HIRSCH, Michele (Hirschlandstr. 156, Esslingen, 73730, DE)
NEUBURGER, Martin (Bonwiedenweg 17, Geislingen, 73312, DE)
BRAUN, Sigmund (Hauptstr. 29, Kusterdingen, 72127, DE)
RICHTER, Josef (Ersbergweg 30, Reutlingen, 72770, DE)
FARBER, Paul (Dillmannstr. 27, Stuttgart, 70193, DE)
HIRSCH, Michele (Hirschlandstr. 156, Esslingen, 73730, DE)
NEUBURGER, Martin (Bonwiedenweg 17, Geislingen, 73312, DE)
BRAUN, Sigmund (Hauptstr. 29, Kusterdingen, 72127, DE)
RICHTER, Josef (Ersbergweg 30, Reutlingen, 72770, DE)
Ansprüche
1. Leuchtmodul mit mindestens einer auf einem Substrat angeordneten Leuchtdiode (LED), wobei das Substrat als Siliziumsubstrat und die Leuchtdiode als Leuchtdioden-Chip ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass sich zwischen dem Siliziumsubstrat (2) und dem Leuchtdioden- Chip (3) eine Siliziumoxid-Schicht (12) befindet.
2. Leuchtmodul nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass auf der Siliziumoxid-Schicht (12) eine Metallisierung (13) als elektrischer und/oder thermischer Kontakt für den Leuchtdioden-Chip (3) aufgebracht ist.
3. Leuchtmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Rückseite (14) des Siliziumsubstrats (2) eine Siliziumoxid-Schicht aufgebracht ist.
4. Leuchtmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Leuchtdioden-Chips
(3) beabstandet voneinander auf dem Siliziumsubstrat (2) angeordnet sind.
5. Leuchtmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Leuchtdioden-Chips (3) so angeordnet sind, dass die für Kraftfahrzeugscheinwerfer vorgeschriebene Hell-Dunkel-Grenze realisiert ist.
6. Leuchtmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass je ein Leuchtdioden-Chip (3) in einer an der Vorderseite (4) des Siliziumsubstrats (2) ausgebildeten Kavität (5) angeordnet ist.
7. Leuchtmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kavität (5) eine ätzkavität ist.
8. Leuchtmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf mindestens einer Flanke (7) der Kavität (5) eine Metallisierung (13) aufgebracht ist.
9. Leuchtmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Rückseite (14) des
Siliziumsubstrats (2) eine Metallisierung (13) aufgebracht ist.
10. Leuchtmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Rückseite (14) des Siliziumsubstrats (2) eine Klebstoffschicht und/oder Lötschicht aufgebracht ist.
11. Leuchtmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass an der Rückseite (14) des Siliziumsubstrats (2) ein Kühlkörper (15) angeordnet ist.
12. Leuchtmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Sensor (8) auf dem Siliziumsubstrat (2) angeordnet und/oder integriert ist.
13. Leuchtmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor (8) im Bereich von seitlich austretendem Streulicht des Leuchtdioden-Chips (3) angeordnet ist.
14. Leuchtmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass für jeden Leuchtdioden-Chip (3) mindestens ein Sensor (8) vorgesehen ist.
15. Leuchtmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor (8) in der Kavität (5) ausgebildet ist.
16. Leuchtmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf und/oder in dem Silizium- Substrat (2) mindestens eine weitere Zusatzfunktionen integriert ist.
17. Verfahren zum Herstellen eines Leuchtmoduls, insbesondere nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, mit folgenden Schritten:
- Aufbringen/Erzeugen mindestens einer Siliziumoxid- Schicht auf das Siliziumsubstrat,
- Aufbringen einer Metallisierung auf die Siliziumoxid- Schicht,
- Aufbringung mindestens eines Leuchtdioden-Chips auf die Metallisierung. |
Beschreibung
Titel Leuchtmodul
Die Erfindung betrifft ein Leuchtmodul mit mindestens einer auf einem Substrat angeordneten Leuchtdiode (LED), wobei das Substrat ein Siliziumsubstrat ist und die Leuchtdiode als Leuchtdioden-Chip ausgebildet ist.
