액정 배향제 조성물， 이를 이용한 액정 배향막의 제조 방법， 이를 이용한 액정 배향막 및 액정표시소자

【기,술분야】

관련 출원 (들)과의 상호 인용

본 출원은 2017년 11월 3일자 한국 특허 출원 제 10-2017-0146284호 및 2018년 10월 30일자 한국 특허 출원 제 10-2018-0131273호에 기초한 우선권의 이익을 주장하며， 해당 한국 특허 출원의 문헌에 개시된 모든 내용은 본 명세서의 일부로서 포함된다.

본 발명은 우수한 배향성， 전기적 특성을 나타냄과 동시에， 향상된 막강도와 신뢰성을 갖는 액정배향막을 형성하기 위한 액정 배향제 조성물， 이를 이용한 액정 배향막의 제조 방법， 및 이를 이용한 액정 배향막 및 액정 표시소자에 관한 것이다.

【발명의 배경이 되는 기술】

액정 표시소자에 있어서， 액정 배향막은 액정을 일정한 방향으로 배향시키는 역할을 담당하고 있다. 구체적으로， 액정 배향막은 액정 분자의 배열에 방향자 (di rector ) 역할을 하여 전기장 (electr i c f ield)에 의해 액정이 움직여서 화상을 형성할 때， 적당한 방향을 잡도록 해준다. 액정 표시소자에서 균일한 휘도 (br ightness)와 높은 명암비 (contrast rat io)를 얻기 위해서는 액정을 균일하게 배향하는 것이 필수적이다.

액정을 배향시키는 통상적인 방법으로， 유리 등의 기판에 폴리이미드와 같은 고분자 막을 도포하고, 이 표면을 나일론이나 폴리에스테르 같은 섬유를 이용해 일정한 방향으로 문지르는 러빙 (rubbing) 방법이 이용되었다. 그러나 러빙 방법은 섬유질과 고분자막이 마찰될 때 미세한 먼지나 정전기 (electr ical di scharge : ESD)가 발생할 수 있어， 액정 패널 제조 시 심각한 문제점을 야기시킬 수 있다.

상기 러빙 방법의 문제점을 해결하기 위하여， 최근에는 마찰이 아닌 광 조사에 의해 고분자 막에 이방성 (비등방성， _an i _so tropy)을 유도하고， 이를 이용하여 액정을 배열하는 광 배향법이 연구되고 있다.

상기 광배향법에 사용될 수 있는 재료로는 다양한 재료가 소개되어 있으며， 그 중에서도 액정 배향막의 양호한 제반 성능을 위해 폴리이미드가 주로 사용되고 있다. 그러나， 폴리이미드는 용매 용해성이 떨어져 용액 상태로 코팅하여 배향막을 형성시키는 제조 공정 상에 바로 적용하기에는 어려움이 있다. 따라서， 용해성이 우수한 폴리아믹산 또는 폴리아믹산 에스테르와 같은 전구체 형태로 코팅을 한 후 고온의 열처리 공정을 거쳐 폴리이미드를 형성시키고 여기에 광조사를 실행하여 배향처리를 하게 된다. 그러나， 이러한 폴리이미드 상태의 막에 광조사를 하여 충분한 액정 배향성을 얻기 위해서는 많은 에너지가 필요해 실제 생산성 확보에 어려움이 생길 뿐 아니라， 광조사 후 배향 안정성을 확보하기 위해 추가적인 열처리 공정도 필요한 한계가 있다. 또한， 기존의 수평배향 액정 표시소자를 위한 광배향막의 경우 잔상특성이 가장 큰 문제점으로 야기되고 있다. 이를 해결하기 위해， 배향막이 고분자 사슬의 이방성이 잘 유도되어 액정배향특성을 향상시키는 방법이 사용된 바 있다 . 그러나， 상기 특성을 가진 광배향막이라 하더라도， 액정 표시 소자의 고품위 구동을 위해서는 높은 전압 보전을 (vo l tage hol ding rat i o ; VHR)을 나타내어야 하는데， 폴리이미드 만으로는 이를 나타내는데 한계가 있다. 따라서， 우수한 배향특성 발현이 되고, 장시간 (구동 시간에 따른 신뢰성) 유지되는 높은 전압 보전율을 나타낼 수 있는 배향막이 필요한 실정이다.

【발명의 내용】

【해결하고자 하는 과제】

본 발명은 우수한 배향성， 내구성을 나타냄과 동시에， 향상된 전기적 특성 및 높은 신뢰성을 갖는 액정배향막을 형성하기 위한 액정 배향제 조성물에 관한 것이다.

또한， 본 발명은 상기의 액정 배향제 조성물을 이용한 액정 배향막의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.

또한， 본 발명은 상기의 제조방법으로 제조되는 액정 배향막 및 이를 포함하는 액정 표시소자를 제공하기 위한 것이다.

【과제의 해결 수단】

본 명세서에서는， ( i ) 폴리이미드 또는 이의 전구체를 포함한 중합체 ; 및 ( Π ) 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함한 폴리옥사졸린 가교제를 포함하는 액정배향제 조성물이 제공된다. [화학식 1]

상기 화학식 1에서， ¾은 탄소수 1 내지 20의 알킬기， 또는 헤테로 원소가 치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기이며， a은 1 내지 10000의 정수이다. 기존의 폴리이미드를 액정 배향막으로 사용하는 경우， 용해성이 우수한 폴리이미드 전구체， 폴리아믹산 또는 폴리아믹산 에스테르를 도포하고 건조하여 도막을 형성한 후， 고온의 열처리 공정을 거쳐 폴리이미드로 전환시키고 여기에 광조사 또는 러빙처리를 실행하여 배향처리를 하였다.

그러나， 이러한 폴리이미드 배향막의 경우 배향막 내부에 잔류하는 폴리아믹산으로 인해 전기적 특성이 약화되고， 폴리이미드 주사슬을 이루는 반복단위간 결합을 제외하고는 반복단위간의 가교결합이 없어 배향막의 강도가 충분치 못한 한계가 있었다.

이에 본 발명자들은， 폴리이미드 전구체에 해당하는 폴리아믹산 또는 폴리아믹산 에스테르에 대하여 내부 반복단위간 가교구조를 형성할 수 있는 가교제로서 폴리옥사졸린 가교제를 적용하여, 폴리아믹산 말단의 카르복시기와 폴리옥사졸린 가교제 내부의 아마이드기 간의 분자간 결합 (수소결합)을 통해 배향막의 전기적 특성을 향상시킴과 동시에， 가교체 형성을 통해 우수한 기계적 강도를 확보할 수 있음을 실험을 통해 확인하고 발명을 완성하였다. 뿐만 아니라, 폴리아믹산에 존재하는 카르복시기가 폴리옥사졸린 가교제 내부의 아마이드기 간의 분자간 결합 (수소결합)을 형성함으로서, 배향막내 고분자의 가수분해를 억제하여， 기존 액정배향막에 비해 잔상을 유발할 가능성이 낮아 고신뢰성의 액정배향막을 제조할수 있음을 확인하였다. 구체적으로， 액정배향제 조성물에 첨가되는 폴리옥사졸린 가교제의 경우， 분자내에 2개 이상의 아마이드성 관능기를 함유하는 다관능 화학구조를 통해， 폴리아믹산에 존재하는 카복시기와 효과적인 분자간 반웅을 유도할 수 있다. 이를 통해， 상기 폴리옥사졸린 가교제는 폴리아믹산 또는 폴리아믹산 에스테르의 내부 주사슬 간의 가교를 매개할 수 있으며， 상대적으로 높은 가교도를 갖는 가교구조체를 형성함으로서 기존 액정배향막에 비해 현저히 향상된 기계적 강도를 가질 수 있다.

이하， 본 발명을 보다상세히 설명한다. 용어의 정의

본 명세서에서 특별한 제한이 없는 한 다음 용어는 하기와 같이 정의될 수 있다.

본 명세서에서， 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때， 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다 .

본 명세서에서， "치환"이라는 용어는 화합물 내의 수소 원자 대신 다른 작용기가 결합하는 것을 의미하며， 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉， 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정되지 않으며， 2 이상 치환되는 경우， 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나상이할수 있다.

본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 카르보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미드기; 아미노기; 카르복시기; 술폰산기; 술폰아미드기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 티을기; 붕소기; 알킬기; 시클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기 ; 아르알케닐기; 알킬아릴기 ; 아릴포스핀기 ; 또는 _N , 0 및

S 원자 중 1개 이상을 포함하는 해테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나， 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기 "는 바이페닐기일 수 있다. 즉， 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고， 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수도 있다. 본 명세서에서， 1— , 또는 는 다른 치환기에 연결되는 결합을 의미하고 , 직접결합은 L 로 표시되는 부분에 별도의 원자가 존재하지 않은 경우를 의미한다 .

