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Title:
LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2009/072331
Kind Code:
A1
Abstract:
A liquid crystal display device includes a transmission display portion in which a transmission mode display is performed by a transmissive electrode (23) and a reflection display portion in which a reflection mode display is performed by a reflective electrode (24). In the liquid crystal display device, a TFT (1) corresponding to the transmission display portion and a TFT (2) corresponding to the reflection display portion are provided for each of a plurality of pixels (10). In a semi-transmission type liquid crystal display device, it is thereby possible to reduce, without complicating the structure, the occurrence of flicker caused by departures from the respective optimum opposing voltages of the reflective display portion and the transmission display portion.

Inventors:
CHIBA DAI
SAKAI TAKEHIKO
FUJITA TETSUO
MORIMOTO KAZUNORI
TSUKAMURA CHIKANORI
KATAOKA YOSHIHARU
Application Number:
PCT/JP2008/065741
Publication Date:
June 11, 2009
Filing Date:
September 02, 2008
Export Citation:
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Assignee:
SHARP KK (JP)
CHIBA DAI
SAKAI TAKEHIKO
FUJITA TETSUO
MORIMOTO KAZUNORI
TSUKAMURA CHIKANORI
KATAOKA YOSHIHARU
International Classes:
G02F1/1335; G02F1/1368
Foreign References:
JP2006091288A2006-04-06
Attorney, Agent or Firm:
HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK (2-6 Tenjinbashi 2-chome Kita,Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 41, JP)
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Claims:
 マトリクス状に配置された複数の画素により構成され、複数の画素電極を有するアクティブマトリクス基板と、上記アクティブマトリクス基板に対向して配置され、共通電極を有する対向基板と、上記アクティブマトリクス基板及び上記対向基板の間に設けられ、液晶分子を含む液晶層と、走査信号線によってオン/オフされ、一端が上記画素電極に接続される複数のトランジスタとを備え、
 上記複数の画素電極は、それぞれ、光源からの光を透過する透過電極と、外光を反射する反射電極とを含み、
 上記複数の画素は、それぞれ、上記透過電極によって透過モードの表示を行う透過表示部と、上記反射電極によって反射モードの表示を行う反射表示部とを含む液晶表示装置であって、
 上記複数の画素のそれぞれには、上記透過表示部に対応する第1のトランジスタと、上記反射表示部に対応する第2のトランジスタとが設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
 上記第1のトランジスタの寄生容量と、上記第2のトランジスタの寄生容量とが、互いに異なることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の液晶表示装置。
 上記第1のトランジスタにおけるゲート電極とドレイン電極とが重なり合う部分の面積と、上記第2のトランジスタにおけるゲート電極とドレイン電極とが重なり合う部分の面積とが、互いに異なることを特徴とする請求の範囲第2項に記載の液晶表示装置。
 上記第1のトランジスタは、ソース電極がデータ信号線に接続され、ゲート電極が上記走査信号線に接続され、ドレイン電極が上記透過電極に接続されている一方、
 上記第2のトランジスタは、ソース電極が上記データ信号線に接続され、ゲート電極が上記走査信号線に接続され、ドレイン電極が上記反射電極に接続されていることを特徴とする請求の範囲第1項から第3項の何れか1項に記載の液晶表示装置。
 上記第1のトランジスタは、ソース電極がデータ信号線に接続され、ゲート電極が上記走査信号線に接続され、ドレイン電極が上記透過電極に接続されている一方、
 上記第2のトランジスタは、ソース電極が上記第1のトランジスタの上記ドレイン電極に接続され、ゲート電極が上記走査信号線に接続され、ドレイン電極が上記反射電極に接続されていることを特徴とする請求の範囲第1項から第3項の何れか1項に記載の液晶表示装置。
Description:
液晶表示装置

 本発明は、液晶表示装置に関するもので り、特に、光反射性を有する反射電極及び 透過性を有する透過電極を備えたアクティ マトリクス基板と、共通電極を備えた対向 板とを備えることにより、反射モードおよ 透過モードの双方の表示が可能な液晶表示 置に関するものである。

 現在、液晶表示装置は、モニター、プロ ェクタ、携帯電話、携帯情報端末(PDA)など 電子機器に幅広く利用されている。このよ な液晶表示装置には、反射型、透過型、及 半透過型の3種類がある。すなわち、反射型 液晶表示装置は、表示パネルの内部に照明 (外光)を導き、これを反射層で反射するこ によって表示光を得るものである。また、 過型の液晶表示装置は、表示パネルの奥側 設けられた光源(バックライト)からの光を、 表示パネルを介して外部に出力するものであ る。