Stand der Technik
Aus dem Stand der Technik sind Leuchtmodule der eingangs genannten Art bekannt. So wird in der Veröffentlichung "Packaging Design with Thermal Analysis of LED on Silicon Substrate, NSTI- Nanotech 2005, Vol. 3, pp. 513-516, 2005" ein Leuchtmodul beschrieben, bei dem mehrere Leuchtdioden, die als Leuchtdioden- Chips ausgebildet sind, auf einem Siliziumsubstrat angeordnet sind.
Offenbarung der Erfindung
Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass sich zwischen dem Siliziumsubstrat und dem Leuchtdioden-Chip eine Siliziumoxid- Schicht befindet. Besonders bevorzugt ist die Siliziumoxid-Schicht als Siliziumdioxid-Schicht (Siθ2) ausgebildet. Diese wirkt als elektrisch isolierende Schicht zwischen dem Siliziumsubstrat und dem Leuchtdioden-Chip. Außerdem bietet die Siliziumoxid-Schicht zwei weitere Vorteile, die die Wärmeabfuhr von dem Leuchtdioden- Chip begünstigt. Zum einen weist die Siliziumoxid-Schicht, die beispielsweise durch Passivierung der Siliziumsubstrat-Oberfläche erzeugt wird, im Vergleich zu physikalisch aufgebrachten Isolierschichten eine sehr geringe Höhe (1 bis 2 μm) auf, und zum anderen hat sie dabei immer noch eine moderate Wärmeleitfähigkeit, sodass Wärme von dem Leuchtdioden-Chip vorteilhaft abgeführt wird.
Vorteilhafterweise ist auf der Siliziumoxid-Schicht eine Metallisierung als elektrischer und/oder thermischer Kontakt für den Leuchtdioden- Chip aufgebracht. über die Metallisierung wird die im Leuchtdioden- Chip entstehende Wärme schnell und auf einfache Art und Weise abgeführt. Um eine elektrische Verbindung von dem Leuchtdioden- Chip zu der Metallisierung zu erhalten, können beispielsweise mittels Drahtbonden Bondverbindungen erstellt werden. Vorteilhafterweise wird der Leuchtdioden-Chip über die Metallisierung direkt elektrisch kontaktiert, sodass ein nachträgliches Erstellen von beispielsweise Bondverbindungen nicht notwendig ist. Der Leuchtdioden-Chip wird dabei mittels der sogenannten Flip-Chip-Technik auf die Metallisierung aufgebracht. Das bedeutet dass der Leuchtdioden- Chip mit seiner aktiven Kontaktierungsseite zum Siliziumsubstrat hin montiert wird. Dies bringt Vorteile besonders für ein Package und kurze Leiterlängen. Darüber werden die elektrischen Verbindungen zu dem Leuchtdioden-Chip gleichzeitig, und nicht nacheinander wie beim Drahtbonden, erstellt, sodass eine Zeitersparnis erreicht wird. Zusätzlich ist der Leuchtdioden-Chip mit der Metallisierung verlötet.
Nach einer Weiterbildung der Erfindung ist auf der Rückseite des Substrats eine Siliziumoxid-Schicht vorgesehen. So kann das Siliziumsubstrat mit seiner Rückseite direkt an einem elektrisch leitenden Träger, wie zum Beispiel an einer Leiterplatte, angebracht werden, ohne dass eine zusätzliche Isolierung oder eine aufwendige Anordnung der Leiterbahnen auf der Leiterplatte, notwendig ist. Darüber hinaus kann durch die Siliziumoxid-Schicht Wärme des Siliziumsubstrats sehr gut an den Träger abgeführt werden.
