Login| Sign Up| Help| Contact|

Patent Searching and Data


Title:
LIGHT SOURCE
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2017/207500
Kind Code:
A1
Abstract:
In one embodiment, the light source (1) comprises a first semiconductor emitter (21) for generating first light and a second semiconductor emitter (22) for generating second light having a different color. The first and the second light are mixed in a light-mixing body (3), such that a mixed light occurs. A detector (4) is arranged on the light-mixing body (3) and is configured for determining a color coordinate of the mixed light. The semiconductor emitters (21, 22) are arranged along a line (L) and are at different distances to the detector (4). The light-mixing body (3) is arranged on side surfaces (25) of the semiconductor emitters (21, 22) and at least partially covers each of the side surfaces (25), as seen in projection on the corresponding side surface (25), such that the detector (4) receives the same quantity of light from each of the semiconductor emitters (21, 22) mediated by the light-mixing body (3) and/or passing through the light-mixing body (3).

Inventors:
SINGER, Frank (Telemannstr. 104, Regenstauf, 93128, DE)
LINKOV, Alexander (Paarstr. 61b, Regensburg, 93059, DE)
ILLEK, Stefan (Bayerwaldstr. 45, Donaustauf, 93093, DE)
BUTENDEICH, Rainer (St.-Joseph-Str. 10, Regensburg, 93059, DE)
KOLLER, Christoph (Mönchsbergweg 9, Hemau, 93155, DE)
SCHWARZ, Thomas (Steinfederweg 4, Regensburg, 93055, DE)
Application Number:
EP2017/062914
Publication Date:
December 07, 2017
Filing Date:
May 29, 2017
Export Citation:
Click for automatic bibliography generation   Help
Assignee:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH (Leibnizstr. 4, Regensburg, 93055, DE)
International Classes:
F21V8/00; F21K9/61; H01L25/16; H05B33/08; F21Y115/10
Foreign References:
US20080048095A12008-02-28
DE102010043296A12012-05-03
DE102013112906A12015-05-28
US20090212709A12009-08-27
Other References:
None
Attorney, Agent or Firm:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH (Schloßschmidstr. 5, München, 80639, DE)
Download PDF:
Claims:
Patentansprüche

Lichtquelle (1) mit

- mindestens einem ersten Halbleiteremitter (21) zur Erzeugung von erstem Licht,

- mindestens einem zweiten Halbleiteremitter (22) zur Erzeugung von zweitem Licht, das eine andere Farbe aufweist als das erste Licht,

- einem Lichtmischkörper (3) , in dem das erste und das zweite Licht durchmischt werden, sodass ein Mischlicht entsteht, und

- einem Detektor (4) an dem Lichtmischkörper (3) zur Bestimmung eines Farborts des Mischlichts,

wobei

- die Halbleiteremitter (21, 22) entlang einer Linie (L) angeordnet sind und unterschiedliche Abstände zu dem Detektor (4) aufweisen, und

- der Lichtmischkörper (3) an Seitenflächen (25) der Halbleiteremitter (21, 22) angeordnet ist und in

Projektion auf die Seitenflächen (25) gesehen jede der Seitenflächen (25) mindestens teilweise bedeckt, sodass der Detektor (4) von jedem der Halbleiteremitter (21, 22) durch den Lichtmischkörper (3) hindurch Licht empfängt .

Lichtquelle (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei der Lichtmischkörper (3) die Seitenflächen (25) der Halbleiteremitter (21, 22) unterschiedlich stark bedeckt, sodass der Detektor (4) von jedem der

Halbleiteremitter (21, 22) durch den Lichtmischkörper (3) gleich starkes Licht empfängt. Lichtquelle (1) nach einem der vorhergehenden

Ansprüche, wobei

- die Halbleiteremitter (21, 22) und der genau eine Detektor (4) in einer gemeinsamen Ebene auf einem Träger (7) angebracht sind und der Träger (7) eine Leiterplatte ist,

- die Linie (L) gerade verläuft und sich der Detektor

(4) neben der Linie (L) befindet und von dem

Lichtabstrahlkörper (5) beabstandet ist, und

- mit zunehmendem Abstand zu dem Detektor (4) ein Anteil der Seitenfläche (25) der zugehörigen

Halbleiteremitter (21, 22), der von dem

Lichtmischkörper (3) bedeckt ist, zunimmt.

Lichtquelle (1) nach einem der vorhergehenden

Ansprüche,

ferner umfassend mindestens einen Lichtabstrahlkörper

(5) zur Abstrahlung des ersten und zweiten Lichts, wobei der Lichtmischkörper (3) aus einem ersten

Material mit einem ersten Brechungsindex und der

Lichtabstrahlkörper (5) aus einem zweiten Material mit einem zweiten, niedrigeren Brechungsindex erzeugt ist.

Lichtquelle (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei der erste Brechungsindex zwischen einschließlich 1,52 und 1,75 und der zweite Brechungsindex zwischen einschließlich 1,30 und 1,45 liegt,

wobei es sich bei dem Mischlicht um weißes Licht mit einer korrelierten Farbtemperatur zwischen

einschließlich 2500 K und 6000 K handelt, und

wobei die Lichtquelle (1) außerdem mindestens einen dritten Halbleiteremitter (24) zur Erzeugung von drittem Licht sowie mindestens einen vierten Halbleiteremitter (24) zur Erzeugung von viertem Licht umfasst und das erste, zweite, dritte und vierte Licht je eine andere Farbe aufweisen.

Lichtquelle (1) nach einem der vorhergehenden

Ansprüche,

ferner umfassend ein Verbindungsmittel (6),

wobei das Verbindungsmittel (6) einen Brechungsindex aufweist, der um höchstens 0,2 von dem Brechungsindex des Lichtmischkörper (3) abweicht, und

wobei sich zwischen den Halbleiteremittern (21, 22) und dem Lichtmischkörper (3) einerseits sowie zwischen dem Lichtmischkörper (3) und dem Detektor (4) andererseits lediglich das Verbindungsmittel (6) befindet.

Lichtquelle (1) nach einem der vorhergehenden

Ansprüche,

wobei der Lichtmischkörper (3) eine polygonale

Querschnittsfläche aufweist,

wobei eine den Halbleiteremittern (21, 22) abgewandte Seite des Lichtmischkörpers (3) schräg zu den

zugehörigen Seitenflächen (25) der Halbleiteremitter (21, 22) ausgerichtet ist.

Lichtquelle (1) nach einem der vorhergehenden

Ansprüche,

wobei sich, in Draufsicht gesehen, der Lichtmischkörper (3) in Richtung weg von dem Detektor (4) kontinuierlich oder stufenweise verbreitert, und

wobei Stirnflächen (35) und/oder eine Bodenseite (32) des Lichtmischkörpers (3) verspiegelt sind.

Lichtquelle (1) nach einem der vorhergehenden

Ansprüche, wobei der Lichtmischkörper (3) als Keil, als Pyramide, als Pyramidenstumpf, als Doppelkeil oder als

Doppelpyramidenstumpf gestaltet ist,

wobei der Lichtmischkörper (3) keine Symmetrieebene entlang der Linie (L) und keine oder nur eine

Symmetrieebene senkrecht zur Linie (L) aufzeigt.

Lichtquelle (1) nach einem der vorhergehenden

Ansprüche,

ferner umfassend ein Einkoppelprisma (38),

wobei sich das Einkoppelprisma (38) auf dem Detektor (4) und neben dem Lichtmischkörper (3) sowie neben den Halbleiteremittern (21, 22) befindet, in Draufsicht gesehen,

wobei das Einkoppelprisma (38) durch das

Verbindungsmittel (6) optisch an den Lichtmischkörper

(3) angekoppelt ist und eine dem Lichtmischkörper (3) abgewandte Fläche des Einkoppelprismas (38) verspiegelt ist oder das Einkoppelprisma (38) dazu eingerichtet ist, über Totalreflexion Licht zu dem Lichtmischkörper

(3) zu führen.

Lichtquelle (1) nach einem der vorhergehenden

Ansprüche,

wobei an dem Lichtmischkörper (3) zumindest ein

Stabilisierungskörper (37) angebracht ist, sodass der Lichtmischkörper (3) zusammen mit dem

Stabilisierungskörper (37) mechanisch selbsttragend ist,

wobei der Stabilisierungskörper (37) optisch von dem Lichtmischkörper (3) separiert ist und der

Lichtmischkörper (3) zusammen mit dem

Stabilisierungskörper (37) wie ein Quader, ein Doppelquader, ein Prisma, ein Doppelprisma, eine

Pyramide oder eine Doppelpyramide geformt ist.

12. Lichtquelle (1) nach einem der vorhergehenden

Ansprüche,

umfassend zwei Lichtmischkörper (3) ,

wobei sich beiderseits der Linie (L) je einer der

Lichtmischkörper (3) befindet, sodass jeweils zwei Seitenflächen (25) der Halbleiteremitter (21, 22) von den Lichtmischkörpern (3) bedeckt sind. 13. Lichtquelle (1) nach einem der vorhergehenden

Ansprüche,

ferner umfassend eine Ansteuereinheit (8), wobei die Ansteuereinheit (8) dazu eingerichtet ist, bei einem Ausfall einzelner Halbeiteremitter (21, 22, 23, 24) die verbleibenden Halbleiteremitter (21, 22, 23, 24) derart anhand eines Signals von dem Detektor (4) nachzuregeln, sodass trotz des Ausfalls einzelner Halbeiteremitter (21, 22, 23) ein Farbort des Mischlichts um höchstens 0,01 Einheiten in der CIE-xy-Farbtafel verändert wird.