탄소수 4 내지 20의 탄화수소는, 탄소수 4 내지 20의 알칸 (alkane), 탄소수 4 내지 20의 알켄 (alkene), 탄소수 4 내지 20의 알킨 (alkyne), 탄소수 4 내지 20의 사이클로알칸 (cycloalkane), 탄소수 4 내지 20의 사이클로알켄 (cycloalkene), 탄소수 6 내지 20의 아렌 (arene)이거나， 혹은 이들 중 1종 이상의 고리형 탄화수소가 2 이상의 원자를 공유하는 축합 고리 (fused ring)이거나， 혹은 이들 중 1종 이상의 탄화수소가 화학적으로 결합된 탄화수소일 수 있다. 구체적으로, 탄소수 4 내지 20의 탄화수소로는 n- 부탄， 사이클로부 ^' 탄， 1-메틸사이클로부탄, 1 3-디메틸사이클로부탄， 1,2,3,4- 테트라메틸사이클로부탄, 사이클로펜탄， 사이클로핵산， 사이클로헵탄， 사이클로옥탄， 사이클로핵센， 1-메틸 -3-에틸사이클로핵센, 바이사이클로핵실， 벤젠， 바이페닐， 디페닐메탄， 2,2-디페닐프로판， 1-에틸 -1 23 4- 테트라하이드로나프탈렌 또는 1 6-디페닐핵산 등을 예시할수 있다.

탄소수 1 내지 20의 알킬기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리형 알킬기일 수 있다. 구체적으로， 탄소수 1 내지 20의 알킬기는 탄소수 1 내지 10의 직쇄 알킬기; 탄소수 1 내지 6의 직쇄 알킬기; 탄소수 3 내지 10의 분지쇄 또는 고리형 알킬기; 또는 탄소수 3 내지 6의 분지쇄 또는 고리형 알킬기일 수 있다. 보다 구체적으로， 탄소수 1 내지 10의 알킬기로는 메틸기 에틸기， n-프로필기， iso-프로필기， n-부틸기, iso-부틸기， tert-부틸기， n-펜틸기， is으펜틸기， neo-펜틸기 또는 사이클로핵실기 등을 예시할수 있다.

헤테로 원소가 치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기는 상기 탄소수 1 내지 10의. 알킬기의 하나 이상의 수소가 할로겐， N, 0 및 S 원자 중 1개 이상의 원소로 치환된 것일 수 있고， 예를 들어， 트리플루오로메틸기 또는 티옥시메틸기 등을 들 수 있다.

탄소수 1 내지 20의 플루오로알킬기는 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬기의 하나 이상의 수소가 불소로 치환된 것일 수 있고， 탄소수 1 내지 10의 플루오로알콕시기는 상기 탄소수 1 내지 10의 알콕시기의 하나 이상의 수소가블소로 치환된 것일 수 있다.

할로겐 (halogen)은 불소 (F), 염소 (C1), 브롬 (Br) 또는 요오드 (I)일 수 있다. 질소 산화물은 질소 원자와 산소 원자가 결합한 화합물로서， 질소 산화물 작용기는 작용기 내에 질소 산화물을 포함한 작용기를 의미한다. 상기 질소 산화물 작용기의 예를 들면， 니트로기 (-N0 ₂ ) 등을사용할 수 있다.

탄소수 1 내지 20의 알콕시기는 직쇄， 분지쇄 또는 고리형 알콕시기일 수 있다. 구체적으로， 탄소수 1 내지 10의 알콕시기는 탄소수 1 내지 10의 직쇄 알콕시기; 탄소수 1 내지 5의 직쇄 알콕시기; 탄소수 3 내지 10의 분지쇄 또는 고리형 알콕시기; 또는 탄소수 3 내지 6의 분지쇄 또는 고리형 알콕시기일 수 있다. 보다 구체적으로， 탄소수 1 내지 10의 알콕시기로는 메특시기, 에톡시기， n-프로폭시기, i so-프로폭시기, n-부톡시기, i so- 부톡시기, tert-부톡시기， n-펜특시기， i s으펜록시기， neo-펜록시기 또는 사이클로헵톡시기 등을 예시할수 있다.

탄소수 1 내지 20의 알케닐기는 직쇄， 분지쇄 또는 고리형 알케닐기일 수 있다. 구체적으로， 탄소수 1 내지 10의 알케닐기는 탄소수 2 내지 10의 직쇄 알케닐기， 탄소수 2 내지 5의 직쇄 알케닐기， 탄소수 3 내지 10의 분지쇄 알케닐기， 탄소수 3 내지 6의 분지쇄 알케닐기， 탄소수 5 내지 10의 고리형 알케닐기 또는 탄소수 6 내지 8의 고리형 알케닐기일 수 있다. 보다 구체적으로， 탄소수 2 내지 10의 알케닐기로는 에테닐기, 프로페닐기， 부테닐기， 펜테닐기 또는 사이클로핵세닐기 등을 예시할수 있다.

탄소수 2 내지 20의 알카이닐기는 직쇄， 또는 분지쇄 알카이닐기일 수 있다. 구체적으로， 탄소수 2 내지 20의 알카이닐기는 탄소수 2 내지 20의 직쇄 알카이닐기 , 탄소수 2 내지 5의 직쇄 알카이닐기， 탄소수 2 내지 20의 분지쇄 알카이닐기， 또는 탄소수 2 내지 10의 분지쇄 알카이닐기일 수 있다. 보다 구체적으로， 탄소수 2 내지 20의 알카이닐기로는 에타이닐기， 프로파이닐기, 부타이닐기， 펜타이닐기 등을 예시할 수 있다.

본 명세서에 있어서， 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지

60인 것이 바람직하며， 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면， 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기， 바이페닐기, 터페닐기 둥이 될 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기， 안트라세닐기, 페난트릴기， 파이레닐기， 페릴레닐기， 크라이세닐기， 플루오레닐기 등이 될 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다.

탄소수 6 내지 30의 아릴알킬기는 상술한 탄소수 1 내지 20의 알킬기에 포함된 수소원자 대신 상술한 탄소수 6 내지 20의 아릴기가 치환된 작용기로 알킬기， 아릴기에 대한 설명은 상술한 내용을 포함할 수 있다. 구체적으로， 탄소수 6 내지 30의 아릴알킬기는 페닐메틸기 등을 예시할 수 있다.

본 명세서에 있어서， 알킬렌기는 알케인 (alkane)으로부터 유래한 2가의 작용기로， 예를 들어， 직쇄형 분지형 또는 고리형으로서， 메틸렌기， 에틸렌기, 프로필렌기, 이소부틸렌기， sec-부틸렌기, tert—부틸렌기， 펜틸렌기， 핵실렌기 둥이 될 수 있다.

본 명세서에서， 헤테로 알킬렌기는， 이종원자로 산소 (0)， 질소 (N) 또는 황 (S)을 함유한 알킬렌기로ᅳ 탄소수는 1 내지 10， 또는 1 내지 5 이다. 예를 들어 옥시 알킬렌 등이 될 수 있다. 상기 헤테로 알킬렌기에 포함되어 있는 하나 이상의 수소 원자는 각각 상기 알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.

본 명세서에서， 시클로알킬렌기는， 시클로알케인 (cyc loalkane)으로부터 유래한 2가의 작용기로， 탄소수는 3 내지 20， 또는 3 내지 10 이다. 예를 들어, 시클로프로필렌， 시클로부틸렌， . 시클로펜틸렌， 3-메틸시클로펜틸렌， 2 , 3- 디메틸시클로펜틸렌， 시클로핵실렌， 3-메틸시클로핵실렌， 4-메틸시클로핵실렌， 2 , 3-디메틸시클로핵실렌， 3，4，5-트리메틸시클로핵실렌， 4-tert- 부틸시클로핵실렌， 시클로헵틸렌， 시클로옥틸렌 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다.

본 명세서에서， 아릴렌기는， 아렌 (arene)으로부터 유래한 2가의 작용기로， 단환식 또는 다환식일 수 있고， 탄소수는 6 내지 20， 또는 6 내지 10이다. 예를 들어， 페닐렌기， 바이페닐렌기， 터페닐렌기， 스틸베닐렌기， 나프틸레닐기 등이 될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 아릴렌기에 포함되어 있는 하나 이상의 수소 원자는 각각 상기 알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.

본 명세서에서， 헤테로 아릴렌기는， 탄소수는 2 내지 20， 또는 2 내지 10， 또는 6 내지 20 이다. 이종원자로 0， N 또는 S를 함유한 아릴펜기로， 상기 헤테로 아릴렌기에 포함되어 있는 하나 이상의 수소 원자는 각각 상기 알킬기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능하다.