Zweckmäßigerweise sind auf der Vorderseite des Siliziumsubstrats mehrere Leuchtdioden-Chips beabstandet voneinander angeordnet. Die elektrische Isolierung der Siliziumoxid-Schicht dient dabei dazu, verschiedene Bereiche des Leuchtmoduls, wie zum Beispiel in Serie verschaltete Leuchtdioden-Chips, elektrisch voneinander zu trennen. Die Siliziumoxid-Schicht stellt dabei eine besonders leicht zu realisierende Isolierung dar. Die Verwendung von Leuchtdioden-
Chips hat gegenüber Leuchtdioden-Lösungen, die verpackte LED's verwenden, insbesondere für Scheinwerfer eines Kraftfahrzeugs, welche aufgrund der benötigten Anzahl an Einzel-LED's zu relativ großen Lichtquellen werden, den Vorteil, besonders kleine Lichtquellen zu ermöglichen und dadurch einen flexibleren Einsatz zu erreichen. Ebenso fallen durch die Verwendung von Leuchtdioden- Chip-Lösungen die entsprechenden Optiken, die das erzeugte Licht auf beispielsweise die Straße projizieren sollen, kleiner aus. Durch das erfindungsgemäße Leuchtmodul ist es auf einfache Art und Weise möglich, die Leuchtleistung pro Leuchtmodul individuell nach Kundenwunsch zu realisieren, wobei der prinzipielle Aufbau des Leuchtmoduls unverändert bleibt und lediglich die Leuchtmodulgröße verändert wird. Die geschieht beispielsweise durch Vereinzeln mittels Zersägen, Fräsen und/oder Lasern. Die Leuchtdioden-Chips können dabei in beliebiger Art und Weise auf dem Siliziumsubstrat angeordnet werden, wobei sie vorteilhafterweise so angeordnet werden, dass eine günstige Wärmeverteilung entsteht und/oder so, dass die gesetzlich vorgeschriebene Hell-Dunkel-Grenze mit dem 15° Anstieg für Kraftfahrzeugscheinwerfer gebildet wird, welche in geeigneter Art und Weise durch eine zusätzliche Optik auf die Straße abgebildet wird.
Zweckmäßigerweise ist je ein Leuchtdioden-Chip in einer Kavität angeordnet. Nach dem Aufbringen eines Leuchtdioden-Chips in einer Kavität wird diese vorteilhafterweise mit einem Phosphor- Konversionsgel oder einer optisch inerten Masse aufgefüllt, um aus dem Blau- oder UV-emittierenden Licht der Leuchtdioden-Chips weißes Licht zu erzeugen. Falls der Leuchtdioden-Chip bereits phosphorbeschichtet ist, so ist eine Verkapselung der Kavität mit optisch neutralem Material vorteilhaft.
Zweckmäßigerweise ist die Kavität als ätzkavität, beispielsweise durch nass-chemisches ätzen mit KOH, ausgebildet.
Nach einer Weiterbildung der Erfindung weisen die Flanken der Kavität eine Metallisierung auf, um bessere optische Eigenschaften zur Lichtauskopplung zu erreichen. Die metallisierten Flanken bilden dabei Spiegelflächen.
Nach einer Weiterbildung der Erfindung ist auf der Rückseite des Siliziumsubstrats eine Metallisierung als Kontaktfläche zu einem Träger, wie beispielsweise eine Leiterplatte, oder zu einem Kühlkörper aufgebracht. Die Metallisierung der Rückseite ist förderlich, wenn ein geeignet dimensionierter Kühlkörper an die Rückseite angelötet wird, der die erzeugte Wärme effizient an die Umgebung abgibt. Alternativ oder zusätzlich zum Verlöten ist dazu auf der Rückseite des Siliziumsubstrats eine Klebstoffschicht aufgebracht. Dabei wird ein Vorteil des Siliziumsubstrats, nämlich die intrinsische Ebenheit des Siliziums, ausgenutzt. Sie erlaubt es, sehr dünne Klebstoffschichten zu realisieren, die einen geringen Beitrag zum thermischen Gesamtwiderstand des Systems beitragen.