 さらに、半透過型の表示装置は、屋内な の比較的に暗い照明下(屋内;暗所)では、バ クライト光を利用して透過表示を行う(透過 モード)一方、屋外などの比較的に明るい照 下(屋外;明所)では、照明光を利用して反射 示を行う(反射モード)ものである。これによ り、周囲の明るさに拘らず、コントラスト比 の高い表示を実現できる。すなわち、半透過 型の液晶表示装置は、屋内外を問わず、あら ゆる照明下(光環境下)での表示が可能である め、携帯電話、PDA、デジタルカメラ等のモ イル機器に多く搭載されてきている。

 このような半透過型の液晶表示装置では 液晶パネルに、反射モードに使用される反 表示部と、透過モードに使用される透過表 部との2種類の表示部が形成されている。そ して、半透過型の液晶表示装置では、これら 反射表示部及び透過表示部は、同一画素領域 に形成されている。

 このような半透過型の液晶表示装置では 反射表示部に形成された反射電極と、透過 示部に形成された透過電極とは、互いの構 材料が異なるため、双方の電極で仕事関数 が生じる。仕事関数とは、金属及び半導体 結晶表面からその外側に、1個の電子を取り 出すために必要な最小のエネルギーであって 、構成材料によりその値が異なるものである 。このため、反射表示部と透過表示部とに同 一の交流電圧が印加された場合、反射表示部 の液晶層及び透過表示部の液晶層に印加され る実効電圧が、上記仕事関数差により互いに 異なるようになる。

 それゆえ、半透過型の液晶表示装置では 反射表示部の最適対向電圧と透過表示部の 適対向電圧とが互いに異なり、各々の最適 向電圧からのずれ分だけ常に液晶層に電圧 印加されることになる。そして、上記反射 示部と透過表示部との各最適対向電圧から ずれがフリッカ(ちらつき)としてより認知 れやすくなり、表示品位を低下させる原因 もなっている。

 このような反射表示部と透過表示部との各 適対向電圧からのずれに起因するフリッカ 発生を低減するために、例えば、特許文献1 には、反射表示部に形成された反射電極が、 透過表示部に形成された透過電極により被覆 された液晶表示装置が開示されている。そし て、この構成にすることにより、反射表示部 と透過表示部との間で仕事関数を互いに等し くして、反射表示部と透過表示部との各最適 対向電圧からのずれを解消している。

日本国公開特許公報「特開2003-186046号公 (公開日:平成15年7月3日)」

 しかしながら、上記従来の構成では、液 表示装置の構成が複雑化するという問題が じる。

 上記特許文献1に記載の液晶表示装置では 、反射電極が透過電極により被覆された構成 、すなわち、反射電極の上に透過電極が積層 された構成になっている。反射電極に用いら れるアルミニウム(Al)や銀(Ag)系の金属材料は その表面に自然酸化膜が形成されやすい。 のため、反射電極を形成後、反射電極の上 透過電極をスパッタリングにより積層する 、反射電極はスパッタリング雰囲気に晒さ ることで、その表面に自然酸化膜が覆われ ようになる。その結果、反射電極と透過電 とが絶縁されてしまう。それゆえ、上記液 表示装置では、反射電極と透過電極とを電 的に接続する構成となっている。

 また、反射電極として膜を形成する場合 膜厚が薄いと透けてしまうため、一般的に 、少なくとも1000Å以上に積層する必要があ る。そして、この反射電極上に透過電極を被 覆して形成する場合には、厚膜化した反射電 極による段差部において、透過電極の断線が 生じるおそれがある。そのため、透過電極も 厚膜化しなければならず構成が複雑化すると いう問題が生じる。さらに、透過電極を厚膜 化した場合には、透過部の透過率が悪化する という新たな問題も生じる。

 このように、特許文献1に開示された構成 では、反射表示部と透過表示部との各最適対 向電圧からのずれに起因するフリッカの発生 を低減するために、反射電極及び透過電極の 構成が複雑化してしまう。

 本発明は、上記の問題点に鑑みてなされ ものであり、その目的は、構成を複雑化す ことなく、反射表示部と透過表示部との各 適対向電圧からのずれに起因するフリッカ 発生を低減することが可能な半透過型の液 表示装置を提供することにある。

 本発明の液晶表示装置は、上記課題を解 するために、マトリクス状に配置された複 の画素により構成され、複数の画素電極を するアクティブマトリクス基板と、上記ア ティブマトリクス基板に対向して配置され 共通電極を有する対向基板と、上記アクテ ブマトリクス基板及び上記対向基板の間に けられ、液晶分子を含む液晶層と、走査信 線によってオン/オフされ、一端が上記画素 電極に接続される複数のトランジスタとを備 え、上記複数の画素電極は、それぞれ、光源 からの光を透過する透過電極と、外光を反射 する反射電極とを含み、上記複数の画素は、 それぞれ、上記透過電極によって透過モード の表示を行う透過表示部と、上記反射電極に よって反射モードの表示を行う反射表示部と を含む液晶表示装置であって、上記複数の画 素のそれぞれには、上記透過表示部に対応す る第1のトランジスタと、上記反射表示部に 応する第2のトランジスタとが設けられてい ことを特徴としている。

