� �隔は0.5mm~1.5mmの範囲に設定することが好まし い。

 上記の発光ダイオードパッケージ1において 、反射面46の各焦点F ₁ ~F ₃ に配置された発光ダイオードチップ2を発光� �せると、光が反射面46を構成する半回転放物 面46a及び放物柱面46bによって反射され、ほぼ 平行光となって効率良く封止樹脂から出射さ れる。出射光からなる光束の光量は、その照 射面全面においてほぼ均一であり、しかも光 源となる発光ダイオードチップの数が3つの� �あるので、光量自体も大きくなる。

「発光ダイオードパッケージの製造方法」
 本実施形態の発光ダイオードパッケージ1は 、例えば、以下のようにして製造することが できる。
 まず、発光ダイオードチップ2を製造する。 すなわち、基板上に、n型半導体層と発光層� �p型半導体層とを、スパッタリング法、MOCVD(� ��機金属化学気相成長法)、HVPE(ハイドライド� ��相成長法)、MBE(分子線エピタキシー法)など� ��用いて形成することにより半導体発光層を� ��成し、得られた半導体発光層の上に、フォ� ��リソグラフィー技術及びリフトオフ技術を� ��いて、p電極2bとn電極2cとを形成することに� ��り発光ダイオードチップ2とする。

 次に、リードフレームの製造方法について� ��明する。金属板を打ち抜くことにより、一� ��の外部リード31、他方の外部リード32、補助 リード33A、33Bとなる複数の図5に示す基本単� �形状34を有する図6に示すリードフレーム35を 形成する。図5において、符号35aは一方の外� �リード31となる部分であり、符号35bは他方の 外部リード32となる部分であり、符号35cは補� ��リード33Aとなる部分であり、符号35dは補助� ��ード33Bとなる部分である。
 次に、図5に示すリードフレーム35に絶縁構� ��体4の上部封止部44および下部封止部45とな� �樹脂材料をモールド形成して、凹部41を有す る絶縁構造体4、一方の外部リード31、他方の 外部リード32、補助リード33A、33Bの形成され� ��複数の図7に示す基本単位形状36を有する図8 に示すモールドリードフレーム37を形成する� ��

 次に、モールドリードフレーム37の凹部41か ら露出する一方の外部リード31の素子載置部3 1bに、3つの発光ダイオードチップ2を素子載� �部31bの長手方向に沿って一列に実装する。
 次に、ワイヤボンディングにより、一方の� ��部リード31の端子部31a寄りに配置された発� �ダイオードチップ2Aのp電極2bと、素子載置部 31bとを、ボンディングワイヤ51aによって導電 接続するとともに、発光ダイオードチップ2A� ��n電極2cと、補助リード33Aとを、ボンディン� ��ワイヤ51bによって導電接続する。
 続いて、中央に配置された発光ダイオード� ��ップ2Bのp電極2bと、補助リード33Aとを、ボ� �ディングワイヤ51cによって導電接続すると� �もに、発光ダイオードチップ2Bのn電極2cと、 補助リード33Bとを、ボンディングワイヤ51dに よって導電接続する。
 続いて、他方の外部リード32寄りに配置さ� �た発光ダイオードチップ2Cのp電極2bと、補助 リード33Bとを、ボンディングワイヤ51eによっ て導電接続するとともに、発光ダイオードチ ップ2Cのn電極2cと、他方の外部リード32の内� �端子部32bとを、ボンディングワイヤ51fによ� �て導電接続する。
 その後、凹部41内に、封止樹脂41aを充填し� �モールドリードフレーム37を切断して個々の 発光ダイオードパッケージとすることで、本 実施形態の発光ダイオードパッケージが得ら れる。