Nach einer Weiterbildung der Erfindung ist mindestens ein Sensor auf dem Siliziumsubstrat aufgebracht, der die Lichtleistung und/oder die Temperatur von einem oder mehreren Leuchtdioden-Chips erfasst, da diese in ihrer Leistung davon abhängig sind. Die Lichtleistung von Scheinwerfern wird durch rechtliche Vorgaben geregelt. Zusätzlich wird dem Fahrer eines Kraftfahrzeugs vorteilhafterweise mittels einer Warnmeldung ein defekter
Leuchtdioden-Chip beziehungsweise ein defektes Leuchtmodul gemeldet. Elektrische Kenngrößen würden die Lichtleistung nicht oder nur unzureichend wiedergeben. Mittels des Sensors ist es möglich auch den Alterungseffekt eines Leuchtdioden-Chips zu erfassen, sodass dieser durch eine geeignete Ansteuerung des
Leuchtdioden-Chips ausgeglichen wird. Nach einer Weiterbildung der Erfindung ist vorteilhafterweise mindestens eine weitere Funktion, wie zum Beispiel Dimmen oder Ausschalten des Leuchtdioden-Chips, eine Auswertung von integrierter Sensorik, ein Regelkreis und/oder eine Kommunikation mit einer Steuerelektronik zur Ansteuerung des
Leuchtdioden-Chips, auf dem Siliziumsubstrat integriert, sodass ein intelligentes Leuchtmodul realisiert wird.
Vorteilhafterweise ist der Sensor im Bereich von Streulicht, insbesondere im Bereich von seitlich austretendem Streulicht des Leuchtdioden-Chips, angeordnet, sodass die eigentliche Lichtleistung nicht negativ beeinflusst wird.
Vorteilhafterweise ist für jeden Leuchtdioden-Chip ein Sensor vorgesehen. Die erfassten Messdaten werden dabei entweder direkt intern, also in dem Leuchtmodul, ausgewertet oder zu einer Steuereinheit geführt. Das Siliziumsubstrat bietet dabei erstmals die Möglichkeit, einen oder mehrere Sensoren direkt am Leuchtmedium, also direkt bei der Lichtquelle beziehungsweise dem Leuchtdioden- Chip unterzubringen. Als Sensor wird vorteilhafterweise eine PN oder PIN-Diode verwendet, die vorteilhafterweise direkt am Rand einer geätzten Kavität angebracht und/oder durch Dotierung einer Oberfläche ausgebildet ist. Vorteilhafterweise bildet ein derartiger Sensor dabei eine der Flanken der Kavität. Um die Prozesstechnik zu vereinfachen, wird der Sensor vor der ätzung der Kavität angebracht beziehungsweise ausgebildet. Die anschließende ätzung der Kavität erlaubt zum einen die Realisierung des sogenannten Bottom-Kontaktes des Sensors und führt zum anderen eine Selbstjustage des Sensors durch.
Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines Leuchtmoduls, insbesondere eines Leuchtmoduls wie es oben beschrieben wurde, wobei zunächst eine Siliziumoxid-Schicht auf ein Siliziumsubstrat aufgebracht beziehungsweise auf einem Siliziumsubstrat erzeugt wird, und wobei anschließend eine
Metallisierung auf die Siliziumoxid-Schicht aufgebracht wird, und wobei abschließend ein Leuchtdioden-Chip auf die Metallisierung aufgebracht wird. Vorteilhafterweise wird vor dem Aufbringen beziehungsweise Erzeugen einer Siliziumoxid-Schicht eine Kavität in das Siliziumsubstrat geätzt, in die der Leuchtdioden-Chip später
eingesetzt wird. Zweckmäßigerweise wird die Kavität nach dem Aufbringen und dem Verlöten des Leuchtdioden-Chips auf der Metallisierung mit einem Phosphor-Konversionsgel oder einer optischen inerten Masse aufgefüllt, um aus dem Blau- oder UV- emittierten Licht des Leuchtdioden-Chips weißes Licht zu erzeugen.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
Im Folgenden soll die Erfindung anhand einiger Zeichnungen näher erläutert werden. Dazu zeigen im Folgenden
Figur 1 eine Schnittsdarstellung eines erfindungsgemäßen
Leuchtmoduls,
Figur 2 eine detaillierte Schnittdarstellung des Leuchtmoduls und
Figur 3 eine perspektivische Darstellung eines Leuchtmoduls.