 上記液晶表示装置は、複数の画素が、そ ぞれ、光源からの光を透過する透過電極に って透過モードの表示を行う透過表示部と 外光を反射する反射電極によって反射モー の表示を行う反射表示部とを含んで構成さ 、いわゆる半透過型の液晶表示装置として 能する。

 このような半透過型の液晶表示装置の場 、通常、上述したとおり、反射電極及び透 電極の互いの構成材料の違いにより生じる 事関数差に起因して、反射表示部の最適対 電圧と透過表示部の最適対向電圧とが互い 異なることになり、フリッカが発生して表 品位の低下を招く。

 ここで、液晶表示装置では、一般に、ト ンジスタのゲート-ドレイン間の寄生容量に 起因する引き込み電圧が生じる。この引き込 み電圧により、階調電圧の中心値と、実際に 画素電極に印加される電圧の中心値(最適対 電圧)とが異なることになる。この引き込み 圧は、例えばゲート-ドレイン間の容量に応 じて変化する。

 そこで、本発明の液晶表示装置では、上 複数の画素のそれぞれに、上記透過表示部 対応する第1のトランジスタと、上記反射表 示部に対応する第2のトランジスタとが設け れている。これにより、1画素において、透 表示部及び反射表示部のそれぞれに生じる き込み電圧を異ならせることができる。す わち、例えばゲート-ドレイン間の容量をト ランジスタごとに変えることにより、トラン ジスタごとに引き込み電圧を異ならせること ができる。

 そして、トランジスタごとに引き込み電 を変えることができるため、各トランジス に対応する透過表示部及び反射表示部それ れの最適対向電圧を個別に変化させること できる。すなわち、透過表示部及び反射表 部それぞれにおいて、トランジスタの引き み電圧を個別に設定することにより、透過 示部及び反射表示部の双方の最適対向電圧 補正して、互いに等しくすることができる これにより、透過表示部及び反射表示部に ける上記仕事関数差による最適対向電圧の れを解消することができる。

 また、従来のように透過電極及び反射電 の構成に変更を加える必要がないため、液 表示装置全体としての構成が複雑化するこ はない。

 したがって、本発明の液晶表示装置によ ば、構成を複雑化することなく、反射表示 と透過表示部との各最適対向電圧からのず に起因するフリッカの発生を低減すること できるという効果を奏する。

 さらに、従来のように透過電極を厚膜化 る必要がないため、透過率が悪化するとい 問題が生じることもない。

 上記液晶表示装置では、上記第1のトラン ジスタの寄生容量と、上記第2のトランジス の寄生容量とが、互いに異なることが望ま い。

 トランジスタの引き込み電圧は、ゲート- ドレイン間の寄生容量に応じて変化するため 、この寄生容量をトランジスタごとに変える ことにより、トランジスタごとに引き込み電 圧を異ならせることができる。これにより、 透過表示部及び反射表示部の最適対向電圧を 個別に設定することができるため、透過表示 部及び反射表示部における上記仕事関数差に よる最適対向電圧のずれを解消することがで きる。

 上記液晶表示装置では、上記第1のトラン ジスタにおけるゲート電極とドレイン電極と が重なり合う部分の面積と、上記第2のトラ ジスタにおけるゲート電極とドレイン電極 が重なり合う部分の面積とが、互いに異な ことが望ましい。

 トランジスタのゲート-ドレイン間の寄生 容量は、ゲート電極とドレイン電極とが重な り合う部分の面積(重畳面積)に応じて変化す ため、この重なり合う部分の面積をトラン スタごとに変えることにより、トランジス ごとに引き込み電圧を異ならせることがで る。このように、簡易な構成によりトラン スタごとに引き込み電圧を設定することが きる。

 上記液晶表示装置では、上記第1のトラン ジスタは、ソース電極がデータ信号線に接続 され、ゲート電極が上記走査信号線に接続さ れ、ドレイン電極が上記透過電極に接続され ている一方、上記第2のトランジスタは、ソ ス電極が上記データ信号線に接続され、ゲ ト電極が上記走査信号線に接続され、ドレ ン電極が上記反射電極に接続されているこ が望ましい。

 また、上記液晶表示装置では、上記第1の トランジスタは、ソース電極がデータ信号線 に接続され、ゲート電極が上記走査信号線に 接続され、ドレイン電極が上記透過電極に接 続されている一方、上記第2のトランジスタ 、ソース電極が上記第1のトランジスタの上 ドレイン電極に接続され、ゲート電極が上 走査信号線に接続され、ドレイン電極が上 反射電極に接続されていてもよい。

