L'invention concerne une cellule de filtre passe- bas spécia¬ lement destinée à être réalisée sous forme de circuit intégré.

Une cellule de filtre passe-bas du deuxième ordre très classi¬ quement utilisée est la cellule dite "de Sallen and Key" représentée à la figure 1. Elle comprend deux résistances RI, R2, deux capacités

Cl, C2 et un amplificateur à gain unitaire, à grande impédance d'entrée et à faible impédance de sortie.

Les valeurs des résistances et des capacités règlent la forme de la courbe de réponse en fréquence de cette cellule. Une forme de courbe de réponse que l'on souhaite souvent obtenir est celle qui correspond à une fonction de transfert dite de Butterworth d'odre 2, c'est-à-dire une fonction de transfert avec coefficient d'amortis¬ sement égal à l'inverse de la racine carrée de 2. Cette fonction de transfert particulière correspond en effet à une courbe de réponse la plus plate possible dans la bande passante (pas de surtension au voisinage de la fréquence de coupure).

On peut montrer que pour la cellule de Sallen and Key de la figure 1, cette courbe de réponse particulière est obtenue à condition que la capacité Cl ait une valeur double de-la capacité C2 et que les résistances RI et R2 aient même valeur :

Cl = 2C2 et RI = R2

Si les résistances RI et R2 sont réalisées par une diffusion d'impuretés de type P à faible concentration dans un substrat de silicium monocristallin, on aboutit à un faible encombrement de la cellule, mais au prix de l'apparition d'une certaine distorsion de signal due à la non-linéarité de ces résistances.

Si les résistances RI et R2 sont réalisées en silicium polycris- tallin, la non-linéarité et la distorsion disparaisssent, mais l'encom¬ brement est considérablement plus important, aussi bien en ce qui

Hk

concerne les résistances, qu'en ce qui concerne les capacités : dans un exemple, on a pu constater que pour obtenir la même courbe de réponse il fallait dans un cas (silicium polycristallin) des résistances 0 fois plus encombrantes et des capacités 6 fois plus encombrantes que dans l'autre cas (diffusion P ^" ).

On a proposé par ailleurs des schémas de filtres à constantes réparties destinés à remplir la même fonction globale de filtrage passe-bas mais en utilisant des éléments de circuit à résistances et capacités réparties à la place du circuit de la figure 1 qui possède des résistances et des capacités bien distinctes les unes des autres.

Ces schémas à constantes réparties ont été proposés dans le but d'améliorer l'atténuation au delà de la fréquence de coupure. En effet leur atténuation peut être exponentielle et donc meilleure que l'atténuation d'un véritable filtre du deuxième ordre tel que la cellule de Sallen et Key.

L'élément à constantes réparties peut être typiquement une ligne de silicium polycristallin (présentant une certaine résistance) formée par gravure d'une couche résistive de silicium polycristallin, isolée par une mince couche diélectrique d'une couche conductrice de silicium polycristallin ou de toute autre couche conductrice constituant une armature de capacité dont l'autre armature est la ligne résistive.

Mais les cellules de filtrage passe-bas à constantes réparties proposées jusqu'à maintenant ne sont pas très bonnes en ce qui concerne l'encombrement global de la cellule pour une forme de courbe de réponse donnée (en particulier pour une fréquence de coupure donnée).

L'invention propose un schéma de cellule de filtrage passe-bas à constantes réparties qui est amélioré du point de vue de l'encom- brement (pour une technologie donnée) par rapport aux cellules connues.

La cellule selon l'invention comprend un amplificateur à gain unitaire, à grande impédance d'entrée et faible impédance de sortie, une ligne résistive ayant une entrée, une sortie et une prise

intermédiaire, cette ligne étant disposée au-dessus d'une plaque conductrice de manière à présenter une capacité répartie par rapport à cette plaque, l'entrée de la ligne constituant l'entrée de la cellule de filtrage, la sortie de la ligne étant reliée à l'entrée de l'amplificateur, la sortie de l'amplificateur constituant la sortie de la cellule et étant reliée par une capacité à la prise intermédiaire, la fraction de résistance de la ligne entre l'entrée de la ligne et la prise intermédiaire par rapport à la résistance globale de la ligne étant comprise entre 0,2 et 0,Ψ9, de préférence entre 0,27 et 0,Ψ et si possible proche de 1/3.