본 명세서에 있어서， 아민기는 -N , 모노알킬아민기， 모노알콕시알킬아민기， 디알킬아민기， N-알킬아릴아민기， 모노아릴아민기， 디아릴아민기， N-아릴헤테로아릴아민기, N-알킬헤테로아릴아민기, 모노헤테로아릴아민기， 및 디헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며， 탄소수는 특별히 한정되지 않으나， 1 내지 30인 것이 바람직하다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기， 디메틸아민기， 에틸아민기， 2- 히드록시에틸아민기， 디에틸아민기, 페닐아민기， 나프틸아민기, 바이페닐아민기， 안트라세닐아민기， 9—메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 디롤릴아민기, N-페닐바이페닐아민기， N-페닐나프틸아민기， N- 바이페닐나프틸아민기， 디를릴아민기， N-페닐를릴아민기， 트리페닐아민기， N- 나프틸플루오레닐아민기， N-페닐페난트레닐아민기， N- 바이페닐페난트레닐아민기, N-페닐플루오레닐아민기， N-페닐터페닐아민기, N- 페난트레닐플루오레닐아민기, N-바이페닐플루오레닐아민기 둥이 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다.

본 명세서에 있어서, 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기， 트리비닐실릴기， t-부틸디메틸실릴기， 비닐디메틸실릴기， 프로필디메틸실릴기， 트리페닐실릴기， 디페닐실릴기， 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.

임의의 화합물에서 유래한 다가 유기기 (mul t ivalent organic group)는 임의의 화합물에 결합된 복수의 수소 원자가 제거된 형태의 잔기를 의미한다. 일 예로， 사이클로부탄에서 유래한 4가의 유기기는 사이클로부탄에 결합된 임의의 수소 원자 4개가 제거된 형태의 잔기를 의미한다 . 본 명세서에서， 화학식 중 또는 ᅳ * 는 해당 부위의 수소가

제거된 형태의 잔기를 의미한다. 예를 들어， ^ᅳ^ *는 사이클로부탄의 2， 3 및 4번 탄소에 결합된 수소 원자 4개가 제거된 형태의 잔기， 사이클로부탄에서 유래한 4가의 유기기 중 어느 하나를 의미한다. 본 명세서에서， 직접결합 또는 단일결합은 해당 위치에 어떠한 원자 또는 원자단도 존재하지 않아, 결합선으로 연결되는 것을 의미한다. 구체적으로， 화학식 중 , 로 표시되는 부분에 별도의 원자가 존재하지 않은 경우를 의미한다.

본 명세서에서， 증량 평균 분자량은 GPC법에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량을 의미한다. 상기 GPC법에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량을 측정하는 과정에서는， 통상적으로 알려진 분석 장치와 시차 굴절 검출기 (Refract ive Index Detector ) 등의 검출기 및 분석용 컬럼을 사용할 수 있으며， 통상적으로 적용되는 온도 조건 용매， f low rate를 적용할 수 있다. 상기 측정 조건의 구체적인 예를 들면， Malvern사의 LT5000L, Mixed , medium org 300 誦 길이 칼럼을 이용하여 Malvern Viscotek. GPCmax 기기를 이용하여, 평가 온도는 40 ^이며， . 디메틸포름아마이드 (DMF)와 테트라하이드로퓨란 (THF)를 용매로서 사용하였으며 유속은 0.8 mL/min의 속도로， 샘플은 10mg/10mL의 농도로 조제한 다음， 200 의 양으로 공급하며, 플리스티렌 표준을 이용하여 형성된 검정 곡선을 이용하여 Mw 의 값을 구할 수 있다. 폴리스티렌 표준품의 분자량은 600 I 3 , 000 I 10 , 000 / 50, 000 / 200， 000의 5종을 사용하였다. 중합체

상기 중합체는， 폴리이미드 또는 이의 전구체를 포함한다. 상기 폴리이미드의 전구체는 폴리아믹산또는 폴리아믹산에스터를 포함할 수 있다. 구체적으로， 상기 중합체는， 하기 화학식 2로 표시되는 반복 단위， 하기 화학식 3으로 표시되는 반복 단위 및 하기 화학식 4로 표시되는 반복 단위로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 반복 단위를 포함하는 제 1 액정 배향제용 중합체 ; 및 하기 화학식 5로 표시되는 반복 단위， 하기 화학식 6으로 표시되는 반복 단위 및 하기 화학식 7로 표시되는 반복 단위로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 반복 단위를 포함하는 계 2 액정 배향제용 중합체를 포함할 수 있다.

[화학식 2]

[화학식 3]

[화학식 4]

[화학식 5]

[화학식 6]

[화학식 7]

상기 화학식 2 내지 7에서， ¾ 및 중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고， 나머지는 수소이며， ¾ 및 ¾ 중 적어도 하나는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고 나머지는 수소이몌

Xi 내지 는 각각 독립적으로 하기 화학식 8로 표시되는 4가의 유기기이며,

[화학식 8]

상기 화학식 8에서， ¾ 내지 R ₁₄ 은 각각 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고， 는 단일결합， -0-， -CO-, -C00-, -S-, -so-, -so ₂ -, - CRisRie- , -(CH ₂ )z-, -0(CH ₂ ) _z 0- , -C00(CH ₂ ) _z 0C0-, -C0NH- , 페닐렌 또는 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나이며, 상기에서 R ₁₅ 및 R ₁₆ 는 각각 독립적으로 수소， 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 플루오로알킬기이고， z는 1 내지 10의 정수이며，

Yi 내지 Y ₃ 은 각각 독립적으로 하기 화학식 9로 표시되는 2가의 유기기이고，

[화학식 9]

상기 화학식 9에서， T는 상기 화학식 8로 표시되는 4가의 유기기이고， Di 및 ¾는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기， 탄소수 1 내지 10의 헤테로 알킬렌기， 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬렌기， 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기 또는 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기이며，

Y ₄ 내지 Υ ₆ 는 각각 독립적으로 하기 화학식 10으로 표시되는 2가의 유기기이고

[화학식 10]

상기 화학식 10에서， R ₁₇ 및 R ₁₈ 는 각각 독립적으로 수소， 할로겐, 시아노， 나이트릴, 탄소수 1 내지 10의 알킬， 탄소수 1 내지 10의 알케닐， 탄소수 1 내지 10의 알콕시， 탄소수 1 내지 10의 플루오로알킬， 또는 탄소수 1 내자 10의 플루오로알콕시이고， p 및 q는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고， L ₂ 은 단일결합， -0-， -CO- , -S- , -S0 ₂ -, -C(CH ₃ ) ₂ -, -C(CF ₃ ) ₂ - , - C0NH- , -COC ⁾ - , -(CH ₂ ) _y - , -0(CH ₂ ) _y 0-, -0(C¾) _y -, -NH- , -NH(CH ₂ ) _y -NH -， - NH(CH ₂ ) _y 0- , -0CH ₂ -C(CH ₃ ) ₂ -CH ₂ 0- , -C00-(CH ₂ ) _y -0C0- , 또는 -0C0-(CH ₂ ) _y -C0O이며， y는 1 내지 10의 정수이고， k 및 m은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이고, n은 0 내지 3의 정수이다.

구체적으로， 상가 제 1 액정 배향제용 중합체는 상기 화학식 2로 표시되는 반복 단위， 상기 화학식 3으로 표시되는 반복 단위 및 상기 화학식 4로 표시되는 반복 단위 각각 1종 또는 이들 중 2종의 흔합， 또는 이들 3종 모두의 혼합을 포함할 수 있다.

또한, 상기 제 2 액정 배향제용 중합체는 상기 화학식 5로 표시되는 반복 단위， 상기 화학식 6으로 표시되는 반복 단위 및 상기 화학식 7로 표시되는 반복 단위 각각 1종 또는 이들 중 2종의 흔합， 또는 이들 3종 모두의 혼합을 포함할수 있다.

구체적으로, 일 구현예에 따른 액정 배향제 조성물 중 제 1 액정 배향제용 중합체， 제 2 액정 배향제용 중합체에 있어서， Xi 내지 ¾는 각각 독립적으로 상기 화학식 8로 표시되는 4가의 유기기일 수 있다.

보다 바람직하게는 상기 Xi 내지 X ₆ 는 각각 독립적으로 피로멜리틱산 디무수물로부터 유래한 하기 화학식 8-1의 유기기， 1，3-디메틸시클로부탄- 1， 2 , 3， 4—테트라카르복실릭디무수물로부터 유래한 하기 화학식 8-2의 유기기 또는 4, 4 ' -옥시디프탈산 디무수물로부터 유래한 하기 화학식 8-3의 유기기일 수 있다.