 それぞれのトランジスタを上記のように 続することにより、トランジスタごとに引 込み電圧を設定することができる。

 本発明の他の目的、特徴、および優れた は、以下に示す記載によって十分分かるで ろう。また、本発明の利点は、添付図面を 照した次の説明によって明白になるであろ 。

本発明の実施の一形態に係る液晶表示 置の概略構成を示す断面図である。 液晶表示装置における最適対向電圧を 明するためのグラフである。 一般的な液晶表示装置の概略構成を示 ブロック図である。 図3に示す液晶表示装置における1画素 等価回路を示す図である。 図3に示す液晶表示装置の駆動波形図で ある。 本実施の形態に係る液晶表示装置の概 構成示すブロック図である。 図6に示す液晶表示装置における1画素 等価回路を示す図である。 図7に示す1画素を模式的に示した平面 である。 図7に示す1画素を模式的に示した平面 である。 図7に示す1画素を模式的に示した平面 である。

符号の説明

 1  対向基板
 2  アクティブマトリクス基板
 3  液晶層
 4  ゲート信号線(走査信号線)
 5  ソース信号線(データ信号線)
 6  TFT(薄膜トランジスタ、トランジスタ)
 7  容量線
 8  画素電極
10  画素
11  基板
12  透過電極(共通電極)
13  配向膜
21  基板
23  透過電極(画素電極)
24  反射電極(画素電極)
25  配向膜
 a  反射表示部
 b  透過表示部
 s  ソース電極
 g  ゲート電極
 d  ドレイン電極

 本発明の一実施形態について図1から図10 基づいて説明すると以下の通りである。

 本実施の形態に係る液晶表示装置は、半 過型の液晶表示装置である。すなわち、液 表示装置では、屋内などの比較的に暗い照 下では、バックライト光を利用した透過表 が支配的となる(透過モード)一方、屋外な の比較的に明るい照明下では、バックライ を消して周囲光を利用した反射表示が支配 となる(反射モード)。

 まず、液晶表示装置の構成について説明 る。図1は、液晶表示装置の概略構成を示す 断面図である。この図に示すように、液晶表 示装置は、対向基板1とアクティブマトリク 基板2との間に、液晶層3を挟んだ構成を有し ている。

 対向基板1は、基板11、透過電極12、及び 向膜13を備えている。透過電極12は、基板11 おけるアクティブマトリクス基板2と対向す 面に形成されており、液晶表示装置におけ 各画素に対する共通電極として機能する。

 一方、アクティブマトリクス基板2は、基 板21、凸部22、透過電極23、反射電極24、及び 向膜25を備えている。この透過電極23及び反 射電極24により画素電極を構成する。

 また、液晶表示装置における1画素の領域 は、図1に示す反射表示部aと透過表示部bとを 組み合わせた部分である。ここで、反射表示 部aは、反射表示に使用される領域であり、 過表示部bは、透過表示に使用される領域で る。また、反射表示部aは、凸部22及び反射 極24を備えた構成になっている一方、透過 示部bは、透過電極23を備えた構成になって る。

 基板21における対向基板1と対向する面に 、凸部22及び透過電極23が形成されている。 透過電極23は、反射表示部a及び透過表示部b 渡って形成されている。凸部22は、反射表示 部aにおける透過電極23の下層に形成されてい る。また、反射表示部aにおける透過電極23が 対向基板1と対向する面には、反射電極24が形 成されている。液晶表示装置では、透過電極 23と反射電極24とが電気的に接続されている

 なお、凸部22は、反射表示部aの液晶層の さを透過表示部bの液晶層の厚さの略1/2とな るように形成されている。これにより、リタ デーションを略同一とし、反射表示部a及び 過表示部bの電圧-透過率特性を略同一とする ことができる。

 共通電極としての透過電極12及び画素電 としての透過電極23は、光透過機能(光透過 )を有する電極であり、透明導電性材料から る。透過電極12及び透過電極23に使用可能な 透明導電性材料としては、例えば、インジウ ム錫酸化物(ITO)のような透明導電性酸化物が げられる。また、透過電極12及び透過電極23 は、例えばスパッタリング法により形成する ことができる。

 また、反射電極24は、光反射機能(光反射 )を有する電極である。反射電極24に使用可 な材料としては、例えば、アルミニウム(Al) や銀(Ag)などといった、反射層として一般に 用されている金属材料が挙げられる。反射 極24も透過電極12,23と同様に、例えばスパッ リング法により形成することができる。

 また、対向基板1とアクティブマトリクス 基板2とが互いに対向する面に、配向膜13及び 配向膜25が形成されている。配向膜13は、対 基板1におけるアクティブマトリクス基板2と 対向する面に形成されている一方、配向膜25 、アクティブマトリクス基板2における対向 基板1と対向する面に形成されており、透過 極23及び反射電極24を覆うようになっている 配向膜13及び配向膜25は、ポリイミド等の透 明樹脂からなる薄膜にラビング処理等の配向 処理を施すことにより形成することができる 。