Lichtquelle (1) nach einem der vorhergehenden

Ansprüche,

die eine Länge zwischen einschließlich 80 mm und 800 mm aufweist und die mechanisch starr ist,

wobei die Lichtquelle (1) insgesamt mindestens 15 und höchstens 130 der Halbleiteremitter (21, 22, 23, 24) umfasst ,

wobei mindestens fünf erste Halbleiteremitter (21) und mindestens fünf zweite Halbleiteremitter (22) vorhanden sind, und

wobei es sich bei allen Halbleiteremittern (21, 22) um Volumenemitter handelt, die an mindestens fünf Seiten Licht emittieren.

Description:
Beschreibung

Lichtquelle Es wird eine Lichtquelle angegeben.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, eine Lichtquelle anzugeben, die stabil Mischfarbe eines bestimmten Farborts emittiert .

Diese Aufgabe wird unter anderem durch eine Lichtquelle mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Bevorzugte

Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die Lichtquelle mindestens einen ersten Halbleiteremitter zur Erzeugung von erstem Licht und mindestens einen zweiten Halbleiteremitter zur Erzeugung von zweitem Licht auf. Dabei haben das erste Licht und das zweite Licht voneinander verschiedene Farben. Bevorzugt sind jeweils mehrere der ersten Halbleiteremitter und mehrere der zweiten Halbleiteremitter vorhanden. Bei den Halbleiteremittern handelt es sich insbesondere um

Leuchtdioden, kurz LEDs. Es können alle lichterzeugenden Komponenten der Lichtquelle durch Leuchtdioden gebildet sein. Die Halbleiteremitter können je als lichterzeugende

Komponente aus einem Halbleiterchip, insbesondere einem

Leuchtdiodenchip, bestehen. Ebenso ist es möglich, dass die Halbleiteremitter als lichterzeugende Komponente aus einem Halbleiterchip in Kombination mit einem Leuchtstoff bestehen, wobei der Leuchtstoff eine vom Halbleiterchip erzeugte

Strahlung teilweise oder vollständig in Strahlung einer anderen Wellenlänge, insbesondere in langwelligeres

sichtbares Licht, umwandelt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Lichtquelle einen oder mehrere Lichtmischkörper, insbesondere genau einen Lichtmischkörper. Der Lichtmischkörper ist dazu eingerichtet, zumindest einen Teil des ersten Lichts und des zweiten Lichts aufzunehmen und bevorzugt das erste und das zweite Licht zu durchmischen. Somit wird in dem Lichtmischkörper bevorzugt ein Mischlicht erzeugt. Das Mischlicht weist bevorzugt einen bestimmten, insbesondere vorgegebenen Anteil von Strahlung von jedem der Halbleiteremitter der Lichtquelle auf, sofern der entsprechende Halbleiteremitter betrieben wird.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform beinhaltet die

Lichtquelle einen Detektor, insbesondere genau einen

Detektor, zur Bestimmung eines Farborts des Mischlichts.

Damit hat der Lichtmischkörper die primäre Aufgabe, einen Teil des ersten Lichts und des zweiten Lichts zu dem Detektor zu führen und erforderlichenfalls entsprechend umzulenken. Durch den Lichtmischkörper wird also ein Teil des ersten und des zweiten Lichts einer Detektion durch den Detektor

zugänglich gemacht.

Dabei befindet sich der Detektor bevorzugt direkt an dem Lichtmischkörper. Direkt kann bedeuten, dass der Detektor den Lichtmischkörper berührt, insbesondere in Richtung senkrecht zu einer Detektionsfläche des Detektors. Ebenfalls kann der Begriff direkt bedeuten, dass sich lediglich ein Hohlraum oder ein Verbindungsmittel zwischen dem Detektor und dem Lichtmischkörper befindet, wobei das Verbindungsmittel dazu eingerichtet ist, den Detektor an dem Lichtmischkörper zu befestigen. Das Verbindungsmittel kann auch eine optische Funktion haben, nämlich eine Extraktion von Licht aus den Halbleiteremittern zu verbessern. Bei dem Verbindungsmittel handelt es sich beispielsweise um eine Kleberschicht oder um eine Klebefolie, insbesondere mit einem relativ hohen

optischen Brechungsindex. Seitenflächen des Detektors, die quer zur Detektionsflache orientiert sind, können von dem Lichtmischkörper und/oder von dem Lichtabstrahlkörper

teilweise oder vollständig bedeckt sein oder auch frei liegen. Befindet sich ein Hohlraum, der mit einem Gas gefüllt oder evakuiert sein kann, zwischen dem Lichtmischkörper und dem Detektor, so ist ein Abstand zwischen dem

Lichtmischkörper und der Detektionsfläche bevorzugt relativ klein, beispielsweise höchstens 0,5 mm oder 0,1 mm oder 50 ym oder 5 ym. Es ist möglich, dass der Abstand eine spektral filternde Wirkung entfaltet, wie dies auch für das

Verbindungsmittel möglich ist, und etwa als Fabry-Perot- Filter wirkt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die

Halbleiteremitter der Lichtquelle entlang einer Linie

angeordnet. Bei der Linie kann es sich um einen

Geradenabschnitt handeln. Ebenso kann die Linie als

Kreisbogen oder als geschlossene Linie wie ein Kreis oder eine Ellipse geformt sein. Weiterhin ist es möglich, dass die Linie im Wesentlichen gerade ist. Dies kann bedeuten, dass sich die Halbleiteremitter im Mittel auf einer geraden Linie oder auf einem Kreisbogen befinden, mit einer Abweichung von höchstens 5 % oder 2 % oder 1 % einer Gesamtlänge der Linie, gezählt von einem ersten Halbleiteremitter auf der Linie bis zu einem letzten Halbleiteremitter auf der Linie. Dass die Halbleiteremitter entlang der Linie angeordnet sind, kann optional bedeuten, dass die Halbleiteremitter in einer, in zwei oder auch in mehr als zwei Reihen entlang der Linie nebeneinander arrangiert sind. Bevorzugt liegen die Halbleiteremitter aber in genau einer Reihe entlang der Linie vor. Weiterhin können die Halbleiteremitter entlang der Linie und optional zwischen benachbarten Reihen entlang der Linie äquidistant angeordnet sein, beispielsweise mit einer

Abweichung von höchstens 5 % oder 2 % oder 1 % der

Gesamtlänge der Linie.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen zumindest einige der Halbleiteremitter unterschiedliche Abstände zu dem

Detektor auf. Mit anderen Worten gibt es Halbleiteremitter, die weiter entfernt von dem Detektor angeordnet sind als andere Halbleiteremitter.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der

Lichtmischkörper an Seitenflächen der Halbleiteremitter angeordnet. Dabei bedeckt der Lichtmischkörper bevorzugt jede der Seitenflächen mindestens teilweise, in senkrechter

Projektion des Lichtmischkörpers auf die zugehörige

Seitenfläche gesehen. Das heißt, mindestens manche der

Seitenflächen der Halbleiteremitter oder, besonders

bevorzugt, alle Seitenflächen sind wenigstens teilweise von dem Lichtmischkörper überdeckt. Bevorzugt unterscheidet sich ein Bedeckungsgrad der Seitenflächen durch den

Lichtmischkörper über die Lichtquelle hinweg.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform empfängt der Detektor von jedem lichterzeugenden Halbleiteremitter jeweils Licht, vermittelt durch den Lichtmischkörper. Dabei ist der Detektor besonders bevorzugt vor einer direkten Einstrahlung von Licht durch die Halbleiteremitter geschützt, sodass insbesondere nur Mischlicht, in dem das erste und das zweite Licht homogen verteilt vorliegen, zu dem Detektor gelangt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform handelt es sich bei mindestens einem Teil der Halbleiteremitter oder bei allen Halbleiteremittern um Volumenemitter. Ein Volumenemitter weist bevorzugt ein lichtdurchlässiges Substrat, insbesondere ein Aufwachssubstrat , auf, das optisch mit einer aktiven Zone verbunden ist. Ein Volumenemitter weist somit eine

Lichtabstrahlung an mehreren Seiten, insbesondere an allen Seitenflächen und an einer oder an zwei Hauptflächen, die quer zu den Seitenflächen ausgerichtet sind, auf. Ist ein solcher Halbleiteremitter als Würfel oder Quader gestaltet, so liegt eine Lichtemission im Falle eines Volumenemitters insbesondere an zumindest fünf oder, bevorzugt, an allen sechs Seiten des Quaders oder Würfels vor, anders als bei einem Oberflächenemitter.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform handelt es sich bei mindestens einem Teil der Halbleiteremitter um

Oberflächenemitter. Dies bedeutet, dass die betreffenden Halbleiteremitter im Wesentlichen nur an einer einzigen

Hauptseite emittieren. Die betreffenden Halbleiteremitter weisen dabei etwa eine Lambert' sehe Abstrahlcharakteristik auf. Im Wesentlichen kann bedeuten, dass mindestens 80 % oder 90 % oder 95 % oder 98 % des Lichts an der betreffenden

Hauptseite abgestrahlt wird.

In mindestens einer Ausführungsform umfasst die Lichtquelle mindestens einen ersten Halbleiteremitter zur Erzeugung von erstem Licht und mindestens einen zweiten Halbleiteremitter zur Erzeugung von zweitem Licht, das eine andere Farbe aufweist als das erste Licht. In einem Lichtmischkörper werden das erste und das zweite Licht durchmischt, sodass ein Mischlicht entsteht. Ein Detektor befindet sich an dem

Lichtmischkörper und ist zur Bestimmung eines Farborts des Mischlichts eingerichtet. Die Halbleiteremitter sind entlang einer Linie angeordnet und weisen unterschiedliche Abstände zu dem Detektor auf. Der Lichtmischkörper ist an

Seitenflächen der Halbleiteremitter angeordnet und bedeckt jede der Seitenflächen mindestens teilweise, gesehen in

Projektion auf die entsprechende Seitenfläche, sodass der Detektor von jedem der Halbleiteremitter, vermittelt durch den Lichtmischkörper und/oder durch den Lichtmischkörper hindurch, bevorzugt gleich viel Licht empfängt.