Ausführungsform(en) der Erfindung
Die Figur 1 zeigt als Ausführungsbeispiel der Erfindung in einer Schnittdarstellung einen Ausschnitt eines Leuchtmoduls 1 , das ein Siliziumsubstrat 2 und einen Leuchtdioden-Chip 3 aufweist. Das Siliziumsubstrat 2 weist an seiner Vorderseite 4 eine eingeätzte
Kavität 5 auf, die durch eine Bodenfläche 6 und seitlichen Flanken 7 gebildet wird, wobei in der in Figur 1 gezeigten Darstellung nur eine durch die Kavität 5 gebildete Flanke 7 gezeigt ist. Die dieser Flanke 7 gegenüberliegende Flanke T wird von einem Sensor 8 gebildet. Dazu ist die Flanke an ihrer Oberfläche durch ein geeignetes Dotierungsprofil so PN- oder PIN-dotiert, dass die Flanke T als Sensor 8 wirkt. In der Mitte des durch die Flanken 7 und T gebildeten Raums der Kavität 5 ist der Leuchtdioden-Chip 3 mit seiner Rückseite 9 auf der Bodenfläche 6 angeordnet. Im eingeschalteten Zustand emittiert der Leuchtdioden-Chip sowohl
direktes Licht, durch die Pfeile 10 angedeutet, als auch seitliches Streulicht, durch die Pfeile 11 angedeutet. Der Sensor 8 registriert das seitliche Streulicht 11 , wobei die Messdaten entweder intelligent intern, also im Leuchtmodul 1 , ausgewertet oder nach außen, zum Beispiel zu einer Steuereinheit, geführt werden. Diese Messdaten ermöglichen die überwachung der Lichtleistung des Leuchtdioden- Chips 3. Dies ist insbesondere von Vorteil bei der Verwendung des Leuchtmoduls 1 für einen Scheinwerfer eines Kraftfahrzeugs, bei dem die Lichtleistung durch rechtliche Vorgaben bestimmt ist. Detektiert der Sensor 8 einen defekten Leuchtdioden-Chip, so wird vorteilhafterweise dem Fahrer eine Warnmeldung übermittelt. Darüber hinaus kann durch die ständige überwachung des Leuchtdioden-Chips 3 durch den Sensor 8 der Alterungseffekt des Leuchtdioden-Chips überwacht und gegebenenfalls ausgeglichen werden, sodass die Lebensdauer des Leuchtmoduls verlängert wird. Zwischen dem Leuchtdioden-Chip 3 und dem Siliziumsubstrat 2 ist vorteilhafterweise eine Siliziumoxid-Schicht 12 vorgesehen, die eine elektrische Isolierung bewirkt. Vorteilhafterweise ist die Siliziumoxid- Schicht 12 eine Siliziumdioxid-Schicht. Zum elektrischen und thermischen Kontaktieren des Leuchtdioden-Chips 3 ist eine Metallisierung, wie sie in Figur 2 dargestellt ist, vorgesehen.
Die Figur 2 zeigt den Ausschnitt des Leuchtmoduls 1 aus der Figur 1 aus einer um 90 Grad versetzten Blickrichtung, sodass der Sensor 8 nicht dargestellt ist. Beispielhaft dargestellt ist die Siliziumoxid- Schicht 12, die beispielsweise durch Passivierung der Oberfläche des Siliziumsubstrates 2 erstellt wird. Zwischen der Siliziumoxid- Schicht 12 und dem Leuchtdioden-Chip 3 ist die Metallisierung 13 vorgesehen, mittels derer der Leuchtdioden-Chip 3 thermisch und/oder elektrisch kontaktiert wird. Bei der Montage wird der Leuchtdioden-Chip 3 mit seiner funktionellen Rückseite 9 auf die Metallisierung 13 gesetzt und damit verlötet. In dem Leuchtdioden- Chip 3 entstehende Wärme wird vorteilhaft über die Metallisierung 13 und die sehr dünne Siliziumoxid-Schicht 12 an das Siliziumsubstrat 2 abgeführt. An die Rückseite 14 des Siliziumsubstrates 2 ist ein
Kühlkörper 15 angeordnet. Um einen besonders vorteilhaften Wärmeübergang von dem Siliziumsubstrat 2 auf den Kühlkörper 15 zu erhalten, ist auch an der Rückseite 14 des Siliziumsubstrates 2 eine Metallisierung aufgebracht. Um einen elektrischen Kontakt zwischen dem Siliziumsubstrat 2 und dem Kühlkörper 15 oder beispielsweise einer Leiterplatte zu vermeiden, ist ebenfalls die Rückseite 14 des Siliziumsubstrats 2 mittels einer Siliziumoxid- Schicht isoliert, wobei die Metallisierung erst nach der Siliziumoxid- Schicht aufgebracht wird. Vorteilhafterweise wird das gesamte Siliziumsubstrat 2 passiviert, sodass die Siliziumoxid-Schicht an der gesamten Oberfläche ausgebildet ist, wobei dies nach dem Einätzen der Kavität 5 geschehen sollte.