 上記のように半透過型の構成を有する本 施形態に係る液晶表示装置では、透過モー 及び反射モードの双方において、フリッカ 防止することが可能な構成である。以下、 の理由を説明する。図2は、液晶表示装置に おける最適対向電圧を説明するためのグラフ である。

 液晶層3を構成する液晶材料は、有機材料 であるため、液晶層3に直流電圧が印加され けると、液晶層3内に存在する不純物が片側 電極に集中する。そのため、液晶層3の電気 容量の低下等、コンデンサとしての能力が著 しく低下してしまう。それゆえ、対向基板1 の透過電極12と、アクティブマトリクス基板 2側の透過電極23及び反射電極24との間に印加 れる電圧は、交流波形となる。より具体的 は、透過電極12には、共通電圧が印加され 一方、透過電極23及び反射電極24には、ソー 信号に応じた電圧(ソース電圧)が印加され 。

 ここで、液晶駆動のための交流振幅電圧 (TFT電圧値)の正極性側をV1とし、負極性側を V2とし、透過電極12に印加される共通電圧をVc omとする。このとき、実際に液晶層3に印加さ れる交流電圧の正極性電圧V(+)は、V(+)=V1-Vcom 表される。一方、交流電圧の負極性電圧V(-) 、V(-)=V2-Vcomで表される。

 通常、液晶表示装置では、|V(+)|=|V(-)|とな るように、Vcomが調整される。すなわち、液 表示装置におけるVcomは、図2に示すように、 TFT電圧における交流振幅の中心となるように オフセットがかけられる。これは、|V(+)|≠|V( -)|とした場合、液晶層3に印加される実効電 に直流成分が発生し、その結果、フリッカ の画像劣化が生じるためである。以下、|V(+) |=|V(-)|を満足するVcomを最適Vcom(最適対向電圧) と称す。

 通常、透過モードと反射モードとの双方 表示を行う半透過型の液晶表示装置におい は、上述したフリッカを防止するために、 射表示部に関する最適Vcomと、透過表示部に 関する最適Vcomとが一致することが求められ 。すなわち、反射表示部aに関する最適Vcomを Vcom1、透過表示部bに関する最適VcomをVcom2とす ると、Vcom1=Vcom2を満足することが求められる

 しかしながら、半透過型の液晶表示装置 は、上述したとおり、反射表示部aに形成さ れた反射電極24と透過表示部bに形成された透 過電極23とは、それぞれの構成材料が異なる め、双方の電極で仕事関数差が生じる。こ ため、反射表示部aの液晶層及び透過表示部 bの液晶層に印加される実効電圧は、上記仕 関数差により互いに異なるようになる。

 すなわち、反射表示部aの最適対向電圧と透 過表示部bの最適対向電圧とが互いに異なり 各々の最適対向電圧からのずれ分(電圧差)だ け常に液晶層に電圧が印加されることになる 。そして、上記反射表示部aと透過表示部bと 各最適対向電圧からのずれに起因して、フ ッカ(ちらつき)が生じてしまう。この仕事 数差による電圧差δV2は、透過電極の仕事関 をφ1、反射電極の仕事関数をφ2とすると、 事関数の測定法に関するケルビン法より、
δV2=(φ1-φ2)/e・・・(1)
で表される。なお、eは、電気素量を表して る。また、上記仕事関数差による電位差δV2 、電位レベルで比較した場合、次式(2)に示 ように、反射表示部aの最適対向電圧Vcom1と 透過表示部bの最適対向電圧Vcom2との差とし も表すことができる。
δV2=Vcom1-Vcom2・・・(2)
 本願発明者は、上記の反射表示部と透過表 部との各最適対向電圧(Vcom1,Vcom2)からのずれ (電圧差δV2)をキャンセルする方法を検討した 結果、フリッカ発生の別の要因である、TFT( 膜トランジスタ;Thin Film Transistor)のゲート- レイン間に生じる引き込み電圧(レベルシフ トδVd)に着目した。ここで、このTFTのゲート- ドレイン間に生じる引き込み電圧について以 下に説明する。

 図3は、一般的な液晶表示装置の概略構成 を示すブロック図であり、図4は、1画素の等 回路を示す図である。図4中、CgdはTFTのゲー ト-ドレイン間の寄生容量を示す。図5は、一 的な液晶表示装置の駆動波形図を示してい 。図5中、Vgは1走査信号線(ゲート信号線)の 形を示し、Vsは1信号線(ソース信号線)の波 を示し、Vdはドレイン波形を示す。

 ここで、図3~図5を参照しながら、上記液 表示装置の駆動方法を説明する。なお、液 は、焼き付け残像や、表示劣化を防ぐため 交流駆動を必要とすることは広く知られて り、以下に説明する駆動方法も上記交流駆 の1種であるフレーム反転駆動を用いて説明 する。