[화학식 _. 8-1]

[화학식 8-2]

한편， 상기 일 구현예에 따른 액정 배향제 조성물 중 제 1 액정 배향제용 중합체는 상기 화학식 1 내지 3의 반복 단위에서 내지 Y ₃ 은 각각 독립적으로 상기 화학식 9로 표시되는 2가의 유기기일 수 있다. 상기 제 1 중합체가 이미 이미드화된 이미드 반복 단위를 함유한 디아민으로부터 합성되므로， 도막 형성 후 고은의 열처리 공정 없이 바로 광을 조사하여 이방성을 생성시키고, 이후에 열처리를 진행하여 배향막을 완성할 수 있기 때문에， 광 조사 에너지를 크게 줄일 수 있을 뿐 아니라, 1회의 열처리 공정을 포함하는 단순한 공정으로도 배향성과 안정성이 우수할 뿐만 아니라， 전압유지 보전율과 전기적 특성 또한 뛰어난 액정 배향막을 제조할수 있다:

구체적으로， 상기 화학식 9에서， Τ는 하기 화학식 9-1 또는 9-2이고, ¾ 및 ¾는 각각 독립적으로 페닐렌기일 수 있다.

[화학식 9ᅳ1]

[화학식 9-2]

상기 제 1 액정 배향제용 중합체에서 상기 화학식 1， 화학식 2 및 화학식 3으로 표시되는 반복 단위 중에서, 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 전체 반복 단위에 대하여 5 몰% 내지 74몰%, 또는 10 몰% 내지 60몰% 포함할 수 있다.

상술한 바와 같이， 상기 화학식 1로 표시되는 이미드 반복 단위를 특정 함량 포함하는 중합체를 이용하면， 상기 제 1 액정 배향제용 중합체가 이미 이미드화된 이미드 반복 단위를 일정 함량 포함하므로， 고온의 열처리 공정을 생략하고， 바로 광을 조사하여도 배향성과 안정성이 우수한 액정 배향막을 제조할 수 있다.

만일 화학식 1로 표시되는 반복 단위가 상기 함량 범위보다 적게 포함되면 층분한 배향 특성을 나타내지 못하고， 배향 안정성이 저하될 수 있으며, 상기 화학식 1로 표시되는 반복 단위의 함량이 상기 범위를 초과하면 용해도가 낮아져 코팅 가능한 안정적인 배향액을 제조하기 어려운 문제가 나타날 수 있다. 이에ᅳ따라， 상기 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 상술。한 함량 범위로 포함하는 것이 보관 안정성， 전기적 특성， 배향 특성 및 배향 안정성이 모두 우수한 액정 배향제용 중합체를 제공할 수 있어 바람직하다. 또한， 상기 화학식 2로 표시되는 반복 단위 또는 화학식 3으로 표시되는 반복 단위는 목적하는 특성에 따라 적절한 함량으로 포함될 수 있다. 구체적으로， 상기 화학식 2로 표시되는 반복 단위는 상기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 전체 반복 단위에 대하여 0 내지 40몰 ¾», 바람직하게는 0 내지 30몰% 포함될 수 있다. 상기 화학식 2으로 표시되는 반복 단위는 광 조사 후 고온 열처리 공정 중 이미드로 전환되는 비을이 낮기 때문에， 상기 범위를 넘어서는 경우 전체적인 이미드화율이 부족하여 배향 안정성이 저하될 수 있다. 따라서, 상기 화학식 2로 표시되는 반복 단위는 상술한 범위 내에서 적절한 용해도를 나타내어 공정 특성이 우수하면서도 높은 이미드화율을 구현할 수 있는 액정 배향제용 중합체를 제공할 수 있다.

그리고， 상기 화학식 3으로 표시되는 반복 단위는 상기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 전체 반복 단위에 대하여 0 내지 95몰%， 바람직하게는 10 내지 90몰% 포함될 수 있다. 이러한 범위 내에서 우수한 코팅성을 나타내 공정 특성이 우수하면서도 높은 이미드화율을 구현할 수 있는 액정 배향제용 중합체를 제공할 수 있다. 한편， 상기 일 구현예에 따른 액정 배향제 조성물 중 제 2 액정 배향제용 중합체는 상기 화학식 4 내지 6에서， Y ₄ 내지 Υ ₆ 는 각각 독립적으로 상기 화학식 10으로 표시되는 2가의 유기기이다. 상기 화학식 10의 유기기를 함유한 게 2 액정 배향제용 중합체를 포함함에 따라, 전압유지 보전율 (Vol tage Holding Rat io)과 같은 배향막의 전기적 특성을 크게 개선할 수 있고, 액정 배향막의 배향성을 증폭시키며ᅳ 기계적 물성을 증진하여 배향막의 내구성을 확보할 수 있다.

상기 화학식 10에서， R ₁₇ 또는 R ₁₈ 로 치환되지 않은 탄소에는 수소가 결합되어 있으며， p 또는 (！가 .2 내지 4의 정수일 때 복수의 R ₁₇ 또는 R ₁₈ 는 동일하거나 서로 상이한 치환기일 수 있다. 그리고ᅳ 상기 화학식 10에서 k 및 m은 각각 독립적으로 0 내지 3， 또는 1 내지 3의 정수이고， n은 0 내지 3의 정수 흑은 0또는 1의 정수일 수 있다.

보다 구체적으로， 상기 화학식 10의 예가 크게 한정되는 것은 아니나， 예를 들어 하기 화학식 10-1 또는 화학식 10-2로 표시되는 작용기일 수 있다.

[화학식 10-1]

상기 화학식 10-2에서 L ₃ 는 단일 결합, -0-， -S0 ₂ -, 또는 -C¾ ₀ R ₃ 厂이며， 여기서， R ₃₀ 및 R ₃₁ 은 각각 독립적으로 수소， 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬이다.

바람직하게는， 상기 화학식 10-1은 하기 화학식 10-3일 수 있다.

[ 10-3]

또한， 상기 화학식 10-2는 하기 화학식 10-4일 수 있다.

[ -4]

상기 화학식 10-4에서, L ₃ 는 —0-， 또는 -CH ₂ -이다.

또한， 상기 제 1 액정 배향제용 중합체와 제 2 액정 배향제용 중합체는

1 : 9 내지 9 : 1， 또는 15 : 85 내지 85 : 15， 또는 2 : 8 내지 8 : 2의 중량비로 흔합할 수 있다. 상술한 바와 같이， 상기 제 1 액정 배향제는 이미 이미드화된 이미드 반복 단위를 일정 함량 포함하므로， 도막 형성 후 고온의 열처리 공정 없이 바로 광을 조사하여 이방성을 생성시키고, 이후에 열처리를 진행하여 배향막을 완성할 수 있는 특징이 있고， 제 2 액정 배향제용 중합체는 전압 유지 보존율과 같은 전기적 특성을 향상시키는 특징이 있다. 이와 같은 특징을 갖는 상기 제 1 액정 배향제용 중합체와 제 2 액정 배향제용 중합체를 상기 중량비 범위로 흔합하여 사용하는 경우， 제 1 액정 배향제용 중합체가 갖는 우수한 광반웅 특성 및 액정 배향 특성에 제 2 액정 배향제용 중합체가 갖는 우수한 전기적 특성을 상호 보완할 수 있으므로， 보다 우수한 배향성과 전기적 특성을 동시에 갖는 액정 배향막을 제조할수 있다. 폴리옥사졸린 가교제

상술한 액정 배향제용 중합체 이외에， 본 발명의 일 구현예의 액정 배향제 조성물은 폴리옥사졸린 가교제를 포함시킴으로서， 이로부터 제조되는 액정 배향막의 기계적 강도를 향상시캄과 동시에 고신뢰성 그리고 우수한 전기적 특성을 구현할 수 있다. 상기 폴리옥사졸린 가교제는 1이상의 옥사졸린 화합물의 중합반웅을 통해 합성된 중합체, 올리고머， 고분자를 포함하며， 상기 폴리옥사졸린 가교제는 1종의 옥사졸린 화합물의 단독. 중합체 또는 2종 이상의 옥사졸린 화합물의 공중합체를 포함할 수 있다. 상기 공중합체는 랜덤공중합체 또는 블록공중합체를 모두 포함한다.

구체적으로， 상기 폴리옥사졸린 가교제는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함할수 있다.

[화학식 1]

상기 화학식 1에서， ¾은 탄소수 1 내지 20의 알킬기， 또는 헤테로 원소가 치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기이며 , a은 1 내지 10000의 정수이다. 상기 헤테로 원소가 치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기의 예가 크게 한정되는 것은 아니나， 예를 들어 트리플루오로메틸기， 또는 티옥시메틸기 등을 들 수 있다.

이처럼， 상기 폴리옥사졸린 가교제는 가교성 작용기인 아마이드 작용기를 2개 이상으로 다수 포함함에 따라， 상기 액정배향제 조성물 내에서 폴리아믹산 반복단위 또는 폴리아믹산 에스터 반복단위 둥과 반웅할 수 있는 표면적이 증가하여， 높은 가교반응성을 나타내며 가교구조를 보다 용이하게 형성할수 있다.

상기 폴리옥사졸린 가교제는， 일 말단에 탄소수 1 내지 20의 알킬기， 히드록시기， 티올기， 알카이닐기， 아민기， 아자이드기， 및 실릴기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상이 결합할 수 있다. 상기 일 말단이란， 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위의 일 말단을 의미하며, 바람직하게는 상기 알카이닐기로 에타이닐기, 아민기로 2-히드록시에틸아민기， 실릴기로 트리비닐실릴기를 사용할 수 있다.