Bei Lichtquellen etwa in der Allgemeinbeleuchtung, in der Fahrzeugbeleuchtung oder auch in der Beleuchtung von

Luftfahrzeugen sowie in der Displayhinterleuchtung ist es erwünscht, dass eine Lichtquelle über die gesamte

Betriebsdauer hinweg Licht mit einem bestimmten, insbesondere vorgegebenen Farbort erzeugt. Weist die Lichtquelle eine Vielzahl von Halbleiteremittern, speziell Leuchtdioden, auf, so kann sich durch eine Alterung dieser Leuchtdioden oder auch durch den Ausfall einzelner Leuchtdioden ein Farbort der Lichtquelle verändern. Durch den Detektor ist es möglich, die Halbleiteremitter entsprechend nachzuregeln, sodass ein

Farbort zeitlich konstant bleibt.

Dabei ist eine präzisere Regelung des resultierenden Farborts möglich, wenn der Detektor gleichmäßig durchmischtes Licht von allen Halbleiteremittern empfängt und nicht nur

beispielsweise Licht von direkt benachbarten Leuchtdioden. Ferner ist es aus Effizienzgründen erwünscht, dass das in den Halbleiteremittern erzeugte Licht zu einem großen Anteil die Lichtquelle möglichst direkt ohne eine größere Anzahl an Reflexionen verlässt. Dass das Licht die Lichtquelle

möglichst direkt verlässt, läuft jedoch einer hinreichenden Lichtdurchmischung des Lichts innerhalb der Lichtquelle entgegen .

Durch die Verwendung des Lichtmischkörpers ist einerseits eine effektive Durchmischung eines relativ kleinen

Lichtanteils möglich, der zu dem Detektor zu einer präzisen Farbortregelung geführt wird. Andererseits ist ein Großteil des in den Halbleiteremittern erzeugten Lichts direkt und ohne interne Durchmischung aus der Lichtquelle emittierbar. Somit sind mit der hier beschriebenen Lichtquelle sowohl eine präzise Farbortregelung als auch eine hohe Effizienz

erreichbar .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Lichtquelle einen Träger. Der Träger beinhaltet bevorzugt Leiterbahnen und elektrische Kontaktflächen zu einer Verschaltung der Halbleiteremitter und des Detektors und gegebenenfalls weiterer elektronischer Komponenten wie AnSteuereinheiten oder Recheneinheiten für den Detektor und die

Halbleiteremitter. Insbesondere handelt es sich bei dem

Träger um eine Leiterplatte, eine flexible Leiterplatte oder eine Platine wie eine Metallkernplatine.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform befinden sich die

Halbleiteremitter und der Detektor in einer gemeinsamen Ebene auf dem Träger. Mit anderen Worten kann es sich bei dem

Träger um eine gerade, nicht gebogene Platte handeln, wobei alle Halbleiteremitter und der Detektor auf einer einzigen Seite des Trägers angeordnet und elektrisch verschaltet sein können. Alternativ ist es möglich, dass sich die

Halbleiteremitter und der Detektor in unterschiedlichen

Ebenen befinden, relativ zu einer Hauptseite des Trägers. Beispielsweise kann der Detektor in einer Ausnehmung des Trägers angebracht und/oder relativ zu den Halbleiteremittern versenkt sein.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform befindet sich der

Detektor neben der Linie, entlang der die Halbleiteremitter angeordnet sind. Dabei ist der Detektor bevorzugt vollständig von dem Lichtmischkörper bedeckt, in Draufsicht gesehen.

Alternativ befindet sich der Detektor, etwa in Draufsicht auf die Hauptseite des Trägers gesehen, neben dem

Lichtmischkörper, wobei eine Detektionsfläche des Detektors vollständig dem Lichtmischkörper zugewandt und/oder

vollständig von dem Lichtmischkörper bedeckt sein kann, insbesondere in senkrechter Projektion auf die

Detektionsfläche gesehen. Es kann der Detektor beabstandet zu dem Lichtabstrahlkörper angeordnet sein, sodass sich der Detektor und der Lichtabstrahlkörper nicht unmittelbar berühren .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform nimmt ein Anteil der Seitenfläche der Halbleiteremitter, die von dem

Lichtmischkörper bedeckt ist, mit zunehmendem Abstand zu dem Detektor zu. Beispielsweise sind die Seitenflächen der

Halbleiteremitter, die sich am nahsten an dem Detektor befinden, zu höchstens 1 % oder 5 % oder 10 % oder 20 ~6 von dem Lichtmischkörper bedeckt. Die Seitenflächen von

Halbleiteremittern, die sich am weitesten von dem Detektor entfernt befinden, sind beispielsweise zu mindestens 5 % oder 10 % oder 20 % oder 50 % oder 80 % oder 90 % oder auch vollständig von dem Lichtmischkörper bedeckt. Hierdurch ist erreichbar, dass der Detektor von jedem Halbleiteremitter eine ähnlich große Lichtleistung empfängt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform empfängt bei der voll funktionsfähigen, neuen Lichtquelle der Detektor von jedem der Halbleiteremitter einen Leistungsanteil des jeweils erzeugten Lichts von mindestens 0,1 % oder 0,5 %. Alternativ oder zusätzlich liegt dieser Leistungsanteil, etwa gemessen in Watt oder auch in Lumen, bei höchstens 5 % oder 4 % oder 1,5 %. Es ist möglich, dass an dem Detektor jeder der

Halbleiteremitter gleich stark zu einem Detektionssignal beiträgt, etwa mit einer Toleranz von höchstens einem Faktor 2 oder 1,5 bezogen auf ein über alle Halbleiteremitter gemitteltes Detektionssignal.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die Lichtquelle einen oder mehrere Lichtabstrahlkörper auf. Der mindestens eine Lichtabstrahlkörper ist dazu eingerichtet, das erste und/oder das zweite Licht abzustrahlen. Dabei kann das erste und zweite Licht von dem zumindest einen Lichtabstrahlkörper durchmischt oder auch undurchmischt abgestrahlt werden. Mit anderen Worten ist es nicht zwingend erforderlich, dass auch von dem Lichtabstrahlkörper das Mischlicht abgestrahlt wird, so dass von dem Lichtabstrahlkörper auch noch undurchmischtes oder im Wesentlichen undurchmischtes Licht emittiert werden kann. Durch den zumindest einen Lichtabstrahlkörper ist bevorzugt eine Lichtaustrittsfläche der Lichtquelle gebildet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der

Lichtmischkörper aus einem ersten Material mit einem ersten Brechungsindex und der Lichtabstrahlkörper aus einem zweiten Material mit einem zweiten Brechungsindex erzeugt. Dabei ist der zweite Brechungsindex niedriger als der erste

Brechungsindex, beispielsweise um mindestens 0,1 oder 0,2 oder 0,3. Der Brechungsindex bezieht sich dabei

beispielsweise auf eine Wellenlänge maximaler Augenempfindlichkeit, insbesondere auf eine Wellenlänge von 550 nm. Der Lichtmischkörper und der Lichtabstrahlkörper können jeweils aus einem einzigen Material bestehen. Mit anderen Worten können der Lichtmischkörper und/oder der

Lichtabstrahlkörper frei von internen Phasengrenzen sein. Der Lichtmischkörper und/oder der Lichtabstrahlkörper sind bevorzugt ausschließlich aus Stoffen zusammengesetzt, die sich im bestimmungsgemäßen Betrieb der Lichtquelle in festem Zustand befinden, die bei der Betriebstemperatur also nicht geschmolzen oder verdampft sind.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegt der erste

Brechungsindex bei mindestens 1,48 oder 1,52 oder 1,55 und/oder bei höchstens 1,85 oder 1,75 oder 1,65. Alternativ oder zusätzlich beträgt der zweite Brechungsindex mindestens 1,2 oder 1,3 oder 1,37 und/oder höchstens 1,5 oder 1,45 oder 1,41. Die genannten Werte gelten bevorzugt bei einer

Wellenlänge von 550 nm. Gemäß zumindest einer Ausführungsform emittiert die

Lichtquelle im Betrieb weißes Mischlicht. Dies kann bedeuten, dass ein Farbort des emittierten weißen Lichts mit einer Toleranz von höchstens 0,05 oder 0,02 Einheiten an der

Schwarzkörperkurve liegt, bezogen auf die CIE-xy- Normfarbtafel. Eine korrelierte Farbtemperatur des weißen Lichts liegt bevorzugt bei mindestens 2500 K oder 3500 K und/oder bei höchstens 6500 K oder 4500 K.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die Lichtquelle einen oder mehrere dritte und/oder einen oder mehrere vierte Halbleiteremitter auf. Die weiteren Halbleiteremitter sind zur Erzeugung von Licht einer dritten und/oder vierten, jeweils anderen Farbe als das erste und das zweite Licht eingerichtet. Beispielsweise emittieren die ersten Halbleiteremitter blaues Licht, die zweiten Halbleiteremitter grün-weißes Licht, die dritten Halbleiteremitter rotes Licht und die vierten Halbleiteremitter blau-weißes Licht. Die ersten, zweiten, dritten und/oder vierten Halbleiteremitter können das erzeugte Licht direkt emittieren, wie in einer Halbleiterschichtenfolge erzeugt, oder auch jeweils einen oder mehrere Leuchtstoffe umfassen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das