 図5に示すように、第1フィールド(TF1)で1 示画素のTFTのゲート電極gに走査信号線駆動 路300から走査電圧Vgh(ゲート信号)が印加さ ると、このTFTはオン状態となり、信号線駆 回路200からの映像信号電圧Vsp(ソース信号)が TFTのソース電極s、及びドレイン電極dを介し 画素電極に書き込まれ、次フィールド(TF2) 走査電圧Vghが印加されるまで画素電極は、 5に示すように画素電位Vdpを保持する。そし 、対向電極は共通電極駆動回路COMによって 定の対向電位Vcomに設定されているため、画 素電極と対向電極とによって保持される液晶 層は画素電位Vdpと対向電位Vcomとの電位差に じて応答し、画像表示が行われる。

 同様に、第2フィールド(TF2)で1表示画素の TFTのゲート電極gに走査信号線駆動回路300か 図5に示すように走査電圧Vghが印加されると このTFTはオン状態となり、信号線駆動回路2 00からの映像信号電圧Vsnが画素電極に書き込 れ、画素電位Vdnを保持し、液晶層は画素電 Vdnと対向電位Vcomとの電位差に応じて応答し 、画像表示が行われ、且つ、液晶交流駆動が 実現される。

 ここで、図4に示すように、TFTのゲート-ド イン間には、構成上、寄生容量Cgdが必然的 形成されるため、図5に示すように、走査電 Vghの立ち下がり時に、画素電位Vdには寄生 量Cgdに起因する引き込み電圧(レベルシフト Vd)が生じる。このようなTFTに必然的に形成 れる寄生容量Cgdに起因して画素電位Vdに生じ るレベルシフト△Vdは、走査信号の非走査時 圧(TFTのオフ時電圧)をVglとすると、
△Vd=Cgd・(Vgh-Vgl)/(Clc+Cs+Cgd)・・・(3)
で表される。このレベルシフトδVdの影響に り、階調電圧の中心値と実際に画素電極に 加される電圧の中心値が異なる最適対向電 からのずれが生じ、フリッカが発生する。

 このように、半透過型の液晶表示装置にお るフリッカの発生要因となる最適対向電圧 ずれは、上述した反射電極と透過電極との 事関数差の影響に加えて、レベルシフトδVd が影響する。このことから、半透過型の液晶 表示装置における、反射表示部a及び透過表 部bそれぞれの変動電圧値δVは、透過表示部b の変動電圧値をδVt、反射表示部aの変動電圧 をδVrとすると、
δVt=δVd+(Vcom2-Vcom)・・・(4)
δVr=δVd+(Vcom1-Vcom)・・・(5)
で表される。なお、式(4)の(Vcom2-Vcom)は、透過 表示部bの仕事関数に起因する変動電圧値を し、式(5)の(Vcom1-Vcom)は、反射表示部aの仕事 数に起因する変動電圧値を示している。

 よって、半透過型の液晶表示装置におい 、反射表示部と透過表示部との各最適対向 圧からのずれに起因するフリッカの発生を 減するためには、δVt=δVrの関係式を満たす とが必要となる。

 そこで、本実施の形態に係る液晶表示装置 は、このフリッカの発生を低減するために 透過表示部及び反射表示部それぞれに対応 たTFTが、個別に形成されている構成である すなわち、液晶表示装置は、1画素において 、透過表示部用のTFT1(第1のトランジスタ)と 反射表示部用のTFT2(第2のトランジスタ)とを え、透過電極及び反射電極のそれぞれに、 なるTFT1、TFT2を介してソース電圧を印加す 構成である。この構成によれば、透過表示 及び反射表示部のそれぞれに対応してトラ ジスタ(TFT1、TFT2)を設けているため、透過表 部における最適対向電圧と、反射表示部に ける最適対向電圧とが互いに等しくなるよ に、TFT1におけるオンからオフへ切り替わる 際の変動電圧値(レベルシフトδVd)と、TFT2に けるオンからオフへ切り替わる際の変動電 値(レベルシフトδVd)とを個別に設定するこ ができる。具体的には、TFT1における寄生容 Cgdに起因するレベルシフトδVd(以下、δVd1と 示す)と、TFT2における寄生容量Cgdに起因する ベルシフトδVd(以下、δVd2と示す)とを異な 値に設定することが可能となる。ここで、 実施の形態に係る半透過型の液晶表示装置 おける、反射表示部a及び透過表示部bそれぞ れの変動電圧値δVは、透過表示部bの変動電 値をδVt、反射表示部aの変動電圧値をδVrと ると、
δVt=δVd1+(Vcom2-Vcom)・・・(6)
δVr=δVd2+(Vcom1-Vcom)・・・(7)
で表される。