Alternativ kann der Kühlkörper 15 auch mittels einer an der Rückseite 14 des Substrats 2 angeordneten Klebstoffschicht an der Rückseite 14 des Siliziumsubstrats 2 befestigt werden. Die intrinsische Ebenheit des Siliziumsubstrats wirkt sich dabei vorteilhaft aus, sodass die notwendige Klebstoffschicht sehr dünn ausfällt.
Die Figur 3 zeigt in einer perspektivischen Darstellung das
Leuchtmodul 1. In dem Leuchtmodul 1 sind mehrere Kavitäten 5 beabstandet zueinander auf der Vorderseite 4 des Siliziumsubstrats 2 angeordnet. In jeder Kavität 5 ist ein Leuchtdioden-Chip 3 auf die oben beschriebene Art und Weise befestigt. Die Passivierung des Siliziumsubstrats 2 mittels der Siliziumoxid-Schicht 12 ermöglicht das In-Reihe-Schalten der Leuchtdioden-Chips 3. Vorteilhafterweise weisen auch die Flanken 7 eine Metallisierung auf, um die optischen Eigenschaften beziehungsweise die Leuchtleistung des Leuchtmoduls 1 zu verbessern. Sie dienen dabei als Spiegelfläche.
Dieses Konzept des Leuchtmoduls 1 erlaubt einen modularen Aufbau bei welchem die Lichtleistung pro Leuchtmodul 1 , zum Beispiel durch Variationen der Modulgröße, mit einem einzigen Grundkonzept erzielt werden kann. Dies ist von besonderem Vorteil für die designspezifischen überlegungen der heutigen
Kraftfahrzeugindustrie, bei der die Anforderungen an ein Leuchtmodul stark variieren. Die eigentliche Modulgröße des Leuchtmoduls 1 kann beispielsweise nach der eigentlichen Herstellung durch Vereinzeln, wie zum Beispiel mittels Zersägen, festgelegt werden. Vorteilhafterweise ist in jeder Kavität 5 ein Leuchtdioden-Chip 3 und ein Sensor 8 angeordnet, wobei der Sensor 8 beispielsweise durch eine PN beziehungsweise PIN-Diode realisiert ist. Durch Verwendung der Siliziumoxid-Schicht wird die Wärmeabfuhr vorteilhaft verbessert und somit ermöglicht, dass auf einer kleineren Fläche eine höhere Lichtleistung erzeugt werden kann. Durch eine geeignete Anordnung der Leuchtdioden-Chips 3 kann vorteilhafterweise bereits auf Leuchtmodulebene die gesetzlich vorgeschriebene Hell-Dunkel-Grenze mit einem 15-Grad-Anstieg abgebildet werden. Die Kavitäten 5 können nach dem Aufbringen des Leuchtdioden-Chips 3 entweder mit einem Phosphor- Konversionsgel oder einer optisch inerten Masse aufgefüllt werden, um aus dem Blau- oder UV-emittierten Licht der Leuchtdioden-Chips 3 weißes Licht zu erzeugen. Es ist denkbar, dass eine geeignete Primäroptik, die das erzeugte Licht auf die Straße projiziert, auf das Leuchtmodul gemoldet wird. Die Ansteuerung der einzelnen
Leuchtdioden-Chips 3 ist vorteilhafterweise in dem Siliziumsubstrat 2 integriert. Unterschiedliche Zusatzfunktionen, wie zum Beispiel ein Dimmen oder ein punktuelles Ausschalten einzelner Leuchtdioden- Chips 3 ist ebenfalls vorteilhafterweise in und/oder an dem Siliziumsubstrat realisiert.