Verbindungsmittel einen relativ hohen Brechungsindex auf. Insbesondere weicht der Brechungsindex des Verbindungsmittels von dem Brechungsindex des Lichtmischkörpers um höchstens 0,05 oder 0,1 oder 0,2 oder 0,3 ab. Dabei ist der

Brechungsindex des Verbindungsmittels bevorzugt höher als der Brechungsindex des Lichtmischkörpers. Beispielsweise ist das Verbindungsmittel durch ein Silikon gebildet. Für den

Absolutwert des Brechungsindexes des Verbindungsmittels gilt bevorzugt dasselbe wie oben zum ersten Brechungsindex des Lichtmischkörpers beschrieben.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform befindet sich zwischen den Halbleiteremittern und dem Lichtmischkörper lediglich das Verbindungsmittel. Somit kann über das Verbindungsmittel eine effiziente optische Ankopplung des Lichtmischkörpers an die

Halbleiteremitter erreicht werden. Alternativ oder zusätzlich gilt entsprechendes hinsichtlich des Lichtmischkörpers und dem Detektor. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der

Lichtmischkörper, im Querschnitt gesehen, als Polygon

geformt. Das heißt insbesondere, der Lichtmischkörper weist eine mehreckige, nicht runde Querschnittsfläche mit gerade verlaufenden Kantenabschnitten auf. Die Querschnittsfläche weist bevorzugt vier oder fünf Ecken auf. Entlang einer gesamten Länge des Lichtmischkörpers kann die

Querschnittsfläche gleich gestaltet sein. Gleich gestaltet bedeutet, dass die Querschnittsfläche identisch geformt ist und eine identische Größe aufweist, im Rahmen der

Herstellungstoleranzen, oder dass die Querschnittsflächen an unterschiedlichen Stellen des Lichtmischkörpers, entlang dessen Länge, durch eine Skalierung um einen bestimmten

Faktor ineinander abbildbar sind, wie bei einer zentrischen Streckung. Mit anderen Worten ist zum Beispiel der

Querschnitt jeweils quadratisch geformt, jedoch an

verschiedenen Stellen unterschiedlich groß. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine den

Halbleiteremittern abgewandte Seite des Lichtmischkörpers schräg zu den zugehörigen Seitenflächen der Halbleiteremitter ausgerichtet. Ein Winkel zwischen der abgewandten Seite des Lichtmischkörpers schräg zu der zugehörigen Seitenfläche liegt zum Beispiel bei mindestens 0,2° oder 0,5° oder 2° und/oder bei höchstens 1,5° oder 3° oder 8°.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform verbreitert sich, in Draufsicht gesehen, der Lichtmischkörper in Richtung weg von dem Detektor kontinuierlich oder stufenweise. Hierdurch ist es möglich, die Halbleiteremitter in einer geraden Linie anzuordnen und mit zunehmender Entfernung von dem Detektor einen größeren Flächenanteil der Seitenflächen der

Halbleiteremitter mit dem Lichtmischkörper zu bedecken.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind Stirnflächen und/oder eine Bodenseite des Lichtmischkörpers je vollständig oder teilweise verspiegelt. Beispielsweise ist ein metallischer Spiegel an den Stirnflächen angebracht.

Alternativ oder zusätzlich ist es möglich, dass die

Stirnflächen schräg angeordnet sind und nicht senkrecht zur Bodenseite orientiert sind. Beispielsweise sind die

Stirnflächen in einem Winkel von mindestens 35° und/oder von höchstens 65° zur Bodenseite angeordnet. Die Bodenseite ist bevorzugt dem Träger zugewandt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der

Lichtmischkörper als Keil, als Pyramide oder als

Pyramidenstumpf gestaltet. Alternativ weist der

Lichtmischkörper die Form eines Doppelkeils oder eines

Doppelpyramidenstumpfs auf. Dabei befindet sich bevorzugt eine schmälste Stelle des Lichtmischkörpers in oder nahe dessen Mitte, entlang der Linie gesehen. Bevorzugt verläuft eine, insbesondere genau eine, Seitenfläche des

Lichtmischkörpers parallel zur Hauptseite des Trägers.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der

Lichtmischkörper keine, nur eine oder nur zwei

Symmetrieebenen entlang der Linie und/oder keine oder nur eine Symmetrieebenen senkrecht zur Linie auf. Mit anderen Worten liegt eine Spitze oder eine schmälste Stelle des Lichtmischkörpers dann nicht über einer Mitte einer

Grundfläche des Lichtmischkörpers, wobei die Grundfläche bevorzugt senkrecht zur Linie und/oder senkrecht zur

Hauptseite des Trägers ausgerichtet ist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Lichtquelle ein oder mehrere Einkoppelprismen. Das mindestens eine

Einkoppelprisma ist dazu eingerichtet, Licht aus dem

Lichtmischkörper abzuzweigen und zu dem Detektor zu lenken. Zu diesem Zweck kann eine dem Lichtmischkörper abgewandte Fläche des Einkoppelprismas verspiegelt sein. Ebenso ist es möglich, dass diese Fläche des Einkoppelprismas dazu

eingerichtet ist, über Totalreflexion Licht zu dem

Lichtmischkörper zu führen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform befindet sich das Einkoppelprisma auf dem Detektor und neben dem

Lichtmischkörper sowie neben den Halbleiteremittern, in

Draufsicht insbesondere auf die Hauptseite des Trägers gesehen. Dabei befinden sich die Halbleiteremitter und das Einkoppelprisma bevorzugt auf verschiedenen Seiten des

Lichtmischkörpers, in Draufsicht gesehen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das Einkoppelprisma durch das Verbindungsmittel optisch an den Lichtmischkörper angekoppelt. Beispielsweise füllt das Verbindungsmittel einen Bereich zwischen dem Detektor und dem Einkoppelprisma

und/oder einen Bereich zwischen dem Einkoppelprisma und dem Lichtmischkörper jeweils vollständig aus.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist an dem

Lichtmischkörper zumindest ein Stabilisierungskörper

angebracht. Insbesondere ist der Stabilisierungskörper innig und fest mit dem Lichtmischkörper verbunden, beispielsweise über eine Klebeverbindung, über eine Steckverbindung und/oder über eine Schweißverbindung. Der Lichtmischkörper ist somit zusammen mit dem Stabilisierungskörper mechanisch

selbsttragend .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der

Stabilisierungskörper optisch von dem Lichtmischkörper separiert. Das heißt, der Stabilisierungskörper trägt in diesem Fall bevorzugt nicht zu einem Lichttransport hin dem Detektor bei. Beispielsweise befindet sich zwischen dem Stabilisierungskörper und dem Lichtmischkörper eine

lichtundurchlässige, bevorzugt reflektierende Schicht.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist durch den

Stabilisierungskörper eine vereinfachte Geometrie erzielt, zusammen mit dem Lichtmischkörper. Beispielsweise ist der Lichtmischkörper alleine als schräge Pyramide oder

asymmetrischer Doppelpyramidenstumpf gestaltet. Zusammen mit dem Stabilisierungskörper wird dagegen eine einfachere geometrische Form erreicht. Dies kann bedeuten, dass das Gebilde aus dem Stabilisierungskörper zusammen mit dem

Lichtmischkörper mehr Symmetrieebenen aufweist als der

Lichtmischkörper alleine. Insbesondere ist der

Stabilisierungskörper zusammen mit dem Lichtmischkörper wie ein Quader, ein Doppelquader, ein Prisma, ein Doppelprisma, eine Pyramide oder einen Doppelpyramide geformt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind zwei oder mehr als zwei der Lichtmischkörper vorhanden. Dabei befinden sich die Lichtmischkörper bevorzugt beiderseits der Linie, entlang der die Halbleiteremitter angeordnet sind. Insbesondere sind jeweils zwei Seitenflächen der Halbleiteremitter von den Lichtmischkörpern bedeckt. Dabei können die Lichtmischkörper symmetrisch oder auch asymmetrisch zu der Linie und/oder zu den Halbleiteremittern angeordnet sein. Ferner können die Lichtmischkörper, vorbehaltlich einer Spiegelsymmetrie zu der Linie, gleich geformt sein. Alternativ können unterschiedlich geformte Lichtmischkörper vorliegen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Lichtquelle eine oder mehrere AnSteuereinheiten. Die zumindest eine

Ansteuereinheit ist dazu eingerichtet, beim Ausfall einzelner Halbleiteremitter oder bei einer Farbortveränderung einzelner Halbleiteremitter die verbleibenden Halbleiteremitter derart anhand eines Signals des Detektors nachzuregeln, sodass durch den Ausfall oder durch eine Farbortverschiebung einzelner Halbleiteremitter ein Farbort des Mischlichts insgesamt bevorzugt um höchstens 0,02 oder 0,01 Einheiten in der CIE- xy-Normfarbtafel verändert wird. Durch die Ansteuereinheit ist eine hohe zeitliche Konstanz des Farborts des von der Lichtquelle emittierten Lichts erzielbar.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die Lichtquelle, insbesondere der Lichtabstrahlkörper, eine Länge von

mindestens 20 mm oder 50 mm oder 80 mm oder 130 mm auf.