D'autres caractéristiques et avantages de l'invention appa¬ raîtront à la lecture de la description détaillée qui suit et qui est faite en référence aux dessins annexés dans lesquels :

- la figure 1 déjà décrite représente une cellule de filtrage de Sallen et Key,

- la figure 2 représente la cellule selon l'invention,

- la figure 3 représente une manière de réaliser la ligne résistive à constante répartie nécessaire dans la cellule selon l'invention. La cellule de la figure 2 comprend un amplificateur A à gain unitaire, à grande impédance d'entrée et faible impédance de sortie, une capacité Cl et une ligne résistive à constantes réparties LR.

L'entrée de la cellule est désignée par E, la sortie par S, et les signaux d'entrée et de sortie sont des tensions par rapport à une masse M.

La ligne résistive à constantes réparties comprend :

- une ligne résistive proprement dite,

- une armature conductrice reliée à la masse M, la ligne résistive étant isolée de l'armature par un diélectrique mince de sorte qu'une capacité existe entre la ligne résistive et l'armature, cette capacité étant répartie sur toute la longueur de la ligne,

- une prise intermédiaire P permettant cP accéder à la ligne résistive en un point situé entre l'entrée et la sortie de la ligne.

L'entrée de la ligne résistive LR est reliée à l'entrée E de la cellule ; la sortie de la ligne résistive LR est reliée à l'entrée D de l'amplificateur A. La sortie de cellule est constituée par la sortie de l'amplificateur A. La capacité Cl est reliée entre la sortie de l'amplificateur et la prise intermédiaire P.

Selon l'invention, pour minimiser l'encombrement de la cellule (pour une technologie donnée) tout en ayant une courbe de réponse la plus plate possible (notamment sans surtension au voisinage de la fréquence de coupure), la présente invention prévoit que la prise intermédiaire P n'est pas située au milieu de la ligne résistive comme une comparaison avec la cellule de Sallen and Key pourrait le suggérer, mais est située plus près de l'entrée de la cellule à une position telle que le rapport rl/(rl+r2) entre la résistance ri de la portion de ligne située entre les points E et P et la résistance totale (rl+r2) de la ligne entre les points E et D soit compris entre 0,2 et 0,4 ou mieux entre 0,27 de 0,4 et de préférence le plus proche possible de 1/3.

La figure 3 indique schématique ment un mode de réalisation de la ligne résistive à constantes réparties LR.

La ligne est constituée par un ruban 10 de silicium poly¬ cristallin résistif d'une couche supérieure, ce ruban passant au- dessus d'une couche conductrice 12 pouvant être constituée par une couche inférieure de silicium polycristallin. La couche inférieure est présente partout au-dessous de la ligne résistive. Elle est de préférence constituée sous forme d'un rectangle de silicium poly- cristalline de largeur très supérieure à celle du ruban 10 (à moins que la couche inférieure 12 n'ait une résistivité très faible qui permettrait de se contenter d'avoir une couche inférieure 12 en forme de ruban s'étendant sous le ruban 10).

La couche inférieure et la couche supérieure sont séparées par une couche diélectrique mince, par exemple un oxyde de silicium. Les bornes extrêmes de la ligne ainsi que la prise intermédiaire sont constituées par des plots élargis de la couche supérieure de silicium

polycristallin, ces plots pouvant être reliés à des contacts métal¬ liques par lesquels ils sont connectés à d'autres éléments de circuit et plus particulièrement à l'entrée E de la cellule, à l'entrée D de l'amplificateur et à la capacité Cl.

On peut montrer que le gain en encombrement de la cellule selon l'invention peut être de 15 à 20 % par rapport à une cellule de Sallen and Key utilisant des résistances un silicium polycristallin ; ce gain est très important pour des circuits intégrés.