 以上説明したように、上記の発光ダイオー� ��パッケージ1によれば、発光ダイオードチッ プ2同士を接続する補助リード33が、発光ダイ オードチップ2からなる列の片側または両側� �配置されているので、発光ダイオードチッ� �2同士の間隔を狭くすることができ、これに� ��り、発光ダイオードパッケージ1において平 行光を創出しやすくなり、光取り出し効率や 集光効率を向上できると共に、発光ダイオー ドパッケージ1を小型化できる。
また、発光ダイオードチップ2が一列に配列� �れているので、発光ダイオードパッケージ1� ��おける平行光の創出能がより向上し、集光� ��率を更に高めることができる。
 更に、ダイオード群2Dの外部端子となる一� �の外部リード31上に発光ダイオードチップ2� �載置されているので、発光ダイオードチッ� �2を載置する部材を別個に設ける必要がなく� ��部品点数が削減され、発光ダイオードパッ� ��ージ1を更に小型化できる。
 また、発光ダイオードチップ2のp電極2bおよ びn電極2cが素子載置部31b側とは反対側に向け られ、かつp電極2bおよびn電極2cがボンディン グワイヤ51b~51eで補助リード33A、33Bに接続さ� �るので、pおよびn電極2b、2cが素子載置部31b� �絶縁され、かつ補助リード33A、33Bとは導通� �れた状態になり、これにより各発光ダイオ� �ドチップ2を同時に点灯させることができる� ��
 更に、素子載置部31bの先端が、他方の外部� ��ード32寄りに配置されているので、素子載� �部31bを含む一方の外部リード31と他方の外部 リード32との間に、保護回路等を容易に取り� ��けることができる。
 更にまた、素子載置部31bの先端と他方の外� ��リード32との間に、ツェナーダイオード8が� ��り付けられているので、静電破壊を防止す� ��ことができる。
 また、リード群3を保持する絶縁構造体4が� �えられ、この絶縁構造体4にはダイオード群2 Dを露出させる凹部41が設けられているので、 一対の外部リード31、32および補助リード33,33 を絶縁状態で一体化するとともに、凹部41を� ��じて光を取り出すことができる。
 更に、本発明の発光ダイオードパッケージ1 によれば、凹部41の平面視形状が発光ダイオ� ��ドチップ2の配列方向に長軸が沿う略楕円形 状であり、かつ内面が放物面形状なので、発 光ダイオードパッケージ1を発光させて所定� �照射対象面に光を照射した場合に、出射光� �平行光となり、光照射面には高輝度部が1つ� ��け形成され、集光効率を高めることができ� ��。

「発光ダイオードパッケージの別の例」
 次に、本実施形態の発光ダイオードパッケ� ��ジの別の例について図面を参照して説明す� ��。図9には、発光ダイオードパッケージの別 の例を平面模式図で示す。なお、図9に示す� �成要素のうち、図1~4に示す構成要素と同一� �構成要素には、図1~4と同一の符号を付して� �る。発光ダイオードチップ102の構成は、先� �発光ダイオードチップ2と同様であり、p電極 102bおよびn電極102cが備えられている。

 リード群103は、一方の外部リード131と、他� ��の外部リード132と、3つの補助リード133とか ら構成されている。各リード131~133は、絶縁� �造体4によって相互に絶縁された状態で一体� ��されている。また、各リード131~133は、先の リード群3の場合と同様に、各種の金属材か� �なる薄板を所定の形状に打ち抜いて形成さ� �る。
 一方の外部リード131は、一部が絶縁構造体4 の一方の側壁面42から突き出された端子部131a と、端子部131aから絶縁構造体4の内部に向け� ��延出形成された帯状の素子載置部131bとから 構成されている。この帯状の素子載置部131b� �は、その長手方向に沿って4つの発光ダイオ� ��ドチップ102が一列に並んで載置されている� ��
 次に、他方の外部リード132は、絶縁構造体4 の他方の側壁面43から突き出された端子部132a と、端子部132aから絶縁構造体4の内部に向け� ��延出形成された帯状の内部端子部132bとから 構成されている。内部端子部132bは、先の内� �端子部32bと同様に、素子載置部131bの長手方� ��の延長上に配置されており、内部端子部132b および素子載置部131bの各先端が相互に近接� �た状態になっている。
 また、各外部リード131、132の各端子部131a、 132aは、側壁面42、43から突き出された部分を� ��き、絶縁構造体4に埋め込まれた状態になっ ている。

 次に、補助リード133は、素子載置部131bの 長手方向片側に2つ、反対側に1つ、合計で3つ 配置されている。各補助リード133の位置は、 素子載置部131bを挟んでオフセットされてい� �。この補助リード133は、図9に示すように帯� ��の部材であり、素子載置部131bの長手方向と 交差する方向に沿って延在し、一端133a側が� �縁構造体4によって埋め込まれ、他端133b側が 素子載置部131bを側方から臨む位置に配置さ� �ている。