Alternativ oder zusätzlich liegt die Länge bei höchstens 800 mm oder 600 mm oder 500 mm.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Lichtquelle mechanisch starr. Dabei wirken etwa der Träger und/oder der Lichtabstrahlkörper als mechanisch stabilisierende Einheiten. Mechanisch starr bedeutet, dass sich die Lichtquelle im bestimmungsgemäßen Gebrauch nicht oder nicht signifikant verformt .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Lichtquelle insgesamt mindestens 15 oder 30 oder 40 der

Halbleiteremitter. Alternativ oder zusätzlich liegt die

Anzahl der Halbleiteremitter bei höchstens 200 oder 130 oder 90. Dabei liegen bevorzugt jeweils mindestens fünf oder zehn der ersten, zweiten und optional der dritten und/oder vierten Halbleiteremitter vor. Insbesondere liegen mindestens vier oder sechs oder acht identisch zusammengesetzte und/oder arrangierte Gruppen von Halbleiteremittern, auch als Cluster bezeichnet, vor. Alternativ liegt nur eine einzige Gruppe, auch als Emittergruppe bezeichnet, vor, die beispielsweise nur einen ersten Halbleiteremitter und/oder nur einen zweiten Halbleiteremitter aufweist. Die zumindest eine Emittergruppe kann vormontiert und/oder als eigenständige Einheit

handhabbar sein und damit etwa über eine eigene Leiterplatte oder über einen eigenen Teilträger verfügen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Detektor mehrere Detektionsbereiche auf, die sich hinsichtlich ihrer spektralen Empfindlichkeit voneinander unterscheiden.

Beispielsweise ist die Detektionsfläche in mehrere

Teilgebiete unterteilt, die mit unterschiedlichen Farbfiltern versehen sein können. Bevorzugt sind mindestens zwei und/oder höchstens vier Detektionsbereiche vorhanden. Insbesondere weist der Detektor einen Detektionsbereich für rotes Licht und einen kombinierten Detektionsbereich für blaues und grünes Licht auf. Alternativ weist der Detektor je einen Detektionsbereich für rotes, blaues und grünes Licht und ferner optional für gelbes Licht auf. Besonders bevorzugt umfasst der Detektor zumindest einen Detektionsbereich für rotes Licht auf.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der

Lichtmischkörper zumindest im Bereich der jeweiligen

Halbleiteremitter eine lichtumlenkende Struktur auf, zum

Beispiel Streuzentren, Prismen, Linsen und/oder total oder normal reflektierende Spiegelflächen. Über solche

lichtumlenkende Strukturen ist es möglich, das Licht der Halbleiteremitter effizient in Richtung zu dem Detektor umzulenken, insbesondere im Falle von Prismen oder

Spiegelflächen. Durch die lichtumlenkenden Strukturen erfolgt etwa eine Umlenkung der von den Halbleiteremittern kommenden Strahlung näherungsweise um 90°. Solche lichtumlenkenden Strukturen können entlang des gesamten Lichtmischkörpers vorhanden sein oder, bevorzugt, nur in Bereichen, die den Seitenflächen der betreffenden Halbleiteremitter je

gegenüberliegen .

Nachfolgend wird eine hier beschriebene Lichtquelle unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Sofern nicht anders angegeben, sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.

Es zeigen:

Figuren 1 bis 14 schematische Darstellungen von

Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen

Lichtquellen,

Figur 15 eine schematische Darstellung einer Modifikation einer hier beschriebenen Lichtquelle,

Figur 16 schematische Schnittdarstellungen von

Halbleiteremittern für hier beschriebene Lichtquellen, und

Figur 17 schematische Draufsichten auf Emittergruppen für hier beschriebene Lichtquellen.

In Figur 1 ist in einer perspektivischen Darstellung ein Ausführungsbeispiel einer Lichtquelle 1 illustriert. Die Lichtquelle 1 umfasst einen Träger 7, bei dem es sich

bevorzugt um eine Leiterplatte oder eine Platine handelt. Auf einer Trägerhauptseite 70 des Trägers 7 sind mehrere

Halbleiteremitter 21, 23, 24 entlang einer geraden Linie L angebracht. Die verschiedenen Halbleiteremitter 21, 23, 24 emittieren Licht unterschiedlicher Farben. Insgesamt wird von der Lichtquelle 1 bevorzugt weißes Licht emittiert. Ein

Farbort des weißen Lichts kann bevorzugt durch eine

individuelle Ansteuerung der Halbleiteremitter 21, 23, 24 eingestellt werden. Darüber hinaus sind auf der Hauptseite 70 ein

Lichtmischkörper 3 und ein Detektor 4 angebracht. Der

Lichtmischkörper 3 ist dazu eingerichtet, einen kleinen

Anteil des jeweils in den Halbleiteremittern 21, 23, 24 erzeugten Lichts aufzusammeln, bevorzugt auch zu durchmischen und zu dem Detektor 4 zu leiten.

Sowohl der Detektor 4 als auch der Lichtmischkörper 3

befinden sich in Draufsicht auf die Hauptseite 70 gesehen neben den Halbleiteremittern 21, 23, 24. Der Detektor 4 ist zu einer Farbortbestimmung eines Mischlichts, das von den Halbleiteremittern 21, 23, 24 erzeugt wird, eingerichtet. Über dem Detektor 4 und einer Ansteuereinheit 8 ist eine Nachregelung der Halbleiteremitter 21, 23, 24 möglich, sodass ein Farbort des von der Lichtquelle 1 insgesamt emittierten Lichts zeitlich konstant gehalten und/oder gezielt

eingestellt werden kann.

Im Bereich des Detektors 4 weist der Lichtmischkörper 3 einen schmälsten Bereich auf. Mit anderen Worten verjüngt sich der Lichtmischkörper 3 in Richtung hin zu dem Detektor 4 von beiden Enden her. In Richtung hin zu dem Detektor 4

vermindert sich also bevorzugt sowohl eine Breite als auch eine Höhe des Lichtmischkörpers 3, insbesondere jeweils linear. Somit bedeckt der Lichtmischkörper 3, der ähnlich wie ein Doppelpyramidenstumpf gestaltet ist, Seitenflächen 25 der Halbleiteremitter 21, 23, 24 zu unterschiedlich großen

Anteilen .

Weiter von dem Detektor 4 befindliche Halbleiteremitter 21, 23, 24 sind damit stärker optisch an den Lichtmischkörper 3 angekoppelt als näher an dem Detektor 4 befindliche

Halbleiteremitter 21, 23, 24. Somit empfängt der Detektor 4 von jedem der Halbleiteremitter 21, 23, 24 näherungsweise eine gleich große Lichtintensität. Damit ist es auch bei einem Ausfall einzelner Halbleiteremitter 21, 23, 24 möglich, mit dem Detektor 4 die verbleibenden Halbleiteremitter 21, 23, 24 so anzusteuern, sodass über die Betriebsdauer hinweg Licht eines bestimmten, vorgegebenen Farborts von der

Lichtquelle 1 emittiert werden kann.

Beim Ausführungsbeispiel der Figur 2 befindet sich über den Halbleiteremittern 21, 23, 24 sowie über dem Detektor 4 und dem Lichtmischkörper 3 an der Trägerhauptseite 70 ein

Lichtabstrahlkörper 5. Der Lichtabstrahlkörper 5 ist

beispielsweise als Halbzylinderlinse geformt. Bei dem

Lichtabstrahlkörper 5 kann es sich um einen Kunststoffkörper oder um einen Glaskörper handeln, genauso wie dies für den Lichtmischkörper 3 möglich ist.

Anders als dargestellt kann der Lichtabstrahlkörper 5 an einer Lichtaustrittsfläche 10 der Lichtquelle 1, die durch den Lichtabstrahlkörper 5 gebildet wird, mit einer

Strukturierung, etwa in Form von Mikrolinsen, versehen sein.

In Figur 3 ist eine schematische Draufsicht auf ein weiteres Ausführungsbeispiel dargestellt, wobei zur Vereinfachung der Darstellung der Lichtmischkörper nicht gezeichnet ist. Die Halbleiteremitter 21, 23, 24 sind zu sechs Emittergruppen 29 gruppiert. Dabei sind alle Emittergruppen 29 gleich

aufgebaut. Innerhalb der Emittergruppen 29 sind die

Halbleiteremitter 21, 23, 24 längs der Linie L symmetrisch zueinander angeordnet. Der Detektor 4 sowie die optionale Ansteuereinheit 8 zur Regelung der Halbleiteremitter 21, 23, 24 können sich neben der Linie L befinden. Ferner ist optional ein Steckplatz 72 für eine

Stromversorgung der Halbleiteremitter 21, 23, 24 vorhanden. Ebenso kann ein Steckplatz 74 für den Detektor 4 und/oder die Ansteuereinheit 8 angebracht sein. Entsprechende Steckplätze 72, 74 und/oder Lichtgruppen 29 können auch in allen

Ausführungsbeispielen vorhanden sein, ebenso wie die

Ansteuereinheit 8. Eine Länge des Trägers 7 entlang der Linie L liegt insbesondere bei mindestens 150 mm und/oder höchstens 400 mm, zum Beispiel bei 280 mm. Abweichend von der Darstellung in Figur 3 ist es, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen, möglich, dass nur eine einzig Emittergruppe 29 vorhanden ist, sodass die Lichtquelle dann nur eine relativ geringe Ausdehnung entlang der Linie L aufweist .

In Figur 4 ist eine schematische Schnittdarstellung senkrecht zur Linie L durch ein weiteres Ausführungsbeispiel der

Lichtquelle 1 gezeigt, insbesondere in einem Bereich nahe einem Ende des Lichtmischkörpers 3. Die Lichtquellen 21, 23, 24 weisen eine LeuchtstoffSchicht 26 und/oder einen

Klarverguss 98 auf, durch den bevorzugt eine Hauptfläche 20 und Seitenflächen 25 der Halbleiteremitter 21, 23, 24

gebildet sind. An einer dem Träger 7 zugewandten Seite der Halbleiteremitter 21, 23, 24 befinden sich elektrische

Kontaktflächen 27, die über ein Lot oder einen elektrisch leitenden Kleber an Leiterbahnen 21 des Trägers 7 angebracht sind. Beispielhafte Halbleiteremitter 21, 23, 24 sind in Verbindung mit Figur 16, siehe weiter unten, näher erläutert.