또한， 상기 폴리옥사졸린 가교제는, 상기 일 말단에 반대되는 다른 말단에 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 헤테로 원소가 치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알카이닐기， 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 및 탄소수 6 내지 30의 아릴알킬기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상이 결합할 수 있다.

보다 구체적으로， 상기 폴리옥사졸린 가교제는 하기 화학식 1-1로 표시되는 단독 중합체를 포함할 수 있다.

[화학식 1-1]

상기 화학식 1-1에서， Ri은 탄소수 1 내지 20의 알킬기， 또는 헤테로 원소가 치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기이며， R ₂ 은 탄소수 1 내지 20의 알킬기， 헤테로 원소가 치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기， 탄소수 2 내지 20의 알카이닐기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기， 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴알킬기이고， X는 탄소수 1 내지 20의 알킬기， 히드록시기， 티을기， 알카이닐기， 아민기， 아자이드기, 또는 실릴기이며, a는 1 내지 10000의 정수이다.

바람직하게는 상기 화학식 1-1에서， 은 탄소수 2의 에틸기이고 R ₂ 은 메틸기이고， X는 메틸기이며， _a 는 1 내지 10000의 정수인 하기 실시예 1의 화학식 A 고분자일 수 있다. 또한， 상기 화학식 1-1에서, ¾은 탄소수 1의 메틸기이고， R ₂ 은 메틸기이고， X는 메틸기이며， _a 는 1 내지 10000의 정수인 하기 실시예 4의 화학식 B고분자일 수 있다. 또한， 상기 화학식 1-1에서， ¾은 탄소수 3의 이소프로필기이고， R ₂ 은 메틸기이고， X는 메틸기이며， . a는 1 내지 10000의 정수인 하기 실시예 5의 화학식 C고분자일 수 있다.

또한， 상기 폴리옥사졸린 가교제는， 상가 화학식 1로 표시될 수 있는 서로 다른 2종 이상의 반복단위를 포함한 공중합체를 포함할 수 있다. 상기 공중합체는 랜덤공중합체 또는 블록공중합체를 모두 포함한다.

보다 구체적으로， 상기 폴리옥사졸린 가교제는 하기 화학식 1-2로 표시되는 공중합체를 포함할 수 있다.

[화학식 1-2]

상기 화학식 1-2에서， ¾은 탄소수 1 내지 20의 알킬기， 또는 헤테로 원소가 치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기이며， R ₂ 은 탄소수 1 내지 20의 알킬기， 헤테로 원소가 치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기， 탄소수 2 내지 20의 알카이닐기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기， 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴알킬기이고， ¾ " 은 탄소수 1 내지 20의 알킬기， 또는 헤테로 원소가 치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기이며， Ri과 ¾" 은 서로 상이하며， X는 탄소수 1 내지 20의 알킬기 히드록시기, 티올기， 알카이닐기 아민기 , 아자이드기， 또는 실릴기이며, a및 b는 각각 독립적으로 1 이상， 또는 1 내지 10000의 정수이다.

상기 폴리옥사졸린 가교제는 중량평균 분자량 (GPC측정)이 5000 g/mo l 내지 1000000 g/mo l 일 수 있다.

상기 폴리옥사졸린 가교제의 중량평균 분자량이 지나치게 커지면， 노광 후 배향 단계에서 배향이 되지 않아 잔상을 유발할 수 있다. 반면， 상기 폴리옥사졸린 가교제의 중량평균 분자량이 지나치게 작아지면, 폴리옥사졸린 가교제의 내화학성 저하로 인한 배향성 저하와 전기적 특성이 오히려 저하되는 기술적 문제가 발생할 수 있다.

상기 폴리옥사졸린 가교제는， 상기 액정 배향제 조성물 전체 중량을 기준으로 0. 1 중량 %내지 20 중량 ¾>로 함유되는 것이 바람직하다.

상기 폴리옥사졸린 가교제의 함량이 지나치게 많아지면， 상기 액정배향제용 중합체의 가교도가 지나치게 증가함에 따라， 상기 중합체의 유연성이 감소할 수 있고, 조성물의 점도 증가 또는 조성물 내에서의 겔화반응으로 인해 기판으로의 도포성이 감소할수 있다.

반면， 상기 폴리옥사졸린 가교제의 함량이 지나치게 작아지면， 상기 액정배향제용 중합체의 가교도 증가에 의한 기계적 강도 향상 효과가 충분히 구현되기 어려을 수 있다. 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 가지는 화합물

또한， 본 발명자들은 상기 액정 배향제용 중합체 이외에， 분자 내에 2개 이상, 또는 2개 내지 6개의 에폭시기를 가지는 화합물을 액정 배향제 조성물에 포함시킴으로서， 이로부터 제조되는 액정 배향막은 높은 전압 유지율을 나타낼 수 있을 뿐만 아니라 열 스트레스에 의한 배향 안정성 및 배향막의 기계적 강도도 개선됨을 확인하였다. 이론적으로 제한되는 것은 아니나， 광 조사에 의한 이방성 생성 후 열처리 과정에서 에폭시기를 가지는 화합물과 폴리이미드 전구체 또는 부분 이미드화된 고분자의 카르복시산기와 열가교 반웅이 일어나고 , 이로 인하여 전압 유지율을 상승시킨다. 또한， 특히 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 가지는 화합물을 사용하기 때문에， 이러한 특성이 더욱 향상될 뿐만 아니라 폴리이미드 전구체 또는 부분 이미드화된 고분자 사슬간의 가교 반응을 일으켜 배향 안정성 및 배향막의 기계적 강도도 향상시킬 수 있다.

상기 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 가지는 화합물의 분자량은， 100 g/mol 내지 10000 g/mol 인 것이 바람직하다. 상기 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 가지는 화합물로， 사이클로알리파틱계 에폭시， 비스페놀계 에폭시， 또는 노볼락계 에폭시를 사용할 수 있다.

구체적으로， 상기 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 가지는 화합물은 하기 화학식 11로 표시될 수 있다.

[화학식 11]

상기 화학식 11에서， R ₂₄ 는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기， A 및 Ar ₂ 는 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 10의 아릴렌기이고， ¾ 내지 Q ₄ 는 각각 독립적으로 수소 또는 글리시딜기이다.

상기 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 가지는 화합물의 구체적인 예로는， (3'，4'-에폭시사이클로핵산)메틸 3,4- 에폭시사이클로핵실카르복실레이트， 4，4'-메틸렌비스 (Ν,Ν'-디글리시딜아닐린)， 2，2'-(3，3'，5，5'-테트라메틸비페닐-4，4'-디� ��)비스(옥시)비스(메틸렌)디옥시란， 또는 Ν,Ν,Ν' ,Ν'-테트라글리시딜 -4，4'-디아미노디페닐메탄을 사용할수 있다. 또한， 상기 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 가지는 화합물은， 상술한 거 II 액정 배향제용 중합체 및 제 2 액정 배향제용 중합체 총 중량 100 중량부 대비 0.1중량부 내지 30중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 액정 배향막의 제조 방법