 次に、素子載置部131b上に載置された発光ダ イオードチップ102と、各リード131~133との接� �状態ついて説明する。
 まず、一列に配列された4つの発光ダイオー ドチップ102のうち、一方の外部リード131の端 子部131a寄りに配置された発光ダイオードチ� �プ102Aのp電極102bは、ボンディングワイヤ151a� ��介して素子載置部131bに導電接続されている 。
また、発光ダイオードチップ102Aのn電極102cは 、ボンディングワイヤ151bを介して補助リー� �133Aに導電接続されている。
 また、発光ダイオードチップ102Aの隣に配置 された発光ダイオードチップ102Bのp電極102bは 、ボンディングワイヤ151cを介して補助リー� �133Aに導電接続されている。また、発光ダイ� ��ードチップ102Bのn電極102cは、ボンディング� ��イヤ151dを介して、補助リード133Aの反対側� �配置された別の補助リード133Bに導電接続さ� ��ている。
 更に、発光ダイオードチップ102Bの隣に配置 された発光ダイオードチップ102Cのp電極102bは 、ボンディングワイヤ151eを介して補助リー� �133Bに導電接続されている。また、発光ダイ� ��ードチップ102Cのn電極102cは、ボンディング� ��イヤ151fを介して、補助リード133Aと同じ側� �配置された他の補助リード133Cに導電接続さ� ��ている。
 そして、他方の外部リード132寄りに配置さ� ��た発光ダイオードチップ102Dのp電極102bは、� ��ンディングワイヤ151gを介して他の補助リー ド133Cに導電接続されている。また、発光ダ� �オードチップ102Dのn電極102cは、ボンディン� �ワイヤ151hを介して他方の外部リード132の内� ��端子部132bに導電接続されている。

 以上のように、発光ダイオードチップ102A~10 2Dと、リード群103を構成する各リード131~133と は、ボンディングワイヤ151a~151hを介して、外 部リード131、発光ダイオードチップ102A、補� �リード133A、発光ダイオードチップ102B、補助 リード133B、発光ダイオードチップ102C、補助� ��ード133C、発光ダイオードチップ102D、外部� �ード132、の順に直列に導電接続されている� �
 すなわち、発光ダイオードチップ102A~102Dが� ��列接続されてダイオード群102Eが構成され、 このダイオード群102Eの両端に外部リード131� �132が導電接続され、ダイオード群102Eを構成� ��る各発光ダイオードチップ102A~102Dの間に、� ��助リード133A~133Cが導電接続される関係にな� ��ている。補助リード133A~133Cは、素子載置部1 31bの幅方向両側に配置されており、これによ り、発光ダイオードチップ102A~102D同士を近接 して配置することが可能になる。
補助リード133A~133Cは、素子載置部131bの幅方� �片側に配置してもよいが、先の発光ダイオ� �ドパッケージ1と同様に理由により、好まし� ��は素子載置部131bの幅方向両側に補助リード 33A~133Cを配置するのがよい。

 上記の発光ダイオードパッケージ101によ� ��ば、発光ダイオードチップ102の数が先の発� ��ダイオードパッケージ1の発光ダイオードチ ップ数よりも多いので、光量をより増大する ことができる。

「発光ダイオードパッケージの更に別の例」
 図10には、3つの発光ダイオードチップ202を� ��れぞれ並列に接続した発光ダイオードパッ� ��ージ201の平面模式図を示す。この発光ダイ� ��ードパッケージ201は、8つの発光ダイオード チップを直列に接続する際に用いるリード群 を備えている。このリード群は、一対の外部 リード231、232と、7つの補助リード233とから� �成されている。そして、7つの補助リードの� ��ち、6つの補助リードが発光ダイオードチッ プ202の端子として用いられている。従って、 発光ダイオードチップ202を駆動する際には、 この6つの補助リードを電源に接続して電流� �流せばよい。
 このように、本発明のリード群構造によれ� ��、発光ダイオードを直列に接続できるのは� ��ちろん、発光ダイオードを並列に接続する� ��ともできる。
 また、リードフレームとパッケージ形状を� ��通化できるので、コスト低減にも好適であ� ��。