Der Lichtmischkörper 3 ist über ein optionales

Verbindungsmittel 6 an dem Träger 7 befestigt und optisch an die Halbleiteremitter 21, 23, 24 angekoppelt. Dabei weist das Verbindungsmittel 6 eine gleichmäßige Dicke auf. Sowohl der Lichtmischkörper 3 als auch das Verbindungsmittel 6 weisen bevorzugt einen relativ hohen Brechungsindex auf. Weisen die Seitenflächen 25 zum Beispiel ein relativ starkes,

lichtstreuendes Verhalten auf, sodass ein hinreichende optische Ankopplung an den Lichtmischkörper 3 aufgrund lediglich dieses Streuverhaltens gegeben ist, so wird das Verbindungsmittel 6 bevorzugt weggelassen, wie dies auch für alle anderen Ausführungsbeispiele gelten kann. Seitlich neben den Halbleiteremittern 21, 23, 24 sowie neben dem Lichtmischkörper 3 befindet sich optional ein weiteres Verbindungsmittel 61, beispielsweise ein transparenter Kleber mit einem relativ niedrigen Brechungsindex. Ferner kann ein Reflektorverguss 75 vorhanden sein. Der Reflektorverguss 75 ist bevorzugt weiß und weist einen hohen Reflexionsgrad auf. Beispielsweise ist der Reflektorverguss 75 durch ein Silikon gebildet, in das reflektierende Partikel etwa aus Titandioxid eingebettet sind. Eine Höhe des Reflektorvergusses 75 beträgt beispielsweise ungefähr 300 ym.

Sowohl die Halbleiteremitter 21, 23, 24 als auch der

Lichtmischkörper 3 überragen gemäß Figur 5 den

Reflektorverguss 75, in Richtung weg von der Trägerhauptseite 70. Ein Bereich zwischen dem Träger 7 und den

Halbleiteremittern 21, 23, 24 ist bevorzugt vollständig und lückenlos aufgefüllt. Beim Ausführungsbeispiel der Figur 5 ist zusätzlich der

Lichtabstrahlkörper 5 vorhanden. Dabei ist der

Lichtabstrahlkörper 5 über das weitere Verbindungsmittel 61 an dem Träger 7 befestigt. Hierbei füllt das weitere

Verbindungsmittel 61 einen Bereich zwischen dem

Lichtabstrahlkörper 5 und den Halbleiteremittern 21, 23, 24 bevorzugt vollständig aus, sodass keine Hohlräume oder Lücken vorliegen .

Das weitere Verbindungsmittel 61 weist bevorzugt einen ähnlich niedrigen optischen Brechungsindex auf wie der

Lichtabstrahlkörper 5, ebenso ist der Brechungsindex des Lichtmischkörpers 3 ähnlich hoch wie der Brechungsindex des Verbindungsmittels 6. Anders als in Figur 5 dargestellt ist es nicht unbedingt erforderlich, dass der Lichtabstrahlkörper 5 an einer dem Träger 7 zugewandten Seite eine Ausnehmung, insbesondere eine gestufte Ausnehmung, aufweist, sodass das weitere Verbindungsmittel 61 eine näherungsweise konstante Schichtdicke aufweist. Alternativ kann eine dem Träger 7 zugewandte Seite des Lichtabstrahlkörpers 5 auch eine relativ große Ausnehmung aufweisen, sodass das weitere

Verbindungsmittel 61 in signifikant unterschiedlichen Dicken vorliegt. Wie auch in allen Ausführungsbeispielen liegen die Halbleiteremitter 21, 23, 24 und insbesondere deren

Hauptfläche 20 an oder in einem Mittelpunkt des

Lichtabstrahlkörpers 5, bezogen auf eine Rundung der

Lichtaustrittsfläche 10. Im Ausführungsbeispiel der Figur 6 ist illustriert, dass die Hauptfläche 20 der Halbleiteremitter 21, 23, 24 bündig oder näherungsweise bündig mit einer dem Träger 7 abgewandten Oberseite des Reflektorvergusses 75 abschließt. Somit ist das weitere Verbindungsmittel 61 in einer Schicht mit einer gleichbleibenden Dicke an dem Reflektorverguss 75 vorhanden. Die dem Träger 7 zugewandte Seite des Lichtabstrahlkörpers 5 ist eben gestaltet, wie dies alternativ auch bei der

Lichtquelle 1 der Figur 5 sein kann.

In den Figuren 7 bis 12 sind weitere Ausführungsbeispiele der Lichtquelle 1 illustriert. Die Figurenteile A betreffen jeweils eine Querschnittsdarstellung senkrecht zur Linie L im Bereich des Detektors 4. Die Figurenteile B betreffen eine Längsschnittdarstellung entlang der Linie L im Bereich des Detektors 4. Sofern vorhanden, geben die Figurenteile C jeweils eine Draufsicht auf die Trägerhauptseite 70 wieder.

Gemäß Figur 7 befindet sich der Detektor 4 vollständig zwischen dem Träger 7 und dem Lichtmischkörper 3. Dabei ist eine Detektionsfläche 40 des Detektors 4 bevorzugt

vollständig von dem Lichtmischkörper 3 überdeckt. Abweichend von der Darstellung in Figur 7 ist es möglich, dass sich der Detektor 4 in einer Ausnehmung des Trägers 7 befindet.

Im Längsschnitt gesehen verjüngt sich der Lichtmischkörper 3 keilförmig in Richtung hin zu dem Detektor 4. Eine dem Träger 7 zugewandte Bodenfläche 32 des Lichtmischkörpers 3 verläuft bevorzugt parallel zur Trägerhauptseite 70. Alternativ zu dem Verbindungsmittel 6 mit dem hohen Brechungsindex kann sich zwischen dem Träger 7 und dem Lichtmischkörper 3 auch das weitere Verbindungsmittel 61 mit dem relativ niedrigen Brechungsindex befinden. An der Bodenseite 32 befindet sich optional ein Spiegel 9a, etwa ein Metallspiegel.

Im Bereich oberhalb des Detektors 4, siehe Figur 7B, befindet sich bevorzugt eine Einschnürung in dem Lichtmischkörper 3. Seitenflächen dieser Einschnürung sind mit einem weiteren Spiegel 9b versehen, bei dem es sich wiederum um einen

Metallspiegel handeln kann. In dem Lichtmischkörper 3

geführtes Licht kann mit dem Spiegel 9b zur Detektionsfläche 40 gelenkt werden. Auch Stirnflächen 35 des Lichtmischkörpers 3 können optional verspiegelt sein.

Eine dem Träger 7 abgewandte Oberseite 31 des

Lichtmischkörpers 3 nähert sich somit in Richtung hin zu dem Detektor 4 kontinuierlich der Trägerhauptseite 70 an. Eine den Halbleiteremittern 21, 23, 24 zugewandte Vorderseite 33 des Lichtmischkörpers 3 ist bevorzugt parallel zu den

Seitenflächen 25 und/oder zu der Linie L ausgerichtet. Eine von den Halbleiteremittern 21, 23, 24 abgewandte Rückseite 34 des Lichtmischkörpers 3 kann parallel zu den Seitenflächen 25 und/oder zur Linie L verlaufen oder sich in Richtung hin zu dem Detektor 4 den Seitenflächen 25 annähern, wie etwa in Figur 1 gezeigt. Beim Ausführungsbeispiel der Figur 8 verläuft die Bodenseite 32 schräg zur Trägerhauptseite 70 und die Oberseite 31 ist parallel oder näherungsweise parallel zur Trägerhauptseite 70 orientiert, mit Ausnahme an der Einschnürung im Bereich oberhalb des Detektors 4.

Ferner ist ein Stabilisierungskörper 37 an dem

Lichtmischkörper 3 angebracht. Der Stabilisierungskörper 37 und der Lichtmischkörper 3 sind bevorzugt fest miteinander verbunden, beispielsweise über den Spiegel 9a. Der

Stabilisierungskörper 37 ist bevorzugt nicht dazu

eingerichtet, Licht von den Halbleiteremittern 21, 23, 24 zu empfangen und/oder Licht zu dem Detektor 4 zu führen.

In dem Stabilisierungskörper 37 ist eine Ausnehmung für den Detektor 4 vorhanden, sodass sich kein Material des

Stabilisierungskörpers 37 zwischen der Detektionsflache 40 und dem Lichtmischkörper 3 befindet. In diesem Bereich kann ein Hohlraum gebildet sein oder dieser Bereich ist, anders als in Figur 8B dargestellt, teilweise oder vollständig von einem Material des Verbindungsmittels 6 ausgefüllt.

Durch den Stabilisierungskörper 37 kann eine geometrische Gestalt, zusammen mit dem Lichtmischkörper 3, vereinfacht sein. Beispielsweise bilden der Stabilisierungskörper 37 und der Lichtmischkörper 3 zusammen einen Quader aus, zumindest in Bereichen neben dem Detektor 4. Abweichend von der Darstellung in Figur 8 können die

relativen Positionen des Stabilisierungskörper 37 und des Lichtmischkörpers 3 gegeneinander vertauscht sein. So kann sich der Lichtmischkörper 3 auch näher an dem Träger 7 befinden als der Stabilisierungskörper 37. Der

Stabilisierungskörper 37 ist beispielsweise aus einem lichtdurchlässigen, mechanisch stabilen Material wie einem Glas oder einem Kunststoff gestaltet. Da der

Stabilisierungskörper 37 bevorzugt keine optische Funktion ausübt, kann der Stabilisierungskörper 37 auch aus einem lichtundurchlässigen Material hergestellt sein. Ein solcher Stabilisierungskörper 37, wie in Figur 8 gezeigt, kann auch in allen anderen Ausführungsbeispielen vorhanden sein . Im Ausführungsbeispiel der Figur 9 ist gezeigt, dass die

Oberseite 31 des Lichtmischkörpers 3 schräg zur Hauptfläche 20 der Halbleiteremitter 21, 23, 24 orientiert ist. Die

Oberseite 31 kann die Hauptfläche 20 überragen, in Richtung weg von dem Träger 7. Es ist möglich, dass das

Verbindungsmittel 6 die Hauptfläche 20 teilweise bedeckt, etwa um eine effizientere optische Ankopplung des

Lichtmischkörpers 3 an die Halbleiteremitter 21, 23, 24 zu erreichen. Alternativ ist die Hauptfläche 20 frei von dem Verbindungsmittel 6, siehe zum Beispiel Figur 8.