또한， 본 발명은 액정 배향제 조성물을 기판에 도포하여 도막을 형성하는 단계 (단계 1); 상기 도막을 건조하는 단계 (단계 2); 상기.건조 단계 직후의 도막에 광을 조사하거나 러빙 처리하여 배향 처리하는 단계 (단계 3); 및 상기 배향 처리된 도막을 열처리하여 경화하는 단계 (단계 4)를 포함하는， 액정 배향막의 제조 방법을 제공한다. 상기 단계 1은， 상술한 액정 배향제 조성물을 기판에 도포하여 도막을 형성하는 단계이다. 상기 액정 배향제 조성물을 기판에 도포하는 방법은 특별히 제한되지 않으며， 예컨대 스크린 인쇄, 오프셋 인쇄， 플렉소 인쇄， 잉크젯 등의 방법이 이용될 수 있다. 그리고， 상기 액정 배향제 조성물은 유기 용매에 용해 또는 분산시킨 것일 수 있다. 상기 유기 용매의 구체적인 예로는 Ν , Ν-디메틸포름아미드， Ν , Ν- 디메틸아세트아미드， Ν-메틸 -2-피를리돈， Ν-메틸카프로락탐， 2-피를리돈， Ν- 에틸피를리돈， Ν-비닐피를리돈， 디메틸술폭사이드， 테트라메틸우레아， 피리딘， 디메틸술폰， 핵사메틸술폭사이드， _Υ —부티로락톤， 3-메록시 -Ν , Ν- 디메틸프로판아미드， 3-에특시 -Ν , Ν-디메틸프로판아미드, 3-부특시 -Ν , Ν- 디메틸프로판아미드， 1，3-디메틸 -이미다졸리디논， 에틸아밀케톤, 메틸노닐케톤， 메틸에틸케톤， 메틸이소아밀케톤， 메틸이소프로필케톤， 사이클로핵사논， 에틸렌카보네이트， 프로필렌카보네이트, 디글라임， 4-하이드록시 -4-메틸 -2- 펜타논, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르， 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트， 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르， 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트， 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르， 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르 아세테이트， 에틸렌 글리콜 모노이소프로필 에테르， 에틸렌 글리콜 모노이소프로필 에테르 아세테이트， 에틸렌 글리콜 모노뷰틸 에테르， 에틸렌 글리콜 모노뷰틸 에테르 아세테이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용될 수도 있고, 흔합하여 사용될 수도 있다. 또한， 상기 액정 배향제 조성물은 유기 용매 외에 다른 성분을 추가로 포함할 수 있다. 비제한적인 예로， 상기 액정 배향제 조성물이 도포되었을 때， 막 두께의 균일성이나 표면 평활성을 향상시키거나， 혹은 액정 배향막과 기판의 밀착성을 향상시키거나, 혹은 액정 배향막의 유전율이나 도전성을 변화시키거나, 혹은 액정 배향막의 치밀성을 증가시킬 수 -있는 첨가제가 추가로 포함될 수 있다. 이러한 첨가제로는 각종 용매, 계면 활성제， 실란계 화합물， 유전체 또는 가교성 화합물 등이 예시될 수 있다. 상기 단계 2는， 상기 액정 배향제 조성물을 기판에 도포하여 형성된 도막을 건조하는 단계이다. 상기 도막을 건조하는 단계는 도막의 가열， 진공 증발 등의 방법을 이용할 수 있으며， 50 ^° C 내지 150 ^° C , 또는 60 ^° C 내지 140 ^° C에서 수행되는 것이 바람직하다 . 상기 단계 3은, 상기 건조 단계 직후의 도막에 광을 조사하거나 러빙 처리하여 배향 처리하는 단계이다. 본 명세서에서 상기 "건조 단계 직후의 도막"은 건조 단계 이후에 건조 단계 이상의 온도로 열처리하는 단계의 진행 없이 바로 광 조사하는 것을 의미하며， 열처리 이외의 다른 단계는 부가가 가능하다. 보다 구체적으로 기존에 폴리아믹산 또는 폴리아믹산에스테르를 포함하는 액정 배향제를 사용하여 액정 배향막을 제조하는 경우에는 폴리아믹산의 이미드화를 위하여 필수적으로 고온의 열처리를 진행한 후 광을 조사하는 단계를 포함하지만， 상술한 일 구현예의 액정 배향제를 이용하여 액정 배향막을 제조하는 경우에는 상기 열처리 단계를 포함하지 않고， 바로 광을 조사하여 배향 처리한 후， 배향 처리된 도막을 열처리하여 경화함으로써 배향막을 제조할수 있다. 그리고 상기 배향 처리하는 단계에서 광 조사는 150 ran 내지 450 inn 파장의 편광된 자외선을 조사하는 것일 수 있다. 이 때， 노광의 세기는 액정 배향제용 중합체의 종류에 따라 다르며， 10 mJ/oif 내지 10 J/cnf의 에너지， 바람직하게는 30 rnJ/cin ² 내지 2 J/crf의 에너지를 조사할 수 있다. 상기 자외선으로는, 석영유리， 소다라임 유리， 소다라임프리 유리 ^ᅵ 등의 투명 기판 표면에 유전이방성의 물질이 코팅된 기판을 이용한 편광 장치， 미세하게 알루미늄 또는 금속 와이어가 증착된 편광판， 또는 석영유리의 반사에 의한 브루스터 편광 장치 둥을 통과 또는 반사하는 방법으로 편광 처리된 자외선 중에서 선택된 편광 자외선을 조사하여 배향 처리를 한다. 이때 편광된 자외선은 기판면에 수직으로 조사할 수도 있고， 특정한 각으로 입사각을 경사하여 조사할 수도 있다. 이러한 방법에 의하여 액정분자의 배향 능력이 도막에 부여되게 된다. 또한， 상기 배향 처리하는 단계에서 러빙 처리는 러빙천을 이용하는 방법을 사용할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 러빙 처리는 금속 를러에 러빙천의 옷감을 붙인 러빙 를러를 회전시키면서 열처리 단계 이후의 도막의 표면을 한 방향으로 러빙할 수 있다. 상기 단계 4는， 상기 배향 처리된 도막을 열처리하여 경화하는 단계이다. 상기 배향 처리된 도막을 열처리하여 경화하는 단계는 기존에 폴리아믹산 또는 폴리아믹산 에스테르를 포함하는 액정 배향제용 중합체를 이용하여 액정 배향막을 제조하는 방법에서도 광 조사 이후에 실시하는 단계로， 액정 배향제를 기판에 도포하고， 광을 조사하기 이전에， 또는 광을 조사하면서 액정 배향제를 이미드화 시키기 위하여 실시하는 열처리 단계와는 구분된다. 이때， 상기 열처리는 핫 플레이트， 열풍 순환로， 적외선로 둥의 가열 수단에 의해 실시될 수 있으며， 150 °C 내지 300 ^° C , 또는 180 ^° C 내지 250 ^° C에서 수행되는 것이 바람직하다. 한편， 상기 도막을 건조하는 단계 (단계 2) 이후에 필요에 따라 상기 건조 단계 직후의 도막에 건조 단계 이상의 온도로 열처리하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 열처리는 핫 플레이트， 열풍 순환로， 적외선로 등의 가열 수단에 의해 실시될 수 있으며, 150 ^° C 내지 250 ^° C에서 수행되는 것이 바람직하다. 이 과정에서 액정 배향제를 이미드화 시킬 수 있다. 즉， 상기 액정 배향막의 제조 방법은 상술한 액정 배향제를 기판에 도포하여 도막을 형성하는 단계 (단계 1) ; 상기 도막을 건조하는 단계 (단계 2) ; 상기 건조 단계 직후의 도막에 건조 단계 이상의 은도로 열처리하는 단계 (단계 3) ; 상기 열처리된 도막에 광을 조사하거나 러빙 처리하여 배향 처리하는 단계 (단계 4) 및 상기 배향 처리된 도막을 열처리하여 경화하는 단계 (단계 5)를 포함할 수 있다. 액정 배향막

또한， 본 발명은 상술한 액정 배향막의 제조 방법에 따라 제조된 액정 배향막을 제공한다. 구체적으로， 상기 액정 배향막은 상기 일 구현예의 액정 배향제 조성물의 배향 경화물을 포함할 수 있다. 상기 배향 경화물이란， 상기 일 구현예의 액정 배향제 조성물의 배향공정 및 경화공정을 거쳐 얻어지는 물질을 의미한다.

상술한 바와 같이， 상기 폴리이미드 또는 이의 전구체를 포함한 중합체 ; 및 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함한 폴리옥사졸린 가교제를 포함하는, 액정 배향제 조성물을 이용하면， 우수한 배향성， 전기적 특성을 나타냄과 동시에， 향상된 막강도와 신뢰성을 갖는 액정 배향막을 제조할수 있다.

상기 액정 배향막의 두께가 크게 한정되는 것은 아니나， 예를 들어，

0.01 (M 내지 1000 iM 범위내에서 자유롭게 조절 가능하다. 상기 액정 배향막의 두께가 특정 수치만큼 증가하거나 감소하는 경우 액정 배향막에서 측정되는 물성 또한 일정 수치만큼 변화할수 있다.

구체적으로， 상기 액정 배향막은 하기 수학식 1으로 계산되는 막강도가 1.0 % 이하， 0.01 % 내지 1.0 %, 0.01 % 내지 0.90 , 또는 0. 10 % 내지 0.87%일 수 있다. 샅기 막강도는 예를 들어， 0.01 m 내지 10 1 , 또는 0.05 /皿 내지 50 두께의 액정배향막에 대해 측정된 값일 수 있다.

[수학식 1]

막강도 (%) = 러빙처리 후 액정 배향막의 헤이즈 (%) - 러빙처리 전 액정 배향막의 헤이즈 (¾) .

상기 액정배향막에 대한 러빙처리는 배향막 표면을 _s i _nd o engi neer ing사의 rubbi ng machi ne을 이용하여 850 rpm으로 회전시키면서 러빙처리하는 방법을 사용할 수 있으며， 헤이즈 값은 헤이즈미터 (hazemeter )를 사용하여 측정할수 있다. 액정 표시 소자

또한， 본 발명은 상술한 액정 배향막을 포함하는 액정 표시소자를 제공한다. 상기 액정 배향막은 공지의 방법에 의해 액정셀에 도입될 수 있으며， 상기 액정샐은 마찬가지로 공지의 방법에 의해 액정 표시소자에 도입될 수 있다. 상기 액정 배향막은 상기 다른 구현예의 액정배향제 조성물로부터 제조되어 우수한 제반 물성과 함께 뛰어난 안정성을 구현할 수 있다. 구체적으로， 고온， 저주파수에서 높은 전압보전율을 가질 수 있어 전기적 특성이 우수하며， 콘트라스티 비 (contrast rat io)의 성능 저하나 이미지 스티킹 (잔상) 현상이 감소하며， 막강도 또한 우수한 액정 표시소자를 제공할 수 있다.