 したがって、式(6)及び(7)からも分かるよ に、仕事関数差による変動電圧値δV2(=Vcom1-V com2)を調整することなく、透過表示部bのδVd1 値と、反射表示部aのδVd2の値とを調整する とにより、δVt=δVrの関係式を満たすことが 能となる。

 ここで、本実施の形態に係る液晶表装置 全体構成について説明する。図6は、本実施 の形態に係る液晶表示装置の概略構成示すブ ロック図である。

 図6に示す液晶表示装置は、液晶表示パネ ル100および駆動回路部からその主要部が構成 されており、液晶表示パネル100は、図1に示 ように、一対の電極基板1・2間に液晶層3が 持され、各電極基板1・2の外表面にはそれぞ れ偏光板(図示せず)が貼り付けられている。

 一方の電極基板であるアクティブマトリ ス基板2は、ガラスなどの透明な絶縁性基板 21上に複数本のソース信号線S(1)、S(2)、…S(i) …S(N)、およびゲート信号線G(1)、G(2)…G(j)、 …G(M)、がマトリクス状に形成されている。 して、これらソース信号線5とゲート信号線4 との交差部ごとに、画素電極(透過電極23、反 射電極24)に接続された2個のTFT6が形成されて り、これらの上をほぼ全面にわたって覆う うに配向膜25(図1)が設置されて、アクティ マトリクス基板2が形成されている。

 一方、他の電極基板である対向基板1は、 アクティブマトリクス基板2と同様にガラス どの透明な絶縁性基板11上に、全面にわたっ て共通電極としての透過電極12、配向膜13(図1 )が順次積層されて成っている。

 そして、このようにして構成される液晶 示パネル100の各ゲート信号線4に接続される ゲート信号線駆動回路300、各ソース信号線5 接続されるソース信号線駆動回路200、及び 通電極(透過電極12)に接続される共通電極駆 回路COMによって上記駆動回路部は構成され いる。

 アクティブマトリクス基板2は、より詳細 には、絶縁性基板21(図1)上に、互いに平行に びるように設けられた複数本のゲート信号 4と、各ゲート信号線4に直交する方向に互 に平行に延びるように設けられた複数本の ース信号線5と、各ゲート信号線4の間に互い に平行に延びるように設けられた容量線7(図4 )と、ゲート信号線4およびソース信号線5の各 交差部分に設けられた2個のスイッチ素子のTF T6と、隣り合う一対のゲート信号線4およびソ ース信号線5に囲まれる反射表示部a及び透過 示部bからなる表示領域(画素10)毎に設けら た画素電極8(透過電極23、反射電極24)とを備 ている。

 TFT6は、図7に示すように、ゲート信号線4 ゲート電極gと、ゲート電極gを覆うように けられたゲート絶縁膜(図示せず)と、そのゲ ート絶縁膜上でゲート電極gに対応する位置 島状に設けられた半導体層(図示せず)と、そ の半導体層上で互いに対峙するように設けら れる、ソース信号線5のソース電極s、および レイン電極dとを備えている。ドレイン電極 dは、容量線7の延びる領域まで延設され、容 線7およびその突出部の間に補助容量Csを形 するように構成されている。そして、TFT6は 、1画素10中に2個(TFT1、TFT2)設けられ、図7では 、TFT1のドレイン電極dとTFT2のソース電極sと 接続された構成である。

 画素電極8は、図1に示すように、透過電 23及び反射電極24を含んでいる。画素電極8に おいて、この反射電極24が形成された領域が 射表示領域(反射表示部a)を構成し、反射電 24から露出した透過電極23が透過表示領域( 過表示部b)を構成している。

 アクティブマトリクス基板2は、TFT6を覆 ように層間絶縁膜(図示せず)が積層され、そ の層間絶縁膜の上層に画素電極8が設けられ いる。そして、画素電極8は、層間絶縁膜に 成されたコンタクトホール(図示せず)を介 て、ドレイン電極dに接続されている。

 対向基板1は、絶縁性基板11上にカラーフ ルタ層(図示せず)、共通電極としての透過 極12及び配向膜13が順に積層されて構成され いる。

 上記のように、本実施の形態に係る液晶 示装置は、1画素10において、透過表示部用 TFT1と、反射表示部用のTFT2とを個別に備え ことを特徴としている。

 次に、上記液晶表示装置において、上式( 6)及び(7)に示す透過表示部bのδVd1及び反射表 部aのδVd2の設定方法について以下に説明す 。δVd1及びδVd2は、主に、ゲート-ドレイン の寄生容量Cgd、及び補助容量Csに影響を受け るため、これらの値を調整することが好まし い。特に、寄生容量Cgdの影響を大きく受ける ため、まずCgdの具体的な調整方法について説 明する。