Beim Ausführungsbeispiel der Figur 10 sind zwei

Lichtmischkörper 3 vorhanden, die optional je an einem

Stabilisierungskörper 37 angebracht sind. Ein Bereich

zwischen den Lichtmischkörpern 3, in dem sich der Detektor 4 befindet, ist von dem Verbindungsmittel 6 mit dem hohen optischen Brechungsindex ausgefüllt. In Richtung weg von dem Träger 7 können dabei das Verbindungsmittel 6 und die beiden Lichtmischkörper 3 bündig miteinander abschließen. Alternativ kann das Verbindungsmittel 6 oberhalb des Detektors 4 V- förmig sein, wie die Einschnürung in dem Lichtmischkörper 3 der Figur 9.

Beim Ausführungsbeispiel, wie in Figur 11 illustriert, befindet sich der Detektor 4 neben dem Lichtmischkörper 3, in Draufsicht gesehen, an einer den Halbleiteremittern 21, 23, 24 abgewandten Seite. Oberhalb des Detektors 4 befindet sich ein Einkoppelprisma 38. Von den Halbleiteremittern 21, 23, 24 gelangt ein bestimmter Strahlungsanteil in den Lichtmischkörper 3, wird in Richtung hin zu einer Mitte geführt, gelangt zu dem V-förmigen Spiegel 9, über den

Spiegel 9 in das Einkoppelprisma 38 und schließlich über das Einkoppelprisma 38 zu dem Detektor 4. Eine optische

Ankopplung des Einkoppelprismas 38 an den Lichtmischkörper 3 erfolgt bevorzugt über das Verbindungsmittel 6 mit dem hohen Brechungsindex. Ebenso kann das Einkoppelprisma 38 über das Verbindungsmittel 6 an dem Detektor 4 befestigt sein. Eine dem Träger 7 abgewandte Seite des Einkoppelprismas 38 verläuft bevorzugt schräg zu der Detektionsfläche 40 und lenkt Licht entweder über Totalreflexion oder über eine nicht gezeichnete weitere Spiegelschicht zu dem Detektor 4 hin. Gemäß Figur 12 ist kein Einkoppelprisma vorhanden, jedoch ist das Verbindungsmittel 6 im Bereich oberhalb der

Detektionsfläche 40 wie ein solches Prisma geformt. Im

Übrigen stimmen die Ausführungsbeispiele der Figuren 11 und 12 miteinander überein.

Bei den bisherigen Ausführungsbeispielen erfolgte eine lineare Dickenabnahme des Lichtmischkörpers 3 in Richtung hin zu dem Detektor 4, jedenfalls in Bereichen nicht direkt über der Detektionsfläche 40. Im Ausführungsbeispiel der Figur 13, siehe die Längsschnittdarstellung, weist die Oberseite 31 keinen kontinuierlichen, sondern einen stufenförmigen Verlauf auf. Somit sind Stufen 36 an dem Lichtmischkörper 3 geformt. Dabei ist bevorzugt jede der Stufen 36 zwischen benachbarten Halbleiteremittern 21, 23, 24 angebracht. An jedem der

Halbleiteremitter 21, 23, 24 kann damit der Lichtmischkörper 3 eine konstante, gleichbleibende Höhe aufweisen. Abweichend von der Darstellung in Figur 13 ist es auch möglich, dass die Oberseite 31 eben geformt ist und die Bodenseite 32 die

Stufen 36 aufweist.

Ein entsprechender, gestufter Lichtmischkörper 3 kann auch in allen anderen Ausführungsbeispielen Verwendung finden.

In der Querschnittsdarstellung senkrecht zur Linie L, wie in Figur 14 gezeigt, sind zwei der Lichtmischkörper 3a, 3b vorhanden. Die beiden Lichtmischkörper 3a, 3b erstrecken sich also längs der Linie L. Bevorzugt ist jedem der

Lichtmischkörper 3a, 3b einer der Detektoren 4 zugeordnet oder alternativ ist nur ein Detektor vorhanden, der an beide Lichtmischkörper 3a, 3b angekoppelt ist. Die Lichtmischkörper 3a, 3b können gleich oder verschieden voneinander geformt sein.

Eine solche Anordnung mit zwei Lichtmischkörpern 3a, 3b längs der Linie L kann auch in allen anderen Ausführungsbeispielen vorhanden sein.

In den Bespielen der Figuren 1 bis 14 handelt es sich bei der Linie L je um eine gerade verlaufende Linie. Die

Ausführungsbeispiele sind nicht auf solche geraden Linien beschränkt. Ebenso können geschlossene, etwa kreisförmige Linien vorhanden sein oder offen gekrümmte oder abgewinkelte Linien. Die Form der Lichtmischkörper 3 ist entsprechend anzupassen .

In Figur 15 ist eine Modifikation 11 der Lichtquelle 1 dargestellt. Die Darstellung der Figur 15 entspricht den Darstellungen in den Figuren 11 und 12. Gemäß Figur 15 befindet sich der bevorzugt keilförmig oder pyramidenförmig gestaltete Lichtmischkörper 3 an den

Hauptflächen 20 der Halbleiteremitter 21, 23, 24.

Seitenflächen 25 der Halbleiteremitter 21, 23, 24 sind frei von dem Lichtmischkörper 3. Der Lichtmischkörper 3 sowie der Detektor 4 können sich auf der Linie L befinden. Der Detektor 4 kann zwischen benachbarten Halbleiteremittern 21, 23 auf der Linie L angebracht sein. Hinsichtlich der übrigen Aspekte können die Halbleiteremitter 21, 23, 24, der Detektor 4, der Träger 7 sowie der

Lichtmischkörper 3 gestaltet sein, wie in Verbindung mit den Figuren 1 bis 14 sowie 16 und 17 erläutert. In Figur 16 sind in Schnittdarstellungen Ausführungsbeispiele für Halbleiteremitter 21, 22, 23, 24 illustriert, wie in allen Ausführungsbeispielen der Lichtquelle 1 verwendbar. Die Halbleiteremitter 21, 22, 23, 24 sind beispielsweise

aufgebaut, wie die LED des Herstellers OSRAM, Modell Duris S2.

An einem Emitterträger 94 befinden sich an einer Unterseite bevorzugt die elektrischen Kontaktflächen 27. Ferner können in dem Emitterträger 94 mehrere Unterstützungsstege 95 vorhanden sein. Ein Leuchtdiodenchip 91 ist an dem

Emitterträger 94 befestigt und über zwei Bonddrähte 97 elektrisch kontaktiert. Zusammen mit dem Emitterträger 94 ist der Leuchtdiodenchip 91 vollständig von der

LeuchtstoffSchicht 26 umgeben. Alternativ zur

LeuchtstoffSchicht 26 kann der Klarverguss 98 verwendet werden. Somit weisen die Halbleiteremitter 21, 22, 23, 24 im Querschnitt gesehen eine rechteckige Gestalt auf. Bei dem Leuchtdiodenchip 91 handelt es sich bevorzugt um einen blaues Licht emittierenden LED-Chip mit einer

Halbleiterschichtenfolge auf Basis von AlInGaN, die

beispielsweise auf einem strahlungsdurchlässigen Substrat etwa aus Saphir aufgewachsen ist. Der Leuchtdiodenchip 91 der Figur 16A kann damit bevorzugt Strahlung nach allen Seiten hin emittieren.

Beim Ausführungsbeispiel, wie in Figur 16B gezeigt, ist die Halbleiterschichtenfolge 92 auf dem Chipsubstrat 93

angebracht. Dabei kann sich zwischen dem Chipsubstrat 93 und der Halbleiterschichtenfolge 92 eine nicht gezeichnete

Spiegelschicht befinden. Bei dem Leuchtdiodenchip 91 der Figur 16B handelt es sich um einen Oberflächenemitter, bei dem Licht im Wesentlichen nur an einer dem Chipsubstrat 93 abgewandten Hauptseite der Halbleiterschichtenfolge 92 emittiert wird.

Optional befindet sich an Flanken des Leuchtdiodenchips 91 ein Reflektor 96, beispielsweise in Form eines

Vergusskörpers. Anders als dargestellt kann der Reflektor 96 nicht nur konvex, sondern auch, abweichend von der

Darstellung der Figur 16B, konkav gestaltet sein. Der

Leuchtdiodenchip 91 ist gemäß Figur 16B mit einem einzigen Bonddraht 97 versehen, eine weitere elektrische Kontaktierung erfolgt über das Chipsubstrat 93. Ein derartiger Reflektor kann auch in Figur 16A vorhanden sein.

Bei den Halbleiteremittern 21, 22, 23, 24 der Figur 16 handelt es sich um sogenannte QFN-Bauformen, wobei QFN für Quad Fiat No Leads steht. Alternativ können andere

oberflächenmontierbare Bauformen, sogenannte SMDs, Verwendung finden. Ebenso ist es möglich, dass Leuchtdiodenchips ohne zusätzliche Hausung verbaut werden.