구체적으로， 상기 액정 표시소자는 IV， 1Hz , 60 ^° C 온도에서 TOY0 corporat ion의 6254C 장비를 이용하여 측정한 전압 보유율이 85% 이상， 85% 내지 99% 이상， 또는 90% 내지 99% 일 수 있다. 상기 액정 배향표시소자의 IV， 1Hz , 60 ^° C 온도에서 T0Y0 corporat ion의 6254C 장비를 이용하여 측정한 전압 보유율이 85% 미만으로 감소할 경우， 저전력에서 고품위의 구동특성을 갖는 액정 표시소자의 구현이 어려워질 수 있다.

또한， 상기 액정 표시소자는 상판 및 하판에 편광판을 서로 수직이 되도록 부착한 후， 그 000 cd/nf의 백라이트 위에 부착하고 육안으로 빛샘을 관찰할 때， 서로 수직으로 부착된 상,하의 편광판에 의해 빛이 통과되지 않고 불량 없이 어둡게 관찰되어 우수한 액정 배향 특성을 나타낼 수 있다.

【발명의 효과】

본 발명에 따르면, 우수한 배향성, 전기적 특성을 나타냄과 동시에, 향상된 막강도와 신뢰성을 갖는 액정배향막을 형성하기 위한 액정 배향제 조성물， 이를 이용한 액정 배향막의 제조 방법， 및 이를 이용한 액정 배향막 및 액정 표시소자가 제공될 수 있다.

【발명을 실시하기 위한 구체적인 내용】

발명을 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단， 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐， 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 제조예 1: 디아민의 합성

제조예 1-1) 디아민 DA-1의 합성

-1을 하기 반웅식에 따라 합성하였다.

구체적으로， 1， 3-디메틸사이클로부탄 -1 ,2,3, 4—테트라카복실산 디무수물 (1,3-dimethyl eye 1 obu t hane- 1,2,3,4-tetracarboxyl ic di anhydr i de , DMCBDA)과 4-니트로아닐린 (4-nitroaniline)을 DMF(Dimethyl formamide)에 용해시켜 흔합물을 제조하였다. 이어서， 상기 흔합물을 약 80 ^° C에서 약 12시간 동안 반웅시켜 아믹산을 제조하였다. 이후， 상기 아믹산을 DMF에 용해시키고， 아세트산 무수물 및 아세트산 나트륨을 첨가하여 혼합물을 제조하였다. 이어서， 상기 흔합물에 포함된 아믹산을 약 90 ^° C에서 약 4시간 동안 이미드화시켰다. 이렇게 얻어진 이미드를 이 \!Ac(Dimethylacetamide)에 용해시킨 후, Pd/C를 첨가하고 흔합물을 제조하였다. 이를 45 ^° C 및 6 bar의 수소 압력 하에서 20분 동안 환원시켜 디아민 DA-1을 제조하였다. 제조예 1-2) 디아민 DA-2의 합성

1ᅳ 3-디메틸사이클로부탄 -1， 2,3 ,4-테트라카복실산 디무수물 대신에 사이클로부탄 -1 ,2,3, 4-테트라카복실산 디무수물 ( eye 1 obuthane-1 ,2,3,4- tetracarboxylic di anhydride, CBDA)을 사용한 것을 제외하고는 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 상기 구조를 갖는 DA-2를 제조하였다. 제조예 2: 액정 배향제용 중합체의 제조

제조예 2-1) 액정 배향제용중합체 P-1의 제조

(단계 1)

상기 제조예 1-2에서 제조한 DA-2 5.0 g( 13.3 mmol )을 무수 N-메틸 피를리돈 (anhydrous N-methyl pyrrol idone : NMP) 71.27 g에 완전히 녹였다. 그리고， i ce bath 하에서 1 , 3-디메틸-사이클로부탄— 1，2，3，4-테트라카복실산 디무수물 (DMCBDA) 2.92 g( 13.03 隱 ol )을 상기 용액에 첨가하여 16시간 동안 상온에서 교반하였다.

(단계 2)

상기 단계 1에서 얻어진 용액을 과량의 증류수에 투입하여 침전물을 생성시켰다. 이어세 생성된 침전물을 여과하여 증류수로 2회 세척하고 다시 메탄올로 3회 세척하였다. 이렇게 얻어진 고체 생성물을 40 ^° C의 감압 오본에서 24시간 동안 건조하여 액정 배향제용 중합체 P-1 6.9 g을 수득하였다.

GPC를 통해 상기 P-1의 분자량을 확인한 결과， 수평균분자량 (Mn)이 15500 g/irol이고， 중량평균분자량 (Mw)이 31000 g/nral이었다. 그리고， 중합체 P-1의 모노머 구조는 사용한 모노머의 당량비에 의해 정해지는 것으로， 분자 내 이미드 구조의 비율이 50.5%, 아믹산 구조의 비율이 49.5%이었다. 제조예 2-2) 액정 배향제용 중합체 P-2의 제조

상기 제조예 1-1에서 제조한 DA-1 5.0 g, p—페닐렌디아민 (p- phenylenedi amine , PDA) 1.07 g를 NMP 103.8 g에 완전히 녹였다. 그리고， i ce bath 하에서 사이클로부탄 -1，2，3ᅳ4-테트라카복실산 디무수물 (CBDA) 2. 12 g과 4， 4 ' -옥시디프탈산 디무수물 (0PDA) 3.35 g을 상기 용액에 첨가하여 16시간 동안 상온에서 교반하였다. 이어， 상기 제조예 2-1의 단계 2와 동일한 방법을 사용하여 중합체 P-2를 제조하였다.

GPC를 통해 상기 P-2의 분자량을 확인한 결과， 수평균분자량 (Mn)이 18000 g/nx)l이고 중량평균분자량 (Mw)이 35000 g/ri l이었다. 그리고， 중합체 P-2는 분자 내 이미드 구조의 비율은 36.4%， 아믹산 구조의 비율은 63.6%이었다. 제조예 2-3) 액정 배향제용 중합체 P-3의 제조

상기 제조예 1-2에서 제조한 DA-2 6.0 g, 4，4'-옥시디아닐린 (4，4'- oxydi aniline, ODA) 1.37 g를 NMP 110.5 g에 완전히 녹였다. 그리고, ice bath 하에서 DMCBDA 3.47 g과 피로멜리틱산 디무수물 (pyromel 1 itic di anhydride, PMDA) 1.44 g을 상기 용액에 첨가하여 16시간 동안 상온에서 교반하였다. 이어， 상기 제조예 2-1의 단계 2와 동일한 방법을 사용하여 중합체 P-3를 제조하였다.

GPC를 통해 상기 P-3의 분자량을 확인한 결과， 수평균분자량 (Mn)이 14500 g/m 이고， 중량평균분자량 (Mw)이 29000 g/irol이었다. 그리고， 중합체 P-3는 분자 내 이미드 구조의 비율은 41.9%, 아믹산 구조의 비을은 58. 이었다. 제조예 2-4) 액정 배향제용 중합체 Q-1의 제조

4，4'—메틸렌디아닐린 (4,4'-methylenedianiline) 5.00 g과 4,4'- 옥시디아닐린 (4,4'-oxydiani line) 5.05 g을 NMP 221.4 g에 완전히 녹였다. 그리고， ice bath 하에서 4，4'-비프탈산무수물 (4,4'-biphthalic anhydride) 14.55 g을 상기 용액에 첨가하여 16시간 동안 상온에서 교반하였다. 이어， 상기 제조예 2-1의 단계 2와 동일한 방법을 사용하여 중합체 Q-1을 제조하였다.