 図8は、1画素を模式的に示した平面図で る。同図に示す例では、TFT1においてゲート 極gとドレイン電極dとが重なる部分の面積(S 1)と、TFT2においてゲート電極gとドレイン電 dとが重なる部分の面積(S2)とが、互いに異な っている。これにより、TFT1のゲート-ドレイ 間の寄生容量Cgd1(図7)と、TFT2のゲート-ドレ ン間の寄生容量Cgd2(図7)とが互いに異なるこ とになる。そして、この寄生容量Cgdの値は、 ゲート電極gとドレイン電極dとが重なる部分 面積に依存するため、面積S1及びS2を最適な 値に設定することにより、δVt=δVrの関係式を 満たすようなδVd1及びδVd2を得ることが可能 なる。

 なお、TFT1及びTFT2の配置構成は、図8のよ にソース電極sを共通とした構成に限定され るものではなく、例えば、図9に示すように TFT1及びTFT2のそれぞれのソース電極sを個別 接続した構成や、図10に示すように、TFT1の レイン電極dとTFT2のソース電極sを接続した 成であってもよい。

 次に、補助容量Csの具体的な設定方法に いて説明する。補助容量Csの値は、補助容量 電極と共通電極とが重なる部分の面積に依存 する。そのため、TFT1において補助容量電極 共通電極とが重なる部分の面積(S11;図示せず )と、TFT2において補助容量電極と共通電極と 重なる部分の面積(S12;図示せず)とを、互い 異なるように設定することによって、TFT1の 補助容量Cs1(図7)と、TFT2の補助容量Cs2(図7)と 互いに異なることになる。これにより、δVt= δVrの関係式を満たすようなδVd1及びδVd2を得 ことが可能となる。

 また、補助容量Csの値は、その蓄積容量 依存するため、補助容量Cs1の蓄積容量と、 助容量Cs2の蓄積容量とを、異ならせる構成 してもよい。

 なお、上記の寄生容量Cgdの設定及び補助 量Csの設定の少なくとも何れか一方を行う とにより、δVd1及びδVd2の調整が可能となる

 このように、本実施の形態に係る液晶表 装置では、透過表示部及び反射表示部のそ ぞれに対応したTFTが個別に設けられている め、透過表示部におけるCgd及びCsの値、及 反射表示部におけるCgd及びCsの値を個別に設 定(調整)することが可能となる。なお、仕事 数の値は、それぞれの電極を構成する材料 より決定される固有の値であるため、仕事 数差δV2は、上式(6)及び(7)において、等しい 値となる。

 そのため、δVd1及びδVd2の値を所望の値に 設定することにより、δVt=δVrの関係式を満た すことが可能となる。すなわち、仕事関数差 δV2の値に関わらず、透過表示部の変動電圧 と反射表示部の電圧変動値とを一致させる とができる。これにより、透過表示部と反 表示部との最適対向電圧を等しくすること できるため、フリッカの発生が低減され表 品位の低下を防ぐことができる。

 また、従来のような、仕事関数差に対す 対策、具体的には、例えば、反射表示部に 成された反射電極を透過表示部に形成され 透過電極により被覆するといった対策を講 る必要がない。

 このように、本実施の形態における液晶 示装置では、透過表示部及び反射表示部の れぞれに対応するTFTを個別に形成し、それ れのゲート引き込み電圧を調整することに り、仕事関数差による最適対向電圧のずれ 解消する構成である。そのため、従来の仕 関数差によるフリッカを低減するとともに ゲート引き込み電圧により生じるフリッカ も低減することができるため、液晶表示装 全体としてのフリッカの発生を低減するこ ができる。そのため、従来と比較して、構 を複雑化することなくフリッカの低減を図 ことができ表示品位を向上させることがで る。また、従来のように透過電極を厚膜化 る必要がないため、透過率が悪化するとい 問題が生じることもない。

 本発明は、上述した実施形態に限定され ものではなく、請求項に示した範囲で種々 変更が可能であり、それぞれ開示された技 的手段を適宜組み合わせて得られる実施形 についても本発明の技術的範囲に含まれる

 本発明の液晶表示装置は、以上のように 上記複数の画素のそれぞれには、上記透過 示部に対応する第1のトランジスタと、上記 反射表示部に対応する第2のトランジスタと 設けられている構成である。

 これにより、構成を複雑化することなく 反射表示部と透過表示部との各最適対向電 からのずれに起因するフリッカの発生を低 することが可能な半透過型の液晶表示装置 提供することができるという効果を奏する

 発明の詳細な説明の項においてなされた 体的な実施形態または実施例は、あくまで 、本発明の技術内容を明らかにするもので って、そのような具体例にのみ限定して狭 に解釈されるべきものではなく、本発明の 神と次に記載する請求の範囲内において、 ろいろと変更して実施することができるも である。

 本発明は、反射表示部と透過表示部との 方によって画像を表示する半透過型の液晶 示装置について、好適に利用することが可 である。