In Figur 17 sind in schematischen Draufsichten

Ausführungsbeispiele für Emittergruppen 29 gezeigt. Eine elektrische Verschaltung ist je nur vereinfacht symbolisiert. Die jeweiligen Emittergruppen 29 können einen gemeinsamen Zwischenträger aufweisen, sodass die Emittergruppen 29 als eine Bauteilgruppe handhabbar sein können.

Gemäß Figur 17A weist jeder der Halbleiteremitter 21, 22, 23, 24 mehrere, insbesondere zwei, Leuchtdiodenchips 91 auf. Alle Leuchtdiodenchips 91 können Licht derselben Farbe, etwa blaues Licht, emittieren. Die Leuchtdiodenchips 91 des ersten Halbleiteremitters 21 sind von einem Klarverguss 98 umgeben, sodass blaues Licht abgestrahlt wird. Die Leuchtdiodenchips 91 der weiteren Halbleiteremitter 22, 23, 24 können je mit der LeuchtstoffSchicht 26 versehen sein. Die

LeuchtstoffSchicht 26 kann sich über mehrere der

Leuchtdiodenchips 91 erstrecken.

Gemäß Figur 17A sind die Leuchtdiodenchips 91 zu den

Halbleiteremittern 21, 22, 23, 24 gruppiert angeordnet.

Abweichend hiervon, siehe Figur 17B, können die

Halbleiterchips 91 linear angeordnet sein.

Die Leuchtdiodenchips 91 des ersten Halbleiteremitters 21 weisen beispielsweise eine Hauptfläche von 0,13 mm^ auf, die Halbleiterchips 91 des zweiten Halbleiteremitters 22 von 0,845 mrn^, die Halbleiterchips 91 des dritten

Halbleiteremitters 23 von 2 mm^ und die Halbleiterchips 91 des vierten Halbleiteremitters 24 von 1,69 mm^ . Die genannten Werte gelten insbesondere mit einer Toleranz von höchstens 50 % oder 20 %.

Die einzelnen Halbleiteremitter 21, 22, 23, 24 sind bevorzugt elektrisch parallel zueinander geschaltet. Eine

Versorgungsspannung der Emittergruppe 29 liegt damit

bevorzugt bei ungefähr 6 V, bei insgesamt sechs

Emittergruppen 29 ergibt sich für die Lichtquelle 1 eine Versorgungsspannung beispielsweise von 36 V. Werden sechs der Lichtquellen 1 in Serie geschaltet, nicht gezeichnet, kann eine Betriebsspannung um 230 V erzielt werden.

Die Halbleiteremitter 22, 23, 24 der Figuren 17A und 17B sind je mit einer LeuchtstoffSchicht 26 versehen. Alternativ ist es möglich, dass keine Leuchtstoffe vorhanden sind und dass die Halbleiteremitter 21, 23, 24 direkt Licht der gewünschten Farbe emittieren, beispielsweise wie in Figur 17C angedeutet. Die Halbleiteremitter 21 weisen beispielsweise eine

Kantenlänge von 0,5 mm auf und emittieren blaues Licht, die Halbleiteremitter 23 zeigen eine Kantenlänge von 1 mm auf und erzeugen grünes Licht und die Halbleiteremitter 24 zur

Erzeugung von rotem Licht weisen eine Kantenlänge von 0,7 mm auf. Auch diese Werte gelten insbesondere mit einer Toleranz von höchstens 80 % oder 50 % oder 20 %. Eine Toleranz von 50 % bedeutet beispielsweise bei einer nominellen Kantenlänge von 0,7 mm, dass die Kantenlänge zwischen 0,35 mm und 1,05 mm liegt .

Bevorzugt weist die Lichtquelle 1 mindestens zwei oder mindestens vier und/oder höchstens 20 oder 12 oder acht der Emittergruppen 29 auf. Jede der Emittergruppen 29 ist

beispielsweise zur Erzeugung eines Lichtstroms von mindestens 100 Im oder 150 Im und/oder höchstens 400 Im oder höchstens 250 Im, insbesondere zirka 200 Im, eingerichtet.

Wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen gilt

hinsichtlich des von den Halbleiteremittern 21, 22, 23, 24 emittierten Lichts besonders bevorzugt Folgendes:

Ein Farbort des Lichts der ersten Halbleiteremitter 21 weist bevorzugt eine Dominanzwellenlänge von mindestens 455 nm oder 460 nm oder 465 nm auf. Alternativ oder zusätzlich liegt diese Dominanzwellenlänge bei höchstens 480 nm oder 475 nm oder 470 nm. Optional beträgt dabei eine Farbsättigung dieses Farborts mindestens 85 % oder 95 % oder 97 %. Dies bedeutet, dass der Farbort des Lichts der ersten Halbleiteremitter 21 nahe an der Spektralfarbkurve in der CIE-xy-Normfarbtafel liegt. Mit anderen Worten emittieren die ersten

Halbleiteremitter 21 bevorzugt blaues Licht. Es beziehen sich die hier und im Folgenden genannte Werte zur

Dominanzwellenlänge, zum Farbort und zur Farbsättigung auf die CIE-xy-Normfarbtafel von 1931. Die ersten

Halbleiteremitter 21 sind bevorzugt frei von einem

Leuchtstoff .

Es liegt eine Dominanzwellenlänge des Lichts der vierten Halbleiteremitter 24 bevorzugt bei mindestens 600 nm oder 605 nm oder 610 nm und/oder bei höchstens 630 nm oder 625 nm oder 620 nm. Alternativ oder zusätzlich liegt die Farbsättigung dieses Farborts bei mindestens 85 % oder 95 % oder 97 %. Mit anderen Worten emittieren die vierten Halbleiteremitter 24 dann rotes Licht. Die vierten Halbleiteremitter 24 können frei von einem Leuchtstoff sein und aus einem rot

emittierenden LED-Chip bestehen oder einen rot emittierenden Leuchtstoff umfassen, der in Vollkonversion von einem blau emittierenden LED-Chip angeregt wird.

Die zweiten Halbleiteremitter 22 dienen bevorzugt zur

Erzeugung von bläulich-weißem Licht, auch als blau-mint bezeichnet. Es liegt ein Farbort des Lichts der zweiten Halbleiteremitter 22 insbesondere in oder auf einem Viereck in der CIE-xy-Normfarbtafel mit den folgenden Eckpunkten, angegeben in CIE x /CIE y : 0,2/0,25; 0,24/0,42; 0,18/0,38; 0,16/0,3. Alternativ liegt dieser Farbort innerhalb des folgenden Vierecks: 0,22/0,33; 0,24/0,34; 0,21/0,35;

0,2/0,31. Alternativ liegt dieser Farbort innerhalb des folgenden Vierecks: 0,25/0,20; 0,30/0,40; 0,25/0,45;

0,10/0,30.

Die dritten Halbleiteremitter 23 emittieren bevorzugt grünlich-weißes Licht, auch als grün-mint bezeichnet. Wie auch die zweiten Halbleiteremitter 22 sind die dritten Halbleiteremitter 23 insbesondere durch eine oder mehrere Leuchtdiodenchips gebildet, die kurzwelliges, bevorzugt blaues Licht emittieren und denen ein Leuchtstoff oder eine Leuchtstoffmischung nachgeordnet ist. Der Leuchtstoff oder die Leuchtstoffmischung der dritten Halbleiteremitter 23 unterscheidet sich bevorzugt hinsichtlich einer

Materialzusammensetzung und/oder einer Konzentration des mindestens einen Leuchtstoffs der zweiten Halbleiteremitter 22. Es liegt ein Farbort des Lichts der dritten

Halbleiteremitter 23 insbesondere innerhalb des folgenden Vierecks: 0,35/0,5; 0,42/0,46; 0,43/0,53; 0,38/0,55.

Alternativ liegt der Farbort in dem folgenden Viereck:

0,36/0,46; 0,4/0,46; 0,4/0,49; 0,36/0,5. Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die

Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt.

Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist . Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2016 109 901.5, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Bezugs zeichenliste

1 Lichtquelle

11 Modifikation einer Lichtquelle

10 Lichtaustrittsfläche

20 Hauptfläche der Halbleiteremitter

21 erster Halbleiteremitter (blau)

22 zweiter Halbleiteremitter (blau-mint)

23 dritter Halbleiteremitter (grün-mint)

24 vierter Halbleiteremitter (rot)

25 Seitenfläche der Halbleiteremitter

26 LeuchtstoffSchicht

27 elektrische Kontaktflächen

29 Emittergruppe

3 Lichtmischkörper mit hohem Brechungsindex

31 Oberseite des Lichtmischkörpers

32 Bodenseite des Lichtmischkörpers

33 Vorderseite des Lichtmischkörpers

34 Rückseite des Lichtmischkörpers

35 Stirnfläche des Lichtmischkörpers

36 Stufe am Lichtmischkörper

37 Stabilisierungskörper am Lichtmischkörper

38 Einkoppelprisma am Lichtmischkörper

39 lichtundurchlässige Barriere am Lichtmischkörper 4 Detektor zur Farbortbestimmung

40 Detektionsfläche

5 Lichtabstrahlkörper

6 Verbindungsmittel

61 weiteres Verbindungsmittel

7 Träger/Leiterplatte

70 Trägerhauptseite

71 Leiterbahn

72 Steckplatz für die Halbleiteremitter 74 Steckplatz für den Detektor

75 Reflektorverguss

8 Ansteuereinheit

9 Spiegel

91 Leuchtdiodenchip

92 Halbleiterschichtenfolge

93 Chipsubstrat

94 Emitterträger

95 Unterstützungsstege

96 Reflektor

97 Bonddraht

98 Klarverguss

L Linie, entlang der die Halbleiteremitter angeordnet sind