GPC를 통해 상기 Q-1의 분자량을 확인한 결과， 수평균분자량 (Mn)이

25000 g/iiK)l이고， 중량평균분자량 (Mw)이 40000 g/nral이었다. 실시예 ： 액정 배향제 조성물의 제조

실시예 1

상기 제조예 2-1에서 제조한 P-1 5 중량부, 상기 제조예 2-4에서 제조한 Q-1 5 중량부， Ν,Ν,Ν' ,Ν'-테트라글리시딜 _4，4'- 디아미노디페닐메탄 (Ν,Ν,Ν' ,N'-tetraglycidyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, TGMDA) 0.5 중량부 및 하기 화학식 A의 고분자 [PE0X, 중량평균 분자량 ： 약 50000 g/mol] 1 중량부를 NMP와 n_부특시에탄을의 중량 비율이 8 :2인 흔합 용매에 완전히 용해시켰다. 이어， 폴리 (테트라플루오렌에틸렌) 재질의 기공 사이즈가 0.2 mi인 필터로 가압 여과하여 액정 배향제 조성물을 제조하였다. [화학식 A]

상기 화학식 A에서， X는 500 내지 510(약 505)이다. 실시예 2

상기 제조예 2-1에서 제조한 P-1 대신 상기 제조예 2-2에서 제조한 P- 2를 사용한 것을 제외하고， 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 액정 배향제 조성물을 제조하였다. 실시예 3

상기 제조예 2-1에서 제조한 P-1 대신 상기 제조예 2-3에서 제조한 P-

3을 사용한 것을 제외하고， 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 액정 배향제 조성물을 제조하였다. 실시예 4

상기 화학식 A의 고분자 대신 하기 화학식 B의 고분자 [수평균 분자량 ： 약 10000 g/mol ]을 사용한 것을 제외하고， 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 액정 배향제 조성물을 제조하였다.

[화학식 B]

상기 화학식 B에서， x는 110 내지 120(약 117)이다. 실시예 5

상기 화학식 A의 고분자 대신 하기 화학식 C의 고분자 [수평균 분자량 ： 약 10000 g/mol]을 사용한 것을 제외하고， 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 액정 배향제 조성물을 제조하였다.

상기 화학식 C 에서， X는 80 내지 90 (약 88)이다. 비교예 ： 액정 배향제 조성물의 제조

비교예 1

상기 화학식 A의 고분자를 사용하지 않는 것을 제외하고， 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 액정 배향제 조성물을 제조하였다. 바교예 2

Ν,Ν,Ν' ,Ν'-테트라글리시딜 -4,4'-디아미노디페닐메탄을 사용하지 않는 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 액정 배향제 조성물을 제조하였다. 비교예 3

상기 제조예 2-1에서 제조한 P-1 대신 상기 제조예 2-4에서 제조한 Q- 1를 사용한 것을 제외하고， 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 액정 배향제 조성물을 제조하였다. 비교예 4

상기 화학식 A의 고분자 대신 하기 화학식 D의 구조를 갖는 폴리 (스티렌 -CO-2-이소프로페닐 -옥사졸린 ) (株式會社日本觸媒 제품 : 에포크로스 RPS-1005)을 사용한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 액정 배향제 조성물을 제조하였다.

[화학식 D]

실험예 1

1) 액정 배향셀의 제조

상기 실시예 및 비교예에서 제조한 액정 배향제 조성물을 이용하여 액정 배향셀을 제조하였다. 구체적으로， 2.5 cm X 2.7 cm의 크기를 갖는 사각형 유리기판 상에 두께 60 nm, 전극 폭 3 그리고 전극 간 간격이 6 인 빗살 모양의 IPS( in- plane swi tching) 모드형 IT0 전극 패턴이 형성되어 있는 기판 (하판)과 전극 패턴이 없는 유리 기판 (상판)에 각각 스핀 코팅 방식을 이용하여 실시예 및 비교예에서 제조한 액정 배향제 조성물을 도포하였다. 이어서， 액정 배향제 조성물이 도포된 기판을 약 70 °C의 핫 플레이트 위에 두어 3분 동안 건조하여 용매를 증발시켰다. 이렇게 얻어진 도막을 배향처리하기 위해， 상 /하판 각각의 도막에 선 편광자가 부착된 노광기를 이용하여 254 nm의 자외선을 1 J/crf의 노광량으로 조사하였다. 이후， 상기 도막을 약 230 °C의 오븐에서 30분 동안 소성 (경화)하여 막 두께 0. 1 의 도막을 얻었다. 이후, 3 _m 크기의 볼 스페이서가 함침된 실링제 (seal ing agent )를 액정 주입구를 제외한 상판의 가장자리에 도포하였다. 그리고， 상판 및 하판에 형성된 배향막이 서로 마주 보며 배향 방향이 서로 나란하도록 정열시킨 후， 상하판을 합착하고 실링제를 경화함으로써 빈 셀을 제조하였다. 그리고， 상기 빈 셀에 액정을 주입하여 IPS 모드의 액정셀을 제조하였다.

2) 전압보유율 (voltage holding ratio, VHR) 측정

상기 제조한 액정 배향셀의 전기적 특성인 전압 보유율 (vol tage holding rat io , VHR)를 T0Y0 corporat ion의 6254C 장비를 이용하여 측정하였다. 전압 보유율 (VHR)은 1 Hz , 60 ^° C 온도에서 측정했다 (VHR 60 ^° C 1 Hz n-LC 조건) . 상기 액정 배향셀의 전압 보유을 (VHR)에 대한 측정 결과는 하기 표 1에 나타내었다.

3) 액정 배향특성 평가

상기 제조한 액정 배행셀의 상판 및 하판에 편광판을 서로 수직이 되도록 부착하였다. 그리고， 편광판이 부착된 액정 배향셀을 밝기 7 , 000 cd/nf의 백라이트 위에 놓고 육안으로 빛샘을 관찰하였다. 이때， 액정 배향막의 배향 특성이 우수해 액정을 잘 배열시킨다면 서로 수직으로 부착된 상，하의 편광판에 의해 빛이 통과되지 않고 불량 없이 어둡게 관찰된다. 이러한 경우의 배향 특성을 '양호 '로, 액정 흐름 자국이나 휘점과 같은 빛샘이 관찰되면 '불량 '으로 평가하였으며， 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다 .

4) 배향막강도 평가 상기 실시예 및 비교예에서 제조된 액정 배향제 조성물로부터 얻어진 배향막에 대하여， 상기 배향막 표면을 s indo engineer ing사의 rubbing machine을 이용하여 850 rpm으로 회전시키면서 러빙처리한 후 헤이즈미터 (hazemeter )를 사용하여 헤이즈 값을 측정하고， 하기 수학식 1과 같이 러빙처리 전의 해이즈 값과의 차이를 계산하여 막강도를 평가하였다. 상기 헤이즈 변화값이 1 미만이면 막강도가 우수한 것이다.

[수학식 1]

막강도 (%) = 러빙처리 후 액정 배향막의 헤이즈 (%) - 러빙처리 전 액정 배향막의 헤이즈 (%) . 실험예 2

1) 액정 배향셀의 제조

상기 도막을 약 230 °C의 오본에서 30분 동안 소성 (경화)하기 전에， 도막을 130 ^° C의 핫 플레이트 위에 500초 동안 두어 저온 열처리하는 단계를 더 포함한 것을 제외하고， 상기 실험예 1과 동일하게 액정셀을 제조하였다.

【표 1】

실시예 및 비교예의 실험예 측정 결과

VHR( ) 90이상 90아상 90이상 90이상 90이상 80 90이상 90이상 82 배향특

양호 양호 양호 양호 양호 양호 양호 ᄇ Bi 불량 성

막강도

0.87 0.9 0.7 0.6 0.8 0.8 5 0.93 3 (%) 상기 표 1에 나타난 바와 같이， 제조예 2-1에서 합성된 중합체， 에폭시 첨가제， 폴리옥사졸린 가교제가 함유된 실시예의 액정 배향제 조성물은， 90% 이상의 높은 전압보유을값을 나타냈다. 이로 인해， 상기 실시예의 액정 배향제 조성물로부터 제조된 배향셀은 우수한 전기적 특성을 구현함과 동시에， 러빙처리 전후의 해이즈 값 변화가 1 미만으로 매우 낮아 막강도 성능이 개선되었다.

반면, 폴리옥사졸린 가교제가 함유되지 않은 비교예 1의 액정 배향제 조성물로부터 얻어진 배향막은 전압보유율이 80%로 나타나 상기 실시예에 비해 감소한 것을 확인하였다.

또한， 에폭시 첨가제가 함유되지 않은 비교예 2의 액정 배향제 조성물로부터 얻어진 배향막은 러빙처리 전후의 헤이즈 값 변화값이 5로 크게 증가하여， 막강도가 실시예에 비해 현저히 불량한 것을 확인하였다.

또한 제조예 2-1에서 합성된 중합체가 함유되지 않은 비교예 3의 액정 배향제 조성물로부터 얻어진 배향막은 배향특성에 있어 실시예에 비해 현저히 불량한 것을 확인하였다.

또한， 화학식 A로 표시되는 본원 발명의 폴리옥사졸린 가교제와 상이한 구조를 가지는 화학식 D로 표시되는 폴리옥사졸린 가교제를 함유한 비교예 4의 액정 배향제 조성물로부터 얻어진 배향막은， 배향특성에 있어 실시예에 비해 현저히 불량할 뿐만 아니라 전압보유율이 82%로 나타나， 상기 실시예에 비해 전기적 특성이 감소한 것을 확인하였다. 또한， 러빙처리 전후의 헤이즈 값 변화값이 3%로 크게 증가하여， 막강도가 실시예에 비해 현저히 불량한 것을 확인하였다.